JP6882689B2 - 基材表面の選択的修飾方法及び組成物 - Google Patents

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Description

本発明は、基材表面の選択的修飾方法及び組成物に関する。
半導体デバイスのさらなる微細化に伴い、３０ｎｍを切る微細パターンを形成する技術が要求されている。しかし、従来のリソグラフィーによる方法では、光学的要因等により技術的に困難になってきている。
そこで、いわゆるボトムアップ技術を用いて微細パターンを形成することが検討されている。このボトムアップ技術としては、重合体の自己組織化を利用する方法の他、微細な領域を表層に有する基材を選択的に修飾する方法が検討されるようになってきている。この選択的修飾方法には、簡便かつ高選択的に表面領域を修飾することができる材料が必要であり、種々のものが検討されている（特開２０１６−２５３５５号公報、特開２００３−７６０３６号公報、ＡＣＳ Ｎａｎｏ，９，９，８７１０，２０１５、ＡＣＳ Ｎａｎｏ，９，９，８６５１，２０１５、Ｓｃｉｅｎｃｅ，３１８，４２６，２００７及びＬａｎｇｍｕｉｒ，２１，８２３４，２００５参照）。
特開２０１６−２５３５５号公報 特開２００３−７６０３６号公報
ＡＣＳ Ｎａｎｏ，９，９，８７１０，２０１５ ＡＣＳ Ｎａｎｏ，９，９，８６５１，２０１５ Ｓｃｉｅｎｃｅ，３１８，４２６，２００７ Ｌａｎｇｍｕｉｒ，２１，８２３４，２００５
しかし、上記従来の材料では、低分子材料ゆえ、既存プロセスでのスピンコート法では塗布できず、効率の悪いＬａｎｇｍｕｉｒ−Ｂｌｏｄｇｅｔｔ法を用いる必要があり、耐熱性に劣るという不都合がある。そのため、粘度が大きく、耐熱性を有する高分子材料を用いることが望ましい。一方で、高分子材料は立体障害が大きいため、効率よく基材表面を修飾することはできておらず、また、十分な選択性を簡単に見い出すことができる手法は未だ知られていない。
本発明は、上述のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、金属を含む表面領域を簡便に、高選択的かつ高密度に修飾することができる基材表面の選択的修飾方法及び組成物を提供することにある。
上記課題を解決するためになされた発明は、金属を含む第一の領域を表層に有する基材を準備する工程と、上記基材の表面に、上記金属と結合する第１官能基を含む基を主鎖又は側鎖の末端に有する第１重合体及び溶媒を含有する組成物を塗工する工程と、上記塗工工程により形成される塗膜を加熱する工程とを備える基材表面の選択的修飾方法である。
上記課題を解決するためになされた別の発明は、基材表面の選択的修飾方法に用いられる組成物であって、金属と結合を形成する第１官能基を含む基を主鎖又は側鎖の末端に有する重合体と溶媒とを含有することを特徴とする。
本発明の基材表面の選択的修飾方法及び組成物によれば、金属を含む表面領域を簡便に、高選択的かつ高密度に修飾することができる。従って、当該基材表面の選択的修飾方法及び組成物は、今後ますます微細化が進行すると予想される半導体デバイスの加工プロセス等に好適に用いることができる。
ストライプ状基板を作製するための基板の断面図である。 選択的表面修飾の評価に用いたストライプ状基板の断面図である。
以下、当該基材表面の選択的修飾方法（以下、単に、「選択的修飾方法」という）の実施の形態について詳説する。
＜選択的修飾方法＞
当該選択的修飾方法は、金属（以下、「金属（Ａ）」ともいう）を含む第一の領域（以下、「領域（Ｉ）」ともいう）を表層に有する基材を準備する工程（以下、「準備工程」ともいう）と、上記基材の表面に、上記金属（Ａ）と結合する第１官能基（以下、「官能基（Ａ）」ともいう）を含む基（以下、「基（Ｉ）」ともいう）を主鎖又は側鎖の末端に有する第１重合体（以下、「［Ａ］重合体」ともいう）及び溶媒（以下、「［Ｂ］溶媒」ともいう）を含有する組成物（以下、「組成物（Ｉ）」ともいう）を塗工する工程（以下、「塗工工程」ともいう）と、上記塗工工程により形成される塗膜を加熱する工程（以下、「加熱工程」ともいう）とを備える。当該選択的修飾方法は、上記基材が、実質的に非金属（以下、「非金属（Ｂ）」ともいう）のみからなる第二の領域（以下、「領域（ＩＩ）」ともいう）をさらに有し、加熱工程の後に、上記塗膜のうち上記領域（ＩＩ）上に形成された部分をリンス液により除去する工程（以下、「除去工程」ともいう）をさらに備えることが好ましい。
また、当該選択的修飾方法は、例えば
上記除去工程後の基材の表面に、アルコール、希酸、オゾン又はプラズマを接触させる工程（以下、「接触工程」ともいう）、上記除去工程後の基材の表面に、ＣＶＤ法又はＡＬＤ法によりパターンを堆積させる工程（以下、「堆積工程」ともいう）、上記除去工程後の基材の表面上の上記［Ａ］重合体をエッチングにより除去する工程（以下、「エッチング工程」ともいう）等をさらに備えてもよい。以下、各工程について説明する。
［準備工程］
本工程では、金属（Ａ）を含む領域（Ｉ）を表層に有する基材を準備する。
金属（Ａ）としては、金属元素であれば特に限定されない。なお、ケイ素は、非金属であり、金属に該当しない。金属（Ａ）としては、例えば銅、鉄、亜鉛、コバルト、アルミニウム、スズ、タングステン、ジルコニウム、チタン、タンタル、ゲルマニウム、モリブデン、ルテニウム、金、銀、白金、パラジウム、ニッケル等が挙げられる。これらの中で、銅、コバルト、タングステン及びタンタルが好ましい。
領域（Ｉ）中における金属（Ａ）の含有形態としては、例えば金属単体、合金、導電性窒化物、金属酸化物、シリサイド等が挙げられる。
金属単体としては、例えば銅、鉄、コバルト、タングステン、タンタル等の金属の単体等が挙げられる。
合金としては、例えばニッケル−銅合金、コバルト−ニッケル合金、金−銀合金等が挙げられる。
導電性窒化物としては、例えば窒化タンタル、窒化チタン、窒化鉄、窒化アルミニウム等が挙げられる。
金属酸化物としては、例えば酸化タンタル、酸化アルミニウム、酸化鉄、酸化銅等が挙げられる。
シリサイドとしては、例えば鉄シリサイド、モリブデンシリサイド等が挙げられる。これらの中で、金属単体、合金、導電性窒化物及びシリサイドが好ましく、金属単体及び導電性窒化物がより好ましく、銅単体、コバルト単体、タングステン単体、タンタル単体及び窒化タンタルがさらに好ましい。
基材の表層には、領域（Ｉ）以外に、通常、実質的に非金属（Ｂ）のみからなる領域（ＩＩ）を有する。
領域（ＩＩ）中における非金属（Ｂ）の含有形態としては、例えば非金属単体、非金属酸化物、非金属窒化物、非金属酸化物窒化物等が挙げられる。
非金属単体としては、例えばケイ素、炭素等の単体などが挙げられる。
非金属酸化物としては、例えば酸化ケイ素等が挙げられる。
非金属窒化物としては、例えばＳｉＮｘ、Ｓｉ３Ｎ４等が挙げられる。
非金属酸化物窒化物としては、例えばＳｉＯＮ等が挙げられる。これらの中で、非金属酸化物が好ましく、酸化ケイ素がより好ましい。
基材の表層における領域（Ｉ）及び／又は領域（ＩＩ）の存在形状としては特に限定されず、例えば平面視で面状、点状、ストライプ状等が挙げられる。領域（Ｉ）及び領域（ＩＩ）の大きさは特に限定されず、適宜所望の大きさの領域とすることができる。
基材の形状としては、特に限定されず、板状（基板）、球状等、適宜所望の形状とすることができる。
［塗工工程］
本工程では、上記基材の表面に、組成物（Ｉ）を塗工する。
組成物（Ｉ）の塗工方法としては、例えばスピンコート法等が挙げられる。
［組成物（Ｉ）］
組成物（Ｉ）は、［Ａ］重合体及び［Ｂ］溶媒を含有する。組成物（Ｉ）は、［Ａ］重合体及び［Ｂ］溶媒以外に他の成分を含有していてもよい。
（［Ａ］重合体）
［Ａ］重合体は、基（Ｉ）を主鎖又は側鎖の末端に有する重合体である。「主鎖」とは、重合体の原子鎖のうち最も長いものをいう。「側鎖」とは、重合体の原子鎖のうち主鎖以外のものをいう。表面修飾する［Ａ］重合体の密度をより高める観点から、［Ａ］重合体は、基（Ｉ）を主鎖の末端に有していることが好ましく、主鎖の一方の末端に有していることがより好ましい。
基（Ｉ）は、金属（Ａ）と結合する官能基（Ａ）を含む基である。官能基（Ａ）は、金属（Ａ）と結合する官能基である。この結合としては、例えば化学結合であり、共有結合、イオン結合、配位結合等が挙げられる。これらの中で、金属−官能基間の結合力がより大きい観点から、配位結合が好ましい。
官能基（Ａ）としては、金属（Ａ）と配位結合等する官能基などが挙げられ、例えばシアノ基、スルファニル基、エチレン性炭素−炭素二重結合含有基、オキサゾリン環含有基、リン酸基、エポキシ基、ジスルフィド基等が挙げられる。
［Ａ］重合体としては、例えば置換又は非置換のスチレンに由来する構造単位、（メタ）アクリル酸又は（メタ）アクリル酸エステルに由来する構造単位、置換又は非置換のエチレンに由来する構造単位等を有する重合体が挙げられる。また、［Ａ］重合体は、架橋性基を含む構造象単位を有していてもよい。［Ａ］重合体は、置換又は非置換のスチレンに由来する構造単位、（メタ）アクリル酸又は（メタ）アクリル酸エステルに由来する構造単位、置換又は非置換のエチレンに由来する構造単位、及び／又は架橋性基を含む構造単位等をそれぞれ１種又は２種以上有していてもよい。なお、「架橋性基」とは、加熱条件下、活性エネルギー線照射条件下、酸性条件下等における反応により、架橋構造を形成する基をいう。
上記置換又は非置換のスチレンに由来する構造単位を与える単量体としては、例えばスチレン、α−メチルスチレン、ｏ−、ｍ−、ｐ−メチルスチレン、ｐ−ｔ−ブチルスチレン、２，４，６−トリメチルスチレン、ｐ−メトキシスチレン、ｐ−ｔ−ブトキシスチレン、ｏ−、ｍ−、ｐ−ビニルスチレン、ｏ−、ｍ−、ｐ−ヒドロキシスチレン、ｍ−、ｐ−クロロメチルスチレン、ｐ−クロロスチレン、ｐ−ブロモスチレン、ｐ−ヨードスチレン、ｐ−ニトロスチレン、ｐ−シアノスチレン等が挙げられる。
上記（メタ）アクリル酸エステルに由来する構造単位を与える単量体としては、例えば
（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル等の（メタ）アクリル酸アルキルエステル；
（メタ）アクリル酸シクロペンチル、（メタ）アクリル酸シクロヘキシル、（メタ）アクリル酸１−メチルシクロペンチル、（メタ）アクリル酸２−エチルアダマンチル、（メタ）アクリル酸２−（アダマンタン−１−イル）プロピル等の（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル；
（メタ）アクリル酸フェニル、（メタ）アクリル酸ナフチル等の（メタ）アクリル酸アリールエステル；
（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸３−ヒドロキシアダマンチル、（メタ）アクリル酸３−グリシジルプロピル、（メタ）アクリル酸３−トリメチルシリルプロピル等の（メタ）アクリル酸置換アルキルエステルなどが挙げられる。
上記置換又は非置換のエチレンに由来する構造単位を与える単量体としては、例えば
エチレン；
プロペン、ブテン、ペンテン等のアルケン；
ビニルシクロペンタン、ビニルシクロヘキサン等のビニルシクロアルカン；
シクロペンテン、シクロヘキセン等のシクロアルケン；
４−ヒドロキシ−１−ブテン、ビニルグリシジルエーテル、ビニルトリメチルシリルエーテル等が挙げられる。
上記置換又は非置換のスチレンに由来する構造単位、（メタ）アクリル酸エステルに由来する構造単位、又は置換又は非置換のエチレンに由来する構造単位を与える単量体の含有割合の下限としては、［Ａ］重合体を構成する全繰り返し単位に対して、２０モル％が好ましく、４０モル％がより好ましく、６０モル％がさらに好ましい。上記含有割合の上限としては、１００モル％であってもよく、９０モル％が好ましい場合もあり、８５モル％がより好ましい場合もある。
上記架橋性基としては、例えば
ビニル基、ビニロキシ基、アリル基、（メタ）アクリロイル基、スチリル基等の重合性炭素−炭素二重結合含有基；
エチニル基、プロパルギル基、プロパルギルオキシ基、プロパルギルアミノ基等の重合性炭素−炭素三重結合含有基；
オキシラニル基、オキシラニルオキシ基、オキセタニル基、オキセタニルオキシ基等の環状エーテル基；
シクロブタン環が縮環したフェニル基、シクロブタン環が縮環したナフチル基等のシクロブタン環が縮環したアリール基；
アセトキシフェニル基、ｔ−ブトキシフェニル基等の酸基又は熱解離性基で保護されたフェノール性水酸基が結合したアリール基；
アセトキシメチルフェニル基、メトキシメチルフェニル基等の酸基又は熱解離性基で保護されたメチロール基（−ＣＨ２ＯＨ）が結合したアリール基；
スルファニルメチルフェニル基、メチルスルファニルメチルフェニル基等の置換又は非置換のスルファニルメチル基（−ＣＨ２ＳＨ）が結合したアリール基などが挙げられる。
シクロブタン環が縮環したアリール基同士は、加熱条件下、共有結合を形成する。
「酸基」とは、酸からＯＨを除いた基であって、フェノール性水酸基又はメチロール基の水素原子を置換して保護する基をいう。「熱解離性基」とは、フェノール性水酸基、メチロール基又はスルファニルメチル基の水素原子を置換する基であって、加熱により解離する基をいう。
保護されたフェノール性水酸基、メチロール基又はスルファニルメチル基が結合したアリール基における酸基としては、例えばホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
保護されたフェノール性水酸基が結合したアリール基における熱解離性基としては、例えばｔ−ブチル基、ｔ−アミル基等の３級アルキル基などが挙げられる。保護されたメチロール基又はスルファニルメチル基が結合したアリール基における熱解離性基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基などが挙げられる。
架橋性基としては、これらの中で、重合性炭素−炭素二重結合含有基及びシクロブタン環が縮環したアリール基が好ましく、アリル基及びシクロブタン環が縮環したフェニル基がより好ましい。
上記架橋性基を含む構造単位としては、例えば架橋性基を有するビニル化合物に由来する構造単位、架橋性基を有する（メタ）アクリル化合物に由来する構造単位等が挙げられる。
上記架橋性基を含む構造単位としては、重合性炭素−炭素二重結合含有基を有する（メタ）アクリル化合物に由来する構造単位、及びシクロブタン環が縮環したアリール基を有するビニル化合物に由来する構造単位が好ましく、アリルスチレンに由来する構造単位及び４−ビニルベンゾシクロブテンに由来する構造単位がより好ましい。
［Ａ］重合体が上記架橋性基を含む構造単位を含む場合、上記架橋性基を含む構造単位の含有割合の下限としては、［Ａ］重合体を構成する全繰り返し単位に対して、０．１モル％が好ましく、１モル％がより好ましく、３モル％がさらに好ましく、４モル％が特に好ましい。上記含有割合の上限としては、２０モル％が好ましく、１５モル％がより好ましく、１０モル％がさらに好ましく、８モル％が特に好ましい。
［Ａ］重合体としては、置換又は非置換のスチレンに由来する構造単位、（メタ）アクリル酸又は（メタ）アクリル酸エステルに由来する構造単位、及び／又は架橋性基を含む構造単位を含む重合体が好ましく、置換又は非置換のスチレンに由来する構造単位を含む重合体、（メタ）アクリル酸エステルに由来する構造単位を含む重合体、並びに置換又は非置換のスチレンに由来する構造単位及び架橋性基を含む構造単位を含む重合体がより好ましく、置換又は非置換のスチレンに由来する構造単位を含む重合体、（メタ）アクリル酸エステルに由来する構造単位を含む重合体、並びに置換又は非置換のスチレンに由来する構造単位及びシクロブタン環が縮環したアリール基を有するビニル化合物に由来する繰り返し単位を含む重合体がさらにより好ましく、ポリスチレン、ポリｔ−ブチルスチレン、ポリメタクリル酸メチル、及びスチレン−４−ビニルベンゾシクロブテン共重合体がさらに好ましい。
［Ａ］重合体の数平均分子量（Ｍｎ）の下限としては、５００が好ましく、２，０００がより好ましく、４，０００がさらに好ましく、５，０００が特に好ましい。上記Ｍｎの上限としては、５０，０００が好ましく、３０，０００がより好ましく、１５，０００がさらに好ましく、８，０００が特に好ましい。
［Ａ］重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）のＭｎに対する比（Ｍｗ／Ｍｎ、分散度）の上限としては、５が好ましく、２がより好ましく、１．５がより好ましく、１．３が特に好ましい。上記比の下限としては、通常１であり、１．０５が好ましい。
［Ａ］重合体の含有量の下限としては、組成物（Ｉ）における全固形分に対して、８０質量％が好ましく、９０質量％がより好ましく、９５質量％がさらに好ましい。上記含有量の上限としては、例えば１００質量％である。「全固形分」とは、［Ｂ］溶媒以外の成分の総和をいう。
（［Ｂ］溶媒）
［Ｂ］溶媒としては、少なくとも［Ａ］重合体及び他の成分を溶解又は分散可能な溶媒であれば特に限定されない。
［Ｂ］溶媒としては、例えばアルコール系溶媒、エーテル系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エステル系溶媒、炭化水素系溶媒等が挙げられる。
アルコール系溶媒としては、例えば
４−メチル−２−ペンタノール、ｎ−ヘキサノール等の炭素数１〜１８の脂肪族モノアルコール系溶媒；
シクロヘキサノール等の炭素数３〜１８の脂環式モノアルコール系溶媒；
１，２−プロピレングリコール等の炭素数２〜１８の多価アルコール系溶媒；
プロピレングリコールモノメチルエーテル等の炭素数３〜１９の多価アルコール部分エーテル系溶媒などが挙げられる。
エーテル系溶媒としては、例えば
ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジペンチルエーテル、ジイソアミルエーテル、ジヘキシルエーテル、ジヘプチルエーテル等のジアルキルエーテル系溶媒；
テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等の環状エーテル系溶媒；
ジフェニルエーテル、アニソール（メチルフェニルエーテル）等の芳香環含有エーテル系溶媒などが挙げられる。
ケトン系溶媒としては、例えば
アセトン、メチルエチルケトン、メチル−ｎ−プロピルケトン、メチル−ｎ−ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル−ｉｓｏ−ブチルケトン、２−ヘプタノン（メチル−ｎ−ペンチルケトン）、エチル−ｎ−ブチルケトン、メチル−ｎ−ヘキシルケトン、ジ−ｉｓｏ−ブチルケトン、トリメチルノナノン等の鎖状ケトン系溶媒；
シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、シクロオクタノン、メチルシクロヘキサノン等の環状ケトン系溶媒；
２，４−ペンタンジオン、アセトニルアセトン、アセトフェノン等が挙げられる。
アミド系溶媒としては、例えば
Ｎ，Ｎ’−ジメチルイミダゾリジノン、Ｎ−メチルピロリドン等の環状アミド系溶媒；
Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルプロピオンアミド等の鎖状アミド系溶媒などが挙げられる。
エステル系溶媒としては、例えば
酢酸ｎ−ブチル、乳酸エチル等のモノカルボン酸エステル系溶媒；
プロピレングリコールアセテート等の多価アルコールカルボキシレート系溶媒；
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等の多価アルコール部分エーテルカルボキシレート系溶媒；
γ−ブチロラクトン、δ−バレロラクトン等のラクトン系溶媒；
シュウ酸ジエチル等の多価カルボン酸ジエステル系溶媒；
ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート系溶媒などが挙げられる。
炭化水素系溶媒としては、例えば
ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン等の炭素数５〜１２の脂肪族炭化水素系溶媒；
トルエン、キシレン等の炭素数６〜１６の芳香族炭化水素系溶媒等が挙げられる。
これらの中で、エステル系溶媒が好ましく、多価アルコール部分エーテルカルボキシレート系溶媒がより好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートがさらに好ましい。組成物（Ｉ）は、［Ｂ］溶媒を１種又は２種以上含有していてもよい。
（他の成分）
組成物（Ｉ）は、［Ａ］重合体及び［Ｂ］溶媒以外に他の成分を含有していてもよい。他の成分としては、例えば界面活性剤等が挙げられる。組成物（Ｉ）は、界面活性剤を含有することで、基材表面への塗工性を向上させることができる。
［組成物（Ｉ）の調製方法］
組成物（Ｉ）は、例えば［Ａ］重合体、［Ｂ］溶媒及び必要に応じて他の成分を所定の割合で混合し、好ましくは０．４５μｍ程度の細孔を有する高密度ポリエチレンフィルター等で濾過することにより調製することができる。組成物（Ｉ）の固形分濃度の下限としては、０．１質量％が好ましく、０．５質量％がより好ましく、０．７質量％がさらに好ましい。上記固形分濃度の上限としては、３０質量％が好ましく、１０質量％がより好ましく、３質量％がさらに好ましい。
［加熱工程］
本工程では、上記塗工工程により形成される塗膜を加熱する。これにより、基材表層の金属（Ａ）と、組成物（Ｉ）の［Ａ］重合体の官能基（Ａ）との結合形成が促進され、基材表面の領域（Ｉ）に、［Ａ］重合体を含む塗膜（以下、「塗膜（Ｉ）」ともいう）が積層される。
加熱の手段としては、例えばオーブン、ホットプレート等が挙げられる。加熱の温度の下限としては、８０℃が好ましく、１００℃がより好ましく、１３０℃がさらに好ましい。加熱の温度の上限としては、４００℃が好ましく、３００℃がより好ましく、２００℃がさらに好ましい。加熱の時間の下限としては、１０秒が好ましく、１分がより好ましく、２分がさらに好ましい。加熱の時間の上限としては、１２０分が好ましく、１０分がより好ましく、５分がさらに好ましい。
形成される塗膜（Ｉ）の平均厚みは、組成物（Ｉ）における［Ａ］重合体の種類及び濃度、並びに加熱工程における加熱温度、加熱時間等の条件を適宜選択することで、所望の値にすることができる。塗膜（Ｉ）の平均厚みの下限としては、０．１ｎｍが好ましく、１ｎｍがより好ましく、３ｎｍがさらに好ましい。上記平均厚みの上限としては、例えば２０ｎｍである。
［除去工程］
本工程では、塗膜（Ｉ）のうち領域（ＩＩ）上に形成された部分を除去する。これにより、加熱工程後の金属（Ａ）と結合していない［Ａ］重合体を含む部分が除去され、領域（Ｉ）の部分が選択的に修飾された基材が得られる。
除去工程における除去は、通常、加熱工程後の基材を、リンス液でリンスすることにより行う。リンス液としては、通常、有機溶媒が用いられ、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等の多価アルコール部分エーテルカルボキシレート系溶媒、イソプロパノール等のモノアルコール系溶媒などが用いられる。
以上により、金属を含む表面領域を簡便に、高選択的かつ高密度に修飾することができる。得られた基材は、例えば以下の工程を行うことにより、種々処理することができる。
［接触工程］
本工程では、上記除去工程後の基材の表面に、アルコール、希酸、過酸化水素水、オゾン又はプラズマを接触させる。これにより、領域（ＩＩ）に形成された空気酸化膜層を除去することができる。この希酸としては、特に限定されるわけではないが、例えば希塩酸、希硫酸、希硝酸、希クエン酸、希シュウ酸、希マレイン酸、希酢酸、希イソ酪酸、希２−エチルヘキサン酸等が挙げられる。
［堆積工程］
本工程では、上記除去工程後の基材の表面に、ＣＶＤ（化学的気相蒸着）法又はＡＬＤ（原子層堆積）法によりパターンを堆積させる。これにより、［Ａ］重合体で被覆されていない領域（ＩＩ）に、選択的にパターンを形成することができる。
［エッチング工程］
本工程では、上記除去工程後の基材の表面上の上記［Ａ］重合体をエッチングにより除去する。
エッチングの方法としては、例えばＣＦ４、Ｏ２ガス等を用い、各層のエッチングレートの差等を利用するケミカルドライエッチング、有機溶媒、フッ酸等の液体のエッチング液を用いたケミカルウェットエッチング（湿式現像）等の反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、スパッタエッチング、イオンビームエッチング等の物理的エッチングなどの公知の方法が挙げられる。これらの中で、反応性イオンエッチングが好ましく、ケミカルドライエッチング及びケミカルウェットエッチングがより好ましい。
ケミカルドライエッチングの前に、必要に応じて放射線を照射してもよい。放射線としては、エッチングにより除去する部分がポリメタクリル酸メチルブロックを含む重合体である場合には、ＵＶ照射等を用いることができる。また、酸素プラズマ処理を用いることもできる。上記ＵＶ照射又は酸素プラズマ処理により、ポリメタクリル酸メチルブロックが分解されるため、よりエッチングされ易くなる。
ケミカルウェットエッチングに用いられる有機溶媒としては、例えば
ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン等のアルカン；
シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等のシクロアルカン；
酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−ブチル、プロピオン酸メチル等の飽和カルボン酸エステル；
アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルｎ−ペンチルケトン等のケトン；
メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、４−メチル−２−ペンタノール等のアルコールなどが挙げられる。これらの溶媒は、単独で使用してもよく２種以上を併用してもよい。
以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。各物性値の測定方法を下記に示す。
［Ｍｗ及びＭｎ］
重合体のＭｗ及びＭｎは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により東ソー社のＧＰＣカラム（「Ｇ２０００ＨＸＬ」２本、「Ｇ３０００ＨＸＬ」１本及び「Ｇ４０００ＨＸＬ」１本）を使用し、以下の条件により測定した。
溶離液：テトラヒドロフラン（和光純薬工業社）
流量：１．０ｍＬ／分
試料濃度：１．０質量％
試料注入量：１００μＬ
カラム温度：４０℃
検出器：示差屈折計
標準物質：単分散ポリスチレン
［１３Ｃ−ＮＭＲ分析］
１３Ｃ−ＮＭＲ分析は、核磁気共鳴装置（日本電子社の「ＪＮＭ−ＥＸ４００」）を使用し、測定溶媒としてＣＤＣｌ３を用いて行った。重合体における各構造単位の含有割合は、１３Ｃ−ＮＭＲで得られたスペクトルにおける各構造単位に対応するピークの面積比から算出した。
＜［Ａ］重合体の合成＞
［合成例１］
５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったＴＨＦ１２０ｇを注入し、−７８℃まで冷却した。このＴＨＦにｓｅｃ−ブチルリチウム（ｓｅｃ−ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液２．３８ｍＬ（２．３１ｍｍｏｌ）を注入し、さらに、重合禁止剤除去のためシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったスチレン１３．３ｍＬ（０．１１５ｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が−６０℃以上にならないように注意した。滴下終了後に３０分間熟成した。次に、末端停止剤としてのメタノール１ｍＬを注入し重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）で置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返してシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してからメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この固体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ−１）１１．７ｇを得た。この重合体（Ａ−１）は、Ｍｗが５，６００、Ｍｎが５，３００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０６であった。
［合成例２］
５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったＴＨＦ１２０ｇを注入し、−７８℃まで冷却した。このＴＨＦにｓｅｃ−ブチルリチウム（ｓｅｃ−ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液を２．３８ｍＬ（２．３０ｍｍｏｌ）注入し、さらに、重合禁止剤除去のためシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったスチレン１３．３ｍＬ（０．１１５ｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が−６０℃以上にならないように注意した。滴下終了後に３０分間熟成した。次に、末端停止剤としての４−クロロメチル−２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラン０．３２ｍＬ（２．３０ｍｍｏｌ）を注入し重合末端の停止反応を行った。次に、１Ｎの塩酸水溶液を１０ｇ加え、６０℃で２時間加熱撹拌を行って加水分解反応を行い、末端基としてジオール構造を有する重合体を得た。この反応溶液を室温まで冷却し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をＭＩＢＫで置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返してシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してからメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この固体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ−２）１１．３ｇを得た。この重合体（Ａ−２）は、Ｍｗが５，３００、Ｍｎが４，９００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０８であった。
［合成例３］
５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン１２０ｇを注入し、−７８℃まで冷却した。その後、このテトラヒドロフランにｓｅｃ−ブチルリチウム（ｓｅｃ−ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液を２．３８ｍＬ（２．３０ｍｍｏｌ）注入し、その後、重合禁止剤除去のためシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったスチレン１３．３ｍＬ（０．１１５ｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が−６０℃以上にならないように注意した。滴下終了後に３０分間熟成した。その後、３−ブロモプロピオニトリルを０．１９ｍＬ（２．３０ｍｍｏｌ）注入し重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）で置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、金属Ｌｉを除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返しシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この固体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ−３）１１．９ｇを得た。このブロック共重合体（Ａ−３）は、Ｍｗが５，６００、Ｍｎが５，２００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０８であった。
［合成例４］
５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン１２０ｇを注入し、−７８℃まで冷却した。その後、このテトラヒドロフランにｓｅｃ−ブチルリチウム（ｓｅｃ−ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液を２．３８ｍＬ（２．３０ｍｍｏｌ）注入し、その後、重合禁止剤除去のためのシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったスチレン１３．３ｍＬ（０．１１５ｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が−６０℃以上にならないように注意した。滴下終了後に３０分間熟成した。その後、アリルブロミドを０．２０ｍＬ（２．３０ｍｍｏｌ）注入し重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮してメチル溶媒をイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）で置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、金属Ｌｉを除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返しシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この固体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ−４）１１．４ｇを得た。この重合体（Ａ−４）は、Ｍｗが５，７００、Ｍｎが５，２００、Ｍｗ／Ｍｎが１．１０であった。
［合成例５］
５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン１２０ｇを注入し、−７８℃まで冷却した。その後、このテトラヒドロフランにｓｅｃ−ブチルリチウム（ｓｅｃ−ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液を２．３８ｍＬ（２．３１ｍｍｏｌ）注入し、その後、重合禁止剤除去のためシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったスチレン１３．３ｍＬ（０．１１５ｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が−６０℃以上にならないように注意した。滴下終了後に３０分間熟成した。その後、末端停止剤としてエチレンスルフィド０．１４ｍＬ（２．３１ｍｍｏｌ）、メタノール１ｍＬ及びｐ−メトキシフェノール０．３ｇを加え、重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）で置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返しシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この固体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ−５）１１．０ｇを得た。この重合体（Ａ−５）は、Ｍｗが５，３００、Ｍｎが５，１００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０４であった。
［合成例６］
５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン１２０ｇを注入し、−７８℃まで冷却した。その後、このテトラヒドロフランにｓｅｃ−ブチルリチウム（ｓｅｃ−ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液を２．３８ｍＬ（２．３０ｍｍｏｌ）注入し、その後、重合禁止剤除去のためシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったスチレン１３．３ｍＬ（０．１１５ｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が−６０℃以上にならないように注意した。滴下終了後に３０分間熟成した。その後、末端停止剤としてプロピレンスルフィド０．１８ｍＬ（２．３８ｍｍｏｌ）、メタノール１ｍＬ及びｐ−メトキシフェノール０．３ｇを注入し重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）で置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返しシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この重合体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ−６）１１．３ｇを得た。この重合体（Ａ−６）は、Ｍｗが５，２００、Ｍｎが５，０００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０４であった。
［合成例７］
５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン１２０ｇを注入し、−７８℃まで冷却した。その後、このテトラヒドロフランにｓｅｃ−ブチルリチウム（ｓｅｃ−ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液を１．７６ｍＬ（１．７１ｍｍｏｌ）注入し、その後、重合禁止剤除去のためシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったスチレン１３．３ｍＬ（０．１１５ｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が−６０℃以上にならないように注意した。滴下終了後に３０分間熟成した。その後、末端停止剤としてエチレンスルフィド０．１１ｍＬ（１．７６ｍｍｏｌ）、５質量％塩酸水溶液１ｍＬ及びｐ−メトキシフェノール０．３ｇを注入し重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）で置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返しシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この固体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ−７）１１．７ｇを得た。この重合体（Ａ−７）は、Ｍｗが７，０００、Ｍｎが６，８００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０３であった。
［合成例８］
５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン１２０ｇを注入し、−７８℃まで冷却した。その後、このテトラヒドロフランにｓｅｃ−ブチルリチウム（ｓｅｃ−ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液を４．７６ｍＬ（４．７９ｍｍｏｌ）注入し、その後、重合禁止剤除去のためシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったスチレン１３．３ｍＬ（０．１１５ｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が−６０℃以上にならないように注意した。滴下終了後に３０分間熟成した。その後、末端停止剤としてエチレンスルフィド０．２９ｍＬ（４．７９ｍｍｏｌ）、酢酸１ｍＬ及びｐ−メトキシフェノール０．３ｇを注入し重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）で置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返しシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この固体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ−８）１１．６ｇを得た。この重合体（Ａ−８）は、Ｍｗが２，５００、Ｍｎが２，４００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０４であった。
［合成例９］
５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン１２０ｇを注入し、−７８℃まで冷却した。その後、このテトラヒドロフランにｓｅｃ−ブチルリチウム（ｓｅｃ−ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液を２．５７ｍＬ（２．５０ｍｍｏｌ）注入し、その後、重合禁止剤除去のためシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったｔｅｒｔ−ブチルスチレン１３．７ｍＬ（０．０７４８ｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が−６０℃以上にならないように注意した。滴下終了後に３０分間熟成した。この後、末端停止剤としてエチレンスルフィド０．１６ｍＬ（２．５０ｍｍｏｌ）、メタノール１ｍＬ及びｐ−メトキシフェノール０．３ｇを注入し重合末端の停止反応を行い、さらにｐ−メトキシフェノール０．３ｇを加えた。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）で置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返しシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この重合体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ−９）１１．３ｇを得た。この重合体（Ａ−９）は、Ｍｗが５，０００、Ｍｎが４，８００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０４であった。
［合成例１０］
５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン１２０ｇを注入し、−７８℃まで冷却した。その後、このテトラヒドロフランにｓｅｃ−ブチルリチウム（ｓｅｃ−ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液を２．５７ｍＬ（２．５０ｍｍｏｌ）注入し、その後、重合禁止剤除去のためシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったｔｅｒｔ−ブチルスチレン１３．７ｍＬ（０．０７４８ｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が−６０℃以上にならないように注意した。滴下終了後に３０分間熟成した。この後、末端停止剤としてプロピレンスルフィド０．１９ｍＬ（２．５０ｍｍｏｌ）、メタノール１ｍＬを注入し重合末端の停止反応を行い、さらにｐ−メトキシフェノール０．３ｇを加えた。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）で置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返しシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この固体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ−１０）１１．８ｇを得た。この重合体（Ａ−１０）は、Ｍｗが４，８００、Ｍｎが４，５００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０７であった。
［合成例１１］
５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン１２０ｇを注入し、−７８℃まで冷却した。その後、このテトラヒドロフランにｓｅｃ−ブチルリチウム（ｓｅｃ−ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液を２．３８ｍＬ（２．３０ｍｍｏｌ）注入し、その後、重合禁止剤除去のためのシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったスチレン１３．３ｍＬ（０．１１５ｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が−６０℃以上にならないように注意した。滴下終了後に３０分間熟成した。その後、クロロベンゾオキサゾールを０．２６ｍＬ（２．３０ｍｍｏｌ）注入し重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）で置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返しシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この固体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ−１１）１１．５ｇを得た。この重合体（Ａ−１１）は、Ｍｗが５，７００、Ｍｎが５，２００、Ｍｗ／Ｍｎが１．１０であった。
［合成例１２］
５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン１２０ｇを注入し、−７８℃まで冷却した。その後、このテトラヒドロフランにｓｅｃ−ブチルリチウム（ｓｅｃ−ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液を２．３８ｍＬ（２．３０ｍｍｏｌ）注入し、その後、重合禁止剤除去のためのシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったスチレン１３．３ｍＬ（０．１１５ｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が−６０℃以上にならないように注意した。滴下終了後に３０分間熟成した。この後、エピクロロヒドリンを０．１７ｍＬ（２．３０ｍｍｏｌ）注入し重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）で置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返しシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この固体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ−１２）１１．２ｇを得た。この重合体（Ａ−１２）は、Ｍｗが５，７００、Ｍｎが５，２００、Ｍｗ／Ｍｎが１．１０であった。
［合成例１３］
５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン１２０ｇを注入し、−７８℃まで冷却した。その後、このテトラヒドロフランにｓｅｃ−ブチルリチウム（ｓｅｃ−ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液を２．３８ｍＬ（２．３１ｍｍｏｌ）注入し、その後、重合禁止剤除去のためシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったスチレン１３．３ｍＬ（０．１１５ｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が−６０℃以上にならないように注意した。滴下終了後に３０分間熟成した。その後、末端停止剤としてエチレンスルフィド０．１４ｍＬ（２．３１ｍｍｏｌ）、メタノール１ｍＬを注入し重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）で置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返しシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。次に、この重合体をテトラヒドロフラン５０ｇに溶解させ、アゾイソブチロニトリル１．０ｇ（６．１ｍｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下、８０℃、８時間加熱撹拌し、カップリング反応させジスルフィド体を生成させた。この重合体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ−１３）１１．４ｇを得た。この重合体（Ａ−１３）は、Ｍｗが５，３００、Ｍｎが５，１００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０４であった。
［合成例１４］
５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン１２０ｇを注入し、−７８℃まで冷却した。その後、このテトラヒドロフランにｓｅｃ−ブチルリチウム（ｓｅｃ−ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液を２．３８ｍＬ（２．３０ｍｍｏｌ）注入し、その後、重合禁止剤除去のためのシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったスチレン１３．３ｍＬ（０．１１５ｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が−６０℃以上にならないように注意した。滴下終了後に３０分間熟成した。その後、２−クロロメチルピリジンを０．２９ｇ（２．３０ｍｍｏｌ）加え重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）で置換した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、下層の水層を取り除いた。この操作を５回繰り返しシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この固体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ−１４）１１．１ｇを得た。この重合体（Ａ−１４）は、Ｍｗが５，７００、Ｍｎが５，２００、Ｍｗ／Ｍｎが１．１０であった。
［合成例１５］
冷却管、滴下ロート及び温度計を備えた２００ｍＬ３口フラスコに、アニソール４０ｇ、スチレン２０．８ｇ（０．２００ｍｏｌ）、臭化銅（ＩＩ）０．２９ｇ（２．００ｍｍｏｌ）及びトリス［（２−ジメチルアミノ）エチル］アミン０．４６ｇ（２ｍｍｏｌ）を加え、１００℃に加熱し、２−ブロモイソ酪酸エチル０．５３ｍＬ（３．６ｍｍｏｌ）を加え、窒素フロー下、８時間加熱撹拌した。得られた重合溶液は、酢酸エチル１００ｇで薄めセライト濾過し銅錯体を除去し、超純水５００ｇにて洗浄を５回繰り返した。有機層を回収したのち、濃縮した樹脂溶液にテトラヒドロフラン５０ｇを加えたものをメタノール、１，０００ｇへ沈殿精製させポリマーを析出させた。この固体をブフナーロートにて回収し、メタノール５０ｇにてすすいだ。得られた固体を減圧乾燥することで白色の重合体（Ａ−１５）１１．２ｇを得た。この重合体（Ａ−１５）は、Ｍｗが５，６００、Ｍｎが４，６００、Ｍｗ／Ｍｎが１．２２であった。
［合成例１６］
５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったＴＨＦ１２０ｇを注入し、−７８℃まで冷却した。このＴＨＦに１，１−ジフェニルエチレン１．０２ｍＬ（７．１９ｍｍｏｌ）、塩化リチウムの１Ｍテトラヒドロフラン溶液９．５９ｍＬ（４．７９ｍｍｏｌ）及びｓｅｃ−ブチルリチウム（ｓｅｃ−ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液を２．４７ｍＬ（２．４０ｍｍｏｌ）注入し、さらに、重合禁止剤除去のためのシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったメタクリル酸メチル１２．７ｍＬ（０．１２０ｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が−６０℃以上にならないように注意した。滴下終了後に１２０分間熟成した。次に１Ｎエチレンオキサイドトルエン溶液２．４０ｍＬ（２．４０ｍｍｏｌ）を加え、さらにメタノール１ｍＬを注入し重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をＭＩＢＫで置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返しシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この固体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ−１６）１１．２ｇを得た。この重合体（Ａ−１６）は、Ｍｗが５，２００、Ｍｎが５，０００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０４であった。
［合成例１７］
５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったＴＨＦ１２０ｇを注入し、−７８℃まで冷却した。このＴＨＦに１，１−ジフェニルエチレン１．０２ｍＬ（７．１９ｍｍｏｌ）、塩化リチウムの１Ｍテトラヒドロフラン溶液９．５９ｍＬ（４．７９ｍｍｏｌ）及びｓｅｃ−ブチルリチウム（ｓｅｃ−ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液を２．４７ｍＬ（２．４０ｍｍｏｌ）注入し、さらに、重合禁止剤除去のためのシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったメタクリル酸メチル１２．７ｍＬ（０．１２０ｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が−６０℃以上にならないように注意した。滴下終了後に１２０分間熟成した。次にエチレンスルフィド０．１４ｍＬ（２．４０ｍｍｏｌ）を加え、さらにメタノール１ｍＬ及びｐ−メトキシフェノール１ｇを注入し重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をＭＩＢＫで置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返しシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この固体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ−１７）１１．０ｇを得た。この重合体（Ａ−１７）は、Ｍｗが５，２００、Ｍｎが５，０００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０４であった。
［合成例１８］
５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったＴＨＦ１２０ｇを注入し、−７８℃まで冷却した。このＴＨＦに１，１−ジフェニルエチレン１．０２ｍＬ（７．１９ｍｍｏｌ）、塩化リチウムの１Ｍテトラヒドロフラン溶液９．５９ｍＬ（４．７９ｍｍｏｌ）及びｓｅｃ−ブチルリチウム（ｓｅｃ−ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液を２．４７ｍＬ（２．４０ｍｍｏｌ）注入し、さらに、重合禁止剤除去のためのシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったメタクリル酸メチル１２．７ｍＬ（０．１２０ｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が−６０℃以上にならないように注意した。滴下終了後に１２０分間熟成した。次に、３−ブロモプロピロニトリル０．１９ｍＬ（２．４０ｍｍｏｌ）を加え、さらにメタノール１ｍＬ及びｐ−メトキシフェノール１ｇを注入し重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をＭＩＢＫで置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返しシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この重合体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ−１８）１１．３ｇを得た。この重合体（Ａ−１８）は、Ｍｗが５，２００、Ｍｎが５，０００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０４であった。
［合成例１９］
５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったＴＨＦ１２０ｇを注入し、−７８℃まで冷却した。このＴＨＦに１，１−ジフェニルエチレン１．０２ｍＬ（７．１９ｍｍｏｌ）、塩化リチウムの１Ｍテトラヒドロフラン溶液９．５９ｍＬ（４．７９ｍｍｏｌ）及びｓｅｃ−ブチルリチウム（ｓｅｃ−ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液を２．４７ｍＬ（２．４０ｍｍｏｌ）注入し、さらに、重合禁止剤除去のためのシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったメタクリル酸メチル１２．７ｍＬ（０．１２０ｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が−６０℃以上にならないように注意した。滴下終了後に１２０分間熟成した。次に、アリルブロミド０．２１ｍＬ（２．４０ｍｍｏｌ）を加え、重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をＭＩＢＫで置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返しシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この重合体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ−１９）１１．１ｇを得た。この重合体（Ａ−１９）は、Ｍｗが５，２００、Ｍｎが５，０００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０４であった。
［合成例２０］
５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったＴＨＦ１２０ｇを注入し、−７８℃まで冷却した。このＴＨＦにｓｅｃ−ブチルリチウム（ｓｅｃ−ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液を２．３８ｍＬ（２．３０ｍｍｏｌ）注入し、さらに、重合禁止剤除去のためシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったスチレン１３．３ｍＬ（０．１１５ｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が−６０℃以上にならないように注意した。滴下終了後に３０分間熟成したのち、二酸化炭素を吹き込み、さらにメタノール１．０ｇを加え重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで冷却し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をＭＩＢＫで置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、シュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この固体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ−２０）１１．６ｇを得た。この重合体（Ａ−２０）は、Ｍｗが５，３００、Ｍｎが４，９００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０８であった。
［合成例２１］
５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったＴＨＦ１２０ｇを注入し、−７８℃まで冷却した。このＴＨＦにｓｅｃ−ブチルリチウム（ｓｅｃ−ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液２．３８ｍＬ（２．３１ｍｍｏｌ）を注入し、さらに、重合禁止剤除去のためシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったスチレン１３．３ｍＬ（０．１１５ｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が−６０℃以上にならないように注意した。滴下終了後に３０分間熟成した。次に、１，１―ジフェニルエチレン０．９８ｍＬ（６．９１ｍｍｏｌ）を加え、暗褐色に呈することを確認したのち、末端停止剤としての二硫化炭素０．１４ｍＬ（２．３０ｍｍｏｌ）、メタノール１ｍＬを注入し重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をＭＩＢＫで置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返してシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してからメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この固体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ−２１）１１．８ｇを得た。この重合体（Ａ−２１）は、Ｍｗが５，５００、Ｍｎが５，３００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０４であった。
［合成例２２］
５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったＴＨＦ１２０ｇを注入し、−７８℃まで冷却した。このＴＨＦにｓｅｃ−ブチルリチウム（ｓｅｃ−ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液２．３８ｍＬ（２．３１ｍｍｏｌ）を注入し、さらに、重合禁止剤除去のためシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったスチレン１３．３ｍＬ（０．１１５ｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が−６０℃以上にならないように注意した。滴下終了後に３０分間熟成した。次に、末端停止剤としてのジフェニルリン酸クロライド０．４１ｍＬ（２．３０ｍｍｏｌ）を注入し、重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をＭＩＢＫで置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返してシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してからメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。次に白色固体をテトラヒドロフラン１００ｇに溶解させ、トリエチルミアン１０ｇ、メタノール５ｇを加え、還流下、５時間加水分解反応を行い、再度、１０００ｇのメタノールへ沈殿精製することで白色固体を得た。つぎに、この固体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ−２２）１１．８ｇを得た。この重合体（Ａ−２２）は、Ｍｗが４，９００、Ｍｎが４，７００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０４であった。
［合成例２３］
２００ｍＬの３口フラスコ反応容器へアゾイソブチロニトリル０．０９８ｇ（０．６ｍｍｏｌ）、スチレン１２．５ｇ（１２０ｍｍｏｌ）、２−シアノー２−プロピルドデシルトリチオカーボナート０．８３ｇ（２．４ｍｍｏｌ）、アニソール２０ｇを加え、ドライアイスバス減圧下、脱気を３回行い、窒素雰囲気下とした。常温に戻ったことを確認したのち、８０℃、５時間加熱撹拌した。さらにビニルリン酸０．４８ｍＬとエチレングリコールモノメチルエーテル１ｍＬの混合液をシリンジで投入し、さらに８０℃、３時間加熱撹拌した。
この重合溶液をｎ−ヘキサン３００ｇへ沈殿精製し、得られた黄色固体を回収した。つぎに黄色固体をテトラヒドロフラン１００ｇに溶解させ、アゾイソブチロニトリル１．９７ｇ（１２ｍｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブチルドデシルメルカプタン２．０２ｇ（１０ｍｍｏｌ）を加え、８０℃、２時間還流させトリチオカーボナート末端の切り離し反応を行った。得られた重合溶液は、メタノール１，０００ｇへ沈殿精製させ、薄黄色の固体を得た。つぎに、この固体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ−２３）１０．２ｇを得た。この重合体（Ａ−２３）は、Ｍｗが４，８００、Ｍｎが４，３００、Ｍｗ／Ｍｎが１．１２であった。
［合成例２４］
５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったＴＨＦ１２０ｇを注入し、−７８℃まで冷却した。このＴＨＦにｓｅｃ−ブチルリチウム（ｓｅｃ−ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液２．１３ｍＬ（２．０７ｍｍｏｌ）を注入し、さらに、重合禁止剤除去のためシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったスチレン１１．４ｍＬ（０．０６２ｍｏｌ）、４−ビニルベンゾシクロブテン０．５ｍＬ（３．８４ｍｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が−６０℃以上にならないように注意した。末端停止剤としてのプロピレンスルフィド０．１６ｍＬ（２．０７ｍｍｏｌ）、メタノール１ｍＬ、ｐ−メトキシフェノール０．０１ｇを加え、重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をＭＩＢＫで置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返してシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してからメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この固体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ−２４）９．８ｇを得た。この重合体（Ａ−２４）は、Ｍｗが５，０００、Ｍｎが４，７００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０６であった。
［合成例２５］
５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったＴＨＦ１２０ｇを注入し、−７８℃まで冷却した。このＴＨＦにｓｅｃ−ブチルリチウム（ｓｅｃ−ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液２．０９ｍＬ（２．０３ｍｍｏｌ）を注入し、さらに、重合禁止剤除去のためシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったスチレン１１．１ｍＬ（０．０６２ｍｏｌ）、４−ビニルベンゾシクロブテン０．７ｍＬ（５．３８ｍｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が−６０℃以上にならないように注意した。末端停止剤としてのブロモプロピオニトリル０．３４ｍＬ（２．０３ｍｍｏｌ）、塩化リチウム０．５Ｎテトラヒドロフラン溶液４．１ｍＬ（２．０３ｍｍｏｌ）を加え、重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をＭＩＢＫで置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返してシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してからメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この固体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ−２５）１０．３ｇを得た。この重合体（Ａ−２５）は、Ｍｗが５，２００、Ｍｎが４，９００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０６であった。
（４―アリルスチレンの合成）
冷却機と滴下ロートを備えた５００ｍＬ３口フラスコに、ドライテトラヒドロフラン１００ｍＬ、マグネシウム３．０１ｇ（１１１ｍｍｏｌ）を加え、氷冷下、滴下ロートより４―クロロスチレン１２．７ｍＬ（１０６ｍｍｏｌ）を加え撹拌し、グリニャール試薬を精製させた。つぎに滴下ロートよりアリルブロミド７．８５ｍＬ（９２ｍｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下、５０℃で加熱撹拌した。反応終了後、濾過からろ液を回収し、メチルエチルケトンを加え、水洗を行った後、減圧濃縮した。次に、減圧蒸留から沸点が７８℃／１０Ｐａである留分を本流として、目的物１２．１ｇ（収率９２％）得た。
ＧＣ−Ｍａｓｓ ｍ／ｚ；１４４．０９
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；７．５９（２Ｈ，ｍ−Ｐｈ），７．１８（２Ｈ，ｏ−Ｐｈ），６．６３（１Ｈ，−ＣＨ＝），５．６１，５．１８（２Ｈ，ＣＨ２），５．２５（３Ｈ，ａｌｌｙｌ），２．３４（２Ｈ，−ＣＨ２−）
［合成例２６］
５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったＴＨＦ１２０ｇを注入し、−７８℃まで冷却した。このＴＨＦにｓｅｃ−ブチルリチウム（ｓｅｃ−ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液２．０９ｍＬ（２．０３ｍｍｏｌ）を注入し、さらに、重合禁止剤除去のためシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったスチレン１１．１ｍＬ（０．０６２ｍｏｌ）、４−アリルスチレン０．７８ｍＬ（５．３８ｍｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が−６０℃以上にならないように注意した。末端停止剤としてのブロモプロピオニトリル０．３４ｍＬ（２．０３ｍｍｏｌ）、塩化リチウム０．５Ｎテトラヒドロフラン溶液４．１ｍＬ（２．０３ｍｍｏｌ）を加え、重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をＭＩＢＫで置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返してシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してからメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この固体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ−２６）１０．５ｇを得た。この重合体（Ａ−２６）は、Ｍｗが５，３００、Ｍｎが５，１００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０４であった。
＜組成物の調製＞
［調製例１］
［Ａ］重合体としての（Ａ−１）１．２ｇに、［Ｂ］溶媒としてのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）９８．８ｇを加え、撹拌したのち、０．４５μｍの細孔を有する高密度ポリエチレンフィルターにて濾過することにより、組成物（Ｓ−１）を調製した。
［調製例２〜２６］
下記表１に示す種類及び含有量の各成分を用いた以外は、調製例１と同様にして、組成物（Ｓ−２）〜（Ｓ−２６）を調製した。
Figure 0006882689
＜評価＞
上記調製した組成物を、下記方法に従い、評価した。
＜金属基板上での選択的表面修飾の評価＞
［実施例１〜２５、２９〜３１、３４〜３６、比較例１及び２並びに参考例１〜７］
８インチの基板（銅基板、コバルト基板、タングステン基板、タンタル基板、タンタル窒化膜基板）を５質量％シュウ酸水溶液に浸漬させたのち、窒素フローにて乾燥させ、表面の酸化被膜を除去した。酸化ケイ素基板については、イソプロパノールにて表面処理を行った。
次に、トラック（東京エレクトロン社の「ＴＥＬＤＳＡ ＡＣＴ８」）を用いて、上記調製した組成物を１，５００ｒｐｍにてスピンコートし、１５０℃で１８０秒間焼成した。この基板をＰＧＭＥＡにて剥離し、未反応の重合体を除去した。基板上に形成された選択的表面修飾材は、エリプソメータの膜厚測定結果より、０ｎｍ〜５ｎｍ程度であった。次に、表面の接触角値を、接触角計（協和界面科学社のＤｒｏｐ ｍａｓｔｅｒ ＤＭ−５０１）を用いて測定した。さらに、膜厚を元に［Ａ］重合体（ブラシ）の存在密度σ（ｃｈａｉｎｓ／ｎｍ２）を下記式（１）により算出した。
σ＝ｄ×Ｌ×ＮＡ×１０−２１／Ｍｎ・・・（１）
ｄ：［Ａ］重合体の密度（ｇ／ｃｍ３）、Ｌ：膜の平均厚み（ｎｍ）、ＮＡ：アボガドロ数、Ｍｎ：［Ａ］重合体の数平均分子量
金属基板及び酸化ケイ素基板のそれぞれについて、基板表面に形成された重合体膜の平均厚み（ｎｍ）、接触角値（°）及び重合体（ブラシ）密度（ｃｈａｉｎｓ／ｎｍ２）について表２にそれぞれ示す。表２中の「−」は基材表面の選択性が示されておらず、重合体の存在密度を算出しなかったことを示す。
Figure 0006882689
＜銅−シリコンオキサイドからなるストライプ基板上での選択的表面修飾の評価＞
［実施例２６〜２８、３２〜３３、３７〜３９、比較例３及び参考例８］
図１に示す８インチ基板（Ｃｕ−ＥＰＣ：１０，０００Å／Ｃｕ−Ｓｅｅｄ：１，０００Å／ＴａＮ Ｂａｒｒｉｅｒ Ｌａｙｅｒ：２５０Å／シリコンオキサイド（酸化ケイ素）：５，０００Å／シリコンウエハ、０．１８μｍトレンチ）をＣＭＰスラリーにて研磨し、下記図２のように銅とシリコンオキサイドがストライプ状に並ぶ基板を作成した。次にこの基板を５質量％シュウ酸水溶液に浸漬させたのち、窒素フローにて乾燥させ、表面の酸化被膜を除去した。
この基板にトラック（東京エレクトロン社の「ＴＥＬＤＳＡ ＡＣＴ８」）を用いて、上記調製した組成物を１，５００ｒｐｍにてスピンコートし、１５０℃で１８０秒間焼成した。この基板をＰＧＭＥＡにて剥離し、未反応の重合体を除去した。次に、走査型プローブ顕微鏡（日立ハイテクサイエンス社、Ｓ−ｉｍａｇｅ（顕微鏡ユニット）及びＮａｎｏＮａｖｉＲｅａｌ（コントロールステーション））にて表面を観察し、凹凸より被覆部の膜厚を算出した。
銅−シリコンオキサイドストライプ基板上の銅、シリコンオキサイドのそれぞれの領域上に形成された重合体の塗膜の平均厚み（ｎｍ）を表３にそれぞれ示した。表３中の「ＮＤ」は、厚みが小さく、検出できなかったことを示す。
Figure 0006882689
表２及び表３の結果から、実施例の基材表面の選択的修飾方法によれば、金属を含む表面領域を簡便に、高選択的かつ高密度に修飾できることが示された。
本発明の基材表面の選択的修飾方法及び組成物によれば、金属を含む表面領域を簡便に、高選択的かつ高密度に修飾することができる。従って、当該基材表面の選択的修飾方法及び組成物は、今後ますます微細化が進行すると予想される半導体デバイスの加工プロセス等に好適に用いることができる。
１ シリコンウエハ
２ Ｃｕ−ＥＰＣ
３ Ｃｕ−ｓｅｅｄ
４ ＴａＮ
５ シリコンオキサイド

Claims (10)

  1. 金属を含む第一の領域を表層に有する基材を準備する工程と、
    上記基材の表面に、上記金属と結合する第１官能基を含む基を主鎖又は側鎖の末端に有する第１重合体及び溶媒を含有する組成物を塗工する工程と、
    上記塗工工程により形成される塗膜を加熱する工程と
    を備え、
    上記基材が、非金属単体、非金属酸化物、非金属窒化物又は非金属酸化物窒化物からなる第二の領域を上記表層にさらに有し、
    上記加熱工程の後に、上記塗膜のうち上記第二の領域上に形成された部分をリンス液により除去する工程
    をさらに備える基材表面の選択的修飾方法。
  2. 上記金属が、金属単体、合金、導電性窒化物又はシリサイドを構成している請求項１に記載の基材表面の選択的修飾方法。
  3. 上記金属が、銅、鉄、亜鉛、コバルト、アルミニウム、チタン、スズ、タングステン、ジルコニウム、タンタル、ゲルマニウム、モリブデン、ルテニウム、金、銀、白金、パラジウム又はニッケルである請求項１又は請求項２に記載の基材表面の選択的修飾方法。
  4. 上記第１重合体のポリスチレン換算数平均分子量が、５００以上５０，０００以下である請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基材表面の選択的修飾方法。
  5. 上記第１官能基が、シアノ基、スルファニル基、エチレン性炭素−炭素二重結合含有基、オキサゾリン環含有基、リン酸基、エポキシ基又はジスルフィド基である請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の基材表面の選択的修飾方法。
  6. 上記第１重合体が、置換又は非置換のスチレンに由来する構造単位、（メタ）アクリル酸又は（メタ）アクリル酸エステルに由来する構造単位、並びに置換又は非置換のエチレンに由来する構造単位から選ばれる少なくとも一種の構造単位を有する重合体である請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の基材表面の選択的修飾方法。
  7. 上記第１重合体が、上記第１官能基を含む基を主鎖の一方の末端に有する請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の基材表面の選択的修飾方法。
  8. 上記除去工程後の基材の表面に、アルコール、希酸、過酸化水素水、オゾン又はプラズマを接触させる工程
    をさらに備える請求項１に記載の基材表面の選択的修飾方法。
  9. 上記除去工程後の基材の表面に、ＣＶＤ法又はＡＬＤ法によりパターンを堆積させる工程
    をさらに備える請求項１に記載の基材表面の選択的修飾方法。
  10. 上記除去工程後の基材の表面上の上記第１重合体をエッチングにより除去する工程
    をさらに備える請求項１に記載の基材表面の選択的修飾方法。
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