JP2012082462A - イオン注入装置および方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】材料ガスの効率的な使用を可能とするイオン注入装置を提供する。
【解決手段】イオンソースチャンバ2内のアークチャンバ3内に導入された材料ガスをイオン化し、イオン化したイオンを半導体基板に注入する際に、前記イオンソースチャンバ2内のガスを真空ポンプ20によって排気する。排気されたガスの一部は廃棄ガス流路31を介して除害装置21に導き、無害化して大気放出する。残りは環流ガス流路33を介して前記イオンソースチャンバ2に戻して再使用する。
【選択図】図3
【解決手段】イオンソースチャンバ2内のアークチャンバ3内に導入された材料ガスをイオン化し、イオン化したイオンを半導体基板に注入する際に、前記イオンソースチャンバ2内のガスを真空ポンプ20によって排気する。排気されたガスの一部は廃棄ガス流路31を介して除害装置21に導き、無害化して大気放出する。残りは環流ガス流路33を介して前記イオンソースチャンバ2に戻して再使用する。
【選択図】図3
Description
本発明の実施形態は、半導体製造におけるイオン注入技術に関する。
半導体製品の製造に使用されるイオン注入装置では、注入するイオンの材料ガスを分解・イオン化し、イオン化した粒子から所要の質量およびエネルギーを持ったものを選択し、選択したイオン化粒子を基板ウェハに加速して照射する。
このようなイオン注入装置においては、材料ガスの効率的な利用が求められている。
本発明の一つの実施形態は、材料ガスの効率的な使用を可能とするイオン注入装置および方法を提供することを目的とする。
本発明の一つの実施形態によれば、真空容器内に材料ガスを供給し、供給した材料ガスをイオン化し、イオン化したイオンを半導体基板に注入する。真空容器内のガスはポンプによって排気される。前記ポンプによって排気されたガスの一部は廃棄され、その残りは環流ガス流路を介して真空容器に戻される。
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかるイオン注入装置を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。
(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態のイオン注入装置の全体を模式的に示した図である。図1において、注入すべきイオンの材料ガス(一般に三弗化ホウ素BF3、フォスフィンPH3、アルシンAsH3等の何れか)は、処理レシピに定義された流量で、ガス供給流路1を介して真空容器としてのイオンソースチャンバ2内のアークチャンバ3内に導入される。アークチャンバ3内ではフィラメントから発生した熱電子をアーク電圧で加速し、加速した熱電子をアークチャンバ3内に導入した材料ガスに衝突させることで材料ガスの分解/イオン化(プラズマ化)を行い、これにより材料ガスのイオンを発生させる。アークチャンバ3はイオンを引出すためのスリット4を有し、引出電極5とアークチャンバ3との間に引き出し電圧6と呼ばれる電界を印加することで、スリット4を通してアークチャンバ3からイオンが引き出される。
図1は、第1の実施形態のイオン注入装置の全体を模式的に示した図である。図1において、注入すべきイオンの材料ガス(一般に三弗化ホウ素BF3、フォスフィンPH3、アルシンAsH3等の何れか)は、処理レシピに定義された流量で、ガス供給流路1を介して真空容器としてのイオンソースチャンバ2内のアークチャンバ3内に導入される。アークチャンバ3内ではフィラメントから発生した熱電子をアーク電圧で加速し、加速した熱電子をアークチャンバ3内に導入した材料ガスに衝突させることで材料ガスの分解/イオン化(プラズマ化)を行い、これにより材料ガスのイオンを発生させる。アークチャンバ3はイオンを引出すためのスリット4を有し、引出電極5とアークチャンバ3との間に引き出し電圧6と呼ばれる電界を印加することで、スリット4を通してアークチャンバ3からイオンが引き出される。
イオン化した粒子は、引き出し電圧6によって引き出され、所望のエネルギーに加速される。加速されたイオンは質量分析マグネット7により所定の質量とエネルギーを持った特定のイオンのみが選択される。質量分析マグネット7で選択された特定のイオンビームは、イオン輸送系11を経由して、プロセスチャンバ10内のスキャナー8でウェハWの大きさに応じてスキャンされ、さらにコリメータマグネット9によって平行ビームに変換された後、半導体基板としての基板ウェハWに照射される。なお、イオンの加速(減速)と質量分析の順序(組み合わせ)には目的とするエネルギー等によって構成が異なる場合もあり、たとえばアークチャンバ3から引き出してまず30kV程度に加速して質量分析を行った後で、目的のエネルギー(たとえば200kV)に再度加速する、あるいは低いエネルギーに減速する構成をとっている装置もある。
アークチャンバ3に導入された材料ガスは、イオンとして引き出されるかあるいは中性のガス粒子(分子/ラジカル分子/原子)の状態でスリット4から自由拡散によってより真空度の高いイオンソースチャンバ2内へと拡散していく。処理中には常に一定の引き出し電流量を保持するために一定量の材料ガスの供給が行われている。
ここで、アークチャンバ3内に導入された材料ガス中に含まれる目的の原子のうちイオンとして引き出されるものは一般的に10〜20%程度である。残りは、分解後のラジカル分子・分解再結合した別の分子としてイオンソースチャンバ2内へ拡散し、イオンソースチャンバ2に取り付けられたポンプ20により排気される。一部の分子はイオンソースチャンバ2からイオン輸送系11、プロセスチャンバ10へと拡散していく場合もあるが、全体に占める割合は小さく、大部分はイオンソースチャンバ2からポンプ20によって排気される。
図2は、比較例として示すイオン注入装置のイオンソースチャンバ2の排気部分の構成を示すものである。この比較例では、定常的に一定量の材料ガスをイオンソースチャンバ2に供給し続けており、イオンソースチャンバ2からポンプ20によって排気された材料ガスおよび材料ガスの副生成物(分解後のラジカル分子・分解再結合した別の分子など)は、全て除害装置21を通して無毒化された後、大気放出されている。
このように比較例では、イオンソースチャンバ2に導入された材料ガスのうち80〜90%は使用されずに廃棄されるため、真に必要とされる5〜10倍量の材料ガスを装置内に導入する必要があり、イオン注入処理コストの増加を招いている。また、排気ガスは一度除害装置を通して無毒化しないと大気放出することができないが、より多くの材料ガスを導入/廃棄しているため、排気ガスの除害のためにもより多くの設備費用・ランニングコストがかかっていた。
そこで、ポンプ20から排出されたガスには、材料ガスおよび材料ガスの副生成物が含まれ、この材料ガスおよび材料ガスの副生成物はアークチャンバ3内でイオン化されるガスのイオン源となり得ることに着目し、実施形態のイオン注入装置においては、ポンプ20によってアークチャンバ3から排気された排気ガスをアークチャンバ3に再導入し、イオンソースガスとして再使用する。図3は、第1の実施形態のガス循環系の構成例を示す図である。
図3において、材料ガス(一般に三弗化ホウ素BF3、フォスフィンPH3、アルシンAsH3等の何れか)が充填されたガスボンベ40はガス供給流路1の一端に接続され、ガス供給流路1の他端はイオンソースチャンバ2のアークチャンバ3に接続されている。ガス供給流路1の途中には、オンオフ弁39および流量制御弁としてのマスフローコントローラ(以下、MFCと略す)38が配置されている。MFC38は、ガス供給流路1と環流ガス流路33との合流位置の上流側に設けられている。ドライポンプであるポンプ20の排気側のガス流路30は途中で二分岐されており、二分岐の一方側には廃棄ガス流路31が接続され、二分岐の他方側には環流ガス流路33が接続されている。
廃棄ガス流路31は除害装置21と接続され、廃棄ガス流路31の途中にはMFC34が設けられている。環流ガス流路33は、ガス供給流路1に合流されており、環流ガス流路33の途中には、オンオフ弁35、逆止弁36、MFC37が設けられている。制御部50は、ポンプ20の排出流量制御、MFC34、37、38の流量制御、オンオフ弁35,39のオンオフ制御などを実行する。
かかる構成においては、環流ガス流路33には、ガス供給流路1側からオンオフ弁35側へのガス流れを阻止し、オンオフ弁35側からガス供給流路1側へのガス流れのみを受け入れる逆止弁36が設けられている。また、制御部50は、要求される引き出し電流量に応じて再利用するガス割合、すなわちポンプ20によってアークチャンバ3から排気されて二分岐されるガスの流量配分制御を実行する。すなわち、制御部50は、MFC34、37に設定する目標流量値を調整することによって、除害装置21を経由して大気放出されるガスの流量と、ガス供給流路1に環流されるガス流量の配分を調整する。さらに、制御部50は、合流されたガスの流量配分制御、すなわち合流前のガス供給流路1を流れるガス流量と、環流ガス流路33を流れるガス流量との流量配分を、MFC38、37に設定する目標流量値によって調整する。
したがって、ポンプ20によってアークチャンバ3から排気された材料ガスおよび材料ガスの副生成物の一部は、ガス流路30、MFC34、廃棄ガス流路31を経由して除害装置21に回収され、ここで無毒化された後大気へ放出される。一方、ポンプ20によってアークチャンバ3から排気された材料ガスおよび材料ガスの副生成物の残りは、環流ガス流路33のオンオフ弁35、逆止弁36、MFC37を経由してガス供給流路1に合流され、これによりガスボンベ40から供給される材料ガスおよびポンプ20によって排気されたガスの一部が、ガス供給流路1を経由してイオンソースチャンバ2のアークチャンバ3に供給される。
図4は、図3に示した実施形態におけるアークチャンバ3内のガス量(ガス圧)の時間変化を示すものである。図4では、材料ガスとして100%フォスフィンPH3を採用し、20%のPがイオン源として消費されるとしている。また、この場合、ガスボンベ40からは1.0sccmの流量の材料ガスが供給されているとし、フォスフィン分子PH3換算のリン原子の量を表している。図4において、大きめの白四角がPH3のガス量を示し、小さめの斜線入り四角が水素分子H2換算の水素原子の量を示している。材料ガスとしてフォスフィンPH3が採用された場合、ポンプ20によってアークチャンバ3から排気されるガスには、PH、PH3、P、P2H4等が含まれている。具体的には、アークチャンバ3内で反応したPH3が分解され、Pラジカル、PHラジカル、PH2ラジカル、Hラジカル等が発生し、それらが結合することによって中性分子であるPH、PH3、P、P2H4等が排気される。
イオン注入装置では目的とするイオンを取り出すことが目的であるため、一旦反応したガスであっても所望の元素を含むガスであればアークチャンバ3に再度供給し、ソースガスとして用いることができる。ポンプ20によって排気したガスを廃棄することなく全てのガスをアークチャンバ3に環流させた場合は、水素はアークチャンバ3内で消費されないので、環流が進むに従ってアークチャンバ3内に供給されたガス中におけるP原子の割合は低くなっていく。これに対し、ポンプ20によって排気したガスの一部を廃棄し、その残りを環流させた場合は、ポンプ20の排出流量、MFC34,37,38の流量を制御部50によって調整することで、アークチャンバ3内のガス量を、或る程度時間が経過した後、一定値、すなわち定常状態に維持することが可能となる。図4では、一例として、ポンプ20から排気されたガスの20%を廃棄し、残りをアークチャンバ3に再度供給している。時点t1以降に、アークチャンバ3内のPH3換算のリン原子の量が定常状態に維持されている。また、これと同様に、アークチャンバ3内のH2換算の水素原子の量も、或る程度時間が経過した後、一定値、すなわち定常状態に維持することが可能となる。図4では、時点t2以降に、アークチャンバ3内のH2換算の水素原子の量が定常状態に維持されている。
このようにこの実施形態によれば、ポンプ20によってアークチャンバ3から排気された材料ガスおよび材料ガスの副生成物の一部を、環流ガス流路33を経由してガス供給流路1に合流させてアークチャンバ3に環流させることで、アークチャンバ3から排気された材料ガスを再使用している。イオン注入装置では目的とするイオンを取り出すことが目的であるため、一旦反応して異なる複数の分子からなるガスであっても所望の元素を含むガスであればアークチャンバ3に再度供給し、ソースガスとして用いることができる。それによって、材料ガスを効率良く用いることができ、材料ガスの供給量を低減することができる。また、材料ガスの廃棄量を低減することで除害装置の負荷を低減でき、半導体製品のコストを低減できる。
(第2の実施形態)
図5は、第2の実施形態のガス循環系の構成例を示す図である。第2の実施形態のガス循環系においては、ポンプ20から排気された材料ガスおよび材料ガスの副生成物の一部を直接イオンソースチャンバ2のアークチャンバ3に環流させている。
図5は、第2の実施形態のガス循環系の構成例を示す図である。第2の実施形態のガス循環系においては、ポンプ20から排気された材料ガスおよび材料ガスの副生成物の一部を直接イオンソースチャンバ2のアークチャンバ3に環流させている。
この第2の実施形態においても、ポンプ20によってアークチャンバ3から排気された材料ガスおよび材料ガスの副生成物の一部は、ガス流路30、廃棄ガス流路31を経由して除害装置21に回収され、ここで無毒化された後大気へ放出される。一方、ポンプ20によってアークチャンバ3から排気された材料ガスおよび材料ガスの副生成物の残りは、環流ガス流路33のオンオフ弁35、逆止弁36、MFC42を経由してアークチャンバ3に直接環流される。したがって、アークチャンバ3には、ガス供給流路1を経由したガスボンベ40からの材料ガスと、環流ガス流路33を経由した再使用の材料ガスが供給される。逆止弁36は、アークチャンバ3からのガス流れを阻止する。
この第2の実施形態においても、ポンプ20の排出流量、ガス供給流路1に設けられるMFC41および環流ガス流路33に設けられるMFC42の流量を制御部50によって適正に制御することで、アークチャンバ3内のリン原子の量及び水素原子の量を、或る程度時間が経過した後、一定値、すなわち定常状態に維持することが可能となる。
なお、本発明は、プラズマドーピング法を用いたイオン注入装置にも適用可能である。プラズマドーピング法を用いたイオン注入装置においては、電位制御される試料台を真空容器内に設置し、真空容器内にドーピング原料ガスを供給し、ポンプで真空容器内を減圧することで、真空容器内を一定圧に保つ。プラズマ源によって真空容器内にプラズマを形成し、試料台に高電圧パルスを加えることでプラズマ中のイオンを試料台上のウェハに引きつけてウェハ内に注入する。このようなプラズマドーピング法を用いたイオン注入装置においても、本実施形態を適用し、ポンプによって排出した材料ガスの一部を廃棄し、その残りを真空容器内に戻すようにしてもよい。
また、本発明では、材料ガスとしては、材料ガスを希釈ガスで希釈した高圧ガスを使用しても良い。材料ガスとしてフォスフィンPH3が採用される場合、希釈ガスとしては水素ガスH2が採用される。さらに、本発明では、材料ガスをSDS(セイフ・デリバリー・ソース)ガスボンベからアークチャンバ3に供給するようにしてもよい。SDSボンベでは、シリンダー内部にガス成分を吸着する吸着剤が充填されており、イオンソースのガスはこの吸着剤に取り込まれ、大気圧より低い圧力を保持する。SDSボンベ方式では、SDSボンベ内圧力と、イオンソースチャンバ2内の高真空との圧力差により、ガスを供給する。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1 ガス供給流路、2 イオンソースチャンバ、3 アークチャンバ、4 スリット、5 引出電極、6 引き出し電圧、7 質量分析マグネット、8 スキャナー、9 コリメータマグネット、10 プロセスチャンバ、11 イオン輸送系、20 ポンプ、21 除害装置、30ガス流路、31 廃棄ガス流路、33 環流ガス流路、36 逆止弁、40 ガスボンベ、50 制御部、W 基板ウェハ。
Claims (13)
- 真空容器内に供給された材料ガスをイオン化し、イオン化したイオンを半導体基板に注入するイオン注入装置において、
前記真空容器に前記材料ガスを供給するガス供給路と、
前記真空容器からガスを排気するポンプと、
前記ポンプによって排気されたガスを前記真空容器に戻すことが可能な環流ガス流路と、
前記ポンプによって排気されたガスの一部を廃棄可能な廃棄ガス流路と、
を備えることを特徴とするイオン注入装置。 - 前記ポンプによって排気されたガスには、材料ガスおよび材料ガスの副生成物が含まれ、この材料ガスおよび材料ガスの副生成物は前記イオン化されるガスのイオン源となり得ることを特徴とする請求項1に記載のイオン注入装置。
- 前記真空容器は、材料ガスを導入してイオン化するアークチャンバが収容されるイオンソースチャンバであることを特徴とする請求項1または2記載のイオン注入装置。
- 前記ポンプによって排気されたガスの一部を除害して大気放出する除害装置を前記廃棄ガス流路に設けることを特徴とする請求項1〜3の何れか一つに記載のイオン注入装置。
- 前記環流ガス流路は、廃棄ガス流路と分岐されていることを特徴とする請求項1〜4の何れか一つに記載のイオン注入装置。
- 前記環流ガス流路は、前記ポンプによって排気されたガスを前記ガス供給路に合流させることを特徴とする請求項1〜5の何れか一つに記載のイオン注入装置。
- 前記環流ガス流路に、前記ガス供給路からのガス流れを阻止する逆止弁を設けることを特徴とする請求項6に記載のイオン注入装置。
- 前記環流ガス流路は、前記ポンプによって排気されたガスを前記真空容器に直接戻すことを特徴とする請求項1〜5の何れか一つに記載のイオン注入装置。
- 前記環流ガス流路に、前記真空容器からのガス流れを阻止する逆止弁を設けることを特徴とする請求項8に記載のイオン注入装置。
- 前記ガス供給路における前記合流部の上流側と、前記環流ガス流路と、前記廃棄ガス流路とに、流量制御弁を夫々設けることを特徴とする請求項6または7に記載のイオン注入装置。
- 前記ガス供給路および前記環流ガス流路に流量制御弁を夫々設けることを特徴とする請求項8または9に記載のイオン注入装置。
- 前記ポンプの吸出流量、前記複数の流量制御弁の制御して真空容器内の材料ガス量が定常状態になるよう制御する制御部をさらに備えることを特徴とする請求項10または11に記載のイオン導入装置。
- 真空容器内に供給された材料ガスをイオン化し、イオン化したイオンを半導体基板に注入するイオン注入方法において、
ポンプによって前記真空容器からガスを排気し、
前記ポンプによって排気されたガスを前記真空容器に戻して再使用し、前記排気されたガスの一部を廃棄する
ことを特徴とするイオン注入方法。
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