JP6818998B2 - 新規な化合物およびこれを用いた有機発光素子 - Google Patents

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Description

[関連出願の相互参照]
本出願は、２０１７年５月２２日付の韓国特許出願第１０−２０１７−００６３０９１号および２０１８年１月８日付の韓国特許出願第１０−２０１８−０００２３５６号に基づく優先権の利益を主張し、当該韓国特許出願の文献に開示された全ての内容は本明細書の一部として含まれる。
本発明は、新規な化合物およびこれを含む有機発光素子に関する。
一般的に、有機発光現象とは、有機物質を利用して電気エネルギーを光エネルギーに転換させる現象をいう。有機発光現象を利用する有機発光素子は、広い視野角、優れたコントラスト、速い応答時間を有し、輝度、駆動電圧および応答速度特性に優れて多くの研究が進められている。
有機発光素子は、一般的に陽極と陰極および前記陽極と陰極との間に有機物層を含む構造を有する。前記有機物層は、有機発光素子の効率と安全性を高めるために、それぞれ異なる物質から構成された多層の構造からなる場合が多く、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などからなる。このような有機発光素子の構造において、２つの電極の間に電圧をかけると、陽極からは正孔が、陰極からは電子が有機物層に注入され、注入された正孔と電子が接した時、エキシトン（ｅｘｃｉｔｏｎ）が形成され、このエキシトンが再び底状態に落ちる時、光が出るようになる。
このような有機発光素子に使用される有機物に対して新たな材料の開発が要求され続けている。
韓国特開１０−２０００−００５１８２６号公報
本発明は、新規な化合物およびこれを含む有機発光素子に関する。
本発明は、下記化学式１で表される化合物を提供する：
[化学式１]
Figure 0006818998
 前記化学式１中、
Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立して、メチルまたはフェニルであり、
Ｌ１およびＬ２は、それぞれ独立して、結合；または置換または非置換の炭素数６−６０のアリーレンであり、
Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ独立して、置換または非置換の炭素数６−６０のアリール；または、ＯまたはＳを含む炭素数２−６０のヘテロアリールである。
また、本発明は、第１電極、前記第１電極と対向して備えられた第２電極、および前記第１電極と前記第２電極との間に備えられた１層以上の有機物層を含む有機発光素子であって、前記有機物層のうちの１層以上は前記化学式１で表される化合物を含む、有機発光素子を提供する。
上記化学式１で表される化合物は、有機発光素子の有機物層の材料として用いられ、有機発光素子において効率の向上、低い駆動電圧および／または寿命特性を向上させることができる。特に、上記化学式１で表される化合物は、正孔注入、正孔輸送、正孔注入および輸送、発光、電子輸送、または電子注入材料として使用できる。
基板１、陽極２、有機物層３、陰極４からなる有機発光素子の例を示す図である。 基板１、陽極２、正孔注入層５、正孔輸送層６、電子抑制層７、発光層８、電子輸送層９、電子注入層１０、および陰極４からなる有機発光素子の例を示す図である。
以下、本発明の理解を助けるためにより詳しく説明する。
本発明は、前記化学式１で表される化合物を提供する。
本明細書において、
Figure 0006818998
 は、他の置換基に連結される結合を意味する。
本明細書において、'置換または非置換の'という用語は、重水素；ハロゲン基；ニトリル基；ニトロ基；ヒドロキシ基；カルボニル基；エステル基；イミド基；アミノ基；ホスフィンオキシド基；アルコキシ基；アリールオキシ基；アルキルチオキシ基；アリールチオキシ基；アルキルスルホキシ基；アリールスルホキシ基；シリル基；ホウ素基；アルキル基；シクロアルキル基；アルケニル基；アリール基；アラルキル基；アラルケニル基；アルキルアリール基；アルキルアミン基；アラルキルアミン基；ヘテロアリールアミン基；アリールアミン基；アリールホスフィン基；またはＮ、Ｏ、およびＳ原子のうちの１個以上を含むヘテロ環基からなる群より選択される１個以上の置換基で置換または非置換されるか、前記例示された置換基のうちの２以上の置換基が連結された置換または非置換されることを意味する。例えば、'２以上の置換基が連結された置換基'は、ビフェニル基であってもよい。すなわち、ビフェニル基は、アリール基であってもよく、２個のフェニル基が連結された置換基と解釈されてもよい。
本明細書において、カルボニル基の炭素数は特に限定されないが、炭素数１〜４０であることが好ましい。具体的には、下記のような構造の化合物であってもよいが、これらに限定されるものではない。
Figure 0006818998
本明細書において、エステル基は、エステル基の酸素が、炭素数１〜２５の直鎖、分枝鎖もしくは環鎖アルキル基、または炭素数６〜２５のアリール基で置換され得る。具体的には、下記構造式の化合物であり得るが、これらに限定されるものではない。
Figure 0006818998
本明細書において、イミド基の炭素数は特に限定されないが、炭素数１〜２５であることが好ましい。具体的には、下記のような構造の化合物であり得るが、これらに限定されるものではない。
Figure 0006818998
本明細書において、シリル基は、具体的には、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、ジフェニルシリル基、フェニルシリル基などがあるが、これらに限定されるものではない。
本明細書において、ホウ素基は、具体的には、トリメチルホウ素基、トリエチルホウ素基、ｔ−ブチルジメチルホウ素基、トリフェニルホウ素基、フェニルホウ素基などがあるが、これらに限定されるものではない。
本明細書において、ハロゲン基の例としては、フッ素、塩素、臭素、またはヨウ素が挙げられる。
本明細書において、前記アルキル基は、直鎖もしくは分枝鎖であってもよく、炭素数は特に限定されないが、１〜４０であることが好ましい。本発明の一実施形態によれば、前記アルキル基の炭素数は１〜２０である。本発明の他の一実施形態によれば、前記アルキル基の炭素数は１〜１０である。本発明のさらに他の一実施形態によれば、前記アルキル基の炭素数は１〜６である。アルキル基の具体的な例としては、メチル、エチル、プロピル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ブチル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、１−メチル−ブチル、１−エチル−ブチル、ペンチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔｅｒｔ−ペンチル、ヘキシル、ｎ−ヘキシル、１−メチルペンチル、２−メチルペンチル、４−メチル−２−ペンチル、３，３−ジメチルブチル、２−エチルブチル、ヘプチル、ｎ−ヘプチル、１−メチルヘキシル、シクロペンチルメチル、シクロヘキシルメチル、オクチル、ｎ−オクチル、ｔｅｒｔ−オクチル、１−メチルヘプチル、２−エチルヘキシル、２−プロピルペンチル、ｎ−ノニル、２，２−ジメチルヘプチル、１−エチル−プロピル、１，１−ジメチル−プロピル、イソヘキシル、２−メチルペンチル、４−メチルヘキシル、５−メチルヘキシルなどがあるが、これらに限定されるものではない。
本明細書において、前記アルケニル基は、直鎖もしくは分枝鎖であってもよく、炭素数は特に限定されないが、２〜４０であることが好ましい。本発明の一実施形態によれば、前記アルケニル基の炭素数は２〜２０である。本発明の他の一実施形態によれば、前記アルケニル基の炭素数は２〜１０である。本発明のさらに他の一実施形態によれば、前記アルケニル基の炭素数は２〜６である。具体的な例としては、ビニル、１−プロペニル、イソプロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、３−メチル−１−ブテニル、１，３−ブタジエニル、アリル、１−フェニルビニル−１−イル、２−フェニルビニル−１−イル、２，２−ジフェニルビニル−１−イル、２−フェニル−２−（ナフチル−１−イル）ビニル−１−イル、２，２−ビス（ジフェニル−１−イル）ビニル−１−イル、スチルベニル基、スチレニル基などがあるが、これらに限定されるものではない。
本明細書において、シクロアルキル基は特に限定されないが、炭素数３〜６０であることが好ましく、本発明の一実施形態によれば、前記シクロアルキル基の炭素数は３〜３０である。本発明の他の一実施形態によれば、前記シクロアルキル基の炭素数は３〜２０である。本発明のさらに他の一実施形態によれば、前記シクロアルキル基の炭素数は３〜６である。具体的には、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、３−メチルシクロペンチル、２，３−ジメチルシクロペンチル、シクロヘキシル、３−メチルシクロヘキシル、４−メチルシクロヘキシル、２，３−ジメチルシクロヘキシル、３，４，５−トリメチルシクロヘキシル、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチルなどがあるが、これらに限定されるものではない。
本明細書において、アリール基は特に限定されないが、炭素数６〜６０であることが好ましく、単環式アリール基または多環式アリール基であってもよい。本発明の一実施形態によれば、前記アリール基の炭素数は６〜３０である。本発明の他の一実施形態によれば、前記アリール基の炭素数は６〜２０である。前記単環式アリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。前記多環式アリール基としては、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基、ピレニル基、ペリレニル基、クリセニル基、フルオレニル基などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
本明細書において、フルオレニル基は置換されていてもよく、置換基２個が互いに結合してスピロ構造を形成してもよい。前記フルオレニル基が置換される場合、
Figure 0006818998
 などであり得る。ただし、これらに限定されるものではない。
本明細書において、ヘテロ環基は、異種元素としてＯ、Ｎ、Ｓｉ、およびＳのうちの１個以上を含むヘテロ環基であって、炭素数は特に限定されないが、炭素数２〜６０であることが好ましい。ヘテロ環基の例としては、チオフェン基、フラニル基、ピロール基、イミダゾール基、チアゾール基、オキサゾール基、オキサジアゾール基、トリアゾル基、ピリジル基、ビピリジル基、ピリミジル基、トリアジニル基、アクリジニル基、ピリダジニル基、ピラジニル基、キノリニル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、フタラジニル基、ピリドピリミジニル基、ピリドピラジニル基、ピラジノピラジニル基、イソキノリル基、インドール基、カルバゾール基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾイミダゾール基、ベンゾチアゾール基、ベンゾカルバゾール基、ベンゾチオフェン基、ジベンゾチオフェン基、ベンゾフラニル基、フェナントロリン基（ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）、イソオキサゾリル基、チアジアゾリル基、フェノチアジニル基、およびジベンゾフラニル基などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。
本明細書において、アラルキル基、アラルケニル基、アルキルアリール基、アリールアミン基中のアリール基は、上述したアリール基に関する説明が適用可能である。本明細書において、アラルキル基、アルキルアリール基、アルキルアミン基中のアルキル基は、上述したアルキル基に関する説明が適用可能である。本明細書において、ヘテロアリールアミン中のヘテロアリールは、上述したヘテロ環基に関する説明が適用可能である。本明細書において、アラルケニル基中のアルケニル基は、上述したアルケニル基に関する説明が適用可能である。本明細書において、アリーレンは、２価の基であることを除けば、上述したアリール基に関する説明が適用可能である。本明細書において、ヘテロアリーレンは、２価の基であることを除けば、上述したヘテロ環基に関する説明が適用可能である。本明細書において、炭化水素環は１価の基ではなく、２個の置換基が結合して形成したことを除けば、上述したアリール基またはシクロアルキル基に関する説明が適用可能である。本明細書において、ヘテロ環は１価の基ではなく、２個の置換基が結合して形成したことを除けば、上述したヘテロ環基に関する説明が適用可能である。
前記化学式１中、結合位置によって、前記化学式１は、下記化学式１−１〜１−３のいずれか一つで表される：
[化学式１−１]
Figure 0006818998
 [化学式１−２]
Figure 0006818998
 [化学式１−３]
Figure 0006818998
好ましくは、Ｒ１およびＲ２は、いずれもメチルまたはフェニルである。
好ましくは、Ｌ１およびＬ２は、それぞれ独立して、結合、フェニレン、ビフェニルジイル、ターフェニルジイル、クォーターフェニルジイル、ナフタレンジイル、アントラセンジイル、ジメチルフルオレンジイル、フェナントレンジイル、ピレンジイル、またはトリフェニレンジイルである。より好ましくは、Ｌ１は結合であり、Ｌ２は結合またはフェニレンである。
好ましくは、Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ独立して、非置換または炭素数１−４のアルキル、ハロゲン、シアノ、およびトリ（炭素数１−４のアルキル）シリルで構成される群から選択されるいずれか一つの置換基で置換されたフェニル；ビフェニリル；ターフェニリル；クォーターフェニリル；ナフチル；アントラセニル；フェナントレニル；トリフェニレニル；ジメチルフルオレニル；ジフェニルフルオレニル；ジベンゾフラニル；またはジベンゾチオフェニルである。
前記化学式１で表される化合物の代表的な例は次の通りである：
Figure 0006818998
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前記化学式１で表される化合物は、下記反応式１（Ｌ１が炭素数６−６０のアリーレンの場合）または反応式２（Ｌ１が結合の場合）のような製造方法で製造することができる。
[反応式１]
Figure 0006818998
 [反応式２]
Figure 0006818998
前記反応式１および２中、Ｒ１、Ｒ２、Ｌ１、Ａｒ１およびＡｒ２は、先に定義した通りであり、Ｘはハロゲンであり、好ましくは塩素である。
前記反応式１は、鈴木カップリング反応であって、前記化学式１−ａで表される化合物と前記化学式１−ｂで表される化合物とを反応させて、前記化学式１で表される化合物を製造する反応である。前記反応式２は、ハロゲンが離脱しながらアミン基が置換される反応であって、前記化学式１−ａで表される化合物と前記化学式１−ｃで表される化合物とを反応させて、前記化学式１で表される化合物を製造する反応である。前記製造方法は、後述する製造例でより具体化され得る。
また、本発明は、前記化学式１で表される化合物を含む有機発光素子を提供する。一例として、本発明は、第１電極、前記第１電極と対向して備えられた第２電極、および前記第１電極と前記第２電極の間に備えられた１層以上の有機物層を含む有機発光素子であって、前記有機物層のうちの１層以上は、前記化学式１で表される化合物を含む、有機発光素子を提供する。
本発明の有機発光素子の有機物層は、単層構造からなってもよいが、２層以上の有機物層が積層された多層構造からなってもよい。例えば、本発明の有機発光素子は、有機物層として正孔注入層、正孔輸送層、電子抑制層、発光層、電子輸送層、および電子注入層などを含む構造を有することができる。しかし、有機発光素子の構造はこれに限定されず、より少数の有機層を含んでもよい。
また、前記有機物層は、正孔注入層、正孔輸送層、または電子抑制層を含んでもよく、前記正孔注入層、正孔輸送層、または電子抑制層は、前記化学式１で表される化合物を含む。
また、本発明に係る有機発光素子は、基板上に、陽極、１層以上の有機物層、および陰極が順次に積層された構造（ｎｏｒｍａｌ ｔｙｐｅ）の有機発光素子であってもよい。また、本発明に係る有機発光素子は、基板上に、陰極、１層以上の有機物層、および陽極が順次に積層された逆方向構造（ｉｎｖｅｒｔｅｄ ｔｙｐｅ）の有機発光素子であってもよい。例えば、本発明の一実施形態による有機発光素子の構造は、図１に例示されている。
図１は、基板１、陽極２、発光層３、および陰極４からなる有機発光素子の例を示したものである。
図２は、基板１、陽極２、正孔注入層５、正孔輸送層６、電子抑制層７、発光層８、電子輸送層９、電子注入層１０、および陰極４からなる有機発光素子の例を示したものである。この構造において、前記化学式１で表される化合物は、前記正孔注入層、正孔輸送層、および電子抑制層のうちの１層以上に含まれ得る。
本発明に係る有機発光素子は、前記有機物層のうちの１層以上が前記化学式１で表される化合物を含むことを除けば、当技術分野で知られている材料および方法で製造され得る。また、前記有機発光素子が複数の有機物層を含む場合、前記有機物層は、同じ物質または異なる物質で形成し得る。
例えば、本発明に係る有機発光素子は、基板上に、第１電極、有機物層、および第２電極を順次に積層させて製造することができる。この時、スパッタリング法（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）や電子ビーム蒸発法（ｅ−ｂｅａｍ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）のようなＰＶＤ（ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方法を用いて、基板上に金属または導電性を有する金属酸化物またはこれらの合金を蒸着させて陽極を形成し、その上に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、および電子輸送層を含む有機物層を形成した後、その上に陰極として用いられる物質を蒸着させて製造することができる。この方法以外にも、基板上に、陰極物質、有機物層、および陽極物質を順に蒸着させて有機発光素子を作ることができる。
また、前記化学式１で表される化合物は、有機発光素子の製造時に真空蒸着法のみならず、溶液塗布法によって有機物層を形成することができる。ここで、溶液塗布法とは、スピンコーティング、ディップコーティング、ドクターブレーディング、インクジェットプリンティング、スクリーンプリンティング、スプレー法、ロールコーティングなどを意味するが、これらにのみ限定されるものではない。
この方法以外にも、基板上に、陰極物質、有機物層、陽極物質を順に蒸着させて有機発光素子を製造することができる（ＷＯ２００３／０１２８９０）。ただし、製造方法はこれに限定されるものではない。
一例として、前記第１電極が陽極であり、前記第２電極は陰極であるか、または、前記第１電極が陰極であり、前記第２電極は陽極である。
前記陽極物質としては、通常有機物層への正孔注入が円滑となるように仕事関数の大きい物質が好ましい。前記陽極物質の具体的な例としては、バナジウム、クロム、銅、亜鉛、金などの金属、またはこれらの合金；亜鉛酸化物、インジウム酸化物、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの金属酸化物；ＺｎＯ：ＡｌまたはＳＮＯ２：Ｓｂなどの金属と酸化物との組み合わせ；ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリ[３，４−（エチレン−１，２−ジオキシ）チオフェン]（ＰＥＤＯＴ）、ポリピロールおよびポリアニリンなどの導電性高分子などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。
前記陰極物質としては、通常有機物層への電子注入が容易となるように仕事関数の小さい物質であることが好ましい。前記陰極物質の具体的な例としては、マグネシウム、カルシウム、ナトリウム、カリウム、チタニウム、インジウム、イットリウム、リチウム、ガドリニウム、アルミニウム、銀、スズおよび鉛などの金属、またはこれらの合金；ＬｉＦ／ＡｌまたはＬｉＯ２／Ａｌなどの多層構造物質などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。
前記正孔注入層は、電極から正孔を注入する層で、正孔注入物質としては、正孔を輸送する能力を有し、陽極からの正孔注入効果、発光層または発光材料に対して優れた正孔注入効果を有し、発光層で生成された励起子の電子注入層または電子注入材料への移動を防止し、また、薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。正孔注入物質のＨＯＭＯ（ｈｉｇｈｅｓｔ ｏｃｃｕｐｉｅｄ ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｏｒｂｉｔａｌ）が陽極物質の仕事関数と周辺有機物層のＨＯＭＯとの間であることが好ましい。正孔注入物質の具体的な例としては、本発明による化学式１で表される化合物、または金属ポルフィリン（ｐｏｒｐｈｙｒｉｎ）、オリゴチオフェン、アリールアミン系の有機物、ヘキサニトリルヘキサアザトリフェニレン系の有機物、キナクリドン（ｑｕｉｎａｃｒｉｄｏｎｅ）系の有機物、ペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）系の有機物、アントラキノンおよびポリアニリンとポリチオフェン系の導電性高分子などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。
前記正孔輸送層は、正孔注入層から正孔を受け取り発光層まで正孔を輸送する層で、正孔輸送物質としては、陽極や正孔注入層から正孔輸送を受けて発光層に移し得る物質で、正孔に対する移動性の大きい物質が好適である。具体的な例としては、本発明による化学式１で表される化合物、またはアリールアミン系の有機物、導電性高分子、および共役部分と非共役部分が共にいるブロック共重合体などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。
前記電子抑制層は、陰極から注入された電子が発光層で再結合せず、陽極側に伝達されることを抑制して有機発光素子の効率を向上させる役割を果たす。本発明においては前記電子抑制層を構成する物質として、本発明による化学式１で表される化合物を使用することができる。
前記発光物質としては、正孔輸送層と電子輸送層から正孔および電子の輸送をそれぞれ受けて結合させることにより可視光線領域の光を発し得る物質であって、蛍光や燐光に対する量子効率の良好な物質が好ましい。具体的な例としては、８−ヒドロキシ−キノリンアルミニウム錯体（Ａｌｑ３）；カルバゾール系化合物；二量体化スチリル（ｄｉｍｅｒｉｚｅｄ ｓｔｙｒｙｌ）化合物；ＢＡｌｑ；１０−ヒドロキシベンゾキノリン−金属化合物；ベンゾキサゾール、ベンズチアゾールおよびベンズイミダゾール系の化合物；ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）系の高分子；スピロ（ｓｐｉｒｏ）化合物；ポリフルオレン、ルブレンなどがあるが、これらにのみ限定されるものではない。
前記発光層は、ホスト材料およびドーパント材料を含むことができる。ホスト材料は、縮合芳香族環誘導体またはヘテロ環含有化合物などがある。具体的には、縮合芳香族環誘導体としては、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、ナフタレン誘導体、ペンタセン誘導体、フェナントレン化合物、フルオランテン化合物などがあり、ヘテロ環含有化合物としては、カルバゾール誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ラダー型フラン化合物、ピリミジン誘導体などがあるが、これらに限定されない。
ドーパント材料としては、芳香族アミン誘導体、スチリルアミン化合物、ホウ素錯体、フルオランテン化合物、金属錯体などがある。具体的には、芳香族アミン誘導体としては、置換または非置換のアリールアミノ基を有する縮合芳香族環誘導体であって、アリールアミノ基を有するピレン、アントラセン、クリセン、ペリフランテンなどがあり、スチリルアミン化合物としては、置換または非置換のアリールアミンに少なくとも１個のアリールビニル基が置換されている化合物で、アリール基、シリル基、アルキル基、シクロアルキル基、およびアリールアミノ基からなる群より１または２以上選択される置換基が置換または非置換される。具体的には、スチリルアミン、スチリルジアミン、スチリルトリアミン、スチリルテトラアミンなどがあるが、これらに限定されない。また、金属錯体としては、イリジウム錯体、白金錯体などがあるが、これらに限定されない。
前記電子輸送層は、電子注入層から電子を受け取り発光層まで電子を輸送する層で、電子輸送物質としては、陰極から電子注入をよく受けて発光層に移し得る物質であって、電子に対する移動性の大きい物質が好適である。具体的な例としては、８−ヒドロキシキノリンのＡｌ錯体；Ａｌｑ３を含む錯体；有機ラジカル化合物；ヒドロキシフラボン−金属錯体などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。電子輸送層は、従来技術により使用されているような、任意の所望するカソード物質と共に使用可能である。特に、適切なカソード物質の例は、低い仕事関数を有し、アルミニウム層またはシルバー層が後に続く通常の物質である。具体的には、セシウム、バリウム、カルシウム、イッテルビウム、およびサマリウムであり、各場合、アルミニウム層またはシルバー層が後に続く。
前記電子注入層は、電極から電子を注入する層で、電子を輸送する能力を有し、陰極からの電子注入効果、発光層または発光材料に対して優れた電子注入効果を有し、発光層で生成された励起子の正孔注入層への移動を防止し、また、薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。具体的には、フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオキシド、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、ペリレンテトラカルボン酸、フルオレニリデンメタン、アントロンなどとそれらの誘導体、金属錯体化合物、および含窒素５員環誘導体などがあるが、これらに限定されない。
前記金属錯体化合物としては、８−ヒドロキシキノリナトリチウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナト）亜鉛、ビス（８−ヒドロキシキノリナト）銅、ビス（８−ヒドロキシキノリナト）マンガン、トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム、トリス（８−ヒドロキシキノリナト）ガリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ[ｈ]キノリナト）ベリリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ[ｈ]キノリナト）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリナト）クロロガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナト）（ｏ−クレゾラート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナト）（１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリナト）（２−ナフトラート）ガリウムなどがあるが、これらに限定されない。
本発明に係る有機発光素子は、使用される材料によって、前面発光型、後面発光型、または両面発光型であり得る。
また、前記化学式１で表される化合物は、有機発光素子以外にも、有機太陽電池または有機トランジスターに含まれ得る。
前記化学式１で表される化合物およびこれを含む有機発光素子の製造を以下の実施例で具体的に説明する。しかし、下記の実施例は本発明を例示するためのものであり、本発明の範囲がこれらによって限定されるものではない。
製造例１
Figure 0006818998
窒素雰囲気で５００ｍＬ丸底フラスコに、化合物Ａ（７．４５ｇ、１９．０１ｍｍｏｌ）、および化合物ａ１（８．８０ｇ、１９．９６ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン２８０ｍＬに完全に溶かした後、２Ｍ炭酸カリウム水溶液（１４０ｍＬ）を添加し、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０．６６ｇ、０．５７ｍｍｏｌ）を入れた後、４時間加熱攪拌した。常温に温度を下げて水層を除去し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧濃縮させ、酢酸エチル３２０ｍＬで再結晶して、製造例１（１２．６８ｇ、収率：８８％）を製造した。
ＭＳ[Ｍ＋Ｈ]＋＝７５４
製造例２
Figure 0006818998
窒素雰囲気で５００ｍＬ丸底フラスコに、化合物Ａ（６．２８ｇ、１６．０２ｍｍｏｌ）、および化合物ａ２（８．０９ｇ、１６．８２ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン２６０ｍＬに完全に溶かした後、２Ｍ炭酸カリウム水溶液（１３０ｍＬ）を添加し、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０．５６ｇ、０．４８ｍｍｏｌ）を入れた後、３時間加熱攪拌した。常温に温度を下げて水層を除去し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧濃縮させ、酢酸エチル２６０ｍＬで再結晶して、製造例２（８．７６ｇ、収率：７３％）を製造した。
ＭＳ[Ｍ＋Ｈ]＋＝７９４
製造例３
Figure 0006818998
窒素雰囲気で５００ｍＬ丸底フラスコに、化合物Ａ（５．９７ｇ、１５．２３ｍｍｏｌ）、および化合物ａ３（８．４９ｇ、１５．９９ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン３２０ｍＬに完全に溶かした後、２Ｍ炭酸カリウム水溶液（１６０ｍＬ）を添加し、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０．５３ｇ、０．４６ｍｍｏｌ）を入れた後、４時間加熱攪拌した。常温に温度を下げて水層を除去し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧濃縮させ、テトラヒドロフラン２５０ｍＬで再結晶して、製造例３（１２．６８ｇ、収率：８８％）を製造した。
ＭＳ[Ｍ＋Ｈ]＋＝８４４
製造例４
Figure 0006818998
窒素雰囲気で５００ｍＬ丸底フラスコに、化合物Ａ（４．６９ｇ、１１．９６ｍｍｏｌ）、および化合物ａ４（５．５４ｇ、１２．５６ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン２２０ｍＬに完全に溶かした後、２Ｍ炭酸カリウム水溶液（１１０ｍＬ）を添加し、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０．４１ｇ、０．３６ｍｍｏｌ）を入れた後、２時間加熱攪拌した。常温に温度を下げて水層を除去し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧濃縮させ、酢酸エチル２５０ｍＬで再結晶して、製造例４（７．７７ｇ、収率：８６％）を製造した。
ＭＳ[Ｍ＋Ｈ]＋＝７５４
製造例５
Figure 0006818998
窒素雰囲気で５００ｍＬ丸底フラスコに、化合物Ａ（７．５６ｇ、１９．２９ｍｍｏｌ）、および化合物ａ５（６．５０ｇ、２０．２５ｍｍｏｌ）をＸｙｌｅｎｅ１８０ｍＬに完全に溶かした後、ＮａＯｔＢｕ（２．２２ｇ、２３．１４ｍｍｏｌ）を添加し、Ｂｉｓ（ｔｒｉ−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）ｐａｌｌａｄｉｕｍ（０）（０．１０ｇ、０．１９ｍｍｏｌ）を入れた後、４時間加熱攪拌した。常温に温度を下げ、ｆｉｌｔｅｒしてｂａｓｅを除去した後、Ｘｙｌｅｎｅを減圧濃縮させ、酢酸エチル１８０ｍＬで再結晶して、製造例５（１０．１２ｇ、収率：７８％）を製造した。
ＭＳ[Ｍ＋Ｈ]＋＝６７８
製造例６
Figure 0006818998
窒素雰囲気で５００ｍＬ丸底フラスコに、化合物Ａ（７．５６ｇ、１９．２９ｍｍｏｌ）、および化合物ａ６をＸｙｌｅｎｅ２２０ｍＬに完全に溶かした後、ＮａＯｔＢｕ（２．２２ｇ、２３．１４ｍｍｏｌ）を添加し、Ｂｉｓ（ｔｒｉ−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）ｐａｌｌａｄｉｕｍ（０）（０．１０ｇ、０．１９ｍｍｏｌ）を入れた後、４時間加熱攪拌した。常温に温度を下げ、ｆｉｌｔｅｒしてｂａｓｅを除去した後、Ｘｙｌｅｎｅを減圧濃縮させ、酢酸エチル１８０ｍＬで再結晶して、製造例６（１０．１２ｇ、収率：７８％）を製造した。
ＭＳ[Ｍ＋Ｈ]＋＝７１８
製造例７
Figure 0006818998
窒素雰囲気で５００ｍＬ丸底フラスコに、化合物Ａ（５．９８ｇ、１５．２６ｍｍｏｌ）、および化合物ａ７（５．１４ｇ、１６．０２ｍｍｏｌ）をＸｙｌｅｎｅ１６０ｍＬに完全に溶かした後、ＮａＯｔＢｕ（１．７６ｇ、１８．３１ｍｍｏｌ）を添加し、Ｂｉｓ（ｔｒｉ−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）ｐａｌｌａｄｉｕｍ（０）（０．０８ｇ、０．１５ｍｍｏｌ）を入れた後、７時間加熱攪拌した。常温に温度を下げ、ｆｉｌｔｅｒしてｂａｓｅを除去した後、Ｘｙｌｅｎｅを減圧濃縮させ、酢酸エチル２４０ｍＬで再結晶して、製造例７（６．１５ｇ、収率：５９％）を製造した。
ＭＳ[Ｍ＋Ｈ]＋＝６７８
製造例８
Figure 0006818998
窒素雰囲気で５００ｍＬ丸底フラスコに、化合物Ａ（４．６５ｇ、１１．８６ｍｍｏｌ）、および化合物ａ８（５．８２ｇ、１２．４６ｍｍｏｌ）をＸｙｌｅｎｅ２６０ｍＬに完全に溶かした後、ＮａＯｔＢｕ（１．３７ｇ、１４．２３ｍｍｏｌ）を添加し、Ｂｉｓ（ｔｒｉ−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）ｐａｌｌａｄｉｕｍ（０）（０．０６ｇ、０．１２ｍｍｏｌ）を入れた後、６時間加熱攪拌した。常温に温度を下げ、ｆｉｌｔｅｒしてｂａｓｅを除去した後、Ｘｙｌｅｎｅを減圧濃縮させ、酢酸エチル２２０ｍＬで再結晶して、製造例８（７．２３ｇ、収率：７４％）を製造した。
ＭＳ[Ｍ＋Ｈ]＋＝８２４
製造例９
Figure 0006818998
窒素雰囲気で５００ｍＬ丸底フラスコに、化合物Ａ（５．２５ｇ、１３．３９ｍｍｏｌ）、および化合物ａ９（４．７１ｇ、１４．０６ｍｍｏｌ）をＸｙｌｅｎｅ２２０ｍＬに完全に溶かした後、ＮａＯｔＢｕ（１．５４ｇ、１６．０７ｍｍｏｌ）を添加し、Ｂｉｓ（ｔｒｉ−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）ｐａｌｌａｄｉｕｍ（０）（０．０７ｇ、０．１３ｍｍｏｌ）を入れた後、６時間加熱攪拌した。常温に温度を下げ、ｆｉｌｔｅｒしてｂａｓｅを除去した後、Ｘｙｌｅｎｅを減圧濃縮させ、酢酸エチル２２０ｍＬで再結晶して、製造例９（６．４４ｇ、収率：６９％）を製造した。
ＭＳ[Ｍ＋Ｈ]＋＝６９２
製造例１０
Figure 0006818998
窒素雰囲気で５００ｍＬ丸底フラスコに、化合物Ａ（６．３３ｇ、１６．１５ｍｍｏｌ）、および化合物ａ１０（７．３８ｇ、１６．９６ｍｍｏｌ）をＸｙｌｅｎｅ２３０ｍＬに完全に溶かした後、ＮａＯｔＢｕ（１．８６ｇ、１９．３８ｍｍｏｌ）を添加し、Ｂｉｓ（ｔｒｉ−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）ｐａｌｌａｄｉｕｍ（０）（０．０８ｇ、０．１６ｍｍｏｌ）を入れた後、４時間加熱攪拌した。常温に温度を下げ、ｆｉｌｔｅｒしてｂａｓｅを除去した後、Ｘｙｌｅｎｅを減圧濃縮させ、酢酸エチル２４０ｍＬで再結晶して、製造例１０（１０．８８ｇ、収率：８５％）を製造した。
ＭＳ[Ｍ＋Ｈ]＋＝７９２
製造例１１
Figure 0006818998
窒素雰囲気で５００ｍＬ丸底フラスコに、化合物Ｂ（７．５６ｇ、１９．２９ｍｍｏｌ）、および化合物ａ１１（６．５０ｇ、２０．２５ｍｍｏｌ）をＸｙｌｅｎｅ１８０ｍＬに完全に溶かした後、ＮａＯｔＢｕ（２．２２ｇ、２３．１４ｍｍｏｌ）を添加し、Ｂｉｓ（ｔｒｉ−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）ｐａｌｌａｄｉｕｍ（０）（０．１０ｇ、０．１９ｍｍｏｌ）を入れた後、４時間加熱攪拌した。常温に温度を下げ、ｆｉｌｔｅｒしてｂａｓｅを除去した後、Ｘｙｌｅｎｅを減圧濃縮させ、酢酸エチル１８０ｍＬで再結晶して、製造例１１（１０．１２ｇ、収率：７８％）を製造した。
ＭＳ[Ｍ＋Ｈ]＋＝６７８
製造例１２
Figure 0006818998
窒素雰囲気で５００ｍＬ丸底フラスコに、化合物Ｂ（４．８９ｇ、１２．４７ｍｍｏｌ）、および化合物ａ１２（４．７３ｇ、１３．１０ｍｍｏｌ）をＸｙｌｅｎｅ２５０ｍＬに完全に溶かした後、ＮａＯｔＢｕ（１．４４ｇ、１４．９７ｍｍｏｌ）を添加し、Ｂｉｓ（ｔｒｉ−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）ｐａｌｌａｄｉｕｍ（０）（０．０６ｇ、０．１２ｍｍｏｌ）を入れた後、３時間加熱攪拌した。常温に温度を下げ、ｆｉｌｔｅｒしてｂａｓｅを除去した後、Ｘｙｌｅｎｅを減圧濃縮させ、酢酸エチル２１０ｍＬで再結晶して、製造例１２（５．２７ｇ、収率：５９％）を製造した。
ＭＳ[Ｍ＋Ｈ]＋＝７１８
製造例１３
Figure 0006818998
窒素雰囲気で５００ｍＬ丸底フラスコに、化合物Ｂ（４．２５ｇ、１０．８４ｍｍｏｌ）、および化合物ａ１３（５．９８ｇ、１１．３８ｍｍｏｌ）をＸｙｌｅｎｅ２７０ｍＬに完全に溶かした後、ＮａＯｔＢｕ（１．２５ｇ、１３．０１ｍｍｏｌ）を添加し、Ｂｉｓ（ｔｒｉ−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）ｐａｌｌａｄｉｕｍ（０）（０．０６ｇ、０．１２ｍｍｏｌ）を入れた後、３時間加熱攪拌した。常温に温度を下げ、ｆｉｌｔｅｒしてｂａｓｅを除去した後、Ｘｙｌｅｎｅを減圧濃縮させ、テトラヒドロフラン２４０ｍＬで再結晶して、製造例１２（７．６３ｇ、収率：８０％）を製造した。
ＭＳ[Ｍ＋Ｈ]＋＝８８２
製造例１４
Figure 0006818998
窒素雰囲気で５００ｍＬ丸底フラスコに、化合物Ｂ（７．４５ｇ、１９．０１ｍｍｏｌ）、および製造例ａ１４（８．８０ｇ、１９．９６ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン２８０ｍＬに完全に溶かした後、２Ｍ炭酸カリウム水溶液（１４０ｍＬ）を添加し、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０．６６ｇ、０．５７ｍｍｏｌ）を入れた後、４時間加熱攪拌した。常温に温度を下げて水層を除去し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧濃縮させ、酢酸エチル３２０ｍＬで再結晶して、製造例１４（１２．６８ｇ、収率：８８％）を製造した。
ＭＳ[Ｍ＋Ｈ]＋＝７５４
製造例１５
Figure 0006818998
窒素雰囲気で５００ｍＬ丸底フラスコに、化合物Ｃ（５．６１ｇ、１４．３１ｍｍｏｌ）、および化合物ａ１５（６．６３ｇ、１５．０３ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン２６０ｍＬに完全に溶かした後、２Ｍ炭酸カリウム水溶液（１３０ｍＬ）を添加し、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０．５０ｇ、０．４３ｍｍｏｌ）を入れた後、６時間加熱攪拌した。常温に温度を下げて水層を除去し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧濃縮させ、酢酸エチル３１０ｍＬで再結晶して、製造例１５（８．２４ｇ、収率：７６％）を製造した。
ＭＳ[Ｍ＋Ｈ]＋＝７５４
製造例１６
Figure 0006818998
窒素雰囲気で５００ｍＬ丸底フラスコに、化合物Ｃ（４．２５ｇ、１０．８４ｍｍｏｌ）、および化合物ａ１６（５．９８ｇ、１１．３８ｍｍｏｌ）をＸｙｌｅｎｅ２７０ｍＬに完全に溶かした後、ＮａＯｔＢｕ（１．２５ｇ、１３．０１ｍｍｏｌ）を添加し、Ｂｉｓ（ｔｒｉ−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）ｐａｌｌａｄｉｕｍ（０）（０．０６ｇ、０．１２ｍｍｏｌ）を入れた後、３時間加熱攪拌した。常温に温度を下げ、ｆｉｌｔｅｒしてｂａｓｅを除去した後、Ｘｙｌｅｎｅを減圧濃縮させ、テトラヒドロフラン２４０ｍＬで再結晶して、製造例１６（７．６３ｇ、収率：８０％）を製造した。
ＭＳ[Ｍ＋Ｈ]＋＝８１８
製造例１７
Figure 0006818998
窒素雰囲気で５００ｍＬ丸底フラスコに、化合物Ｃ（３．９８ｇ、１０．１５ｍｍｏｌ）、および化合物ａ１７（４．９１ｇ、１０．６６ｍｍｏｌ）をＸｙｌｅｎｅ２３０ｍＬに完全に溶かした後、ＮａＯｔＢｕ（１．１７ｇ、１２．１８ｍｍｏｌ）を添加し、Ｂｉｓ（ｔｒｉ−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）ｐａｌｌａｄｉｕｍ（０）（０．０５ｇ、０．１０ｍｍｏｌ）を入れた後、２時間加熱攪拌した。常温に温度を下げ、ｆｉｌｔｅｒしてｂａｓｅを除去した後、Ｘｙｌｅｎｅを減圧濃縮させ、テトラヒドロフラン２７０ｍＬで再結晶して、製造例１７（７．６３ｇ、収率：８０％）を製造した。
ＭＳ[Ｍ＋Ｈ]＋＝７１８
製造例１８
Figure 0006818998
窒素雰囲気で５００ｍＬ丸底フラスコに、化合物Ｃ（４．４９ｇ、１１．４５ｍｍｏｌ）、および化合物ａ１８（４．７７ｇ、１２．０３ｍｍｏｌ）をＸｙｌｅｎｅ２５０ｍＬに完全に溶かした後、ＮａＯｔＢｕ（１．３２ｇ、１３．７４ｍｍｏｌ）を添加し、Ｂｉｓ（ｔｒｉ−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）ｐａｌｌａｄｉｕｍ（０）（０．０６ｇ、０．１１ｍｍｏｌ）を入れた後、３時間加熱攪拌した。常温に温度を下げ、ｆｉｌｔｅｒしてｂａｓｅを除去した後、Ｘｙｌｅｎｅを減圧濃縮させ、テトラヒドロフラン２４０ｍＬで再結晶して、製造例１８（７．７９ｇ、収率：９０％）を製造した。
ＭＳ[Ｍ＋Ｈ]＋＝７５４
製造例１９
Figure 0006818998
窒素雰囲気で５００ｍＬ丸底フラスコに、化合物Ｃ（５．５５ｇ、１４．１６ｍｍｏｌ）、および化合物ａ１９（７．４５ｇ、１４．８７ｍｍｏｌ）をＸｙｌｅｎｅ２７０ｍＬに完全に溶かした後、ＮａＯｔＢｕ（１．６３ｇ、１６．９９ｍｍｏｌ）を添加し、Ｂｉｓ（ｔｒｉ−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）ｐａｌｌａｄｉｕｍ（０）（０．０７ｇ、０．１４ｍｍｏｌ）を入れた後、４時間加熱攪拌した。常温に温度を下げ、ｆｉｌｔｅｒしてｂａｓｅを除去した後、Ｘｙｌｅｎｅを減圧濃縮させ、テトラヒドロフラン２４０ｍＬで再結晶して、製造例１９（８．５２ｇ、収率：８０％）を製造した。
ＭＳ[Ｍ＋Ｈ]＋＝８５８
製造例２０
Figure 0006818998
窒素雰囲気で５００ｍＬ丸底フラスコに、化合物Ｄ（６．２８ｇ、１２．１７ｍｍｏｌ）、および化合物ａ２０（３．１３ｇ、１２．７８ｍｍｏｌ）をＸｙｌｅｎｅ２２０ｍＬに完全に溶かした後、ＮａＯｔＢｕ（１．４０ｇ、１４．６０ｍｍｏｌ）を添加し、Ｂｉｓ（ｔｒｉ−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）ｐａｌｌａｄｉｕｍ（０）（０．０６ｇ、０．１２ｍｍｏｌ）を入れた後、３時間加熱攪拌した。常温に温度を下げ、ｆｉｌｔｅｒしてｂａｓｅを除去した後、Ｘｙｌｅｎｅを減圧濃縮させ、酢酸エチル２２０ｍＬで再結晶して、製造例２０（６．７６ｇ、収率：７７％）を製造した。
ＭＳ[Ｍ＋Ｈ]＋＝７２６
製造例２１
Figure 0006818998
窒素雰囲気で５００ｍＬ丸底フラスコに、化合物Ｅ（５．０５ｇ、９．７９ｍｍｏｌ）、および化合物ａ２１（３．７１ｇ、１０．２８ｍｍｏｌ）をＸｙｌｅｎｅ２８０ｍＬに完全に溶かした後、ＮａＯｔＢｕ（１．１３ｇ、１１．７４ｍｍｏｌ）を添加し、Ｂｉｓ（ｔｒｉ−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）ｐａｌｌａｄｉｕｍ（０）（０．０５ｇ、０．１２ｍｍｏｌ）を入れた後、３時間加熱攪拌した。常温に温度を下げ、ｆｉｌｔｅｒしてｂａｓｅを除去した後、Ｘｙｌｅｎｅを減圧濃縮させ、酢酸エチル２１０ｍＬで再結晶して、製造例２１（６．６８ｇ、収率：８１％）を製造した。
ＭＳ[Ｍ＋Ｈ]＋＝８４２
製造例２２
Figure 0006818998
窒素雰囲気で５００ｍＬ丸底フラスコに、化合物Ｆ（７．１８ｇ、１２．８２ｍｍｏｌ）、および化合物ａ２２（５．８８ｇ、１３．４６ｍｍｏｌ）をＸｙｌｅｎｅ３２０ｍＬに完全に溶かした後、ＮａＯｔＢｕ（１．４８ｇ、１５．３９ｍｍｏｌ）を添加し、Ｂｉｓ（ｔｒｉ−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）ｐａｌｌａｄｉｕｍ（０）（０．０７ｇ、０．１３ｍｍｏｌ）を入れた後、３時間加熱攪拌した。常温に温度を下げ、ｆｉｌｔｅｒしてｂａｓｅを除去した後、Ｘｙｌｅｎｅを減圧濃縮させ、酢酸エチル２１０ｍＬで再結晶して、製造例２２（６．６８ｇ、収率：８１％）を製造した。
ＭＳ[Ｍ＋Ｈ]＋＝９１８
実施例１−１
ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）が１，０００Åの厚さに薄膜コーティングされたガラス基板を、洗剤を溶かした蒸留水に入れて超音波洗浄した。この時、洗剤としてはフィッシャー社（Ｆｉｓｃｈｅｒ Ｃｏ．）製品を使用し、蒸留水としてはミリポア社（Ｍｉｌｌｉｐｏｒｅ Ｃｏ．）製品のフィルタ（Ｆｉｌｔｅｒ）で２次ろ過した蒸留水を使用した。ＩＴＯを３０分間洗浄した後、蒸留水で２回繰り返し超音波洗浄を１０分間進行した。蒸留水洗浄が終わった後、イソプロピルアルコール、アセトン、メタノールの溶剤で超音波洗浄をし乾燥させた後、プラズマ洗浄機に輸送させた。また、酸素プラズマを用いて前記基板を５分間洗浄した後、真空蒸着機に基板を輸送させた。
こうして準備されたＩＴＯ透明電極上に、下記化学式ＨＡＴで表される化合物を１００Åの厚さに熱真空蒸着して、正孔注入層を形成した。前記正孔注入層上に、下記化学式ＨＴ１で表される化合物（１２５０Å）を真空蒸着して、正孔輸送層を形成した。次に、前記正孔輸送層上に膜厚さ１５０Åに前記製造例１の化合物を真空蒸着して、電子抑制層を形成した。次に、前記電子抑制層上に膜厚さ２００Åに下記化学式ＢＨで表される化合物および下記化学式ＢＤで表される化合物を２５：１の重量比で真空蒸着して発光層を形成した。前記発光層上に膜厚さ５０Åに下記化学式ＨＢ１で表される化合物を真空蒸着して正孔阻止層を形成した。次に、前記正孔阻止層上に、下記化学式ＥＴ１で表される化合物と下記化学式ＬｉＱで表される化合物とを１：１の重量比で真空蒸着して３１０Åの厚さに電子注入および輸送層を形成した。前記電子注入および輸送層上に、順次に、１２Åの厚さにリチウムフルオライド（ＬｉＦ）および１，０００Åの厚さにアルミニウムを蒸着して陰極を形成した。
Figure 0006818998
前記過程で、有機物の蒸着速度は０．４〜０．７Å／ｓｅｃを維持し、陰極のリチウムフルオライドは０．３Å／ｓｅｃ、アルミニウムは２Å／ｓｅｃの蒸着速度を維持し、蒸着時の真空度は２×１０−７〜５×１０−６ｔｏｒｒを維持して、有機発光素子を製作した。
実施例１−２〜実施例１−１６
製造例１での化合物の代わりに下記表１に記載された化合物を使用したことを除いては、前記実施例１−１と同様の方法で有機発光素子を製造した。
比較例１−１〜１−３
製造例１での化合物の代わりに下記表１に記載された化合物を使用したことを除いては、前記実施例１−１と同様の方法で有機発光素子を製造した。下記表１で使用したＥＢ１、ＥＢ２、およびＥＢ３の化合物は、下記の通りである。
Figure 0006818998
実験例１
前記実施例および比較例で製造した有機発光素子に電流を印加した時、電圧、効率、色座標および寿命を測定し、その結果を下記表１に示す。Ｔ９５は、輝度が初期輝度（６０００ｎｉｔ）から９５％に減少するのにかかる時間を意味する。
Figure 0006818998
前記表１に示されるように、本発明の化合物を電子抑制層として用いた有機発光素子は、有機発光素子の効率、駆動電圧および安定性の面で優れた特性を示す。特に、カルバゾールが含まれているアミンが連結された比較例１−２の化合物を電子抑制層として用いて製造された有機発光素子より、低電圧、高効率および長寿命の特性を示す。また、本発明のコアと類似の構造を有し、かつメチル基を含まない比較例１−３の化合物を電子抑制層として用いて製造された有機発光素子は、効率が１０％以上、寿命は３０％以上低くなる結果を示す。
前記表１の結果のように、本発明に係る化合物は、電子遮断能力に優れて有機発光素子に適用可能であることを確認できた。
実施例２−１〜２−２２
前記比較例１−１で、化学式ＨＴ１で表される化合物の代わりに下記表２に記載された化合物を使用したことを除いては、前記比較例１−１と同様の方法で有機発光素子を製作した。
比較例２−１および２−２
前記比較例１−１で、化学式ＨＴ１で表される化合物の代わりに下記表２に記載された化合物を使用したことを除いては、前記比較例１−１と同様の方法で有機発光素子を製作した。下記表２で、ＨＴ２およびＨＴ３で表される化合物は、下記の通りである。
Figure 0006818998
実験例２
前記実施例および比較例で製造した有機発光素子に電流を印加した時、電圧、効率、色座標および寿命を測定し、その結果を下記表２に示す。Ｔ９５は、輝度が初期輝度（６０００ｎｉｔ）から９５％に減少するのにかかる時間を意味する。
Figure 0006818998
前記表２に示されるように、本発明の化合物を正孔輸送層として用いて製造された有機発光素子の場合に、有機発光素子の効率、駆動電圧および／または安定性の面で優れた特性を示す。特に、実施例での有機発光素子は、カルバゾールが含まれているアミンが連結された化学式ＨＴ２で表される化合物を正孔輸送層として用いて製造された有機発光素子より、低電圧、高効率および長寿命の特性を示す。また、本発明のコアと類似の構造を有し、かつメチル基を含まない化学式ＨＴ３で表される化合物を用いて製造された有機発光素子は、効率が５％以上、寿命は２０％以上低くなる結果を示す。
実施例３−１
ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）が１，０００Åの厚さに薄膜コーティングされたガラス基板を、洗剤を溶かした蒸溜水に入れて超音波洗浄した。この時、洗剤としてはフィッシャー社（Ｆｉｓｃｈｅｒ Ｃｏ．）製を使用し、蒸留水としてはミリポア社（Ｍｉｌｌｉｐｏｒｅ Ｃｏ．）製のフィルタ（Ｆｉｌｔｅｒ）で２次ろ過した蒸留水を使用した。ＩＴＯを３０分間洗浄した後、蒸留水で２回繰り返し超音波洗浄を１０分間進行した。蒸留水洗浄が終わった後、イソプロピルアルコール、アセトン、メタノールの溶剤で超音波洗浄をし乾燥させた後、プラズマ洗浄機に輸送させた。また、酸素プラズマを用いて前記基板を５分間洗浄した後、真空蒸着機に基板を輸送させた。
こうして準備されたＩＴＯ透明電極上に、正孔注入層として、下記ＨＩ１化合物を１１００Åの厚さに形成し、下記Ａ−１化合物を２％濃度でｐ−ｄｏｐｉｎｇした。前記正孔注入層上に、前記製造した化合物１を真空蒸着して膜厚さ３５０Åに正孔輸送層を形成した。次に、前記正孔輸送層上に、膜厚さ１５０Åに下記ＥＢ１化合物を真空蒸着して電子抑制層を形成した。次に、前記ＥＢ１蒸着膜上に、下記ＹＧＨ−１化合物と下記ＹＧＨ−２化合物とを６：４の重量比で混合したホスト組成物と、ホスト組成物対比６重量％で燐光ドーパントである下記ＹＧＤ−１化合物を共に真空蒸着して、３５０Åの厚さの緑色発光層を形成した。前記発光層上に、膜厚さ５０Åに下記ＨＢ１化合物を真空蒸着して、正孔阻止層を形成した。次に、前記正孔阻止層上に、下記ＥＴ１化合物と下記ＬｉＱ化合物とを２：１の重量比で真空蒸着して、３００Åの厚さに電子注入および輸送層を形成した。前記電子注入および輸送層上に、順次に、１２Åの厚さにリチウムフルオライド（ＬｉＦ）と１，０００Åの厚さにアルミニウムを蒸着して陰極を形成した。
Figure 0006818998
前記過程で、有機物の蒸着速度は０．４〜０．７Å／ｓｅｃを維持し、陰極のリチウムフルオライドは０．３Å／ｓｅｃ、アルミニウムは２Å／ｓｅｃの蒸着速度を維持し、蒸着時の真空度は２×１０−７〜５×１０−６ｔｏｒｒを維持して、有機発光素子を製作した。
実施例３−２〜実施例３−１６
製造例１での化合物の代わりに下記表３に記載された化合物を使用したことを除いては、前記実施例３−１と同様の方法で有機発光素子を製造した。
比較例３−１〜３−３
製造例１での化合物の代わりに下記表３に記載された化合物を使用したことを除いては、前記実施例３−１と同様の方法で有機発光素子を製造した。下記表３で用いたＥＢ４、ＥＢ５およびＥＢ６の化合物は、下記の通りである。
Figure 0006818998
実験例３
前記実施例および比較例で製造した有機発光素子に電流を印加した時、電圧、効率、色座標および寿命を測定し、その結果を下記表３に示す。Ｔ９８は、輝度が初期輝度（６０００ｎｉｔ）から９８％に減少するのにかかる時間を意味する。
Figure 0006818998
前記表３に示されるように、本発明の化合物を緑色発光素子（燐光）の正孔輸送層として用いた有機発光素子は、有機発光素子の効率、駆動電圧および安定性の面で優れた特性を示す。カルバゾールが含まれているアミンが直接連結された比較例１−２の化合物を正孔輸送層として用いて製造された有機発光素子より、低電圧、高効率および長寿命の特性を示す。また、本発明のコアと類似の構造を有し、かつメチル基を含まない比較例３−１および３−３の化合物を正孔輸送層として用いて製造された有機発光素子は、寿命は５０〜６０％以上低くなる結果を示す。実施例３−１〜３−４と実施例３−５〜３−８を比較すると、直接結合よりフェニル基をリンカーで連結した物質が最も良好な特性を示す（特に寿命）。実施例３−９〜３−１２を比較すると、本発明の化合物に３番方向にフェニルリンカーを含む物質も同じ傾向を示す。実施例３−１３〜３−１６で、本発明のコアがメチル基の代わりにフェニル基から構成される物質は直接結合であるが、寿命特性が相対的により良好であることが分かる。
前記表３の結果のように、本発明に係る化合物は、緑色燐光発光層を用いた素子で正孔輸送能力に優れて有機発光素子に適用可能であることを確認できた。
実施例４−１
ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）が１，０００Åの厚さに薄膜コーティングされたガラス基板を洗剤を溶かした蒸溜水に入れて超音波洗浄した。この時、洗剤としてはフィッシャー社（Ｆｉｓｃｈｅｒ Ｃｏ．）製を使用し、蒸留水としてはミリポア社（Ｍｉｌｌｉｐｏｒｅ Ｃｏ．）製のフィルタ（Ｆｉｌｔｅｒ）で２次ろ過した蒸留水を使用した。ＩＴＯを３０分間洗浄した後、蒸留水で２回繰り返し超音波洗浄を１０分間進行した。蒸留水洗浄が終わった後、イソプロピルアルコール、アセトン、メタノールの溶剤で超音波洗浄をし乾燥させた後、プラズマ洗浄機に輸送させた。また、酸素プラズマを用いて前記基板を５分間洗浄した後、真空蒸着機に基板を輸送させた。
こうして準備されたＩＴＯ透明電極上に、正孔注入層として下記ＨＩ１化合物を１１５０Åの厚さに形成し、下記Ａ−１化合物を１．５％濃度でｐ−ｄｏｐｉｎｇした。前記正孔注入層上に、前記製造した化合物１を真空蒸着して膜厚さ８００Åの正孔輸送層を形成した。次に、前記正孔輸送層上に、膜厚さ１５０Åに下記ＥＢ１化合物を真空蒸着して電子抑制層を形成した。次に、前記ＥＢ１蒸着膜上に、下記ＲＨ−１化合物と下記ＲＤ−１化合物とを９８：２の重量比で真空蒸着して３６０Åの厚さの赤色発光層を形成した。前記発光層上に、膜厚さ３０Åに下記ＨＢ１化合物を真空蒸着して正孔阻止層を形成した。次に、前記正孔阻止層上に、下記ＥＴ１化合物と下記ＬｉＱ化合物とを２：１の重量比で真空蒸着して、３００Åの厚さに電子注入および輸送層を形成した。前記電子注入および輸送層上に、順次に、１２Åの厚さにリチウムフルオライド（ＬｉＦ）と１，０００Åの厚さにアルミニウムを蒸着して陰極を形成した。
Figure 0006818998
前記過程で、有機物の蒸着速度は０．４〜０．７Å／ｓｅｃを維持し、陰極のリチウムフルオライドは０．３Å／ｓｅｃ、アルミニウムは２Å／ｓｅｃの蒸着速度を維持し、蒸着時の真空度は２×１０−７〜５×１０−６ｔｏｒｒを維持して、有機発光素子を製作した。
実施例４−２〜実施例４−１６
製造例１の化合物の代わりに下記表４に記載された化合物を使用したことを除いては、前記実施例４−１と同様の方法で有機発光素子を製造した。
比較例４−１〜４−３
製造例１の化合物の代わりに下記表４に記載された化合物を使用したことを除いては、前記実施例４−１と同様の方法で有機発光素子を製造した。下記表４で用いたＨＴ５、ＨＴ６およびＨＴ７の化合物は、下記の通りである。
Figure 0006818998
実験例４
前記実施例および比較例で製造した有機発光素子に電流を印加した時、電圧、効率、色座標および寿命を測定し、その結果を下記表４に示す。Ｔ９８は、輝度が初期輝度（４５００ｎｉｔ）から９８％に減少するのにかかる時間を意味する。
Figure 0006818998
前記表４に示されるように、本発明の化合物を緑色発光素子（燐光）の正孔輸送層として用いた有機発光素子は、有機発光素子の効率、駆動電圧および安定性の面で優れた特性を示す。カルバゾールが含まれているアミンが直接連結された比較例４−２の化合物を正孔輸送層として用いて製造された有機発光素子より、低電圧、高効率および長寿命の特性を示す。また、本発明のコアと類似の構造を有しかつメチル基を含まず、アミンを直接連結した比較例４−１および４−３の化合物を正孔輸送層として用いて製造された有機発光素子は、電圧は２０％以上増加し、効率は５〜１０％低くなり、寿命は６０〜７０％以上低くなる結果を示す。これは、前記実験例３で緑色発光層の正孔輸送層として３００Åの厚さに蒸着させた素子に比べて、赤色発光層の正孔輸送層として８００Åを用いるからである。したがって、本発明のコアがｈｏｌｅ ｍｏｂｉｌｉｔｙ能力が比較例４−１および４−３の物質より相対的に高いと判断できる。実施例４−１〜４−４と実施例４−５〜４−８を比較すると、直接結合よりフェニル基をリンカーで連結した物質が最も良好な特性を示す（特に寿命）。実施例４−９〜４−１２を比較すると、本発明の化合物に３番方向にフェニルリンカーを含む物質も同じ傾向を示す。実施例４−１３〜４−１６で、本発明のコアがメチル基の代わりにフェニル基から構成される物質は直接結合であるが、寿命特性が相対的により良好であることが分かる。
前記表４の結果のように、本発明に係る化合物は、緑色燐光発光層を用いた素子で正孔輸送能力に優れて有機発光素子に適用可能であることを確認できた。
１：基板
２：陽極
３：有機物層
４：陰極
５：正孔注入層
６：正孔輸送層
７：電子抑制層
８：発光層
９：電子輸送層
１０：電子注入層

Claims (11)

  1. 下記化学式１で表される化合物：
    [化学式１]
    Figure 0006818998
     前記化学式１中、
    Ｒ１およびＲ２は、フェニルであり、
    Ｌ１およびＬ２は、それぞれ独立して、結合；または置換または非置換の炭素数６−６０のアリーレンであり、
    Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ独立して、置換または非置換の炭素数６−６０のアリール；または、ＯまたはＳを含む炭素数２−６０のヘテロアリールである。
  2. 下記化学式１で表される化合物：
    [化学式１]
    Figure 0006818998
     前記化学式１中、
    Ｒ１およびＲ２は、メチルであり、
    Ｌ １ は、置換または非置換の炭素数６−６０のアリーレンであり、
    Ｌ ２ は、結合；または置換または非置換の炭素数６−６０のアリーレンであり、
    Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ独立して、置換または非置換の炭素数６−６０のアリール；または、ＯまたはＳを含む炭素数２−６０のヘテロアリールである。
  3. 前記化学式１は、下記化学式１−１、１−２、または１−３で表される、請求項１または２に記載の化合物：
    [化学式１−１]
    Figure 0006818998
     [化学式１−２]
    Figure 0006818998
     [化学式１−３]
    Figure 0006818998
  4. Ｌ１およびＬ２は、それぞれ独立して、結合、フェニレン、ビフェニルジイル、ターフェニルジイル、クォーターフェニルジイル、ナフタレンジイル、アントラセンジイル、ジメチルフルオレンジイル、フェナントレンジイル、ピレンジイル、またはトリフェニレンジイルである、請求項１に記載の化合物。
  5. Ｌ１は、結合であり、
    Ｌ２は、結合、またはフェニレンである、請求項１に記載の化合物。
  6. Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ独立して、非置換または炭素数１−４のアルキル、ハロゲン、シアノ、およびトリ（炭素数１−４のアルキル）シリルで構成される群から選択されるいずれか一つの置換基で置換されたフェニル；ビフェニリル；ターフェニリル；クォーターフェニリル；ナフチル；アントラセニル；フェナントレニル；トリフェニレニル；ジメチルフルオレニル；ジフェニルフルオレニル；ジベンゾフラニル；またはジベンゾチオフェニルである、請求項１から５のいずれか一項に記載の化合物。
  7. 下記で構成される群から選択されるいずれか一つの化合物：
    Figure 0006818998
    Figure 0006818998
    Figure 0006818998
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    Figure 0006818998
    Figure 0006818998
  8. 第１電極、前記第１電極と対向して備えられた第２電極、および前記第１電極と前記第２電極の間に備えられた１層以上の有機物層を含む有機発光素子であって、前記有機物層のうちの１層以上は請求項１〜７のいずれか１項に記載の化合物を含む、有機発光素子。
  9. 前記有機物層は、正孔注入層を含み、前記正孔注入層は、請求項１〜７のいずれか１項に記載の化合物を含む、請求項８に記載の有機発光素子。
  10. 前記有機物層は、正孔輸送層を含み、前記正孔輸送層は、請求項１〜７のいずれか１項に記載の化合物を含む、請求項８に記載の有機発光素子。
  11. 前記有機物層は、電子抑制層を含み、前記電子抑制層は、請求項１〜７のいずれか１項に記載の化合物を含む、請求項８に記載の有機発光素子。
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