JP6846568B2 - アルミニウム中高圧電極箔の酸化膜の品質を改善する後処理方法 - Google Patents
アルミニウム中高圧電極箔の酸化膜の品質を改善する後処理方法 Download PDFInfo
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Description
(Aステップ)
腐食箔を95℃の脱イオン水に10min処理した後、6wt%クエン酸塩水溶液の化成槽に浸漬し、85℃、電流密度20mA/cm2、電圧190Vの条件で、継続時間10minの第1段化成を行い、水洗浄槽で洗浄するステップと、
(Bステップ)
洗浄された化成箔は、4wt%クエン酸塩水溶液に浸漬され、85℃、電流密度20mA/cm2、385Vの電圧で、継続時間10minの第2段化成を行い、水洗浄槽で洗浄するステップと、
(Cステップ)
5wt%ホウ酸塩水溶液の化成槽に浸漬し、85℃、電流密度20mA/cm2、545Vの電圧で、継続時間15minの第3段化成を行うステップと、
(Dステップ)
8wt%ホウ酸塩水溶液の化成槽に浸漬し、85℃、電流密度20mA/cm2、620Vの電圧で、継続時間25minの第4段化成を行い、水洗浄槽で洗浄するステップと、
(Eステップ)
オーブンにて500℃の高温熱処理を3min行い、第4段化成の水溶液と同じ水溶液に浸漬し、85℃、20mA/cm2、620Vの条件で、化成を10min行い、水洗浄槽で洗浄するステップと、
(Fステップ)
6wt%リン酸容溶液に浸漬し、70℃の条件で、処理を5min行い、水洗浄槽で洗浄し、オーブンにて450℃の高温熱処理を3min行うステップと、
(Gステップ)
第4段化成の水溶液と同じ水溶液に浸漬し、85℃、620Vの条件で、化成を10min行い、水洗浄槽で洗浄するステップと、
(Hステップ)
化成箔を後処理槽の処理液に浸漬し、後処理を行い、前記処理槽内に負極電極を設け、電極の幅を0.5〜5cmとし、処理液は、リン酸塩の1種または1種以上を含み、処理液のpH値を5〜8とし、50〜90℃、100〜800Vの条件で、電流密度を1mA/cm2から0.1mA/cm2に制御し、3〜15min化成を行った後、取り出して、水で洗浄し、乾燥させるステップと、を含む中高圧電極箔の酸化膜の品質を改善する後処理方法で実現される。
腐食箔を95℃の脱イオン水で10min処理した後、6wt%クエン酸塩水溶液の化成槽に浸漬し、85℃、電流密度20mA/cm2、電圧190Vの条件で、継続時間10min第1段化成を行い、水洗浄槽で洗浄する。洗浄された化成箔を4wt%クエン酸塩水溶液に浸漬し、85℃、電流密度20mA/cm2、385Vの電圧で、継続時間10minの第2段化成を行い、水洗浄槽で洗浄する。その後、5wt%ホウ酸塩水溶液の化成槽に浸漬し、85℃、電流密度20mA/cm2、545Vの電圧で、継続時間15minの第3段化成を行う。続いて、8wt%ホウ酸塩水溶液の化成槽に浸漬し、85℃、電流密度20mA/cm2、620Vの電圧で、継続時間25minの第4段化成を行い、水洗浄槽で洗浄する。そして、オーブンにて500℃の高温熱処理3minを行う。続いて、第4段化成に使用された水溶液と同様な水溶液に浸漬し、85℃、20mA/cm2、620Vの条件で、10min化成を行い、水洗浄槽で洗浄する。6wt%リン酸容溶液に浸漬し、70℃の条件で、5min処理を行い、水洗浄槽で洗浄する。オーブンにて450℃の高温熱処理を3min行い、また、第4段化成に使用された水溶液と同様な水溶液に浸漬し、85℃、20mA/cm2、620Vの条件で、化成を10min行い、最後に、水洗浄槽で洗浄し、0.1wt%リン酸二水素アンモニウムと0.08g/L次亜リン酸溶液とに浸漬し、70℃、200Vの条件で、電流密度を1mA/cm2から0.1mA/cm2に制御し、5min化成を行った後、取り出して、水で洗浄し、乾燥させる。
腐食箔を95℃の脱イオン水で10min処理した後、6wt%クエン酸塩水溶液の化成槽に浸漬し、85℃、電流密度20mA/cm2、電圧190Vの条件で、継続時間10minの第1段化成を行い、水洗浄槽で洗浄する。洗浄された化成箔を4wt%クエン酸塩水溶液に浸漬し、85℃、電流密度20mA/cm2、385Vの電圧で、継続時間10minの第2段化成を行う。その後、水洗浄槽で洗浄し、5wt%ホウ酸塩水溶液の化成槽に浸漬し、85℃、電流密度20mA/cm2、545Vの電圧で、継続時間15minの第3段化成を行う。続いて、8wt%ホウ酸塩水溶液の化成槽に浸漬し、85℃、電流密度20mA/cm2、620Vの電圧で、継続時間25minの第4段化成を行い、水洗浄槽で洗浄する。そして、オーブンにて500℃の高温熱処理を3min行う。そして、第4段化成の水溶液と同様な水溶液に浸漬し、85℃、20mA/cm2、620Vの条件で、化成を10min行い、水洗浄槽で洗浄する。6wt%リン酸容溶液に浸漬し、70℃の条件で、5min処理を行い、水洗浄槽で洗浄する。オーブンにて450℃の高温熱処理を3min行い、また、第4段化成の水溶液と同様な水溶液に浸漬し、85℃、20mA/cm2、620Vの条件で、化成を10min行い、水洗浄槽で洗浄し、0.1wt%リン酸二水素アンモニウムと0.08g/L次亜リン酸溶液とに浸漬し、70℃、200Vの条件で、電流密度を0.5mA/cm2から0.05mA/cm2に制御し、5min化成を行った後、取り出して、水で洗浄し、乾燥させる。
腐食箔を95℃の脱イオン水で10min処理した後、6wt%クエン酸塩水溶液の化成槽に浸漬し、85℃、電流密度20mA/cm2、電圧190Vの条件で、継続時間10minの第1段化成を行い、水洗浄槽で洗浄する。洗浄された化成箔を4wt%のクエン酸塩水溶液に浸漬し、85℃、電流密度20mA/cm2、385Vの電圧で、継続時間10minの第2段化成を行い、水洗浄槽で洗浄する。5wt%ホウ酸塩水溶液の化成槽に浸漬し、85℃、電流密度20mA/cm2、545Vの電圧で、継続時間15minの第3段化成を行う。続いて、8wt%ホウ酸塩水溶液の化成槽に浸漬し、85℃、電流密度20mA/cm2、620Vの電圧で、継続時間25minの第4段化成を行い、水洗浄槽で洗浄する。そして、オーブンにて500℃の高温熱処理3minを行う。第4段化成の水溶液と同じ水溶液に浸漬し、85℃、20mA/cm2、620Vの条件で、化成を10min行い、水洗浄槽で洗浄する。6wt%リン酸容溶液に浸漬し、70℃の条件で、5min処理を行い、水洗浄槽で洗浄する。オーブンにて450℃の高温熱処理を3min行う。第4段化成の水溶液と同じ水溶液に浸漬し、85℃、20mA/cm2、620Vの条件で、化成を10min行う。最後に、水洗浄槽で洗浄し、0.1wt%リン酸二水素アンモニウムと0.08g/L次亜リン酸溶液とに浸漬し、70℃、200Vの条件で、電流密度を0.1mA/cm2から0.01mA/cm2に制御し、5min化成を行った後、取り出して、水で洗浄し、乾燥させる。
腐食箔を95℃の脱イオン水で10min処理した後、6wt%クエン酸塩水溶液の化成槽に浸漬し、85℃、電流密度20mA/cm2、電圧190Vの条件で、継続時間10minの第1段化成を行い、水洗浄槽で洗浄する。洗浄された化成箔の4wt%クエン酸塩水溶液に浸漬し、電流密度20mA/cm2、385Vの電圧で、継続時間10minの第2段化成を行い、水洗浄槽で洗浄する。5wt%ホウ酸塩水溶液の化成槽に浸漬し、85℃、電流密度20mA/cm2、545Vの電圧で、継続時間15minの第3段化成を行う。8wt%ホウ酸塩水溶液の化成槽に浸漬し、85℃、電流密度20mA/cm2、620Vの電圧で、継続時間25minの第4段化成を行い、水洗浄槽で洗浄する。オーブンにて500℃の高温熱処理を3min行う。第4段化成の水溶液と同じ水溶液に浸漬し、85℃、20mA/cm2、620Vの条件で、化成を10min行い、水洗浄槽で洗浄する。6wt%リン酸容溶液に浸漬し、70℃の条件で、5min処理を行い、水洗浄槽で洗浄する。オーブンにて450℃の高温熱処理を3min行う。第4段化成の水溶液と同じ水溶液に浸漬し、85℃、20mA/cm2、620Vの条件で、化成を10min行う。水洗浄槽で洗浄し、0.1wt%リン酸二水素アンモニウムと0.08g/L次亜リン酸溶液とに浸漬し、70℃、200Vの条件で、電流密度を1mA/cm2から0.01mA/cm2に制御し、5min化成を行った後、取り出して、水で洗浄し、乾燥させる。
腐食箔を95℃の脱イオン水で10min処理した後、6wt%クエン酸塩水溶液の化成槽に浸漬し、85℃、電流密度20mA/cm2、電圧190Vの条件で、継続時間10minの第1段化成を行い、水洗浄槽で洗浄する。洗浄された化成箔の4wt%クエン酸塩水溶液に浸漬し、85℃、電流密度20mA/cm2、385Vの電圧で、継続時間10minの第2段化成を行い、水洗浄槽で洗浄する。5wt%ホウ酸塩水溶液の化成槽に浸漬し、85℃、電流密度20mA/cm2、545Vの電圧で、継続時間15minの第3段化成を行う。8wt%ホウ酸塩水溶液の化成槽に浸漬し、85℃、電流密度20mA/cm2、620Vの電圧で、継続時間25minの第4段化成を行い、水洗浄槽で洗浄する。オーブンにて500℃の高温熱処理を3min行う。第4段化成の水溶液と同じ水溶液に浸漬し、85℃、20mA/cm2、620Vの条件で、化成を10min行う。水洗浄槽で洗浄し、6wt%リン酸容溶液に浸漬し、70℃の条件で、処理を5min行い、水洗浄槽で洗浄する。オーブンにて450℃の高温熱処理を3min行う。第4段化成の水溶液と同じ水溶液に浸漬し、85℃、20mA/cm2、620Vの条件で、化成を10min行う。水洗浄槽で洗浄し、0.1wt%リン酸二水素アンモニウムと0.08g/L次亜リン酸溶液とに浸漬し、70℃、200Vの条件で、電流密度が1mA/cm2に一定されるように制御し、5min化成を行った後、取り出して、水で洗浄し、乾燥させる。
腐食箔を95℃の脱イオン水で10min処理した後、6wt%クエン酸塩水溶液の化成槽に浸漬し、85℃、電流密度20mA/cm2、電圧190Vの条件で、継続時間10minの第1段化成を行い、水洗浄槽で洗浄する。洗浄された化成箔の4wt%クエン酸塩水溶液に浸漬し、85℃、電流密度20mA/cm2、385Vの電圧で、継続時間10minの第2段化成を行い、水洗浄槽で洗浄する。5wt%ホウ酸塩水溶液の化成槽に浸漬し、85℃、電流密度20mA/cm2、545Vの電圧で、継続時間15minの第3段化成を行う。8wt%ホウ酸塩水溶液の化成槽に浸漬し、85℃、電流密度20mA/cm2、620Vの電圧で、継続時間25minの第4段化成を行い、水洗浄槽で洗浄する。オーブンにて500℃の高温熱処理を3min行う。第4段化成の水溶液と同じ水溶液に浸漬し、85℃、20mA/cm2、620Vの条件で、化成を10min行い、水洗浄槽で洗浄する。6wt%リン酸容溶液に浸漬し、70℃の条件で、処理を5min行う。水洗浄槽で洗浄し、オーブンにて450℃の高温熱処理を3min行う。第4段化成の水溶液と同じ水溶液に浸漬し、85℃、20mA/cm2、620Vの条件で、化成を10min行う。水洗浄槽で洗浄し;0.1wt%リン酸二水素アンモニウムと0.08g/L次亜リン酸溶液とに浸漬し。5min放置した後、取り出して、水で洗浄し、乾燥させる。
Claims (7)
- アルミニウム中高圧電極箔の酸化膜の品質を改善する後処理方法であって、
(A)アルミニウム腐食箔を95℃の脱イオン水で10min処理した後、6wt%クエン酸塩水溶液の化成槽に浸漬し、85℃、電流密度20mA/cm2、電圧190Vの条件で、継続時間10minの第1段化成を行い、水洗浄槽で洗浄するステップと、
(B)洗浄された化成箔の4wt%クエン酸塩水溶液に浸漬し、85℃、電流密度20mA/cm2、385Vの電圧で、継続時間10minの第2段化成を行い、水洗浄槽で洗浄するステップと、
(C)5wt%ホウ酸塩水溶液の化成槽に浸漬し、85℃、電流密度20mA/cm2、545Vの電圧で、継続時間15minの第3段化成を行うステップと、
(D)8wt%ホウ酸塩水溶液の化成槽に浸漬し、85℃、電流密度20mA/cm2、620Vの電圧で、継続時間25minの第4段化成を行い、水洗浄槽で洗浄するステップと、
(E)オーブンにて500℃の高温熱処理を3min行い、第4段化成の水溶液と同じ水溶液に浸漬し、85℃、20mA/cm2、620Vの条件で、化成を10min行い、水洗浄槽で洗浄するステップと、
(F)6wt%リン酸容溶液に浸漬し、70℃の条件で、5min処理を行い、水洗浄槽で洗浄し、オーブンにて450℃の高温熱処理を3min行うステップと、
(G)第4段化成の水溶液と同じ水溶液に浸漬し、85℃、20mA/cm2、620Vの条件で、化成を10min行い、水洗浄槽で洗浄するステップと、
(H)化成箔を後処理槽の処理液に浸漬し、後処理を行い、前記処理槽内に負極電極を設け、電極の幅を0.5〜5cmとし、処理液は、リン酸塩の1種または1種以上を含み、処理液のpH値を5〜8とし、50〜90℃、100〜800Vの条件で、電流密度を1mA/cm2から0.1mA/cm2に制御し、3〜15min化成を行った後、取り出して、水で洗浄し、乾燥させるステップと、を含むことを特徴とするアルミニウム中高圧電極箔の酸化膜の品質を改善する後処理方法。 - 前記後処理ステップにおいて、化成箔は、0.1wt%リン酸二水素アンモニウムと0.08g/L次亜リン酸溶液とに浸漬され、70℃、200Vの条件で、電流密度を1mA/cm2から0.1mA/cm2に制御し、化成を5min行う、ことを特徴とする請求項1に記載のアルミニウム中高圧電極箔の酸化膜の品質を改善する後処理方法。
- 前記後処理ステップにおいて、化成箔は、0.1wt%リン酸二水素アンモニウムと0.08g/L次亜リン酸溶液とに浸漬され、70℃、200Vの条件で、電流密度を0.5mA/cm2から0.05mA/cm2に制御し、化成を5min行う、ことを特徴とする請求項1に記載のアルミニウム中高圧電極箔の酸化膜の品質を改善する後処理方法。
- 前記後処理ステップにおいて、化成箔は、0.1wt%リン酸二水素アンモニウムと0.08g/L次亜リン酸溶液とに浸漬され、70℃、200Vの条件で、電流密度を0.1mA/cm2から0.01mA/cm2に制御し、化成を5min行う、ことを特徴とする請求項1に記載のアルミニウム中高圧電極箔の酸化膜の品質を改善する後処理方法。
- 前記後処理ステップにおいて、化成箔は、0.1wt%リン酸二水素アンモニウムと0.08g/L次亜リン酸溶液とに浸漬され、70℃、200Vの条件で、電流密度が1mA/cm2〜0.01mA/cm2に制御され、5min化成する、ことを特徴とする請求項1に記載のアルミニウム中高圧電極箔の酸化膜の品質を改善する後処理方法。
- 前記後処理ステップにおいて、化成箔は、0.1wt%リン酸二水素アンモニウムと0.08g/L次亜リン酸溶液とに浸漬され、70℃、200Vの条件で、電流密度が1mA/cm2に一定されるように制御して、5min化成する、ことを特徴とする請求項1に記載のアルミニウム中高圧電極箔の酸化膜の品質を改善する後処理方法。
- 前記負極電極がステンレス電極であり、且つ処理槽において等距離または非等距離に分布される、ことを特徴とする請求項1〜請求項6の何れか一つに記載のアルミニウム中高圧電極箔の酸化膜の品質を改善する後処理方法。
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