JP6823570B2 - 合成ガス生成システム - Google Patents

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Description

本発明は、二酸化炭素を含む水溶液の電気還元によって一酸化炭素及び水素を生成する合成ガス生成システムに関する。
二酸化炭素の電気還元によって一酸化炭素及び水素を生成する合成ガス生成システムが公知である(例えば、特許文献1)。合成ガス生成システムは、アノード及びカソードを有する電解装置と、電解液に二酸化炭素を吸収させる二酸化炭素吸収槽とを有する。この合成ガス生成システムでは、カソードにおいて二酸化炭素及び水が還元されて一酸化炭素及び水素が生成され、アノードにおいて水が電気分解されて酸素が生成される。
カソードで生成された一酸化炭素及び水素は、フィッシャー・トロプシュ反応(FT反応)等の反応物として使用される。上記の特許文献1に係る合成ガス生成システムでは、FT反応の効率を向上させるために、電解液に溶存する二酸化炭素の濃度を制御することによって、水素に対する一酸化炭素のモル比を1/2に調節している。
特開2013−253279号明細書
電解液の二酸化炭素濃度は、応答性良く制御することが難しいという問題がある。そのため、合成ガス生成システムは、電解液の二酸化炭素濃度の他にも、生成される水素及び一酸化炭素のモル比を調節するための手段を有することが好ましい。
本発明は、以上の背景を鑑み、合成ガス生成システムにおいて、生成される水素及び一酸化炭素の比を制御することを課題とする。
上記課題を解決するために、本発明の一態様は、COを含む水溶液の電気還元によってCO及びHを生成する合成ガス生成システム(1)であって、アノード(15)を有するアノード室(4)、カソード(16)を有するカソード室(5)、及び前記アノード室と前記カソード室とを区画する隔膜(3)を有する電解装置(6)と、前記カソード室に接続され、COを含むカソード液を循環させるカソード側循環ライン(8)と、前記カソード側循環ラインに設けられ、前記カソード液にCO生成触媒を供給する触媒供給装置(29)と、前記カソード室において生成した生成ガスのCO及びHの比を測定するガス組成検出装置(35)とを有し、前記ガス組成検出装置の検出結果に基づいて、前記生成ガスにおけるCOに対するHの比を所定の目標範囲にすべく、前記触媒供給装置によるCO生成触媒の供給量の制御、及び前記電解装置による前記アノード及び前記カソード間に印加する電圧の制御の少なくとも一方を実行することを特徴とする。
この態様によれば、生成ガスにおけるCOに対するHの比を所定の目標範囲にすることができる。CO生成触媒の量を増加させるとCOの生成量が増加するため、生成ガスにおけるCOに対するHの比が低下する。一方、電解装置の印加電圧を増加させると、電流密度が増加し、Hの生成量が増加するため、生成ガスにおけるCOに対するHの比が増加する。
上記の態様において、前記カソード側循環ラインと並列に設けられ、上流端及び下流端が前記カソード側循環ラインに接続されたバイパスラインと、前記バイパスラインに流れる前記カソード液の流量を制御する流量制御弁と、前記バイパスラインに設けられた固液分離装置とを更に有するとよい。
この構成によれば、CO生成触媒が水に対して不溶性である場合、流量制御弁を制御して固液分離装置にカソード液を供給することによって、カソード液からCO生成触媒を除去することができる。すなわち、カソード液中のCO生成触媒量を低減させることができる。これにより、生成ガスにおけるCOに対するHの比を増加させることができる。また、CO生成触媒が初期状態において水溶性であり、かつ失活状態において水に不溶性である場合、失活した触媒をカソード液から回収することができる。
本発明の他の態様は、COを含む水溶液の電気還元によってCO及びHを生成する合成ガス生成システム(1)であって、アノード(15)を有するアノード室(4)、カソード(16)を有するカソード室(5)、及び前記アノード室と前記カソード室とを区画する隔膜(3)を有する電解装置(6)と、前記カソード室に接続され、COを含むカソード液を循環させるカソード側循環ライン(8)と、前記カソード側循環ラインに設けられ、前記カソード液にCO生成触媒を供給する触媒供給装置(29)と、前記カソード室において生成した生成ガスのCO及びHの比を測定するガス組成検出装置(35)と、前記カソード側循環ラインと並列に設けられ、上流端及び下流端が前記カソード側循環ラインに接続されたバイパスライン(31)と、前記バイパスラインに流れる前記カソード液の流量を制御する流量制御弁(26)と、前記バイパスラインに設けられた固液分離装置(37)とを有し、前記ガス組成検出装置の検出結果に基づいて、前記生成ガスにおけるCOに対するHの比を所定の目標範囲にすべく、前記触媒供給装置によるCO生成触媒の供給量の制御、前記流量制御弁による前記固液分離装置に供給する前記カソード液の流量の制御及び前記電解装置による前記アノード及び前記カソード間に印加する電圧の制御の少なくとも1つを実行することを特徴とする。
この構成によれば、生成ガスにおけるCOに対するHの比を所定の目標範囲にすることができる。CO生成触媒の量を増加させるとCOの生成量が増加するため、生成ガスにおけるCOに対するHの比が低下する。一方、電解装置の印加電圧を増加させると、電流密度が増加し、Hの生成量が増加するため、生成ガスにおけるCOに対するHの比が増加する。CO生成触媒が水に対して不溶性である場合、流量制御弁を制御して固液分離装置にカソード液を供給することによって、カソード液からCO生成触媒を除去することができる。すなわち、カソード液中のCO生成触媒量を低減させることができる。これにより、生成ガスにおけるCOに対するHの比を増加させることができる。また、CO生成触媒が初期状態において水溶性であり、かつ失活状態において水に不溶性である場合、失活した触媒をカソード液から回収することができる。
上記の態様において、前記目標範囲は、COに対するHのモル比率が0.25以上2.5以下に設定されているとよい。
この構成によれば、生成されたCO及びHを使用してFT反応等の各種有機合成反応を行う場合に、反応効率を向上させることができる。
上記の態様において、前記CO生成触媒は、粉末、水溶液、及び懸濁液の少なくとも1つの状態で前記カソード液に供給されるとよい。
この態様によれば、CO生成触媒をカソード液に容易に添加することができる。
上記の態様において、前記CO生成触媒が、Zn、ZnO、ZnO、ZnO、ZnSO、Zn(NO、ZnCl、ZnBr、ZnI、Zn(OCOCH、Ag、AgO、AgO、Ag、AgNO、AgCl、AgBr、Ag(OCOCH)、Au、AuCl、AuCl、H[AuCl]、AuBr、H[AuBr]、Au(OCOCH)、Au(OCOCHからなる群の少なくとも1つを含むとよい。
上記の態様において、前記カソード液は、LiOH、NaOH、KOH、LiCO、NaCO、KCO、LiHCO、NaHCO、及びKHCOからなる群の少なくとも1つを含むとよい。
上記の態様において、前記カソード側循環ラインに設けられ、気体のCOを前記カソード液に接触させ、前記カソード液にCOを吸収させる二酸化炭素吸収槽(30)を更に有するとよい。また、上記の態様において、前記カソード側循環ラインに設けられ、前記生成ガスと前記カソード液とを分離する気液分離装置(25)を更に有するとよい。また、上記の態様において、前記カソード側循環ラインと独立して前記アノード室に接続され、アノード液を循環させるアノード側循環ライン(7)を更に有するとよい。
これらの態様によれば、合成ガス生成システムを循環型のシステムとして構成することができる。
以上の態様によれば、合成ガス生成システムにおいて、生成される水素及び一酸化炭素の比を制御することができる。
実施形態に係る合成ガス生成システムの概略図 電解装置を示す概略図 カソード及びアノード間の電流密度と生成ガスにおけるH/CO比との関係を示すグラフ CO生成触媒の濃度と生成ガスにおけるH/CO比との関係を示すグラフ 生成ガスにおけるH/CO比の経時変化を示すグラフ
以下、本発明に係る合成ガス生成システムについて説明する。実施形態に係る合成ガス生成システム1は、二酸化炭素を含む水溶液を電気還元(電気分解)して一酸化炭素及び水素を含む合成ガスを生成する。
図1に示すように、合成ガス生成システム1は、隔膜3によって区画されたアノード室4及びカソード室5を有する電解装置6と、アノード室4に接続され、アノード液を循環させるアノード側循環ライン7と、カソード室5に接続され、二酸化炭素を含むカソード液を循環させるカソード側循環ライン8とを有する。アノード側循環ライン7及びカソード側循環ライン8は、配管によって形成された通路であり、互いに独立している。
アノード液はアノード室4に供給される水溶液であり、カソード液はカソード室5に供給される水溶液である。アノード液は、電解質を含む水溶液である。カソード液は、電解質、CO生成触媒、及び二酸化炭素を含む水溶液である。カソード液において、電解質及び二酸化炭素は水に溶解している。カソード液において、CO生成触媒は水に溶解していてもよく、懸濁していてもよい。アノード液及びカソード液に含まれる電解質は、カリウム、ナトリウム、リチウム、又はこれらの化合物の少なくとも1つを含む。電解質は、例えば、LiOH、NaOH、KOH、LiCO、NaCO、KCO、LiHCO、NaHCO、及びKHCOからなる群の少なくとも1つを含むとよい。
CO生成触媒は、二酸化炭素還元触媒として知られている触媒であり、Zn、Ag、及びAuの少なくとも1つを含む。CO生成触媒は、具体的には、Zn、ZnO、ZnO、ZnO、ZnSO、Zn(NO、ZnCl、ZnBr、ZnI、Zn(OCOCH、Ag、AgO、AgO、Ag、AgNO、AgCl、AgBr、Ag(OCOCH)、Au、AuCl、AuCl、H[AuCl]、AuBr、H[AuBr]、Au(OCOCH)、Au(OCOCHからなる群の少なくとも1つを含むことが好ましい。CO生成触媒は、水に対して溶解性であることが好ましいが、不溶性であってもよい。
アノード側循環ライン7にはアノード側送液ポンプ11が設けられ、カソード側循環ライン8にはカソード側送液ポンプ12が設けられている。アノード側送液ポンプ11によってアノード液はアノード室4及びアノード側循環ライン7を循環し、カソード側送液ポンプ12によってカソード液はカソード室5及びカソード側循環ライン8を循環する。
図2は、電解装置6の概略図である。図2に示すように、電解装置6は、容器としての電気分解槽14と、電気分解槽14の内室をアノード室4及びカソード室5に区画する隔膜3と、アノード室4に配置されたアノード15(電極)と、カソード室5に配置されたカソード16(電極)とを有する。電気分解槽14は、アノード室4に接続したアノード液入口18及びアノード液出口19と、カソード室5に接続したカソード液入口21及びカソード液出口22とを有する。アノード液入口18及びカソード液入口21は電気分解槽14の下部に配置され、アノード液出口19及びカソード液出口22は電気分解槽14の上部に配置されている。アノード液入口18及びアノード液出口19はアノード側循環ライン7に接続され、カソード液入口21及びカソード液出口22はカソード側循環ライン8に接続されている。
隔膜3は、アニオン交換膜又はカチオン交換膜を含むイオン交換膜から形成されている。イオン交換膜は、アノード液及びカソード液に含まれる電解質の種類に応じて選択されるとよい。例えば、アニオン交換膜は水酸化物イオン、炭酸イオン、炭酸水素イオンの少なくとも1つが通過可能な膜であり、カチオン交換膜は水素イオン、カリウムイオン、ナトリウムイオン、リチウムイオンの少なくとも1つが通過可能な膜であるとよい。
アノード15及びカソード16は、例えば、チタニウム、ニッケル、モリブデン、白金、金、銀、銅、鉄、鉛等の金属材料又はこれらの金属合金材料、カーボン等の炭素系材料又は導電性セラミックで構成されている。アノード15及びカソード16の形状は、平板、複数の開口を備えた平板、メッシュ、及び多孔体であってよい。平板に形成される開口の形状は、円形、ひし形、星形等であってよい。平板は、波形や湾曲に形成されてもよく、表面に凹凸を有してもよい。
アノード15は電源装置23の正極に接続され、カソード16は電源装置23の負極に接続されている。電源装置23は、アノード15及び複数のカソード16間に印加する電圧を変化させることができる。電源装置23は、制御装置24から受ける信号に基づいて印加電圧を変化させる。電源装置23は、例えば、アノード15及び複数のカソード16間に、水溶液の電気分解に適切な電圧(例えば、電流密度が800mA/cm以下となり、かつ、電気分解槽14内の反応温度が20℃〜80℃の範囲内となる電圧)を印加する。カソード16及びアノード15に電圧が印加されることによって、カソード16では二酸化炭素が還元されて一酸化炭素及び水素が生成され、アノード15ではアノード液の電気分解によって酸素が生成される。
電解装置6は、アノード15を備えたアノード室4及びカソード16を備えたカソード室5からなる組を複数備えているとよい。組をなすアノード室4及びカソード室5は、互いに並列に接続されているとよい。
図1に示すように、カソード側循環ライン8には、カソード液の循環方向において、カソード室5のカソード液出口22から、カソード側気液分離装置25、切替弁26、水供給装置27、電解質供給装置28、CO生成触媒供給装置29、及び二酸化炭素吸収槽30が記載の順序で配置されている。カソード側送液ポンプ12は、カソード側循環ライン8における二酸化炭素吸収槽30と電解装置6のカソード液入口21に接続された端部との間に配置され、カソード液入口21に向けてカソード液を送出する。
カソード側気液分離装置25は、カソード室5を通過したカソード液に含まれる気体成分をカソード液から分離する。カソード側気液分離装置25は、例えば公知のノックアウトドラムであってよい。カソード側気液分離装置25において分離される気体は、カソード16において生成された水素及び一酸化炭素を含む。
切替弁26は、カソード側循環ライン8とバイパスライン31の上流端との接続部に設けられている。バイパスライン31は、カソード側循環ライン8と並列に設けられ、上流端及び下流端がカソード側循環ライン8におけるカソード側気液分離装置25と水供給装置27との間に接続されている。切替弁26は、バイパスライン31に流れるカソード液の流量を制御する流量制御弁として機能する。切替弁26は、制御装置24によって開度が制御される電動弁である。本実施形態では、切替弁26は、バイパスライン31に分配するカソード液量を調節可能な三方弁として構成されている。他の実施形態では、切替弁26(三方弁)に代えて、流量制御弁をバイパスライン31に設けてもよい。
バイパスライン31には、固液分離装置37が設けられている。固液分離装置37は、カソード液に含まれる固体(固形物)を分離する。固液分離装置37は、例えばろ過装置や遠心分離装置であってよい。CO生成触媒が水に対して不溶性である場合、固液分離装置37は、カソード液からCO生成触媒を分離する。また、CO生成触媒が初期状態において水溶性であり、かつ失活状態に水に対して不溶性である場合、固液分離装置37は、カソード液から失活したCO生成触媒を分離する。
水供給装置27は、水をカソード側循環ライン8に供給する。水供給装置27は、液位計(不図示)によって検出されたカソード液の液量に基づいて、カソード液の液量が目標範囲となるように水の供給量を制御するとよい。
電解質供給装置28は、電解質をカソード側循環ライン8に供給する。電解質供給装置28は、導電率計(不図示)によって検出されたカソード液の導電率に基づいて、カソード液の導電率が目標範囲となるように電解質の供給量を制御するとよい。電解質供給装置28は、電解質を水溶液の状態、又は粉末の状態でカソード側循環ライン8に供給する。
CO生成触媒供給装置29は、CO生成触媒をカソード側循環ライン8に供給する。CO生成触媒供給装置29は、制御装置24から受ける信号に基づいてCO生成触媒の供給量を変化させる。CO生成触媒供給装置29は、CO生成触媒を水溶液の状態、懸濁液の状態又は粉末の状態でカソード側循環ライン8に供給する。
二酸化炭素吸収槽30は、その内部において、液体のカソード液に二酸化炭素を含む被処理ガスを接触させ、二酸化炭素をカソード液に吸収させる。二酸化炭素吸収槽30は、内部に被処理ガスを供給する配管と、カソード液を天井側から噴霧する噴霧器とを有する。二酸化炭素吸収槽30は、内部のカソード液の温度を調整する調温装置を有してもよい。被処理ガスは、例えば炭化水素燃料を燃焼させた燃焼排気ガスである。
カソード側気液分離装置25において分離された気体である生成ガスは、生成ガスライン32を通って生成ガスタンク33に送られる。生成ガスライン32には、カソード側気液分離装置25から順に除湿塔34及びガス組成検出装置35が設けられている。
除湿塔34は、トリエチレングリコールやモノエチレングリコール等の吸収液、又はモレキュラーシーブやシリカゲル等の吸収剤と生成ガスとを接触させることによって、生成ガスから水分を除去する。
ガス組成検出装置35は、水分が除去された生成ガスの組成を連続的に検出する。ガス組成検出装置35は、生成ガスライン32における除湿塔34と生成ガスタンク33との間の部分から一部の生成ガスを採取し、その組成を検出する。ガス組成検出装置は、一酸化炭素及び水素を検出し、生成ガスにおける一酸化炭素に対する水素のモル比率(以下、H/CO比という)を取得する。ガス組成検出装置は、例えばガスクロマトグラフィーであってよい。ガス組成検出装置は、検出したH/CO比に応じた信号を出力する。H/CO比を連続的にモニタリングすることによって、CO生成触媒の状態及び量を推定することができる。
制御装置24は、ガス組成検出装置35からの信号に基づいて、H/CO比が目標範囲内となるように、電源装置23及びCO生成触媒供給装置29の少なくとも一方を制御する。目標範囲は、例えば0.25以上2.5以下に設定されている。また、目標範囲は、1.5以上2.5以下に設定されていることが好ましい。
制御装置24は、電源装置23による印加電圧を変化させることによって、H/CO比を変化させることができる。印加電圧を増加させるとアノード15及びカソード16間の電流密度が増加する。電流密度が増加すると、水素の生成反応が促進されるため、水素の生成量が一酸化炭素の生成量に対して増加する。そのため、H/CO比が増加する。
制御装置24は、CO生成触媒供給装置29によるCO生成触媒の供給量を変化させることによって、H/CO比を変化させることができる。CO生成触媒の供給量を増加させると、カソード液中のCO生成触媒の濃度が増加する。CO生成触媒の濃度が増加すると、一酸化炭素の生成反応が促進されるため、一酸化炭素の生成量が水素の生成量に対して増加する。そのため、H/CO比が低下する。
アノード側循環ライン7には、アノード液の循環方向において、アノード室4のアノード液出口19から、アノード側気液分離装置41、水供給装置42、及び電解質供給装置43が記載の順序で配置されている。アノード側送液ポンプ11は、アノード側循環ライン7における電解質供給装置43と電解装置6のアノード液入口18に接続された端部との間に配置され、アノード液入口18に向けてアノード液を送出する。
アノード側気液分離装置41は、アノード室4を通過したアノード液に含まれる気体成分をアノード液から分離する。アノード側気液分離装置41は、例えば公知のノックアウトドラムであってよい。アノード側気液分離装置41において分離される気体には、アノード15において生成された酸素が含まれる。
水供給装置42は、水をアノード側循環ライン7に供給する。水供給装置42は、液位計(不図示)によって検出されたアノード液の液量に基づいて、アノード液の液量が目標範囲となるように水の供給量を制御するとよい。
電解質供給装置43は、電解質をアノード側循環ライン7に供給する。電解質供給装置43は、導電率計(不図示)によって検出されたアノード液の導電率に基づいて、アノード液の導電率が目標範囲となるように電解質の供給量を制御するとよい。電解質供給装置43は、電解質を水溶液の状態、又は粉末の状態でアノード側循環ライン7に供給する。
以下、合成ガス生成システム1の動作、及び合成ガス生成システム1を使用した合成ガスの製造方法について説明する。合成ガス生成システム1では、カソード液はカソード側送液ポンプ12によってカソード室5及びカソード側循環ライン8を循環し、アノード液はアノード側送液ポンプ11によってアノード室4及びアノード側循環ライン7を循環する。
電解装置6では、カソード室5においてカソード液中の二酸化炭素及び水素が還元されて一酸化炭素及び水素が生成し、アノード室4においてアノード液中の水が酸化されて酸素が生成する(電解工程)。
カソード室5を通過したカソード液は、カソード側気液分離装置25において一酸化炭素及び水素を含む生成ガスがカソード液から分離される(生成ガス分離工程)。分離された生成ガスは、除湿塔34において水分が除去された後(除湿工程)、生成ガスタンク33に貯蔵される。生成ガスの一部は、生成ガスタンク33に送られる前に採取され、ガス組成検出装置35によって生成ガスの組成が検出される(成分検出工程)。
固液分離装置37を通過したカソード液には、水供給装置27によって水が供給され(水供給工程)、電解質供給装置28によって電解質が供給され(電解質供給工程)、CO生成触媒供給装置29によってCO生成触媒が供給される(CO生成触媒供給工程)。
CO生成触媒供給装置29を通過したカソード液は、二酸化炭素吸収槽30において二酸化炭素を吸収し(二酸化炭素吸収工程)、再びカソード室5に送られる。
また、切替弁26を制御することによって、カソード側気液分離装置25を通過したカソード液の一部は、バイパスライン31に流れ、固液分離装置37において固形物が除去される(固形物除去工程)。固形物は、水に対して不溶性のCO生成触媒や、失活することによって析出したCO生成触媒である。これにより、一部のCO生成触媒がカソード液から回収される。回収されたCO生成触媒は、再生処理を行った後に再利用するとよい。
制御装置24は、H/CO比に基づいて電源装置23、CO生成触媒供給装置29、及び切替弁26の少なくとも1つを制御し、H/CO比を目標範囲内に維持する(組成制御工程)。ガス組成検出装置35によって検出されたH/CO比が目標範囲に対して小さい場合には、電源装置23が印加電圧を増加させ、H/CO比を増加させる。一方、ガス組成検出装置35によって検出されたH/CO比が目標範囲に対して大きい場合には、CO生成触媒供給装置29がCO生成触媒を供給することによってカソード液中のCO生成触媒濃度を増加させ、H/CO比を低下させる。また、ガス組成検出装置35によって検出されたH/CO比が目標範囲に対して小さい場合には、切替弁26がバイパスライン31及び固液分離装置37に流すカソード液の流量を増加させることによって、カソード液中のCO生成触媒濃度を低下させ、H/CO比を増加させる。CO生成触媒が水に対して不溶性である場合、バイパスライン31に流れるカソード液の流量が増加すると、固液分離装置37においてカソード液から取り除かれるCO生成触媒量が増加する。その結果、カソード液中のCO生成触媒濃度が低下し、H/CO比が増加する。
アノード室4を通過したアノード液は、アノード側気液分離装置41において酸素を含む気体がアノード液から分離される(酸素分離工程)。
生成ガスタンク33に貯蔵された一酸化炭素及び水素を含むガスは、反応物として、例えばFT反応に基づく有機物合成装置等に供給される。FT反応では、一酸化炭素及び水素を反応物として、メタン、エチレン、メタノール、エタノール、プロパノール、2−プロペン−1−オール等のアリルアルコール、ギ酸、及び酢酸等の有機物が生成される。
以上のように、合成ガス生成システム1はカソード液及びアノード液が循環する循環型のシステムであり、連続運転が可能である。合成ガス生成システム1は、生成ガスのH/CO比を監視し、H/CO比を所定の目標範囲内に維持するために電源装置23及びCO生成触媒供給装置29の少なくとも一方を制御する。その結果、合成ガス生成システム1の連続運転によって、CO生成触媒の失活、カソード液中の二酸化炭素濃度の変動、水の蒸発、水の補給、電解質濃度の変動等が連続的に生じる場合においても、生成ガスにおけるH/CO比が所定の目標範囲内に維持される。
合成ガス生成システム1は、H/CO比が一定した生成ガスを生産することができる。そのため、生成ガスのH/CO比を0.25以上2.5以下、より好ましくは1.5以上2.5以下にすることによって、生成ガスをFT反応の反応物に適した組成比にすることができる。その結果、FT反応の効率を向上させることができる。
(実験1)
実験1では、電解装置におけるアノード及びカソード間の電流密度が、生成ガスのH/CO比に与える影響を確認した。使用した電解装置は、容器と、容器の内室をアノード室及びカソード室に区画するアニオン交換膜と、アノード室に配置された白金メッシュ電極であるアノードと、カソード室に配置された黒鉛電極であるカソードとを有する。アノード室及びカソード室には、電解質としてKHCO、CO生成触媒としてZn(OCOCHを含む水溶液を満たした。水溶液には、二酸化炭素ガスのバブリングを常時行い、水溶液中の二酸化炭素濃度を飽和状態にした。アノード及びカソード間の電流密度が5〜40mA/cmの所定の値となるように印加電圧を調節し、定電流を30分間流した。この間、水溶液の温度は25℃に維持した。電圧の印加開始から30分後にアノード室の生成ガスを回収し、ガスクロマトグラフィーによって組成分析を行った。
図3は、実験1の結果であり、電流密度と生成ガスにおけるH/CO比との関係を示すグラフである。図3に示す結果から、電流密度が増加すると、H/CO比が増加することが確認された。電流密度が増加すると、水素及び一酸化炭素の生成が促進される。しかし、一酸化炭素の生成はCO生成触媒の量によって制限されるため、生成物における水素の増加量が一酸化炭素の増加量を上回る。その結果、H/CO比が増加する。実験1の結果から、アノード及びカソード間の電流密度(印加電圧)を変化させることによって、生成ガスにおけるH/CO比を変化させることが可能であることが理解できる。
(実験2)
実験2では、CO生成触媒の濃度が、生成ガスのH/CO比に与える影響を確認した。使用した電解装置は、実験1と同様である。アノード室及びカソード室には、電解質としてKHCO、CO生成触媒としてZn(OCOCHを含む水溶液を満たした。水溶液は、Zn(OCOCH)の濃度を変化させたものを複数用意した。水溶液には、二酸化炭素ガスのバブリングを常時行い、水溶液中の二酸化炭素濃度を飽和状態にした。アノード及びカソード間の電流密度が5mA/cmの所定の値となるように印加電圧を調節し、定電流を30分間流した。この間、水溶液の温度は25℃に維持した。電圧の印加開始から30分後にアノード室の生成ガスを回収し、ガスクロマトグラフィーによって組成分析を行った。
図4は、実験2の結果であり、CO生成触媒の濃度と生成ガスにおけるH/CO比との関係を示すグラフである。ここで、CO生成触媒の濃度は、アノードの表面積(cm)当たりのZn量(mg)で表している。図4に示す結果から、CO生成触媒の濃度が増加すると、H/CO比が減少することが確認された。これは、CO生成触媒の濃度の増加に応じて一酸化炭素の生成量が増加することに起因する。CO生成触媒の濃度が7mg/cm以上では、H/CO比は約0.25で一定になる。実験2の結果から、CO生成触媒の濃度(添加量)を変化させることによって、生成ガスにおけるH/CO比を変化させることが可能であることが理解できる。
(実験3)
実験3では、生成ガスのH/CO比の経時変化を確認した。使用した電解装置は、実験1と同様である。アノード室及びカソード室には、電解質としてKHCO、CO生成触媒としてZnCOを含む水溶液を満たした。水溶液には、二酸化炭素ガスのバブリングを常時行い、水溶液中の二酸化炭素濃度を飽和状態にした。アノード及びカソード間の電流密度が30mA/cmの所定の値となるように印加電圧を調節し、定電流を100時間流した。この間、水溶液の温度は25℃に維持した。また、任意の時間においてアノード室の生成ガスを回収し、ガスクロマトグラフィーによって組成分析を行った。また、組成分析の結果、H/CO比が1.8以上になった時点においてZnCOを水溶液に添加した。
図5は、実験3の結果であり、経時時間と生成ガスにおけるH/CO比との関係を示すグラフである。図5に示す結果から、時間が経過すると、H/CO比が増加することが判る。これは、CO生成触媒が失活し、一酸化炭素の生成量が低下することに起因する。また、H/CO比が増加した時点でCO生成触媒を添加すると、H/CO比を低下させることができることが確認された。これは、CO生成触媒の添加によって、一酸化炭素の生成量が増加することに起因する。実験3の結果から、CO生成触媒の濃度(添加量)を変化させることによって、生成ガスにおけるH/CO比を変化させることが可能であることが理解できる。
1 :合成ガス生成システム
3 :隔膜
4 :アノード室
5 :カソード室
6 :電解装置
7 :アノード側循環ライン
8 :カソード側循環ライン
14 :電気分解槽
15 :アノード
16 :カソード
23 :電源装置
24 :制御装置
25 :カソード側気液分離装置
26 :切替弁
27 :水供給装置
28 :電解質供給装置
29 :CO生成触媒供給装置
30 :二酸化炭素吸収槽
31 :バイパスライン
32 :生成ガスライン
33 :生成ガスタンク
34 :除湿塔
35 :ガス組成検出装置
37 :固液分離装置
41 :アノード側気液分離装置
42 :水供給装置
43 :電解質供給装置

Claims (9)

  1. COを含む水溶液の電気還元によってCO及びHを生成する合成ガス生成システムであって、
    アノードを有するアノード室、カソードを有するカソード室、及び前記アノード室と前記カソード室とを区画する隔膜を有する電解装置と、
    前記カソード室に接続され、COを含むカソード液を循環させるカソード側循環ラインと、
    前記カソード側循環ラインに設けられ、前記カソード液にCO生成触媒を供給する触媒供給装置と、
    前記カソード室において生成した生成ガスのCO及びHの比を測定するガス組成検出装置とを有し、
    前記ガス組成検出装置の検出結果に基づいて、前記生成ガスにおけるCOに対するHの比を、COに対するH のモル比率が0.25以上2.5以下である目標範囲にすべく、前記触媒供給装置によるCO生成触媒の供給量の制御、及び前記電解装置による前記アノード及び前記カソード間に印加する電圧の制御の少なくとも一方を実行することを特徴とする合成ガス生成システム。
  2. 前記カソード側循環ラインと並列に設けられ、上流端及び下流端が前記カソード側循環ラインに接続されたバイパスラインと、
    前記バイパスラインに流れる前記カソード液の流量を制御する流量制御弁と、
    前記バイパスラインに設けられた固液分離装置とを更に有することを特徴とする請求項1に記載の合成ガス生成システム。
  3. COを含む水溶液の電気還元によってCO及びHを生成する合成ガス生成システムであって、
    アノードを有するアノード室、カソードを有するカソード室、及び前記アノード室と前記カソード室とを区画する隔膜を有する電解装置と、
    前記カソード室に接続され、COを含むカソード液を循環させるカソード側循環ラインと、
    前記カソード側循環ラインに設けられ、前記カソード液にCO生成触媒を供給する触媒供給装置と、
    前記カソード室において生成した生成ガスのCO及びHの比を測定するガス組成検出装置と、
    前記カソード側循環ラインと並列に設けられ、上流端及び下流端が前記カソード側循環ラインに接続されたバイパスラインと、
    前記バイパスラインに流れる前記カソード液の流量を制御する流量制御弁と、
    前記バイパスラインに設けられた固液分離装置とを有し、
    前記ガス組成検出装置の検出結果に基づいて、前記生成ガスにおけるCOに対するHの比を、COに対するH のモル比率が0.25以上2.5以下である目標範囲にすべく、前記触媒供給装置によるCO生成触媒の供給量の制御、前記流量制御弁による前記固液分離装置に供給する前記カソード液の流量の制御及び前記電解装置による前記アノード及び前記カソード間に印加する電圧の制御の少なくとも1つを実行することを特徴とする合成ガス生成システム。
  4. 前記CO生成触媒は、粉末、水溶液、及び懸濁液の少なくとも1つの状態で前記カソード液に供給されることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1つの項に記載の合成ガス生成システム。
  5. 前記CO生成触媒が、Zn、ZnO、ZnO、ZnO、ZnSO、Zn(NO、ZnCl、ZnBr、ZnI、Zn(OCOCH、Ag、AgO、AgO、Ag、AgNO、AgCl、AgBr、Ag(OCOCH)、Au、AuCl、AuCl、H[AuCl]、AuBr、H[AuBr]、Au(OCOCH)、Au(OCOCHからなる群の少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか1つの項に記載の合成ガス生成システム。
  6. 前記カソード液は、LiOH、NaOH、KOH、LiCO、NaCO、KCO、LiHCO、NaHCO、及びKHCOからなる群の少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれか1つの項に記載の合成ガス生成システム。
  7. 前記カソード側循環ラインに設けられ、気体のCOを前記カソード液に接触させ、前記カソード液にCOを吸収させる二酸化炭素吸収槽を更に有することを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれか1つの項に記載の合成ガス生成システム。
  8. 前記カソード側循環ラインに設けられ、前記生成ガスと前記カソード液とを分離する気液分離装置を更に有することを特徴とする請求項1〜請求項7のいずれか1つの項に記載の合成ガス生成システム。
  9. 前記カソード側循環ラインと独立して前記アノード室に接続され、アノード液を循環させるアノード側循環ラインを更に有することを特徴とする請求項1〜請求項8のいずれか1つの項に記載の合成ガス生成システム。
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