JP6895847B2 - 磁気ディスク用基板およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、磁気ディスク用基板およびその製造方法に関する。

従来から、たとえばハードディスクドライブ（ＨＤＤ）に使用される磁気ディスク用基板およびその製造方法が知られている（下記特許文献１から４を参照）。

特許文献１は、主面における表面粗さが、円周方向のうねりの空間周期(Ｌ)が１０〜１０００μｍの範囲における二乗平均平方根粗さ(Ｒｑ)で、１Å以下である磁気記録媒体用基板を開示している。この基板は、次のような特徴を有している。前記表面粗さについてスペクトル解析を行い、その空間周期(Ｌ)を横軸［μｍ］とし、そのパワースペクトル密度(ＰＳＤ)を縦軸［ｋ・Å^２・μｍ］（ｋは定数）とした両対数グラフ上に表される曲線Ｓを得る。この曲線Ｓにおいて、空間周期(Ｌ)が１０μｍとなる点Ａと、空間周期(Ｌ)が１０００μｍとなる点Ｂとを結ぶ線分Ｚの縦軸方向の成分をＨとする。この線分Ｚに対して曲線Ｓの縦軸方向の成分が最大となる変位をΔＨとする。このとき、ΔＨ／Ｈ×１００［％］で表される値(Ｐ)が１５％以下である。これにより、表面平滑性に優れた磁気記録媒体用基板を提供することができる（同文献、第００１３段落等を参照）。

特許文献２は、表面の算術平均うねりＷａが０．６ｎｍ未満であり、かつ、径方向であって、測定波長が８０μｍ以上１２０μｍ以下の範囲における微小うねりの二乗平均平方根高さＲｑが０．０１ｎｍ未満である情報記録媒体用ガラス基板を開示している。これにより、低いグライドアバランチの値（ＧＡ値）を得ることができる情報記録媒体用ガラス基板を提供することができる（同文献、第００１６段落等を参照）。

特許文献３は、次のような特徴を有する磁気ディスク用ガラス基板を開示している。ガラス基板の外周端よりも中心部側の主表面において、外周端部と、記録再生領域の中心部との２箇所の領域を選択する。この選択した各領域において、各領域における表面形状のうち、形状波長が６０〜５００μｍ帯域の表面形状を抽出し、この表面形状の二乗平均平方根粗さＲｑを微小うねりＲｑとする。このとき、前記２箇所の各領域間の微小うねりＲｑの標準偏差の差が０．０４ｎｍ以下である。また、前記記録再生領域の中心部の微小うねりＲｑの標準偏差に対する前記外周端部の微小うねりＲｑの標準偏差の比は、１．１以下である。また、前記主表面の全面における微小うねりＲｑの平均値が０．４ｎｍ以下である。また、前記ガラス基板の外周端部のＤｕｂｏｆｆが３０ｎｍ以下である。これにより、基板表面における微小うねりを所定の関係、所定の範囲にすることによって、所望のグライド高さ（タッチダウンハイト）を達成する磁気ディスク用ガラス基板を提供することができる（同文献、第００４９段落を参照）。

特許文献４は、中心部に円孔を有する円盤形状の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法を開示している。この磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法は、板形状を有するガラス基板の形状付与工程と、該ガラス基板の主平面の研磨工程と、該ガラス基板の洗浄工程とを有している。前記研磨工程は、平均粒子直径が１００ｎｍ以下の砥粒を含有する研磨液を用いて、ガラス基板の両主平面を同時に研磨する仕上げ研磨工程を有する。前記仕上げ研磨工程で研磨されるガラス基板は、同一ロット内で研磨されるガラス基板間の板厚偏差が１．５μｍ以下である。これにより、主平面の平滑性と端部形状に優れる磁気記録媒体用ガラス基板を生産性高く製造することができる（同文献、第００１２段落等を参照）。

特開２０１３−１１４７３０号公報 国際公開第２０１１／０３３９４８号 特開２０１３−２２５３７２号公報 特開２０１１−２１０２８６号公報

ＨＤＤは、１台当たりの記憶容量を向上させるため、一つの筐体に搭載される磁気ディスクの枚数が増加しており、磁気ディスクのさらなる薄型化が求められている。また、ＨＤＤに用いられる磁気ディスクは、一枚当たりの記憶容量の向上が求められている。この要求に応えるためには、磁気ディスクの記録領域を拡大させるか、磁気ディスクと情報の記録および読み取りを行う磁気ヘッドとの距離、すなわち浮上高さを低減させる必要がある。しかし、基板を薄型化すると、基板の径方向外側の外周領域における周方向のうねりのばらつきが拡大し、記録領域の拡大や浮上高さの減少が困難になる。

本発明は、基板を薄型化させた場合でも、基板の外周領域における周方向のうねりのばらつきを抑制し、磁気ディスクの薄型化と記憶容量の向上を可能にする、磁気ディスク用基板およびその製造方法を提供する。

本発明の磁気ディスク用基板は、基板の主面に無電解ＮｉＰめっき被膜を有する磁気ディスク用基板であって、前記基板は、前記主面の内周領域と最外周領域との間の外周領域を前記基板の全周にわたって周方向に所定の角度間隔で分割した各々の評価区間において、前記周方向の表面形状の空間周期が５００［μｍ］以上１０００［μｍ］以下の波長帯における二乗平均平方根粗さＲｑが、１．５［Å］以下であることを特徴とする。

磁気ディスク用基板において、基板の周方向における平滑度やうねりの影響は、基板の中心に近い内周領域よりも外縁に近い外周領域においてより大きくなる傾向がある。また、磁気ディスク用基板の主面の周方向における表面形状は、所定の空間周期の波長帯における二乗平均平方根粗さＲｑが、磁気ディスクの磁気ヘッドによる情報の書き込み時や読み取り時の性能に影響を与える可能性がある。

そこで、本発明の磁気ディスク用基板は、基板の周方向における平滑度やうねりの影響が大きい外周領域に着目し、この外周領域における周方向の表面形状を規定している。さらに、この外周領域の周方向の表面形状の規定は、基板の全周にわたる粗さの平均値を規定するのではなく、基板の全周にわたって外周領域を周方向に所定の角度間隔で分割した各々の評価区間において、二乗平均平方根粗さＲｑを規定している。

加えて、この二乗平均平方根粗さＲｑの規定は、評価区間の周方向の表面形状のうち、磁気ディスクの磁気ヘッドによる情報の書き込み時や読み取り時の性能に影響を与える可能性がある所定の波長帯に限定されている。すなわち、各々の評価区間の周方向の表面形状に含まれる、空間周期が５００［μｍ］以上１０００［μｍ］以下の波長帯の表面形状の二乗平均平方根粗さＲｑを、１．５［Å］以下に規定している。

これにより、磁気ディスク用基板において、基板の周方向における平滑度やうねりの影響がより大きくなる傾向がある外周領域において、周方向のうねりのばらつきを抑制することができる。ここで、うねりとは、たとえば空間周期が５００［μｍ］以上、１０００［μｍ］以下の波長帯の表面形状であり、うねりのばらつきとは、たとえば、うねりの振幅が局所的に大きくなったり小さくなったりすることをいう。また、前述のように、磁気ディスク用基板において、磁気ディスクの磁気ヘッドによる情報の書き込み時や読み取り時の性能に影響を与える可能性がある特定の空間周期の波長帯の表面形状を規定することで、磁気ディスクの薄型化と記憶容量の向上を可能にすることができる。

基板の周方向においてうねりのばらつきが発生するのは、たとえば、次のような理由によるものと考えられる。基板が研磨パッドに対して滑りを生じにくくなると、基板が研磨パッドに対して回転を生じにくくなる。すると、基板が研磨パッドによって基板の特定の径方向に沿う研磨方向に偏って研磨される。基板の周方向のうねりは、その特定の研磨方向に沿う周方向において小さくなり、その特定の研磨方向に交差する周方向において大きくなる。

なお、各々の評価区間の周方向における角度範囲、すなわち基板の主面の外周領域を基板の全周にわたって周方向に分割するときの前記所定の角度間隔は、たとえば２［°］以上８［°］以下にすることができる。このように、外周領域を分割する角度間隔を２［°］以上とすることで、不必要に評価区間の数が増加することが防止される。また、角度間隔を８［°］以下とすることで、基板の外周領域における周方向の局所的なうねりを抑制することができる。

また、基板の主面の外周領域は、基板の半径をＲ［ｍｍ］としたときに、基板の中心からの半径方向の距離が、Ｒ−２．５［ｍｍ］以上、Ｒ−０．５［ｍｍ］以下の範囲の領域であることが好ましい。この範囲を外周領域とすることで、基板の周方向における平滑度やうねりの影響がより大きくなる領域において、周方向のうねりのばらつきをより効果的に抑制することができる。

また、すべての前記評価区間の前記二乗平均平方根粗さＲｑの平均値が、０．９［Å］以下であることが好ましい。これにより、基板の主面の外周領域における平滑性をより向上させ、外周領域における周方向のうねりのばらつきを、より効果的に抑制することができる。

また、前記基板の表裏の前記主面は、前記二乗平均平方根粗さＲｑの前記平均値の差が、０．１［Å］以下であることが好ましい。これにより、磁気ディスク用基板の品質を向上させ、磁気ディスクの品質を向上させることが可能になる。

また、前記基板は、アルミ基板であってもよい。アルミ基板は、安価で加工性に優れるため、磁気ディスク用基板の生産コストを低減させ、磁気ディスク用基板の生産性を向上させることができる。

また、本発明の磁気ディスク用基板の製造方法は、研磨パッドを回転させて基板の主面の無電解ＮｉＰめっき被膜を研磨する研磨工程を有する磁気ディスク用基板の製造方法であって、前記研磨工程において、前記基板が前記研磨パッドに対して前記研磨パッドの回転方向とは異なる方向の不規則な滑りを生じる加工圧で前記無電解ＮｉＰめっき被膜を研磨することで、前記主面の内周領域と最外周領域との間の外周領域を前記基板の全周にわたって周方向に所定の角度間隔で分割した各々の評価区間において、前記周方向の表面形状の空間周期が５００［μｍ］以上１０００［μｍ］以下の波長帯における二乗平均平方根粗さＲｑが、１．５［Å］以下の前記基板を得ることを特徴とする。

本発明の磁気ディスク用基板の製造方法によれば、研磨工程において加工圧を調整し、基板を研磨パッドに対して研磨パッドの回転方向とは異なる方向に不規則に滑らせることで、基板の外周領域における周方向のうねりのばらつきを抑制することができる。これにより、前述のように、磁気ディスクの薄型化と記憶容量の向上を可能にする磁気ディスク用基板を製造することができる。

より具体的には、前記研磨工程において、前記基板を回転させて前記研磨パッドによる前記無電解ＮｉＰめっき被膜の研磨方向を変化させ、多方向から前記無電解ＮｉＰめっき被膜を均等に研磨することができる。これにより、基板の外周領域における周方向のうねりのばらつきを、より効果的に抑制することができる。

前記研磨工程は、前記主面の粗仕上げを行う一次研磨工程と、前記主面の最終仕上げを行う二次研磨工程とを有し、前記二次研磨工程は、前記加工圧の異なる複数の加工ステップを有し、前記加工圧が最も高くなる前記加工ステップにおいて、前記加工圧が７［ｋＰａ］以上、９［ｋＰａ］以下であることが好ましい。このように、最終仕上げを行う二次研磨工程において、前記加工圧を７［ｋＰａ］以上、９［ｋＰａ］以下にすることで、生産性を必要以上に低下させることなく、基板を研磨パッドに対して研磨パッドの回転方向とは異なる方向に不規則に滑らせることができ、多方向から前記無電解ＮｉＰめっき被膜を均等に研磨することができる。

本発明によれば、基板を薄型化させた場合でも、基板の外周領域における周方向のうねりのばらつきを抑制し、磁気ディスクの薄型化と記憶容量の向上を可能にする、磁気ディスク用基板およびその製造方法を提供することができる。

本発明の一実施形態に係る磁気ディスク用基板を用いたＨＤＤを示す斜視図。 図１に示すＨＤＤを構成する磁気ディスク用基板の平面図。 図２に示す磁気ディスク用基板の主面の表面形状の一例を示すグラフ。 図３に示す各評価区間の表面形状の波長とＰＳＤとの関係を示すグラフ。 各々の評価区間についての二乗平均平方根粗さＲｑを示すグラフ。 本発明の一実施形態に係る磁気ディスク用基板の製造工程を示すフロー図。 図６に示す研磨工程で使用される研磨装置の一例を示す概略的な斜視図。 図６に示す研磨工程に含まれる工程の一例を示すフロー図。 図８に示す二次研磨工程の加工時間と加工圧の一例を示すグラフ。

以下、図面を参照して本発明に係る磁気ディスク用基板およびその製造方法の一実施形態を説明する。

［磁気ディスク用基板］
図１は、本発明の実施形態に係る磁気ディスク用基板１０を用いたハードディスクドライブ（ＨＤＤ）の一例を示す斜視図である。ＨＤＤは、たとえば、筐体１０１と、本実施形態の磁気ディスク用基板１０によって構成され、筐体１０１の内部に収容された複数の磁気ディスク１０２と、この磁気ディスク１０２を回転させるディスク駆動部１０３を有している。

また、ＨＤＤは、たとえば、磁気ディスク１０２への情報の記録と磁気ディスク１０２からの情報の読み取りを行う磁気ヘッド１０４と、磁気ヘッド１０４を磁気ディスク１０２に対して相対的に移動させるヘッド駆動部１０５を有している。また、ＨＤＤは、たとえば、磁気ディスク１０２へ記録する情報に関する信号や、磁気ディスク１０２から読み取った情報に関する信号を処理する信号処理部１０６を有している。

図２は、図１に示すＨＤＤの磁気ディスク１０２を構成する磁気ディスク用基板１０の平面図である。本実施形態の磁気ディスク用基板１０は、基板１１と、この基板１１の主面に形成された無電解ＮｉＰめっき被膜１２を有している。基板１１は、たとえば、中央部に円形の開口１１ａを有する円板状の基材である。基板１１は、たとえばアルミニウムまたはアルミニウム合金を素材とするアルミ基板である。すなわち、本実施形態の磁気ディスク用基板１０は、たとえば磁気ディスク用アルミ基板である。

磁気ディスク用基板１０は、磁気ディスク１０２の記憶容量を向上させる観点から、たとえば基板１１の表裏の主面に、非晶質の無電解ＮｉＰめっき被膜１２を有していることが好ましい。この磁気ディスク用基板１０の主面の無電解ＮｉＰめっき被膜１２の上に、たとえば、複数の磁性層および非磁性層、保護層、ならびに潤滑膜などを形成することで、磁気ディスク１０２が製造される。

磁気ディスク用基板１０のサイズ、すなわち直径は、たとえば２．５［ｉｎ］、３．５［ｉｎ］、９５［ｍｍ］、または９７［ｍｍ］である。すなわち磁気ディスク用基板１０の直径は、６３．５[ｍｍ]（２．５[ｉｎ]）以上、９７[ｍｍ]以下であり、より好ましくは９５[ｍｍ]以上、９７[ｍｍ]以下である。また、磁気ディスク用基板１０の厚みは、０．６[ｍｍ]以上、１．２７[ｍｍ]であるが、より好ましくは０．６[ｍｍ]以上、０．８[ｍｍ]以下、さらに好ましくは０．６[ｍｍ]以上、０．８[ｍｍ]以下である。磁気ディスク用基板１０の中央の開口１１ａの直径、すなわち磁気ディスク用基板１０の内径は、たとえば２０［ｍｍ］以上、２５［ｍｍ］以下である。磁気ディスク用基板１０のサイズは、上記したサイズに限定されない。また、磁気ディスク用基板１０は、上記の厚みよりも薄い場合であっても、上記の厚みの磁気ディスク用基板１０と同様の効果が得られるものは、本発明に包含される。

このように、本実施形態の磁気ディスク用基板１０は、基板１１の主面に無電解ＮｉＰめっき被膜１２を有しており、以下の構成を主要な特徴としている。基板１１は、主面の内周領域１０ｉと最外周領域１０ｐとの間の外周領域１０ｃを、基板１１の全周にわたって周方向Ｄｃに所定の角度間隔で分割した各々の評価区間において、周方向Ｄｃの表面形状の空間周期が５００［μｍ］以上１０００［μｍ］以下の波長帯における二乗平均平方根粗さＲｑが、１．５［Å］以下である。

ここで、基板１１の主面の外周領域１０ｃは、たとえば、基板１１の半径をＲ［ｍｍ］としたときに、基板１１の中心Ｃからの半径方向の距離が、Ｒ−ａ［ｍｍ］以上、Ｒ−ｂ［ｍｍ］以下の範囲の領域である。なお、図２に示す例において、ａは、たとえば２．５［ｍｍ］であり、ｂはたとえば０．５［ｍｍ］である。基板１１の主面の最外周領域１０ｐは、外周領域１０ｃの径方向外側の領域であり、内周領域１０ｉは、外周領域１０ｃの径方向内側の領域である。前記した外周領域１０ｃの各々の評価区間において、周方向Ｄｃの表面形状の所定の波長帯における二乗平均平方根粗さＲｑは、たとえば、以下の手順によって得ることができる。

図３は、図２に示す磁気ディスク用基板１０の主面の表面形状の一例を示すグラフである。図３において、横軸は磁気ディスク用基板１０の周方向Ｄｃの角度θ、縦軸は表面形状の凹凸の高さｈ（θ）である。まず、基板１１の主面の外周領域１０ｃにおいて、基板１１の全周にわたって、基板１１の周方向Ｄｃの表面形状を測定する。基板１１の主面の周方向Ｄｃにおける表面形状の測定は、たとえば、ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製の検査装置「Ｃａｎｄｅｌａ」によって行うことができる。

次に、基板１１の全周にわたって測定した外周領域１０ｃの周方向Ｄｃの表面形状を、所定の角度間隔で分割する。このとき、外周領域１０ｃの表面形状を分割する所定の角度間隔は、２［°］以上、８［°］以下とすることができる。この表面形状の分割された各区間が、各々の評価区間１０ｚの周方向Ｄｃの表面形状を表している。次に、たとえば「Ｃａｎｄｅｌａ」によって、評価区間１０ｚのそれぞれの周方向Ｄｃの表面形状のスペクトル解析を行う。

図４は、図３に示す各評価区間１０ｚの波長とパワースペクトル密度（ＰＳＤ）との関係を示すグラフである。各々の評価区間１０ｚの周方向Ｄｃの表面形状のスペクトル解析を行うことで、各々の評価区間１０ｚの周方向Ｄｃの表面形状の波長［μｍ］とＰＳＤ［Å^２μｍ］との関係が得られる。このスペクトル解析の結果から、空間周期が５００［μｍ］以上、１０００［μｍ］以下の波長帯のＰＳＤを抽出し、各々の評価区間１０ｚの二乗平均平方根粗さＲｑを求める。

図５は、各々の評価区間１０ｚについての、周方向Ｄｃの表面形状の空間周期が５００［μｍ］以上、１０００［μｍ］以下の波長帯における二乗平均平方根粗さＲｑを示すグラフである。本実施形態の磁気ディスク用基板１０は、前述のようにして得られた各々の評価区間１０ｚについての、周方向Ｄｃの表面形状の空間周期が５００［μｍ］以上１０００［μｍ］以下の波長帯における二乗平均平方根粗さＲｑが、１．５［Å］以下である。

磁気ディスク用基板１０において、基板１１の周方向Ｄｃにおける平滑度やうねりの影響は、基板１１の中心Ｃに近い内周領域１０ｉよりも外縁に近い外周領域１０ｃにおいてより大きくなる傾向がある。また、磁気ディスク用基板１０の主面の周方向Ｄｃにおける表面形状は、所定の空間周期の波長帯における二乗平均平方根粗さＲｑが、磁気ディスク１０２の磁気ヘッド１０４による情報の書き込み時や読み取り時の性能に影響を与える可能性がある。

そこで、本実施形態の磁気ディスク用基板１０は、基板１１の周方向Ｄｃにおける平滑度やうねりの影響が大きい基板１１の主面の内周領域１０ｉと最外周領域１０ｐとの間の外周領域１０ｃに着目し、この外周領域１０ｃにおける周方向Ｄｃの表面形状を規定している。さらに、この外周領域１０ｃの周方向Ｄｃの表面形状の規定は、基板１１の全周にわたる粗さの平均値を規定するのではなく、基板１１の全周にわたって外周領域１０ｃを周方向Ｄｃに所定の角度間隔で分割した各々の評価区間１０ｚにおいて、二乗平均平方根粗さＲｑを規定している。

加えて、この二乗平均平方根粗さＲｑの規定は、評価区間１０ｚの周方向Ｄｃの表面形状のうち、磁気ディスク１０２の磁気ヘッド１０４による情報の書き込み時や読み取り時の性能に影響を与える可能性がある所定の波長帯に限定されている。すなわち、各々の評価区間１０ｚの周方向Ｄｃの表面形状に含まれる、空間周期が５００［μｍ］以上１０００［μｍ］以下の波長帯の表面形状の二乗平均平方根粗さＲｑを、１．５［Å］以下に規定している。

これにより、磁気ディスク用基板１０において、基板１１の周方向Ｄｃにおける平滑度やうねりの影響がより大きくなる傾向がある外周領域１０ｃにおいて、周方向Ｄｃのうねりのばらつきを抑制することができる。また、前述のように、磁気ディスク用基板１０において、磁気ディスク１０２の磁気ヘッド１０４による情報の書き込み時や読み取り時の性能に影響を与える可能性がある特定の空間周期の波長帯の表面形状を規定することで、磁気ディスク１０２の薄型化と記憶容量の向上を可能にすることができる。

また、前述のように、評価区間１０ｚを得るときに、外周領域１０ｃを基板１１の全周にわたって周方向Ｄｃに分割する所定の角度間隔は、前述のように、たとえば２［°］以上８［°］以下とされている。このように、外周領域１０ｃを分割する角度間隔を２［°］以上とすることで、不必要に評価区間１０ｚの数が増加することが防止される。また、角度間隔を８［°］以上とすることで、基板１１の外周領域１０ｃにおける周方向Ｄｃの局所的なうねりを抑制することができる。

また、前述のように、基板１１の主面の外周領域１０ｃは、基板１１の半径をＲ［ｍｍ］としたときに、基板１１の中心Ｃからの半径方向の距離が、たとえばＲ−２．５［ｍｍ］以上、Ｒ−０．５［ｍｍ］以下の範囲の領域とされている。この範囲を外周領域１０ｃとすることで、基板１１の周方向Ｄｃにおける平滑度やうねりの影響がより大きくなる領域において、周方向Ｄｃのうねりのばらつきをより効果的に抑制することができる。

また、本実施形態の磁気ディスク用基板１０は、すべての評価区間１０ｚの二乗平均平方根粗さＲｑの平均値が、０．９［Å］以下であることが好ましい。これにより、基板１１の主面の外周領域１０ｃにおける平滑性をより向上させ、外周領域１０ｃにおける周方向Ｄｃのうねりのばらつきを、より効果的に抑制することができる。

また、本実施形態の磁気ディスク用基板１０において、基板１１の表裏の主面は、前述の二乗平均平方根粗さＲｑの平均値の差が、０．１［Å］以下であることが好ましい。これにより、磁気ディスク用基板１０の品質を向上させ、磁気ディスク１０２の品質を向上させることが可能になる。

また、本実施形態の磁気ディスク用基板１０において、基板１１が安価で加工性に優れるアルミ基板である場合、磁気ディスク用基板１０の生産コストを低減させ、磁気ディスク用基板１０の生産性を向上させることができる。

以上説明したように、本実施形態によれば、基板１１を薄型化させた場合でも、基板１１の外周領域１０ｃにおける周方向Ｄｃのうねりのばらつきを抑制し、磁気ディスク１０２の薄型化と記憶容量の向上を可能にする、磁気ディスク用基板１０を提供することができる。

［磁気ディスク用基板の製造方法］
次に、本発明の磁気ディスク用基板の製造方法の一実施形態を説明する。図６は、本発明の実施形態に係る磁気ディスク用基板の製造方法Ｓ１００の工程の一例を示すフロー図である。

本実施形態の磁気ディスク用基板の製造方法は、たとえば、端面加工工程Ｓ１０と、第１の熱処理工程Ｓ２０と、研削工程Ｓ３０と、第２の熱処理工程Ｓ４０と、無電解ＮｉＰめっき工程Ｓ５０と、第３の熱処理工程Ｓ６０と、研磨工程Ｓ７０と、洗浄工程Ｓ８０と、表面検査工程Ｓ９０とを有している。詳細については後述するが、本実施形態の磁気ディスク用基板の製造方法Ｓ１００は、研磨工程Ｓ７０に特徴を有している。以下、本実施形態の磁気ディスク用基板の製造方法Ｓ１００の各工程について、詳細に説明する。

端面加工工程Ｓ１０は、たとえば、材料として受け入れた加工前の基板１１を、旋盤などによって切削加工することで、基板１１の端面形状を調整する工程である。基板１１は、たとえば前述のアルミニウムを素材とするアルミ基板であり、中央部に円形の開口１１ａを有する円板状の基材である。

第１の熱処理工程Ｓ２０は、端面加工工程Ｓ１０を経た基板１１の焼鈍を行って、基板１１の残留応力を緩和する工程である。研削工程Ｓ３０は、第１の熱処理工程Ｓ２０の終了後に、たとえばグラインダーによって基板１１の粗研削を行い、その後、仕上げ研削を行って基板１１の板厚を調整する工程である。第２の熱処理工程Ｓ４０は、研削工程Ｓ３０を経た基板１１の焼鈍を行って、基板１１の残留応力を緩和する工程である。

無電解ＮｉＰめっき工程Ｓ５０は、第２の熱処理工程Ｓ４０を経た基板１１に前処理を行った後に、基板１１をめっき液に含浸させることで、めっき液に含まれる還元剤の酸化によって放出される電子により、基板１１に無電解ＮｉＰめっき被膜１２を析出させる工程である。この工程により、基板１１の主面に無電解ＮｉＰめっき被膜１２が形成され、主面に無電解ＮｉＰめっき被膜１２を有する基板１１が得られる。無電解ＮｉＰめっき被膜１２の膜厚は、たとえば７［μｍ］以上、１５［μｍ］以下である。第３の熱処理工程Ｓ６０は、主面に無電解ＮｉＰめっき被膜１２が形成された基板１１の焼鈍を行って、無電解ＮｉＰめっき被膜１２の密着性を向上させ、基板１１の残留応力を緩和する工程である。

図７は、図６に示す研磨工程Ｓ７０で使用される研磨装置２００の一例を示す概略的な斜視図である。研磨工程Ｓ７０は、たとえば研磨装置２００によって基板１１の表裏の主面を研磨し、無電解ＮｉＰめっき被膜１２を有する主面の表面粗度およびうねりを調整する工程である。研磨装置２００は、たとえば、互いに逆方向に回転する上定盤２１０と下定盤２２０を有している。上定盤２１０の下面と、下定盤２２０の上面には、それぞれ研磨パッド２３０が取り付けられている。研磨パッド２３０としては、たとえばウレタンなど、所定の範囲の開孔径を有する多孔質の研磨布を用いることができる。

下定盤２２０は、上面の中心部に設けられたサンギア２２１と、上面の周縁部に設けられたインターナルギア２２２と、これらサンギア２２１とインターナルギア２２２の間に配置された複数のキャリア２２３を有している。図示の例において、サンギア２２１とインターナルギア２２２との間には、４つのキャリア２２３が配置されている。サンギア２２１とインターナルギア２２２は、それぞれ所定の回転比率で回転駆動されるようになっている。

キャリア２２３は、研磨する基板１１を保持する基板保持部２２３ａを有する円板状の部材である。基板保持部２２３ａは、キャリア２２３に形成された円形の開口であり、基板１１の外形に対応する内径を有している。基板保持部２２３ａは、基板１１を保持した状態で基板１１の表裏の主面を、上定盤２１０および下定盤２２０の研磨パッド２３０に対して露出させる。また、キャリア２２３は、外周に複数の歯２２３ｔを有する歯車状の部材であり、サンギア２２１およびインターナルギア２２２と噛み合い、サンギア２２１とインターナルギア２２２が所定の回転比率で回転することにより、歯数の差に応じた遊星運動を行う。

このような構成の研磨装置２００によって基板１１を研磨するには、まず、図示を省略するローダーハンドによって複数の基板１１を搬送して、キャリア２２３の基板保持部２２３ａに配置する。次に、上定盤２１０と下定盤２２０を接近させ、上定盤２１０の下面の研磨パッド２３０と下定盤２２０の上面の研磨パッド２３０の間に基板１１を挟む。次に、上定盤２１０の下面の研磨パッド２３０と下定盤２２０の上面の研磨パッド２３０の間に研磨用のスラリーを供給し、上定盤２１０と下定盤２２０を逆方向に回転させつつ、サンギア２２１とインターナルギア２２２を回転させてキャリア２２３を遊星運動させる。

このように、研磨工程Ｓ７０では、研磨パッド２３０を回転させて、基板１１の主面の無電解ＮｉＰめっき被膜１２を研磨する。本実施形態の磁気ディスク用基板の製造方法Ｓ１００は、この研磨工程Ｓ７０において、基板１１が研磨パッド２３０に対して研磨パッド２３０の回転方向とは異なる方向の不規則な滑りを生じる加工圧で無電解ＮｉＰめっき被膜１２を研磨する。このように、研磨工程Ｓ７０において、基板１１が研磨パッド２３０に対して滑りを生じるような低い加工圧で研磨することで、基板１１が特定の方向に偏って研磨されることが防止される。

これにより、前述のような、基板１１の外周領域１０ｃにおける周方向Ｄｃのうねりのばらつきを抑制された磁気ディスク用基板１０を製造することができる。より具体的には、本実施形態の製造方法によって製造された磁気ディスク用基板１０は、以下のような特徴を有する。基板１１は、主面の内周領域１０ｉと最外周領域１０ｐとの間の外周領域１０ｃを基板１１の全周にわたって周方向Ｄｃに所定の角度間隔で分割した各々の評価区間１０ｚにおいて、周方向Ｄｃの表面形状の空間周期が５００［μｍ］以上１０００［μｍ］以下の波長帯における二乗平均平方根粗さＲｑが、１．５［Å］以下である。

研磨工程Ｓ７０では、たとえば、前述の研磨装置２００を用いることで、キャリア２２３とともに基板１１を回転させて研磨パッド２３０による無電解ＮｉＰめっき被膜１２の研磨方向を変化させ、多方向から無電解ＮｉＰめっき被膜１２を均等に研磨することができる。これにより、基板１１の外周領域１０ｃにおける周方向Ｄｃのうねりのばらつきを、より効果的に抑制することができる。

図８は、図６に示す研磨工程Ｓ７０に含まれる工程の一例を示すフロー図である。研磨工程Ｓ７０は、たとえば、無電解ＮｉＰめっき被膜１２を有する基板１１の主面の粗仕上げを行う一次研磨工程Ｓ７１と、その主面の最終仕上げを行う二次研磨工程Ｓ７２とを有している。なお、一次研磨工程Ｓ７１および二次研磨工程Ｓ７２は、前述の研磨装置２００を用いて行うことができる。

一次研磨工程Ｓ７１では、たとえば、２０［ｎｍ］から４００［ｎｍ］程度の粒径のＳｉＯ_２砥粒を含み、ｐＨが１．２から１．６程度のスラリーと、開孔径が２０［μｍ］から６０［μｍ］程度の研磨パッド２３０を使用することができる。二次研磨工程Ｓ７２では、たとえば、１０［ｎｍ］から３０［ｎｍ］程度の粒径のＳｉＯ_２砥粒を含み、ｐＨが１．２から１．８程度のスラリーと、開孔径が２０［μｍ］以下の研磨パッド２３０を使用することができる。

一次研磨工程Ｓ７１は、たとえば、加工圧の異なる複数の加工ステップを有することができる。より具体的には、一次研磨工程Ｓ７１は、たとえば、第１加工ステップから第５加工ステップまでの５段階の加工ステップを有することができる。

一次研磨工程Ｓ７１の第１加工ステップは、たとえば、研磨パッド２３０の損傷を防止してスラリーを研磨パッド２３０に馴染ませるために、各加工ステップの中でも比較的に低い加工圧で、比較的に短時間にわたって行われる。一次研磨工程Ｓ７１の第２加工ステップは、続く第３加工ステップで加工圧を各加工ステップにおける最高の加工圧に上昇させるために、加工圧を第１加工ステップよりもわずかに上昇させ、それ以外の条件は第１加工ステップと同様の条件で行われる。

一次研磨工程Ｓ７１の第３加工ステップでは、基板１１の主面の取代と表裏の差を制御するために、各加工ステップの中で最も高い加工圧で基板１１の研磨を行う。この第３加工ステップにおいて、基板１１を研磨する加工圧は、たとえば、約１０ｋＰａから約１４ｋＰａ程度である。この第３加工ステップの加工時間は、たとえば、第１加工ステップおよび第２加工ステップの加工時間の１０倍から２０倍程度の長時間にわたって行われる。この第３加工ステップでは、上定盤２１０の回転速度と下定盤２２０の回転速度を、たとえば、第１加工ステップおよび第２加工ステップよりも増加させる。

一次研磨工程Ｓ７１の第４加工ステップにおける研磨は、第３加工ステップにおける高圧加工を経た基板１１の主面の無電解ＮｉＰめっき被膜の面質、たとえば、スクラッチやうねりなどを改善するために、第３加工ステップにおける加工圧よりもやや低い加工圧で行われる。この第４加工ステップの加工時間は、たとえば、第１加工ステップおよび第２加工ステップの加工時間の同等または１．５倍程度の時間にわたって行われる。この第４加工ステップでは、上定盤２１０の回転速度と下定盤２２０の回転速度を、たとえば、第３加工ステップと同等にする。

一次研磨工程Ｓ７１の第５加工ステップは、たとえば研磨用のスラリーの代わりに洗浄用の純水を供給して、第４加工ステップを経た基板１１に付着した研磨剤を洗い流すリンス工程である。この第５加工ステップにおける基板１１の加工圧は、各加工ステップの中で最も低い。この第５加工ステップの加工時間は、たとえば、第１加工ステップおよび第２加工ステップの加工時間の半分程度の時間にわたって行われる。この第５加工ステップでは、上定盤２１０の回転速度と下定盤２２０の回転速度を、たとえば、第１加工ステップおよび第２加工ステップと同等にする。

以上の一次研磨工程Ｓ７１の各加工ステップの加工条件を以下の表１に示す。

表１において、一次研磨工程Ｓ７１の各加工ステップにおける加工時間Ｔ_１１〜Ｔ_１５、上定盤回転速度Ｖｕ_１１〜Ｖｕ_１５、下定盤回転速度Ｖｄ_１１〜Ｖｄ_１５、加工圧Ｐ_１１〜Ｐ_１５、サンギア回転速度Ｖｓ_１１〜Ｖｓ_１５は、それぞれ、以下の関係が成立する。

加工時間 ：Ｔ_１５＜Ｔ_１１＝Ｔ_１２≦Ｔ_１４＜Ｔ_１３
上定盤回転速度 ：Ｖｕ_１１＝Ｖｕ_１２＝Ｖｕ_１５＜Ｖｕ_１３＝Ｖｕ_１４
下定盤回転速度 ：Ｖｄ_１１＝Ｖｄ_１２＝Ｖｄ_１５＜Ｖｄ_１３＝Ｖｄ_１４
加工圧 ：Ｐ_１５＜Ｐ_１１＜Ｐ_１２＜Ｐ_１４＜Ｐ_１３
サンギア回転速度：Ｖｓ_１１＝Ｖｓ_１２＝Ｖｓ_１３＝Ｖｓ_１４＝Ｖｓ_１５

なお、第３加工ステップの加工圧Ｐ_１３は、前述のように、たとえば、１０［ｋＰａ］≦Ｐ_１３≦１４［ｋＰａ］を満たす。また、加工時間は、可能な限り長いことが好ましい。一次研磨工程Ｓ７１の終了後は、図８に示すように、二次研磨工程Ｓ７２が行われる。

二次研磨工程Ｓ７２は、一次研磨工程Ｓ７１と同様に、たとえば、加工圧の異なる複数の加工ステップを有することができる。より具体的には、二次研磨工程Ｓ７２は、たとえば、第１加工ステップから第６加工ステップまでの６段階の加工ステップを有することができる。

二次研磨工程Ｓ７２は、基板１１の主面の最終仕上げを行う工程である。二次研磨工程Ｓ７２における第１加工ステップから第５加工ステップまでの各加工ステップ目的は、一次研磨工程Ｓ７１における各加工ステップの目的と同様である。しかし、二次研磨工程Ｓ７２では、前述のように、一次研磨工程Ｓ７１よりも、より微細な砥粒を含むスラリーと、より微細な開孔径の研磨パッド２３０を使用して、基板１１の主面の無電解ＮｉＰめっき被膜１２の研磨を行う。

また、二次研磨工程Ｓ７２では、第４加工ステップを経た基板１１に付着した研磨剤を洗い流す第５加工ステップの後に、さらに、第６加工ステップを有している。二次研磨工程Ｓ７２の第６加工ステップは、第５加工ステップと同様に、たとえば研磨用のスラリーの代わりに洗浄用の純水を供給して、第５加工ステップを経た基板１１に付着した研磨剤を洗い流すリンス工程である。

二次研磨工程Ｓ７２の第１加工ステップの加工時間は、たとえば一次研磨工程Ｓ７１の第１加工ステップの加工時間の半分から２倍程度とすることができる。また、二次研磨工程Ｓ７２の第２加工ステップの加工時間は、たとえば一次研磨工程Ｓ７１の第１加工ステップの加工時間の２倍程度とすることができる。また、二次研磨工程Ｓ７２の第３加工ステップの加工時間は、たとえば一次研磨工程Ｓ７１の第３加工ステップの加工時間と同等から１．５倍程度にすることができる。また、二次研磨工程Ｓ７２の第４加工ステップの加工時間は、二次研磨工程Ｓ７２の第２加工ステップの加工時間の０．７５倍から５倍程度にすることができる。また、二次研磨工程Ｓ７２の第５加工ステップおよび第６加工ステップの加工時間は、一次研磨工程Ｓ７１の第５加工ステップの加工時間と同等にすることができる。

二次研磨工程Ｓ７２の第１加工ステップの上定盤２１０の回転速度は、たとえば一次研磨工程Ｓ７１の第１加工ステップの上定盤２１０の回転速度の０．４倍程度にすることができる。二次研磨工程Ｓ７２の第２加工ステップの上定盤２１０の回転速度は、たとえば二次研磨工程Ｓ７２の第１加工ステップの上定盤２１０の回転速度の２倍程度にすることができる。二次研磨工程Ｓ７２の第３加工ステップの上定盤２１０の回転速度は、たとえば二次研磨工程Ｓ７２の第１加工ステップの上定盤２１０の回転速度の３倍程度にすることができる。二次研磨工程Ｓ７２の第４加工ステップの上定盤２１０の回転速度は、たとえば二次研磨工程Ｓ７２の第２加工ステップの上定盤２１０の回転速度と同等にすることができる。二次研磨工程Ｓ７２の第５加工ステップおよび第６加工ステップの上定盤２１０の回転速度は、たとえば二次研磨工程Ｓ７２の第１加工ステップの上定盤２１０の回転速度と同等にすることができる。

二次研磨工程Ｓ７２の第１加工ステップの下定盤２２０の回転速度は、たとえば一次研磨工程Ｓ７１の第１加工ステップの下定盤２２０の回転速度の０．６倍程度にすることができる。二次研磨工程Ｓ７２の第２加工ステップの下定盤２２０の回転速度は、たとえば二次研磨工程Ｓ７２の第１加工ステップの下定盤２２０の回転速度の２倍程度にすることができる。二次研磨工程Ｓ７２の第３加工ステップの下定盤２２０の回転速度は、たとえば一次研磨工程Ｓ７１の第３加工ステップの下定盤２２０の回転速度の１．２５倍程度にすることができる。二次研磨工程Ｓ７２の第４加工ステップの下定盤２２０の回転速度は、たとえば二次研磨工程Ｓ７２の第２加工ステップの下定盤２２０の回転速度と同等にすることができる。二次研磨工程Ｓ７２の第５加工ステップおよび第６加工ステップの下定盤２２０の回転速度は、たとえば二次研磨工程Ｓ７２の第１加工ステップの下定盤２２０の回転速度と同等にすることができる。

二次研磨工程Ｓ７２の第１加工ステップおよび第２加工ステップの加工圧は、たとえば一次研磨工程Ｓ７１の第１加工ステップおよび第２加工ステップの加工圧と同等にすることができる。二次研磨工程Ｓ７２の第３加工ステップの加工圧は、たとえば一次研磨工程Ｓ７１の第３加工ステップの加工圧よりも低圧にすることができる。より具体的には、二次研磨工程Ｓ７２の第３加工ステップの加工圧は、たとえば７［ｋＰａ］以上、９［ｋＰａ］以下にすることができる。二次研磨工程Ｓ７２の第４加工ステップの加工圧は、たとえば二次研磨工程Ｓ７２の第３加工ステップの加工圧よりもやや低圧にすることができる。二次研磨工程Ｓ７２の第５加工ステップの加工圧は、たとえば一次研磨工程Ｓ７１の第５加工ステップの加工圧の２倍程度にすることができる。二次研磨工程Ｓ７２の第６加工ステップの加工圧は、たとえば一次研磨工程Ｓ７１の第５加工ステップの加工圧と同等にすることができる。

二次研磨工程Ｓ７２の第１加工ステップから第４加工ステップまでのサンギア２２１の回転速度は、たとえば一次研磨工程Ｓ７１の第１加工ステップから第５加工ステップまでのサンギア２２１の回転速度の１．５倍程度にすることができる。二次研磨工程Ｓ７２の第５加工ステップおよび第６加工ステップのサンギア２２１の回転速度は、二次研磨工程Ｓ７２の第１加工ステップから第４加工ステップまでのサンギア２２１の回転速度の０．３倍以下にすることができる。

以上の二次研磨工程Ｓ７２の各加工ステップの加工条件を以下の表２に示す。

表２において、二次研磨工程Ｓ７２の各加工ステップにおける加工時間Ｔ_２１〜Ｔ_２６、上定盤回転速度Ｖｕ_２１〜Ｖｕ_２６、下定盤回転速度Ｖｄ_２１〜Ｖｄ_２６、加工圧Ｐ_２１〜Ｐ_２６、サンギア２２１回転速度Ｖｓ_２１〜Ｖｓ_２６は、それぞれ、以下の関係が成立する。

加工時間 ：Ｔ_２５＝Ｔ_２６≦Ｔ_２１≦Ｔ_２２≦Ｔ_２４＜Ｔ_２３
上定盤回転速度 ：Ｖｕ_２１＝Ｖｕ_２５＝Ｖｕ_２６＜Ｖｕ_２２＝Ｖｕ_２４＜Ｖｕ_２３
下定盤回転速度 ：Ｖｄ_２１＝Ｖｄ_２５＝Ｖｄ_２６＜Ｖｄ_２２＝Ｖｄ_２４＜Ｖｄ_２３
加工圧 ：Ｐ_２６＜Ｐ_２１＝Ｐ_２５＜Ｐ_２２＜Ｐ_２４＜Ｐ_２３
サンギア回転速度：Ｖｓ_２５＝Ｖｓ_２６＜Ｖｓ_２１＝Ｖｓ_２２＝Ｖｓ_２３＝Ｖｓ_２４

図９は、二次研磨工程Ｓ７２の各加工ステップの加工時間Ｔ_２１〜Ｔ_２６と加工圧Ｐ_２１〜Ｐ_２６との関係の一例を示すグラフである。なお、二次研磨工程Ｓ７２の第３加工ステップの加工圧Ｐ_２３は、前述のように、たとえば、７［ｋＰａ］≦Ｐ_２３≦９［ｋＰａ］を満たす。この加工圧Ｐ_２３は、一次研磨工程Ｓ７１における最高の加工圧であるＰ_１３よりも低圧である。また、従来は、研磨工程の最終仕上げの最高の加工圧は、一次研磨工程Ｓ７１の最高の加工圧と同等であった。すなわち、本実施形態の磁気ディスク用基板の製造方法Ｓ１００では、二次研磨工程Ｓ７２の最高の加工圧を、一次研磨工程Ｓ７１の最高の加工圧や、従来の研磨工程の最終仕上げの加工圧よりも低圧にしている。

これより、二次研磨工程Ｓ７２の第３加工ステップにおいて、基板１１が研磨パッド２３０に対して研磨パッド２３０の回転方向とは異なる方向の不規則な滑りを生じる。このように、研磨工程Ｓ７０において、基板１１が研磨パッド２３０に対して滑りを生じるような低い加工圧で研磨することで、基板１１が特定の方向に偏って研磨されることが防止される。したがって、前述のような、基板１１の外周領域１０ｃにおける周方向Ｄｃのうねりのばらつきを抑制された磁気ディスク用基板１０を製造することができる。なお、各加工ステップにおける加工時間Ｔ_２１〜Ｔ_２６は、可能な限り長いことが好ましい。二次研磨工程Ｓ７２の終了後は、図６に示すように、洗浄工程Ｓ８０が行われる。

洗浄工程Ｓ８０は、研磨工程Ｓ７０の終了後、たとえば研磨装置２００から基板１１を取り出して、洗浄液に浸漬し、超音波による精密洗浄を行った後、純水による洗浄を経て、基板１１を乾燥させる工程である。表面検査工程Ｓ９０は、洗浄工程Ｓ８０を経た基板１１を検査機によって検査し、突起やへこみなどの欠陥の有無を検査する工程である。本実施形態の磁気ディスク用基板の製造方法Ｓ１００によれば、以上の工程により、磁気ディスク用基板１０を製造することができる。

以上説明したように、本実施形態の磁気ディスク用基板の製造方法Ｓ１００は、研磨工程Ｓ７０において、基板１１が研磨パッド２３０に対して研磨パッド２３０の回転方向とは異なる方向の不規則な滑りを生じる加工圧で無電解ＮｉＰめっき被膜１２を研磨する。これにより、基板１１を薄型化させた場合でも、基板１１の外周領域１０ｃにおける周方向Ｄｃのうねりのばらつきを抑制し、磁気ディスク１０２の薄型化と記憶容量の向上を可能にする、磁気ディスク用基板の製造方法Ｓ１００を提供することができる。

以上、図面を用いて本発明の実施の形態を詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲における設計変更等があっても、それらは本発明に含まれるものである。

［実施例］
前述の実施形態において説明した磁気ディスク用基板の製造方法によって、実施例１から実施例５の磁気ディスク用基板を製造した。なお、実施例１から実施例３では、厚みが０．６１０［ｍｍ］、外径が約９７［ｍｍ］のアルミ基板を使用し、実施例４および実施例５では、厚みが０．６１０［ｍｍ］、外径が約９５［ｍｍ］のアルミ基板を使用した。

また、各実施例の磁気ディスク用基板の製造時に、研磨工程において、基板が研磨パッドに対して研磨パッドの回転方向とは異なる方向の不規則な滑りを生じる低い加工圧で無電解ＮｉＰめっき被膜を研磨した。より具体的には、一次研磨工程と二次研磨工程を含む研磨工程を実施し、二次研磨工程の第３加工ステップの加工圧を７［ｋＰａ］以上９［ｋＰａ］以下として、磁気ディスク用基板を製造した。

その後、製造された実施例１から実施例５の磁気ディスク用基板の表裏の無電解ＮｉＰめっき被膜を有する主面の外周領域の周方向における表面形状を、ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製の検査装置「Ｃａｎｄｅｌａ」によって測定した。ここで、実施例１から実施例３の磁気ディスク用基板では、外周領域を基板の中心からの距離が９４．５［ｍｍ］以上、９６．５［ｍｍ］以下の範囲とした。また、実施例４および実施例５の磁気ディスク用基板では、外周領域を基板の中心からの距離が９２．５［ｍｍ］以上、９４．５［ｍｍ］以下の範囲とした。

次に、検査装置「Ｃａｎｄｅｌａ」を使用して、外周領域の周方向の表面形状のプロファイルを、基板の全周にわたって、５．８［°］の角度間隔で分割した。次に、検査装置「Ｃａｎｄｅｌａ」を使用して、分割された外周領域の評価区間ごとの周方向の表面形状のプロファイルのスペクトル解析を行い、各々の評価区間の波長［μｍ］とパワースペクトル密度（ＰＳＤ）［Å^２μｍ］との関係を得た。次に、このスペクトル解析の結果から、空間周期が５００［μｍ］以上、１０００［μｍ］以下の波長帯のＰＳＤを抽出し、各々の評価区間の二乗平均平方根粗さＲｑを求めた。

以下の表３に、実施例１から実施例５の磁気ディスク用基板について、二次研磨工程における第３加工ステップの加工圧を示す。また、表３に、実施例１から実施例５の磁気ディスク用基板の表（ｔｏｐ）と裏（Ｂｏｔｔｏｍ）のそれぞれの主面について、各評価区間における二乗平均平方根粗さＲｑの最大値（Ｒｑ＿ｍａｘ）、すべての評価区間の二乗平均平方根粗さＲｑの平均値（Ｒｑ＿ａｖｅ）、および表裏の主面の二乗平均平方根粗さＲｑの平均値（Ｒｑ＿ａｖｅ）の差（ΔＲｑ＿ａｖｅ）を示す。

表３に示すように、実施例１から実施例５の磁気ディスク用基板では、各々の評価区間において、周方向の表面形状の空間周期が５００［μｍ］以上１０００［μｍ］以下の波長帯における二乗平均平方根粗さＲｑが、１．５［Å］以下であった。また、すべての評価区間の二乗平均平方根粗さＲｑの平均値（Ｒｑ＿ａｖｅ）が、０．９［Å］以下であった。また、基板の表裏の主面は、二乗平均平方根粗さＲｑの平均値の差（ΔＲｑ＿ａｖｅ）が、０．１［Å］以下であった。

これら実施例１から実施例５の磁気ディスク用基板は、基板の外周領域における周方向のうねりのばらつきを抑制することができ、磁気ディスクの薄型化と記憶容量の向上を可能にする観点から、良好な評価が得られた。

［比較例］
研磨工程以外の工程は、前述の実施例１から実施例５の磁気ディスク用基板の製造方法と同様に、比較例１から比較例５の磁気ディスク用基板を製造した。なお、比較例１から比較例５では、厚みが０．６１０［ｍｍ］、外径が約９５［ｍｍ］のアルミ基板を使用した。また、各比較例の磁気ディスク用基板の製造時には、研磨工程において、基板が研磨パッドに対して研磨パッドの回転方向とは異なる方向の不規則な滑りを生じないように、比較的に高い加工圧で無電解ＮｉＰめっき被膜を研磨した。より具体的には、一次研磨工程と二次研磨工程を含む研磨工程を実施し、二次研磨工程の第３加工ステップの加工圧を１０［ｋＰａ］以上として、磁気ディスク用基板を製造した。

次に、検査装置「Ｃａｎｄｅｌａ」を使用して、比較例１から比較例５の磁気ディスク用基板について、実施例１から実施例５と同様の測定を行った。結果を以下の表４に示す。

表４に示すように、比較例１から比較例５の磁気ディスク用基板では、各々の評価区間において、周方向の表面形状の空間周期が５００［μｍ］以上１０００［μｍ］以下の波長帯における二乗平均平方根粗さＲｑの最大値（Ｒｑ＿ｍａｘ）が、比較例２および比較例５の表面（Ｔｏｐ）を除き、１．５［Å］以上であった。また、比較例１および比較例２の裏面、比較例３の表裏、比較例５の裏面において、すべての評価区間の二乗平均平方根粗さＲｑの平均値（Ｒｑ＿ａｖｅ）が、０．９［Å］を超えていた。また、比較例１、比較例２、および比較例５では、基板の表裏の主面は、二乗平均平方根粗さＲｑの平均値の差（ΔＲｑ＿ａｖｅ）が、０．１［Å］を超えていた。

なお、比較例２および比較例３では、前記特許文献１において規定されるΔＨ／Ｈ×１００［％］の値が、７％以上９％以下であった。

これら比較例１から比較例５の磁気ディスク用基板は、基板の外周領域における周方向のうねりのばらつきが発生し、磁気ディスクの薄型化と記憶容量の向上を可能にする観点から、良好な評価が得られなかった。

１０ 磁気ディスク用基板
１０ｃ 外周領域
１０ｉ 内周領域
１０ｐ 最外周領域
１０ｚ 評価区間
１１ 基板
１２ 無電解ＮｉＰめっき被膜
２３０ 研磨パッド
Ｃ 中心
Ｄｃ 周方向
Ｓ７０ 研磨工程
Ｓ７１ 一次研磨工程
Ｓ７２ 二次研磨工程
Ｓ１００ 磁気ディスク用基板の製造方法

Claims (7)

1. 基板の主面に無電解ＮｉＰめっき被膜を有する磁気ディスク用基板であって、
   前記基板の半径をＲ［ｍｍ］としたときに、前記基板の中心からの半径方向の距離が、Ｒ−２．５［ｍｍ］以上、Ｒ−０．５［ｍｍ］以下の範囲の前記主面の領域を外周領域とし、
   前記基板は、前記主面の内周領域と最外周領域との間の前記外周領域を前記基板の全周にわたって周方向に２［°］以上８［°］以下の角度間隔で分割した各々の評価区間において、前記周方向の表面形状の空間周期が５００［μｍ］以上１０００［μｍ］以下の波長帯における二乗平均平方根粗さＲｑが、１．５［Å］以下であることを特徴とする磁気ディスク用基板。
2. すべての前記評価区間の前記二乗平均平方根粗さＲｑの平均値が、０．９［Å］以下であることを特徴とする請求項１に記載の磁気ディスク用基板。
3. 前記基板の表裏の前記主面は、前記二乗平均平方根粗さＲｑの前記平均値の差が、０．１［Å］以下であることを特徴とする請求項２に記載の磁気ディスク用基板。
4. 前記基板は、アルミ基板であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の磁気ディスク用基板。
5. 研磨パッドを回転させて基板の主面の無電解ＮｉＰめっき被膜を研磨する研磨工程を有する磁気ディスク用基板の製造方法であって、
   前記基板の半径をＲ［ｍｍ］としたときに、前記基板の中心からの半径方向の距離が、Ｒ−２．５［ｍｍ］以上、Ｒ−０．５［ｍｍ］以下の範囲の前記主面の領域を外周領域とし、
   前記研磨工程において、前記基板が前記研磨パッドに対して不規則な滑りを生じるような低い加工圧で前記無電解ＮｉＰめっき被膜を研磨することで、前記主面の内周領域と最外周領域との間の前記外周領域を前記基板の全周にわたって周方向に２［°］以上８［°］以下の角度間隔で分割した各々の評価区間において、前記周方向の表面形状の空間周期が５００［μｍ］以上１０００［μｍ］以下の波長帯における二乗平均平方根粗さＲｑが、１．５［Å］以下の前記基板を得ることを特徴とする磁気ディスク用基板の製造方法。
6. 前記研磨工程において、前記基板を回転させて前記研磨パッドによる前記無電解ＮｉＰめっき被膜の研磨方向を変化させ、多方向から前記無電解ＮｉＰめっき被膜を均等に研磨することを特徴とする請求項５に記載の磁気ディスク用基板の製造方法。
7. 前記研磨工程は、前記主面の粗仕上げを行う一次研磨工程と、前記主面の最終仕上げを行う二次研磨工程とを有し、
   前記二次研磨工程は、前記加工圧の異なる複数の加工ステップを有し、
   前記加工圧が最も高くなる前記加工ステップにおいて、前記加工圧が７［ｋＰａ］以上、９［ｋＰａ］以下であることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の磁気ディスク用基板の製造方法。

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