JP6956099B2 - 酸化アルミニウム及び/又は窒化アルミニウムの製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、酸化アルミニウム及び/又は窒化アルミニウムの製造方法、並びにそのような方法を実施するためのデバイスに関する。
酸化アルミニウム(Al)又は窒化アルミニウム(AlN)の層を形成するために、例えば半導体材料を製造するために、堆積チャンバー内で原子層堆積又はALDプロセスを使用することが知られている。堆積チャンバー内でアルミニウムの原子層を基板に堆積させる。アルミニウム層の堆積後、堆積チャンバーはパージされる。次に、酸素又はアンモニアを堆積チャンバーに送り込み、アルミニウムの原子層を酸化又は窒化して、酸化アルミニウム又は窒化アルミニウムの層を形成する。アルミニウムの新しい原子層の堆積の前に、堆積チャンバーは再度パージされる。酸化アルミニウム又は窒化アルミニウムの層の望ましい厚さが得られるまで、アルミニウム堆積、酸化又は窒化工程及びパージを繰り返す。
しかし、原子層堆積プロセスは、一度に1層の原子層のみを堆積することを含むことから、比較的遅い。したがって、厚さ50〜100nmの酸化アルミニウム又は窒化アルミニウムの層を形成するのに、プロセスが数時間継続する。加えて、この方法を実施する際に、堆積チャンバーの壁に堆積物が形成され得るが、この堆積物は洗浄が困難である。実際、エッチング槽に浸漬することにより酸化アルミニウム堆積物を洗浄することが知られているが、この技術は、堆積チャンバーの洗浄には適していない。
低い堆積速度を補うため、堆積チャンバー内に複数の基板を配置して複数の基板で酸化アルミニウム層を同時に得る方法が知られている。しかし、複数の基板が同時に存在すると、堆積チャンバーの雰囲気の均一性の低下を引き起こし、特に堆積層の厚さの均一性に関して堆積物の品質を低下させる。
本発明は、相当な厚み、即ち、典型的には20から500nmの間の酸化アルミニウム層の製造中に堆積チャンバーの洗浄を促進することを可能にする、酸化アルミニウム及び/又は窒化アルミニウムからなる層を形成する方法並びにそのような方法を実施するためのデバイスを提案することで、上記の欠点に、対応することをより具体的に意図している。
これに関連して、本発明の目的は、酸化アルミニウム(Al)及び/又は窒化アルミニウム(AlN)からなる層を基板上に形成するための方法を提案することであり、ここで、
a)堆積チャンバー内で、5から25nmの間の厚さを有するアルミニウムの単体層(elemental layer)を基板上に堆積させる工程と、
b)基板を、堆積チャンバーとは別個の処理チャンバーに移す工程であって、処理チャンバー内で、アルミニウムの単体層が酸化及び/又は窒化されて、それぞれ酸化アルミニウム又は窒化アルミニウムの単体層を形成する工程による、一連の連続する工程a)及びb)を、酸化アルミニウム又は窒化アルミニウムの連続的単体層をそれぞれ積み重ねることにより酸化及び/又は窒化アルミニウムの前記層が得られるまで、反復する。
特に指示がない限り、用語「の上に(over)」は、2つの要素間の直接的接触を意味すると解釈されるべきではなく、対象となる2つの要素間に挿入された少なくとも1つの要素が存在し得ることを意味することに留意すべきである。
本発明の他の有利であるが必須ではない(non−obligatory)利点によれば、このような方法は、技術的に許容される任意の組合せにより、以下の特長を1つ以上組み入れてもよい。
− 工程b)中で、酸化又は窒化が、酸素又は窒素原子をアルミニウムの単体層を通じて拡散させることにより行われること、
− 堆積チャンバー内及び処理チャンバー内に一度に1つの基板のみが配置されること、
− 工程a)及びb)を、酸化アルミニウム及び/又は窒化アルミニウムの層の厚さが20nm以上、好ましくは500nm未満になるまで、繰り返すこと、
− 工程a)中で、アルミニウムの単体層を物理蒸着(PVD)又は化学蒸着(CVD)法により堆積させること、
− 本方法は、工程c)、即ち
・ 酸化及び/又は窒化アルミニウムの層でコーティングされた基板を、堆積チャンバー及び処理チャンバーから分離した、前記堆積及び処理チャンバーに対して密閉された中間チャンバーに移し、次いで
・ 堆積チャンバー及び/又は処理チャンバーを洗浄する工程、
を更に含むこと。
本発明は、アルミニウム源に接続した密閉堆積チャンバー、酸素又は窒素源に接続した密閉処理チャンバー、並びに堆積チャンバー及び処理チャンバーが個別に密接して接続している中間チャンバーを含むデバイスにおいて実施されてよい。
添付図面を参照しながら、以下の説明を読むことで、本発明をより明確に理解することができる。
本発明による酸化アルミニウム及び/又は窒化アルミニウムの製造方法の各段階を示す。 本発明による酸化アルミニウム及び/又は窒化アルミニウムの製造方法の各段階を示す。 本発明による酸化アルミニウム及び/又は窒化アルミニウムの製造方法の各段階を示す。 本発明による酸化アルミニウム及び/又は窒化アルミニウムの製造方法の各段階を示す。 本発明による酸化アルミニウム及び/又は窒化アルミニウムの製造方法の各段階を示す。 酸化アルミニウム及び/又は窒化アルミニウムの製造方法を実施するためのデバイスの図である。
図を読みやすくするため、図示された各種要素は必ずしも実寸に通りには表現されていない。
酸化アルミニウム及び/又は窒化アルミニウムの層は、酸化アルミニウム又は窒化アルミニウムの単体層を基板に積み重ねることで形成される。
基板の機能は、形成される酸化アルミニウム及び/又は窒化アルミニウムの層のための支持体としての役割を果たすことである。
各単体層は、それぞれが堆積デバイスの特定の真空チャンバー内で行われる2つの連続的工程において形成される。
図1Aに示す第1の工程では、堆積チャンバーとして知られている第1のチャンバー内で、アルミニウムの第1の単体層2を基板1上に堆積させる。この目的のために、化学蒸着(CVD)の場合には、アルミニウム原子を含有する分子が真空チャンバー内に導入され、基材表面と反応して、基材表面にアルミニウム層を形成する。
この単体層の厚さは、前記層の厚さ全体にわたる後続の酸素原子(酸化の場合)又は窒素原子(窒化の場合)の拡散を可能にするのに十分なものになるように選択される。この関連して、前記アルミニウムの単体層は、5から25nmの間、好ましくは5から20nmの間、又は更に好ましくは5から15nmの間の厚さを有していなければならないと考えられる。
アルミニウムの単体層がより大きな厚さを有する場合、酸化は、(酸化雰囲気に曝露された単体層の表面から基板まで延在する)酸化アルミニウム表面層の形成をもたらし、約10ナノメートルの厚さから、アルミニウムの単体層の下層部分の酸化に対するバリアを形成する。これらの条件下において、下層部分は酸化され得ず、酸化アルミニウム表面部分及びアルミニウムの埋め込み部分から形成される複合層が得られる。
アルミニウムの単体層の堆積は、原子層堆積プロセスに比べてはるかに速い物理蒸着(PVD)法又は化学蒸着(CVD)法により行われる。
このようなアルミニウムの単体層の堆積は、約20秒間継続する。
次に、アルミニウムの第1の単体層を支持する基板を、処理チャンバーとして知られている第2のチャンバーに移される。処理チャンバーは、堆積チャンバーから分離しており、堆積チャンバーに対して不透過性である。
処理チャンバーには、アルミニウムの単体層2の酸化又は窒化を生じさせるため、酸素又は窒素を含有する化学種が注入される。この処理中に、酸素又は窒化物原子が、第1のアルミニウムの単体層2を通じて、前記層の厚さ全体にわたり、拡散する。このように、注入される化学種に応じて、酸化アルミニウム又は窒化アルミニウムの第1の単体層2’が得られる(図1B)。
アルミニウムの単体層の酸化又は窒化には約10秒かかる。
次に、酸化アルミニウム又は窒化アルミニウムの第1の単体層2’でコーティングされた基板1は、堆積チャンバーに戻される。
特に有利には、堆積層の汚染を回避するため、基板の全ての移動は、デバイス内部において真空下又は制御雰囲気内で行われる。
堆積チャンバー内では、アルミニウムの第2の単体層2が、酸化アルミニウム又は窒化アルミニウムの第1の単体層2’上に堆積する(図1C参照)。アルミニウムの第2の単体層の堆積工程の特徴は、アルミニウムの第1の単体層の堆積工程の特徴と同様である。
層2’及び層2でコーティングされた基板は、次に、処理チャンバーに移され、処理チャンバー内で、アルミニウム第2の単体層2の酸化又は窒化が行われて、酸化アルミニウム又は窒化アルミニウムの第2の単体層2’が形成される(図1D参照)。
アルミニウムの第2の単体層の処理工程の特徴は、アルミニウムの第1の単体層の処理工程の特徴と同様である。
次に、酸化アルミニウム又は窒化アルミニウムの単体層2’及び2’でコーティングされた基板1は、堆積チャンバーに戻される。
目的の用途に応じて、方法の全ての処理工程で同じ処理(酸化又は窒化)を行うか、或いは酸化アルミニウム及び窒化アルミニウムの単体層のスタックを得るために酸化処理及び窒化処理を適用することが可能である。後者の場合、2つの処置チャンバーを備えたデバイスを使用することが有利であり、一方が酸素源に接続され、他方が窒素源に接続され、処理されるアルミニウムの単体層でコーティングされた基板が、行われる処理に応じて、これらの2つのチャンバーのいずれかに置かれる。
このように、一連の、アルミニウムの単体層の堆積及び前記アルミニウムの単体層の酸化又は窒化が、酸化アルミニウム及び/又は窒化アルミニウムの層の望ましい厚さが得られるまで、数回繰り返される。
したがって、この反復のn回の実施(nは2以上の整数)の最後には、図1Eに示すように、基板1上に酸化及び/又は窒化アルミニウムの単体層2’、2’、…2’のスタックが得られ、このスタックが所望の酸化アルミニウム及び/又は窒化アルミニウムの層2を形成する。
層2は、20nm以上、好ましくは500nm未満の厚さを有することが特に有利である。
本方法の1つの利点は、酸素又は窒素を受け取らない、本目的専用のチャンバー内で、アルミニウムの堆積を行うことにより、堆積チャンバーの内壁における洗浄困難な酸化アルミニウム又は窒化アルミニウム堆積物の形成が回避されることである。
本方法の別の利点は、酸化アルミニウム又は窒化アルミニウムの各単体層の形成が極めて迅速であり(最長約30秒)、既存の方法と比べてはるかに速く、数分で酸化アルミニウム及び/又は窒化アルミニウムの厚い層を得ることを可能にすることである。
したがって、プロセスの各段階で単一の基板を堆積チャンバー内又は処理チャンバー内に置くことにより、有利には酸化アルミニウム及び/又は窒化アルミニウムの層の不均一性を最小に抑えることが可能となり、本方法により経済的競争力が維持される。
以下では、上記の方法により酸化アルミニウム及び/又は窒化アルミニウムの層を形成するためのデバイスの例を記載する。
図2を参照すると、前記デバイスは、アルミニウム源(図示せず)に接続した、真空下に置くことができる密閉堆積チャンバー10、及び酸素又は窒素源(図示せず)に接続した密閉処理チャンバーを含んでいる。デバイスは、場合により2つの処理チャンバーを含み、一方は酸素源に接続し、他方は窒素源に接続している。
デバイスは、エアロック出入口40を更に含み、エアロック出入口40を通じて、酸化アルミニウム及び/又は窒化アルミニウムの層が形成されるべき基板が導入され、エアロック出入口40を通じて、酸化アルミニウム及び/又は窒化アルミニウムの前記層が形成された基板が取り出される。
前記エアロック出入口40は密閉中間チャンバー30に通じており、密閉中間チャンバー30は堆積チャンバー10と処置チャンバー(単数又は複数)20に個別に接続することができる。1つのチャンバーから別のチャンバーへの基板の移動を可能にするため、基板運搬及び移送システム(図示せず)が、デバイス内部に配置される。
チャンバー30内の雰囲気は、異なるチャンバー間を移動する基板の汚染を回避するように制御される。
したがって、酸化アルミニウム及び/又は窒化アルミニウムの層の形成中、基板は、中間チャンバー30と、堆積チャンバー10と、処理チャンバー20との間を移動するが、前記各チャンバーは、本方法の工程の実施中、互いに流体的に隔離されている。したがって、ルームの内壁に洗浄困難な堆積物を生じさせ得る各ルームの相互汚染が回避される。
1つの基板又は複数の基板が酸化アルミニウム及び/又は窒化アルミニウムの層でコーティングされたら、基板は、中間チャンバー30を通り、次にエアロック出入口チャンバー40を通って、デバイスから取り出され、デバイスの少なくとも1つのチャンバーの洗浄を行うことが可能になる。
アルミニウムと酸素又は窒素間の反応から生じる堆積物が、チャンバーの壁に形成されていない限り、この洗浄は、当業者に利用可能な技術を使用して、例えば、Cl+BCIに代表される塩素化学により、容易に実施することができる。
したがって、デバイスの洗浄は比較的速く、本方法の生産性に影響しない。

Claims (6)

  1. 酸化アルミニウム(Al)及び/又は窒化アルミニウム(AlN)からなる層を基板(1)上に形成するための方法であって、
    a)堆積チャンバー内で、5から25nmの間の厚さを有するアルミニウムの単体層(2、2)を基板上に堆積させる工程と、
    b)基板を、堆積チャンバーから分離した処理チャンバーに移す工程であって、処理チャンバー内で、アルミニウムの前記単体層(2、2)が酸化及び/又は窒化されて、それぞれ酸化アルミニウム又は窒化アルミニウムの単体層(2’、2’)を形成する工程による、一連の連続的工程a)及びb)が、酸化アルミニウム又は窒化アルミニウムの連続的単体層(2’、2’)をそれぞれ積み重ねることにより酸化アルミニウム及び/又は窒化アルミニウムの前記層が得られるまで、反復され、
    前記工程a)及び/又は前記工程b)の実行中に前記堆積チャンバーが前記処理チャンバーから不透過性に保たれ、その結果、前記堆積チャンバーが酸素及び/又は窒素を受け取らない、前記方法。
  2. 工程b)中で、酸化又は窒化が、酸素又は窒素原子をそれぞれアルミニウムの単体層(2、2)を通じて拡散させることにより行われることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
  3. 堆積チャンバー(10)内及び処理チャンバー(20)内に一度に1つの基板(1)のみが配置されることを特徴とする、請求項1又は2のいずれか一項に記載の方法。
  4. 工程a)及びb)が、酸化アルミニウム及び/又は窒化アルミニウムの層の厚さが20nm以上、好ましくは500nm未満になるまで、繰り返されることを特徴とする、請求項1から3までのいずれか一項に記載の方法。
  5. 工程a)中で、アルミニウムの前記単体層(2、2)を、物理蒸着(PVD)又は化学蒸着(CVD)法により堆積させることを特徴とする、請求項1から4までのいずれか一項に記載の方法。
  6. 酸化アルミニウム及び/又は窒化アルミニウムの層(2)でコーティングされた前記基板(1)を、堆積チャンバー(10)及び処理チャンバー(20)から分離した、前記堆積及び処理チャンバーに対して密閉された中間チャンバー(30)に移し、次いで、
    堆積チャンバー(10)及び/又は処理チャンバー(20)を洗浄する、
    工程c)を更に含むことを特徴とする、請求項1から5までのいずれか一項に記載の方法。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110218362A (zh) * 2018-03-04 2019-09-10 盐城增材科技有限公司 一种石墨烯/氧化铝/氮化铝界面导热导电增强橡胶及其制备方法
KR102620219B1 (ko) * 2018-11-02 2024-01-02 삼성전자주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
CN111455351A (zh) * 2020-04-10 2020-07-28 厦门大学 一种氮化铝-氧化铝薄膜及其制备方法和应用
US20220320417A1 (en) * 2021-04-01 2022-10-06 Applied Materials, Inc. Method of manufacturing aluminum nitride films

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06101019A (ja) * 1992-09-18 1994-04-12 Fujitsu Ltd アルミナ膜形成方法
JP3781787B2 (ja) * 1993-10-26 2006-05-31 株式会社半導体エネルギー研究所 多目的基板処理装置およびその動作方法および薄膜集積回路の作製方法
JP4531145B2 (ja) * 1997-05-27 2010-08-25 株式会社アルバック 極薄絶縁膜形成方法
JP5005170B2 (ja) * 2002-07-19 2012-08-22 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド 超高品質シリコン含有化合物層の形成方法
JP3708940B2 (ja) * 2003-10-27 2005-10-19 株式会社東芝 Cvd装置の反応室のコーティング方法
US7595967B1 (en) * 2004-09-07 2009-09-29 Western Digital (Fremont), Llp Method for fabricating a spacer layer for a magnetoresistive element
JP2006086468A (ja) * 2004-09-17 2006-03-30 Canon Anelva Corp 磁気抵抗膜の製造方法及び製造装置
US7723205B2 (en) * 2005-09-27 2010-05-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Semiconductor device, manufacturing method thereof, liquid crystal display device, RFID tag, light emitting device, and electronic device
JP4680140B2 (ja) * 2006-07-14 2011-05-11 日本碍子株式会社 AlN単結晶膜の形成方法
JP5304070B2 (ja) * 2007-10-25 2013-10-02 豊田合成株式会社 Iii族窒化物半導体層の製造装置、iii族窒化物半導体層の製造方法、及びiii族窒化物半導体発光素子の製造方法
US8383439B2 (en) * 2007-10-25 2013-02-26 Showa Denko K.K. Apparatus for manufacturing group-III nitride semiconductor layer, method of manufacturing group-III nitride semiconductor layer, group-III nitride semiconductor light-emitting device, method of manufacturing group-III nitride semiconductor light-emitting device, and lamp
CN102400091B (zh) * 2010-09-10 2014-03-26 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 铝合金的表面处理方法及由铝合金制得的壳体
CN102409293A (zh) * 2011-12-04 2012-04-11 中国航天科技集团公司第五研究院第五一〇研究所 一种氧化铝薄膜的制备方法
US20140124788A1 (en) * 2012-11-06 2014-05-08 Intermolecular, Inc. Chemical Vapor Deposition System
US9214334B2 (en) * 2014-02-18 2015-12-15 Lam Research Corporation High growth rate process for conformal aluminum nitride
CN104561928A (zh) * 2014-12-24 2015-04-29 浙江大学 一种在玻璃基底上沉积二氧化硅薄膜的方法

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