JP6836019B2 - ４、６−ジフェニルスルホンジベンゾフランベースの双極性ホスト材料及び応用 - Google Patents
４、６−ジフェニルスルホンジベンゾフランベースの双極性ホスト材料及び応用 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6836019B2 JP6836019B2 JP2020523421A JP2020523421A JP6836019B2 JP 6836019 B2 JP6836019 B2 JP 6836019B2 JP 2020523421 A JP2020523421 A JP 2020523421A JP 2020523421 A JP2020523421 A JP 2020523421A JP 6836019 B2 JP6836019 B2 JP 6836019B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- host material
- bipolar host
- diphenylamine
- material according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 46
- TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N dibenzofuran Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 29
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N diphenylamine Chemical class C=1C=CC=CC=1NC1=CC=CC=C1 DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 22
- -1 aromatic diphenylamine derivatives Chemical class 0.000 claims description 18
- 125000000641 acridinyl group Chemical group C1(=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 claims description 13
- 125000004178 (C1-C4) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 12
- WUNJCKOTXFSWBK-UHFFFAOYSA-N indeno[2,1-a]carbazole Chemical class C1=CC=C2C=C3C4=NC5=CC=CC=C5C4=CC=C3C2=C1 WUNJCKOTXFSWBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 125000001484 phenothiazinyl group Chemical group C1(=CC=CC=2SC3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 claims description 10
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- JLEFKRHUPHIQKH-UHFFFAOYSA-N 4,6-diiododibenzofuran Chemical compound O1C2=C(I)C=CC=C2C2=C1C(I)=CC=C2 JLEFKRHUPHIQKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical class [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N N-Butyllithium Chemical compound [Li]CCCC MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 claims description 5
- 125000004209 (C1-C8) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 claims description 4
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N benzoquinolinylidene Natural products C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000007125 Buchwald synthesis reaction Methods 0.000 claims description 2
- 229910003002 lithium salt Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 159000000002 lithium salts Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000010534 nucleophilic substitution reaction Methods 0.000 claims description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 2
- RMVRSNDYEFQCLF-UHFFFAOYSA-N thiophenol Chemical class SC1=CC=CC=C1 RMVRSNDYEFQCLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- TZMSYXZUNZXBOL-UHFFFAOYSA-N 10H-phenoxazine Chemical compound C1=CC=C2NC3=CC=CC=C3OC2=C1 TZMSYXZUNZXBOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000006887 Ullmann reaction Methods 0.000 claims 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims 1
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 claims 1
- 230000026030 halogenation Effects 0.000 claims 1
- 238000005658 halogenation reaction Methods 0.000 claims 1
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 22
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 22
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 21
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 14
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 9
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 9
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- OJBOKKQEPYFENZ-UHFFFAOYSA-N 4,6-bis[(4-fluorophenyl)sulfonyl]dibenzofuran Chemical compound FC1=CC=C(C=C1)S(=O)(=O)C1=CC=CC2=C1OC1=C2C=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(C=C1)F OJBOKKQEPYFENZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 6
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 239000000047 product Substances 0.000 description 6
- 238000010898 silica gel chromatography Methods 0.000 description 6
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- FUFLQGLZQDKOPV-UHFFFAOYSA-N 4,6-bis[(2-bromophenyl)sulfanyl]dibenzofuran Chemical compound BrC1=C(C=CC=C1)SC1=CC=CC2=C1OC1=C2C=CC=C1SC1=C(C=CC=C1)Br FUFLQGLZQDKOPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MEUJZADSIYBGIC-UHFFFAOYSA-N 4,6-bis[(2-bromophenyl)sulfonyl]dibenzofuran Chemical compound BrC1=C(C=CC=C1)S(=O)(=O)C1=CC=CC2=C1OC1=C2C=CC=C1S(=O)(=O)C1=C(C=CC=C1)Br MEUJZADSIYBGIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OSXWVYUOOYESGH-UHFFFAOYSA-N 4,6-bis[(3-bromophenyl)sulfonyl]dibenzofuran Chemical compound BrC=1C=C(C=CC1)S(=O)(=O)C1=CC=CC2=C1OC1=C2C=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC(=CC=C1)Br OSXWVYUOOYESGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VMAIDBGYGFEYBD-UHFFFAOYSA-N BrC=1C=C(C=CC1)SC1=CC=CC2=C1OC1=C2C=CC=C1SC1=CC(=CC=C1)Br Chemical compound BrC=1C=C(C=CC1)SC1=CC=CC2=C1OC1=C2C=CC=C1SC1=CC(=CC=C1)Br VMAIDBGYGFEYBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000003170 phenylsulfonyl group Chemical group C1(=CC=CC=C1)S(=O)(=O)* 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- MFRIHAYPQRLWNB-UHFFFAOYSA-N sodium tert-butoxide Chemical compound [Na+].CC(C)(C)[O-] MFRIHAYPQRLWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NHQDETIJWKXCTC-UHFFFAOYSA-N 3-chloroperbenzoic acid Chemical compound OOC(=O)C1=CC=CC(Cl)=C1 NHQDETIJWKXCTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RQOQSWYPCRVTPV-UHFFFAOYSA-N FC1=CC=C(C=C1)SC1=CC=CC2=C1OC1=C2C=CC=C1SC1=CC=C(C=C1)F Chemical compound FC1=CC=C(C=C1)SC1=CC=CC2=C1OC1=C2C=CC=C1SC1=CC=C(C=C1)F RQOQSWYPCRVTPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- LULAYUGMBFYYEX-UHFFFAOYSA-N metachloroperbenzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=CC(Cl)=C1 LULAYUGMBFYYEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001327 Förster resonance energy transfer Methods 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- UWCZIRUJFYRXKE-UHFFFAOYSA-N 1,5-dimethylacridine Chemical compound C1=CC=C2C=C3C(C)=CC=CC3=NC2=C1C UWCZIRUJFYRXKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YUQUNWNSQDULTI-UHFFFAOYSA-N 2-bromobenzenethiol Chemical compound SC1=CC=CC=C1Br YUQUNWNSQDULTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNGQQUDFJDROPY-UHFFFAOYSA-N 3-bromobenzenethiol Chemical compound SC1=CC=CC(Br)=C1 HNGQQUDFJDROPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKIHXNKYYGUVTE-UHFFFAOYSA-N 4-Fluorothiophenol Chemical compound FC1=CC=C(S)C=C1 OKIHXNKYYGUVTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZPHQFGUXWQWWAA-UHFFFAOYSA-N 9-(2-phenylphenyl)carbazole Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 ZPHQFGUXWQWWAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000001808 coupling effect Effects 0.000 description 1
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 1
- 238000001938 differential scanning calorimetry curve Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000012074 organic phase Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D307/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom
- C07D307/77—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom ortho- or peri-condensed with carbocyclic rings or ring systems
- C07D307/91—Dibenzofurans; Hydrogenated dibenzofurans
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D405/00—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom
- C07D405/14—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom containing three or more hetero rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D413/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having nitrogen and oxygen atoms as the only ring hetero atoms
- C07D413/14—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having nitrogen and oxygen atoms as the only ring hetero atoms containing three or more hetero rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D417/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having nitrogen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D415/00
- C07D417/14—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having nitrogen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D415/00 containing three or more hetero rings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/656—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising two or more different heteroatoms per ring
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6574—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
- C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
- Furan Compounds (AREA)
Description
本発明は、新たな双極性ホスト材料に関し、有機発光材料技術の分野に属し、具体的には、４，６−ジフェニルスルホンジベンゾフランベースの双極性ホスト材料及びその応用に関する。
バックライトを必要とする液晶ディスプレイの特性と比較して、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は、アクティブ発光、速い応答速度、低エネルギー消費、高輝度、広視野角、折り曲げなどの特性を有し、フラットパネルディスプレイの分野で大きな応用の見通しがあり、学界や産業界から高く評価されているため、２１世紀で最も有望な製品の１つと見なされている。現在、ＯＬＥＤデバイスは大量生産を達成し、携帯電話、タブレットコンピュータ、カーメーター、ウェアラブルデバイスなどの電子製品で幅広く使用されている。エレクトロルミネッセンス蛍光とエレクトロルミネッセンス燐光は、それぞれ第１世代と第２世代のＯＬＥＤと呼ばれる。蛍光材料をベースにしたＯＬＥＤは、安定性が高いという特徴があるが、量子統計学の法則によって制限される。電気的活性化の作用下で、一重項励起子と三重項励起子の比率は１：３であるため、蛍光材料のエレクトロルミネセンスの最大内部量子効率はわずか２５％である。燐光材料は、重原子のスピン軌道結合作用を有し、一重項励起子と三重項励起子を総合的に利用することによって、１００％の理論的な内部量子効率に達することができる。しかしながら、燐光ベースのＯＬＥＤは、応用中に明らかな効率ロールオフ効果があり、高輝度応用には一定の障害がある。
燐光材料は、一重項励起子と三重項励起子を総合的に利用して、１００％の内部量子効率を達成することができる。研究によると、遷移金属錯体の励起状態励起子の寿命が比較的長いため、高電流密度での三重項励起子蓄積の存在により、三重項−三重項消滅（ＴＴＡ）及び三重項−ポーラロン消滅（ＴＰＡ）が発生し、それにより、効率ロールオフの現象が発生する。この問題を克服するために、研究者たちはしばしば燐光材料を有機ホスト材料にドープし、例えば、双極性ホスト材料にドープして、キャリアの注入のバランスをよりよくすることができる。最近、熱活性化遅延蛍光特性を持つ材料も燐光デバイスのホストに使用されている。熱活性化遅延蛍光材料の一重項−三重項エネルギー準位差が小さいため、三重項励起子は一重項状態に逆項間交差し、フェルスター（Ｆｏｒｓｔｅｒ）共鳴エネルギー転移（ＦＲＥＴ）を介してゲスト材料に移動することで、三重項励起子濃度が減少し、デバイスの性能が向上する。従って、高効率の有機発光ダイオードにとって、高性能ホスト材料の開発は非常に重要である。
現在、燐光デバイスで広く使用されているホスト材料はＣＢＰ（４，４’−ビス（９−カルバゾリル）ビフェニル）であるが、CPBはより高い駆動電圧と低いガラス転移温度（Ｔｇ）（Ｔｇ ＝ ６２℃）が必要であり、CPBは結晶化しやすい欠陥がある。さらに、ＣＢＰはＰ型の材料であり、正孔移動度は電子移動度よりもはるかに高く、キャリア注入及び輸送不均衡となり、発光効率も低くなる。
既存のホスト（ＣＢＰ）材料に必要とされる高い駆動電圧、結晶化しやすいガラス転移温度、キャリア注入及び輸送不均衡などの問題に対して、本発明は双極性ホスト材料を提供する。この材料は、４，６−ジフェニルスルホンジベンゾフランを電子求引基（中心コア）として、電子供与能力のあるジフェニルアミン類、カルバゾール、アクリジンなどの誘導体を結合基として使用するＤ−Ａ−Ｌ−Ａ−Ｄ型双極性材料である。
４，６−ジフェニルスルホンジベンゾフランベースの双極性ホスト材料は、式（Ｉ）の構造を有する。
Ｒ１〜Ｒ６は、アルキル基置換又は未置換のアクリジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニイル基、カルバゾール、インデノカルバゾール、ジフェニルアミン又は他の芳香族ジフェニルアミン誘導体、水素、ハロゲン、Ｃ１−Ｃ４アルキル基を表し、Ｒ１〜Ｒ６の少なくとも１つは、アルキル基置換又は未置換のアクリジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニイル基、カルバゾール、インデノカルバゾール、ジフェニルアミン又は他の芳香族ジフェニルアミン誘導体である。
Ｒ１〜Ｒ６は、アルキル基置換又は未置換のアクリジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニイル基、カルバゾール、インデノカルバゾール、ジフェニルアミン又は他の芳香族ジフェニルアミン誘導体、水素、ハロゲン、Ｃ１−Ｃ４アルキル基を表し、Ｒ１〜Ｒ６の少なくとも１つは、アルキル基置換又は未置換のアクリジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニイル基、カルバゾール、インデノカルバゾール、ジフェニルアミン又は他の芳香族ジフェニルアミン誘導体である。
好ましくは、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３のうちの２つは水素、ハロゲン又はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、もう１つはＣ１−Ｃ８アルキル基置換又は未置換のアクリジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニイル基、カルバゾール、インデノカルバゾール、ジフェニルアミン又は他の芳香族ジフェニルアミン誘導体である。Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６のうちの２つは水素、ハロゲン又はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、もう１つはＣ１−Ｃ８アルキル基置換又は未置換のアクリジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニイル基、カルバゾール、インデノカルバゾール、ジフェニルアミン又は他の芳香族ジフェニルアミン誘導体である。
好ましくは、Ｒ１とＲ４は同じであり、Ｒ２とＲ５は同じであり、Ｒ３とＲ６は同じである。
好ましくは、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６は水素、ハロゲン又はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、Ｒ１、Ｒ４はＣ１−Ｃ４アルキル基置換或者未置換のアクリジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニイル基、カルバゾール、インデノカルバゾール、ジフェニルアミン又は他の芳香族ジフェニルアミン誘導体である。
好ましくは、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６は水素であり、Ｒ１、Ｒ４は、Ｃ１〜Ｃ４アルキル基置換又は未置換のアクリジニル基、カルバゾール、インデノカルバゾールである。
式（Ｉ）の化合物は、以下の構造化合物である。
有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、陰極、陽極及び有機層を含み、上記有機層は、正孔輸送層、正孔阻止層、電子輸送層、発光層の中の１つ又は複数である。上記の有機層は必要に応じて存在してもよく、これらの有機層がすべての層に存在する必要はないことを特に指摘しておくべきである。
上記式（Ｉ）の上記化合物は発光層の材料である。
本発明の電子デバイスの有機層の合計厚さは１〜１０００ｎｍであり、好ましくは１〜５００ｎｍ、より好ましくは５〜３００ｎｍである。
上記有機層は、蒸着またはスピンコーティングによって薄膜に形成することができる。
上記のように、本発明の式（Ｉ）の化合物は以下のとおりであるが、列挙された構造に限定されない。
上述した双極ホスト材料の製造方法は、
まず、ジベンゾフラン（ａ）をｎ−ブチルリチウムの条件下でリチウム塩にした後、ヨウ素化して４，６−ジヨードジベンゾフラン（ｂ）を取得し、ハロゲン化チオフェノール（フッ素化、ブロム化）とのウルマン反応によってチオエーテル中間体（ｃ）を取得するステップと、ハロゲン化チオエーテル中間体を酸化して、ハロゲン化スルホン化合物（ｄ）を取得するステップと、最後に、ハロゲン化スルホン化合物（ｄ）と、置換又は未置換のアクリジン、カルバゾール、ジフェニルアミン（ｅ）などとのパラジウム触媒ブッフバルト反応又は求核置換反応によって、上記の双極ホスト材料を取得するステップとを含む。
まず、ジベンゾフラン（ａ）をｎ−ブチルリチウムの条件下でリチウム塩にした後、ヨウ素化して４，６−ジヨードジベンゾフラン（ｂ）を取得し、ハロゲン化チオフェノール（フッ素化、ブロム化）とのウルマン反応によってチオエーテル中間体（ｃ）を取得するステップと、ハロゲン化チオエーテル中間体を酸化して、ハロゲン化スルホン化合物（ｄ）を取得するステップと、最後に、ハロゲン化スルホン化合物（ｄ）と、置換又は未置換のアクリジン、カルバゾール、ジフェニルアミン（ｅ）などとのパラジウム触媒ブッフバルト反応又は求核置換反応によって、上記の双極ホスト材料を取得するステップとを含む。
実験は、本発明の化合物が一般的に使用されるホスト材料ＣＢＰより高いガラス転移温度を有し、本発明がホスト材料の熱安定性を大幅に改善することを示している。本発明の双極性ホスト材料で製造される有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、高い安定性を有し、より良好な応用の見通しを有し、有機発光ダイオードのホスト材料に対する要求を満たす。
以下、実施例を参照しながら、本発明を更に詳細に説明するが、本発明の実施形態はこれらに限定されるものではない。
実施例１
実施例１
（１） ４，６−ジヨードジベンゾフランｂ）の合成
合成経路は以下のとおりである。
合成経路は以下のとおりである。
具体的な合成ステップは以下のとおりである。
ジベンゾフラン（８．４１ｇ、５０ｍｍｏｌ）を量って三つ口フラスコに入れ、窒素で保護し、乾燥ジエチルエーテル（１５０ｍＬ）を添加した。フラスコを−７８℃の低温反応器に入れ、ｎ−ブチルリチウム（２．２ Ｍ、６８ｍＬ、１５０ｍｍｏｌ）をゆっくりと滴下し、滴下終了後、反応系をゆっくりと室温まで昇温し、１０時間撹拌を続けた。その後、−７８℃に冷却し、Ｉ２のテトラヒドロフラン溶液（３８ｇ、１５０ｍｍｏｌ）をゆっくりと滴下し、滴下終了後、室温で４時間撹拌した。反応が完了した後、１０％ ＮａＨＳＯ３溶液（１００ｍＬ）を添加し、抽出して層を分離した。無機相をジクロロメタン（３＊５０ｍＬ）で抽出し、有機相を収集し、無水ＭｇＳＯ４で乾燥させ、溶液をスピン乾燥して粗生成物を取得し、その後、エタノールでスラリー化し、吸引濾過して乾燥させ、１４ｇの白色固体を取得した。収率は６７％であった。
ジベンゾフラン（８．４１ｇ、５０ｍｍｏｌ）を量って三つ口フラスコに入れ、窒素で保護し、乾燥ジエチルエーテル（１５０ｍＬ）を添加した。フラスコを−７８℃の低温反応器に入れ、ｎ−ブチルリチウム（２．２ Ｍ、６８ｍＬ、１５０ｍｍｏｌ）をゆっくりと滴下し、滴下終了後、反応系をゆっくりと室温まで昇温し、１０時間撹拌を続けた。その後、−７８℃に冷却し、Ｉ２のテトラヒドロフラン溶液（３８ｇ、１５０ｍｍｏｌ）をゆっくりと滴下し、滴下終了後、室温で４時間撹拌した。反応が完了した後、１０％ ＮａＨＳＯ３溶液（１００ｍＬ）を添加し、抽出して層を分離した。無機相をジクロロメタン（３＊５０ｍＬ）で抽出し、有機相を収集し、無水ＭｇＳＯ４で乾燥させ、溶液をスピン乾燥して粗生成物を取得し、その後、エタノールでスラリー化し、吸引濾過して乾燥させ、１４ｇの白色固体を取得した。収率は６７％であった。
（２）４，６−ビス［（４−フルオロフェニル）チオ］ジベンゾ［ｂ、ｄ］フランの合成
合成経路は以下のとおりである。
合成経路は以下のとおりである。
具体的な合成ステップは以下のとおりである。
４，６−ジヨードジベンゾフラン（ｂ） （５．２５ｇ、１２．５ｍｍｏｌ）、４−フルオロチオフェノール （３．２７ｇ、２５．５ｍｍｏｌ）、ＣｕＩ （０．４８ｇ、２．５ｍｍｏｌ）、フェナントロリン （０．９ｇ、５ｍｍｏｌ）、及び炭酸カリウム（４．８ｇ、３５ｍｍｏｌ）を量って、１００ｍＬの三つ口フラスコに入れ、窒素ガスを３回交換した。乾燥ＤＭＳＯを添加し、温度を１３０℃に上げ、１６時間反応させた。反応が完了した後、１５０ｍＬの水を添加し、ジクロロメタン（３＊５０ｍＬ）で抽出し、有機層を合わせ、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。砂コア漏斗で濾過し、溶媒をスピン乾燥させ、エタノールでスラリー化し、吸引濾過して乾燥させ、４．４３ｇの白色粉末固体を取得した。収率は、８４．６％であった。
４，６−ジヨードジベンゾフラン（ｂ） （５．２５ｇ、１２．５ｍｍｏｌ）、４−フルオロチオフェノール （３．２７ｇ、２５．５ｍｍｏｌ）、ＣｕＩ （０．４８ｇ、２．５ｍｍｏｌ）、フェナントロリン （０．９ｇ、５ｍｍｏｌ）、及び炭酸カリウム（４．８ｇ、３５ｍｍｏｌ）を量って、１００ｍＬの三つ口フラスコに入れ、窒素ガスを３回交換した。乾燥ＤＭＳＯを添加し、温度を１３０℃に上げ、１６時間反応させた。反応が完了した後、１５０ｍＬの水を添加し、ジクロロメタン（３＊５０ｍＬ）で抽出し、有機層を合わせ、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。砂コア漏斗で濾過し、溶媒をスピン乾燥させ、エタノールでスラリー化し、吸引濾過して乾燥させ、４．４３ｇの白色粉末固体を取得した。収率は、８４．６％であった。
（３）４，６−ビス［（４−フルオロフェニル）スルホニル］ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン（ｄ１）の合成
合成経路は以下のとおりである。
合成経路は以下のとおりである。
具体的な合成ステップは以下のとおりである。
４，６−ビス［（４−フルオロフェニル）チオ］ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン（ｃ１） （１ｇ、２．３８ｍｍｏｌ）をフラスコに入れ、ジクロロメタンで溶解し、反応系を氷浴に入れ、２．２当量のメタクロロ過安息香酸をゆっくりと添加し、室温で２４時間反応させた。反応が完了した後、５％のＮａＨＳＯ３溶液５０ｍＬを添加し、ジクロロメタン（３＊５０ｍＬ）で抽出し、有機層を合わせ、Ｎａ２ＣＯ３溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。砂コア漏斗で濾過し、溶媒をスピン乾燥させ、エタノールでスラリー化し、吸引濾過して乾燥させ、１．０２ｇの白色粉末固体を取得した。収率は、８８．７％であった。
４，６−ビス［（４−フルオロフェニル）チオ］ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン（ｃ１） （１ｇ、２．３８ｍｍｏｌ）をフラスコに入れ、ジクロロメタンで溶解し、反応系を氷浴に入れ、２．２当量のメタクロロ過安息香酸をゆっくりと添加し、室温で２４時間反応させた。反応が完了した後、５％のＮａＨＳＯ３溶液５０ｍＬを添加し、ジクロロメタン（３＊５０ｍＬ）で抽出し、有機層を合わせ、Ｎａ２ＣＯ３溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。砂コア漏斗で濾過し、溶媒をスピン乾燥させ、エタノールでスラリー化し、吸引濾過して乾燥させ、１．０２ｇの白色粉末固体を取得した。収率は、８８．７％であった。
（４）４，６−ビス［（４−（９，９’−ジメチルアクリジン−１０（９Ｈ）−イル）フェニルスルホニル］ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン（１）の合成
合成経路は以下のとおりである。
合成経路は以下のとおりである。
具体的な合成ステップは以下のとおりである。
９，９’ジメチルアクリジン（０．８９ｇ、４．２ｍｍｏｌ）を量って５０ｍＬのフラスコに入れ、１０ｍＬの乾燥ＤＭＦを添加し、０℃の条件下でＮａＨ（６０％、０．２１ｇ、５．２ｍｍｏｌ）をゆっくりと添加し、室温で３０分間撹拌し、その後、一度に４，６−ビス［（４−フルオロフェニル）スルホニル］ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン（ｄ１） （１ｇ、２．０６ｍｍｏｌ）を添加し、反応を６０℃で６時間撹拌した。反応が完了した後、２０ｍＬの水を添加し、析出した固体を吸引濾過し、水で洗浄し、溶離剤としてジクロロメタン：ｎ-ヘキサン＝ ２：１を使用し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離して、１．４ｇの黄色固体を取得した。収率は、７８．６％であった。
９，９’ジメチルアクリジン（０．８９ｇ、４．２ｍｍｏｌ）を量って５０ｍＬのフラスコに入れ、１０ｍＬの乾燥ＤＭＦを添加し、０℃の条件下でＮａＨ（６０％、０．２１ｇ、５．２ｍｍｏｌ）をゆっくりと添加し、室温で３０分間撹拌し、その後、一度に４，６−ビス［（４−フルオロフェニル）スルホニル］ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン（ｄ１） （１ｇ、２．０６ｍｍｏｌ）を添加し、反応を６０℃で６時間撹拌した。反応が完了した後、２０ｍＬの水を添加し、析出した固体を吸引濾過し、水で洗浄し、溶離剤としてジクロロメタン：ｎ-ヘキサン＝ ２：１を使用し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離して、１．４ｇの黄色固体を取得した。収率は、７８．６％であった。
生成物の測定データは以下のとおりである。
１Ｈ ＮＭＲ （４００ＭＨｚ ，ＣＤＣｌ３） δ ＝ ８．７３ （ｄ， Ｊ ＝ ８．０ Ｈｚ， ４ Ｈ）， ８．２７ （ｄ， Ｊ ＝ ８．０ Ｈｚ， ４ Ｈ）， ７．６５−７．５９ （ｍ， ６ Ｈ）， ７．４４−７．４２ （ｍ， ４ Ｈ）， ６．９５−６．９３ （ｍ， ８ Ｈ）， ６．３４−６．３１ （ｍ， ４ Ｈ）， １．６３ （ｓ， ６ Ｈ）， １．５７ （ｓ， ６ Ｈ） ｐｐｍ． １３Ｃ ＮＭＲ （１００ＭＨｚ ， ＣＤＣｌ３） ＝ １４７．１， １４０．１， １３１．７， １３１．０， １３０．５， １２８．０， １２６．２， １２５．０， １２４．０， １２１．５， １１５．２， ３０．７ ｐｐｍ． Ｍｓ（ＥＳＩ： Ｍｚ ８６３） （Ｍ＋１）
１Ｈ ＮＭＲ （４００ＭＨｚ ，ＣＤＣｌ３） δ ＝ ８．７３ （ｄ， Ｊ ＝ ８．０ Ｈｚ， ４ Ｈ）， ８．２７ （ｄ， Ｊ ＝ ８．０ Ｈｚ， ４ Ｈ）， ７．６５−７．５９ （ｍ， ６ Ｈ）， ７．４４−７．４２ （ｍ， ４ Ｈ）， ６．９５−６．９３ （ｍ， ８ Ｈ）， ６．３４−６．３１ （ｍ， ４ Ｈ）， １．６３ （ｓ， ６ Ｈ）， １．５７ （ｓ， ６ Ｈ） ｐｐｍ． １３Ｃ ＮＭＲ （１００ＭＨｚ ， ＣＤＣｌ３） ＝ １４７．１， １４０．１， １３１．７， １３１．０， １３０．５， １２８．０， １２６．２， １２５．０， １２４．０， １２１．５， １１５．２， ３０．７ ｐｐｍ． Ｍｓ（ＥＳＩ： Ｍｚ ８６３） （Ｍ＋１）
実施例２
（１） ４，６−ビス［（４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニルスルホニル］ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン（２）の合成
合成経路は以下のとおりである。
（１） ４，６−ビス［（４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニルスルホニル］ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン（２）の合成
合成経路は以下のとおりである。
具体的な合成ステップは以下のとおりである。
カルバゾール（１．７ｇ、１０ｍｍｏｌ）を量って５０ｍＬのフラスコに入れ、２０ｍＬの乾燥ＤＭＦを添加し、０℃の条件下でＮａＨ（６０％、０．６ｇ、１５ｍｍｏｌ）をゆっくりと添加し、室温で３０分間撹拌し、その後、一度に４，６−ビス［（４−フルオロフェニル）スルホニル］ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン（ｄ１） （３ｇ、５ｍｍｏｌ）を添加し、反応を６０℃で６時間撹拌した。反応が完了した後、６０ｍＬの水を添加し、析出した固体を吸引濾過し、水で洗浄し、溶離剤としてジクロロメタン：ｎ-ヘキサン＝ ２：１を使用し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離して、３．３ｇの黄色固体を取得した。収率は、８５．７％であった。
カルバゾール（１．７ｇ、１０ｍｍｏｌ）を量って５０ｍＬのフラスコに入れ、２０ｍＬの乾燥ＤＭＦを添加し、０℃の条件下でＮａＨ（６０％、０．６ｇ、１５ｍｍｏｌ）をゆっくりと添加し、室温で３０分間撹拌し、その後、一度に４，６−ビス［（４−フルオロフェニル）スルホニル］ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン（ｄ１） （３ｇ、５ｍｍｏｌ）を添加し、反応を６０℃で６時間撹拌した。反応が完了した後、６０ｍＬの水を添加し、析出した固体を吸引濾過し、水で洗浄し、溶離剤としてジクロロメタン：ｎ-ヘキサン＝ ２：１を使用し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離して、３．３ｇの黄色固体を取得した。収率は、８５．７％であった。
生成物の測定データは以下のとおりである。
１Ｈ ＮＭＲ （４００ＭＨｚ ，ＣＤＣｌ３） δ ＝ ８．６２ （ｄ， Ｊ ＝ ８．０ Ｈｚ， ４ Ｈ）， ８．６６ （ｄ， Ｊ ＝ ８．０ Ｈｚ， ２ Ｈ）， ８．２３ （ｄ， Ｊ ＝ ８．０ Ｈｚ， ２ Ｈ）， ８．１５ （ｄ， Ｊ ＝ ８．０ Ｈｚ， ４ Ｈ）， ７．９３ （ｄ， Ｊ ＝ ８．０ Ｈｚ， ４ Ｈ）， ７．７２ （ｔ， Ｊ ＝ ８．０ Ｈｚ， ２ Ｈ）， ７．４４ （ｄ， Ｊ ＝ ８．０ Ｈｚ， ４ Ｈ）， ７．３０ （ｔ， Ｊ ＝ ８．０ Ｈｚ， ４ Ｈ）， ７．２２ （ｔ， Ｊ ＝ ８．０ Ｈｚ， ４ Ｈ） ｐｐｍ． １３Ｃ ＮＭＲ （１００ＭＨｚ ， ＣＤＣｌ３） ＝ １４１．９， １３８．９， １２９．８， １２８．１， １２７．６， １２６．７， １２６．２， １２４．７， １２４．５， １２３．０， １２０．６， １２０．３， １１０．３， １０９．６ ｐｐｍ．Ｍｓ（ＥＳＩ： Ｍｚ ７７９） （Ｍ＋１）
実施例３
１Ｈ ＮＭＲ （４００ＭＨｚ ，ＣＤＣｌ３） δ ＝ ８．６２ （ｄ， Ｊ ＝ ８．０ Ｈｚ， ４ Ｈ）， ８．６６ （ｄ， Ｊ ＝ ８．０ Ｈｚ， ２ Ｈ）， ８．２３ （ｄ， Ｊ ＝ ８．０ Ｈｚ， ２ Ｈ）， ８．１５ （ｄ， Ｊ ＝ ８．０ Ｈｚ， ４ Ｈ）， ７．９３ （ｄ， Ｊ ＝ ８．０ Ｈｚ， ４ Ｈ）， ７．７２ （ｔ， Ｊ ＝ ８．０ Ｈｚ， ２ Ｈ）， ７．４４ （ｄ， Ｊ ＝ ８．０ Ｈｚ， ４ Ｈ）， ７．３０ （ｔ， Ｊ ＝ ８．０ Ｈｚ， ４ Ｈ）， ７．２２ （ｔ， Ｊ ＝ ８．０ Ｈｚ， ４ Ｈ） ｐｐｍ． １３Ｃ ＮＭＲ （１００ＭＨｚ ， ＣＤＣｌ３） ＝ １４１．９， １３８．９， １２９．８， １２８．１， １２７．６， １２６．７， １２６．２， １２４．７， １２４．５， １２３．０， １２０．６， １２０．３， １１０．３， １０９．６ ｐｐｍ．Ｍｓ（ＥＳＩ： Ｍｚ ７７９） （Ｍ＋１）
実施例３
（１）４，６−ビス［（３−ブロモフェニル）チオ］ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン（ｃ２）の合成
合成経路は以下のとおりである。
具体的な合成ステップは以下のとおりである。
４，６−ジヨードジベンゾフランｂ） （１．０５ｇ、２．５ｍｍｏｌ）、３−ブロモチオフェノール （０．９８ｇ、５．２ｍｍｏｌ）、ＣｕＩ （０．０９５ｇ、０．５ｍｍｏｌ）、フェナントロリン （０．１８ｇ、１ｍｍｏｌ）、及び炭酸カリウム（０．９６ｇ、７ｍｍｏｌ）を量って、５０ｍＬの三つ口フラスコに入れ、窒素ガスを３回交換した。１０ｍＬの乾燥ＤＭＳＯを添加し、温度を１３０℃に上げ、１６時間反応させた。反応が完了した後、１５０ｍＬの水を添加し、ジクロロメタン（３＊２０ｍＬ）で抽出し、有機層を合わせ、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。砂コア漏斗で濾過し、溶媒をスピン乾燥させ、ｎ-ヘキサン／酢酸エチル ＝ ２０／１の溶離剤を使用して、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離して、０．９ｇの白色固体を取得した。収率は、６６％であった。
合成経路は以下のとおりである。
具体的な合成ステップは以下のとおりである。
４，６−ジヨードジベンゾフランｂ） （１．０５ｇ、２．５ｍｍｏｌ）、３−ブロモチオフェノール （０．９８ｇ、５．２ｍｍｏｌ）、ＣｕＩ （０．０９５ｇ、０．５ｍｍｏｌ）、フェナントロリン （０．１８ｇ、１ｍｍｏｌ）、及び炭酸カリウム（０．９６ｇ、７ｍｍｏｌ）を量って、５０ｍＬの三つ口フラスコに入れ、窒素ガスを３回交換した。１０ｍＬの乾燥ＤＭＳＯを添加し、温度を１３０℃に上げ、１６時間反応させた。反応が完了した後、１５０ｍＬの水を添加し、ジクロロメタン（３＊２０ｍＬ）で抽出し、有機層を合わせ、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。砂コア漏斗で濾過し、溶媒をスピン乾燥させ、ｎ-ヘキサン／酢酸エチル ＝ ２０／１の溶離剤を使用して、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離して、０．９ｇの白色固体を取得した。収率は、６６％であった。
（２）４，６−ビス［（３−ブロモフェニル）スルホニル］ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン（ｄ２）の合成
合成経路は以下のとおりである。
合成経路は以下のとおりである。
具体的な合成ステップは以下のとおりである。
４，６−ビス［（３−ブロモフェニル）チオ］ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン（ｃ２） （０．９ｇ、１．６６ｍｍｏｌ）をフラスコに入れ、ジクロロメタンで溶解し、反応系を氷浴に入れ、２．２当量のメタクロロ過安息香酸をゆっくりと添加し、室温で２４時間反応させた。反応が完了した後、５％のＮａＨＳＯ３溶液５０ｍＬを添加し、ジクロロメタン（３＊５０ｍＬ）で抽出し、有機層を合わせ、Ｎａ２ＣＯ３溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。砂コア漏斗で濾過し、溶媒をスピン乾燥させ、エタノールでスラリー化し、吸引濾過して乾燥させ、０．８ｇの白色粉末固体を取得した。収率は、８０％であった。
４，６−ビス［（３−ブロモフェニル）チオ］ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン（ｃ２） （０．９ｇ、１．６６ｍｍｏｌ）をフラスコに入れ、ジクロロメタンで溶解し、反応系を氷浴に入れ、２．２当量のメタクロロ過安息香酸をゆっくりと添加し、室温で２４時間反応させた。反応が完了した後、５％のＮａＨＳＯ３溶液５０ｍＬを添加し、ジクロロメタン（３＊５０ｍＬ）で抽出し、有機層を合わせ、Ｎａ２ＣＯ３溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。砂コア漏斗で濾過し、溶媒をスピン乾燥させ、エタノールでスラリー化し、吸引濾過して乾燥させ、０．８ｇの白色粉末固体を取得した。収率は、８０％であった。
（３）４，６−ビス［（３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニルスルホニル］ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン（３）の合成
合成経路は以下のとおりである。
合成経路は以下のとおりである。
具体的な合成ステップは以下のとおりである。
４，６−ビス［（３−ブロモフェニル）スルホニル］ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン（ｄ２） （０．１３６ｇ、０．３ｍｍｏｌ）、カルバゾール （０．１ｇ、０．６ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３ （２８ ｍｇ、０．０３ｍｍｏｌ）、Ｐ（ｔＢｕ）３トルエン溶液 （２４ ｍｇ、０．０６ｍｍｏｌ）、 ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド （０．１１５ｇ、１．２ｍｍｏｌ）、及びトルエン５ｍＬを量って、１０ｍＬのシュレンク管に入れ、窒素で保護し、１１０℃で１０時間反応させた。反応が完了した後、５％のＮａＨＳＯ３溶液２０ｍＬを添加し、ジクロロメタン（３＊２０ｍＬ）で抽出し、溶離剤としてｎ-ヘキサン／酢酸エチル＝ ２：１を使用して、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離して、０．１８ｇの黄色固体を取得した。収率は、６９％であった。
生成物の測定データは以下のとおりである。
Ｍｓ（ＥＳＩ： Ｍｚ ７７９） （Ｍ＋１）
実施例４
４，６−ビス［（３−ブロモフェニル）スルホニル］ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン（ｄ２） （０．１３６ｇ、０．３ｍｍｏｌ）、カルバゾール （０．１ｇ、０．６ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３ （２８ ｍｇ、０．０３ｍｍｏｌ）、Ｐ（ｔＢｕ）３トルエン溶液 （２４ ｍｇ、０．０６ｍｍｏｌ）、 ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド （０．１１５ｇ、１．２ｍｍｏｌ）、及びトルエン５ｍＬを量って、１０ｍＬのシュレンク管に入れ、窒素で保護し、１１０℃で１０時間反応させた。反応が完了した後、５％のＮａＨＳＯ３溶液２０ｍＬを添加し、ジクロロメタン（３＊２０ｍＬ）で抽出し、溶離剤としてｎ-ヘキサン／酢酸エチル＝ ２：１を使用して、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離して、０．１８ｇの黄色固体を取得した。収率は、６９％であった。
生成物の測定データは以下のとおりである。
Ｍｓ（ＥＳＩ： Ｍｚ ７７９） （Ｍ＋１）
実施例４
（１）４，６−ビス［（２−ブロモフェニル）チオ］ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン（ｃ３）の合成
合成経路は以下のとおりである。
合成経路は以下のとおりである。
具体的な合成ステップは以下の通りである。
４，６−ジヨードジベンゾフランｂ） （２．１ｇ、５ｍｍｏｌ）、２−ブロモチオフェノール （１．９６ｇ、１０．４ｍｍｏｌ）、ＣｕＩ （０．１９ｇ、１ｍｍｏｌ）、フェナントロリン （０．３６ｇ、２ｍｍｏｌ）、及び炭酸カリウム（２ｇ、１４ｍｍｏｌ）を量って、５０ｍＬの三つ口フラスコに入れ、窒素ガスを３回交換した。２０ｍＬの乾燥ＤＭＳＯを添加し、温度を１３０℃に上げ、１５時間反応させた。反応が完了した後、１５０ｍＬの水を添加し、ジクロロメタン（３＊３０ｍＬ）で抽出し、有機層を合わせ、水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。砂コア漏斗で濾過し、溶媒をスピン乾燥させ、ｎ-ヘキサン／酢酸エチル ＝ ２０／１の溶離剤を使用して、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離して、１．５ｇの白色固体を取得した。収率は、５５％であった。
４，６−ジヨードジベンゾフランｂ） （２．１ｇ、５ｍｍｏｌ）、２−ブロモチオフェノール （１．９６ｇ、１０．４ｍｍｏｌ）、ＣｕＩ （０．１９ｇ、１ｍｍｏｌ）、フェナントロリン （０．３６ｇ、２ｍｍｏｌ）、及び炭酸カリウム（２ｇ、１４ｍｍｏｌ）を量って、５０ｍＬの三つ口フラスコに入れ、窒素ガスを３回交換した。２０ｍＬの乾燥ＤＭＳＯを添加し、温度を１３０℃に上げ、１５時間反応させた。反応が完了した後、１５０ｍＬの水を添加し、ジクロロメタン（３＊３０ｍＬ）で抽出し、有機層を合わせ、水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。砂コア漏斗で濾過し、溶媒をスピン乾燥させ、ｎ-ヘキサン／酢酸エチル ＝ ２０／１の溶離剤を使用して、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離して、１．５ｇの白色固体を取得した。収率は、５５％であった。
（２）４，６−ビス［（２−ブロモフェニル）スルホニル］ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン（ｄ３）の合成
合成経路は以下のとおりである。
合成経路は以下のとおりである。
具体的な合成ステップは以下のとおりである。
４，６−ビス［（２−ブロモフェニル）チオ］ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン（ｃ３） （１．４ｇ、２．５８ｍｍｏｌ）をフラスコに入れ、ジクロロメタンで溶解し、反応系を氷浴に入れ、２．２当量のメタクロロ過安息香酸をゆっくりと添加し、室温で２４時間反応させた。反応が完了した後、５％のＮａＨＳＯ３溶液５０ｍＬを添加し、ジクロロメタン（３＊５０ｍＬ）で抽出し、有機層を合わせ、Ｎａ２ＣＯ３溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。砂コア漏斗で濾過し、溶媒をスピン乾燥させ、エタノールでスラリー化し、吸引濾過して乾燥させ、１．４ｇの白色粉末固体を取得した。収率は、８９％であった。
４，６−ビス［（２−ブロモフェニル）チオ］ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン（ｃ３） （１．４ｇ、２．５８ｍｍｏｌ）をフラスコに入れ、ジクロロメタンで溶解し、反応系を氷浴に入れ、２．２当量のメタクロロ過安息香酸をゆっくりと添加し、室温で２４時間反応させた。反応が完了した後、５％のＮａＨＳＯ３溶液５０ｍＬを添加し、ジクロロメタン（３＊５０ｍＬ）で抽出し、有機層を合わせ、Ｎａ２ＣＯ３溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。砂コア漏斗で濾過し、溶媒をスピン乾燥させ、エタノールでスラリー化し、吸引濾過して乾燥させ、１．４ｇの白色粉末固体を取得した。収率は、８９％であった。
（３）４，６−ビス［（２−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニルスルホニル］ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン（４）の合成
合成経路は以下のとおりである。
合成経路は以下のとおりである。
具体的な合成ステップは以下のとおりである。
４，６−ビス［（２−ブロモフェニル）スルホニル］ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン（ｄ３） （１．３６ｇ、３ｍｍｏｌ）、カルバゾール （１ｇ、６ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３ （０．２８ｇ、０． ３ｍｍｏｌ）、Ｐ（ｔＢｕ）３トルエン溶液 （０．２４ｇ、０．６ｍｍｏｌ）、 ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド （１．１５ｇ、１２ｍｍｏｌ）、及びトルエン１０ｍＬを量って、２５ｍのシュレンク管に入れ、窒素で保護し、１１０℃で１０時間反応させた。反応が完了した後、５％のＮａＨＳＯ３溶液３０ｍＬを添加し、ジクロロメタン（３＊３０ｍＬ）で抽出し、溶離剤としてｎ-ヘキサン／酢酸エチル＝ ２：１を使用して、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離して、１．１ｇの黄色固体を取得した。収率は、４７％であった。
生成物の測定データは以下のとおりである。
Ｍｓ（ＥＳＩ： Ｍｚ ７７９） （Ｍ＋１）
４，６−ビス［（２−ブロモフェニル）スルホニル］ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン（ｄ３） （１．３６ｇ、３ｍｍｏｌ）、カルバゾール （１ｇ、６ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３ （０．２８ｇ、０． ３ｍｍｏｌ）、Ｐ（ｔＢｕ）３トルエン溶液 （０．２４ｇ、０．６ｍｍｏｌ）、 ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド （１．１５ｇ、１２ｍｍｏｌ）、及びトルエン１０ｍＬを量って、２５ｍのシュレンク管に入れ、窒素で保護し、１１０℃で１０時間反応させた。反応が完了した後、５％のＮａＨＳＯ３溶液３０ｍＬを添加し、ジクロロメタン（３＊３０ｍＬ）で抽出し、溶離剤としてｎ-ヘキサン／酢酸エチル＝ ２：１を使用して、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離して、１．１ｇの黄色固体を取得した。収率は、４７％であった。
生成物の測定データは以下のとおりである。
Ｍｓ（ＥＳＩ： Ｍｚ ７７９） （Ｍ＋１）
実施例５
ガラス転移温度の測定
窒素の保護下で、２０ｏＣ／分の加熱及び冷却速度で示差走査熱量測定（ＤＳＣ）によって、化合物２のガラス転移温度を測定した。測定された化合物２のガラス転移温度Ｔｇは１８０ｏＣである（図１）。ただし、文献で報告されているＣＢＰのガラス転移温度は６２ｏＣに過ぎない。
ガラス転移温度の測定
窒素の保護下で、２０ｏＣ／分の加熱及び冷却速度で示差走査熱量測定（ＤＳＣ）によって、化合物２のガラス転移温度を測定した。測定された化合物２のガラス転移温度Ｔｇは１８０ｏＣである（図１）。ただし、文献で報告されているＣＢＰのガラス転移温度は６２ｏＣに過ぎない。
本発明の化合物は、一般的に使用されるホスト材料ＣＢＰより高いガラス転移温度を有し、本発明は、ホスト材料の熱安定性を大幅に改善することがわかる。
実施例６
有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造
デバイスの構造は、ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＴＡＰＣ（５０ｎｍ）／化合物２：Ｉｒ（ｐｐｙ）：（４ ｗｔ％、２０ｎｍ）／ＴｍＰｙＰｂ（５０ｎｍ）／ ＬｉＦ（１ｎｍ）／ＡＬ（１００ｎｍ）である。
デバイスの製造方法は次のとおりである。図２を参照されたい。
まず、透明導電ＩＴＯガラス基板（１０と２０を含む）を、予め洗浄剤溶液、脱イオン水、エタノール、アセトン、脱イオン水で洗浄した後、酸素プラズマで３０秒間処理した。
次に、ＩＴＯ上に厚さ５ｎｍのＨＡＴＣＮを正孔注入層３０として蒸着した。
次に、正孔注入層上に厚さ５０ｎｍのＴＡＰＣを正孔輸送層４０として蒸着した。
次に、正孔輸送層上に厚さ２０ｎｍの化合物２：Ｉｒ（ｐｐｙ）：（４ｗｔ％）を発光層５０として蒸着した。
次に、発光層上に厚さ５０ｎｍのＴｍＰｙＰｂを電子輸送層６０として蒸着した。
次に、電子輸送層上に厚さ１ｎｍのＬｉＦを電子注入層７０として蒸着した。
最後に、電子注入層上に厚さ１００ｎｍのアルミニウムをデバイス陰極８０として蒸着した。
有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造
デバイスの構造は、ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＴＡＰＣ（５０ｎｍ）／化合物２：Ｉｒ（ｐｐｙ）：（４ ｗｔ％、２０ｎｍ）／ＴｍＰｙＰｂ（５０ｎｍ）／ ＬｉＦ（１ｎｍ）／ＡＬ（１００ｎｍ）である。
デバイスの製造方法は次のとおりである。図２を参照されたい。
まず、透明導電ＩＴＯガラス基板（１０と２０を含む）を、予め洗浄剤溶液、脱イオン水、エタノール、アセトン、脱イオン水で洗浄した後、酸素プラズマで３０秒間処理した。
次に、ＩＴＯ上に厚さ５ｎｍのＨＡＴＣＮを正孔注入層３０として蒸着した。
次に、正孔注入層上に厚さ５０ｎｍのＴＡＰＣを正孔輸送層４０として蒸着した。
次に、正孔輸送層上に厚さ２０ｎｍの化合物２：Ｉｒ（ｐｐｙ）：（４ｗｔ％）を発光層５０として蒸着した。
次に、発光層上に厚さ５０ｎｍのＴｍＰｙＰｂを電子輸送層６０として蒸着した。
次に、電子輸送層上に厚さ１ｎｍのＬｉＦを電子注入層７０として蒸着した。
最後に、電子注入層上に厚さ１００ｎｍのアルミニウムをデバイス陰極８０として蒸着した。
比較例
エレクトロルミネッセンスデバイスの製造
デバイスの構造は、ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＴＡＰＣ（５０ｎｍ）／ＣＢＰ：Ｉｒ（ｐｐｙ）：（４ ｗｔ％、２０ｎｍ）／ＴｍＰｙＰｂ（５０ｎｍ）／ ＬｉＦ（１ｎｍ）／ＡＬ（１００ｎｍ）である。
製造方法は実施例６と同じであるが、一般的に使用されている市販の化合物ＣＢＰをホスト材料として使用して、比較のためのエレクトロルミネッセンス有機半導体ダイオードデバイスを製造した。
エレクトロルミネッセンスデバイスの製造
デバイスの構造は、ＩＴＯ／ＨＡＴＣＮ（５ｎｍ）／ＴＡＰＣ（５０ｎｍ）／ＣＢＰ：Ｉｒ（ｐｐｙ）：（４ ｗｔ％、２０ｎｍ）／ＴｍＰｙＰｂ（５０ｎｍ）／ ＬｉＦ（１ｎｍ）／ＡＬ（１００ｎｍ）である。
製造方法は実施例６と同じであるが、一般的に使用されている市販の化合物ＣＢＰをホスト材料として使用して、比較のためのエレクトロルミネッセンス有機半導体ダイオードデバイスを製造した。
実験によると、本発明の双極性ホスト材料を使用して製造されたエレクトロルミネッセンスデバイスは、２０ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で、６．９９Ｖの電圧、７０８２ ｃｄ／ｍ２の輝度、３５．４１ｃｄ／Ａの電流効率、１５．９１ ｌｍ／Ｗの電力効率、及び９．９８％の外部量子効率ＥＱＥを有する。一方、市販されているホストＣＢＰによって製造されたエレクトロルミネッセンスデバイスは、同じ電流密度で、７．７１Ｖの電圧、５８４５ｃｄ／ｍ２の輝度、２９．２３ｃｄ／Ａの電流効率、１１．９１ｌｍ／Ｗの電力効率、及び８．５％の外部量子効率ＥＱＥを有する。従って、本発明の双極性ホスト材料を使用すると、ＣＢＰで製造されたデバイスよりも２１％高い電流効率及び１７．４％高い外部量子効率を取得でき、より高いデバイス安定性を取得でき、より良好な応用の見通しを有し、有機発光ダイオードのホスト材料に対する要求を満たす。
Claims (10)
- ４，６−ジフェニルスルホンジベンゾフランベースの双極性ホスト材料であって、式（Ｉ）の構造を有することを特徴とする双極性ホスト材料。
（式（Ｉ）中、
Ｒ１〜Ｒ６は、アルキル基置換若しくは未置換のアクリジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニイル基、カルバゾール、インデノカルバゾール、ジフェニルアミン、他の芳香族ジフェニルアミン誘導体、水素、ハロゲン、又はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
Ｒ１〜Ｒ６の少なくとも１つは、アルキル基置換若しくは未置換のアクリジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニイル基、カルバゾール、インデノカルバゾール、ジフェニルアミン又は他の芳香族ジフェニルアミン誘導体である） - Ｒ１、Ｒ２及びＲ３のうちの２つは水素、ハロゲン又はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
他の１つはＣ１−Ｃ８アルキル基置換若しくは未置換のアクリジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニイル基、カルバゾール、インデノカルバゾール、ジフェニルアミン又は他の芳香族ジフェニルアミン誘導体であり、
Ｒ４、Ｒ５及びＲ６のうちの２つは水素、ハロゲン又はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
他の１つはＣ１−Ｃ８アルキル基置換若しくは未置換のアクリジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニイル基、カルバゾール、インデノカルバゾール、ジフェニルアミン又は他の芳香族ジフェニルアミン誘導体である、
ことを特徴とする請求項１に記載の双極性ホスト材料。 - Ｒ１とＲ４は同じであり、
Ｒ２とＲ５は同じであり、
Ｒ３とＲ６は同じである、
ことを特徴とする請求項２に記載の双極性ホスト材料。 - Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５及びＲ６は水素、ハロゲン又はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
Ｒ１及びＲ４はＣ１−Ｃ４アルキル基置換若しくは未置換のアクリジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニイル基、カルバゾール、インデノカルバゾール、ジフェニルアミン又は他の芳香族ジフェニルアミン誘導体である、
ことを特徴とする請求項３に記載の双極性ホスト材料。 - Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５及びＲ６は水素であり、
Ｒ１及びＲ４はＣ１−Ｃ４アルキル基置換若しくは未置換のアクリジニル基、カルバゾール又はインデノカルバゾールである、
ことを特徴とする請求項４に記載の双極性ホスト材料。 - 式（Ｉ）は以下のいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の双極性ホスト材料。
- 式（Ｉ）は以下のいずれかであることを特徴とする請求項６に記載の双極性ホスト材料。
- 式（Ｉ）は以下の構造であることを特徴とする請求項７に記載の双極性ホスト材料。
- 請求項１〜８のいずれか一項に記載の双極ホスト材料の製造方法であって、
ジベンゾフラン（ａ）をｎ−ブチルリチウムの存在下でリチウム塩とした後、ヨウ素化して４，６−ジヨードジベンゾフラン（ｂ）を生成し、更にハロゲン化チオフェノールとのウルマン反応によってチオエーテル中間体（ｃ）を生成するステップと、
ハロゲン化チオエーテル中間体を酸化し、ハロゲン化スルホン化合物（ｄ）を生成するステップと、
ハロゲン化スルホン化合物（ｄ）と、アルキル基置換又は未置換のアクリジン、カルバゾール、又はジフェニルアミン（ｅ）とのパラジウム触媒ブッフバルト反応又は求核置換反応により、前記双極ホスト材料を生成するステップを含み、
前記ハロゲン化はフッ素化又はブロム化であり、
反応式は次のとおりであることを特徴とする製造方法。
- 請求項１〜８のいずれか一項に記載の双極ホスト材料を含む有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711061783.4A CN109748908B (zh) | 2017-11-02 | 2017-11-02 | 基于4,6-二苯砜二苯并呋喃的双极性主体材料及应用 |
| CN201711061783.4 | 2017-11-02 | ||
| PCT/CN2018/107240 WO2019085688A1 (zh) | 2017-11-02 | 2018-09-25 | 基于4,6-二苯砜二苯并呋喃的双极性主体材料及应用 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021501989A JP2021501989A (ja) | 2021-01-21 |
| JP6836019B2 true JP6836019B2 (ja) | 2021-02-24 |
Family
ID=66331344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020523421A Active JP6836019B2 (ja) | 2017-11-02 | 2018-09-25 | ４、６−ジフェニルスルホンジベンゾフランベースの双極性ホスト材料及び応用 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6836019B2 (ja) |
| KR (1) | KR102350371B1 (ja) |
| CN (1) | CN109748908B (ja) |
| TW (1) | TWI668218B (ja) |
| WO (1) | WO2019085688A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113429391B (zh) * | 2021-07-14 | 2022-07-19 | 山西大学 | 一种含二苯砜骨架的化合物及其制备方法和应用 |
| CN113788820B (zh) * | 2021-08-25 | 2023-08-22 | 常州大学 | 基于二苯并杂环共轭π桥的蓝色热活性延迟荧光材料及应用 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05109485A (ja) * | 1991-10-15 | 1993-04-30 | Ricoh Co Ltd | 電界発光素子 |
| JP5109485B2 (ja) * | 2007-06-05 | 2012-12-26 | 株式会社タンガロイ | 旋削用スローアウェイチップ |
| CN103626683A (zh) * | 2012-08-20 | 2014-03-12 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机半导体材料、制备方法和电致发光器件 |
| CN103804332A (zh) * | 2012-11-08 | 2014-05-21 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 电子传输型红光磷光化合物及其制备方法和应用 |
| CN103804276A (zh) * | 2012-11-08 | 2014-05-21 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 双极性红光磷光化合物、其制备方法和有机电致发光器件 |
| US20180212158A1 (en) * | 2015-07-13 | 2018-07-26 | President And Fellows Of Harvard College | Organic light-emitting diode materials |
-
2017
- 2017-11-02 CN CN201711061783.4A patent/CN109748908B/zh active Active
-
2018
- 2018-09-13 TW TW107132334A patent/TWI668218B/zh active
- 2018-09-25 WO PCT/CN2018/107240 patent/WO2019085688A1/zh active Application Filing
- 2018-09-25 JP JP2020523421A patent/JP6836019B2/ja active Active
- 2018-09-25 KR KR1020207011732A patent/KR102350371B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102350371B1 (ko) | 2022-01-18 |
| CN109748908A (zh) | 2019-05-14 |
| JP2021501989A (ja) | 2021-01-21 |
| TW201918479A (zh) | 2019-05-16 |
| TWI668218B (zh) | 2019-08-11 |
| WO2019085688A1 (zh) | 2019-05-09 |
| CN109748908B (zh) | 2021-07-16 |
| KR20200056441A (ko) | 2020-05-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI667228B (zh) | 化合物及含有該化合物的有機電子裝置 | |
| JP7226718B2 (ja) | 有機発光素子、組成物および膜 | |
| TWI477488B (zh) | 用於有機電子元件之化合物、使用此化合物之有機電子元件及電子裝置 | |
| TWI591065B (zh) | 雜環化合物、發光元件、發光裝置、電子裝置、及照明裝置 | |
| KR101460365B1 (ko) | 신규한 이미다졸 유도체 및 이를 이용한 유기전자소자 | |
| KR101769764B1 (ko) | 신규한 유기반도체 화합물 및 이를 이용한 유기전계발광소자 | |
| KR102135243B1 (ko) | 유기광전자소자용 화합물, 이를 포함하는 유기발광소자 및 상기 유기발광소자를 포함하는 표시장치 | |
| CN113227082A (zh) | 新型化合物及利用其的有机发光器件 | |
| JP4783395B2 (ja) | 電子輸送性材料およびそれを用いた有機発光素子 | |
| JP6836018B2 (ja) | ４、６−ジフェニルスルホンジベンゾフランベースの双極性ホスト材料を含むデバイス | |
| WO2016173020A1 (zh) | 含有二(苯砜基)苯结构的共轭化合物及其制备方法和应用 | |
| JP2021014455A (ja) | 有機電気素子用化合物、これを用いた有機電気素子及びその電子装置 | |
| KR20140121991A (ko) | 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 | |
| JP6836019B2 (ja) | ４、６−ジフェニルスルホンジベンゾフランベースの双極性ホスト材料及び応用 | |
| KR20170018627A (ko) | 유기발광 화합물을 포함하는 유기전계발광소자 | |
| KR101578475B1 (ko) | 다이벤조사이오펜과 아릴아민 유도체를 가지는 화합물 및 이를 이용한 유기전기소자, 그 단말 | |
| JP5325242B2 (ja) | トリフェニレンベースの芳香族化合物およびそれを用いた有機発光ダイオード | |
| JP6949216B2 (ja) | ４−スルホンアリールジベンゾフランを含む光電材料及び応用 | |
| KR20130083887A (ko) | 새로운 이미다졸 유도체 및 이를 이용한 유기전자소자 | |
| JP2023516814A (ja) | 縮合環を有するアミン化合物及びこれを含む有機発光素子 | |
| TW201323379A (zh) | 用於有機電致發光裝置之發光之１，１’－雙萘基－４，４’－二胺衍生物及使用該衍生物之有機電致發光裝置 | |
| KR20140009095A (ko) | 신규한 이미다졸 유도체 및 이를 이용한 유기전자소자 | |
| CN116903600A (zh) | 一种稠环化合物及其有机电致发光器件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200622 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210202 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210204 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6836019 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |