JP6784211B2 - ヘッドチップの製造方法及びインクジェットヘッドの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、ヘッドチップの製造方法及びインクジェットヘッドの製造方法に関し、詳しくは、セラミックス基板をダイシングブレードにより切削又は切断する際に、これらセラミックス基板及びダイシングブレードの間の切削屑の影響を減らし、より高い精度の加工を可能としたヘッドチップの製造方法及びインクジェットヘッドの製造方法に関する。

従来、チャネルと駆動壁とが交互に並設されたヘッドチップを備えたせん断モード型のインクジェットヘッドが知られている。このインクジェットヘッドにおいては、駆動壁に形成された電極に電圧を印加することによって駆動壁をくの字状に変形させ、チャネル内のインクをノズルから吐出させる。

このようなインクジェットヘッドとして、チャネルへの入口とチャネルからの出口とが、ヘッドチップの背面及び前面にそれぞれ開口した構造のヘッドチップを備えたものがある。このようなヘッドチップは、チャネルが並設された長尺のセラミックス基板（圧電体基板）を、所望のチャネル数に対応するピッチで、チャネルの長さ方向に直交する方向にフルカット（切断）することによって、一度に多数個を作製することができ、極めて生産性が良い。セラミックス基板のフルカットは、図２０に示すように、ダイシングソー１００に装着されて回転されるダイシングブレード１０１によって行う。ダイシングブレード１０１は、円盤状台金の両面に砥粒層からなる刃部が形成されて構成されている。

また、このようなヘッドチップの作製工程の一例として、ダイシングブレードを用いて、ヘッドチップを構成するセラミックス基板を切削して、細長い吐出溝を複数形成する工程がある（特許文献１）。さらに、共通インク室を複数のチャネルにそれぞれ連通させる複数の開口を、凹溝の底面に貫通するチャネル状溝により形成する工程も、ダイシングブレードを用いて行う（特許文献２）。

ダイシングブレードを用いて板状部材に切り込みを入れるダイシング加工などを行うことによって、サンドブラスト加工やレーザ加工では形成できないような微小ピッチで複数の開口を形成することができる。そのため、容易かつ効率的な加工を行うことができる。

特開２０１５−０２４５１６号公報 特開２００８−２０１０２２号公報 特開昭５８−１６５９６５号公報

近年、インクジェットヘッドには、ますます高精細な画像記録を行うことが求められており、これに伴って、ノズルの更なる高密度化が要請されている。このため、ヘッドチップが備えるチャネルは多列化が進んでおり、チャネル列が所望の列数となるようにセラミックス基板を複数枚積層させた厚い積層物をフルカット（切断）することによってヘッドチップを作製する必要が生じている。

図２０に示すように、ダイシングブレード１０１を用いたフルカットにより複数のチャネル列が並列されたヘッドチップを作製する場合において、ダイシングブレード１０１の一面側の切断面２０１ａと他面側の切断面２０１ｂとが平行とならず、ヘッドチップ厚さ（チャネルの長さ方向の厚さ）が不均一になることが見出された。この不均一さは、ヘッドチップの一端部と他端部とで厚さの差が１０μｍ程度であった。ヘッドチップ厚さ（チャネルの長さ方向の厚さ）が不均一であると、チャネル列毎でチャネルの長さに相違が生じ、チャネル列毎でインク吐出性能にばらつきが発生する。また、ヘッドチップに接着されるノズルプレートの接着不良、ヘッドチップに接着される配線基板の接着不良及び導通不良が発生する。

本発明者は、この問題について鋭意検討したところ、セラミックス基板２０１をフルカットする際に発生する切削屑２０２が原因であるとの知見を得た。すなわち、セラミックス基板２０１をダイシングブレード１０１を用いてフルカットする際、多量の切削屑２０２が発生し、その切削屑２０２がセラミックス基板２０１の切断面２０１ａ，２０１ｂとダイシングブレード１０１との間に滞留する。この切削屑２０２は、ダイシングブレード１０１の回転に伴って排出されるが、排出されるときにセラミックス基板の切断面２０１ａ，２０１ｂに擦り付けられ、切断面２０１ａ，２０１ｂをさらに削ってしまう。このように、切断後の切断面２０１ａ，２０１ｂがさらに削られることにより、切断面２０１ａ，２０１ｂの不均一化が生じていた。

このような問題は、セラミックス基板２０１の積層数が多くなり、切断厚が厚くなればなるほど、切削屑２０２の発生量が多くなるため顕著に発生するようになる。

なお、円盤状台金の周側面及び周縁側の円環状領域のみに、砥粒層からなる刃部が形成されたダイシングブレードが提案されている（特許文献３）が、このダイシングブレードは、円環状領域の刃部の幅よりも薄い半導体ウェハの切断を想定しており、刃部によって円盤状台金の延伸を抑え込むことを目的としているので、積層数が多く切断厚が厚いセラミックス基板の切断において、前述したような切削屑の問題の解決を齎らすものではない。

そこで、本発明は、セラミックス基板をダイシングブレードにより切削又は切断する際に、これらセラミックス基板及びダイシングブレードの間の切削屑の影響を減らし、より高い精度の加工を可能としたヘッドチップの製造方法及びインクジェットヘッドの製造方法を提供することを課題とする。

本発明の他の課題は、以下の記載により明らかとなる。

上記課題は、以下の各発明によって解決される。

１．
ダイシングブレードを使用して、インクジェットヘッドのヘッドチップを構成するセラミックス基板の切削又は切断を行う工程を有し、
前記ダイシングブレードは、円盤状台金の周縁側両面に全周に亘って砥粒層からなる円環刃部が形成され、
前記円盤状台金の前記円環刃部が形成されていない内周側部分が、前記円環刃部を含む周縁側部分よりも薄く、
前記円環刃部の径方向の幅が、切削又は切断する前記セラミックス基板の切削深さよりも狭いことを特徴とするヘッドチップの製造方法。
２．
前記セラミックス基板の切断を行う工程においては、
該セラミックス基板を樹脂製のダイシングシート上に粘着させて固定し、該ダイシングシートの反対側から該セラミックス基板に前記ダイシングブレードを進入させ、該セラミックス基板を切断するとともに該ダイシングシートの一部を切削し、
前記ダイシングシートに対する切削深さは、前記円環刃部の径方向の幅よりも小さいことを特徴とする前記１記載のヘッドチップの製造方法。
３．
前記ダイシングブレードは、前記円盤状台金の周側面に、砥粒層からなる周面刃部が形成されていることを特徴とする前記１又は２記載のヘッドチップの製造方法。
４．
前記周面刃部は、前記円盤状台金の周側面に沿って平坦に形成されていることを特徴とする前記３記載のヘッドチップの製造方法。
５．
前記ダイシングブレードは、前記円盤状台金を一対のフランジにより挟持固定されて使用され、
該円盤状台金の該フランジによる挟持部分の表面の算術平均粗さが、前記円環刃部の表面の算術平均粗さ以上であることを特徴とする前記１〜４の何れかに記載のヘッドチップの製造方法。
６．
前記ダイシングブレードは、前記円盤状台金を一対のフランジにより挟持固定されて使用され、
該円盤状台金の該フランジによる挟持部分の表面と該フランジとの間の最大静止摩擦力モーメントが、前記円環刃部の表面と前記セラミックス基板との間の動摩擦力モーメント以上であることを特徴とする前記１〜５の何れかに記載のヘッドチップの製造方法。
７．
前記円環刃部は、前記円盤状台金の内周側ほど薄く、該円盤状台金の外周側ほど厚くなっており、その表面が内周側から外周側に向けて傾斜面となっていることを特徴とする前記１〜６の何れかに記載のヘッドチップの製造方法。
８．
前記円環刃部は、前記円盤状台金の内周側ほど薄く、該円盤状台金の外周側ほど厚くなっており、その表面が内周側から外周側に向けて階段状になっていることを特徴とする前記１〜６の何れかに記載のヘッドチップの製造方法。
９．
前記セラミックス基板の切削を行う工程は、
前記セラミックス基板に複数のチャネルを構成する複数の溝を形成し、並列された複数のチャネル及び該チャネル間を隔てる駆動する隔壁を形成することを特徴とする前記１〜８の何れかに記載のヘッドチップの製造方法。
１０．
前記セラミックス基板の切断を行う工程は、
前記セラミックス基板を切断して、複数のノズルが形成されたノズルプレートが接合されるノズルプレート接合面、及び、複数のチャネル間を隔てる隔壁に給電する配線パターンが形成された配線基板が接合される配線基板接合面の少なくとも何れか一方を形成することを特徴とする前記１〜９の何れかに記載のヘッドチップの製造方法。
１１．
前記セラミックス基板の切断を行う工程において、
切断する前の前記セラミックス基板には、複数のチャネルを構成する溝が形成されており、該溝の内面には、該チャネルの容積変化を生じさせる圧電素子に給電するための電極が形成されていることを特徴とする前記１０記載のヘッドチップの製造方法。
１２．
前記セラミックス基板の切断を行う工程において、
切断する前の前記セラミックス基板には、複数の切削屑排出溝が形成されていることを特徴とする前記１０又は１１記載のヘッドチップの製造方法。
１３
複数のチャネルが並列して形成され該チャネル間を隔てる隔壁が駆動するヘッドチップに、複数のノズルが形成されたノズルプレートを、該ノズルを前記チャネルに対応させて接合する工程と、
前記ヘッドチップに、前記隔壁に給電するための配線パターンが形成された配線基板を接合する工程とを有し、
前記ヘッドチップを構成するセラミックス基板の前記ノズルプレートが接合されるノズルプレート接合面及び前記配線基板が接合される配線基板接合面の少なくとも何れか一方を、前記１〜８の何れかに記載のダイシングブレードを使用した切断により形成することを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。

本発明によれば、セラミックス基板をダイシングブレードにより切削又は切断する際に、これらセラミックス基板及びダイシングブレードの間の切削屑の影響を減らし、より高い精度の加工を可能としたヘッドチップの製造方法及びインクジェットヘッドの製造方法を提供することができる。

本発明のヘッドチップの製造方法において用いるダイシングブレードの構成を示す断面図 前記ダイシングブレードを用いた切断工程を示す断面図 セラミックス基板の構成を示す側面図 （ａ）はチャネルを形成する様子を説明するセラミックス基板の斜視図、（ｂ）はチャネルが形成されたセラミックス基板のチャネルと直交する方向の断面図 電極を形成したセラミックス基板におけるチャネル部分の拡大図 セラミックス基板を６枚積層した積層基板の断面図 （ａ）（ｂ）はセラミックス基板を６枚積層した積層基板の他の実施形態を示す断面図 切削屑排出溝が形成された積層基板の断面図 切削屑排出溝が形成された積層基板の平面図 チャネルがインクチャネルと空気チャネルとで構成されるセラミックス基板の正面図 積層基板を切断する様子を説明する断面図 積層基板を切断する際の切削屑が流れる様子を説明する部分拡大平面図 本発明により製造されるインクジェットヘッドの一例を示す断面図 インクジェットヘッドにおけるヘッドチップの背面図 インクジェットヘッドにおける配線基板の正面図 他の実施形態に係るチャネルを形成する様子を説明するセラミックス基板の斜視図 （ａ）は他の実施形態に係る溝を形成した積層基板の平面図、（ｂ）は（ａ）中のｂ−ｂ線に沿う断面図 本発明において用いるダイシングブレードの構成の他の例を示す断面図 本発明において用いるダイシングブレードの構成のさらに他の例を示す断面図 従来のヘッドチップの製造方法において用いるダイシングブレードの構成を示す正面図

以下、本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。
インクジェットヘッドは、インク流路となる複数のチャネルが並列して形成され、該チャネル間を隔てる隔壁が駆動するヘッドチップと、複数のノズルが形成され各ノズルを各チャネルに対応させてヘッドチップに接合されたノズルプレートと、隔壁に給電するための配線パターンが形成されヘッドチップに接合された配線基板とを有する。本発明のヘッドチップの製造方法においては、ダイシングブレードを使用して、ヘッドチップを構成するセラミックス基板を切削又は切断する。

〔ダイシングブレードの構成〕
図１は、本発明のヘッドチップの製造方法において用いるダイシングブレードの構成を示す断面図である。

ダイシングブレードＡは、図１に示すように、円盤状台金９を有して円盤状に構成されている。ダイシングブレードＡは、円盤状台金９の中心部分が、ダイシングソーの回転軸（スピンドル軸）８の先端側に取付けられ、この回転軸８を介して回転操作される。回転軸８の先端側には、円盤状の一対のフランジ８１，８２のうちの一方のフランジ８１が取付けられ、次に円盤状台金９の中心孔９ｂに挿通され、さらに他方のフランジ８２がナット８３によって取付けられる。ダイシングブレードＡの円盤状台金９は、中心側の両面を一対のフランジ８１，８２によって挟持されて、回転軸８の先端側に固定される。

ダイシングブレードＡは、円盤状台金９の周縁側両面に、全周に亘って砥粒層からなる円環刃部９１が形成されて構成されている。円環刃部９１は、円盤状台金９上に砥粒がロウ付けされて構成されている。砥粒には、ダイアモンド、六方晶系窒化ホウ素などの超硬質砥粒が使用される。ロウ付けには樹脂や気相法により形成された金属膜を使用することもあるが、砥粒のロウ付けには電鋳膜を使用することが多い。

電鋳式砥粒タイプの円環刃部９１は、円盤状台金９の表面に電鋳層を設け、該電鋳層に砥粒を埋め込んで形成される。この円環刃部９１は、公知の電鋳浴、例えば、ワット系浴、スルファミン酸浴、無電解系浴などのニッケルメッキ浴中で電鋳して形成することができる。電鋳層には、硬質金属又は合金、例えば、Ｎｉ金属又はＮｉ−Ｃｏ合金、Ｎｉ−Ｗ合金、Ｎｉ−Ｐ合金等の公知のニッケル系金属を好適に使用することができる。これらニッケル系金属の硬度は、一般に約１５０〜６００Ｈｖである。砥粒自体の最適埋め込み率は、円環刃部９１の用途によって異なるが、６０〜７０％、７０〜８０％、８０〜９０％、９０〜１００％など、比較的高い埋め込み率である。埋め込み率とは、砥粒の平均粒径に対する電鋳層の平均厚さである。

このダイシングブレードＡは、円盤状台金９の円環刃部９１が形成されていない内周側部分９ａが、円環刃部９１を含む周縁側部分よりも薄い。この厚さの差は、両面の円環刃部９１の厚さの合計に相当する厚さである。円環刃部９１の厚さは、例えば、５μｍ〜２０μｍ程度である。円盤状台金９の厚さは、例えば、２００μｍ〜４００μｍ程度である。

ダイシングブレードＡを使用したセラミックス基板１０の切削又は切断は、セラミックス基板１０を樹脂製のダイシングシート７上に粘着させて固定して行うことが好ましい。この場合には、固定されたセラミックス基板１０に対し、ダイシングシート７の反対側からダイシングブレードＡを回転させながら進入させ、セラミックス基板１０を切削又は切断する。

このダイシングブレードＡにおいては、円環刃部９１の径方向の幅ａは、切削するセラミックス基板１０の切削深さｂよりも狭い。径方向の幅ａは、セラミックス基板１０の切削深さｂの（１／２）倍程度以下であることが好ましい。径方向の幅ａは、例えば、３００μｍ程度である（セラミックス基板１０の切削深さｂが６００μｍ以上である場合）。

このように円盤状台金９の内周側部分９ａが周縁側部分よりも薄く、円環刃部９１の径方向の幅ａがセラミックス基板１０の切削深さｂよりも狭いことにより、両面の円環刃部９１による両切削面１０ｂ，１０ｂと、円盤状台金９の内周側部分９ａとの間には、空隙が生ずる。この空隙には、切削屑１０ａが滞留し、ダイシングブレードＡの回転に伴って排出されてゆく。切削屑１０ａは空隙内に滞留するので、切削面１０ｂ，１０ｂをさらに削ることがない。したがって、このダイシングブレードＡによれば、厚みのあるセラミックス基板１０を精度良く切削加工することができる。すなわち、両面の円環刃部９１により形成された両切削面１０ｂ，１０ｂは、互いに正確に平行な平面となされる。両切削面１０ｂ，１０ｂの平行度は、製造するヘッドチップの一端部と他端部とで厚さの差が、例えば、１０μｍ未満である。

したがって、このヘッドチップの製造方法においては、チャネル１３の形状のばらつきが抑えられ、インクジェットヘッドの各ノズル間の吐出性能のばらつきや、ヘッドチップに接着されるノズルプレートの接着不良、ヘッドチップに接着される配線基板の接着不良及び導通不良が抑えられる。

なお、前述した特許文献３に記載されたダイシングブレードでは、刃部によって円盤状台金の延伸を抑え込むことを目的としているので、円環刃部の径方向の幅が切削深さよりも狭くなることは想定されておらず、切削屑の影響を避けて加工精度を上げるという効果は得られない。

ダイシングブレードＡは、円盤状台金９の周側面にも、砥粒層からなる周面刃部９１ａが形成されていることが好ましい。この周面刃部９１ａは、円環刃部９１と同様の材料及び形成方法により形成されている。この周面刃部９１ａが形成されていることにより、円盤状台金９がぶれて切断位置がずれることがなく、セラミックス基板１０が斜めに切削されることがない。

また、周面刃部９１ａは、円盤状台金９の周側面に沿って平坦に形成されている。周面刃部９１ａが平坦に形成されていることにより、切削面にバリが残ることがない。

図２は、ダイシングブレードＡを用いた切断工程を示す断面図である。

図２に示すように、このダイシングブレードＡにおいて、円環刃部９１の径方向の幅ａがセラミックス基板１０の切削深さ（すなわち、セラミックス基板１０の厚さ）ｂよりも狭い（ａ＜ｂ）こと、及び、周面刃部９１ａが平坦に形成されていることは、セラミックス基板１０の切断を行う工程においても有効である。セラミックス基板１０の切断を行うには、セラミックス基板１０を樹脂製のダイシングシート７上に粘着させて固定し、ダイシングシート７の反対側からセラミックス基板１０にダイシングブレードＡを進入させる。このとき、セラミックス基板１０が切断されるとともに、ダイシングシート７の一部が切削される。

このときのダイシングシート７に対する切削深さｃは、円環刃部９１の径方向の幅ａよりも小さいことが好ましい。ダイシングシート７の厚さは、一般的には１００μｍ〜２００μｍ程度である。ダイシングシート７に対する切削深さｃは、例えば、ダイシングシート７の厚さから３０μｍ〜１００μｍ程度を減じた厚さである。

ダイシングシート７に対する切削深さｃが円環刃部９１の径方向の幅ａよりも大きい場合、すなわち、円環刃部９１の全幅がセラミックス基板１０の反対側に抜けてしまう場合には、ダイシングシート７はセラミックス基板１０よりも柔らかいので、ダイシングブレードＡの周縁部が安定せず、また、ダイシングシート７をなす樹脂材料が振動を生ずる虞があり、セラミックス基板１０が斜めに切断されたり、両面の円環刃部９１により形成された両切断面１０ｂ，１０ｂ間の間隔が広くなってしまう虞がある。ダイシングシート７に対する切削深さｃを円環刃部９１の径方向の幅ａよりも小さくすることにより、ダイシングブレードＡの周縁部が安定し、厚みのあるセラミックス基板１０を精度良く切断加工することができ、両面の円環刃部９１により形成された両切断面１０ｂ，１０ｂが互いに正確に平行な平面となされる。

この切断工程においても、切削屑１０ａは、両面の円環刃部９１による両切断面１０ｂ，１０ｂと円盤状台金９の内周側部分９ａとの間の空隙内に滞留し、切断面１０ｂ，１０ｂをさらに削ることがない。したがって、このダイシングブレードＡによれば、厚みのあるセラミックス基板１０を精度良く切断加工することができる。すなわち、両面の円環刃部９１により形成された両切断面１０ｂ，１０ｂは、互いに正確に平行な平面となされる。

このダイシングブレードＡにおいては、円盤状台金９のフランジ８１，８２による挟持部分の表面の算術平均粗さＲａは、円環刃部９１の表面の算術平均粗さ以上（０．２〜０．３μｍ以上）となっていることが好ましい。なお算術平均粗さＲａは、ＪＩＳ（Japanese Industrial Standards）Ｂ０６０１：１９９４に基づいて求められる表面粗さを表すパラメータであり、具体的には以下の式で表される。

フランジ８１，８２による挟持部分の表面の算術平均粗さＲａが円環刃部９１の表面の算術平均粗さ以上であることにより、ダイシングブレードＡは、セラミックス基板１０を切削又は切断する工程において、フランジ８１，８２に対して空転を開始することが防止される。

また、ダイシングブレードＡは、円盤状台金９のフランジ８１，８２による挟持部分の表面とフランジ８１，８２との間の最大静止摩擦力モーメント（最大静止摩擦力×回転中心からの距離）が、円環刃部９１の表面とセラミックス基板１０との間の動摩擦力モーメント（動摩擦力×回転中心からの距離）以上となっていることが好ましい。

フランジ８１，８２による挟持部分の表面とフランジ８１，８２との間の最大静止摩擦力モーメントが円環刃部９１の表面とセラミックス基板１０との間の動摩擦力モーメント以上であることにより、ダイシングブレードＡは、セラミックス基板１０を切削又は切断する工程において、フランジ８１，８２に対して空転を開始することがない。

〔ヘッドチップの製造工程〕
図３〜図１２を用いて、本発明のヘッドチップの製造方法の一例を説明する。
図３は、セラミックス基板の構成を示す側面図である。

まず、図３に示すように、セラミックスからなる基板１１上に、それぞれ分極処理された２枚の圧電素子基板１２ａ、１２ｂをそれぞれ接着し、表面に圧電素子層を有するヘッドチップを構成するセラミックス基板１０を作成する。

各圧電素子基板１２ａ、１２ｂに用いられる圧電材料としては、電圧を加えることにより変形を生じる公知の圧電材料、例えばチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）を用いることができる。２枚の圧電素子基板１２ａ、１２ｂは互いに分極方向（矢印で示す）を反対方向に向けて積層し、基板１１に接着剤を用いて接着する。

〔チャネル形成工程（切削工程）〕
図４は、（ａ）はチャネルを形成する様子を説明するセラミックス基板の斜視図であり、（ｂ）はチャネルが形成されたセラミックス基板のチャネルと直交する方向の断面図である。

このヘッドチップの製造方法は、図４に示すように、セラミックス基板１０に、複数のチャネル１３を構成する複数の溝を形成する工程を有する。この工程は、回転刃であるダイシングブレードＡを使用した切削により行うことができるが、他の方法によって行ってもよい。ダイシングブレードＡを使用する場合には、この工程では、セラミックス基板１０の表面から、２枚の圧電素子基板１２ａ、１２ｂに亘って複数の平行なチャネル１３を、ダイシングブレードＡを用いて溝状に切削加工する。

これにより、隣接するチャネル１３間に、高さ方向で分極方向が反対となる圧電素子からなる駆動壁１４が並設される。

この工程を前述したダイシングブレードＡを使用して行った場合には、チャネル１３を構成する溝の幅を高精度に切削加工することができる。すなわち、幅の両側壁が互いに正確に平行な平面となされる。

ここでは、セラミックス基板１０の一方端の手前から他方端の手前までに亘るチャネル１３を形成しているため、チャネル１３の長さ方向の両端はセラミックス基板１０の端部まで達しておらず、セラミックス基板１０の側方に開放していない。

また、図示しないが、基板１１を用いる代わりに圧電素子基板１２ｂを厚手のものとし、薄手の圧電素子基板１２ａ側から厚手の圧電素子基板１２ｂの中途部にまで至ってチャネル１３を切削することにより、高さ方向で分極方向が反対となる駆動壁１４の形成と同時に基板１１の部分が圧電素子基板１２ｂによって一体に形成されるようにしてもよい。

〔電極形成工程〕
図５は、電極を形成したセラミックス基板におけるチャネル部分の拡大図である。
このヘッドチップの製造方法においては、セラミックス基板１０の切断を行う工程において、切断する前のセラミックス基板１０には、前述のように複数のチャネル１３を構成する溝が形成されており、溝の内面には、チャネル１３の容積変化を生じさせる圧電素子に給電するための電極１５が形成されている。

すなわち、図５に示すように、各チャネル１３の内面に電極１５を形成する。

電極１５を形成する金属は、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ａｌ等が使用でき、電気抵抗の面からはＡｌやＣｕを用いることが好ましいが、腐食や強度、コストの面からＮｉが好ましく用いられる。また、Ａｌの上に更にＡｕを積層した積層構造としてもよい。電極１５の形成方法としては、めっき法の他、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ（化学気相反応法）等の真空装置を用いた方法等によって金属被膜を形成する方法が挙げられる。

電極１５はチャネル１３毎に独立させる必要があるため、駆動壁１４の上端面には金属被膜が形成されないようにする。このため、例えば各駆動壁１４の上端面に予めドライフィルムを貼着しておいたり、レジスト膜を形成したりしておき、金属被膜を形成した後にこれらを除去することにより、チャネル１３内に臨む各駆動壁１４の側面及び各チャネル１３の底面に選択的に電極１５を形成する。

なお、以降のヘッドチップの製造工程の説明において電極１５は図示を省略する。

〔積層基板作製工程〕
図６は、セラミックス基板を６枚積層した積層基板の断面図である。

次いで、このようにして作製されたセラミックス基板１０を複数枚（ここでは６枚）用いて積層することにより、セラミックス基板１０の積層物である積層基板２０を作製する。

複数枚のセラミックス基板１０の積層構造は特に問わず、例えば図６に示すように、チャネル１３の上面の開放面を同一方向に揃えると共にチャネル１３の長さ方向を揃えて３枚ずつ積層して組とし、各組の最上層のチャネル１３の上面を対向させて、両者間にセラミックスからなるカバー基板１６を挟んで一体に接着することにより、チャネル１３の列が６列となる積層基板２０を作製することができる。

図７は、（ａ）（ｂ）はセラミックス基板を６枚積層した積層基板の他の実施形態を示す断面図である。

その他、図７（ａ）に示すように、各セラミックス基板１０のチャネル１３の開放面の向きを全て同一方向に揃え、その最端層のチャネル１３の開放面をカバー基板１６で覆うように積層することにより６列のチャネル列を有する積層基板２０を形成してもよい。また、図７（ｂ）に示すように、２枚のセラミックス基板１０のチャネル１３の開放面を対向させ、両者間にカバー基板１６を挟んだ２列のチャネル列を有する積層体を３組用いて６列のチャネル列を有する積層基板２０を形成してもよい。

〔切削屑排出溝形成工程〕
図８は、切削屑排出溝が形成された積層基板の断面図であり、図９は、切削屑排出溝が形成された積層基板の平面図である。

このヘッドチップの製造方法においては、セラミックス基板の切断を行う工程において、切断する前のセラミックス基板には、複数の切削屑排出溝２１を形成することが好ましい。すなわち、積層基板２０に対し、図８及び図９に示すように、所定深さの切削屑排出溝２１を形成する。

ここでは図６に示した積層基板２０に切削屑排出溝２１を形成した。切削屑排出溝２１は、積層基板２０の一方の面（図８中の上面）から他方の面（図８中の下面）に向けて、チャネル１３と交差する方向、好ましくはチャネル１３の長さ方向（図８、図９の左右方向）と直交する方向に沿って形成する。

切削屑排出溝２１は、ダイシングブレード（図示せず）を用いて、積層基板２０の全てのチャネル１３に亘るように形成することが好ましく、図８中の最上層のセラミックス基板１０の表面から最下層のセラミックス基板１０のチャネル１３に至る深さ、好ましくは、最下層のセラミックス基板１０のチャネル１３の深さ以上の深さとなるように凹設する。

ここで、チャネル１３の深さ以上の深さとは、積層基板２０の一方の面から最下層のセラミックス基板１０のチャネル１３の底面までの深さ以上の深さのことである。チャネル１３の底面とは、切削屑排出溝２１を形成する部位における積層基板２０のチャネル１３内の下側の面のことである。図８に示す積層基板２０は、チャネル１３の両端が次第に浅溝となるテーパー部１３ａを有しているが、このテーパー部１３ａの位置に切削屑排出溝２１を形成する場合は、最下層のセラミックス基板１０のチャネル１３におけるテーパー部１３ａの面がチャネル１３の底面となる。

また、図７（ａ）に示す積層基板２０の場合、カバー基板１６が最下層に配置されているが、この場合、最下層のセラミックス基板１０のチャネル１３の底面は、カバー基板１６の上面１６ａ（チャネル１３内に臨んでいる面）となる。

図１０は、チャネルがインクチャネルと空気チャネルとで構成されるセラミックス基板の正面図である。

更に、ヘッドチップには、インクを吐出するインクチャネルとインクを吐出しない空気チャネルとが交互に並設されるものがある。この場合のセラミックス基板１０の各チャネルは、図１０に示すように、インクチャネル１３１の深さよりも空気チャネル１３２の深さの方が深く形成されることがある。このように深さの異なるインクチャネル１３１と空気チャネル１３２とを有するセラミックス基板１０が、図６や図７（ｂ）のように積層された場合のチャネル１３の底面とは、最下層におけるセラミックス基板１０における深さが深い方の空気チャネル１３２の底面のことをいう。

この切削屑排出溝２１は、後述する積層基板２０のフルカット時に発生する切削屑がチャネル１３内に詰まることを防止するためものである。切削屑排出溝２１を積層基板２０の一方の面から最下層のセラミックス基板１０のチャネル１３の底面までの深さ以上の深さとすることにより、切削屑排出溝２１は各列全てのチャネル１３を積層基板２０の厚み方向に亘って完全に分断するので、後述する切断工程において発生する切削屑の排出を最も良好にすることができる。また、切削屑排出溝２１は積層基板２０の一面（最上層の上面）のみから形成することができるので、切削屑排出溝２１の形成作業が簡略化できる利点もある。

切削屑排出溝２１は、チャネル１３の長さ方向に沿って所定の間隔をおいて形成する。切削屑排出溝２１の本数は作製されるヘッドチップのチャネル１３の長さ（切断部位の間隔）に応じて適宜設定される。切削屑排出溝２１の本数は２本以上であることが好ましいが、積層基板２０における切削屑排出溝２１の部位は、ヘッドチップ１の切り出し後は不要部位となるため、本数を多くしすぎるとヘッドチップ１の取り数が少なくなる。従って、切削屑排出溝２１の本数は４〜５本程度までとすることが好ましい。切削屑排出溝２１の幅は、ダイシングブレードによって切削される幅によって規定される。

このヘッドチップの製造方法においては、後述する切断工程においてダイシングブレードＡによる切断時に発生する切削屑が、切削屑排出溝２１を通って排出される。前述したダイシングブレードＡを用いることにより、従来よりも切削屑が減るので、切削屑排出溝２１が塞がりにくく切削屑の排出も安定し、安定的に切断することが可能である。

この切削屑排出溝２１を加工する際の加工刃は、後述する切断工程において積層基板２０をフルカットする際に用いられるダイシングブレードＡを用いることが好ましい。これにより切削屑排出溝２１の形成後に、直ちに切断工程に移行することができる。

各切削屑排出溝２１は、積層基板２０の上面から深さ方向に凹設していく際、その長さ方向（図９における上下方向）の少なくとも一方端を、積層基板２０の側方（図９における上方又は下方）に開放するように形成することが好ましい。これにより、フルカット時に発生する切削屑を切削屑排出溝２１を通して積層基板２０（各セラミックス基板１０）の側方から外部に排出させることができる。

また、各切削屑排出溝２１を図９に示すように積層基板２０の一方側端から他方側端に亘って完全に横断するように形成することにより、切削屑排出溝２１の長さ方向の両端が積層基板２０の側方にそれぞれ開放するように形成すると、切削屑の外部への排出をより円滑に行うことができるためにより好ましい。

〔切断工程（ヘッドチップの切り出し）〕
図１１は、積層基板を切断する様子を説明する断面図である。

次いで、積層基板２０に対し、図１１に示すように、ダイシングブレードＡを用いてチャネル１３の長さ方向と直交する方向に沿って、所定の間隔で配置される複数の切断部位Ｃでフルカット（切断）することにより、チャネル１３の長さが所定の長さとなるヘッドチップ１を複数個切り出す。

ここでは、図８に示した積層基板２０に対して複数の切断部位Ｃが同一のピッチＰで設けられることにより、切れ出されるヘッドチップ１のチャネル１３の長さがピッチＰで同一となるようにしている。ただし、本発明は、複数の切断部位Ｃの間隔を異ならせることにより、１枚の積層基板２０からチャネル１３の長さが異なる複数種類のヘッドチップ１を切り出すようにしてもよい。

ダイシングブレードＡによる切断面の一方は、ノズルプレートが接合されるノズルプレート接合面（前面１ａ）となる。ノズルプレートは、複数のノズルが形成された平板であって、各ノズルを各チャネル１３に対応させてヘッドチップ１に接合される。また、ダイシングブレードＡによる切断面の他方は、配線基板が接合される配線基板接合面（後面１ｂ）となる。本発明では、ノズルプレート接合面（前面１ａ）及び配線基板接合面（後面１ｂ）の少なくとも何れか一方を、前述したダイシングブレードＡを用いて切り出せば良いが、両面を切り出すことが特に好ましい。

このヘッドチップの製造方法においては、前述したダイシングブレードＡを用いることにより、ヘッドチップ１におけるＬ長（チャネル１３の長さ）のばらつきを少なくでき、各チャネル１３間のヘッド性能のばらつきを抑えることができる。また、ノズルプレートの接着不良、配線基板の接着不良及び導通不良を抑えることができる。さらに、前述したダイシングブレードＡを用いることにより、壁の切削量が減るので、電極１５のダメージが減る。すなわち、従来は条件が悪いと電極１５が剥がれてしまう虞があったが、そのようなことを減らすことができる。

前述したダイシングブレードＡを用いて、チャネル１３を構成する溝を形成する切削工程と、チャネル１３の長さ方向に直交する方向に切断する切断工程との両方を行った場合には、チャネル１３を構成する溝の幅を高精度に切削加工することができ、また、チャネル１３の長さ（Ｌ長）を高精度に切断加工することができ、さらに、これら加工を同一のダイシングブレードＡを用いて行えるので、迅速、容易な加工を行うことができる。

この切断工程では、ダイシングブレードＡの近傍に液体を噴射しながら切断を行う。それぞれダイシングブレードＡの近傍に液体噴射ノズルＮ、Ｎを配置し、これら液体噴射ノズルＮ，Ｎから、ダイシングブレードＡの表面もしくはダイシングブレードＡによって切断される積層基板２０の切断部位に向けて液体を噴射する。液体としては水を用いることが好ましい。

図１２は、積層基板を切断する際の切削屑が流れる様子を説明する部分拡大平面図である。

このようにフルカット時に液体を噴射することにより、ダイシングブレードＡによって切削された切削屑は大部分が液体によって弾き飛ばされるが、一部の切削屑は液体と一緒に切断面から各チャネル１３内に侵入する。しかし、各チャネル１３は切削屑排出溝２１内に臨んでいるため、切削屑を含む液体は、図１２中の矢印で示すように、チャネル１３から切削屑排出溝２１内に入り込み、切削屑排出溝２１を通って外部に排出されるので、チャネル１３内に留まることが防止される。よって、切削屑がチャネル１３に詰まることに起因する切断面の不均一化を防止することができる。

特に本実施形態に示すように、切削屑排出溝２１が積層基板２０の側方にも開放している場合、切削屑排出溝２１内に入り込んだ切削屑を含む液体は、切削屑排出溝２１の端部から積層基板２０の外部に流出することができるので、チャネル１３の詰まりの発生をより確実に防止することができる。

ダイシングブレードＡによる切断加工は、図１１に示すように、積層基板２０に対して切削屑排出溝２１の形成が開始された面と同一面から行うことが好ましい。切削屑排出溝形成工程と切断工程とで、同一のダイシングブレードＡを用いた場合に積層基板２０に対する切削屑排出溝２１の形成作業の後に、積層基板２０を移動させるが必要なく、そのまま切断工程を実施することができ、作業工程が簡略化できる。

ダイシングブレードＡにより切断を行う切断部位Ｃは、積層基板２０における隣接する切削屑排出溝２１間に少なくとも２箇所有している。これにより、いずれの切断部位Ｃにおいても、隣接する２つの切削屑排出溝２１の少なくともいずれかによって切削屑を排出することができる。

なお、図１１に示すように、切断部位Ｃは積層基板２０における切削屑排出溝２１とは異なる部位に配置される。すなわち、切削屑排出溝形成工程において、切削屑排出溝２１は、後の切断工程において想定される切断部位Ｃを除いた位置のみに形成される。これによりヘッドチップ１を切り出す際、切削屑排出溝２１が形成されていない平坦な切断面が得られる。

また、図１１に示すように、１つの切削屑排出溝２１とこの切削屑排出溝２１に最も近い切断部位Ｃとの距離ｄは、ヘッドチップ１のチャネル１３の所定の長さ（ここではＰ）よりも短い。すなわち、切削屑排出溝形成工程において、後の切断工程において想定される切断部位Ｃに隣接する位置に形成される切削屑排出溝２１は、この切削屑排出溝２１に最も近い切断部位Ｃとの距離ｄが、ヘッドチップ１のチャネル１３の所定の長さよりも短くなる位置に配置される。これにより切削屑の排出性が高められる。しかも、積層基板２０において切削屑排出溝２１が形成された部位を廃棄することによる無駄を低減することができる。

切断工程において、積層基板２０を複数の切断部位Ｃでフルカットする際に、切断部位Ｃの並び方向のいずれか一方の端部の切断部位Ｃ（例えば図１１における左端の切断部位Ｃ）を最初に切断することが、その後の作業性を向上させる点で好ましい。この場合、その最初の切断部位Ｃの外側に切削屑排出溝２１が配置されるようにすることが好ましい。すなわち、切削屑排出溝形成工程において、後の切断工程において想定される複数の切断部位Ｃのうちの最初に切断を行ういずれか一方の端部の切断部位Ｃの外側に少なくとも１つの切削屑排出溝２１を形成する。

これにより、切削屑が排出されにくい最初に切断する切断部位の外側近傍、好ましくは、端部の切断部位Ｃとの距離ｄが、ヘッドチップ１のチャネル１３の所定の長さよりも短くなる位置に配置される切削屑排出溝２１により、効果的に切削屑の排出性を高めることができ、より平坦な切断面にすることができる。

また、積層基板２０の端部の不要な部位に切削屑排出溝２１を形成できるので、無駄なく効率的にヘッドチップ１を切り出すことができる。

また、このように切断部位Ｃの外側に形成する切削屑排出溝２１を、図１１に示すように、複数の切断部位Ｃの並び方向の両端部の切断部位Ｃ、Ｃの外側にそれぞれ形成することも好ましい。これにより、両端の切断部位Ｃ、Ｃの切断面を切削屑排出溝２１が形成されないより平坦な切断面にすることができるとともに、より無駄なく効率的にヘッドチップ１を切り出すことができる。

本発明によれば、セラミックス基板１０をダイシングブレードＡにより切削又は切断する際に、これらセラミックス基板１０及びダイシングブレードＡの間の切削屑の影響を減らし、より高い精度の加工を可能としたヘッドチップの製造方法を提供することができる。

本発明においては、上述したダイシングブレードＡを用いることにより、ヘッドチップの溝加工やチップ切断加工において、より精度の良い加工ができる。

また、本発明のダイシングブレードＡを使用することにより、切削屑の影響が減るので、シアモードのハーモニカヘッドなど、電極１５が設けられたセラミックス基板１０のチップ切断加工などにおいて、電極１５へのダメージを減らすことができる。

〔インクジェットヘッドの構成例〕
このようにして作製されたヘッドチップ１を用いたインクジェットヘッドの一例を図１３〜図１５を用いて説明する。

図１３は、本発明により製造されるインクジェットヘッドの一例を示す断面図である。

このインクジェットヘッドＨは、図１３に示すように、ヘッドチップ１の前面（ノズルプレート接合面）１ａにノズルプレート２が接合され、ヘッドチップ１の後面（配線基板接合面）１ｂに配線基板３が接合されている。ノズルプレート２には、ヘッドチップ１の各チャネル１３に対応する位置にノズル２ａが形成されている。

本発明に係るヘッドチップの製造方法によってダイシングブレードＡを用いて作製されたヘッドチップ１は、その切断面（前面１ａ、後面１ｂ）が均一となるので、ノズルプレート２及び配線基板３を高精度に接合することができる。これにより、ヘッドチップ１の作製工程の次工程での作業性を向上させ、ノズルプレートの接着不良、配線基板の接着不良及び導通不良を抑えて、歩留まりを向上させることができる。

ヘッドチップ１の後面１ｂには、各チャネル１３と一対一に対応するように引き出し電極１７が形成されている。各引き出し電極１７の一端は各チャネル１３内の電極１５と電気的に接続されている。

なお、このインクジェットヘッドＨは、図７（ｂ）の積層基板２０から切り出されたヘッドチップ１を用いた態様を示している。

図１４は、インクジェットヘッドにおけるヘッドチップの背面図である。

図１４に示すように、ヘッドチップ１に形成されているチャネル列のうちの最も外側に位置するＡ列及びＦ列のチャネル列の各チャネル１３に対応する引き出し電極１７は、ヘッドチップ１の後面１ｂにおける上端部又は下端部に向けてそれぞれ延びているが、内側に位置するＢ列のチャネル列の各チャネル１３から引き出された引き出し電極１７と、その隣りのＣ列のチャネル列の各チャネル１３から引き出された引き出し電極１７とが、互いに対向する方向に延びており、Ｂ列のチャネル列とＣ列のチャネル列の間に、互いに短絡しないように配置されている。更に、Ｄ列のチャネル列の各チャネル１３から引き出された引き出し電極１７と、その隣りのＥ列のチャネル列の各チャネル１３から引き出された引き出し電極１７とが、互いに対向する方向に延びており、Ｄ列のチャネル列とＥ列のチャネル列の間に、互いに短絡しないように配置されている。

図１３及び図１４に示すように、配線基板３は、ヘッドチップ１の後面１ｂに対し、この後面１ｂの外周縁に沿う所定幅において接合されている。配線基板３は、例えばガラス、セラミックス等の絶縁材料からなり、ヘッドチップ１の後面１ｂの周囲から側方にはみ出す程度の大きさを有するとともに、ヘッドチップ１の後面１ｂに臨む各チャネル１３に対応する矩形状の開口３１を有している。従って、ヘッドチップ１の全てのチャネル１３の入口は、何れかの開口３１を介して、後方に向けて連通されている。

図１５は、インクジェットヘッドにおける配線基板の正面図である。

配線基板３の表面（ヘッドチップ１の後面１ｂとの接合面）には、図１３及び図１５に示すように、ヘッドチップ１の各チャネル列の各チャネル１３から引き出された引き出し電極１７と対応するピッチで配線電極３２が、開口３１の周縁から配線基板３の外周縁にかけてパターン形成されている。配線基板３は、これら配線電極３２が、各チャネル列の引き出し電極１７と電気的に接続されるように位置合わせされ、後面１ｂに対して、例えば異方性導電フィルム等を用いて接着される。

これにより、各チャネル列の各チャネル１３内の電極１５は、引き出し電極１７及び配線基板３の配線電極３２によってヘッドチップ１の側方にそれぞれ引き出される。この配線基板３の配線電極３２には、それぞれ駆動回路（図示せず）からの駆動信号を各チャネル列の各チャネル１３内の電極１５に印加するためのＦＰＣ６の一端が、例えば異方性導電フィルム等を用いて接合されることにより電気的に接続されている。

これにより、ヘッドチップ１の各チャネル１３の電極１５に対してＦＰＣ６を介して駆動回路からの駆動信号を印加することができ、高密度なヘッドチップ１を有するインクジェットヘッドＨを簡単に構成することができる。

共通流路部材５は、図１３に示すように、ヘッドチップ１の後面１ｂに対向する面が開口し、配線基板３の外形形状と同等の大きさを有する箱体形状をなしている。共通流路部材５は、配線基板３の後面に接着されることにより、配線基板３の開口３１を介して連通する全てのチャネル１３に対して共通にインクを供給するための共通流路５１となる空間を形成している。

〔他の実施形態〕
図１６は、他の実施形態に係るチャネルを形成する様子を説明するセラミックス基板の斜視図である。

以上の説明では、ヘッドチップ１におけるチャネル１３を、セラミックス基板１０の一方端の手前から他方端の手前までに亘るように形成したが、本発明は、図１６に示すように、チャネル１３をセラミックス基板１０の一方端から他方端に亘って完全に横断するように形成することにより、チャネル１３の長さ方向の両端が、セラミックス基板１０の側方にそれぞれ開放するように形成してもよい。この場合、切断工程において発生する切削屑を含む液体を、各チャネル１３の端部を利用して外部に排出させることができるので好ましい。

図１７（ａ）は他の実施形態に係る溝を形成した積層基板の平面図、（ｂ）は（ａ）中のｂ−ｂ線に沿う断面図である。

以上の説明では、切削屑排出溝２１を積層基板２０の一方側端から他方側端に亘って完全に横断するように形成することにより、長さ方向の両端が積層基板２０の側方にそれぞれ開放するように形成したが、図１７に示すように、切削屑排出溝２１を、積層基板２０の一方端の手前から他方端の手前までに亘るように形成することにより、長さ方向の両端が積層基板２０の側方に開放しないように形成してもよい。

この場合の切削屑排出溝２１は、積層基板２０における切削屑排出溝２１の形成を開始した上面側のみに開放する形となるが、切断工程において発生する切削屑は、液体と共にこの切削屑排出溝２１内に受け入れられ、更に上面側に排出させることができるため、各チャネル１３内に切削屑が詰まることは防止される。

また、以上の説明では、切削屑排出溝２１を一方の面から他方の面に向けて形成したが、溝は、積層基板２０の表面からチャネル１３と交差する方向に沿って形成すればよく、例えば、図１１において積層基板２０の上面と下面から、チャネル１３と交差する方向に沿ってカバー基板１６の表面に達する溝をそれぞれ形成するようにしてもよい。

このように、切削屑排出溝２１は、積層基板２０の各チャネル１３が１または複数の溝を介して積層基板２０の外部に連通するように形成することが好ましく、これにより切断工程において、チャネル１３内に侵入する切削屑を液体とともに切削屑排出溝２１を介して積層基板２０の外部に排出しながら切断することが可能になる。

また、切削屑排出溝２１は、積層基板２０の積層方向（図１１の上下方向）と交差する方向（図１１の紙面手前側から奥側の方向）に形成してもよい。

更に、以上の説明では、セラミックス基板１０を６枚積層することによってチャネル列が６列となるヘッドチップ１を作製するようにしたが、セラミックス基板１０の積層数は、１枚又は（６枚以外の）複数枚であってもよい。特に３枚以上のセラミックス基板１０を積層することによって３列以上のチャネル列を有する積層基板２０をフルカットする場合に、発生する切削屑に起因する切断面の不均一化が顕著に現われるようになるため、本発明は３枚以上のセラミックス基板１０を積層した積層基板２０からヘッドチップ１を作製する場合に好ましく適用することができる。

更にまた、以上の説明では、セラミックス基板１０にチャネル１３を形成した後、各セラミックス基板１０を積層する前に各チャネル１３内に電極１５を形成するものとして説明したが、電極１５は、積層基板２０から切り出された後のヘッドチップ１の各チャネル１３内にめっき等によって形成するようにしてもよい。

さらに、本発明のヘッドチップの製造方法又はインクジェットヘッドの製造方法によって製造されるヘッドチップ又はインクジェットヘッドは、前述したような、各チャネル１３が並列されて形成されたものに限定されず、各チャネル１３が二次元状に配設されたものであってもよい。

〔ダイシングブレードの他の態様〕
図１８は、本発明において用いるダイシングブレードの構成の他の例を示す断面図である。

本発明のヘッドチップの製造方法において使用するダイシングブレードＡは、図１８に示すように、円環刃部９１は、円盤状台金９の内周側ほど薄くし、円盤状台金９の外周側ほど厚くして、その表面を、内周側から外周側に向けて傾斜面としてもよい。

このように円盤状台金９の内周側を薄くすることにより、両面の円環刃部９１による両切削面１０ｂ，１０ｂと、円環刃部９１との間に空隙が生じ、この空隙に切削屑１０ａが滞留する。切削屑１０ａは空隙内に滞留するので、切削面１０ｂ，１０ｂをさらに削ることがなく、良好に排出される。したがって、両面の円環刃部９１により形成された両切削面１０ｂ，１０ｂは、互いに正確に平行な平面となされる。円環刃部９１においては、溝加工や切断等を行うときに円弧部分によってセラミックス基板１０を削るのが好ましく、側面部では削らないことが好ましい。

図１９は、本発明において用いるダイシングブレードの構成のさらに他の例を示す断面図である。

さらに、本発明のヘッドチップの製造方法において使用するダイシングブレードＡは、図１９に示すように、円環刃部９１は、円盤状台金９の内周側ほど薄くし、円盤状台金９の外周側ほど厚くして、その表面を、内周側から外周側に向けて階段状としてもよい。

この場合にも、両面の円環刃部９１による両切削面１０ｂ，１０ｂと、円環刃部９１との間に空隙が生じ、この空隙に切削屑１０ａが滞留する。切削屑１０ａは空隙内に滞留するので、切削面１０ｂ，１０ｂをさらに削ることがなく、良好に排出される。したがって、両面の円環刃部９１により形成された両切削面１０ｂ，１０ｂは、互いに正確に平行な平面となされる。

１：ヘッドチップ
１ａ：前面（ノズルプレート接合面）
１ｂ：後面（配線基板接合面）
２：ノズルプレート
２ａ：ノズル
３：配線基板
３１：開口
３２：配線電極
４：電極引き出し部材
４ａ：前端面
４ｂ、４ｃ：側面
４１：第２の引き出し電極
５：共通流路部材
５１：共通流路
５２：後壁
５３：貫通孔
６：ＦＰＣ
７：ダイシングシート
８：回転軸
８１：フランジ
８２：フランジ
８３：ナット
９：円盤状台金
９ａ：内周側部分
９ｂ：中心孔
９１：円環刃部
９１ａ：周面刃部
１０：セラミックス基板
１１：基板
１２ａ、１２ｂ：圧電素子基板
１３：チャネル
１３ａ：テーバー面
１４：駆動壁
１５：電極
１６：カバー基板
１６ａ：上面
１７：第１の引き出し電極
２０：積層基板
２１：切削屑排出溝
Ａ：ダイシングブレード
Ｃ：切断部位
Ｎ：液体噴射ノズル
Ｐ：ピッチ
ｄ：溝と該溝に最も近い切断部位との距離

Claims (11)

1. ダイシングブレードを使用して、インクジェットヘッドのヘッドチップを構成するセラミックス基板の切削又は切断を行う工程を有し、
   前記ダイシングブレードは、円盤状台金の周縁側両面に全周に亘って砥粒層からなる円環刃部が形成され、
   前記円盤状台金の前記円環刃部が形成されていない内周側部分が、前記円環刃部を含む周縁側部分よりも薄く、
   前記円環刃部の径方向の幅が、切削又は切断する前記セラミックス基板の切削深さよりも狭く、
   前記ダイシングブレードは、前記円盤状台金を一対のフランジにより挟持固定されて使用され、該円盤状台金の該フランジによる挟持部分の表面の算術平均粗さが、前記円環刃部の表面の算術平均粗さ以上であり、前記挟持部分の表面と前記フランジとの間の最大静止摩擦力モーメントが、前記円環刃部の表面と前記セラミックス基板との間の動摩擦力モーメント以上であり、
   前記円環刃部による両切削面と前記円盤状台金の前記内周側部分との間の空隙に切削屑が滞留し、前記ダイシングブレードの回転に伴って排出される
   ことを特徴とするヘッドチップの製造方法。
2. 前記セラミックス基板の切断を行う工程においては、
   該セラミックス基板を樹脂製のダイシングシート上に粘着させて固定し、該ダイシングシートの反対側から該セラミックス基板に前記ダイシングブレードを進入させ、該セラミックス基板を切断するとともに該ダイシングシートの一部を切削し、
   前記ダイシングシートに対する切削深さは、前記円環刃部の径方向の幅よりも小さいことを特徴とする請求項１記載のヘッドチップの製造方法。
3. 前記ダイシングブレードは、前記円盤状台金の周側面に、砥粒層からなる周面刃部が形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載のヘッドチップの製造方法。
4. 前記周面刃部は、前記円盤状台金の周側面に沿って平坦に形成されていることを特徴とする請求項３記載のヘッドチップの製造方法。
5. 前記円環刃部は、前記円盤状台金の内周側ほど薄く、該円盤状台金の外周側ほど厚くなっており、その表面が内周側から外周側に向けて傾斜面となっていることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載のヘッドチップの製造方法。
6. 前記円環刃部は、前記円盤状台金の内周側ほど薄く、該円盤状台金の外周側ほど厚くなっており、その表面が内周側から外周側に向けて階段状になっていることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載のヘッドチップの製造方法。
7. 前記セラミックス基板の切削を行う工程は、
   前記セラミックス基板に複数のチャネルを構成する複数の溝を形成し、並列された複数のチャネル及び該チャネル間を隔てる駆動する隔壁を形成することを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載のヘッドチップの製造方法。
8. 前記セラミックス基板の切断を行う工程は、
   前記セラミックス基板を切断して、複数のノズルが形成されたノズルプレートが接合されるノズルプレート接合面、及び、複数のチャネル間を隔てる隔壁に給電する配線パターンが形成された配線基板が接合される配線基板接合面の少なくとも何れか一方を形成することを特徴とする請求項１〜７の何れかに記載のヘッドチップの製造方法。
9. 前記セラミックス基板の切断を行う工程において、
   切断する前の前記セラミックス基板には、複数のチャネルを構成する溝が形成されており、該溝の内面には、該チャネルの容積変化を生じさせる圧電素子に給電するための電極が形成されていることを特徴とする請求項８記載のヘッドチップの製造方法。
10. 前記セラミックス基板の切断を行う工程において、
    切断する前の前記セラミックス基板には、複数の切削屑排出溝が形成されていることを特徴とする請求項８又は９記載のヘッドチップの製造方法。
11. 複数のチャネルが並列して形成され該チャネル間を隔てる隔壁が駆動するヘッドチップに、複数のノズルが形成されたノズルプレートを、該ノズルを前記チャネルに対応させて接合する工程と、
    前記ヘッドチップに、前記隔壁に給電するための配線パターンが形成された配線基板を接合する工程とを有し、
    前記ヘッドチップを構成するセラミックス基板の前記ノズルプレートが接合されるノズルプレート接合面及び前記配線基板が接合される配線基板接合面の少なくとも何れか一方を、請求項１〜６の何れかに記載のダイシングブレードを使用した切断により形成することを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。

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