JP6786465B2 - 半導体装置、電力変換装置、駆動装置、車両、及び、昇降機 - Google Patents
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Description
本実施形態の半導体装置は、第1の一端と第1の他端を有し、第1の一端が、第1の電極、第2の電極及びゲート電極を有するトランジスタの第1の電極及び第2の電極のいずれか一方に電気的に接続された第1のキャパシタと、第1のアノードと第1のカソードを有し、第1のアノードが第1の他端に電気的に接続された第1のダイオードと、第2の一端と第2の他端を有し、第2の一端が第1のカソードに電気的に接続された第2のキャパシタと、第1のカソード及び第2の一端に電気的に接続されたサンプルホールド回路と、第2の一端と第2の他端の間に、第2のキャパシタに電気的に並列に接続されたスイッチと、第2のアノードと第2のカソードを有し、第2のカソードが第1の他端及び第1のアノードに電気的に接続された第2のダイオードと、を備える。
本実施形態の電力変換装置は、ゲート電極に電気的に接続される可変抵抗と、サンプルホールド回路から出力される電圧値に基づいて可変抵抗の抵抗値を制御する制御部を、さらに備える点で、第1の実施形態の電力変換装置とは異なっている。以下、第1の実施形態と重複する内容については記述を省略する。
本実施形態の駆動装置は、第1の実施形態の電力変換装置を備える駆動装置である。
本実施形態の車両は、第1の実施形態の電力変換装置を備える車両である。
本実施形態の車両は、第1の実施形態の電力変換装置を備える車両である。
本実施形態の昇降機は、第1の実施形態の電力変換装置を備える昇降機である。
10a エミッタ電極(第1の電極)
10b コレクタ電極(第2の電極)
10c ゲート電極
20 ハイサイドトランジスタ(トランジスタ)
20a エミッタ電極(第1の電極)
20b コレクタ電極(第2の電極)
20c ゲート電極
50 制御部
60 可変抵抗
110 サージ電圧検出回路(半導体装置)
112 第1のキャパシタ
112a 第1の一端
112b 第1の他端
114 第1のダイオード
114a 第1のアノード
114b 第1のカソード
116 第2のダイオード
116a 第2のアノード
116b 第2のカソード
118 第2のキャパシタ
118a 第2の一端
118b 第2の他端
120 サンプルホールド回路
122 スイッチ
124 マイクロコンピュータ(制御部)
126 アナログデジタルコンバータ
130 サージ電圧検出回路(半導体装置)
210 インバータ回路(電力変換装置)
220 インバータ回路(電力変換装置)
1000 駆動装置
1100 車両
1200 車両
1300 昇降機
Claims (20)
- 第1の電極、第2の電極及びゲート電極を有するトランジスタの前記第1の電極及び前記第2の電極のいずれか一方に生じるサージ電圧を検出する半導体装置であって、
第1の一端と第1の他端を有し、前記第1の一端が、前記第1の電極及び前記第2の電極のいずれか一方に電気的に接続される第1のキャパシタと、
第1のアノードと第1のカソードを有し、前記第1のアノードが前記第1の他端に電気的に接続された第1のダイオードと、
第2の一端と第2の他端を有し、前記第2の一端が前記第1のカソードに電気的に接続された第2のキャパシタと、
前記第1のカソード及び前記第2の一端に電気的に接続され、前記サージ電圧の検出結果を出力するサンプルホールド回路と、
前記第2の一端と前記第2の他端の間に、前記第2のキャパシタに電気的に並列に接続されたスイッチと、
第2のアノードと第2のカソードを有し、前記第2のアノードが前記第2のキャパシタの前記第2の他端と電気的に接続され、前記第2のカソードが前記第1の他端及び前記第1のアノードに電気的に接続された第2のダイオードと、
を備える半導体装置。 - 前記第1のダイオードはショットキーバリアダイオードを有する請求項1記載の半導体装置。
- 前記第1のダイオードはPNダイオードをさらに有する請求項2記載の半導体装置。
- 前記第1のキャパシタ及び前記第2のキャパシタはフィルムコンデンサ又はセラミックコンデンサである請求項1ないし請求項3いずれか一項記載の半導体装置。
- 前記トランジスタの電源電圧VDDと前記第1のキャパシタの容量C1と前記第2のキャパシタの容量C2が、15V≧(C1VDD)/(C1+C2)の関係を満たす請求項1ないし請求項4いずれか一項記載の半導体装置。
- 前記第1のキャパシタの容量C1は前記トランジスタの出力容量の1/10以下である請求項1ないし請求項5いずれか一項記載の半導体装置。
- 前記第2のキャパシタの容量C2は100pF以上である請求項1ないし請求項6いずれか一項記載の半導体装置。
- 第1の電極、第2の電極及びゲート電極を有するトランジスタのスイッチングにより電力変換を行い、前記第1の電極及び前記第2の電極のいずれか一方に生じるサージ電圧を検出する電力変換装置であって、
前記トランジスタと、
第1の一端と第1の他端を有し、前記第1の一端が前記第1の電極及び前記第2の電極のいずれか一方に電気的に接続された第1のキャパシタと、
第1のアノードと第1のカソードを有し、前記第1のアノードが前記第1の他端に電気的に接続された第1のダイオードと、
第2の一端と第2の他端を有し、前記第2の一端が前記第1のカソードに電気的に接続された第2のキャパシタと、
前記第1のカソード及び前記第2の一端に電気的に接続され、前記サージ電圧の検出結果を出力するサンプルホールド回路と、
前記第2の一端と前記第2の他端の間に、前記第2のキャパシタに電気的に並列に接続されたスイッチと、
第2のアノードと第2のカソードを有し、前記第2のアノードが前記第2のキャパシタの前記第2の他端と電気的に接続され、前記第2のカソードが前記第1の他端及び前記第1のアノードに電気的に接続された第2のダイオードと、
を備える電力変換装置。 - 前記ゲート電極に電気的に接続された可変抵抗と、
前記サンプルホールド回路から出力される電圧値に基づいて前記可変抵抗の抵抗値を制御する制御部と、
をさらに備える請求項8記載の電力変換装置。 - 前記第1のダイオードはショットキーバリアダイオードを有する請求項8又は請求項9記載の電力変換装置。
- 前記第1のダイオードはPNダイオードをさらに有する請求項10記載の電力変換装置。
- 前記第1のキャパシタ及び前記第2のキャパシタはフィルムコンデンサ又はセラミックコンデンサである請求項8ないし請求項11いずれか一項記載の電力変換装置。
- 前記トランジスタの電源電圧VDDと前記第1のキャパシタの容量C1と前記第2のキャパシタの容量C2が、15V≧(C1VDD)/(C1+C2 )の関係を満たす請求項8ないし請求項12いずれか一項記載の電力変換装置。
- 前記第1のキャパシタの容量C1は前記トランジスタの出力容量の1/10以下である請求項8ないし請求項13いずれか一項記載の電力変換装置。
- 前記第2のキャパシタの容量C2は100pF以上である請求項8ないし請求項14いずれか一項記載の電力変換装置。
- 前記サンプルホールド回路に接続されたアナログデジタルコンバータをさらに備える請求項8ないし請求項15いずれか一項記載の電力変換装置。
- 請求項8ないし請求項16いずれか一項記載の電力変換装置を備える駆動装置。
- 請求項8ないし請求項16いずれか一項記載の電力変換装置を備える車両。
- 請求項8ないし請求項16いずれか一項記載の電力変換装置を備える昇降機。
- 第1の電極、第2の電極及びゲート電極を有するトランジスタの前記第1の電極及び前記第2の電極のいずれか一方に生じるサージ電圧を検出する半導体装置であって、
第1の一端と第1の他端を有し、前記第1の一端が、前記第1の電極及び前記第2の電極のいずれか一方に電気的に接続されるための一端である第1のキャパシタと、
第1のアノードと第1のカソードを有し、前記第1のアノードが前記第1の他端に電気的に接続された第1のダイオードと、
第2の一端と第2の他端を有し、前記第2の一端が前記第1のカソードに電気的に接続された第2のキャパシタと、
前記第1のカソード及び前記第2の一端に電気的に接続され、前記サージ電圧の検出結果を出力するサンプルホールド回路と、
前記第2の一端と前記第2の他端の間に、前記第2のキャパシタに電気的に並列に接続されたスイッチと、
第2のアノードと第2のカソードを有し、前記第2のアノードが前記第2のキャパシタの前記第2の他端と電気的に接続され、前記第2のカソードが前記第1の他端及び前記第1のアノードに電気的に接続された第2のダイオードと、
を備える半導体装置。
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