JP6932108B2 - 制御装置および制御方法 - Google Patents

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Description

本発明は、制御装置および制御方法に関する。
従来、GPIO(General Purpose Input Output)端子と称する汎用端子を有する制御装置がある。かかる制御装置は、例えば、GPIO端子からパルス信号を出力することで、マルチプレクサ(MUX:Multiplexer)の出力を制御する(例えば、特許文献1参照)。
特開2008−112740号公報
また、近年、制御装置に対して多様な信号の出力が求められる一方で、制御装置の小型化が求められる。しかしながら、上記の従来技術では、制御装置が有する回路にGPIO端子を増やす必要があり、小型化の要求を満たすことができない。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、回路を小型化することができる制御装置および制御方法を提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、実施形態に係る制御装置は、第1回路と、第2回路とを備える。前記第1回路は、複数の端子からそれぞれパルス信号を出力してデューティ制御を行う第1モードと、前記デューティ制御を停止する第2モードとを有する。前記第2回路は、前記複数の端子から出力される信号に基づいて固定レベルの信号である固定レベル信号を出力する。また、前記第1回路は、前記第2モードで動作する場合に、前記複数の端子から前記パルス信号よりも低周波の信号を出力して前記固定レベルを切り替える。
本発明によれば、回路を小型化することができる。
図1は、制御方法の概要を示す図である。 図2は、制御装置の全体構成図である。 図3は、セルモニタICのブロック図である。 図4は、モード情報の具体例を示す図である。 図5は、制御装置の回路図である。 図6は、制御装置の処理の具体例を示す図である。 図7は、セルモニタICが実行する処理手順を示すフローチャートである。 図8は、変形例に係る第2回路の回路図である。
以下、添付図面を参照して、実施形態に係る制御装置および制御方法について詳細に説明する。なお、本実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
まず、図1を用いて実施形態に係る制御方法の概要について説明する。図1は、制御方法の概要を示す図である。かかる制御方法は、制御装置1によって実行される。
図1に示すように、実施形態に係る制御装置1は、第1回路10と、第2回路20とを備える。また、第1回路10は、複数の端子T1、T2を有する。端子T1および端子T2は、それぞれGPIO(General Purpose Input Output)端子であり、それぞれ被制御装置100aに接続される。すなわち、制御装置1は、端子T1および端子T2から出力する制御信号によって被制御装置100aを制御する。
また、図1に示すように、複数の端子T1、T2は、第2回路20に接続される。すなわち、端子T1、T2には、被制御装置100aと、第2回路20とが並列に接続される。なお、以下では、複数の端子T1、T2を総称して単に端子Tと記載する場合がある。また、図1では、端子Tが2つである場合について示したが、端子Tは、3つ以上であってもよい。
ところで、第1回路10が被制御装置100aに加えて、他の被制御装置(例えば、被制御装置100b)に対して制御信号を出力する場合、被制御装置の数に応じて端子Tを増やす必要がある。しかしながら、端子Tの数を増やすと、第1回路10の大型化を招くとともに、第1回路10の製造コストの増大を招く。
そこで、実施形態に係る制御方法では、第1回路10が端子Tから出力する信号に基づき、第2回路20で新たな制御信号を生成することで、端子Tを兼用することとした。
具体的には、実施形態に係る制御方法において、第1回路10は、複数の端子Tからパルス信号を出力し、デューティ制御を行う第1モードと、デューティ制御を停止する第2モードとを有する。
例えば、第1モードは、被制御装置100aを制御するモードであり、第2モードは、被制御装置100bを制御するモードである。第1回路10は、第1モードにおいて端子Tからパルス信号を出力し、被制御装置100aをデューティ制御する。
また、第2回路20は、例えば、パルス信号を遮断するローパスフィルタにより構成され、第1モードにおいて、パルス信号を遮断するとともに、例えば、Highレベルの固定レベル信号Voutを被制御装置100bへ出力する。
また、第1回路10は、第2モードにおいては、被制御装置100aに対するデューティ制御を停止する。そして、第1回路10は、第2モードにおいて、第2回路20が備えるローパスフィルタを通過する周波数帯域、すなわち、第1モードにおけるパルス信号よりも低周波の制御信号を出力する。
図1に示す例では、第1回路10が、端子T2から出力する制御信号をLowレベルに固定した状態で、端子T1から出力する制御信号をHighレベルまたはLowレベルに切り替える場合を示す。
第2回路20は、第2モードにおいて端子T1から出力される制御信号がHighレベルである場合に、Lowレベルの固定レベル信号Voutを被制御装置100bへ出力する。
また、第2回路20は、第2モードにおいて端子T1から出力される制御信号がLowレベルである場合に、Highレベルの固定レベル信号Voutを被制御装置100bへ出力する。
このように、実施形態に係る制御方法では、第1モードと第2モードとで異なる被制御装置100a、100bに対してそれぞれ任意の制御信号を出力することが可能となる。
つまり、実施形態に係る制御方法では、端子Tを異なる被制御装置に兼用することが可能となるので、被制御装置の数が増えたとしても、第2回路20を後付けすればよく、端子Tを増やさなくてもよい。
したがって、実施形態に係る制御方法によれば、第1回路10を小型化することが可能となる。
次に、図2を用いて実施形態に係る制御装置1の全体構成図について説明する。図2は、制御装置1の全体構成図である。なお、図2に示すセルモニタIC10(Integrated Circuit)は、図1に示した第1回路10の一例である。
図2に示すように、制御装置1は、セルモニタIC10と、第2回路20と、MUX(Multiplexer)30と、電池温度モニタ40と、診断回路50とを備える。
制御装置1は、例えば、ハイブリッド自動車、電気自動車および燃料電池自動車等に搭載されたバッテリ(例えば、リチウムイオン電池)を管理するバッテリマネージメントシステムにおけるサテライト基板である。
セルモニタIC10は、複数の電池セル61を有する電池ブロック60に接続され、各電池セル61の電圧を監視すると共に、各電池セル61の電池温度を監視する。また、セルモニタIC10は、端子T1〜T4を有する。図2に示す例では、端子T1がMUX30からの信号の入力を受け付ける入力端子であり、端子T2〜T3が信号を出力する出力端子である場合を示す。
MUX30は、各電池セル61の電池温度を測定する電池温度モニタ40に接続される。例えば、電池ブロック60は、8つの電池セル61を有している場合、各電池セル61に対応する電池温度モニタ40の入力チャンネルchは、計8つである。なお、電池温度モニタ40は各電池セル61の温度をモニタするのではなく、電池ブロック60の複数個所の温度をモニタするものであってもよい。
そのため、セルモニタIC10は、各電池セル61の入力チャンネルchをそれぞれ切り替えるために、3つの端子T2〜T3を用いて制御信号、すなわちチャンネル選択信号をMUX30に対して出力する。これにより、セルモニタIC10は、各電池セル61の電池温度に対応する入力チャンネルchを随時切り替えてMUX30から取得する。
第2回路20は、複数の端子T2〜T4から出力される信号に基づいて固定レベルの信号である固定レベル信号Voutを出力する。なお、第2回路20については、図5等を用いて説明するため、ここでの説明は割愛する。
診断回路50は、端子T2〜T4から適切に制御信号が流れているか否かを判定するための回路である。診断回路50は、図5にて後述するように、固定レベル信号Voutによって動作する。
次に、図3を用いてセルモニタIC10の構成例について説明する。図3は、セルモニタIC10のブロック図である。図3に示すように、セルモニタIC10は、制御部11と、記憶部12とを備える。制御部11は、生成部11aと、変換部11bと、監視部11cとを備える。また、記憶部12は、モード情報12aを記憶する。なお、図3では各電池セル61に接続され各電池セル61の電圧を計測するための端子や、図示せぬ上位の制御装置との通信ライン、および各電池セルの電圧計測に関する構成を省略している。
制御部11は、例えば、CPU(Central Processing Unit)、ROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)、HDD(Hard Disk Drive)、入出力ポートなどを有するコンピュータや各種の回路を含む。
コンピュータのCPUは、例えば、ROMに記憶されたプログラムを読み出して実行することによって、制御部11の生成部11a、変換部11bおよび監視部11cとして機能する。
また、制御部11の生成部11a、変換部11bおよび監視部11cの少なくともいずれか一部または全部をASIC(Application Specific Integrated Circuit)やFPGA(Field Programmable Gate Array)等のハードウェアで構成することもできる。
また、記憶部12は、例えば、RAMやHDDに対応する。RAMやHDDは、モード情報12aや各種プログラムの情報を記憶することができる。なお、セルモニタIC10は、有線や無線のネットワークで接続された他のコンピュータや可搬型記録媒体を介して上記したプログラムや各種情報を取得することとしてもよい。
制御部11の生成部11aは、記憶部12のモード情報12aを参照し、現在のモードに応じた制御信号を生成し、端子T2〜T3からかかる制御信号を出力する。
図4は、モード情報12aの具体例を示す図である。図4に示すように、実施形態に係るセルモニタIC10は、複数のモードを有する。具体的には、セルモニタIC10は、自己診断モードst1、温度モニタモードst2、切替モードst3のいずれかのモードで動作する。
自己診断モードst1は、診断回路50を用いて診断を行うモードである。温度モニタモードst2は、電池温度モニタ40から入力される電池セル61の電池温度に応じた入力電圧に基づいてかかる電池温度を監視するモードである。
切替モードst3は、第2回路20から出力される固定レベル信号Voutの固定レベルを切り替えるモードである。なお、温度モニタモードst2は、第1モードの一例であり、自己診断モードst1および切替モードst3は、第2モードの一例に対応する。
すなわち、生成部11aは、温度モニタモードst2においては、端子T2〜T4からそれぞれパルス信号を出力し、MUX30に対して入力チャンネルchを指定するデューティ制御を行う。
また、生成部11aは、自己診断モードst1および切替モードst3においては、パルス信号よりも低周波の制御信号を出力することで、固定レベル信号Voutの固定レベルを切り替えることが可能である。
なお、自己診断モードst1、温度モニタモードst2および切替モードst3の詳細については、図6を用いて後述する。
図3の説明に戻り、変換部11bについて説明する。変換部11bは、A/D変換器であり、端子T1から入力されるアナログの電圧をデジタルの値に変換し、監視部11cへ通知する。
監視部11cは、温度モニタモードst2において、各電池セル61の電池温度を監視する。温度モニタモードst2において、端子T1には、電池セル61の電池温度に応じた入力電圧が入力され、監視部11cは、かかる入力電圧に基づいて電池温度を検出する。
また、自己診断モードst1において、端子T1には、入力電圧と異なる値の診断用電圧が入力される。このため、監視部11cは、自己診断モードst1において、診断用電圧に基づいて故障診断を行うことも可能である。なお、以下、監視部11cに入力される入力電圧および診断用電圧を総称して監視電圧と記載する。
次に、図5を用いて実施形態に係る制御装置1の回路図について説明する。図5は、制御装置1の回路図である。図5に示すように、第2回路20は、トランジスタTr1、抵抗R1、フィルタ部21およびトランジスタTr2を備える。また、フィルタ部21は、抵抗R2およびコンデンサCを備える。
トランジスタTr1およびトランジスタTr2は、それぞれNPN型のバイポーラストランジスタである。
トランジスタTr1のベースは、端子T4に接続され、トランジスタTr1のコレクタは、抵抗R1およびフィルタ部21を介して端子T3に接続される。また、トランジスタTr1のエミッタは、例えば、第1回路10を介して図示しないグランドに接続される。
トランジスタTr1がオン(導通状態)になると、フィルタ部21のコンデンサCがトランジスタTr1を介して図示しないグラントに接続される。これにより、コンデンサCの電圧が放電され低下する。また、コンデンサCの電圧は、トランジスタTr1がオフ(遮断状態)である期間に端子T3から出力される制御信号によって充電され上昇する。
トランジスタTr2のベースは、抵抗R1およびフィルタ部21を介して端子T3に接続され、トランジスタTr2のコレクタは、電源電圧Vcc1に接続される。また、トランジスタTr2のエミッタは、第1回路10を介して図示しないグランドに接続される。
トランジスタTr2がオフである期間に、電源電圧Vcc1がHighレベルの固定レベル信号Voutとして第2回路20から出力される。また、トランジスタTr2がオンになると、電源電圧Vcc1が第1回路10内の図示しないグランドに流れ込むこととなる。
このため、トランジスタTr2がオンである場合、固定レベル信号Voutは、Lowレベルとなる。すなわち、フィルタ部21によってパルス信号を遮断することで、Highレベルの固定レベル信号Voutを確実に出力することが可能となる。
電池温度モニタ40は、抵抗R4と抵抗R5とを有する。抵抗R5は、可変抵抗であり、電池セル61の温度によって抵抗値が変化する。このため、電源電圧Vcc2(例えば、5V)は、抵抗R4および抵抗R5によって分圧され、電池セル61の電池温度に応じた電圧(2.5V相当)となってMUX30に入力される。
また、電池温度モニタ40の1つには、診断回路50であるトランジスタTr3が抵抗R4と並列に接続される。トランジスタTr3は、PNP型のバイポーラストランジスタである。
トランジスタTr3のベースは、第2回路20に接続され、トランジスタTr3のエミッタは、電源電圧Vcc2に接続される。また、トランジスタTr3のコレクタは、入力チャンネルch1を介してMUX30に接続される。
第2回路20が出力する固定レベル信号VoutがLowレベルとなった場合、すなわち、トランジスタTr2がオンとなった場合に、トランジスタTr3がオンとなる。
つまり、トランジスタTr2のベース電圧が上昇した場合に、トランジスタTr2がオンとなり、トランジスタTr3がオンとなる。トランジスタTr3がオンになると、電源電圧Vcc2は、トランジスタTr3を経由して、MUX30に入力される。
すなわち、トランジスタTr3がオンである場合に、MUX30には、5V相当の電圧が入力される。かかる電圧が上述の診断用電圧に対応する。つまり、MUX30には、トランジスタTr3がオフである場合は、電池温度に対応する電圧が入力され、トランジスタTr3がオンである場合は、5V相当の診断用電圧が入力される。すなわち、MUX30には、トランジスタTr3がオンである場合と、オフである場合とで入力チャンネルch1から異なる値の電圧が入力されることになる。
このとき、セルモニタIC10は、トランジスタTr3がオンとなる場合に、トランジスタTr3が設けられた入力チャンネルch1をMUX30が選択する制御信号をMUX30に対して入力する。
すなわち、セルモニタIC10は、トランジスタTr3をオンとする場合に、入力チャンネルch1がセルモニタIC10に入力されるようにMUX30を制御する。
これにより、セルモニタIC10は、診断用電圧に基づき、第2回路20が正常に動作しているか否かを診断することが可能となる。つまり、かかる場合に、診断用電圧を検出できなかった場合、第2回路20(もしくは診断回路50)が正常に機能していないことを検出することができる。
第2回路20の異常を検出した場合、第2回路20から出力する固定レベル信号Voutの信頼性を担保できない。このため、セルモニタIC10は、異常対応処理として、ダイアグを出力し、切替モードst3への移行を禁止する処理を行う。
このように、制御装置1は、診断回路50を備えることで、信頼性の高い固定レベル信号Voutのみを出力することが可能となる。また、本実施形態において、診断回路50に電池温度モニタ40の電源電圧Vcc2を兼用して用いることができるので、製造コストを削減することが可能となる。なお、診断回路50は、図5に示した構成に限定されるものではなく、診断回路50に個別の電源電圧を設けることにしてもよい。
次に、図6を用いて制御装置1による処理の具体例について説明する。図6は、制御装置1による処理の具体例を示す図である。なお、以下では、MUX30が正常に機能しているものとして説明を行う。
図6のAに示す監視電圧は、セルモニタIC10にMUX30から入力される各入力チャンネルchの電圧を示す。また、図6のB〜Dに示す端子T2〜T4は、セルモニタIC10がそれぞれ対応する端子Tから出力する制御信号を示す。
また、図6のEに示すトランジスタTr2ベース電圧は、トランジスタTr2のベース電圧を示し、図6のFに示す固定レベル信号Voutは、第2回路20から出力される固定レベル信号Voutの固定レベルを示す。
自己診断モードst1または切替モードst3においてLowレベルの固定レベル信号Voutを出力する場合、図6のB〜Dに示すように、セルモニタIC10は、端子T2からLowレベル、端子T3からHighレベル、端子T4からLowレベルの信号をそれぞれ出力する。
かかる場合に、図6のEに示すように、トランジスタTr2ベース電圧が上昇し、トランジスタTr2がオンするため第2回路20は、図6のFに示すように、Lowレベルの固定レベル信号Voutを出力する。
このとき、図5に示した診断回路50のトランジスタTr3がオンになるとともに、MUX30によって診断回路50に接続された入力チャンネルch1が選択される。このため、図6のAに示すように、かかる場合における監視電圧は、5V相当の電圧となる。
セルモニタIC10は、自己診断モードst1において、5V相当の電圧を検出した場合、各端子T2〜T4から適切に信号が出力され、第2回路20が正常に機能していることを検出することができる。
また、自己診断モードst1において、セルモニタIC10は、監視電圧が診断用電圧でなかった場合、各端子T2〜T4から正常に信号が出力されていない、もしくは、第2回路20が正常に機能していないことを検出することとなる。
続いて、温度モニタモードst2における制御について説明する。上述のように、温度モニタモードst2において、第1回路10は、端子T2〜端子T4からデューティ比がそれぞれ50%であり、パルス周期が異なるパルス信号を出力する。
図6のB〜Dに示す例では、パルス周期は、端子T2<端子T3<端子T4の順序で長くなる。すなわち、端子T2が最も高周波である場合を示す。具体的には、端子T2の周期をtとすると端子T3の周期はその倍の2t、端子T4の周期は更にその倍の4tである。
これにより、端子T2〜T4から3ビットの000〜111の計8通りのチャンネル選択信号がMUX30に出力される。また、端子T3は、トランジスタTr2ベース電圧を上昇させるとともに、端子T4は、トランジスタTr2ベース電圧を低下させる。
したがって、図6のEに示すように、温度モニタモードst2においては、トランジスタTr2ベース電圧は、端子T4がHighレベルとなった場合に低下する。
具体的には、端子T4のパルスがLoレベルのとき、トランジスタTr1がオフになり、端子T3のパルスがHighレベルの間コンデンサCが充電されてトランジスタTr2のベース電圧は上昇する。
端子T4のパルスがHighレベルのときトランジスタTr1がオンになりコンデンサCが放電されてトランジスタTr2のベース電圧は低下する。コンデンサCの充電期間(端子T3のパルスがHighレベルの期間)より放電期間(端子T4のパルスがHighレベルの期間)の方が長い。
また、コンデンサCの充電電圧がトランジスタTr2のターンオン電圧に達する前に放電を開始するよう端子T3、T4のパルス周期が定められている。したがって、図6のFに示すように、温度モニタモードst2においては、トランジスタTr2はオンすることなくオフ状態を維持し、固定レベル信号Voutは、Highレベルとなる。
また、温度モニタモードst2においては、端子T2〜T4から出力するパルス信号、すなわちチャンネル選択信号によってMUX30が選択する入力チャンネルchが随時切り替えられる。このため、セルモニタIC10には、各電池セル61の電池温度に応じた入力電圧が入力される。
つまり、温度モニタモードst2において、端子T2〜T4のパルス信号によってMUX30に対してデューティ制御を行いつつ、トランジスタTr2ベース電圧の上昇を抑制することとなる。
これにより、温度モニタモードst2において、固定レベル信号Voutは、Highレベルに固定することができ、かつ、入力チャンネルchを効率よく切り替えることが可能となる。このため、図6のAに示すように、監視電圧は、各電池セル61の電池温度に応じた電圧である略2.5V相当の値となる。
また、切替モードst3において、Highレベルの固定レベル信号Voutを出力する場合、図6のB〜Dに示すように、端子T2〜T4の信号をLowレベルに固定する。
かかる場合に、端子T3をLowに固定することで、トランジスタTr2ベース電圧は一定の値に固定される。すなわち、トランジスタTr2は、オフに固定されるので、図6のFに示すように、固定レベル信号Voutは、Highレベルに固定される。
その後、例えば、固定レベル信号VoutをHighレベルからLowレベルに切り替える場合、端子T4をLowレベルに固定した状態で、端子T3をLowレベルからHighレベルに切り替えることとすればよい。
なお、切替モードst3において、Highレベルの固定レベル信号Voutを出力する場合に、温度モニタモードst2と同様にパルス信号を出力することにしてもよい。
また、ここでは、端子T2〜T4のうち、パルス周期が最も長い端子T4がトランジスタTr1に接続される場合について説明したが、これに限定されるものではない。すなわち、温度モニタモードst2において、トランジスタTr2をオフに固定できれば、その他の端子T(端子T2または端子T3)がトランジスタTr2に接続されることにしてもよい。
また、温度モニタモードst2において、端子T2〜T4からそれぞれデューティ比が50%のパルス信号が出力されることしたが、デューティ比は、任意に変更することが可能である。
次に、図7を用いて実施形態に係るセルモニタIC10が実行する処理手順について説明する。図7は、セルモニタIC10が実行する処理手順を示すフローチャートである。
図7に示すように、セルモニタIC10は、まず、セルモニタIC10が起動したか否かを判定する(ステップS101)。すなわち、セルモニタIC10を起動させる車両のイグニッションスイッチまたはACC電源がオンになったか否かを判定する。
セルモニタIC10が起動した場合(ステップS101,Yes)、セルモニタIC10は、自己診断モードst1へ移行する(ステップS102)。続いて、セルモニタIC10は、自己診断モードst1の診断結果が正常であるか否かを判定する(ステップS103)。
セルモニタIC10は、診断結果が正常であった場合(ステップS103,Yes)、すなわち、自己診断モードst1において5V相当の診断用電圧を検出した場合、温度モニタモードst2へ移行する(ステップS104)。
上述のように、温度モニタモードst2において、セルモニタIC10は、端子T2〜T4からそれぞれパルス信号を出力し、MUX30に対してデューティ制御を行う。
その後、セルモニタIC10は、温度モニタモードst2が終了させるか否かを判定する(ステップS105)。例えば、ステップS105は、ACC電源がオフになったか否か、すなわち、車両が走行中か否かを判定する処理である。
温度モニタモードst2が終了した場合(ステップS105,Yes)、すなわち、車両が走行を停止した場合、セルモニタIC10は、切替モードst3へ移行した後に(ステップS106)、処理を終了する。
また、セルモニタIC10は、セルモニタIC10が起動していない場合(ステップS101,No)、ステップS101の処理を継続して行う。また、ステップS103の判定において、診断結果が異常であった場合(ステップS103,No)、すなわち、自己診断モードst1において5V相当の診断用電圧を検出できなかった場合、異常対応処理を行って(ステップS107)、処理を終了する。なお、かかる異常対応処理は、上述のように、例えば、ダイアグの出力や、切替モードst3への移行を禁止する処理である。
上述したように、実施形態に係る制御装置1は、セルモニタIC10(第1回路の一例)と、第2回路20とを備える。セルモニタIC10は、複数の端子Tからそれぞれパルス信号を出力してデューティ制御を行う第1モードと、デューティ制御を停止する第2モードとを有する。
第2回路20は、複数の端子Tから出力される信号に基づいて固定レベルの信号である固定レベル信号Voutを出力する。また、セルモニタIC10は、第2モードで動作する場合に、複数の端子Tからパルス信号よりも低周波の信号を出力して固定レベルを切り替える。したがって、実施形態に係る制御装置1によれば、端子Tを兼用して用いることができるので、第1回路10を小型化することができる。
ところで、上述した実施形態では、第2回路20から1つの固定レベル信号Voutを出力する場合について説明したが、これに限定されるものではない。すなわち、第2回路20から複数の固定レベル信号Voutを出力することも可能である。
図8は、変形例に係る第2回路20Bの回路図である。なお、図8では、電池温度モニタ40および診断回路50の記載を省略して示す。図8に示すように、第2回路20Bは、2種類の固定レベル信号Voutを出力することが可能である。
具体的には、第2回路20Bは、端子T2がトランジスタTr5のベースにフィルタ部(抵抗R7およびコンデンサC)を介して接続される。また、端子T4には、トランジスタTr1およびトランジスタTr4が並列に接続される。
かかる場合に、制御装置1Bは、端子T2〜端子T4の信号をそれぞれ制御することで、固定レベル信号Voutの固定レベルを切り替えることが可能となる。
すなわち、第1モードにおいては、Highレベルの固定レベル信号Voutを出力し、第2モードにおいては、それぞれの固定レベル信号Voutの固定レベルを任意に切り替えることが可能である。
ところで、上述した実施形態では、第1回路がセルモニタIC10であり、デューティ制御によってMUX30を制御する場合について説明したが、これに限定されるものではない。すなわち、第1回路は、その他の機器を制御する回路であってもよい。
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
1 制御装置
10 セルモニタIC(第1回路)
11a 生成部
11b 変換部
11c 監視部
20 第2回路
21 フィルタ部
30 MUX
40 電池温度モニタ
50 診断回路
Vout 固定レベル信号
ch 入力チャンネル

Claims (5)

  1. 複数の端子からそれぞれパルス信号を出力してデューティ制御を行う第1モードと、前記デューティ制御を停止する第2モードとを有する第1回路と、
    前記複数の端子から出力される信号に基づいて固定レベルの信号である固定レベル信号を出力する第2回路と
    を備え、
    前記第1回路は、
    前記第2モードで動作する場合に、前記複数の端子から前記パルス信号よりも低周波の信号を出力して前記固定レベルを切り替え
    前記第2回路は、
    前記第1回路が前記第1モードで動作中に前記パルス信号を遮断するフィルタ部
    を備えること
    を特徴とする制御装置。
  2. 前記第1回路は、
    前記第1モードで動作する場合に、前記複数の端子からデューティ比がそれぞれ50%であり、パルス周期がそれぞれ異なる前記パルス信号を出力すること
    を特徴とする請求項に記載の制御装置。
  3. 前記複数の端子から出力する信号に基づいて入力チャンネルを選択するマルチプレクサと、
    前記第1回路が前記第2モードで動作する場合に、前記マルチプレクサによって選択される前記入力チャンネルに設けられ、前記第2回路に基づく故障診断を行うための診断回路と
    を備え、
    前記第2回路は、
    前記固定レベル信号によって前記診断回路を動作させること
    を特徴とする請求項またはに記載の制御装置。
  4. 前記第1回路は、
    電池セルの電池温度に応じた入力電圧に基づいて前記電池温度を監視する監視部
    をさらに備え、
    前記診断回路は、
    前記入力電圧と異なる値の診断用電圧を前記監視部に対して入力し、
    前記監視部は、
    前記診断用電圧に基づいて前記故障診断を行うこと
    を特徴とする請求項に記載の制御装置。
  5. 複数の端子からそれぞれパルス信号を出力してデューティ制御を行う第1モードと、前記デューティ制御を停止する第2モードとを有する第1工程と、
    前記複数の端子から出力される信号に基づいて固定レベルの信号である固定レベル信号を出力する第2工程と
    を含み、
    前記第1工程は、
    前記第2モードで動作する場合に、前記複数の端子から前記パルス信号よりも低周波の信号を出力して前記固定レベルを切り替え
    前記第2工程は、
    前記第1工程が前記第1モードで動作中に前記パルス信号を遮断すること
    を特徴とする制御方法。
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