JP6879663B2 - 荷電粒子ビーム装置 - Google Patents
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- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims description 44
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 144
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 90
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 29
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 56
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 32
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- BLIQUJLAJXRXSG-UHFFFAOYSA-N 1-benzyl-3-(trifluoromethyl)pyrrolidin-1-ium-3-carboxylate Chemical compound C1C(C(=O)O)(C(F)(F)F)CCN1CC1=CC=CC=C1 BLIQUJLAJXRXSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
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Description
以下、本発明に係る荷電粒子ビーム装置の実施形態について説明する。図1は、本実施形態の荷電粒子ビーム装置100の全体構成を示す。荷電粒子ビーム装置100は、第1の荷電粒子ビームとしての集束イオンビームを照射するFIB鏡筒1と、第2の荷電粒子ビームとしての電子ビーム(EB;Electron Beam)を照射するEB鏡筒2と、第3の荷電粒子ビームとしての気体イオンビームを照射するGIB鏡筒3と、試料Sを収容する試料室(チャンバー)40とを備えている。
本発明による荷電粒子ビーム装置のうち、GIB制御部13の他の実施形態を説明する。図3は、本実施形態のGIB鏡筒3およびGIB制御部13の構成図である。図2と同じ部材は同じ符号で示し、重複する説明は省略する。
図4は、GIB制御部13のさらに他の実施形態を示す図である。本実施形態では、主管路P4に設けられた第1のアパチャ230と第2のアパチャ231が、GIB鏡筒3のイオン源発生部3aに供給される原料ガスの流れを制限する。第1のアパチャ230、第2のアパチャ231は、例えば主管路P4の内壁に設けられた仕切り板などによって形成され、この仕切板には少量の原料ガスが通過可能な孔が設けられる。よってアパチャの前後では原料ガスの圧力差が発生し、必然的に第1のアパチャ230と第2のアパチャ231との間における主管路P4の内部の圧力は高くなる。
2:EB鏡筒
3:GIB鏡筒
4:二次電子検出器
5:試料台
6:試料ホルダ
8:第1の傾斜駆動部
10:回転駆動部
11:FIB制御部
12:EB制御部
13:GIB制御部
14:像形成部
15:試料台制御部
16:入力部
17:制御部
18:表示部
19:ガス銃
30:ガスボンベ
32:高真空ポンプ(第1の真空ポンプ)
34:低真空ポンプ(第2の真空ポンプ)
40:試料室
100:荷電粒子ビーム装置
131:減圧弁
132:バルブ
133:MFC(流量制御部)
134:バルブ
135:バルブ
136:バルブ
137:バルブ
138:バルブ(管路切り替えバルブ)
200:VLV(流量制御部)
220:ガス圧力計
221:ガス圧力計
222:ガス圧力計
230:第1のアパチャ
231:第2のアパチャ
P1:原料ガス交換管路
P2:バイパス管路
P3:排気管路
P4:主管路
P5:バイパス管路
S:試料
Claims (6)
- 試料にイオンビームを照射して加工可能な荷電粒子ビーム装置であって、
気体イオンビームを試料室内の試料に照射するGIB(Gas Ion Beam;気体イオンビーム)鏡筒と、
前記気体イオンビームの原料である原料ガスを前記GIB鏡筒に供給するGIB制御部と、を備え、
前記GIB制御部は、
前記原料ガスの流量を制御する流量制御部と、
前記GIB鏡筒の上流において当該GIB鏡筒に接続され、前記原料ガスを排気するために設けられたバイパス管路と、を含み、
前記バイパス管路は、前記原料ガスの種類に応じて開閉可能であり、
前記原料ガスがアルゴン(Ar)の場合前記バイパス管路は閉じ、前記原料ガスがキセノン(Xe)の場合前記バイパス管路は開く荷電粒子ビーム装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子ビーム装置であって、
前記バイパス管路は、前記流量制御部と前記GIB鏡筒との間に接続される荷電粒子ビーム装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子ビーム装置であって、
前記バイパス管路の途中に前記流量制御部が設けられる荷電粒子ビーム装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子ビーム装置であって、
前記流量制御部が、前記原料ガスの流量に基づき当該原料ガスの流量を制御するMFC(Mass Flow Controller;マスフローコントローラー)より構成される荷電粒子ビーム装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子ビーム装置であって、
前記流量制御部が、前記原料ガスの圧力に基づき当該原料ガスの流量を制御するVLV(Variable Leak Valve;バリアブルリークバルブ)より構成される荷電粒子ビーム装置。 - 請求項1から5のいずれか1項に記載の荷電粒子ビーム装置であって、
第1の真空ポンプと、
前記第1の真空ポンプが適用される真空度よりもより低い真空度を達成するために使用される第2の真空ポンプと、
前記GIB鏡筒においてイオン化されなかった前記原料ガスを排気する排気管路と、
前記バイパス管路と前記第1の真空ポンプとの接続である第1の接続と、前記バイパス管路と前記第2の真空ポンプとの接続である第2の接続と、前記排気管路と前記第2の真空ポンプとの接続である第3の接続と、を確保するとともに、前記第1、第2及び第3の接続を排他的に切り替えることが可能な管路切り替えバルブと、
を更に備える荷電粒子ビーム装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014263494 | 2014-12-25 | ||
JP2014263494 | 2014-12-25 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016127025A JP2016127025A (ja) | 2016-07-11 |
JP6879663B2 true JP6879663B2 (ja) | 2021-06-02 |
Family
ID=56358089
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015253893A Active JP6879663B2 (ja) | 2014-12-25 | 2015-12-25 | 荷電粒子ビーム装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6879663B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023094113A1 (en) * | 2021-11-24 | 2023-06-01 | Asml Netherlands B.V. | Systems and structures for venting and flow conditioning operations in inspection systems |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2015
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WO2023094113A1 (en) * | 2021-11-24 | 2023-06-01 | Asml Netherlands B.V. | Systems and structures for venting and flow conditioning operations in inspection systems |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016127025A (ja) | 2016-07-11 |
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