JP6785035B2 - レジストパターン形成方法 - Google Patents
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Description
露光した部分が現像液に溶解する特性に変化するレジスト材料をポジ型、露光した部分が現像液に溶解しない特性に変化するレジスト材料をネガ型という。
近年、半導体素子や液晶表示素子の製造においては、リソグラフィー技術の進歩により急速にパターンの微細化が進んでいる。
微細化の手法としては、一般に、露光光源の短波長化(高エネルギー化)が行われている。具体的には、従来は、g線、i線に代表される紫外線が用いられていたが、現在では、KrFエキシマレーザーや、ArFエキシマレーザーを用いた半導体素子の量産が開始されている。また、これらエキシマレーザーより短波長(高エネルギー)の電子線、EUV(極紫外線)やX線などについても検討が行われている。
アルカリ現像には、一般的に水酸化テトラメチルアンモニウム(以下、「TMAH」と記載することがある。)の水溶液が用いられている。また、最近では、水酸化テトラブチルアンモニウム(以下、「TBAH」と記載することがある。)の水溶液の使用も提案されている。
特許文献1には、本発明者らの過去の検討による、TMAHの水溶液と、TBAHの水溶液とを含むリソグラフィー用現像液が開示されている。
例えば、露光光源にEB(電子線)やEUV(極紫外線)等を用いてライン幅が25nm〜50nmの極微細なパターンを形成する場合、現像液に対するレジスト材料の溶解性がレジストパターン形成における解像力やリソグラフィーマージン(例えば露光量に対する余裕度(ELマージン))が影響する。
本発明の第1の態様は、支持体上に、レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程1、前記レジスト膜を露光する工程2、及び前記露光後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程3、を有し、前記工程3における現像を、(A)下記一般式(1)で表される塩基性化合物と、(B)水酸化テトラブチルアンモニウムと、を含み、前記(B)の濃度が2.5質量%以上、2.8質量%未満である現像液を用いて行うことを特徴とするレジストパターン形成方法である。
本発明の第1の態様のレジストパターン形成方法について説明する。
本発明のレジストパターン形成方法は、支持体上に、レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程1、前記レジスト膜を露光する工程2、及び前記露光後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程3を有する。
工程1では、支持体上に、レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する。
工程1では、支持体上に後述するレジスト組成物をスピンナーなどで塗布し、ベーク(ポストアプライベーク(PAB))処理を、たとえば80〜150℃の温度条件にて40〜120秒間、好ましくは60〜90秒間施してレジスト膜を形成する。
また、支持体としては、上述のような基板上に、無機系および/または有機系の膜が設けられたものであってもよい。無機系の膜としては、無機反射防止膜(無機BARC)が挙げられる。有機系の膜としては、有機反射防止膜(有機BARC)や多層レジスト法における下層有機膜等の有機膜が挙げられる。
ここで、多層レジスト法とは、基板上に、少なくとも一層の有機膜(下層有機膜)と、少なくとも一層のレジスト膜(上層レジスト膜)とを設け、上層レジスト膜に形成したレジストパターンをマスクとして下層有機膜のパターニングを行う方法であり、高アスペクト比のパターンを形成できるとされている。すなわち、多層レジスト法によれば、下層有機膜により所要の厚みを確保できるため、レジスト膜を薄膜化でき、高アスペクト比の微細パターン形成が可能となる。
多層レジスト法には、基本的に、上層レジスト膜と、下層有機膜との二層構造とする方法(2層レジスト法)と、上層レジスト膜と下層有機膜との間に一層以上の中間層(金属薄膜等)を設けた三層以上の多層構造とする方法(3層レジスト法)とに分けられる。
工程2は、前記工程1で得たレジスト膜を露光する工程である。
工程2では、前記工程1で得たレジスト膜に対し、例えばArF露光装置、電子線描画装置、EUV露光装置等の露光装置を用いて、所定のパターンが形成されたマスク(マスクパターン)を介した露光またはマスクパターンを介さない電子線の直接照射による描画等による選択的露光を行った後、ベーク(ポストエクスポージャーベーク(PEB))処理を、たとえば80〜150℃の温度条件にて40〜120秒間、好ましくは60〜90秒間施す。
液浸露光は、予めレジスト膜と露光装置の最下位置のレンズ間を、空気の屈折率よりも大きい屈折率を有する溶媒(液浸媒体)で満たし、その状態で露光(浸漬露光)を行う露光方法である。
液浸媒体としては、空気の屈折率よりも大きく、かつ露光されるレジスト膜の有する屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒が好ましい。かかる溶媒の屈折率としては、前記範囲内であれば特に制限されない。
空気の屈折率よりも大きく、かつ前記レジスト膜の屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒としては、例えば、水、フッ素系不活性液体、シリコン系溶剤、炭化水素系溶剤等が挙げられる。
フッ素系不活性液体の具体例としては、C3HCl2F5、C4F9OCH3、C4F9OC2H5、C5H3F7等のフッ素系化合物を主成分とする液体等が挙げられ、沸点が70〜180℃のものが好ましく、80〜160℃のものがより好ましい。フッ素系不活性液体が上記範囲の沸点を有するものであると、露光終了後に、液浸に用いた媒体の除去を、簡便な方法で行えることから好ましい。
フッ素系不活性液体としては、特に、アルキル基の水素原子が全てフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキル化合物が好ましい。パーフルオロアルキル化合物としては、具体的には、パーフルオロアルキルエーテル化合物やパーフルオロアルキルアミン化合物を挙げることができる。
さらに、具体的には、前記パーフルオロアルキルエーテル化合物としては、パーフルオロ(2−ブチル−テトラヒドロフラン)(沸点102℃)を挙げることができ、前記パーフルオロアルキルアミン化合物としては、パーフルオロトリブチルアミン(沸点174℃)を挙げることができる。
液浸媒体としては、コスト、安全性、環境問題、汎用性等の観点から、水が好ましく用いられる。
工程3は、前記露光後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程である。
工程3における現像処理は、(A)一般式(1)で表される塩基性化合物と、(B)水酸化テトラブチルアンモニウムと、を含み、前記(B)の濃度が2.5質量%以上、2.8質量%未満であるリソグラフィー用現像液を用いて行う。該リソグラフィー用現像液の濃度は、現像処理で使用する際の濃度である。工程3に用いる現像液については、後述する本発明の第2の態様において詳細に説明する。
現像時間は5〜120秒間が好ましく、10〜100秒間がより好ましい。
現像温度は半導体素子の量産が行われるクリーンルーム内の温度であればよく、リソグラフィー用現像液の液温が10〜30℃であることが好ましく、15〜25℃であることがより好ましい。
現像処理後またはリンス処理後、乾燥を行う。また、場合によっては、上記現像処理後にベーク処理(ポストベーク)を行ってもよい。このようにして、レジストパターンを得ることができる。
本発明の第2の態様は、(A)一般式(1)で表される塩基性化合物と、(B)水酸化テトラブチルアンモニウムと、を含む。
本発明のリソグラフィー用現像液は、水酸化テトラブチルアンモニウムの濃度が所定の濃度であることにより、レジスト膜のアルカリ可溶性部分の溶解性を向上でき、高解像のレジストパターンを形成でき、さらにレジストパターンのリソグラフィーマージンを良好なものとすることができる。
第1実施形態のリソグラフィー用現像液が含む塩基性化合物について説明する。
第1実施形態のリソグラフィー用現像液は、下記一般式(1)で表される塩基性化合物(以下、「(A)成分」と記載することがある。)を含む。
リソグラフィー用現像液における(A)成分の濃度は、1.2質量%以上1.7質量%以下であることがより好ましく、1.3質量%以上1.6質量%以下であることが最も好ましい。
第1実施形態のリソグラフィー用現像液において、(B)成分として使用される水酸化テトラブチルアンモニウム(TBAH)は、露光処理後のレジスト膜を現像するのに必要となるアルカリ性の液性をリソグラフィー用現像液に付与する。レジスト膜は、未露光状態でアルカリ不溶性であるポジ型レジストであれば、露光部分がアルカリ可溶性に変化し、未露光状態でアルカリ可溶性であるネガ型レジストであれば、露光部分がアルカリ不溶性に変化する。そのため、露光後にアルカリ性のリソグラフィー用現像液で処理をすることにより、アルカリ不溶性の箇所がレジストパターンとして残ることになる。このような処理に必要とされるアルカリ性の液性をリソグラフィー用現像液に付与するために、(B)成分が現像液に添加される。
リソグラフィー用現像液における(B)成分の含有量が2.5質量%以上であることにより、アルカリ性の液性をリソグラフィー用現像液に付与でき、露光処理後のレジスト膜のアルカリ可溶性部分の溶解性を向上させることができる。また、リソグラフィー用現像液における(B)成分の含有量が2.8質量%未満であることにより、リソグラフィーマージンを良好なものとすることができる。
リソグラフィー用現像液における(B)成分の含有量は、2.55質量%以上、2.79質量%以下であることがより好ましく、2.60質量%以上、2.78質量%以下であることが最も好ましい。
本発明のリソグラフィー用現像液は、上記(A)成分、(B)成分の他に任意の成分を有していてもよい。該任意成分としては、例えば、溶解補助成分等が挙げられる。
本発明の現像液には、(C)成分として、溶解補助成分が添加されていてもよい。(C)成分は、(C1)水溶性有機溶剤、(C2)界面活性剤及び(C3)包接化合物からなる群より選択される少なくとも1つの成分が挙げられる。(C)成分が現像液に添加されることにより、(B)成分の溶解性が大きくなり、現像液中における(B)成分の析出を防止できる。
また、本発明のリソグラフィー用現像液において、金属イオンの含有量は、100ppb以下であることが好ましく、10ppb以下であることがより好ましい、金属イオンの含有量が上記範囲であることにより、製造される半導体素子の歩留まりを向上させることができる。
さらに、本発明のリソグラフィー用現像液において、炭酸イオンの含有量は、1質量%以下であることが好ましく、0.1質量%以下であることがより好ましい。炭酸イオンの含有量が上記範囲であることにより、現像性を良好に維持することができる。
本発明のリソグラフィー用現像液は、上記の各成分を混合することにより調製される。上記の各成分を混合する方法は、特に限定されない。
本発明のリソグラフィー用現像液は、1液型のものでも2液型のもの等が挙げられる。
1液型のものとしては、例えば、前記(A)成分を1.0質量%以上5.0質量%以下と、前記(B)成分を2.5質量%以上、2.8質量%未満とを含有する水溶液であってもよく、該水溶液を濃縮したものであってもよい。
2液型のものとしては、例えば、(A)の水溶液と(B)の水溶液とを別々に用意し、現像処理の際に、少なくとも(B)の濃度が2.5質量%以上、2.8質量%未満となるように混合する形態が挙げられる。
本発明のレジストパターン形成方法に好適に用いることができるレジスト組成物について説明する。
本発明のレジストパターン形成方法に用いることができるレジスト組成物は公知の各種のレジスト組成物を用いることができ、特に限定されない。
中でも、本発明のレジストパターン形成方法に好適に用いることができるレジスト組成物としては、基材成分、酸発生剤成分及び有機溶剤成分を含むレジスト組成物が挙げられる。
本発明において、レジスト組成物が含有する基材成分は、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位(以下、「構成単位(a1)」という。)、−SO2−含有環式基、ラクトン含有環式基、カーボネート含有環式基又はこれら以外の複素環式基を有する構成単位(以下、「構成単位(a2)」という。)、構成単位(st)等を有することが好ましい。
構成単位(a1)は、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位である。
「酸分解性基」は、酸の作用により、当該酸分解性基の構造中の少なくとも一部の結合が開裂し得る酸分解性を有する基である。
酸の作用により極性が増大する酸分解性基としては、たとえば、酸の作用により分解して極性基を生じる基が挙げられる。
極性基としては、たとえばカルボキシ基、水酸基、アミノ基、スルホ基(−SO3H)等が挙げられる。これらのなかでも、構造中に−OHを含有する極性基(以下「OH含有極性基」ということがある。)が好ましく、カルボキシ基または水酸基が好ましく、カルボキシ基が特に好ましい。
酸分解性基としてより具体的には、前記極性基が酸解離性基で保護された基(たとえばOH含有極性基の水素原子を、酸解離性基で保護した基)が挙げられる。
基材成分中の構成単位(a1)の割合は、基材成分を構成する全構成単位に対し、1〜80モル%が好ましく、5〜75モル%がより好ましく、7〜70モル%がさらに好ましい。下限値以上とすることによって、感度、解像性、LWR等のリソグラフィー特性も向上する。また、上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスをとることができる。
構成単位(a2)は、−SO2−含有環式基、ラクトン含有環式基、カーボネート含有環式基又はこれら以外の複素環式基を有する構成単位である。
構成単位(a2)の−SO2−含有環式基、ラクトン含有環式基、カーボネート含有環式基又はこれら以外の複素環式基は、基材成分をレジスト膜の形成に用いた場合に、レジスト膜の基板への密着性を高めるうえで有効なものである。
基材成分が構成単位(a2)を有する場合、構成単位(a2)の割合は、当該(A)成分を構成する全構成単位の合計に対し、1〜80モル%であることが好ましく、5〜70モル%であることがより好ましく、10〜65モル%であることがさらに好ましく、10〜60モル%が特に好ましい。下限値以上とすることにより構成単位(a2)を含有させることによる効果が充分に得られ、上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスをとることができ、種々のリソグラフィー特性及びパターン形状が良好となる。
構成単位(st)は、ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位である。
ここで、「ヒドロキシスチレン」とは、ヒドロキシスチレン、およびヒドロキシスチレンのα位の炭素原子に結合した水素原子がハロゲン原子、アルキル基、ハロゲン化アルキル基等の他の置換基に置換されたもの、ならびにそれらの誘導体(好適には、ベンゼン環に上述のような置換基が結合したもの等)を含む概念とする。ヒドロキシスチレンのベンゼン環に結合した水酸基の数は、1〜3の整数であることが好ましく、1であることがより好ましい。なお、ヒドロキシスチレンのα位(α位の炭素原子)とは、特に断りがない限り、ベンゼン環が結合している炭素原子のことである。
「ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位」とは、ヒドロキシスチレンのエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
基材成分中の構成単位(st)の割合は、基材成分を構成する全構成単位に対し、20〜80モル%が好ましく、20〜75モル%がより好ましく、25〜70モル%がさらに好ましい。下限値以上とすることによって、感度、解像性、LWR等のリソグラフィー特性も向上する。また、上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスをとることができる。
本発明において、レジスト組成物は、露光により酸を発生する酸発生剤成分を含有していてもよい。酸発生剤成分としては、特に限定されず、これまで化学増幅型レジスト用の酸発生剤として提案されているものを使用することができる。
このような酸発生剤としては、ヨードニウム塩やスルホニウム塩などのオニウム塩系酸発生剤、オキシムスルホネート系酸発生剤、ビスアルキルまたはビスアリールスルホニルジアゾメタン類、ポリ(ビススルホニル)ジアゾメタン類などのジアゾメタン系酸発生剤、ニトロベンジルスルホネート系酸発生剤、イミノスルホネート系酸発生剤、ジスルホン系酸発生剤など多種のものが挙げられる。なかでも、オニウム塩系酸発生剤を用いるのが好ましい。
酸発生剤成分の含有量は、基材成分100質量部に対して0.5〜60質量部が好ましく、1〜50質量部がより好ましく、1〜40質量部がさらに好ましい。酸発生剤成分の含有量を上記範囲とすることで、パターン形成が充分に行われる。また、レジスト組成物の各成分を有機溶剤に溶解した際、均一な溶液が得られ、保存安定性が良好となるため好ましい。
本発明において、レジスト組成物は、上述の基材成分又は酸発生剤成分等の材料を有機溶剤(以下、(S)成分ということがある)に溶解させて製造することができる。
また、(S)成分として、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)等が好ましい。
(S)成分の使用量は特に限定されず、基板等に塗布可能な濃度で、塗布膜厚に応じて適宜設定される。一般的にはレジスト組成物の固形分濃度が1〜20質量%、好ましくは2〜15質量%の範囲内となるように用いられる。
塩基性化合物としての水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)及び水酸化テトラブチルアンモニウム(TBAH)を、表1に示す濃度(質量%)で純水に溶解し、実施例1〜3、比較例1〜16のリソグラフィー用現像液を調製した。
表2に示す各成分を混合して溶解し、レジスト組成物を調製した。
(A)−1〜(A)−2:下記高分子化合物1〜2。
(B)−1:下記化合物(B)−1。
(D)−1:トリ−n−オクチルアミン。
(E)−1:サリチル酸。
(S)−1:PGMEA/PGME(質量比60/40)の混合溶媒。
ヘキサメチルジシラザン(HMDS)処理を施した8インチシリコン基板上に上記のレジスト組成物をスピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で、温度100℃で60秒間の条件でプレベーク(PAB)処理を行い、乾燥することにより、膜厚30nmのレジスト膜を形成した。
次に、前記レジスト膜に対し、電子線描画装置JEOL−JBX−9300FS(日本電子株式会社製)を用い、加速電圧100kVにて、ターゲットサイズをライン幅50〜26nmの1:1ラインアンドスペースパターン(以下、「LSパターン」)とする描画(露光)を行った。
その後、110℃(PEB(℃))で60秒間の露光後加熱処理を行った。
次いで、実施例1〜3、比較例1〜16の各現像液を用いて、23℃で60秒間のアルカリ現像を行った。その後、純水を用いて60秒間水リンスした。
その結果、実施例1〜3、比較例1〜16のいずれの現像液を用いた場合にもライン幅50nmの1:1のLSパターンがそれぞれ形成された。
前記のレジストパターンの形成方法によって形成されたライン幅50nmのLSパターンが形成される最適露光量Eop(μC/cm2)を求めた。その結果を「感度(μC/cm2)」として表3に示した。
上記<レジストパターンの形成>で形成したライン幅50nmのLSパターンについて、LWRを示す尺度である3σを求めた。
「3σ」は、走査型電子顕微鏡(加速電圧800V、商品名:S−9380、日立ハイテクノロジーズ社製)により、ラインの長手方向にラインポジションを400箇所測定し、その測定結果から求めた標準偏差(σ)の3倍値(3σ)(単位:nm)を示す。
該3σの値が小さいほど、ライン側壁のラフネスが小さく、より均一な幅のLSパターンが得られたことを意味する。その結果を「LWR(nm)」として表3に示す。
上記LSパターンが形成される露光量において、LSパターンのラインがターゲット寸法の±5%の範囲内で形成される際の露光量を求め、下記の評価基準に従って評価した。
(評価基準)
Under Margin○:30nmLSで解像ショットがEopに対して7%以上
Under Margin×:30nmLSで解像ショットがEopに対して7%以下
Over Margin○:30nmLSで解像ショットがEopに対して7%以上
Over Margin×:30nmLSで解像ショットがEopに対して7%以下
前記<レジストパターンの形成>で形成されたライン幅50nmのLSパターンの状態を、下記の評価基準に従って評価した。その結果を「形状」として表3に示した。
(評価基準)
○:基板全体に渡って高解像のLSパターンが形成されている。
×:部分的にライン部分が欠けており、解像不良が認められる。
なお、比較例16は解像せず、LWRが測定できなかった。
Claims (2)
- 支持体上に、レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程1、
前記レジスト膜を電子線描画装置又はEUV露光装置を用いて露光する工程2、及び、
前記露光後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程3、を有し、
前記工程3における現像を、
(A)下記一般式(1)で表される塩基性化合物と、(B)水酸化テトラブチルアンモニウムとを含み、前記(A)の濃度が1.2質量%以上、1.7質量%以下であり、前記(B)の濃度が2.5質量%以上、2.8質量%未満であり、前記(A)の含有量と前記(B)の含有量との質量比が(A):(B)=1:1.5〜1:1.8であるリソグラフィー用現像液を用いて行うことを特徴とする電子線描画装置又はEUV露光装置を用いて露光を行うレジストパターン形成方法。
- 前記(A)の濃度が1.55質量%である、請求項1に記載のレジストパターン形成方法。
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