JP6937724B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
まず、本発明の前提となる技術である前提技術について説明する。
図1は、本発明の実施の形態1による半導体装置の構成の一例を示す断面図である。なお、図1に示す断面図は、図9のA1−A2断面の一部に相当する。
上記の式(1)は、換言すれば、(H2−H1)/W3≦3.6である。ここで、W3は、第1開口端11と第2開口端12との間隔である。
図3は、本発明の実施の形態2による半導体装置の構成の一例を示す断面図である。なお、図3に示す断面図は、図9のA1−A2断面の一部に相当する。
その他の構成は、実施の形態1と同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。
Claims (5)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成され、前記半導体基板が露出した第1開口を有する第1層間絶縁膜と、
前記第1開口内の前記半導体基板上から前記第1層間絶縁膜上に渡って形成された第1配線層と、
前記第1配線層上の一部および前記第1層間絶縁膜上に形成され、平面視で前記第1開口と重畳しかつ前記第1配線層が露出した第2開口を有する第2層間絶縁膜と、
前記第2開口内の前記第1配線層上から前記第2層間絶縁膜上に渡って形成された第2配線層と、
前記第2配線層上および前記第2層間絶縁膜上に形成された第3層間絶縁膜と、
前記第3層間絶縁膜内であって、平面視で前記第1開口と重畳するように形成されたSOG(Spin on Glass)膜と、
を備え、
前記第2開口は、前記第1開口よりも開口面積が大きく、
断面視において、前記第1開口の幅である第1開口幅をW1、前記第2開口の幅である第2開口幅をW2、前記半導体基板の表面から前記第2開口における前記第3層間絶縁膜の表面までの高さの最小値をH1、および前記半導体基板の表面から前記第2開口の端部である第2開口端における前記第3層間絶縁膜の表面までの高さをH2としたとき、
(H2−H1)/((W2−W1)/2)≦3.6
を満足することを特徴とする、半導体装置。 - 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成され、前記半導体基板が露出した第1開口を有する第1層間絶縁膜と、
前記第1開口内の前記半導体基板上から前記第1層間絶縁膜上に渡って形成された第1配線層と、
前記第1配線層上の一部および前記第1層間絶縁膜上に形成され、平面視で前記第1開口と重畳しかつ前記第1配線層が露出した第2開口を有する第2層間絶縁膜と、
前記第2開口内の前記第1配線層上から前記第2層間絶縁膜上に渡って形成された第2配線層と、
前記第2配線層上および前記第2層間絶縁膜上に形成された第3層間絶縁膜と、
前記第3層間絶縁膜内であって、平面視で前記第1開口と重畳するように形成されたSOG(Spin on Glass)膜と、
を備え、
前記第2開口は、前記第1開口よりも開口面積が大きく、
断面視において、前記第2開口の幅である第2開口幅をW2としたとき、
W2≦1μm
を満足することを特徴とする、半導体装置。 - (a)半導体基板を準備する工程と、
(b)前記半導体基板上に、前記半導体基板が露出した第1開口を有する第1層間絶縁膜を形成する工程と、
(c)前記第1開口内の前記半導体基板上から前記第1層間絶縁膜上に渡って第1配線層を形成する工程と、
(d)前記第1配線層上の一部および前記第1層間絶縁膜上を覆い、平面視で前記第1開口と重畳しかつ前記第1配線層が露出した第2開口を有する第2層間絶縁膜を形成する工程と、
(e)前記第2開口内の前記第1配線層上から前記第2層間絶縁膜上に渡って第2配線層を形成する工程と、
(f)前記第2配線層上および前記第2層間絶縁膜上に第3層間絶縁膜を形成する工程と、
(g)前記第3層間絶縁膜内であって、平面視で前記第1開口と重畳するようにSOG(Spin on Glass)膜を形成する工程と、
を備え、
前記第2開口は、前記第1開口よりも開口面積が大きく、
断面視において、前記第1開口の幅である第1開口幅をW1、前記第2開口の幅である第2開口幅をW2、前記半導体基板の表面から前記第2開口における前記第3層間絶縁膜の表面までの高さの最小値をH1、および前記半導体基板の表面から前記第2開口の端部である第2開口端における前記第3層間絶縁膜の表面までの高さをH2としたとき、
(H2−H1)/((W2−W1)/2)≦3.6
を満足することを特徴とする、半導体装置の製造方法。 - (a)半導体基板を準備する工程と、
(b)前記半導体基板上に、前記半導体基板が露出した第1開口を有する第1層間絶縁膜を形成する工程と、
(c)前記第1開口内の前記半導体基板上から前記第1層間絶縁膜上に渡って第1配線層を形成する工程と、
(d)前記第1配線層上の一部および前記第1層間絶縁膜上に、平面視で前記第1開口と重畳しかつ前記第1配線層が露出した第2開口を有する第2層間絶縁膜を形成する工程と、
(e)前記第2開口内の前記第1配線層上から前記第2層間絶縁膜上に渡って第2配線層を形成する工程と、
(f)前記第2配線層上および前記第2層間絶縁膜上に第3層間絶縁膜を形成する工程と、
(g)前記第3層間絶縁膜内であって、平面視で前記第1開口と重畳するようにSOG(Spin on Glass)膜を形成する工程と、
を備え、
前記第2開口は、前記第1開口よりも開口面積が大きく、
断面視において、前記第2開口の幅である第2開口幅をW2としたとき、
W2≦1μm
を満足することを特徴とする、半導体装置の製造方法。 - (h)前記第3層間絶縁膜上に第3配線層を形成する工程と、
(i)前記第3配線層をエッチングする工程と、
をさらに備えることを特徴とする、請求項3または4に記載の半導体装置の製造方法。
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