JP2018151211A - 高周波インピーダンス測定方法 - Google Patents

Abstract

【課題】線路インピーダンスの正確な値が既知でなくとも、線路インピーダンスダンスに比べて十分に小さい高周波インピーダンスを有する被測定物の高周波インピーダンスを正確に測定できるようにすること。
【解決手段】第１線路１１と第２線路１２とを平行に配設し、高周波インピーダンスを測定する被測定物４０を、第１線路と電磁結合するように配置し、第１線路及び第２線路の入力端から第１線路及び第２線路の出力端への伝送における、又は、入力端の反射における、コモンモードとディファレンシャルモード間のモード転換量Ｓ_cd21、Ｓ_dc21、Ｓ_cd11、又は、Ｓ_dc11を測定し、モード転換量に基づいて被測定物の高周波インピーダンスを測定する。
【選択図】図１

Description

本発明は導電性テープなどの高周波抵抗の小さい被測定物のインピーダンスを精度良く測定可能とする高周波インピーダンス測定方法に関する。

従来、下記特許文献１〜３に開示のように、ネットワークアナライザを用いて散乱行列の要素（Ｓパラメータ）の伝達係数Ｓ₂₁と反射係数Ｓ₁₁とを測定して、両者と線路インピーダンスとから被測定物の高周波インピーダンスを測定することが知られている。

特開２０１４−１００６７号公報 特開２００６−２５０７４３号公報 特開２０１６−３１３２７号公報

ところが、上記の何れの特許文献による技術もネットワークアナライザを用いてＳパラメータを測定しているが、測定値はシングルエンデッドＳバラメータである。そのため、線路インピーダンス（例えば、５０Ω）に比べて、被測定物のインピーダンスが非常に小さいと、インピーダンスダンスの値を正確に決定することができない。例えば、粘着性のある導電性シートは、電磁遮蔽のために高周波機器の隙間を塞ぐことに用いられ、製品化されている多数の導電性シートの遮蔽性を評価するためには、粘着物質が塗布された状態での導電性シートの小さい高周波インピーダンスを正確に求める必要がある。また、測定される高周波インピーダンスは、線路インピーダンスによって影響を受ける。このため、線路インピーダンス値が正確でないと、測定に誤差を生じる。
そこで、本発明の目的とするところは、線路インピーダンスの正確な値が既知でなくとも、線路インピーダンスダンスに比べて十分に小さい高周波インピーダンスを有する被測定物の高周波インピーダンスを正確に測定できるようにすることである。

上記目的を達成するための本発明は、高周波インピーダンスの測定方法において、第１線路と第２線路とを平行に配設し、高周波インピーダンスを測定する被測定物を、第１線路と電磁結合するように配置し、第１線路及び第２線路の入力端から第１線路及び第２線路の出力端への伝送における、又は、入力端の反射における、コモンモードとディファレンシャルモード間のモード転換量を測定し、モード転換量に基づいて被測定物の高周波インピーダンスを測定することを特徴とする高周波インピーダンス測定方法である。モード転換量として、ミックスド・モードＳパラメータの伝達係数と反射係数とが考えられる。伝達係数としてのモード転換量は、入力端にコモンモードの信号を入力して、出力端からディファレンシャルモードの出力を得る場合の伝達係数、又は、逆に、入力端にディファレンシャルモードの信号を入力して、出力端からコモンモードの出力を得る場合の伝達係数である。ＳパラメータのうちＳ_cd21、Ｓ_dc21のことである。また、反射係数としてのモード転換量は、入力端にコモンモードの信号を入力して、入力端でのディファレンシャルモードの反射出力を得る場合の反射係数、又は、逆に、入力端にディファレンシャルモードの信号を入力して、入力端でのコモンモードの出力を得る場合の反射係数である。ＳパラメータのうちＳ_cd11、Ｓ_dc11のことである。

本発明において、第１線路及び第２線路は、誘電体基板の表面に配設され誘電体基板の裏面にはグランド導体が配設されたマイクロストリップ線路とすることができる。さらには、第１線路及び第２線路は誘電体基板の表面に配設された平衡線路であり、入力端に不平衡−平衡変換器、出力端に平衡−不平衡変換器を用いるようにしても良い。さらには、第１線路と第２線路は、それらの線路間を除く外側にグランド導体が存在するコプレーナ線路であっても良い。

また、被測定物を第１線路側に設ける方法は幾つか存在する。第１線路は欠落部を有し、その欠落部に被測定物を設けて、被測定物を欠落部の両端に接続するようにしても良い。この方法では、信号は第１線路の分割された片側から被測定物に伝搬し、被測定物から第１線路の他方側に伝搬する。被測定物は欠落部の両端の第１線路に直流的に接続している。被測定物の両端と第１線路の欠落部の両端との間に間隙が存在し、第１線路と被測定物とが電磁結合するように第１線路と被測定物とを配置しても良い。また、第１線路に欠落部を設けることなく、被測定物を第１線路と微小間隙を設けて配設し、被測定物と第１線路とを電磁結合させるようにしても良い。例えば、第１線路の信号伝搬方向の片側、又は、上部に微小間隙を設けて被測定物を配置しても良い。また、第１線路の幅は一定であっても良いが、一定でなくとも良い。例えば、第１線路を、欠落部において、被測定物の幅に等しい幅に拡幅するようにしても良い。

一方、第２線路については次の構成を採用することができる。第２線路は欠落部を有し、その欠落部に基準インピーダンス素子を設けて、基準インピーダンス素子を欠落部の両端に接続するようにしても良い。この場合には、被測定物の高周波インピーダンスが基準インピーダンスに対する偏差として測定することができる。また、被測定物と第１線路との関係と同様に、第２線路の欠落部の両端と基準インピーダンス素子の両端との間に間隙を設けて、両者を電磁結合させても良い。さらには、第２線路に欠落部を設けることなく、基準インピーダンス素子を第２線路と微小間隙を設けて配設し、基準インピーダンス素子と第２線路とを電磁結合させるようにしても良い。例えば、第２線路の信号伝搬方向の片側、又は、上部に微小間隙を設けて基準インピーダンス素子を配置しても良い。また、第２線路の幅は一定であっても良いが、一定でなくとも良い。例えば、第２線路を、欠落部において、基準インピーダンス素子の幅に等しい幅に拡幅するようにしても良い。

また、被測定物や基準インピーダンス素子を設けない状態で、第１線路の線路インピーダンスと第２線路の線路インピーダンスとを等しくすることが望ましい。被測定物のより正確な高周波インピーダンスを測定することが可能となる。また、被測定物は特に限定されないが、被測定物は粘着物が設けられた導電性シートとすることができる。導電性シートの抵抗は線路インピーダンスに比べて非常に小さいが、第１線路と第２線路とにおけるコモンモードとディファレンシャルモードとの間のモード転換量を測定することで、高周波インピーダンスを正確に測定することができる。さらに、測定する高周波インピーダンスは抵抗、容量、インダクタンスであり、一般には複素数である。

モード転換量から被測定物の高周波インピーダンスを求める方法は、例えば、次の方法がある。被測定物を高周波インピーダンスが既知で異なる複数の標準素子とする。これらの複数の標準素子についてそれぞれのモード転換量を測定して、各標準素子の既知の高周波インピーダンスと測定されたモード転換量との関係を示す較正特性を求める。この較正特性を用いて被測定物の測定されたモード転換量に対応すると高周波インピーダンスを求めることができる。較正特性は標準素子の高周波インピーダンスとモード転換量との対応表としても良い。被測定物の測定されたモード転換量に最も近いモード転換量と次に近いモード転換量との２つのモード転換量を対応表から求め、それらの２つの高周波インピーダンスを両端とする内挿補間又は外挿補間から被測定物の高周波インピーダンスを求めるようにしても良い。又は、較正特性を、標準素子の既知の高周波インピーダンスと測定されたモード転換量との関係を最小自乗近似関数として、その関数に被測定物の測定されたモード転換量を代入して、対応する高周波インピーダンスを求めるようにしても良い。また、モード転換量はネットワークアナライザにより測定することができる。

本発明によると、被測定物が電磁結合している第１線路と第１線路に平行な第２線路の間におけるコモンモードとディファレンシャルモード間のモード転換量により、被測定物の高周波インピーダンスを測定している。モード転換量は回路の非対称性を反映しており、被測定物の高周波インピーダンスが第２線路のインピーダンスに対する差分で測定される。したがって、被測定物の高周波インピーダンスが線路インピーダンスに比べて非常に小さい場合であっても、高周波インピーダンスを精度良く測定することができる。また、第１線路と第２線路の線路インピーダンスが一致していなくとも、それらの値が正確に知られていなくとも、被測定物の高周波インピーダンスを正確に測定することができる。被測定物は特に限定されないが、特に、粘着物が塗布された抵抗が極めて小さい導電性シートの高周波インピーダンスを精度良く測定することができる。

本発明の具体的な一実施例に係る高周波インピーダンス測定方法を実施する装置全体を示す構成図。 シミュレーションによる同実施例において被測定物の導電率を変化させた時のモード変換量の周波数特性を示した特性図。 他の例に係る第１線路及び第２線路と被測定物との関係を示した構成図。 他の例に係る第１線と被測定物との関係を示した構成図。 他の例に係る第１線路と被測定物との関係を示した構成図。 実施例１において異なる導電率を有する被測定物のモード変換量の周波数特性を測定して得られた特性図。

以下、本発明を実施例に基づいて説明する。本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

１．全体の構成
図１は本発明の一実施例に係る高周波インピーダンス測定方法を示している。平板状の誘電体基板１０の上面に第１線路１１と第２線路１２とが平行に配設されている。第１線路１１と第２線路１２とは電磁的に結合している。誘電体基板１０の裏面の全面にはグランド導体１３が配設されている。したがって、第１線路１１と第２線路１２とはマイクロストリップ線路である。第１線路１１は信号が伝搬する方向の中央部で上流第１線路１１ａと下流第１線路１１ｂとに２分割されている。そして、上流第１線路１１ａと下流第１線路１１ｂとの間は、線路が存在せず欠落部１４を構成している。この欠落部１４に被測定物４０が配設され、被測定物４０の一端が上流第１線路１１ａの端部に接続され、他端が下流第１線路１１ｂの端部に接続されている。上流第１線路１１ａ、被測定物４０、下流第１線路１１ｂａは直流での導通がある。

第１線路１１の一端は信号が入力する入力端１５、他端は信号が出力する出力端１６であり、第２線路１２の一端は信号が入力する入力端１７、他端は信号が出力する出力端１８である。そして、入力端１５、１７は、それぞれ、同軸ケーブル２１、２２によりネットワークアナライザ３０の信号出力端３１、３２と接続されている。一方、出力端１６、１８は、それぞれ、同軸ケーブル２３、２４によりネットワークアナライザ３０の信号入力端３３、３４と接続されている。同軸ケーブル２１、２２、２３、２４、第１線路１１、第２線路１２の線路インピーダンス、ネットワークアナライザ３０の出力端子３１、３２の出力インピーダンス、入力端子３３、３４の入力インピーダンスはいずれも５０Ωである。被測定物４０は裏面に粘着物が塗布された導電性シートである。

２．モード転換量の測定
本実施例は、このような構成において、次のようにして被測定物４０の高周波インピーダンスが測定される。
第１線路１１の入力端１５と第２線路１２の入力端１７とをネットワークアナライザ３０によりディファレンシャルモードで励起する。すなわち、入力端１７の入力信号と入力端１５の入力信号との位相がπ(rad) となるように、端子間電圧Ｖ_d で励振する。そして、第１線路１１の出力端１６と第２線路１２の出力端１８から出力される信号からネットワークアナライザ３０によりコモンモードの信号を得る。すなわち、出力端１６の出力信号と出力端１８の出力信号との和電圧Ｖ_c を求める。Ｖ_d とＶ_c とから、ミックスド・モードＳパラメータのディファレンシャルモードからコモンモードへの伝達係数Ｓ_cd21が、Ｖ_c ／Ｖ_d により求められる。ただし、Ｖ_d 、Ｖ_c 、Ｓ_cd21は、位相と振幅を含む複素数（ベクトル）である。

３．シミュレーション及び測定
本発明の測定原理を確証するために、以下のようにシミュレーションを行った。第１線路１１は欠落部１４を有しない直線線路、第２線路１２は第１線路と平行で幅と長さが等しい直線線路である。両者の材質は銅である。誘電体基板１０の長さ（信号の伝搬方向）は６０ｍｍ、基板表面上長さ方向に垂直な方向の幅は３０ｍｍであり、誘電率は２．０−ｊ０．０である。第１線路１１及び第２線路１２の線路長は６０ｍｍ、線路幅は０．６４ｍｍ、第１線路１１と中心線と第２線路１２の中心線との間隔は０．６４ｍｍである。線路インピーダンスは５０Ωである。第２線路１２の導電率は６．０×１０⁷ Ｓ／ｍである。第１線路１１の導電率を６．０×１０⁷ Ｓ／ｍ、１．０×１０⁷ Ｓ／ｍ、１．０×１０⁶ Ｓ／ｍ、１．０×１０⁵ Ｓ／ｍと異なる値として、４種の平行マイクロストリップ線路を想定した。このシミュレーションは、第２線路１２が基準線路、第１線路１１全体が被測定物の導電性シートを模倣したものである。

上記の４種のマイクロストリップ線路について、ディファレンシャルモードからコモンモードへのモード転換量Ｓ_cd21を求めた。そのシミュレーション結果を図２に示す。
第１線路１１と第２線路１２とが同一導電率である場合には、測定周波数範囲０．２ＧＨｚ〜８ＧＨｚにおいて、−８０ｄＢ〜−５０ｄＢと極めて小さい値である。すなわち、２つのマイクロストリップ線路の対称性が高く、モード転換は生じていないことが分かる。第１線路１１の導電率が１．０×１０⁷ Ｓ／ｍ、１．０×１０⁶ Ｓ／ｍ、１．０×１０⁵ Ｓ／ｍと１桁づづ小さくなるに連れて、モード転換量Ｓ_cd21は測定周波数範囲において−４０．０ｄＢ〜−３６．３ｄＢ、−２７．５ｄＢ〜−２３．８ｄＢ、−１７．５ｄＢ〜−１３．７５ｄＢと、１０ｄＢ程度順次増加している。２つのマイクロストリップ線路の非対称性が大きくなり、ディファレンシャルモードからコモンモードへのモード転換量Ｓ_cd21が増加していることが分かる。
実際に図１の配置において、銅シート、粘着物が塗布された異なる２種類の導電性シートの３試料を被測定物４０として、モード転換量Ｓ_cd21を測定した。測定結果を図６に示す。第１線路１１及び第２線路１２の導電率、線路インピーダンス、幅、長さ、誘電体基板１０の長さ、幅、誘電率は上記と同一である。第１線路１１には欠落部１４を設け、その欠落部１４の上に第１線路１１に両端が接触するように被測定物を置いて測定した。その測定結果を図６に示す。２種類の粘着性導電性シートは明らかに特性の差異を有し、銅シートとも明確に差異があることが分かる。このように本発明の高周波インピーダンス測定方法によると、種類の異なる粘着性導電性シートの高周波特性、高周波インピーダンスを精度良く評価できることが実験からも分かる。

４．被測定物の高周波インピーダンスの決定
図１に示すように、第１線路１１の中央部に欠落部１４を設けて、欠落部１４に被測定物である粘着物が塗布された導電性シートを設けて、モード転換量Ｓ_cd21を測定すれば、この値から被測定物の高周波インピーダンスを求めることができる。上記のシミュレーションから、モード転換量Ｓ_cd21の値の大きさは、被測定物の導電率は第２線路１２の導電率に対する偏差を表していることが分かる。そこで、被測定物と同一大きさで、高周波インピーダンスが既知の標準素子を複数準備する。この複数の標準素子を第１線路１１の欠落部１４に配設してそれぞれのモード転換量Ｓ_cd21を測定する。これにより、高周波インピーダンスｚと、その時のモード転換量Ｓ_cd21（ｚ）との対応表が得られる。これを記憶しておく。

次に、現実の測定すべき被測定物に対してモード転換量Ｓ_cd21（ｘ）を測定する。対応表からモード転換量Ｓ_cd21（ｘ）を挟む２点のモード転換量Ｓ_cd21（ｚ_a ）、Ｓ_cd21（ｚ_b ）を求める。２点間においては、モード転換量Ｓ_cd21と高周波インピーダンスとが比例関係にあるとすると、次式が成立する。

（２）式により、被測定物の高周波インピーダンスｘを求めることができる。すなわち、２点間の内挿演算により高周波インピーダンスｘを求めることができる。被測定物のモード転換量Ｓ_cd21（ｘ）が対応表の２点間の外に位置する場合には、同様に、モード転換量Ｓ_cd21（ｘ）に最近接の２点間は直線として、外挿演算により高周波インピーダンスｘを求めることができる。

さらに、標準素子についての対応表から、最小自乗近似により、高周波インピーダンスｘとモード転換量Ｓ_cd21との関係を示す関数ｘ＝ｆ（Ｓ_cd21）を求め、被測定物の測定されたモード転換量Ｓ_cd21（ｘ）を関数ｆに代入して、被測定物の高周波インピーダンスｘを求めるようにしても良い。

なお、上記の例ではモード転換量として、ディファレンシャルモードからコモンモードへの転換量Ｓ_cd21を測定したが、逆に、コモンモードからディファレンシャルモードへのモード転換量Ｓ_dc21を測定するようにしても良い。

５．反射係数としてのモード転換量
上述の説明では入力端子１５、１７と出力端子１６、１８間の伝達係数としてのモード転換量Ｓ_cd21、Ｓ_dc21を測定した。しかし、入力端子１５、１７における反射係数としてのモード転換量Ｓ_cd11、Ｓ_dc11を測定するようにしても良い。線路の非対称によるモード転換量は反射係数にも表れるので、上述したモード転換量と高周波インピーダンスとの関係がそのまま成立する。また、伝達係数としてのモード転換量Ｓ_cd21、モード転換量Ｓ_dc21、反射係数としてのモード転換量Ｓ_cd11、Ｓ_dc11の4 つの値の組み合わせにより被測定物の高周波インピーダンスを測定するようにしても良い。さらには、第１線路１１及び第２線路の線路インピーダンスが等しく、それが正確に知られている場合には、モード転換量Ｓ_cd21、モード転換量Ｓ_cd11と線路インピーダンスＺ₀ とから、又は、モード転換量Ｓ_dc21、モード転換量Ｓ_dc11と線路インピーダンスＺ₀ とから被測定物の高周波インピーダンスを求めるようにしても良い。

６．伝送線路の他の例
図３（ａ）に示すように、第１線路１１の分割された上流第１線路１１ａと下流第１線路１１ｂはそれらの線幅が欠落部１４に向かうに連れて幅が広くなるテーパ状にしても良い。このようにすると、被測定物４０の幅が広い場合にも第１線路１１と被測定物４０とを大きく結合させることができる。第２線路１２は被測定物４０の幅に合わせて被測定物４０の配設位置に対応させて線幅を広くしている。第１線路１１と第２線路１２との高周波特性を一致させるためである。しかし、上記のように標準素子を用いてモード転換量と高周波インピーダンスとの関係は較正されるので、第２線路１２の幅は一定であっても良い。

また、図３（ｂ）に示すように、第２線路１２に、第１線路１１と同様に欠落部５１を設けて、この欠落部５１に被測定物４０と同一形状で抵抗値が近い基準素子５０を設けても良い。被測定物４０と基準素子５０との高周波インピーダンスダンス偏差に対応するモード転換量Ｓ_cd21、Ｓ_dc21が測定される。

また、図４に示すように、被測定物４０は上流第１線路１１ａ及び／又は下流第１線路１１ｂの端面と間隙４２を隔てて配設されても良い。被測定物４０と第１線路１１とが容量結合していれば良い。要は、被測定物４０と第１線路１１とが直接接続されていても間隙により容量結合していての、その他電磁結合していれば良い。同様に、対称性を満たすために、第２線路１２も第１線路１１と同一に構成して、両端面が間隙を隔て、被測定物４０と同一形状で抵抗値が近い基準素子５０を設けても良い。

また、図５（ａ）に示すように、第１線路１１を線幅が一定の線路として、被測定物４０を第１線路１１に平行に一定の間隙４３を設けて配設しても良い。対称性を満たすために、第２線路１２も第１線路１１と同一に構成して、第２線路１２の長辺に平行に一定間隙を隔て、被測定物４０と同一形状で抵抗値が近い基準素子５０を設けても良い。さらには、図５（ｂ）に示すように、第１線路１１の上に薄い絶縁体６０を設け、この上に被測定物４０を配設しても良い。この場合にも、第２線路１２の上にも上記絶縁体６０を設けても良い。さらに対称性を満たすために、第２線路１２の上に配置した絶縁体の上に、被測定物４０と同一形状で抵抗値が近い基準素子５０を設けても良い。いずれの場合も、要するに、被測定物４０と第１線路１１とが電磁的に結合しておりさえすれば良い。

上記実施例では、第１線路１１と第２線路１２とは誘電体基板１０の裏面にグランド導体１３を有するマイクロストリップ線路としたが、この裏面のグランド導体１３を設けないようにしても良い。その場合は、第１線路１１と第２線路１２は平衡線路となるが、この入力端子にバランを用いて同軸ケーブルから不平衡−平衡変換して、ディファレンシャルモード電圧又はコモンモード電圧を印加するようにしても良い。出力端子にも、同様、バランを設けて平衡−不平衡変換して、コモンモード電圧又はディファレンシャルモード電圧として同軸ケーブルにより出力するようにしても良い。

さらには、裏面のグランド導体１３を設けずに、第１線路１１と第２線路１２とを平行に配置して、線間ではない第１線路１１と第２線路１２のそれぞれの外側に、それらと間隔を設けてグランド導体を設けも良い。すなわち、第１線路１１と第２線路１２とをコプレーナ線路としても良い。この場合には、第１線路１１と第２線路１２とを独立して同軸ケーブルからコプレーナ線路への変換を行ってディファレンシャルモード電圧又はコモンモード電圧を印加することになる。出力端はこれとは逆に第１線路１１と第２線路１２とを独立してコプレーナ線から同軸ケーブルへの変換を行うようにする。

本発明は高周波遮蔽シートなどの抵抗の極めて小さい物質の高周波インピーダンスを測定するのに用いることができる。

１０…誘電体基板
１１…第１線路
１２…第２線路
１１ａ…上流第１線路
１１ｂ…下流第１線路
１３…グランド導体
１４…欠落部
１５，１７…入力端
１６，１８…出力端
４０…被測定物

Claims (11)

1. 高周波インピーダンスの測定方法において、
   第１線路と第２線路とを平行に配設し、
   高周波インピーダンスを測定する被測定物を、前記第１線路と電磁結合するように配置し、
   前記第１線路及び前記第２線路の入力端から前記第１線路及び前記第２線路の出力端への伝送における、又は、前記入力端の反射における、コモンモードとディファレンシャルモード間のモード転換量を測定し、
   前記モード転換量に基づいて前記被測定物の高周波インピーダンスを測定することを特徴とする高周波インピーダンス測定方法。
2. 前記第１線路及び前記第２線路は、誘電体基板の表面に配設され前記誘電体基板の裏面にはグランド導体が配設されたマイクロストリップ線路であることを特徴とする請求項１に記載の高周波インピーダンス測定方法。
3. 前記第１線路及び前記第２線路は前記誘電体基板の表面に配設された平衡線路であり、前記入力端に不平衡−平衡変換器、前記出力端に平衡−不平衡変換器を用いることを特徴とする請求項１に記載の高周波インピーダンス測定方法。
4. 前記第１線路は欠落部を有し、その欠落部に前記被測定物を設けて、前記被測定物を欠落部の両端に接続したことを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載の高周波インピーダンス測定方法。
5. 前記被測定物は前記第１線路に微小間隙を設けて配設され、前記被測定物と前記第１線路とは電磁結合していることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載の高周波インピーダンス測定方法。
6. 前記第２線路は欠落部を有し、その欠落部に基準イピダンス素子を設けて、前記基準インピーダンス素子を欠落部の両端に接続したことを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れか１項に記載の高周波インピーダンス測定方法。
7. 基準インピーダンス素子を前記第２線路と微小間隙を設けて配設し、前記基準インピーダンス素子と前記第２線路とを電磁結合させたことを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れか１項に記載の高周波インピーダンス測定方法。
8. 前記第１線路の線路インピーダンスと前記第２線路の線路インピーダンスとは等しいことを特徴とする請求項１乃至請求項７の何れか１項に記載の高周波インピーダンス測定方法。
9. 前記被測定物は粘着物が設けられた導電性シートであることを特徴とする請求項１乃至請求項８の何れか１項に記載の高周波インピーダンス測定方法。
10. 前記被測定物を、高周波インピーダンスが既知で異なる複数の標準素子とし、この標準素子についてそれぞれの前記モード転換量を測定して、前記標準素子の高周波インピーダンスと測定された前記モード転換量との関係を示す較正特性を求め、この較正特定を用いて前記被測定物の測定された前記モード転換量に対応すると高周波インピーダンスを求めることを特徴とする請求項１乃至請求項９の何れか１項に記載の高周波インピーダンス測定方法。
11. 前記モード転換量はネットワークアナライザにより測定されることを特徴とする請求項１乃至請求項１０の何れか１項に記載の高周波インピーダンス測定方法。

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