JP6910252B2 - シリカ担体の製造方法 - Google Patents
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Description
[1]
燃焼法により得られたフュームドシリカと、ゲル法で得られたシリカゲルと、ゾルゲル法又は水ガラス法で得られたコロイダルシリカとを混練すること、得られた混練物を成形すること、次いで得られた成形体を焼成することを含むシリカ担体の製造方法。
[2]
フュームドシリカの配合量が5〜50質量部であり、シリカゲルの配合量が40〜90質量部であり、コロイダルシリカの固形分の配合量が5〜30質量部である[1]に記載のシリカ担体の製造方法。
[3]
焼成温度が300〜1000℃である[1]又は[2]のいずれかに記載のシリカ担体の製造方法。
[4]
細孔径分布測定において、細孔径が2〜50nmのメソ細孔及び細孔径が50nm超、1000nm以下のマクロ細孔を有することを特徴とするシリカ担体。
[5]
水銀圧入法による細孔径分布において、マクロ細孔の細孔容積が0.05〜0.50cc/gである[4]に記載のシリカ担体。
[6]
BET比表面積が、200〜500m2/gである[4]又は[5]のいずれかに記載のシリカ担体。
[7]
嵩密度が、300〜700g/Lである[4]〜[6]のいずれかに記載のシリカ担体。
[8]
BJH法によるメソ細孔の平均細孔径が、3〜16nmである[4]〜[7]のいずれかに記載のシリカ担体。
[9]
粒径が、2〜8mmである[4]〜[8]のいずれかに記載のシリカ担体。
[10]
[1]〜[3]のいずれかに記載の方法によって得られた、[4]〜[9]のいずれかに記載のシリカ担体。
一般に、合成非晶質シリカは、乾式法又は湿式法のいずれかで製造される。四塩化ケイ素を酸素存在下、水素炎中で燃焼する燃焼法は乾式法に分類され、ケイ酸ナトリウムと鉱酸の中和反応を酸性のpH領域で進行させることにより、一次粒子の成長を抑えた状態で凝集を起こさせるゲル法、アルコキシシランの加水分解を行うゾルゲル法、及びケイ酸ソーダをイオン交換し、活性ケイ酸を調製後、加熱下でpH調整した種粒子含有水溶液中で粒子成長させる水ガラス法は湿式法に分類される。燃焼法で得られたシリカはフュームドシリカ、ゲル法で得られたシリカはシリカゲル、ゾルゲル法及び水ガラス法で得られたシリカ粒子を水等の媒体に分散させたシリカはコロイダルシリカと、それぞれ一般に呼ばれている。
フュームドシリカ、シリカゲル、及びコロイダルシリカ、並びに必要に応じて、水及び/又は添加剤をニーダーに入れて混練し、混練物を調製した。次いで、所望のサイズの円孔を先端に設けたダイスを取り付けた押出成形機に、混練物を投入した。次いで、押出成形機から押し出された中間物を所望のサイズになるように、カッターで切断しながら、円柱状の焼成前成形体を得た。焼成前成形体をマルメライザーで処理を行った後、予備乾燥を行い、次いで、空気雰囲気下、700℃〜900℃の温度で焼成処理を行い、シリカ担体を得た。詳細な条件は各実施例に記載する。
風袋を測定したガラス製のメスシリンダーに、シリカ担体を数回に分けて投入するとともに、投入時毎に、担体、又は触媒(触媒金属等が担体に担持されたもの)の入ったメスシリンダーをタッピングして、メスシリンダーの計量容積丁度になるまで、担体を投入した。次いで、担体が入った状態で、メスシリンダーの重量を測定し、メスシリンダーの風袋と容積から、担体の嵩密度を決定した。
株式会社島津製作所製のガス吸着装置(アサップ2020)を用いて、シリカ担体又は触媒の窒素ガス吸着によるBET比表面積を測定した。また、BJH法によるシリカ担体の細孔径分布を測定し、メソ細孔の平均細孔径を測定した。
株式会社島津製作所製のオートポアIV9500を用いて、水銀圧入法によるシリカ担体の細孔径分布を測定した。また、細孔径分布において、30〜300nmのマクロ細孔に由来するピークの細孔容積(cc/g)を計測した。
フュームドシリカF−1 25質量部、シリカゲルS−1 75質量部、コロイダルシリカC−1 45質量部(固形分で9質量部)をニーダーにて混練した後、混練物の状態を観察しながら、水及び添加剤(メチルセルロース:信越化学工業株式会社製SM−4000 10質量部、樹脂系バインダー:ユケン工業株式会社製セランダー(登録商標)YB−132A 5質量部)を適量加え、さらに混練して、混練物を得た。次いで、混練物を6mmφの円孔を設けたダイスを取り付けた押出成形機に投入し、混練物を押出し、押し出された中間物を長さが用いた円孔の直径と同じ長さになるようにカッターで切断しながら押出成形を行った。得られた焼成前成形体をマルメライザー(登録商標)で球状に成形し、次いで70℃で24時間以上乾燥した後、空気雰囲気下約820℃で焼成し、冷却してシリカ担体Aを得た。得られたシリカ担体AのBET比表面積、BJH法平均細孔径、嵩密度等の測定結果を表2に示す。また、シリカ担体AのBJH法による細孔径分布を図1に、さらに、水銀圧入法による細孔径分布の測定結果を図2に示す。
フュームドシリカ、シリカゲル、及びコロイダルシリカの種類と量、並びに焼成温度を表2に記載のとおりとした以外は実施例1と同様にして、シリカ担体B〜Kを得た。但し、実施例4〜11では、3mmφの円孔を設けたダイスを使用した。得られたシリカ担体のBET比表面積、BJH法平均細孔径、嵩密度等の測定結果を表2に示す。また、シリカ担体B及びCの水銀圧入法による細孔径分布の測定結果を図2に示す。
コロイダルシリカを用いない以外は、実施例1と同様にして、比較例1のシリカ担体の製造を試みたが、担体として使用可能な成形体は得られなかった。
フュームドシリカを用いない以外は、実施例1と同様にして、比較例2のシリカ担体の製造を試みたが、担体として使用可能な成形体は得られなかった。
シリカゲルを用いない以外は、実施例1と同様にして、比較例3のシリカ担体の製造を試みたが、担体として使用可能な成形体は得られなかった。
市販の、天然物由来のシリカゲルであるクラリアント触媒株式会社製シリカ担体のKA−160(シリカ担体P)のBET比表面積、BJH法平均細孔径、嵩密度等の測定結果を表3に示す。また、シリカ担体PのBJH法による細孔径分布を図1に、さらに、水銀圧入法による細孔径分布の測定結果を図2に示す。
市販のシリカゲルである富士シリシア化学株式会社製シリカ担体のCARiACT Q−15(シリカ担体Q)のBET比表面積、BJH法平均細孔径、嵩密度等の測定結果を表3に示す。また、シリカ担体QのBJH法による細孔径分布を図1に、さらに、水銀圧入法による細孔径分布の測定結果を図2に示す。
市販のシリカゲルである富士シリシア化学株式会社製シリカ担体のCARiACT Q−30(シリカ担体R)のBET比表面積、BJH法平均細孔径、嵩密度等の測定結果を表3に示す。また、シリカ担体RのBJH法による細孔径分布の測定結果を図1に示す。
市販のシリカゲルである富士シリシア化学株式会社製シリカ担体のCARiACT Q−10(シリカ担体S)のBET比表面積、BJH法平均細孔径、嵩密度等の測定結果を表3に示す。
市販のシリカゲルである富士シリシア化学株式会社製シリカ担体のCARiACT Q−6(シリカ担体T)のBET比表面積、BJH法平均細孔径、嵩密度等の測定結果を表3に示す。
実施例1〜3及び5〜8のシリカ担体A〜C及びE〜H、並びに比較例4、5、7及び8のシリカ担体P、Q、S及びTに下記手順でヘテロポリ酸を担持した触媒を調製し、エチレンと酢酸とから酢酸エチルを製造する反応に用いて触媒性能を評価した。
市販のKeggin型ケイタングステン酸H4SiW12O40・26H2O(日本無機化学工業株式会社製)40.7gを蒸留水34.1mLに溶解させた。その後、得られた溶液を実施例1のシリカ担体A 100mL(54.8g)に加え、よくかき混ぜて担体に含浸させた。溶液を含浸させた担体を磁製皿に移し、1時間風乾させたのち、130℃に調節した乾燥機で5時間乾燥させ触媒Aを得た。
シリカ担体Aの代わりに、シリカ担体B、C若しくはE〜H、又はシリカ担体P、Q、S若しくはTのいずれかを用いた以外は触媒Aの調製と同様にして各触媒を得た。
触媒A〜C及びE〜H、並びに比較触媒P、Q、S及びTの触媒比表面積は、株式会社島津製作所製のガス吸着装置(アサップ2020)を用いて、窒素ガス吸着によるBET比表面積として測定した。
上記で得られた各触媒40mLを半径25mmの円柱状のSUS316Lの耐圧容器に充填し、0.75MPaGまで昇圧したのち、155℃まで昇温した。窒素ガス/酢酸(気体)/水蒸気=85.5mol%/10.0mol%/4.5mol%、SV(触媒1Lあたりを1時間で通過する原料の体積(L/L・h=h−1))=1500h−1の条件で30分間前処理をしたのちに、エチレン(気体)/窒素ガス/酢酸(気体)/水蒸気=78.5mol%/7.0mol%/10.0mol%/4.5mol%、SV=1500h−1の条件で5時間反応を行った。反応は触媒層を10分割した部分のうち、最も反応温度が高い部分が165.0℃になるように反応温度を調整して行った。反応開始から3時間から5時間の間を通過したガスを、所定時間、氷水で冷却捕集して全量を回収し(以下これを「凝縮液」と呼ぶ。)、分析を行った。また、凝縮せずに残った未凝集ガス(以下、これを「未凝縮ガス」と呼ぶ。)について、凝縮液と同じ時間ガス流量を量り、その100mLを取り出し、分析を行った。得られた反応結果を表4に示す。
内部標準法を用い、反応液10mLに対し、内部標準として1,4−ジオキサンを1mL添加したものを分析液として、そのうちの0.2μLを注入し以下の条件で分析を行った。
ガスクロマトグラフィー:株式会社島津製作所製GC−14A
カラム:キャピラリーカラムTC−WAX(長さ30m、内径0.25mm、膜厚0.5μm)
キャリアーガス:窒素(スプリット比36、カラム流量1.2mL/分)
温度条件:検出器及び気化室温度を200℃とし、カラム温度を、分析開始から7分間は40℃に保持し、その後10℃/分の昇温速度で200℃まで昇温し、200℃で5分間保持した。
検出器:FID(H2圧49KPa、空気圧98KPa)
絶対検量線法を用い、未凝縮ガスを100mL採取し、これをガスクロマトグラフィー装置に付属した1mLのガスサンプラーに全量流し、以下の条件で分析を行った。
ガスクロマトグラフィー装置:Agilent Technologies製 7890A
カラム:Agilent J&W GCカラム DB−624
キャリアーガス:He(流量1.7mL/分)
温度条件:検出器及び気化室温度を230℃とし、カラム温度を、分析開始から3分間は40℃に保持し、その後20℃/分の速度で200℃まで昇温した。
検出器:FID(H2 40mL/分、空気圧400mL/分)
ガスクロマトグラフィー装置:Agilent Technologies製 7890A
カラム:SHIMADZU GC GasPro(30m)、Agilent J&W GCカラム HP−1
キャリアーガス:He(流量2.7mL/分)
温度条件:検出器及び気化室温度を230℃とし、カラム温度を、分析開始から3分間は40℃に保持し、その後20℃/分の速度で200℃まで昇温した。
検出器:FID(H2 40mL/分、空気圧400mL/分)
ガスクロマトグラフィー装置:Agilent Technologies製 7890A
カラム:HayesepQ G3591−80004
キャリアーガス:He(流量60psi)
温度条件:検出器及び気化室温度を230℃とし、カラム温度を、分析開始から3分間は40℃に保持し、その後20℃/分の速度で200℃まで昇温した。
検出器:TCD(He 45mL/分、空気圧2mL/分)
Claims (2)
- 燃焼法により得られたフュームドシリカと、ゲル法で得られたシリカゲルと、ゾルゲル法又は水ガラス法で得られたコロイダルシリカとを混練すること、得られた混練物を成形すること、次いで得られた成形体を焼成することを含むシリカ担体の製造方法であって、フュームドシリカの配合量が5〜50質量部であり、シリカゲルの配合量が40〜90質量部であり、コロイダルシリカの固形分の配合量が5〜30質量部である、シリカ担体の製造方法。
- 焼成温度が300〜1000℃である請求項1に記載のシリカ担体の製造方法。
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