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- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 228
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 91
- 238000013528 artificial neural network Methods 0.000 claims description 85
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 523
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 291
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 124
- 238000000034 method Methods 0.000 description 83
- 239000000463 material Substances 0.000 description 77
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 72
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 60
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 52
- 210000002569 neuron Anatomy 0.000 description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 46
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 45
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 42
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 41
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 38
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 38
- 238000003079 width control Methods 0.000 description 37
- 230000008859 change Effects 0.000 description 28
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 27
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 26
- 239000000047 product Substances 0.000 description 26
- KDUIUFJBNGTBMD-DLMDZQPMSA-N [8]annulene Chemical compound C/1=C/C=C\C=C/C=C\1 KDUIUFJBNGTBMD-DLMDZQPMSA-N 0.000 description 25
- 101000874141 Homo sapiens Probable ATP-dependent RNA helicase DDX43 Proteins 0.000 description 21
- 102100035724 Probable ATP-dependent RNA helicase DDX43 Human genes 0.000 description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 description 21
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 20
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 14
- 102100040862 Dual specificity protein kinase CLK1 Human genes 0.000 description 13
- 102100040844 Dual specificity protein kinase CLK2 Human genes 0.000 description 13
- 101000749294 Homo sapiens Dual specificity protein kinase CLK1 Proteins 0.000 description 13
- 101000749291 Homo sapiens Dual specificity protein kinase CLK2 Proteins 0.000 description 13
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 12
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 12
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 12
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 12
- 102100040856 Dual specificity protein kinase CLK3 Human genes 0.000 description 11
- 101000749304 Homo sapiens Dual specificity protein kinase CLK3 Proteins 0.000 description 11
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 11
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 11
- 102100036089 Fascin Human genes 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 10
- 102100040858 Dual specificity protein kinase CLK4 Human genes 0.000 description 9
- 101000749298 Homo sapiens Dual specificity protein kinase CLK4 Proteins 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 9
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- -1 for example Substances 0.000 description 9
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 8
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 8
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 8
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 238000003702 image correction Methods 0.000 description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 4
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 4
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 4
- UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 2,6-dimethyl-n-[[(2s)-pyrrolidin-2-yl]methyl]aniline Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1NC[C@H]1NCCC1 UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004983 Polymer Dispersed Liquid Crystal Substances 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 3
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 3
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 3
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 210000000225 synapse Anatomy 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VUFNLQXQSDUXKB-DOFZRALJSA-N 2-[4-[4-[bis(2-chloroethyl)amino]phenyl]butanoyloxy]ethyl (5z,8z,11z,14z)-icosa-5,8,11,14-tetraenoate Chemical group CCCCC\C=C/C\C=C/C\C=C/C\C=C/CCCC(=O)OCCOC(=O)CCCC1=CC=C(N(CCCl)CCCl)C=C1 VUFNLQXQSDUXKB-DOFZRALJSA-N 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229910018137 Al-Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018573 Al—Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 2
- 241000872198 Serjania polyphylla Species 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 229910052795 boron group element Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003098 cholesteric effect Effects 0.000 description 2
- 238000013527 convolutional neural network Methods 0.000 description 2
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052696 pnictogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004986 Cholesteric liquid crystals (ChLC) Substances 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 229910002668 Pd-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001465382 Physalis alkekengi Species 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 229910020833 Sn-Al-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020868 Sn-Ga-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020994 Sn-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009069 Sn—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004974 Thermotropic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052800 carbon group element Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002524 electron diffraction data Methods 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000003094 microcapsule Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000001537 neural effect Effects 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000003909 pattern recognition Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003050 poly-cycloolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920006350 polyacrylonitrile resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000011664 signaling Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 229910002076 stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 230000000946 synaptic effect Effects 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012549 training Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000004148 unit process Methods 0.000 description 1
- 210000003462 vein Anatomy 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Polymers [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001233 yttria-stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Description
本発明の一態様は、処理回路と、ホスト装置と、を有し、ホスト装置は、ソフトウェア上で、ニューラルネットワークを用いた演算処理を行う機能と、ニューラルネットワークにおいて教師付き学習を行う機能と、を有し、処理回路は、ハードウェア上で、ニューラルネットワークを用いた演算処理を行う機能を有し、ホスト装置は、第1データと教師データとに基づいて、重み係数を生成し、重み係数を処理回路に入力する機能を有し、教師データは、第1輝度及び第1色調に対応する第1設定値を有し、処理回路は、第1データと重み係数とに基づいて、第2データを生成する機能を有することを特徴とする表示装置である。
又は、本発明の一態様は、前記(1)において、センサと、表示部と、を有し、表示部は、表示素子を有し、センサは、第1データを取得する機能を有し、第2データは、第2輝度及び第2色調に対応する第2設定値を有し、表示素子は、第2設定値に応じた画像を表示する機能を有することを特徴とする表示装置である。
又は、本発明の一態様は、前記(1)において、センサと、表示部と、を有し、表示部は、第1表示素子と、第2表示素子と、を有し、センサは、第1データを取得する機能を有し、第2データは、第2輝度及び第2色調に対応する第2設定値と、第3輝度及び第3色調に対応する第3設定値と、を有し、第1表示素子は、外光の反射によって、第2設定値に応じた画像を表示する機能を有し、第2表示素子は、自発光によって、第3設定値に応じた画像を表示する機能を有することを特徴とする表示装置である。
又は、本発明の一態様は、前記(1)乃至(3)のいずれか一においてにおいて、処理回路は、第1メモリセルと、第2メモリセルと、オフセット回路と、を有し、第1メモリセルは、第1メモリセルに保持されている第1アナログデータに応じた第1電流を出力する機能を有し、第2メモリセルは、第2メモリセルに保持されている参照アナログデータに応じた第2電流を出力する機能を有し、オフセット回路は、第1電流と第2電流との差分電流に相当する第3電流を出力する機能を有し、第1メモリセルは、第2アナログデータが選択信号として印加された場合、第1メモリセルに保持されている第1アナログデータに応じた第4電流を出力する機能を有し、第2メモリセルは、第2アナログデータが選択信号として印加された場合、第2メモリセルに保持されている参照アナログデータに応じた第5電流を出力する機能を有し、処理回路は、第4電流と第5電流との差分電流に相当する第6電流から、第3電流を差し引くことで、第1アナログデータと第2アナログデータとの積和に依存した第7電流を出力する機能を有し、第1アナログデータは、重み係数に応じたデータであることを特徴とする表示装置である。
又は、本発明の一態様は、前記(4)において、第1メモリセルと、第2メモリセルと、オフセット回路と、は、それぞれ第1トランジスタを有し、第1トランジスタは、チャネル形成領域に金属酸化物を有することを特徴とする表示装置である。
又は、本発明の一態様は、前記(1)乃至(3)のいずれか一においてにおいて、処理回路は、第1メモリセルと、第2メモリセルと、第1電流生成回路と、第2電流生成回路と、を有し、第1メモリセルは、第1メモリセルに保持されている第1アナログデータに応じた第1電流を出力する機能を有し、第2メモリセルは、第2メモリセルに保持されている参照アナログデータに応じた第2電流を出力する機能を有し、第1電流生成回路は、第1電流が第2電流より小さい場合に、第1電流と第2電流との差分に応じた第3電流を生成する機能と、第3電流に対応する電位を保持する機能と、を有し、第2電流生成回路は、第1電流が第2電流より大きい場合に、第1電流と第2電流との差分に応じた第4電流を生成する機能と、第4電流に対応する電位を保持する機能と、を有し、第1メモリセルは、第2アナログデータが選択信号として印加された場合、第1メモリセルに保持されている第1アナログデータに応じた第5電流を出力する機能を有し、第2メモリセルは、第2アナログデータが選択信号として印加された場合、第2メモリセルに保持されている参照アナログデータに応じた第6電流を出力する機能を有し、処理回路は、第5電流と第6電流との差分電流に相当する第7電流から、第3電流又は第4電流を差し引くことで、第1アナログデータと第2アナログデータとの積和に依存した第8電流を出力する機能を有し、第1アナログデータは、重み係数に応じたデータであることを特徴とする表示装置である。
又は、本発明の一態様は、前記(6)において、第1メモリセルと、第2メモリセルと、第1電流生成回路と、第2電流生成回路と、は、それぞれ第1トランジスタを有し、第1トランジスタは、チャネル形成領域に金属酸化物を有することを特徴とする表示装置である。
又は、本発明の一態様は、前記(4)、又は前記(5)において、基材と、第1集積回路と、を有し、表示部は、基材上に形成され、第1集積回路は、基材上に実装され、処理回路は、基材上に形成され第1集積回路は、画像処理部を有し、画像処理部は、第2データに基づいて画像データを処理する機能を有することを特徴とする表示装置である。
又は、本発明の一態様は、前記(2)乃至(7)のいずれか一において、基材と、第1集積回路と、を有し、表示部は、基材上に形成され、第1集積回路は、基材上に実装され、第1集積回路は、画像処理部を有し、画像処理部は、処理回路を有し、画像処理部は、第2データに基づいて画像データを処理する機能を有することを特徴とする表示装置である。
又は、本発明の一態様は、前記(8)、又は前記(9)において、第1集積回路は、第2トランジスタを有し、第2トランジスタは、チャネル形成領域に、シリコンを有することを特徴とする表示装置である。
又は、本発明の一態様は、前記(8)乃至(10)のいずれか一において、第1集積回路は、第3トランジスタを有し、第3トランジスタは、チャネル形成領域に、金属酸化物を有することを特徴とする表示装置である。
又は、本発明の一態様は、前記(8)乃至(11)のいずれか一においてにおいて、第1回路と、第2回路と、第2集積回路と、を有し、第1回路は、基材上に形成され、第2回路は、基材上に形成され、第2集積回路は、基材上に実装され、第1回路は、表示部のゲートドライバとして動作する機能を有し、第2回路は、入力された電圧を高電位側にレベルシフトする機能を有し、第2集積回路は、表示部のソースドライバとして動作する機能を有することを特徴とする表示装置である。
又は、本発明の一態様は、前記(12)において、表示部と、第1回路と、第2回路と、は、それぞれ第4トランジスタを有し、第4トランジスタは、チャネル形成領域に、金属酸化物を有することを特徴とする表示装置である。
又は、本発明の一態様は、前記(12)、又は前記(13)において、第2集積回路は、第5トランジスタを有し、第5トランジスタは、チャネル形成領域に、シリコンを有することを特徴とする表示装置である。
又は、本発明の一態様は、前記(12)乃至(14)のいずれか一において、第1集積回路は、コントローラを有し、コントローラは、第1回路、第2回路、第2集積回路、画像処理部の少なくとも一に対する電源供給を制御する機能を有することを特徴とする表示装置である。
又は、本発明の一態様は、前記(1)乃至(15)のいずれか一に記載の表示装置と、タッチセンサユニットと、筐体と、を有する電子機器である。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成について説明する。
図1は、表示装置1000の構成例をブロック図として図示している。表示装置1000は、表示ユニット100と、タッチセンサユニット200と、センサ441と、ホスト装置440と、を有する。特に、表示ユニット100が有するコントローラIC(Integrated Circuit)400の詳細を示している。なお、表示ユニット100は、表示素子として液晶素子、発光素子などのうち一種類を有する表示ユニットである。
ガンマ補正、調光、調色などの画像補正処理は、入力の画像データXに対して出力の補正データYを作成する処理に相当する。画像処理部460が使用するパラメータは、画像データXを、補正データYに変換するためのパラメータである。
コントローラ454は、ホスト装置440から送られる画像データに変化がない場合、コントローラIC400内の一部回路をパワーゲーティングすることができる。具体的には、一部回路とは、例えば、領域490内の回路(フレームメモリ451、デコーダ452、画像処理部460、メモリ470、タイミングコントローラ473、記憶回路475)を指す。ホスト装置440から画像データに変化がないことを示す制御信号をコントローラIC400に送信し、当該制御信号をコントローラ454で検出した場合にパワーゲーティングする構成が可能である。
図3(A)に、フレームメモリ451の構成例を示す。フレームメモリ451は、制御部502、セルアレイ503、周辺回路508を有する。周辺回路508は、センスアンプ回路504、ドライバ505、メインアンプ506、入出力回路507を有する。
図4は、記憶回路475の構成例を示すブロック図である。記憶回路475は、スキャンチェーンレジスタ部475A、およびレジスタ部475Bを有する。スキャンチェーンレジスタ部475Aは、複数のレジスタ430を有する。複数のレジスタ430によって、スキャンチェーンレジスタが構成されている。レジスタ部475Bは、複数のレジスタ431を有する。
以下に、表示装置1000とは別の表示装置の構成例を説明する。
表示ユニット100Aに関するコントローラIC400A、と記憶回路475の動作例について、出荷前と、表示ユニット100Aを有する表示装置の起動時、および通常動作時に分けて説明する。
出荷前には、表示ユニット100Aの仕様等に関するパラメータを、記憶回路475に格納する。これらのパラメータには、例えば、画素数、タッチセンサ数、タイミングコントローラ473が各種タイミング信号の生成に用いるパラメータ、ソースドライバIC(ソースドライバIC111a又はソースドライバIC111b)に発光素子10bを流れる電流を検出する電流検出回路を備えている場合、EL補正回路464の補正データ等がある。これらのパラメータは、記憶回路475以外に、専用のROMを設けて格納してもよい。
表示ユニット100Aを有する表示装置の起動時には、ホスト装置440より送られるユーザ設定等のパラメータを、記憶回路475に格納する。これらのパラメータには、例えば、表示の輝度や色調、タッチセンサの感度、省エネルギー設定(表示を暗くする、または表示を消す、までの時間)、また、ガンマ補正のカーブやテーブル等がある。なお、当該パラメータを記憶回路475に格納する際、コントローラ454から記憶回路475にスキャンクロック信号及び当該スキャンクロック信号に同期して当該パラメータに相当するデータが送信される。
通常動作には、動画等を表示している状態、静止画を表示中でIDS駆動が可能な状態、表示を行わない状態等に分けられる。動画等を表示している状態は、画像処理部460、およびタイミングコントローラ473等は動作中であるが、記憶回路475のデータ変更は、スキャンチェーンレジスタ部475Aに対して行われるため、画像処理部460等への影響はない。スキャンチェーンレジスタ部475Aのデータ変更が終わった後、スキャンチェーンレジスタ部475Aのデータをレジスタ部475Bへ一括してロードすることで、記憶回路475のデータ変更が完了する。また、画像処理部460等は当該データに対応した動作に切り替わる。
本実施の形態では、実施の形態1で説明した、ホスト装置440と、センサ441と、コントローラIC400又はコントローラIC400Aの画像処理部460と、を用いた画像補正の方法について説明する。なお、画像補正の方法としては、ニューラルネットワークを用いて行う。
本発明の一態様の表示装置に利用できるニューラルネットワークの種類の一として、階層型ニューラルネットワークについて説明する。
次に、上述した階層型ニューラルネットワークを実現するための積和演算処理回路の構成例について、説明する。
次に、オフセット回路710に適用できる回路構成の例について説明する。図12に、オフセット回路710の一例として、オフセット回路711を示す。
次に、定電流回路CI、及び定電流回路CIrefの内部の構成例について説明する。
次に、カレントミラー回路CMの内部の構成例について説明する。
次に、メモリセルアレイ720に適用できる回路構成の例について説明する。図15に、メモリセルアレイ720の一例として、メモリセルアレイ721を示す。
ここでは、半導体装置700の動作の一例について説明する。なお、本動作例で説明する半導体装置700は、オフセット回路710として、図16に示すオフセット回路750を適用し、かつ半導体装置700のメモリセルアレイ720として、図17に示すメモリセルアレイ760を適用した構成とする。
時刻T01から時刻T02までの間において、配線WW[i]に高レベル電位(図18ではHighと表記している。)が印加され、配線WW[i+1]に低レベル電位(図18ではLowと表記している。)が印加されている。加えて、配線WD[j]には接地電位(図18ではGNDと表記している。)よりもVPR−VX[i,j]大きい電位が印加され、配線WD[j+1]には接地電位よりもVPR−VX[i,j+1]大きい電位が印加され、配線WDrefには接地電位よりもVPR大きい電位が印加されている。更に、配線RW[i]、及び配線RW[i+1]にはそれぞれ基準電位(図18ではREFPと表記している。)が印加されている。
時刻T02から時刻T03までの間において、配線WW[i]に低レベル電位が印加される。このとき、メモリセルAM[i,j]、メモリセルAM[i,j+1]、及びメモリセルAMref[i]のそれぞれのトランジスタTr61のゲートに低レベル電位が印加されるため、メモリセルAM[i,j]、メモリセルAM[i,j+1]、及びメモリセルAMref[i]のそれぞれのトランジスタTr61は非導通状態となる。
時刻T03から時刻T04までの間において、配線WW[i]に低レベル電位が印加され、配線WW[i+1]に高レベル電位が印加されている。加えて、配線WD[j]には接地電位よりもVPR−VX[i+1,j]大きい電位が印加され、配線WD[j+1]には接地電位よりもVPR−VX[i+1,j+1]大きい電位が印加され、配線WDrefには接地電位よりもVPR大きい電位が印加されている。更に、時刻T02から引き続き、配線RW[i]、及び配線RW[i+1]には、それぞれ基準電位が印加されている。
時刻T04から時刻T05までの間において、時刻T01から時刻T02までの間の動作、又は時刻T03から時刻T04までの間の動作と同様に、残りのメモリセルAMに第1アナログデータに対応する電位が書き込まれ、残りのメモリセルAMrefに電位VPRが書き込まれるものとする。したがって、全てのメモリセルAMのそれぞれのトランジスタTr62に流れる電流の総和は、列出力回路OUT[j]の出力端子OT[j]から配線B[j]に流れる電流となり、ΣI0[i,j](このΣはiについて和をとっている。)となる。
時刻T05から時刻T06までの間において、配線ORPを高レベル電位とする。このとき、列出力回路OUT[1]乃至列出力回路OUT[n]のそれぞれのトランジスタTr53のゲートに高レベル電位が印加されるため、トランジスタTr53は導通状態となる。このとき、列出力回路OUT[1]乃至列出力回路OUT[n]のそれぞれの容量素子C51の第1端子に低レベル電位が印加され、容量素子C51の電位が初期化される。なお、時刻T06の時点において、配線ORPには低レベル電位を印加して、列出力回路OUT[1]乃至列出力回路OUT[n]のそれぞれのトランジスタTr53を非導通状態としている。
時刻T06から時刻T07までの間において、配線ORPを低レベル電位としている。上述の通り、列出力回路OUT[1]乃至列出力回路OUT[n]のそれぞれのトランジスタTr53のゲートに低レベル電位が印加されるため、トランジスタTr53は非導通状態となる。
時刻T07から時刻T08までの間において、配線OSPを高レベル電位としている。上述の通り、列出力回路OUT[1]乃至列出力回路OUT[n]のそれぞれのトランジスタTr52のゲートに高レベル電位が印加されるため、トランジスタTr52は導通状態となる。このとき、トランジスタTr52の第1端子から、トランジスタTr52の第2端子を経由して、容量素子C51の第1端子に電流が流れ、容量素子C51によって電位が保持される。これにより、トランジスタTr51のゲートの電位が保持されるため、トランジスタTr51のソース−ドレイン間に、トランジスタTr51のゲートの電位に応じた電流が流れる。
時刻T09以降は、図19を用いて説明する。時刻T09から時刻T10までにおいて、配線RW[i]に基準電位(図19ではREFPと表記している。)よりもVW[i]高い電位が印加される。このとき、メモリセルAM[i,1]乃至メモリセルAM[i,n]、及びメモリセルAMref[i]のそれぞれの容量素子C52の第2端子に、電位VW[i]が印加されるため、トランジスタTr62のゲートの電位が上昇する。
時刻T10から時刻T11までの間において、配線RW[i]には接地電位が印加されている。このとき、メモリセルAM[i,1]乃至メモリセルAM[i,n]、及びメモリセルAMref[i]のそれぞれの容量素子C52の第2端子に、接地電位が印加されるため、ノードN[i,1]乃至ノードN[i,n]、及びノードNref[i]の電位は、それぞれ時刻T08から時刻T09までの間の電位に戻る。
時刻T11から時刻T12までの間において、配線RW[i+1]を除く配線RW[1]乃至配線RW[m]のそれぞれの電位を基準電位とし、配線RW[i+1]に基準電位よりもVW[i+1]高い電位を印加するものとする。このとき、時刻T09から時刻T10までの動作と同様に、メモリセルAM[i+1,1]乃至メモリセルAM[i+1,n]、及びメモリセルAMref[i+1]のそれぞれの容量素子C52の第2端子に、電位VW[i+1]が印加されるため、トランジスタTr62のゲートの電位が上昇する。
時刻T12から時刻T13までの間において、配線RW[i+1]には接地電位が印加されている。このとき、メモリセルAM[i+1,1]乃至メモリセルAM[i+1,n]、及びメモリセルAMref[i+1]のそれぞれの容量素子C52の第2端子に、接地電位が印加されるため、ノードN[i+1,1]乃至ノードN[i+1,n]、及びノードNref[i+1]の電位は、それぞれ時刻T10から時刻T11までの間の電位に戻る。
時刻T13から時刻T14までの間において、配線RW[i]、及び配線RW[i+1]を除く配線RW[1]乃至配線RW[m]のそれぞれの電位を基準電位とし、配線RW[i]に基準電位よりもVW2[i]高い電位を印加し、配線RW[i+1]に基準電位よりもVW2[i+1]低い電位を印加するものとする。このとき、時刻T09から時刻T10までの動作と同様に、メモリセルAM[i,1]乃至メモリセルAM[i,n]、及びメモリセルAMref[i]のそれぞれの容量素子C52の第2端子に、電位VW2[i]が印加されるため、メモリセルAM[i,1]乃至メモリセルAM[i,n]、及びメモリセルAMref[i]のそれぞれのトランジスタTr62のゲートの電位が上昇する。同時に、メモリセルAM[i+1,1]乃至メモリセルAM[i+1,n]、及びメモリセルAMref[i+1]のそれぞれの容量素子C52の第2端子に、電位−VW2[i+1]が印加されるため、メモリセルAM[i+1,1]乃至メモリセルAM[i+1,n]、及びメモリセルAMref[i+1]のそれぞれのトランジスタTr62のゲートの電位が下降する。
時刻T14以降において、配線RW[i]、配線RW[i+1]には接地電位を印加している。このとき、メモリセルAM[i,1]乃至メモリセルAM[i,n]、メモリセルAM[i+1,1]乃至メモリセルAM[i+1,n]、メモリセルAMref[i]、及びメモリセルAMref[i+1]のそれぞれの容量素子C52の第2端子に、接地電位が印加されるため、ノードN[i,1]乃至ノードN[i,n]、ノードN[i+1,1]乃至ノードN[i+1,n]、ノードNref[i]、及びノードNref[i+1]の電位は、それぞれ時刻T12から時刻T13までの間の電位に戻る。
次に、上述した半導体装置700とは別の積和演算処理回路の構成例について、説明する。
次に、オフセット回路810に適用できる回路構成の例について説明する。図21に、オフセット回路810の一例として、オフセット回路811を示す。
ここでは、半導体装置800の動作の一例について説明する。なお、本動作例で説明する半導体装置800は、オフセット回路810として、図22に示すオフセット回路815を適用し、かつ半導体装置800のメモリセルアレイ720として、図17に示すメモリセルアレイ760を適用した構成とする。
時刻T01から時刻T02までにおいて、配線WW[i]に高レベル電位(図23ではHighと表記している。)が印加され、配線WW[i+1]に低レベル電位(図23ではLowと表記している。)が印加されている。加えて、配線WD[j]には接地電位(図23ではGNDと表記している。)よりもVPR−VX[i,j]大きい電位が印加され、配線WD[j+1]には接地電位よりもVPR−VX[i,j+1]大きい電位が印加され、配線WDrefには接地電位よりもVPR大きい電位が印加されている。更に、配線RW[i]、及び配線RW[i+1]にはそれぞれ基準電位(図23ではREFPと表記している。)が印加されている。
時刻T02から時刻T03までの間において、配線WW[i]に低レベル電位が印加される。このとき、メモリセルAM[i,j]、メモリセルAM[i,j+1]、及びメモリセルAMref[i]のそれぞれのトランジスタTr61のゲートに低レベル電位が印加されるため、メモリセルAM[i,j]、メモリセルAM[i,j+1]、及びメモリセルAMref[i]のそれぞれのトランジスタTr61は非導通状態となる。
時刻T03から時刻T04までの間において、配線WW[i]に低レベル電位が印加され、配線WW[i+1]に高レベル電位が印加されている。加えて、配線WD[j]には接地電位よりもVPR−VX[i+1,j]大きい電位が印加され、配線WD[j+1]には接地電位よりもVPR−VX[i+1,j+1]大きい電位が印加され、配線WDrefには接地電位よりもVPR大きい電位が印加されている。更に、時刻T02から引き続き、配線RW[i]、及び配線RW[i+1]には、それぞれ基準電位が印加されている。
時刻T04から時刻T05までの間において、時刻T01から時刻T02までの間の動作、又は時刻T03から時刻T04までの間の動作と同様に、残りのメモリセルAMに第1アナログデータに対応する電位が書き込まれ、残りのメモリセルAMrefに電位VPRが書き込まれるものとする。したがって、全てのメモリセルAMのそれぞれのトランジスタTr62に流れる電流の総和は、列出力回路COT[j]の端子CT11[j]からB[j]に流れる電流となり、ΣI0[i,j](このΣはiについて和をとっている。)となる。
時刻T06以降かつ時刻T11以前については、図24を用いて説明する。時刻T06から時刻T07までの間において、配線ORPを高レベル電位とし、配線ORMを高レベル電位とする。このとき、回路SI[1]乃至回路SI[n]のそれぞれのトランジスタTr73のゲートに高レベル電位が印加されるため、トランジスタTr73は導通状態となる。そのため、回路SI[1]乃至回路SI[n]のそれぞれの容量素子C71の第1端子に低レベル電位が印加され、容量素子C51の電位が初期化される。また、回路SO[1]乃至回路SO[n]のそれぞれのトランジスタTr76のゲートに高レベル電位が印加されるため、トランジスタTr76は導通状態となる。そのため、列出力回路OUT[1]乃至列出力回路OUT[n]のそれぞれの容量素子C72の第1端子に低レベル電位が印加され、容量素子C72の電位が初期化される。なお、時刻T06の時点において、配線OSPには低レベル電位が印加されて、回路SI[1]乃至回路SI[n]のそれぞれのトランジスタTr73を非導通状態とし、配線OSMには低レベル電位が印加されて、回路SO[1]乃至回路SO[n]のそれぞれのトランジスタTr76を非導通状態としている。
時刻T07から時刻T08までの間において、配線ORP及び配線ORMを低レベル電位とする。このとき、回路SI[1]乃至回路SI[n]のそれぞれのトランジスタTr73のゲートに低レベル電位が印加されるため、トランジスタTr73は非導通状態となる。また、回路SO[1]乃至回路SO[n]のそれぞれのトランジスタTr76のゲートに低レベル電位が印加されるため、トランジスタTr76は非導通状態となる。
時刻T08から時刻T09までの間において、配線OSPを高レベル電位とする。このとき、回路SI[1]乃至回路SI[n]のそれぞれのトランジスタTr72のゲートに高レベル電位が印加されるため、トランジスタTr72は導通状態となる。ところで、列出力回路COT[j]から出力される電流IB[j]は、ΣI0[i,j](このΣはiについて和をとっている。)となる。ここで、電流IB[j]よりも電流ICMref0が大きいとき、トランジスタTr72の第1端子から、トランジスタTr72の第2端子を経由して、容量素子C71の第1端子に電流が流れ、容量素子C71によって正の電位が保持される。これにより、トランジスタTr71のゲートの電位が保持されるため、トランジスタTr71のソース−ドレイン間に、トランジスタTr71のゲートの電位に応じた電流が流れる。
時刻T10から時刻T11までの間において、配線OSMを高レベル電位とする。このとき、回路SO[1]乃至回路SO[n]のそれぞれのトランジスタTr75のゲートに高レベル電位が印加されるため、トランジスタTr75は導通状態となる。ところで、列出力回路COT[j]から出力される電流IB[j]は、ΣI0[i,j](このΣはiについて和をとっている。)となる。ここで、電流IB[j]よりも電流ICMref0が小さいとき、容量素子C72の第1端子から、トランジスタTr75の第2端子を経由して、トランジスタTr75の第1端子に電流が流れ、容量素子C72によって負の電位が保持される。これにより、トランジスタTr74のゲートの電位が保持されるため、トランジスタTr74のソース−ドレイン間に、トランジスタTr74のゲートの電位に応じた電流が流れる。
時刻T12以降は、図25を用いて説明する。時刻T12から時刻T13までにおいて、配線RW[i]に基準電位(図25ではREFPと表記している。)よりもVW[i]高い電位が印加される。このとき、メモリセルAM[i,1]乃至メモリセルAM[i,n]、及びメモリセルAMref[i]のそれぞれの容量素子C52の第2端子に、電位VW[i]が印加されるため、トランジスタTr62のゲートの電位が上昇する。
時刻T13から時刻T14までの間において、配線RW[i]には接地電位が印加されている。このとき、メモリセルAM[i,1]乃至メモリセルAM[i,n]、及びメモリセルAMref[i]のそれぞれの容量素子C52の第2端子に、接地電位が印加されるため、ノードN[i,1]乃至ノードN[i,n]、及びノードNref[i]の電位は、それぞれ時刻T11から時刻T12までの間の電位に戻る。
時刻T14から時刻T15までの間において、配線RW[i+1]を除く配線RW[1]乃至配線RW[m]のそれぞれの電位を基準電位とし、配線RW[i+1]に基準電位よりもVW[i+1]高い電位を印加するものとする。このとき、時刻T12から時刻T13までの動作と同様に、メモリセルAM[i+1,1]乃至メモリセルAM[i+1,n]、及びメモリセルAMref[i+1]のそれぞれの容量素子C52の第2端子に、電位VW[i+1]が印加されるため、トランジスタTr62のゲートの電位が上昇する。
時刻T12から時刻T13までにおいて、配線RW[i+1]には接地電位を印加している。このとき、メモリセルAM[i+1,1]乃至メモリセルAM[i+1,n]、及びメモリセルAMref[i+1]のそれぞれの容量素子C52の第2端子に、接地電位が印加されるため、ノードN[i+1,1]乃至ノードN[i+1,n]、及びノードNref[i+1]の電位は、それぞれ時刻T13から時刻T14までの間の電位に戻る。
時刻T16から時刻T17までの間において、配線RW[i]、及び配線RW[i+1]を除く配線RW[1]乃至配線RW[m]のそれぞれの電位を基準電位とし、配線RW[i]に基準電位よりもVW2[i]高い電位を印加し、配線RW[i+1]に基準電位よりもVW2[i+1]低い電位を印加するものとする。このとき、時刻T12から時刻T13までの動作と同様に、メモリセルAM[i,1]乃至メモリセルAM[i,n]、及びメモリセルAMref[i]のそれぞれの容量素子C52の第2端子に、電位VW2[i]が印加されるため、メモリセルAM[i,1]乃至メモリセルAM[i,n]、及びメモリセルAMref[i]のそれぞれのトランジスタTr62のゲートの電位が上昇する。同時に、メモリセルAM[i+1,1]乃至メモリセルAM[i+1,n]、及びメモリセルAMref[i+1]のそれぞれの容量素子C52の第2端子に、電位−VW2[i+1]が印加されるため、メモリセルAM[i+1,1]乃至メモリセルAM[i+1,n]、及びメモリセルAMref[i+1]のそれぞれのトランジスタTr62のゲートの電位が下降する。
時刻T17以降において、配線RW[i]、配線RW[i+1]には接地電位が印加されている。このとき、メモリセルAM[i,1]乃至メモリセルAM[i,n]、メモリセルAM[i+1,1]乃至メモリセルAM[i+1,n]、メモリセルAMref[i]、及びメモリセルAMref[i+1]のそれぞれの容量素子C52の第2端子に、接地電位が印加されるため、ノードN[i,1]乃至ノードN[i,n]、ノードN[i+1,1]乃至ノードN[i+1,n]、ノードNref[i]、及びノードNref[i+1]の電位は、それぞれ時刻T15から時刻T16までの間の電位に戻る。
本実施の形態では、実施の形態1で説明した表示ユニット100又は表示ユニット100Aの輝度、及び色調を調整する動作例(調光、及び調色の動作例)について説明する。なお、輝度、及び色調の調整には、図1の構成例の場合では、ホスト装置440と、センサ441と、コントローラIC400の画像処理部460と、を用いて、実施の形態2で説明したニューラルネットワークの計算を行い、また、図6の構成例の場合では、ホスト装置440と、センサ441と、コントローラIC400Aの画像処理部460と、を用いて、実施の形態2で説明したニューラルネットワークの計算を行う。
ステップS1−0では、利用者が電子機器を操作して、該電子機器の表示部106に対して、好みの輝度、及び色調を選択することで間接的に当該輝度、及び色調に対応するレジスタの設定データを選択する。このレジスタの設定データは、実施の形態2で説明するニューラルネットワークによる情報処理システムにおいて、教師データとして扱われる。なお、該設定データは、反射素子10aに表示する画像データの輝度及び色調に対応する設定値と、発光素子10bに表示する画像データの輝度及び色調に対応する設定値と、を有する。
ステップS2−1では、ステップS1−1と同様に、光センサ443によって、外光の入射角度、及び照度の測定が行われる。
本実施の形態では、実施の形態1で説明した表示ユニット100、及び表示ユニット100Aについて説明する。
本実施の形態では、先の実施の形態で説明した表示ユニット100、表示ユニット100A、又は表示ユニット100Bに適用できる基材101、及び基材101上に形成することができる回路について説明する。
基材101としては、例えば、絶縁体基板、導電体基板を用いることができる。絶縁体基板としては、例えば、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、安定化ジルコニア基板(イットリア安定化ジルコニア基板など)、樹脂基板などがある。導電体基板としては、例えば、黒鉛基板、金属基板、合金基板、導電性樹脂基板などがある。または、金属の窒化物を有する基板、金属の酸化物を有する基板などがある。更には、絶縁体基板に導電体、又は半導体が設けられた基板、導電体基板に半導体、又は絶縁体が設けられた基板などがある。またはこれらの基板に素子が設けられたものを用いてもよい。基板に設けられる素子としては、容量素子、抵抗素子、スイッチ素子、発光素子、記憶素子などがある。
次に、表示部102、及び表示部106のそれぞれが有する画素回路について、説明する。
次に、基材101上に形成できるゲートドライバ103の一例について、説明する。
図39(A)は、ゲートドライバ103の一例の回路図を示す。ゲートドライバ103は、回路SR[1]乃至回路SR[m]と、回路SR_D[1]と、回路SR_D[2]と、を有する。ゲートドライバ103では、回路SR[1]乃至回路SR[m]と、回路SR_D[1]と、回路SR_D[2]と、によって、シフトレジスタが構成されている。なお、mは、1以上の整数で、表示部102、又は表示部106の1列に有する画素回路の数を有する。
次に、ゲートドライバ103の動作について説明する。図42は、ゲートドライバ103の動作例を示すタイミングチャートであり、時刻T0から時刻T10までにおける、クロック信号CLK1、クロック信号CLK2、クロック信号CLK3、クロック信号CLK4、パルス幅制御信号PWC1、パルス幅制御信号PWC2、パルス幅制御信号PWC3、パルス幅制御信号PWC4の電位の変化を示している。また、ゲートドライバ103の出力配線となる、配線GL[1]、配線GL[2]、配線GL[3]、配線GL[4]、配線GL[m−1]、配線GL[m]、配線GL_DUM、配線GL_OUTの電位の変化も示している。
図39より、回路SR[1]の端子C1Tには、クロック信号CLK1が入力され、回路SR[1]の端子C2Tには、クロック信号CLK2が入力され、回路SR[1]の端子C3Tには、クロック信号CLK3が入力され、回路SR[1]の端子PTには、パルス幅制御信号PWC1が入力される。
回路SR[2]の場合、図39(A)より、回路SR[2]の端子C1Tには、クロック信号CLK2が入力され、回路SR[2]の端子C2Tには、クロック信号CLK3が入力され、回路SR[2]の端子C3Tには、クロック信号CLK4が入力され、回路SR[2]の端子PTには、パルス幅制御信号PWC2が入力される。
ところで、回路SR[p]の端子RTは、回路SR[p+2]の端子STと電気的に接続されている。つまり、回路SR[p+2]の端子STから高レベル電位が出力されたときに、回路SR[p]の端子RTに高レベル電位が入力されるため、回路SR[p]のトランジスタTr15が導通状態となる。これにより、トランジスタTr12のゲート及びバックゲートと、トランジスタTr20のゲート及びバックゲートと、トランジスタTr23のゲート及びバックゲートと、容量素子C11と、電位VDDに印加される。
また、回路SR[1]乃至回路SR[m]、回路SR_D[1]、回路SR_D[2]のそれぞれの端子IRTには、初期化リセット信号INI_RESが入力される。初期化リセット信号INI_RESが高レベル電位のとき、上述の各回路のそれぞれの端子IRTには、高レベル電位が入力される。このため、各回路のトランジスタTr17は導通状態となる。
次に、基材101上に形成できるレベルシフタ104について説明する。レベルシフタ104の一例として、図44に構成例を示す。
本実施の形態では、先の実施の形態で説明した表示ユニット100、又は表示ユニット100Aに実装できるソースドライバICについて説明する。
図46にソースドライバICの一例をブロック図として示す。ソースドライバIC111は、LVDS(Low Voltage Differential Signaling)レシーバ1710と、シリアルパラレル変換回路1720と、シフトレジスタ回路1730と、ラッチ回路1740と、レベルシフタ1750と、パストランジスタ論理回路1760と、抵抗ストリング回路1770と、外部補正回路1780と、BGR回路1790(Band Gap Reference)と、バイアスジェネレータ1800と、バッファアンプ1900と、を有している。なお、図46では、ソースドライバIC111は、バイアスジェネレータ1800を2つ有している。
本実施の形態では、ハイブリッド表示装置が有する表示ユニット100Aの具体的な構成例について、説明する。
図47は、表示ユニット100Aの断面図を示している。なお、図47の表示ユニット100Aは、実施の形態5で説明した画素回路35、又は画素回路36を有する構成とする。
図48は、表示ユニット100Aの表示部106が有する1つの画素の上面図の一例を示している。具体的には、図48は、表示部106が有する画素513における、液晶素子の表示領域のレイアウトと、発光素子の表示領域のレイアウトとを示している。
本実施の形態では、タッチセンサユニット200について、説明する。
<CAC−OSの構成>
以下では、本発明の一態様に係るトランジスタに用いることができるCAC(Cloud‐Aligned Composite)−OSの構成について説明する。
本実施の形態では、先の実施の形態で説明した表示ユニット100、表示ユニット100A、又は表示ユニット100Bを有する電子機器の一例について、説明する。下記の一例に示す電子機器は、先の実施の形態で説明した表示ユニット100、表示ユニット100A、又は表示ユニット100Bを有することができる。又は、下記の一例に示す電子機器は、表示ユニット100、表示ユニット100A、又は表示ユニット100Bに加えて、先の実施の形態で説明したタッチセンサユニット200を有することができる。更に、先の実施の形態で説明したコントローラICを下記に例示する電子機器に備えることによって、該電子機器の消費電力を低減することができる。
図50(A)は、タブレット型の情報端末5200であり、筐体5221、表示部5222、操作ボタン5223、スピーカ5224を有する。また、表示部5222に、位置入力装置としての機能が付加された表示装置を用いるようにしてもよい。また、位置入力装置としての機能は、表示装置にタッチパネルを設けることで付加することができる。あるいは、位置入力装置としての機能は、フォトセンサとも呼ばれる光電変換素子を表示装置の画素部に設けることでも、付加することができる。また、操作ボタン5223に情報端末5200を起動する電源スイッチ、情報端末5200のアプリケーションを操作するボタン、音量調整ボタン、又は表示部5222を点灯、あるいは消灯するスイッチなどのいずれかを備えることができる。また、図50(A)に示した情報端末5200では、操作ボタン5223の数を4個示しているが、情報端末5200の有する操作ボタンの数及び配置は、これに限定されない。
図51(A)は携帯型ゲーム機であり、筐体5101、筐体5102、表示部5103、表示部5104、マイクロフォン5105、スピーカ5106、操作キー5107、スタイラス5108等を有する。本発明の一態様の表示装置は、携帯型ゲーム機に適用することができる。なお、図51(A)に示した携帯型ゲーム機は、2つの表示部5103と表示部5104とを有しているが、携帯型ゲーム機が有する表示部の数は、これに限定されない。
図51(B)は携帯情報端末であり、第1筐体5601、第2筐体5602、第1表示部5603、第2表示部5604、接続部5605、操作キー5606等を有する。本発明の一態様の表示装置は、携帯情報端末に適用することができる。第1表示部5603は第1筐体5601に設けられており、第2表示部5604は第2筐体5602に設けられている。そして、第1筐体5601と第2筐体5602とは、接続部5605により接続されており、第1筐体5601と第2筐体5602の間の角度は、接続部5605により変更が可能である。第1表示部5603における映像を、接続部5605における第1筐体5601と第2筐体5602との間の角度に従って、切り替える構成としても良い。また、第1表示部5603及び第2表示部5604の少なくとも一方に、位置入力装置としての機能が付加された表示装置を用いるようにしても良い。なお、位置入力装置としての機能は、表示装置にタッチパネルを設けることで付加することができる。或いは、位置入力装置としての機能は、フォトセンサとも呼ばれる光電変換素子を表示装置の画素部に設けることでも、付加することができる。
図51(C)はノート型パーソナルコンピュータであり、筐体5401、表示部5402、キーボード5403、ポインティングデバイス5404等を有する。本発明の一態様の表示装置は、表示部5402に用いることができる。
図51(D)はウェアラブル端末の一種であるスマートウォッチであり、筐体5901、表示部5902、操作ボタン5903、操作子5904、バンド5905などを有する。本発明の一態様の表示装置は、スマートウォッチに適用することができる。また、表示部5902に、位置入力装置としての機能が付加された表示装置を用いるようにしてもよい。また、位置入力装置としての機能は、表示装置にタッチパネルを設けることで付加することができる。あるいは、位置入力装置としての機能は、フォトセンサとも呼ばれる光電変換素子を表示装置の画素部に設けることでも、付加することができる。また、操作ボタン5903にスマートウォッチを起動する電源スイッチ、スマートウォッチのアプリケーションを操作するボタン、音量調整ボタン、または表示部5902を点灯、あるいは消灯するスイッチなどのいずれかを備えることができる。また、図51(D)に示したスマートウォッチでは、操作ボタン5903の数を2個示しているが、スマートウォッチの有する操作ボタンの数は、これに限定されない。また、操作子5904は、スマートウォッチの時刻合わせを行うリューズとして機能する。また、操作子5904は、時刻合わせ以外に、スマートウォッチのアプリケーションを操作する入力インターフェースとして、用いるようにしてもよい。なお、図51(D)に示したスマートウォッチでは、操作子5904を有する構成となっているが、これに限定せず、操作子5904を有さない構成であってもよい。
図51(E)はビデオカメラであり、第1筐体5801、第2筐体5802、表示部5803、操作キー5804、レンズ5805、接続部5806等を有する。本発明の一態様の表示装置は、ビデオカメラに適用することができる。操作キー5804及びレンズ5805は第1筐体5801に設けられており、表示部5803は第2筐体5802に設けられている。そして、第1筐体5801と第2筐体5802とは、接続部5806により接続されており、第1筐体5801と第2筐体5802の間の角度は、接続部5806により変更が可能である。表示部5803における映像を、接続部5806における第1筐体5801と第2筐体5802との間の角度に従って切り替える構成としてもよい。
図51(F)は、情報端末の機能を有する携帯電話であり、筐体5501、表示部5502、マイク5503、スピーカ5504、操作ボタン5505を有する。本発明の一態様の表示装置は、携帯電話に適用することができる。また、表示部5502に、位置入力装置としての機能が付加された表示装置を用いるようにしてもよい。また、位置入力装置としての機能は、表示装置にタッチパネルを設けることで付加することができる。あるいは、位置入力装置としての機能は、フォトセンサとも呼ばれる光電変換素子を表示装置の画素部に設けることでも、付加することができる。また、操作ボタン5505に携帯電話を起動する電源スイッチ、携帯電話のアプリケーションを操作するボタン、音量調整ボタン、または表示部5502を点灯、あるいは消灯するスイッチなどのいずれかを備えることができる。
上述した表示装置は、移動体である自動車の運転席周辺に適用することもできる。
以上の実施の形態における各構成の説明について、以下に付記する。
各実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて、本発明の一態様とすることができる。また、1つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、互いに構成例を適宜組み合わせることが可能である。
本明細書等において、「第1」、「第2」、「第3」という序数詞は、構成要素の混同を避けるために付したものである。従って、構成要素の数を限定するものではない。また、構成要素の順序を限定するものではない。また例えば、本明細書等の実施の形態の一において「第1」に言及された構成要素が、他の実施の形態、あるいは特許請求の範囲において「第2」に言及された構成要素とすることもありうる。また例えば、本明細書等の実施の形態の一において「第1」に言及された構成要素を、他の実施の形態、あるいは特許請求の範囲において省略することもありうる。
実施の形態について図面を参照しながら説明している。但し、実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなく、その形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態の発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
本明細書等において、トランジスタの接続関係を説明する際、ソースとドレインとの一方を、「ソース又はドレインの一方」(又は第1電極、又は第1端子)と表記し、ソースとドレインとの他方を「ソース又はドレインの他方」(又は第2電極、又は第2端子)と表記している。これは、トランジスタのソースとドレインは、トランジスタの構造又は動作条件等によって変わるためである。なおトランジスタのソースとドレインの呼称については、ソース(ドレイン)端子や、ソース(ドレイン)電極等、状況に応じて適切に言い換えることができる。また、本明細書等では、ゲート以外の2つの端子を第1端子、第2端子と呼ぶ場合や、第3端子、第4端子と呼ぶ場合がある。
以下では、上記実施の形態中で言及した語句の定義について説明する。
半導体の不純物とは、例えば、半導体層を構成する主成分以外をいう。例えば、濃度が0.1原子%未満の元素は不純物である。不純物が含まれることにより、例えば、半導体にDOS(Density of States)が形成されることや、キャリア移動度が低下することや、結晶性が低下することなどが起こる場合がある。半導体が酸化物半導体である場合、半導体の特性を変化させる不純物としては、例えば、第1族元素、第2族元素、第13族元素、第14族元素、第15族元素、主成分以外の遷移金属などがあり、特に、例えば、水素(水にも含まれる)、リチウム、ナトリウム、シリコン、ホウ素、リン、炭素、窒素などがある。酸化物半導体の場合、例えば水素などの不純物の混入によって酸素欠損を形成する場合がある。また、半導体がシリコン層である場合、半導体の特性を変化させる不純物としては、例えば、酸素、水素を除く第1族元素、第2族元素、第13族元素、第15族元素などがある。
本明細書において、トランジスタとは、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む少なくとも三つの端子を有する素子である。そして、ドレイン(ドレイン端子、ドレイン領域又はドレイン電極)とソース(ソース端子、ソース領域又はソース電極)の間にチャネル形成領域を有しており、ゲート−ソース間に電圧を与えることでチャネル形成領域にチャネルを形成することができ、ソース‐ドレイン間に電流を流すことができる。
本明細書等において、スイッチとは、導通状態(オン状態)、又は、非導通状態(オフ状態)になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有するものをいう。又は、スイッチとは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有するものをいう。
本明細書等において、XとYとが接続されている、と記載する場合は、XとYとが電気的に接続されている場合と、XとYとが機能的に接続されている場合と、XとYとが直接接続されている場合とを含むものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図又は文章に示された接続関係に限定されず、図又は文章に示された接続関係以外のものも含むものとする。
本明細書において、「平行」とは、二つの直線が−10°以上10°以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、−5°以上5°以下の場合も含まれる。また、「略平行」とは、二つの直線が−30°以上30°以下の角度で配置されている状態をいう。また、「垂直」とは、二つの直線が80°以上100°以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、85°以上95°以下の場合も含まれる。また、「略垂直」とは、二つの直線が60°以上120°以下の角度で配置されている状態をいう。
本明細書において、結晶が三方晶又は菱面体晶である場合、六方晶系として表す。
Tr2 トランジスタ
Tr3 トランジスタ
Tr4 トランジスタ
Tr11 トランジスタ
Tr12 トランジスタ
Tr13 トランジスタ
Tr14 トランジスタ
Tr15 トランジスタ
Tr16 トランジスタ
Tr17 トランジスタ
Tr18 トランジスタ
Tr19 トランジスタ
Tr20 トランジスタ
Tr21 トランジスタ
Tr22 トランジスタ
Tr23 トランジスタ
Tr31 トランジスタ
Tr32 トランジスタ
Tr33 トランジスタ
Tr34 トランジスタ
Tr35 トランジスタ
Tr36 トランジスタ
Tr41 トランジスタ
Tr42 トランジスタ
Tr43 トランジスタ
Tr44 トランジスタ
Tr45 トランジスタ
Tr46 トランジスタ
Tr51 トランジスタ
Tr52 トランジスタ
Tr53 トランジスタ
Tr54 トランジスタ
Tr55 トランジスタ
Tr56 トランジスタ
Tr57 トランジスタ
Tr61 トランジスタ
Tr62 トランジスタ
Tr71 トランジスタ
Tr72 トランジスタ
Tr73 トランジスタ
Tr74 トランジスタ
Tr75 トランジスタ
Tr76 トランジスタ
Tr77[1] トランジスタ
Tr77[j] トランジスタ
Tr77[n] トランジスタ
Tr77[j+1] トランジスタ
Tr78 トランジスタ
TrED トランジスタ
TrLD トランジスタ
MW1 トランジスタ
C1 容量素子
C2 容量素子
C3 容量素子
C11 容量素子
C31 容量素子
C32 容量素子
C41 容量素子
C42 容量素子
C51 容量素子
C52 容量素子
C71 容量素子
C72 容量素子
CS1 容量素子
CTαβ 容量素子
N11 ノード
N31 ノード
N32 ノード
LD 液晶素子
ED 発光素子
SL 配線
DL 配線
DLa 配線
DLb 配線
GL1 配線
GL2 配線
GL2a 配線
GL2b 配線
GL3 配線
GL3a 配線
GL3b 配線
CSL 配線
AL 配線
ML 配線
MLa 配線
MLb 配線
VCOM1 配線
VCOM2 配線
WL 配線
LBL 配線
LBLB 配線
BGL 配線
CSEL 配線
GBL 配線
GBLB 配線
SR 回路
SR[1] 回路
SR[2] 回路
SR[3] 回路
SR[4] 回路
SR[5] 回路
SR[6] 回路
SR[m−1] 回路
SR[m] 回路
SR_D 回路
SR_D[1] 回路
SR_D[2] 回路
IT 端子
OT 端子
RT 端子
ST 端子
PT 端子
IRT 端子
C1T 端子
C2T 端子
C3T 端子
GL[1] 配線
GL[2] 配線
GL[3] 配線
GL[4] 配線
GL[5] 配線
GL[6] 配線
GL[m−1] 配線
GL[m] 配線
GL_DUM 配線
GL_OUT 配線
SP スタートパルス信号
CLK1 クロック信号
CLK2 クロック信号
CLK3 クロック信号
CLK4 クロック信号
PWC1 パルス幅制御信号
PWC2 パルス幅制御信号
PWC3 パルス幅制御信号
PWC4 パルス幅制御信号
INI_RES 初期化リセット信号
SAVE1 信号
SAVE2 信号
LOAD1 信号
LOAD2 信号
VDD2L 配線
VDD3L 配線
GNDL 配線
IN0 入力端子
IN1 入力端子
OUT 出力端子
Q1 端子
Q2 端子
SNL 配線
DRL 配線
OUT[1] 列出力回路
OUT[j] 列出力回路
OUT[n] 列出力回路
Cref 参照列出力回路
CI 定電流回路
CIref 定電流回路
CM カレントミラー回路
COT[1] 列出力回路
COT[j] 列出力回路
COT[n] 列出力回路
COT[j+1] 列出力回路
CUREF 電流源回路
SI[1] 回路
SI[j] 回路
SI[n] 回路
SI[j+1] 回路
SO[1] 回路
SO[j] 回路
SO[n] 回路
SO[j+1] 回路
AM[1,1] メモリセル
AM[i,1] メモリセル
AM[m,1] メモリセル
AM[1,j] メモリセル
AM[i,j] メモリセル
AM[m,j] メモリセル
AM[1,n] メモリセル
AM[i,n] メモリセル
AM[m,n] メモリセル
AM[i+1,j] メモリセル
AM[i,j+1] メモリセル
AM[i+1,j+1] メモリセル
AMref[1] メモリセル
AMref[i] メモリセル
AMref[m] メモリセル
AMref[i+1] メモリセル
N[1,1] ノード
N[i,1] ノード
N[m,1] ノード
N[1,j] ノード
N[i,j] ノード
N[m,j] ノード
N[1,n] ノード
N[i,n] ノード
N[m,n] ノード
N[i,j+1] ノード
N[i+1,j] ノード
N[i+1,j+1] ノード
Nref[1] ノード
Nref[i] ノード
Nref[m] ノード
Nref[i+1] ノード
NCMref ノード
OT[1] 出力端子
OT[j] 出力端子
OT[n] 出力端子
OTref 出力端子
CT1 端子
CT2 端子
CT3 端子
CT4 端子
CT5[1] 端子
CT5[j] 端子
CT5[n] 端子
CT6[1] 端子
CT6[j] 端子
CT6[n] 端子
CT7 端子
CT8 端子
CT11[1] 端子
CT11[j] 端子
CT11[n] 端子
CT12[1] 端子
CT12[j] 端子
CT12[n] 端子
CT13[1] 端子
CT13[j] 端子
CT13[n] 端子
CTref 端子
BG 配線
BGref 配線
OSP 配線
ORP 配線
OSM 配線
ORM 配線
RW[1] 配線
RW[i] 配線
RW[m] 配線
RW[i+1] 配線
WW[1] 配線
WW[i] 配線
WW[m] 配線
WW[i+1] 配線
WD[1] 配線
WD[j] 配線
WD[n] 配線
WD[j+1] 配線
WDref 配線
B[1] 配線
B[j] 配線
B[n] 配線
Bref 配線
IL[1] 配線
IL[j] 配線
IL[n] 配線
ILref 配線
OL[1] 配線
OL[j] 配線
OL[n] 配線
OLref 配線
VR 配線
VDD1L 配線
VSSL 配線
10 画素
10a 反射素子
10b 発光素子
21 画素回路
22 画素回路
22a 画素回路
22b 画素回路
22c 画素回路
22d 画素回路
23 画素回路
24 画素回路
25 画素回路
25a 画素回路
25b 画素回路
25c 画素回路
25d 画素回路
31 画素回路
32 画素回路
33 画素回路
34 画素回路
35 画素回路
36 画素回路
57 保持回路
58 セレクタ
59 フリップフロップ回路
60 インバータ
61 インバータ
62 インバータ
63 インバータ
64 インバータ
65 インバータ
67 アナログスイッチ
68 アナログスイッチ
71 インバータ
72 インバータ
73 インバータ
74 クロックドインバータ
75 アナログスイッチ
76 バッファ
100 表示ユニット
100A 表示ユニット
100B 表示ユニット
101 基材
102 表示部
103 ゲートドライバ
103a ゲートドライバ
103b ゲートドライバ
104 レベルシフタ
104a レベルシフタ
104b レベルシフタ
106 表示部
107 情報処理回路
107a 積和演算回路
110 FPC
111 ソースドライバIC
111a ソースドライバIC
111b ソースドライバIC
112 コントローラIC
120 接続部
131 配線
132 配線
133 配線
134 配線
135 配線
200 タッチセンサユニット
201 基材
202 センサアレイ
211 TSドライバIC
212 センス回路
213 FPC
214 FPC
215 周辺回路
220 接続部
221 接続部
231 配線
232 配線
233 配線
234 配線
300 基板
301 基板
302 発光素子
303 液晶素子
304 接着層
306E 表示部
306L 表示部
311 導電層
312 絶縁層
313 半導体層
314 導電層
315 導電層
316 絶縁層
317 導電層
318 絶縁層
319 導電層
320 導電層
321 導電層
322 半導体層
323 導電層
324 絶縁層
325 絶縁層
326 導電層
327 導電層
328 絶縁層
329 導電層
330 絶縁層
331 EL層
332 導電層
333 接着層
334 着色層
335 スペーサ
336 遮光層
340 導電層
341 絶縁層
342 半導体層
343 絶縁層
344 導電層
345 絶縁層
346 導電層
347 導電層
348 導電層
349 導電層
360 絶縁層
361 導電層
362 接着層
363 絶縁層
364 配向膜
365 配向膜
366 液晶層
400 コントローラIC
400A コントローラIC
400B コントローラIC
430 レジスタ
431 レジスタ
440 ホスト装置
443 光センサ
444 開閉センサ
445 外光
450 インターフェース
451 フレームメモリ
452 デコーダ
453 センサコントローラ
454 コントローラ
455 クロック生成回路
460 画像処理部
461 ガンマ補正回路
462 調光回路
463 調色回路
464 EL補正回路
465 情報処理回路
465a 積和演算回路
470 メモリ
473 タイミングコントローラ
475 記憶回路
475A スキャンチェーンレジスタ部
475B レジスタ部
484 タッチセンサコントローラ
490 領域
491 領域
504 センスアンプ回路
505 ドライバ
506 メインアンプ
507 入出力回路
508 周辺回路
509 メモリセル
513 画素
514 表示領域
515 表示領域
516 表示領域
517 表示領域
518 表示領域
700 半導体装置
710 オフセット回路
711 オフセット回路
712 オフセット回路
713 オフセット回路
720 メモリセルアレイ
721 メモリセルアレイ
750 オフセット回路
760 メモリセルアレイ
771 回路
773 回路
774 回路
775 回路
800 半導体装置
810 オフセット回路
811 オフセット回路
815 オフセット回路
1000 表示装置
1000A 表示装置
1000B 表示装置
1710 LVDSレシーバ
1720 シリアルパラレル変換回路
1730 シフトレジスタ回路
1740 ラッチ回路
1750 レベルシフタ
1760 パストランジスタ論理回路
1770 抵抗ストリング回路
1780 外部補正回路
1790 BGR回路
1800 バイアスジェネレータ
1900 バッファアンプ
5101 筐体
5102 筐体
5103 表示部
5104 表示部
5105 マイクロフォン
5106 スピーカ
5107 操作キー
5108 スタイラス
5200 情報端末
5221 筐体
5222 表示部
5223 操作ボタン
5224 スピーカ
5300 情報端末
5321a 筐体
5321b 筐体
5321c ヒンジ部
5322 表示部
5323 操作ボタン
5324 スピーカ
5401 筐体
5402 表示部
5403 キーボード
5404 ポインティングデバイス
5501 筐体
5502 表示部
5503 マイク
5504 スピーカ
5505 操作ボタン
5601 第1筐体
5602 第2筐体
5603 第1表示部
5604 第2表示部
5605 接続部
5606 操作キー
5701 表示パネル
5702 表示パネル
5703 表示パネル
5704 表示パネル
5801 第1筐体
5802 第2筐体
5803 表示部
5804 操作キー
5805 レンズ
5806 接続部
5901 筐体
5902 表示部
5903 操作ボタン
5904 操作子
5905 バンド
Claims (4)
- 処理回路と、ホスト装置と、を有し、
前記ホスト装置は、ソフトウェア上で、ニューラルネットワークを用いた演算処理を行う機能と、前記ニューラルネットワークにおいて教師付き学習を行う機能と、を有し、
前記処理回路は、ハードウェア上で、ニューラルネットワークを用いた演算処理を行う機能を有し、
前記ホスト装置は、第1データと教師データとに基づいて、重み係数を生成し、前記重み係数を前記処理回路に入力する機能を有し、
前記教師データは、第1輝度及び第1色調に対応する第1設定値を有し、
前記処理回路は、前記第1データと前記重み係数とに基づいて、第2データを生成する機能を有し、
前記処理回路は、第1メモリセルと、第2メモリセルと、オフセット回路と、を有し、
前記第1メモリセルは、前記第1メモリセルに保持されている第1アナログデータに応じた第1電流を出力する機能を有し、
前記第2メモリセルは、前記第2メモリセルに保持されている参照アナログデータに応じた第2電流を出力する機能を有し、
前記オフセット回路は、前記第1電流と前記第2電流との差分電流に相当する第3電流を出力する機能を有し、
前記第1メモリセルは、第2アナログデータが選択信号として印加された場合、前記第1メモリセルに保持されている前記第1アナログデータに応じた第4電流を出力する機能を有し、
前記第2メモリセルは、前記第2アナログデータが前記選択信号として印加された場合、前記第2メモリセルに保持されている前記参照アナログデータに応じた第5電流を出力する機能を有し、
前記処理回路は、前記第4電流と前記第5電流との差分電流に相当する第6電流から、前記第3電流を差し引くことで、前記第1アナログデータと前記第2アナログデータとの積和に依存した第7電流を出力する機能を有し、
前記第1アナログデータは、前記重み係数に応じたデータである表示装置。 - 処理回路と、ホスト装置と、を有し、
前記ホスト装置は、ソフトウェア上で、ニューラルネットワークを用いた演算処理を行う機能と、前記ニューラルネットワークにおいて教師付き学習を行う機能と、を有し、
前記処理回路は、ハードウェア上で、ニューラルネットワークを用いた演算処理を行う機能を有し、
前記ホスト装置は、第1データと教師データとに基づいて、重み係数を生成し、前記重み係数を前記処理回路に入力する機能を有し、
前記教師データは、第1輝度及び第1色調に対応する第1設定値を有し、
前記処理回路は、前記第1データと前記重み係数とに基づいて、第2データを生成する機能を有し、
前記処理回路は、第1メモリセルと、第2メモリセルと、第1電流生成回路と、第2電流生成回路と、を有し、
前記第1メモリセルは、前記第1メモリセルに保持されている第1アナログデータに応じた第1電流を出力する機能を有し、
前記第2メモリセルは、前記第2メモリセルに保持されている参照アナログデータに応じた第2電流を出力する機能を有し、
前記第1電流生成回路は、前記第1電流が前記第2電流より小さい場合に、前記第1電流と前記第2電流との差分に応じた第3電流を生成する機能と、前記第3電流に対応する電位を保持する機能と、を有し、
前記第2電流生成回路は、前記第1電流が前記第2電流より大きい場合に、前記第1電流と前記第2電流との差分に応じた第4電流を生成する機能と、前記第4電流に対応する電位を保持する機能と、を有し、
前記第1メモリセルは、第2アナログデータが選択信号として印加された場合、前記第1メモリセルに保持されている前記第1アナログデータに応じた第5電流を出力する機能を有し、
前記第2メモリセルは、前記第2アナログデータが前記選択信号として印加された場合、前記第2メモリセルに保持されている前記参照アナログデータに応じた第6電流を出力する機能を有し、
前記処理回路は、前記第5電流と前記第6電流との差分電流に相当する第7電流から、前記第3電流又は前記第4電流を差し引くことで、前記第1アナログデータと前記第2アナログデータとの積和に依存した第8電流を出力する機能を有し、
前記第1アナログデータは、前記重み係数に応じたデータである表示装置。 - 請求項1または2において、
センサと、表示部と、を有し、
前記表示部は、表示素子を有し、
前記センサは、前記第1データを取得する機能を有し、
前記第2データは、第2輝度及び第2色調に対応する第2設定値を有し、
前記表示素子は、前記第2設定値に応じた画像を表示する機能を有する表示装置。 - 請求項1または2において、
センサと、表示部と、を有し、
前記表示部は、第1表示素子と、第2表示素子と、を有し、
前記センサは、前記第1データを取得する機能を有し、
前記第2データは、第2輝度及び第2色調に対応する第2設定値と、第3輝度及び第3色調に対応する第3設定値と、を有し、
前記第1表示素子は、外光の反射によって、前記第2設定値に応じた画像を表示する機能を有し、
前記第2表示素子は、自発光によって、前記第3設定値に応じた画像を表示する機能を有する表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021175446A JP2022031607A (ja) | 2016-08-26 | 2021-10-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016165512 | 2016-08-26 | ||
JP2016165511 | 2016-08-26 | ||
JP2016165511 | 2016-08-26 | ||
JP2016165512 | 2016-08-26 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021175446A Division JP2022031607A (ja) | 2016-08-26 | 2021-10-27 | 半導体装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018036639A JP2018036639A (ja) | 2018-03-08 |
JP2018036639A5 JP2018036639A5 (ja) | 2020-09-17 |
JP6968620B2 true JP6968620B2 (ja) | 2021-11-17 |
Family
ID=61243241
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017160844A Active JP6968620B2 (ja) | 2016-08-26 | 2017-08-24 | 表示装置 |
JP2021175446A Withdrawn JP2022031607A (ja) | 2016-08-26 | 2021-10-27 | 半導体装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021175446A Withdrawn JP2022031607A (ja) | 2016-08-26 | 2021-10-27 | 半導体装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10733946B2 (ja) |
JP (2) | JP6968620B2 (ja) |
KR (1) | KR102473839B1 (ja) |
CN (1) | CN109643514B (ja) |
WO (1) | WO2018037335A1 (ja) |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6830765B2 (ja) * | 2015-06-08 | 2021-02-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
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-
2017
- 2017-08-22 US US15/682,919 patent/US10733946B2/en active Active
- 2017-08-22 CN CN201780050118.7A patent/CN109643514B/zh active Active
- 2017-08-22 KR KR1020197005395A patent/KR102473839B1/ko active IP Right Grant
- 2017-08-22 WO PCT/IB2017/055051 patent/WO2018037335A1/en active Application Filing
- 2017-08-24 JP JP2017160844A patent/JP6968620B2/ja active Active
-
2020
- 2020-07-17 US US16/931,793 patent/US11404016B2/en active Active
-
2021
- 2021-10-27 JP JP2021175446A patent/JP2022031607A/ja not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20200349898A1 (en) | 2020-11-05 |
JP2022031607A (ja) | 2022-02-21 |
WO2018037335A1 (en) | 2018-03-01 |
US10733946B2 (en) | 2020-08-04 |
CN109643514B (zh) | 2023-04-04 |
JP2018036639A (ja) | 2018-03-08 |
KR102473839B1 (ko) | 2022-12-02 |
US11404016B2 (en) | 2022-08-02 |
CN109643514A (zh) | 2019-04-16 |
KR20190039534A (ko) | 2019-04-12 |
US20180061344A1 (en) | 2018-03-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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