JP6792151B2 - 三フッ化塩素の製造方法 - Google Patents
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[発明1]
フッ化ニッケル(II)を充填物として内部に有し、充填物の温度を150℃以上、400℃以下とした反応器内に、フッ素ガスと、塩素ガスまたは一フッ化塩素ガスの少なくとも一方をフッ素原子と塩素原子のモル比(F/Cl)が2以上となるように供給し、充填物と接触させて反応させる、三フッ化塩素の製造方法。
[発明2]
前記反応器内に供給するフッ素ガスと、塩素ガスまたは一フッ化塩素ガスを合わせた体積に対し、さらに不活性ガスを10体積%以上となるように供給する、発明1の三フッ化塩素の製造方法。
[発明3]
反応中の前記反応器内の圧力を大気圧以下とする、発明1〜2の三フッ化塩素の製造方法。
[発明4]
前記反応器の材質がニッケルまたはニッケル基合金である、発明1〜3の三フッ化塩素の製造方法。
本発明の三フッ化塩素の製造方法において、原料ガスに、F2ガスと、Cl2ガスまたはClFガスの少なくとも一方、言い換えれば、F2ガスとCl2ガスの組合せ、F2ガスとClFガスの組合せ、またはF2ガスとCl2ガスとClFガスの組み合わせのいずれかであって、フッ素原子と塩素原子のモル比(F/Cl)が2以上となるように組成が調整された原料ガスを用いる。尚、原料ガスは不活性ガス等のF2ガス、Cl2ガス、ClFガス以外のガスを含んでいてもよい。これら原料ガスが反応器内に供給され、以下に示す反応(1)または反応(2)のいずれかの反応をすることで、目的生成物であるClF3が生成する。
本発明の三フッ化塩素の製造方法は、F2ガスと、Cl2ガスまたはClFガスの少なくとも一方を反応させてClF3を得る際、NiF2が150℃以上、400℃以下の特定の範囲の温度で優れた触媒作用を示し、不均化反応による副生物であるClFの発生が抑えられ、ClF3が高い収率で製造できることを見出したものである。
本発明の三フッ化塩素の製造方法において、ClF3を高収率で得るためには、原料ガスを、原料ガスが有する、フッ素原子と塩素原子のモル比(F/Cl)が2以上となるように、NiF2が充填された反応器内に供給することが必要である。
本発明の三フッ化塩素の製造方法における原料ガスの供給方法としては、具体的には、所望の組成の原料ガスが圧縮充填された容器に、原料ガスの流量測定のためのマスフローコントローラーを接続して、流量を測定しつ反応器に供給する方法を例示することができる。反応器に供給する際の原料ガスの温度は、マスフローコントローラーが動作可能な温度であれば、特に限定されない。
本発明の三フッ化塩素の製造方法において、前記反応器内に供給するフッ素ガスと、塩素ガスまたは一フッ化塩素ガスを合わせた体積に対し、さらに不活性ガスを10体積%以上となるように同伴させて供給してもよい。
本発明の三フッ化塩素の製造方法において、特にF2ガスとCl2ガスを原料ガスに用い以下の反応によりClF3を得る際は、F2ガスとCl2ガスとは急激に反応するので、局所反応または反応時の過剰な発熱がなきよう、原料ガスにさらに不活性ガスを加え、反応が温和となる様にすることが好ましい。
本発明の三フッ化塩素の製造方法において、F2ガスとClFガスを原料ガスとして用い、以下の反応によりClF3を製造する際は、F2ガスとCl2ガスを原料ガスに用いる場合と異なり、反応は比較的穏やかに進むため、不活性ガスの添加は必要でなければしなくてもよい。しかしながら、反応を温和に進行させClF3を確実に製造させたい場合、不活性ガスを添加することが好ましい。
本発明の三フッ化塩素の製造方法において、不活性ガスの添加量は、反応器内に供給するF2ガスと、Cl2ガスおよび/またはClFガスとを合わせた体積に対し、10体積%以上となる量であることが好ましい。不活性ガスの添加量が10体積%未満であると、ClF3を製造る際に局所反応または反応時の過剰な発熱を抑制される効果が少ない。
[反応温度]
本発明の三フッ化塩素の製造方法において、ClF3を高い収率で得るためには、反応器内に充填したフッ化ニッケル(II)(NiF2)の温度が150℃以上、400℃以下となるように、反応器内の温度を150℃以上、400℃以下に調整した状態で、原料ガスを反応器内に供給し、NiF2と接触させる。反応器内の温度、即ち、充填物であるNiF2の温度が150℃より低いと、F2とCl2またはF2とClFの反応が進行し難く、ClF3を高収率且つ選択性よく得難く、ClFの副生が増加する傾向がある。充填物であるNiF2の温度を高くするほどにNiF2の触媒作用が増し、ClFの副生が減少する。しかしながら、400℃より高いと、反応器内が原料に含まれるF2ガスによって腐食する虞がある。そのため、400℃より高い場合、反応器の材質は白金等の高価なものに限定される。また、目的生成物であるClF3の分解が起こる。好ましくは350℃以下である。
本発明の三フッ化塩素の製造方法において、反応時の反応器内の圧力は、反応後の生成ガスの回収方法に適用させるため、任意に設定できる。しかしながら、F2、Cl2、ClFおよびClF3には毒性および腐食性があり、反応中および回収する際に、漏洩を防止するためには、反応器内の圧力が外気(大気圧)に対して陽圧でないことが好ましく、反応器内の圧力は大気圧101.3kPa(絶対圧表示)以下であることが好ましい。一方、反応時の反応器内の圧力を50kPa(絶対圧表示)未満まで下げると、反応の進行が遅くなり生産性が低下する。反応器内の圧力は50kPa(絶対圧表示)以上とすることが好ましい。
本発明の三フッ化塩素の製造方法において、反応器内に供給されたF2、Cl2ガスまたはClFガスの少なくとも一方を含む原料ガスの反応器内の滞在時間は、目的生成物であるClF3の所望の収率と、ClF3の生産性を考慮し、種々選択することができる。
[反応器の形式]
反応器の形式は、原料ガスと充填触媒であるNiF2と接触できればよく、連続式反応器または回分式反応器を使用することができる。
本発明の三フッ化塩素の製造方法において連続式反応器を用いる場合、原料ガスとしてF2ガスと、Cl2ガスまたはClFガスの少なくとも一方を同時に反応器内に供給する必要がある。連続的且つ効率的に生産性よくClF3を得ることを考慮すれば、連続式反応器に属する流通式管型反応器を選択することが好ましい。管型反応器の形状は、NiF2を充填物として内部に充填することができ、充填した状態で、ガスを流通することができる空洞を有し、且つ、原料ガスに対し耐食性のある材質であれば、特に限定されない。
管型反応器の内面が粗いと、ガスが反応器内を流通する際の抵抗のため、ガスの滞留、圧力損失の増大、または局所的な反応を生じ、反応の制御が困難になる虞がある。また、管型反応器の内面が酸化されていると、原料ガスと反応する虞がある。以上のことより内部が平滑、および内面が酸化されていない管型反応器を用いることが好ましい。具体的には、不活性ガスまたは真空などの無酸化性雰囲気中で加熱急冷して表面の酸化を抑制し、且つ表面が平滑である光輝焼鈍管を管型反応器として用いることが好ましい。
本発明の三フッ化塩素の製造方法に回分式の密閉型反応器を用いる場合、F2ガスと、Cl2ガスまたはClFガスを予め混合させて、密閉型反応器に仕込んでもよいし、個別に密型式反応器内に供給してもよい。個別に密閉型反応器内に供給する場合、これら原料を反応器内に供給する順番は特に限定されず、F2とガス、Cl2ガスまたはClFガスを同時に、または別々に供給してもよい。
本発明の三フッ化塩素の製造方法に使用することができる反応器の材質として、F2ガスと、Cl2ガスまたClFガスとを含む原料ガスに対し、反応し難く耐腐食性がある材質である必要性がある。具体的には、ニッケル、登録商標インコネル、ハステロイ、モネル等のニッケル基合金、アルミニウム、アルミナ、ステンレス鋼、白金等の金属を例示することができる。本発明の三フッ化塩素の製造方法において、反応器内の温度を150℃以上とする場合、これら金属の中でも、特に耐腐食性に優れるニッケル、登録商標インコネル、ハステロイ、モネルなどのニッケル基合金、白金、またはアルミナを選択することが好ましい。また、充填触媒として使用するNiF2または前記金属フッ化物を反応器の材質とすることもできる。特に好ましくは、本発明の三フッ化塩素の製造方法において使用する高温のF2ガス、Cl2ガス、ClFガス、またはClF3ガスに対する耐食性に優れことより、入手加工し易く且つ安価なニッケルおよびニッケル基合金である。ニッケルまたはニッケル基合金を光輝焼鈍管の材質とすることで表面にこれらガスと反応する可能性のある金属酸化物をなくし、ClF3の製造中に表面の平滑性を維持する効果がある。尚、ニッケル基合金とはニッケルを主成分(90%以上)とし、アルミニウム、チタン、タングステン、モリブデン、タンタルまたはクロムを含み、高温での強度、耐食性、耐酸化性を有する合金である。
以下の実施例1において、反応後の生成ガス中のF2ガス、Cl2ガス、ClFガス、またはClF3ガスの体積比およびClF3の収率は、フーリエ変換赤外分光法および紫外可視分光法により算出した。
以下の実施例1において、反応器には流通式管型反応器としてのNi201を用いてニッケル製の光輝焼鈍管を用いた。Ni201は商業的に純粋とされる純度99.6%のニッケルに対し、炭素の含有量を低減したニッケルであり、JIS H4552:2000ニッケル及びニッケル合金継目無管に準拠する。
NiF2ペレットは、粉末状のNiF2(純度99% 米国Apollo Scientific Limited社製)を加圧成型し、直径10mm、厚さ3mmの円柱状となるように作製した。次いで、本NiF2ペレット 320g(3.31モル)を、電気ヒータおよび圧力計を備えた、内径54.9mm、長さ500mmの上記光輝焼鈍管に充填した。電気ヒータにより光輝焼鈍管を加熱し、充填物であるNiF2ペレットの温度を290℃とした。次いで、F2ガス、Cl2ガスを、これらF2ガスとCl2ガスにN2ガスを合わせた体積に対して84.2体積%となるようにN2ガスで希釈してなる原料ガスを光輝焼鈍管の一端から供給し、他端から生成ガスを得た。尚、全量を100とした時の原料ガスの体積比は、F2:Cl2:N2=63.2:21.1:15.8であり、原料ガスが含むフッ素原子と塩素原子のモル比は、F/Cl=3である。
光輝焼鈍管の一端から、F2ガス、Cl2ガス、ClFガスを、これらF2ガスとCl2ガスとCLFガスにN2ガスで合わせた体積に対して86.5体積%となるようにN2ガスで希釈してなる原料ガスを供給し、他端から生成ガスを得た。その際、実施例1と同様の光輝焼鈍管を用い、実施例1と同じ反応条件および同じ管内ガス流量となるように調整し、F2、Cl2、ClFからClF3を得る反応を連続的に行った。尚、原料ガス全量を100とした時の体積比は、F2:Cl2:ClF:N2=54.1:10.8:21.6:13.5であり、原料ガスが含むフッ素原子と塩素原子のモル比は、F/Cl=3である。
光輝焼鈍管の一端から、F2ガス、ClFガスを、これらF2ガスとClFガスにN2ガスを合わせた体積に対し88.9体積%となるようにN2ガスで希釈してなる原料ガスを供給し、他端から生成ガスを得た。その際、実施例1と同様の光輝焼鈍管を用い、実施例1と同じ反応条件および同じ管内ガス流量となるように調整し、F2、ClFからClF3を得る反応を連続的に行った。尚、原料ガス全量を100とした時の体積比は、F2:ClF:N2=44.4:44.4:11.1であり、原料ガスが含むフッ素原子と塩素原子のモル比は、F/Cl=3である。
光輝焼鈍管の一端から、F2ガス、Cl2ガスを、これらF2ガスとCl2ガスにN2ガスを合わせた体積に対し85.7体積%となるようにN2ガスで希釈してなる原料ガスを供給し、他端から生成ガスを得た。その際、実施例1と同様の光輝焼鈍管を用い、実施例1と同じ反応条件および同じ管内ガス流量となるように調整し、F2、Cl2からClF3を得る反応を連続的に行った。尚、原料ガス全量を100とした時の体積比は、F2:Cl2:N2=57.1:28.6:14.3であり、原料ガスが含むフッ素原子と塩素原子のモル比は、F/Cl=2.0である。
光輝焼鈍管に原料ガスを供給する際、その充填物であるNiF2ペレットの温度を150℃とする以外は、実施例1と同様の光輝焼鈍管を用い、実施例1と同じ反応条件および同じ管内ガス流量となるように調整し、F2およびCl2からClF3を得る反応を連続的に行った。実施例1と同様に、FT−IRおよびUV−VisによりClF3の収率を算出したところ、収率は90%であった。
光輝焼鈍管に原料ガスを供給する際、その充填物であるNiF2ペレットの温度を200℃とする以外は、実施例1と同様の光輝焼鈍管を用い、実施例1と同じ反応条件および同じ管内ガス流量となるように調整し、F2およびCl2からClF3を得る反応を連続的に行った。実施例1と同様に、FT−IRおよびUV−VisによりClF3の収率を算出したところ、収率は91%であった。
光輝焼鈍管に原料ガスを供給する際、その充填物であるNiF2ペレットの温度を350℃とする以外は、実施例1と同様の光輝焼鈍管を用い、実施例1と同じ反応条件および同じ管内ガス流量となるように調整し、F2およびCl2からClF3を得る反応を連続的に行った。実施例1と同様に、FT−IRおよびUV−VisによりClF3の収率を算出したところ、収率は93%であった。
光輝焼鈍管に原料ガスを供給する際、その充填物であるNiF2ペレットの温度を400℃とする以外は、実施例1と同様の光輝焼鈍管を用い、実施例1と同じ反応条件および同じ管内ガス流量となるように調整し、F2およびCl2からClF3を得る反応を連続的に行った。実施例1と同様に、FT−IRおよびUV−VisによりClF3の収率を算出したところ、収率は90%であった。
原料ガスを供給する際に、光輝焼鈍管にNiF2ペレットを充填しない以外は、実施例と同様の光輝焼鈍管を用い、実施例1と同じ反応条件および同じ管内ガス流量となるように調整し、F2およびCl2からClF3を得る反応を連続的に行った。実施例と同様に、FT−IRおよびUV−VisによりClF3の収率を算出したところ、収率は81%であった。
原料ガスを供給する際に、光輝焼鈍管にNiF2ペレットを充填しない以外は、実施例と同様の光輝焼鈍管を用い、実施例2と同じ反応条件および同じ管内ガス流量となるように調整し、F2、Cl2およびClFからClF3を得る反応を連続的に行った。実施例と同様に、FT−IRおよびUV−VisによりClF3の収率を算出したところ、収率は83%であった。
原料ガスを供給する際に、光輝焼鈍管にNiF2ペレットを充填しない以外は、実施例と同様の光輝焼鈍管を用い、実施例3と同じ反応条件および同じ管内ガス流量となるように調整し、F2、およびClFからClF3を得る反応を連続的に行った。実施例と同様に、FT−IRおよびUV−VisによりClF3の収率を算出したところ、収率は85%であった。
原料ガスを供給する際に、光輝焼鈍管にNiF2ペレットに替えてα―Al2O3ペレット 337g(3.31モル)を充填した以外は、実施例と同様の光輝焼鈍管を用い、実施例1と同じ反応条件および同じ管内ガス流量となるように調整し、F2およびCl2からClF3を得る反応を連続的に行った。実施例と同様に、FT−IRおよびUV−VisによりClF3の収率を算出したところ、収率は79%であった。
尚、α―Al2O3ペレットは、粉末状のα―Al2O3(純度99.5%、Strem Chemicals社製、製品番号13−0750)を加圧成型し、直径10mm、厚さ3mmの円柱状のペレットにしたものを用いた。
F2ガス、Cl2ガス、これらF2ガスとCl2ガスを合わせた体積に対しN2で87%となるように希釈してなる原料ガスを用いた以外は、実施例と同様の光輝焼鈍管を用い、実施例1と同じ反応条件および同じ管内ガス流量となるように調整し、F2およびCl2からClF3を得る反応を連続的に行った。尚、全量を100とした時の原料ガスの体積比は、F2:Cl2:N2=52.2:34.8:13.0であり、原料ガスが含むフッ素原子と塩素原子のモル比は、F/Cl=1.5である。実施例と同様に、FT−IRおよびUV−VisによりClF3の収率を算出したところ、収率は76%であった。
光輝焼鈍管に原料ガスを供給する際、その充填物であるNiF2ペレットの温度を100℃とする以外は、実施例と同様の光輝焼鈍管を用い、実施例1と同じ反応条件および同じ管内ガス流量となるように調整し、F2およびCl2からClF3を得る反応を連続的に行った。実施例と同様に、FT−IRおよびUV−VisによりClF3の収率を算出したところ、収率は70%であった。
光輝焼鈍管に原料ガスを供給する際、その充填物であるNiF2ペレットの温度を420℃とする以外は、実施例1と同様の光輝焼鈍管を用い、実施例1と同じ反応条件および流量となるように調整し、F2およびCl2からClF3を得る反応を連続的に行った。光輝焼鈍管の入り口に腐食の痕跡がみられ光輝焼鈍管の入り口での原料ガスと出口における生成ガス中の各成分の物質収支が一致しなかった。生成したClF3が分解したものと推測される。
表2に示すように、充填物であるNiF2ペレットのありなし以外は、各々同一の反応条件である実施例1〜3と比較例1〜3を比較すると、NiF2ペレットを光輝焼鈍管に充填した実施例1〜3の方が高い選択率且つ収率でClF5が得られた。すなわち、本発明の三フッ化塩素の製造方法の範囲において、原料ガスとNiF2ペレットを接触させることにより、ClF3が高い収率で得られた。このことは、NiF2の触媒作用によると推察される。
充填物が異なること以外は同一の反応条件である実施例5と比較例4においては、NiF2ペレットを充填した実施例5は、ClF3の収率が90%であった。比較して、アルミナペレットを充填した比較例4は、ClF3の収率が79%であった。
フッ素原子と塩素原子のモル比(F/Cl)が、本発明の三フッ化塩素の製造方法の範疇にない、比較例5(F/Cl=2.7)における、ClF3の収率は78%であった。
反応温度が、本発明の三フッ化塩素の製造方法の範疇にない、比較例6(反応温度100℃)のClF3の収率は70%であり、比較例7(反応温度420℃)は光輝焼鈍管に腐食が見られ、反応を順調に進行させることができなかった。
Claims (3)
- 金属フッ化物を充填物として内部に有する反応器に、フッ素ガスと、塩素ガスまたは一フッ化塩素ガスの少なくとも一方とを供給して三フッ化塩素を製造する製造方法において、
前記製造方法は、前記充填物を150℃以上、400℃以下のフッ化ニッケル(II)とし、
フッ素ガスと、塩素ガスまたは一フッ化塩素ガスの少なくとも一方とを、フッ素原子と塩素原子のモル比(F/Cl)が2以上となるように前記反応器内へ供給し、前記充填物と接触させて反応させるものであり、
反応中の前記反応器内の圧力を50kPa以上、大気圧以下とする、三フッ化塩素の製造方法。 - 前記反応器内に供給するフッ素ガスと、塩素ガスまたは一フッ化塩素ガスを合わせた体積に対し、さらに不活性ガスを10体積%以上となるように供給する、請求項1に記載の三フッ化塩素の製造方法。
- 前記反応器の材質がニッケルまたはニッケル基合金である、請求項1又は請求項2に記載の三フッ化塩素の製造方法。
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