JP6812992B2 - Soiウェーハの製造方法 - Google Patents
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Description
抵抗率10Ω・cmのボロンドープ、直径200mm、結晶方位<100>の単結晶シリコン基板を準備した。まずこれをPyro雰囲気下、900℃・10分の酸化処理を行い、表面に20nmの薄い酸化膜を形成した。次にチタンサファイアレーザーを用い、ビーム波長を1080nmとして、ビーム径を約2μm、パルス幅を1nsec、1パルスのエネルギーを100mJとしてレーザー照射処理を行い、深さ2μmに約200nmのポリ層(ポリシリコン層)を形成した(図2)。その後、Pyro雰囲気下、1100℃の酸化熱処理でポリ層を約450nmの酸化膜に変化させた。その際、ウェーハ表面には約1000nmの表面酸化膜が形成されたので、最後にバッファードフッ酸で表面酸化膜を除去してSOIウェーハとした(図3)。
抵抗率10Ω・cmのボロンドープ、直径200mm、結晶方位<100>の単結晶シリコン基板を準備した。この基板に酸素のイオン注入を行い、1350℃で4時間アニールして作製したSIMOXウェーハに、直径5mmのAu電極を形成し、100点の素子について、BOX耐圧を測定したところ、平均で315Vの破壊電圧を示し、最小破壊電圧は195VとBOX膜欠陥に起因する不良が観察された。
4…BOX層、 5…SOI層、 6、6´…SOIウェーハ。
Claims (3)
- 単結晶シリコン基板にBOX層及びSOI層が形成された構造を含むSOIウェーハの製造方法であって、
単結晶シリコン基板にレーザー照射を行い、前記単結晶シリコン基板の内部の一部の領域をポリシリコン化させることによって、ポリシリコン層を形成する工程、
前記レーザー照射を行った前記単結晶シリコン基板を酸化性雰囲気下で酸化熱処理をすることで、前記単結晶シリコン基板の表面及び前記ポリシリコン層を酸化して、表面酸化膜及びBOX層を形成する工程、及び
前記表面酸化膜を除去する工程、
を含むことを特徴とするSOIウェーハの製造方法。 - 前記レーザーの焦点位置を調整することにより前記SOI層の厚さを調整することを特徴とする請求項1に記載のSOIウェーハの製造方法。
- 前記レーザーの焦点深度を変化させて前記ポリシリコン層の厚さを調整することによって、前記BOX層の厚さを調整することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のSOIウェーハの製造方法。
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