JP6958098B2 - 光モジュール - Google Patents

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Description

本発明は、光モジュールに関するものである。
特許文献1には、高周波用半導体素子収納用パッケージに使用される高周波用入出力端子が開示されている。この高周波用出力端子では、高周波信号の伝送方向に沿って延びる複数の線路導体が、誘電体基板の上面に形成されている。複数の線路導体は、伝送方向と直交する方向に沿って並んでいる。複数の線路導体の間には、複数の溝がそれぞれ設けられている。すなわち、各線路導体間の近傍には、空気層が介在する。
特許文献2には、半導体レーザモジュールが開示されている。この半導体レーザモジュールは、半導体レーザを収容する気密パッケージと、半導体レーザと電気的に接続され、気密パッケージの側壁の外側に設けられる複数のステッチとを備える。
特開平11−214556号公報 特開平5−37062号公報
高速光通信の為の光モジュールには、例えば半導体レーザ等の光学部品を収容する筐体と、筐体の側壁の内側から外側にわたって設けられるフィードスルーとを備えるものがある。フィードスルーは、筐体の側壁の外側において、筐体内の光学部品と電気的に接続される高周波信号用の信号パッド及び該信号パッドの周辺に配置されるグランド配線を有する。これらのパッドは、例えば金属半田を介して、例えばFPC基板に接続される。この光モジュールにおいて、信号パッドと、グランド配線とが互いに近接する場合、信号パッドとグランド配線との間に生じる容量結合が増大する。この場合、この容量結合を精度良く調整することが難しくなるので、信号パッドの特性インピーダンスの不整合が生じるおそれがある。その結果、特性インピーダンスの不整合点で生じる電気信号の反射等の影響により、信号パッドの伝送特性が低下するおそれがある。なお、特許文献1に開示された技術を上記の光モジュールに適用する(すなわち、信号パッドと、信号パッドの両側に配置されるグランドパッドとの間に溝を設ける)ことにより、信号パッドの伝送特性の低下を抑える方法が考えられる。この方法は、信号パッドとグランドパッドとの間に生じる容量結合の増大を抑えることにより、信号パッドの伝送特性の低下の抑制を図るものである。
しかしながら、信号パッドとグランドパッドとの間に溝が設けられると、次のような問題が生じることがある。すなわち、これらのパッドとFPC基板との間の金属半田の余剰分が、当該溝に入り込んでしまうことがある。この場合、当該余剰分の影響により、信号パッドとグランドパッドとの間に生じる容量結合が変化する。更には、当該余剰分を介して信号パッドとグランドパッドとが短絡するおそれがある。また、例えばフラックス等の誘電体が、当該溝を埋めてしまうこともある。この場合、その誘電体の影響により、信号パッドとグランドパッドとの間に生じる容量結合が変化する。従って、信号パッドとグランドパッドとの間に溝が設けられると、信号パッドとグランドパッドとの間に生じる容量結合を精度良く調整することが難しくなるおそれがある。その結果、信号パッドの特性インピーダンスの不整合が生じ、信号パッドの伝送特性の低下を抑えることが難しくなるおそれがある。
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、信号パッドとグランド配線との間に生じる容量結合の増大を抑えることにより、信号パッドの伝送特性の低下を抑えることができる光モジュールを提供することを目的とする。
本発明の光モジュールは、側壁及び底面を有し、底面上に配置される光半導体素子を収容する筐体と、側壁の内側に位置する第1主面、側壁の外側に位置する第2主面、第2主面と対向する裏面、第2主面と裏面との間に配置されてなり基準電位を規定するグランドパターン、及び第2主面とグランドパターンとの間に設けられる空洞部を有するフィードスルーと、を備え、第1主面は、光半導体素子と電気的に接続される伝送線路を含み、第2主面は、伝送線路と電気的に接続される信号パッド、並びに、第2主面に沿った第1方向において信号パッドの両側にそれぞれ配置されており基準電位を規定する第1グランドパッド及び第2グランドパッドを含み、空洞部は、信号パッドとグランドパターンとの間に位置する部分を含む。
本発明による光モジュールによれば、信号パッドとグランド配線との間に生じる容量結合の増大を抑えることにより、信号パッドの伝送特性の低下を抑えることができる。
一実施形態の光モジュールの上面図である。 図1のII−II線に沿った断面図である。 図1の光モジュールの斜視図である。 図1の光モジュールの背面図である。 図4の各空洞部付近の拡大図である。 図4の各空洞部付近の拡大側面図である。 FPC基板とフィードスルーとが互いに接続される前の状態を示す上面図である。 FPC基板がフィードスルーに接続される様子を示す側面図である。 比較例としての光モジュールの斜視図である。 図9の各溝付近の拡大図である。 図9の各溝付近の拡大正面図である。 比較例としての光モジュールが有する課題を説明する為の図である。 第1変形例による光モジュールの上面図である。 第2変形例による光モジュールの各空洞部の拡大上面図である。 第3変形例による光モジュールの斜視図である。 図15の各空洞部付近の拡大図である。 図15の各空洞部付近の拡大側面図である。
[本発明の実施形態の説明]
最初に、本発明の実施形態の内容を列記して説明する。本発明の一実施形態の光モジュールは、側壁及び底面を有し、底面上に配置される光半導体素子を収容する筐体と、側壁の内側に位置する第1主面、側壁の外側に位置する第2主面、第2主面と対向する裏面、第2主面と裏面との間に配置されてなり基準電位を規定するグランドパターン、及び第2主面とグランドパターンとの間に設けられる空洞部を有するフィードスルーと、を備え、第1主面は、光半導体素子と電気的に接続される伝送線路を含み、第2主面は、伝送線路と電気的に接続される信号パッド、並びに、第2主面に沿った第1方向において信号パッドの両側にそれぞれ配置されており基準電位を規定する第1グランドパッド及び第2グランドパッドを含み、空洞部は、信号パッドとグランドパターンとの間に位置する部分を含む。
上記の光モジュールでは、空洞部が、信号パッドと、グランド配線であるグランドパターンとの間に位置する部分を含んでいる。すなわち、第1方向におけるグランドパターンと、信号パッドとの間の近傍には、空気層が介在する。ここで、空気の比誘電率は、例えばフィードスルーの材料として用いられるセラミックの比誘電率よりも小さい。この比誘電率の小さい空気層の厚さを調整することにより、信号パッドとグランドパターンとの間に生じる容量結合を調整することができる。これにより、信号パッドの特性インピーダンスの整合をとることができる。その結果、信号パッドの伝送特性の低下を抑えることができる。また、空洞部は、主面とグランドパターンとの間に設けられているので、主面上に露出していない。これにより、信号パッド及びグランドパッドと接続部品(例えばFPC基板)との接続に用いる金属半田又はフラックスが、空洞部内に入り込むことを抑制することができる。その結果、信号パッドとグランドパターンとの間に生じる容量結合が、金属半田又はフラックスの影響により変化するような事態を抑えることができる。
また、上述した光モジュールでは、第2主面と直交する第2方向において、空洞部の幅は、信号パッドとグランドパターンとの距離の半分以上であってもよい。これにより、信号パッドとグランドパターンとの間において、空気層を十分に確保することができるので、上記の効果を顕著に奏することができる。
また、上述した光モジュールでは、フィードスルーは、第2主面とグランドパターンとの間に配置されており第1方向において互いに対向する第1側面及び第2側面を更に有し、空洞部は、第1側面から第2側面にわたって貫通してもよい。
[本発明の実施形態の詳細]
本発明の実施形態に係る光モジュールの具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。以下の説明では、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
(実施形態)
図1は、一実施形態の光モジュール1の上面図である。図2は、図1のII−II線に沿った断面図である。なお、各図には、理解の容易の為、XYZ直交座標系が示されている。また、各図では、説明の為に筐体2の上蓋が省略されている。本実施形態では、光モジュール1としてTOSA(Transmit Optical Sub-Assembly)型光モジュールを示す。光モジュール1は、筐体2と、光結合部20と、フィードスルー30と、高周波信号用のFPC基板50と、電源およびアナログ信号用のFPC基板60とを備える発光モジュールである。
筐体2は、Y方向(第2方向)に延びる直方体形状を呈している。筐体2は、Y方向において互いに対向する側壁2a,2b、及びZ方向と交差する底面2cを有する。側壁2a,2bは、X方向に沿っている。底面2cは、側壁2a,2bのZ方向における下端に接している。筐体2は、少なくとも1つの半導体レーザ(LD)3を収容する。なお、LD3は、本実施形態における光半導体素子である。一例では、筐体2は、複数(例えば4つ)のLD3を収容する。各LD3は、底面2c上に配置され、X方向(第1方向)に沿って並んでいる。例えば、各LD3が直接変調方式のLDである場合、FPC基板50を介して提供される変調電流信号に応じてレーザ光の光強度変調が行われる。各レーザ光の波長は、MSAで規格化される4つの異なる波長からなる。各レーザ光の強度は、各LD3に対応して配置される各受光素子から出力される電流量によりモニタリングされ、FPC基板60を介して出力される。
また、筐体2は、温度制御素子4、ベース5,キャリア6,7、サーミスタ8、レンズ10、及び光合波器11を収容する。温度制御素子4は、底面2cの上に搭載される。温度制御素子4は、例えばTEC(Thermoelectric Cooler)を含んでいる。温度制御素子4は、サーミスタ8から得られる抵抗値が一定の値となるよう温度制御素子4に供給する電圧を制御し、各LD3の温度を一定となるよう制御することによって、各LD3にて発生するレーザ光の波長の制御を行う。ベース5は、温調制御素子4による熱流入を効率的に行える熱伝導率の良い材料が好ましく、例えば窒化アルミから構成される。ベース5は、温度制御素子4上に搭載される。ベース5上には、キャリア6,7が搭載される。キャリア6は、LD3で生じる発熱を効率的に拡散することができる熱伝導率の良い材料が好ましく、たとえば窒化アルミから構成される。キャリア7は、レンズ10や光合波器11といった発熱を伴わない部品が搭載されるので、例えば窒化アルミもしくはアルミナから構成される。キャリア6上には、各LD3、サーミスタ8が搭載される。サーミスタ8は、各LD3の周辺温度を検出する。また、キャリア6上には、例えばボンディングワイヤを介して複数のLD3と電気的に接続される複数の配線が形成されている。複数の配線は、FPC基板50を介して提供される変調信号を複数のLD3に伝送する為に設けられる。
キャリア7は、Y方向においてキャリア6と側壁2aとの間に配置される。キャリア7上には、4つのレンズ10、及び光合波器11が搭載される。各レンズ10は、各LD3に対応して配置され、各LD3と光学的に結合される。各レンズ10は、各LD3から出力されたレーザ光を平行化する。光合波器11は、Y方向において各レンズ10と光結合部20との間の光路上に配置される。光合波器11は、各レンズ10と光学的に結合され、各レンズ10によって平行化された波長の異なる4つのレーザ光を合波する。光合波器11によって合波されたレーザ光(平行光)は、光結合部20に入力する。
光結合部20は、Y方向に沿って延びる円柱形状を呈している。光結合部20の一部は、側壁2aに埋め込まれている。当該一部には、図2に示されるように、光学窓21が収容されている。光学窓21は、光合波器11と光学的に結合される。光結合部20の残部は、Y方向において側壁2aの外側に位置する。当該残部は、光学窓21と光学的に結合されるレンズ及び光ファイバを保持する。光合波器11から出力されたレーザ光(平行光)は、その光ファイバ手前に配置したレンズにより集光されて光ファイバと光学的に結合される。つまり、光結合部20に入力したレーザ光は、当該残部に保持されたレンズを介して当該光ファイバに入力する。当該光ファイバに入力したレーザ光は、光モジュール1の外部に提供される。
フィードスルー30は、側壁2bの内側と外側とを電気的に接続する為に設けられる。フィードスルー30は、底面2c上に配置され、Y方向に沿って側壁2bの内側から外側にわたって延びている。フィードスルー30は、例えばアルミナを含むセラミックから構成される。フィードスルー30は、側壁2bの内側に設けられる内側領域31、側壁2bの外側に設けられる外側領域35、及びXY平面内において内側領域31から外側領域35にわたって形成されており基準電位を規定するグランドパターン45を有する。
内側領域31は、Z方向と交差する主面32(第1主面)、及びZ方向と交差する主面33を含む。主面32,33は、Y方向において側壁2bの内側に位置する。主面32は、FPC基板50を介して提供される変調信号を各LD3に伝送する伝送線路32c(図1参照)を含む。伝送線路32cは、LD3と電気的に接続される少なくとも1つの信号配線32a、及び基準電位を規定する少なくとも2つのグランド配線32bを含む。一例では、図1に示されるように、主面32は、複数(例えば8つ)の信号配線32a及び複数(例えば9つ)のグランド配線32bを含む。各信号配線32a及び各グランド配線32bは、Y方向に沿って延びている。また、各信号配線32a及び各グランド配線32bは、X方向に沿って交互に並んでいる。すなわち、2つのグランド配線32bは、X方向において1つの信号配線32aの両側にそれぞれ配置される。なお、本実施形態では、1つのグランド配線32bを介して隣接する2つの信号配線32aは、1つの差動信号配線を構成する。この差動信号配線は、複数のLD3に対応して複数(例えば4つ)設けられる。各差動信号配線及び各グランド配線32bは、例えばボンディングワイヤを介してキャリア6上の配線に接続される。従って、各差動信号配線は、ボンディングワイヤ及びキャリア6上の配線を介して、各LD3と電気的に接続される。主面33は、電源配線及びアナログ信号配線を含む複数の配線33aを含む。各配線33aは、例えばボンディングワイヤを介してサーミスタ8、及び温度制御素子4と電気的に接続される。
図3は、図1の光モジュール1の斜視図である。なお、図3では、説明の為にFPC基板50,60を省略している。外側領域35は、図3に示されるように、Z方向と直交する主面36(第2主面)、Z方向において主面36と対向する裏面37、X方向において互いに対向する側面38及び側面39、Y方向において側壁2bに対して内側領域31とは反対側に配置される前面40、並びに、Y方向において前面40を含む平面と側壁2bを含む平面との間に配置される前面41を含む。
主面36は、Y方向において側壁2bの外側に位置する。主面36は、少なくとも1つの信号パッド36a、及び少なくとも2つのグランドパッド36b(第1グランドパッド及び第2グランドパッド)、及び、X方向において信号パッド36aと2つのグランドパッド36bとの間にそれぞれ位置する少なくとも2つの中間領域36c(第1中間領域及び第2中間領域)を含む。一例では、主面36は、複数(例えば8つ)の信号パッド36a及び複数(例えば9つ)のグランドパッド36bを含む。各信号パッド36a及び各グランドパッド36bは、Y方向に沿って延びている。また、各信号パッド36a及び各グランドパッド36bは、X方向に沿って交互に並んでいる。すなわち、2つのグランドパッド36bは、X方向において1つの信号パッド36aの両側にそれぞれ配置される。なお、本実施形態では、1つのグランドパッド36bを介して隣接する2つの信号パッド36aは、1つの差動信号パッドを構成する。この差動信号パッドは、複数の差動信号配線に対応して複数(例えば4つ)設けられる。各差動信号パッドは、1つのグランドパッド36bを介して互いに隣接する。各差動信号パッドは、主面32の各差動信号配線と電気的に接続される。結果的に、各差動信号パッドは、伝送線路32cの各差動信号配線、キャリア6上の配線、及びボンディングワイヤを介して各LD3と電気的に接続される。各グランドパッド36bは、基準電位を規定しており、各グランド配線32bと電気的に接続される。裏面37は、電源パッド及びアナログ信号パッドを含む複数のパッド37a(図2参照)を含む。各パッド37aは、例えばビアを介して各配線33aと電気的に接続される。グランドパターン45は、Z方向において主面36と裏面37との間に位置する部分を含み、主面36及び裏面37に沿っている。側面38,39は、Z方向において主面36と裏面37との間に配置されている。側面38,39は、Z方向において主面36とグランドパターン45との間に位置する部分を含む。また、グランドパターン45は、グランドパッド36bとビアとを介して電気的に接続されている。
外側領域35は、少なくとも1つの空洞部42を更に含む。一例では、図3に示されるように、外側領域35は、複数(例えば8つ)の空洞部42を含む。各空洞部42は、Y方向を長手方向とする直方体形状を呈している。図4は、図1の光モジュール1の背面図である。図5は、図4の各空洞部42付近の拡大図である。図6は、図4の各空洞部42付近の拡大側面図である。なお、図6では、説明の為にFPC基板50を省略している。各空洞部42は、図4に示されるように、Z方向において主面36と裏面37との間に設けられる。空洞部42は、Z方向において信号パッド36aを介して隣接する2つの中間領域36cと裏面37との間に位置する部分42aを含む。また、空洞部42は、信号パッド36aとグランドパターン45との間に位置する部分42bを含む。一例では、空洞部42は、Z方向においてその2つの中間領域36c及び信号パッド36aとグランドパターン45との間に位置する。また、一例では、各空洞部42は、グランドパターン45上に位置しており、グランドパターン45は、各空洞部42内に露出している。図5に示されるように、各空洞部42のZ方向における厚さd1は、各信号パッド36aとグランドパターン45とのZ方向における距離d2の半分か、もしくは半分以上である。一例では、厚さd1は、セラミックシート1枚分もしくは1枚分以上の厚さに相当しており、0.1mm〜0.3mmであり、距離d2は、セラミックシート2枚もしくは2枚以上の厚さに相当しており、0.2mm〜0.6mmである。
また、各空洞部42は、図4及び図5に示されるように、側面38から側面39に向かってX方向に沿って並んでおり、互いに離間している。具体的には、各空洞部42は、図5に示されるように、Z方向において各グランドパッド36bと裏面37との間に位置する外側領域35の部分35aを介して、X方向において互いに離間している。X方向の寸法は信号パッド36aとグランドパッド36bとのピッチによって決まる寸法となり、一例では、パッドのピッチ、つまり信号パッド36aとグランドパッド36bとのピッチは0.3mmから0.6mmの範囲であり、グランドパッド36bと隣接するグランドパッド36bとの間隔は0.6mmから1.2mmとなる。一方、各空洞部42間の距離は、グランドパッド36bとグランドパターン45とを接続するビアの直径およびクリアランスによる寸法制約を受け、ビアの直径を0.1mmとした場合には、0.2mmから0.4mmとなる。その結果、各空洞部42のX方向の寸法の上限は、グランドパッド36bのピッチと各空洞部42間の距離との差分で規定される。また、各空洞部42は、図6に示されるように、前面40に開口を有しており、Y方向に沿って前面40から前面41を含む平面に向かって延びている。すなわち、各空洞部42は、Y方向において、前面40を含む平面と前面41を含む平面との間に設けられる。一例では、各空洞部42のY方向における長さは、例えば0.5mm〜1.5mmである。この寸法(長さ)は、前面40から前面41の寸法にも依存する。この寸法例は、前面40から前面41の寸法が1mmである場合の例である。
FPC基板50は、図5に示されるように、Z方向と交差する表面51、Z方向において表面51と対向する裏面52、及び表面51上及び裏面52上に設けられる複数の信号パッド53a及び複数のグランドパッド53bを含む。裏面52は、Z方向において主面36と対向している。各信号パッド53a及び各グランドパッド53bは、Y方向に沿って延びており、X方向に沿って交互に並んでいる。表面51上に設けられる各信号パッド53aと、裏面52上に設けられる各信号パッド53aとは、ビア54を介して互いに電気的に接続されている。同様にして、表面51上に設けられる各グランドパッド53bと、裏面52上に設けられる各グランドパッド53bとは、ビア54を介して互いに電気的に接続されている。各信号パッド53a及び各グランドパッド53bは、各信号パッド36a及び各グランドパッド36bに金属半田70を介してそれぞれ接続される。FPC基板50は、各差動信号パッド、各差動信号配線、キャリア6上の配線、及びボンディングワイヤを介して、各LD3に変調信号を提供する(図1参照)。
図7は、各信号パッド53a及び各グランドパッド53bと、各信号パッド36a及び各グランドパッド36bとがそれぞれ互いに接続される前の状態を示す上面図である。なお、図7では、FPC基板50の裏面52が上面を向いている。各信号パッド53a及び各グランドパッド53bは、図7に示されるように、各信号パッド36a及び各グランドパッド36bに対応してそれぞれ配置されている。図8は、FPC基板50,60が主面36及び裏面37にそれぞれ接続される様子を示す側面図である。FPC基板50の各信号パッド53a及び各グランドパッド53bを、各信号パッド36a及び各グランドパッド36bにそれぞれ接続する際には、図8に示されるように、裏面52をZ方向において主面36と対向させる。そして、裏面52上に設けられる各信号パッド36a及び各グランドパッド36bを、金属半田70及びフラックスを用いて、各信号パッド36a及び各グランドパッド36bにそれぞれ接続させる。また、FPC基板60が有する複数のパッド61を、上記と同様にして、各パッド37aに接続させる。各パッド61は、複数の電源パッドおよびアナログ信号パッドを含む。FPC基板60は、各パッド37a、ビア、各配線33a、及びボンディングワイヤを介して各LD3、サーミスタ8、及び温度制御素子4に電流を提供する(図1参照)。
以上に説明した、本実施形態の光モジュール1によって得られる効果を、比較例が有する課題と共に説明する。図9は、比較例としての光モジュール100の斜視図である。図9に示されるように、光モジュール100は、筐体2と、光結合部20と、フィードスルー30Aとを備える。フィードスルー30Aと本実施形態のフィードスルー30との相違点は、フィードスルー30Aが、複数の空洞部42に代えて複数の溝101を有する点である。各溝101は、図9に示されるように、主面36に形成されており、Y方向に沿って延びている。図10は、図9の各溝101付近の拡大図である。図11は、図9の各溝101付近の拡大正面図である。各溝101は、図10及び図11に示されるように、X方向において各信号パッド36aと各グランドパッド36bとの間に設けられる。各溝101は、Z方向において主面36からグランドパターン45に向かって窪みを構成する。
このように、各信号パッド36aと各グランドパッド36bとの間に各溝101を設けることにより、各信号パッド36aと各グランドパッド36bとの間の近傍には、空気層がそれぞれ介在することとなる。ここで、空気の比誘電率は、フィードスルー30の材料として用いられるセラミックの比誘電率よりも小さい。従って、比誘電率の小さい空気層が各信号パッド36aと各グランドパッド36bとの間の近傍に介在することで、各信号パッド36aと各グランドパッド36bとの間に生じる容量結合の増大を抑えることが可能になると考えられる。
しかしながら、各信号パッド36aと各グランドパッド36bとの間に各溝101を設けると、次のような問題が生じることがある。図12(a)及び図12(b)は、比較例としての光モジュール100が有する課題を説明する為の図である。図12(a)は、信号パッド36aと信号パッド53aとの間の金属半田70の余剰分70A,70Bが、各溝101内に入り込んだ状態を示している。図12(a)に示されるように、信号パッド36aと信号パッド53aとの間の金属半田70の余剰分70Aが、信号パッド36aに隣接する溝101内に入り込んでいる。この場合、この余剰分70Aは、信号パッド36aと同電位となり、隣接するグランドパッド36bとの物理的な距離が近くなってしまう。その影響により、信号パッド36aとグランドパッド36bとの間に生じる容量結合が増加する。また、図12(a)において、金属半田70の余剰分70Bは、溝101内に入り込み、当該信号パッド36aに隣接するグランドパッド36bと、グランドパッド53bとの間の金属半田70に接触している。この場合、余剰分70Bを介して、信号パッド36aとグランドパッド36bとが短絡してしまい、適切に信号を伝達出来なくなってしまう。
図12(b)は、金属半田70の接続時に使用するフラックス71が各溝101内に埋め込まれた状態を示している。この場合も、このフラックス71の影響により、信号パッド36aとグランドパッド36bとの間に生じる容量結合が増加する。従って、各信号パッド36aと各グランドパッド36bとの間に各溝101が設けられると、各信号パッド36aと各グランドパッド36bとの間に生じる容量結合が設計と異なる状態になってしまう恐れがある。その結果、各信号パッド36aの特性インピーダンスの不整合が生じ、その不整合により伝達される信号の一部が反射してしまうことにより、各信号パッド36aの伝送特性が低下するおそれがある。
このように、各信号パッド36aと各グランドパッド36bとの間に各溝101を設けると、結果として、各信号パッド36aの伝送特性が低下してしまうという問題が生じることがある。これに対し、本実施形態の光モジュール1は、主面36と裏面37との間に各空洞部42を設けることで、上記の光モジュール100とは異なる観点から各信号パッド36aの伝送特性の低下の抑制を図るものである。本実施形態の光モジュール1では、各空洞部42は、各信号パッド36aと、グランドパターン45との間に位置する部分42aを含んでいる。すなわち、X方向における各信号パッド36aとグランドパターン45との間の近傍には、空気層が介在する。ここで、上述したように、空気の比誘電率は、フィードスルー30の材料として用いられるセラミックの比誘電率よりも小さい。この比誘電率の小さい空気層の厚さを調整することにより、各信号パッド36aとグランドパターン45との間に生じる容量結合を調整することができる。これにより、各信号パッド36aの特性インピーダンスの整合をとることができる。その結果、各信号パッド36aの伝送特性の低下を抑えることができる。また、空洞部42は、主面36と裏面37との間に設けられるので、主面36上に露出していない。これにより、各信号パッド36a及び各グランドパッド36bと、FPC基板50の各信号パッド53a及び各グランドパッド53bとの接続に用いる金属半田70(具体的には余剰分70A及び余剰分70B)及びフラックス71が、各空洞部42内に入り込むことを抑制することができる。その結果、各信号パッド36aとグランドパターン45との間に生じる容量結合が、金属半田70(具体的には余剰分70A及び余剰分70B)又はフラックス71の影響により変化するような事態を抑えることができる。
また、光モジュール1では、Z方向において、各空洞部42の厚さd1は、各信号パッド36aとグランドパターン45との距離d2の半分以上であってもよい。これにより、Z方向における各信号パッド36aとグランドパターン45との間において、空気層を十分に確保することができるので、上記の効果を顕著に奏することができる。
(第1変形例)
図13は、上記実施形態の第1変形例による光モジュール1Aの上面図である。本変形例と上記実施形態との相違点は、LD3の数である。すなわち、本変形例では、1つのLD3が筐体2内に収容される。また、本変形例の光モジュール1Aは、FPC基板60を備えておらず、FPC基板50に代えてFPC基板50Aを備える。FPC基板50Aは、複数(例えば2つ)の信号パッド53a、複数(例えば3つ)のグランドパッド53b、及び複数(例えば4つ)のパッド61を有する。各パッド61は、各信号パッド53a及び各グランドパッド53bを挟んでX方向における両側に配置される。複数の信号パッド53aは、複数(例えば2つ)の信号パッド36a、複数(例えば2つ)の信号配線32a、キャリア6上の配線、及びボンディングワイヤを介して、LD3に変調信号を提供する。なお、2つの信号パッド36aは、差動信号パッドを構成し、2つの信号配線32aは、差動信号配線を構成する。このように1つのLD3が筐体2内に収容される場合であっても、上記実施形態と同様にして主面36と裏面37との間に各空洞部42が設けられることにより、上記実施形態の効果と同様の効果を好適に奏することができる。
(第2変形例)
図14は、上記実施形態の第2変形例による光モジュール1Cの各空洞部42Bの拡大上面図である。本変形例と上記実施形態との相違点は、各空洞部の形状である。すなわち、各空洞部42Bは、Y方向における側壁2b(例えば図3参照)に向けてX方向の幅が狭まるテーパ部42cを含む。換言すれば、各空洞部42Bの側壁2b側のX方向の幅は、各空洞部42Bの前面40側のX方向の幅よりも小さくなっている。これにより、外側領域35の側壁2b近傍(具体的には前面41近傍)において空洞部42Bが占める割合を小さくすることができるので、外力による応力が集中し易い外側領域35の側壁2b近傍の機械的強度の低下を抑えることができる。
(第3変形例)
図15は、上記実施形態の第3変形例による光モジュール1Dの斜視図である。図16は、図15の各空洞部42C付近の拡大図である。図17は、図15の各空洞部42C付近の拡大側面図である。本変形例と上記実施形態との相違点は、各空洞部の配置である。すなわち、各空洞部42Cは、Z方向における主面36と裏面37との間において、側面38から側面39まで貫通している。また、各空洞部4Cは、前面40から前面41(側壁2b)に向かってY方向に沿って並んでいる。一例では、2つの空洞部42CがY方向に沿って並んでいる。各空洞部4Cは、Y方向において互いに離間している。一例では、各空洞部42C間の距離は、グランドパッド36bのビアが配置出来るよう0.2mmから0.4mmである。このように、複数の空洞部42Cが、Y方向において互いに離間して配置されることにより、Y方向において各空洞部42C間に位置する外側領域35の部分は、主面36を支持する支柱としての機能を有する。その結果、外側領域35の主面36近傍の機械的強度の低下を抑えることができる。これにより、FPC基板50の各信号パッド53a及びグランドパッド53bを、主面36の各信号パッド36a及び各グランドパッド36bに金属半田70を用いてそれぞれ接続する際において、例えばヒータブロックを用いて主面36を押圧しても、主面36近傍が破損することを抑制することができる。
本発明の光モジュールは、上述した実施形態に限られるものではなく、他に様々な変形が可能である。例えば、上述した実施形態及び各変形例を、必要な目的及び効果に応じて互いに組み合わせてもよい。また、上述した実施形態及び各変形例では、空洞部は、直方体形状を呈していたが、他の形状を呈してもよい。また、上述した実施形態及び各変形例では、複数の空洞部が設けられていたが、1つの空洞部が設けられてもよい。また、上述した実施形態及び各変形例では、差動信号パッドを構成する2つの信号パッド、及び差動信号配線を構成する2つの信号配線が1つのLDに対応して設けられていたが、1つの信号パッド及び1つの信号配線が1つのLDに対応して設けられてもよい。
1,1A,1C,1D…光モジュール、2…筐体、2a,2b…側壁、2c…底面、3…LD、4…温度制御素子、5…ベース、6,7…キャリア、8…サーミスタ、10…レンズ、21…光学窓、11…光合波器、20…光結合部、30…フィードスルー、31…内側領域、32,33,36…主面、32a…信号配線、32b…グランド配線、32c…伝送線路、33a…配線、35…外側領域、36a,53a…信号パッド、36b,53b…グランドパッド、36c…中間領域、37…裏面、37a,61…パッド、38,39…側面、40,41…前面、42,42B,42C…空洞部、42a,42b,35a…部分、42c…テーパ部、45…グランドパターン、50,60…FPC基板、51…表面、52…裏面、54…ビア、d1…厚さ、d2…距離。

Claims (4)

  1. 側壁及び底面を有し、前記底面上に配置される光半導体素子を収容する筐体と、
    前記側壁の内側に位置する第1主面、前記側壁の外側に位置する第2主面、前記第2主面と対向する裏面、前記第2主面と前記裏面との間に配置されてなり基準電位を規定するグランドパターン、及び前記第2主面と前記グランドパターンとの間に設けられる空洞部を有するフィードスルーと、を備え、
    前記第1主面は、前記光半導体素子と電気的に接続される伝送線路を含み、
    前記第2主面は、前記伝送線路と電気的に接続される信号パッド、並びに、前記第2主面に沿った第1方向において前記信号パッドの両側にそれぞれ配置されており基準電位を規定する第1グランドパッド及び第2グランドパッドを含み、
    前記フィードスルーは、前記側壁の外側に配置される第1前面と、前記第1前面を含む平面と前記側壁を含む平面との間に配置される第2前面と、を更に有し、
    前記空洞部は、前記信号パッドと前記グランドパターンとの間に位置する部分を含み、前記第1前面と前記第2前面を含む平面との間において、前記信号パッドが延在する方向に沿って延在している、光モジュール。
  2. 前記フィードスルーは、前記第2主面と直交する第2方向において、前記第1グランドパッドと前記裏面との間、及び前記第2グランドパッドと前記裏面との間にそれぞれ位置する部分を含み、
    前記空洞部は、前記第1方向に沿って複数並んでおり、前記第1方向において前記フィードスルーの前記部分を介して互いに離間している、請求項1に記載の光モジュール。
  3. 前記裏面は、電源パッド及びアナログ信号パッドを含む複数のパッドを含み、
    前記信号パッド、前記第1グランドパッド、及び前記第2グランドパッドは、高周波信号を伝送する第1FPCに接続され、
    前記複数のパッドは、電源及びアナログ信号用の第2FPCに接続されてなる、請求項1又は2に記載の光モジュール。
  4. 側壁及び底面を有し、前記底面上に配置される光半導体素子を収容する筐体と、
    前記側壁の内側に位置する第1主面、前記側壁の外側に位置する第2主面、前記第2主面と対向する裏面、前記第2主面と前記裏面との間に配置されてなり基準電位を規定するグランドパターン、及び前記第2主面と前記グランドパターンとの間に設けられる空洞部を有するフィードスルーと、を備え、
    前記第1主面は、前記光半導体素子と電気的に接続される伝送線路を複数含み、
    前記第2主面は、前記伝送線路と電気的に接続される信号パッドと、前記第2主面に沿った第1方向において前記信号パッドの両側にそれぞれ配置されており基準電位を規定する第1グランドパッド及び第2グランドパッドと、を複数含み、
    複数の前記信号パッド、前記第1グランドパッド及び前記第2グランドパッドは、前記第1方向に沿って並んでおり、
    前記空洞部は、前記信号パッドと前記グランドパターンとの間に位置する部分を含み、
    前記フィードスルーは、前記第2主面と前記グランドパターンとの間に配置されており前記第1方向において互いに対向する第1側面及び第2側面を更に有し、
    前記空洞部は、前記第1側面から前記第2側面にわたって貫通する、光モジュール。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109031549B (zh) * 2018-08-31 2019-11-19 武汉联特科技有限公司 光发射组件以及光模块
CN112655123A (zh) * 2018-09-04 2021-04-13 ams传感器亚洲私人有限公司 线性垂直腔表面发射激光器阵列
US20210305766A1 (en) * 2018-12-26 2021-09-30 Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. Optical semiconductor device
US10948671B2 (en) * 2019-03-07 2021-03-16 Applied Optoelectronics, Inc. Transmitter optical subassembly (TOSA) with laser diode driver (LDD) circuitry mounted to feedthrough of TOSA housing
US11411650B2 (en) * 2020-01-24 2022-08-09 Applied Optoelectronics, Inc. Component bridge for increasing mounting surface area on feedthrough device and an optical subassembly implementing same
WO2022127593A1 (zh) * 2020-12-14 2022-06-23 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 一种光模块
WO2022247426A1 (zh) * 2021-05-26 2022-12-01 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 光模块
US20230115731A1 (en) * 2021-10-13 2023-04-13 Electronics And Telecommunications Research Institute Optical submodule

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2728104B2 (ja) 1991-07-25 1998-03-18 日本電気株式会社 半導体レーザモジュール
JP3493301B2 (ja) * 1998-01-26 2004-02-03 京セラ株式会社 高周波用入出力端子ならびに高周波用半導体素子収納用パッケージ
JP3615697B2 (ja) * 2000-09-21 2005-02-02 京セラ株式会社 半導体素子収納用パッケージ
US6381066B1 (en) * 2000-09-28 2002-04-30 Axsun Technologies, Inc. Integrated semiconductor optical amplifier system
JP3659326B2 (ja) * 2000-11-29 2005-06-15 京セラ株式会社 半導体素子収納用パッケージ
EP1517166B1 (en) * 2003-09-15 2015-10-21 Nuvotronics, LLC Device package and methods for the fabrication and testing thereof
JP4418250B2 (ja) * 2004-02-05 2010-02-17 株式会社ルネサステクノロジ 高周波回路モジュール
KR100568321B1 (ko) * 2004-10-28 2006-04-05 삼성전기주식회사 반도체 레이저 다이오드
JP2010103193A (ja) * 2008-10-21 2010-05-06 Sumitomo Electric Ind Ltd 光モジュール及びその製造方法
JP5334746B2 (ja) * 2009-08-19 2013-11-06 京セラ株式会社 素子収納用パッケージ、並びに実装構造体
JP4542194B2 (ja) * 2009-09-24 2010-09-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 高周波回路モジュール
JP5654288B2 (ja) * 2010-08-24 2015-01-14 日本オクラロ株式会社 光モジュール及び高周波モジュール
JP2013197479A (ja) * 2012-03-22 2013-09-30 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Tosaモジュールパッケージ
US9250404B2 (en) * 2012-11-23 2016-02-02 Electronics And Telecommunications Research Institute Multi-channel optical module and manufacturing method of the same
EP2770590A1 (en) * 2013-02-22 2014-08-27 EMCORE Corporation Small packaged tunable laser assembly
US9291784B2 (en) * 2013-03-05 2016-03-22 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Sealing component, optical device sealing structure, method for producing sealing component, and method for producing optical device sealing structure
JP6397127B2 (ja) * 2015-05-20 2018-09-26 京セラ株式会社 半導体素子パッケージ、半導体装置および実装構造体
JP6437886B2 (ja) * 2015-06-16 2018-12-12 日本電信電話株式会社 高周波接続線路

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