JP6773698B2 - 可変利得電力増幅器 - Google Patents
可変利得電力増幅器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6773698B2 JP6773698B2 JP2017568253A JP2017568253A JP6773698B2 JP 6773698 B2 JP6773698 B2 JP 6773698B2 JP 2017568253 A JP2017568253 A JP 2017568253A JP 2017568253 A JP2017568253 A JP 2017568253A JP 6773698 B2 JP6773698 B2 JP 6773698B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coupled
- node
- output
- oscillator
- signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 69
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 15
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 15
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims 7
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 42
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 12
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 6
- 101000860173 Myxococcus xanthus C-factor Proteins 0.000 description 5
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 5
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 5
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 4
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 3
- 239000001729 Ammonium fumarate Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000007850 degeneration Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/211—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1206—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification
- H03B5/1212—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification the amplifier comprising a pair of transistors, wherein an output terminal of each being connected to an input terminal of the other, e.g. a cross coupled pair
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1228—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more field effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
- H03B5/1262—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising switched elements
- H03B5/1265—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising switched elements switched capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0211—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the supply voltage or current
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0277—Selecting one or more amplifiers from a plurality of amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/213—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
- H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/45179—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
- H03F3/45197—Pl types
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification
- H03G1/0005—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/004—Control by varying the supply voltage
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/20—Automatic control
- H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
- H03G3/3036—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers
- H03G3/3042—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers in modulators, frequency-changers, transmitters or power amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/02—Transmitters
- H04B1/04—Circuits
- H04B2001/0408—Circuits with power amplifiers
- H04B2001/0416—Circuits with power amplifiers having gain or transmission power control
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
Description
Claims (25)
- 集積回路であって、
オシレータであって、
第1のノードと、
第2のノードと、
前記第1のノードと前記第2のノードとの間に結合される1つ又は複数のリアクティブ構成要素のネットワークであって、前記第1のノードと前記第2のノードとの間に少なくとも1つのタップを有する、前記リアクティブ構成要素の前記ネットワークと、
前記第2のノードを介して前記リアクティブ構成要素の前記ネットワークに結合される第1の出力と、
前記タップを介して前記リアクティブ構成要素の前記ネットワークに結合される第2の出力と、
を含む、前記オシレータと、
電力増幅器であって、
前記オシレータの前記第1の出力に結合される第1の入力と、
前記オシレータの前記第2の出力に結合される第2の入力と、
出力と、
選択回路であって、前記電力増幅器の第1の入力に結合される第1の入力と、前記電力増幅器の第2の入力に結合される第2の入力と、出力とを有する、前記選択回路と、
第1の増幅器段であって、前記選択回路の出力に結合される入力と、出力とを有する、前記第1の増幅器段と、
を含む、前記電力増幅器と、
を含む、集積回路。 - 請求項1に記載の集積回路であって、
前記タップが第1のタップであり、
前記リアクティブ構成要素の前記ネットワークが、前記第1のノードと第2のノードとの間に配される第2のタップを有し、
前記オシレータの前記第1の出力が、前記第1のノードを介して前記リアクティブ構成要素の前記ネットワークに結合される第1の端子と、前記第2のノードを介して前記リアクティブ構成要素の前記ネットワークに結合される第2の端子とを有する第1の差動出力であり、
前記オシレータの前記第2の出力が、前記第1のタップを介して前記リアクティブ構成要素の前記ネットワークに結合される第1の端子と、前記第2のタップを介して前記リアクティブ構成要素の前記ネットワークに結合される第2の端子とを有する第2の差動出力である、集積回路。 - 請求項2に記載の集積回路であって、
前記リアクティブ構成要素の前記ネットワークが、前記オシレータの前記第1のノードと前記第2のノードとの間に直列に結合される1つ又は複数のインダクタを含み、
前記第1及び第2のタップが前記1つ又は複数のインダクタに結合され、
前記オシレータの前記第1の差動出力の前記第1の端子と前記第2の端子との間のインダクタンスが、前記オシレータの前記第2の差動出力の前記第1の端子と前記第2の端子との間のインダクタンスより大きい、集積回路。 - 請求項2に記載の集積回路であって、
前記リアクティブ構成要素の前記ネットワークが、前記オシレータの前記第1のノードと前記第2のノードとの間に直列に結合される1つ又は複数のキャパシタを含み、
前記第1及び第2のタップが前記1つ又は複数のキャパシタに結合され、
前記オシレータの前記第1の差動出力の前記第1の端子と前記第2の端子との間のキャ
パシタンスが、前記オシレータの前記第2の差動出力の前記第1の端子と前記第2の端子との間のキャパシタンスより大きい、集積回路。 - 請求項1に記載の集積回路であって、
前記オシレータの前記第1のノードが、前記オシレータに対する電力レール又は接地レールの少なくとも1つである、集積回路。 - 請求項5に記載の集積回路であって、
前記リアクティブ構成要素の前記ネットワークが、前記オシレータの前記第1のノードと前記第2のノードとの間に直列に結合される1つ又は複数のインダクタを含み、
前記タップが前記1つ又は複数のインダクタに結合され、
前記オシレータの前記第1のノードと前記第2のノードとの間のインダクタンスが、前記リアクティブ構成要素の前記ネットワークの前記タップと前記オシレータの前記第1のノードとの間のインダクタンスより大きい、集積回路。 - 請求項5に記載の集積回路であって、
前記リアクティブ構成要素の前記ネットワークが、前記オシレータの前記第1のノードと前記第2のノードとの間に直列に結合される1つ又は複数のキャパシタを含み、
前記タップが前記1つ又は複数のキャパシタに結合され、
前記オシレータの前記第1のノードと前記第2のノードとの間のキャパシタンスが、前記リアクティブ構成要素の前記ネットワークの前記タップと前記オシレータの前記第1のノードとの間のキャパシタンスより大きい、集積回路。 - 請求項1に記載の集積回路であって、
前記リアクティブ構成要素の前記ネットワークが、前記オシレータの前記第1のノードと前記第2のノードとの間に直列に結合される1つ又は複数のインダクタを含む、集積回路。 - 請求項1に記載の集積回路であって、
前記リアクティブ構成要素の前記ネットワークが、前記オシレータの前記第1のノードと前記第2のノードとの間に直列に結合される1つ又は複数のキャパシタを含む、集積回路。 - 請求項1に記載の集積回路であって、
前記電力増幅器が、
第2の増幅器段であって、前記第1の増幅器段の前記出力に結合される入力と、出力とを有する、前記第2の増幅器段と、
を更に含み、
前記選択回路の出力が、前記第2の増幅器段の出力に結合される、集積回路。 - 請求項10に記載の集積回路であって、
前記選択回路が、利得制御リードに結合される制御入力を有する、集積回路。 - 請求項10に記載の集積回路であって、
前記電力増幅器が、
前記第1の増幅器段に結合される第1の調整可能な電力供給と、
前記第2の増幅器段に結合される第2の調整可能な電力供給と、
を更に含む、集積回路。 - 請求項12に記載の集積回路であって、
前記第1の調整可能な電力供給が第1のプログラム可能な低ドロップアウトレギュレータ(LDO)であり、前記第2の調整可能な電力供給が第2のプログラム可能なLDOである、集積回路。 - 請求項1に記載の集積回路であって、
前記第1の増幅器段が、
電力レールと、
調整可能な抵抗と、
前記調整可能な抵抗を介して前記電力レールに結合される第1の自己バイアスインバータと、
前記調整可能な抵抗を介して前記電力レールに結合される第2の自己バイアスインバータと、
を含む、集積回路。 - 請求項14に記載の集積回路であって、
前記電力レールが、調整可能な電源に結合される、集積回路。 - 請求項15に記載の集積回路であって、
前記調整可能な電源が、調整可能な低ドロップアウトレギュレータ(LDO)である、集積回路。 - 請求項14に記載の集積回路であって、
前記第1の増幅器段が第2の調整可能な抵抗を含み、
前記第1の自己バイアスインバータが、前記第2の調整可能な抵抗を介して接地レールに結合され、
前記第2の自己バイアスインバータが、前記第2の調整可能な抵抗を介して前記接地レールに結合される、集積回路。 - 請求項14に記載の集積回路であって、
前記第1の自己バイアスインバータが、入力と、出力と、前記第1の自己バイアスインバータの入力と出力との間に結合される抵抗器とを含み、
前記第2の自己バイアスインバータが、入力と、出力と、前記第2の自己バイアスインバータの入力と出力との間に結合される抵抗器とを含む、集積回路。 - 請求項10に記載の集積回路であって、
前記第2の増幅器段が、
第1のトランジスタと第2のトランジスタとを有するインバータと、
前記インバータの出力に結合される抵抗器と、
第1のバイアス電圧源と、
第2のバイアス電圧源と、
前記抵抗器と前記第1のトランジスタのゲートとの間に結合される第1のスイッチと、
前記第1のバイアス電圧源と前記第1のトランジスタのゲートとの間に結合される第2のスイッチと、
前記抵抗器と前記第2のトランジスタのゲートとの間に結合される第3のスイッチと、
前記第2のバイアス電圧源と前記第2のトランジスタのゲートとの間に結合される第4のスイッチと、
を含む、集積回路。 - 請求項19に記載の集積回路であって、
前記第1、第2、第3及び第4のスイッチに結合され、自己バイアス動作モードと非線形動作モードとの間で前記第2の増幅器段を切り替えるように構成される制御ユニットを更に含む、集積回路。 - 方法であって、
発振器に含まれる1つ又はそれ以上のリアクティブ構成要素のネットワークで第1の発振信号を生成することと、
前記リアクティブ構成要素のネットワークに含まれる1つ又はそれ以上のタップを介して前記第1の発振信号に比例してそれより小さい振幅を有する第2の発振信号を出力することと、
利得制御に基づいて電力増幅出力信号を生成するために使用するように前記第1及び第2の発振信号の一方を選択することと、
前記第1及び第2の発振信号の前記選択された信号に基づいて前記電力増幅出力信号を生成することと、
を含む、方法。 - 請求項21に記載の方法であって、
前記第1及び第2の発振信号を選択することが、選択された発振信号を生成するために前記第1及び第2の発振信号の一方を選択することを含み、
前記電力増幅出力信号を生成することが、前記選択された発振信号を増幅することを含む、方法。 - 請求項22に記載の方法であって、
前記選択された発振信号を増幅することが、調整可能な低ドロップアウトレギュレータ(LDO)により決定される利得で前記選択された発振信号を増幅することを含む、方法。 - 請求項21に記載の方法であって、
第1の電力増幅信号を生成するために前記第1の発振信号を増幅することと、
第2の電力増幅信号を生成するために前記第2の発振信号を増幅することと、
を更に含み、
前記第1及び第2の発振信号の一方を選択することが、選択された電力増幅信号を生み出すために前記第1及び第2の電力増幅信号の一方を選択することを含み、
前記電力増幅信号を生成することが、前記選択された電力増幅信号を前記電力増幅出力信号として出力することを含む、方法。 - 請求項24に記載の方法であって、
前記第1の発振信号を増幅することが、調整可能な低ドロップアウトレギュレータ(LDO)により決定される利得で前記第1の発振信号を増幅することを含み、
前記第2の発振信号を増幅することが、前記調整可能なLDOにより決定される前記利得で前記第2の発振信号を増幅することを含む、方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020167244A JP6978714B2 (ja) | 2015-06-30 | 2020-10-01 | 可変利得電力増幅器 |
JP2021174121A JP7514051B2 (ja) | 2015-06-30 | 2021-10-25 | 可変利得電力増幅器 |
JP2024101273A JP2024111289A (ja) | 2015-06-30 | 2024-06-24 | 可変利得電力増幅器 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/755,462 US9685907B2 (en) | 2015-06-30 | 2015-06-30 | Variable gain power amplifiers |
US14/755,462 | 2015-06-30 | ||
PCT/US2016/040572 WO2017004459A1 (en) | 2015-06-30 | 2016-06-30 | Variable gain power amplifiers |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020167244A Division JP6978714B2 (ja) | 2015-06-30 | 2020-10-01 | 可変利得電力増幅器 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018519760A JP2018519760A (ja) | 2018-07-19 |
JP2018519760A5 JP2018519760A5 (ja) | 2019-07-11 |
JP6773698B2 true JP6773698B2 (ja) | 2020-10-21 |
Family
ID=57609606
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017568253A Active JP6773698B2 (ja) | 2015-06-30 | 2016-06-30 | 可変利得電力増幅器 |
JP2020167244A Active JP6978714B2 (ja) | 2015-06-30 | 2020-10-01 | 可変利得電力増幅器 |
JP2021174121A Active JP7514051B2 (ja) | 2015-06-30 | 2021-10-25 | 可変利得電力増幅器 |
JP2024101273A Pending JP2024111289A (ja) | 2015-06-30 | 2024-06-24 | 可変利得電力増幅器 |
Family Applications After (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020167244A Active JP6978714B2 (ja) | 2015-06-30 | 2020-10-01 | 可変利得電力増幅器 |
JP2021174121A Active JP7514051B2 (ja) | 2015-06-30 | 2021-10-25 | 可変利得電力増幅器 |
JP2024101273A Pending JP2024111289A (ja) | 2015-06-30 | 2024-06-24 | 可変利得電力増幅器 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (6) | US9685907B2 (ja) |
JP (4) | JP6773698B2 (ja) |
CN (2) | CN114123998A (ja) |
WO (1) | WO2017004459A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI619354B (zh) * | 2017-01-26 | 2018-03-21 | 瑞昱半導體股份有限公司 | 射頻收發裝置及其射頻發射機 |
US11931525B2 (en) | 2018-10-04 | 2024-03-19 | Edwards Lifesciences Corporation | Stabilizer for a delivery system |
CN111756339A (zh) * | 2018-12-07 | 2020-10-09 | 曹秀妹 | 一种可切换工作功率的双模式功率放大器及模式切换方法 |
EP4044427A4 (en) * | 2019-10-31 | 2022-11-02 | Huawei Technologies Co., Ltd. | OSCILLATOR CIRCUIT |
TWI790867B (zh) | 2021-12-21 | 2023-01-21 | 財團法人工業技術研究院 | 壓控振盪裝置 |
Family Cites Families (71)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4994757A (en) * | 1989-11-01 | 1991-02-19 | Motorola, Inc. | Efficiency improvement of power amplifiers |
JP2807853B2 (ja) * | 1993-01-29 | 1998-10-08 | リオン株式会社 | 出力回路 |
JP2904113B2 (ja) * | 1996-04-15 | 1999-06-14 | 日本電気株式会社 | 可変利得増幅器 |
US6130602A (en) | 1996-05-13 | 2000-10-10 | Micron Technology, Inc. | Radio frequency data communications device |
SE506841C2 (sv) * | 1996-06-28 | 1998-02-16 | Ericsson Telefon Ab L M | Anordning och förfarande för fasdistorsionskompensering |
US5834975A (en) * | 1997-03-12 | 1998-11-10 | Rockwell Science Center, Llc | Integrated variable gain power amplifier and method |
US6397077B1 (en) * | 1998-05-20 | 2002-05-28 | Conexant Systems, Inc. | Wide frequency range couplers and detectors for power detection in multiple frequency band systems |
US6172567B1 (en) * | 1998-08-31 | 2001-01-09 | Hitachi, Ltd. | Radio communication apparatus and radio frequency power amplifier |
US6615028B1 (en) * | 1998-12-29 | 2003-09-02 | Skyworks Solutions, Inc. | System and method for selecting amplifiers in a communications device |
JP4071395B2 (ja) * | 1999-07-22 | 2008-04-02 | 富士通株式会社 | 利得可変増幅器 |
US7010276B2 (en) * | 2001-04-11 | 2006-03-07 | Tropian, Inc. | Communications signal amplifiers having independent power control and amplitude modulation |
JP2002314345A (ja) * | 2001-04-16 | 2002-10-25 | Sony Corp | 高周波増幅回路およびこれを用いた無線通信装置 |
US6614299B2 (en) * | 2001-11-02 | 2003-09-02 | Nokia Corporation | Method and system for automated current balance adjustment for parallel combined amplification elements |
US20040009721A1 (en) | 2002-05-14 | 2004-01-15 | Stoelinga Titus Anno | Device for locating and possibly retrieving an object which has fallen into the water |
US6906596B2 (en) * | 2002-09-25 | 2005-06-14 | Renesas Technology Corp. | Oscillation circuit and a communication semiconductor integrated circuit |
US6794935B2 (en) * | 2002-10-17 | 2004-09-21 | Motorola Inc. | Power amplification circuit and method for supplying power at a plurality of desired power output levels |
US7471941B2 (en) * | 2002-12-02 | 2008-12-30 | Broadcom Corporation | Amplifier assembly including variable gain amplifier, parallel programmable amplifiers, and AGC |
JP4744786B2 (ja) * | 2003-04-23 | 2011-08-10 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 高周波電力増幅モジュール |
US6894563B1 (en) | 2003-04-24 | 2005-05-17 | Atheros Communications, Inc. | Automatic control of amplifier gain using degeneration |
US7081796B2 (en) * | 2003-09-15 | 2006-07-25 | Silicon Laboratories, Inc. | Radio frequency low noise amplifier with automatic gain control |
US7421037B2 (en) * | 2003-11-20 | 2008-09-02 | Nokia Corporation | Reconfigurable transmitter with direct digital to RF modulator |
JP2006013566A (ja) * | 2004-06-22 | 2006-01-12 | Renesas Technology Corp | 高周波電力増幅用電子部品 |
US20060066431A1 (en) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Anand Seema B | Adjustable differential inductor |
US8000737B2 (en) * | 2004-10-15 | 2011-08-16 | Sky Cross, Inc. | Methods and apparatuses for adaptively controlling antenna parameters to enhance efficiency and maintain antenna size compactness |
US7355470B2 (en) * | 2006-04-24 | 2008-04-08 | Parkervision, Inc. | Systems and methods of RF power transmission, modulation, and amplification, including embodiments for amplifier class transitioning |
US7215202B2 (en) * | 2005-02-25 | 2007-05-08 | Texas Instruments Incorporated | Programmable gain amplifier and method |
US7345545B2 (en) * | 2005-03-28 | 2008-03-18 | Freescale Semiconductor, Inc. | Enhancement mode transceiver and switched gain amplifier integrated circuit |
JP2006333060A (ja) * | 2005-05-26 | 2006-12-07 | Renesas Technology Corp | 高周波電力増幅及びそれを用いた無線通信装置 |
US7221222B2 (en) * | 2005-07-28 | 2007-05-22 | Motorola, Inc. | Methods and apparatus of managing a power amplifier |
JP2007104152A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Sharp Corp | 電圧制御発振器及び電圧制御発振器ユニット |
JP5027472B2 (ja) * | 2005-11-09 | 2012-09-19 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 発振器およびそれを用いた情報機器 |
US7907920B2 (en) * | 2006-06-14 | 2011-03-15 | Research In Motion Limited | Control of switcher regulated power amplifier modules |
US8761305B2 (en) * | 2006-06-14 | 2014-06-24 | Blackberry Limited | Input drive control for switcher regulated power amplifier modules |
US7724839B2 (en) * | 2006-07-21 | 2010-05-25 | Mediatek Inc. | Multilevel LINC transmitter |
US7783269B2 (en) * | 2007-09-20 | 2010-08-24 | Quantance, Inc. | Power amplifier controller with polar transmitter |
US9088258B2 (en) * | 2008-01-14 | 2015-07-21 | Micro Mobio Corporation | RF power amplifier with linearity control |
US8718582B2 (en) * | 2008-02-08 | 2014-05-06 | Qualcomm Incorporated | Multi-mode power amplifiers |
KR100952424B1 (ko) * | 2008-02-21 | 2010-04-14 | 한국전자통신연구원 | 트랜스포머의 커플링을 이용한 차동 전압 제어 발진기 및직교 전압 제어 발진기 |
US7847646B2 (en) * | 2008-05-27 | 2010-12-07 | Favepc, Inc. | Carrier generator with LC network |
US8502610B2 (en) | 2008-12-22 | 2013-08-06 | Lockheed Martin Corporation | Cascaded local oscillator synthesizer |
US9374100B2 (en) | 2009-07-01 | 2016-06-21 | Qualcomm Incorporated | Low power LO distribution using a frequency-multiplying subharmonically injection-locked oscillator |
US8131234B2 (en) * | 2009-07-23 | 2012-03-06 | Panasonic Corporation | Transmitter utilizing a duty cycle envelope reduction and restoration modulator |
US8842410B2 (en) * | 2009-08-31 | 2014-09-23 | Qualcomm Incorporated | Switchable inductor network |
KR101101426B1 (ko) * | 2010-02-03 | 2012-01-02 | 삼성전기주식회사 | 전력 증폭기 |
JP5404473B2 (ja) * | 2010-02-26 | 2014-01-29 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 高周波電力増幅器およびその動作方法 |
US8195109B2 (en) * | 2010-03-23 | 2012-06-05 | Texas Instruments Incorporated | Single ended switched power amplifier with tuned load coupling block |
US8319564B2 (en) * | 2010-03-26 | 2012-11-27 | Altera Corporation | Integrated circuits with configurable inductors |
WO2011156379A2 (en) * | 2010-06-07 | 2011-12-15 | Cornell University | Resonator circuit and amplifier circuit |
US8913970B2 (en) * | 2010-09-21 | 2014-12-16 | Apple Inc. | Wireless transceiver with amplifier bias adjusted based on modulation scheme |
US8513997B2 (en) | 2010-09-30 | 2013-08-20 | St-Ericsson Sa | RF duty cycle correction circuit |
JP2012129893A (ja) * | 2010-12-16 | 2012-07-05 | Fujitsu Ltd | 増幅回路、増幅回路への電力供給制御方法及び送信装置 |
US9099957B2 (en) * | 2011-03-18 | 2015-08-04 | Freescale Semiconductor Inc. | Voltage-controlled oscillators and related systems |
JP5664385B2 (ja) * | 2011-03-20 | 2015-02-04 | 富士通株式会社 | 送信装置 |
US8654805B2 (en) * | 2011-08-23 | 2014-02-18 | Coherent, Inc. | Apparatus and method for balancing combined RF power-supplies for driving a CO2 gas-discharge laser |
US8699974B2 (en) * | 2011-08-24 | 2014-04-15 | Aviacomm Inc. | Wideband transmitter front-end |
KR101792260B1 (ko) * | 2011-09-01 | 2017-11-02 | 삼성전기주식회사 | 시분할 시스템용 전력 증폭기 |
US8929808B2 (en) * | 2011-09-29 | 2015-01-06 | Broadcom Corporation | Antenna driver circuit for NFC reader applications |
US8629732B2 (en) * | 2011-09-30 | 2014-01-14 | Freescale Semiconductor, Inc. | Voltage-controlled oscillators and related systems |
JP5283746B2 (ja) * | 2011-12-21 | 2013-09-04 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 送信機およびそれに使用するためのrf送信信号処理回路 |
US9203348B2 (en) * | 2012-01-27 | 2015-12-01 | Freescale Semiconductor, Inc. | Adjustable power splitters and corresponding methods and apparatus |
CN102684864B (zh) * | 2012-05-02 | 2017-04-19 | 惠州Tcl移动通信有限公司 | 一种移动通讯终端 |
US9264005B1 (en) * | 2012-07-06 | 2016-02-16 | Marvell International Ltd. | Techniques for efficient radio frequency power amplifier |
US8824978B2 (en) * | 2012-10-30 | 2014-09-02 | Eta Devices, Inc. | RF amplifier architecture and related techniques |
DE102014102940A1 (de) * | 2013-03-13 | 2014-09-18 | Analog Devices, Inc. | Oszillator mit LC-Primär- und Sekundärschwingschaltungen |
CN105009449B (zh) * | 2013-03-14 | 2017-08-08 | 匡坦斯公司 | 电源 |
US20150015222A1 (en) | 2013-07-09 | 2015-01-15 | Texas Instruments Deutschland Gmbh | Low dropout voltage regulator |
US9099958B2 (en) * | 2013-09-30 | 2015-08-04 | Infineon Technologies Ag | System and method for a voltage controlled oscillator |
US9160292B2 (en) * | 2013-10-08 | 2015-10-13 | Peregrine Semiconductor Corporation | Load compensation in RF amplifiers |
US9176188B2 (en) * | 2013-12-20 | 2015-11-03 | Texas Instruments Incorporated | Waveform calibration using built in self test mechanism |
JP5900756B2 (ja) * | 2014-02-28 | 2016-04-06 | 株式会社村田製作所 | 電力増幅モジュール |
CN103916083B (zh) * | 2014-04-17 | 2017-01-04 | 重庆西南集成电路设计有限责任公司 | 具有优化宽带频率覆盖均匀性的压控振荡器 |
-
2015
- 2015-06-30 US US14/755,462 patent/US9685907B2/en active Active
-
2016
- 2016-06-30 CN CN202111519675.3A patent/CN114123998A/zh active Pending
- 2016-06-30 WO PCT/US2016/040572 patent/WO2017004459A1/en active Application Filing
- 2016-06-30 CN CN201680038816.0A patent/CN107710601B/zh active Active
- 2016-06-30 JP JP2017568253A patent/JP6773698B2/ja active Active
-
2017
- 2017-06-19 US US15/627,249 patent/US10536113B2/en active Active
-
2019
- 2019-12-11 US US16/710,239 patent/US10797646B2/en active Active
-
2020
- 2020-09-28 US US17/034,099 patent/US11258404B2/en active Active
- 2020-10-01 JP JP2020167244A patent/JP6978714B2/ja active Active
-
2021
- 2021-10-25 JP JP2021174121A patent/JP7514051B2/ja active Active
-
2022
- 2022-01-12 US US17/573,662 patent/US11705863B2/en active Active
-
2023
- 2023-05-31 US US18/326,746 patent/US20230318529A1/en active Pending
-
2024
- 2024-06-24 JP JP2024101273A patent/JP2024111289A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107710601B (zh) | 2021-12-31 |
US11258404B2 (en) | 2022-02-22 |
JP2021013174A (ja) | 2021-02-04 |
US20230318529A1 (en) | 2023-10-05 |
US11705863B2 (en) | 2023-07-18 |
CN114123998A (zh) | 2022-03-01 |
WO2017004459A1 (en) | 2017-01-05 |
US10536113B2 (en) | 2020-01-14 |
JP2024111289A (ja) | 2024-08-16 |
US20170288796A1 (en) | 2017-10-05 |
US9685907B2 (en) | 2017-06-20 |
US20170005616A1 (en) | 2017-01-05 |
JP2018519760A (ja) | 2018-07-19 |
JP7514051B2 (ja) | 2024-07-10 |
US10797646B2 (en) | 2020-10-06 |
US20210013833A1 (en) | 2021-01-14 |
JP6978714B2 (ja) | 2021-12-08 |
CN107710601A (zh) | 2018-02-16 |
US20200112286A1 (en) | 2020-04-09 |
JP2022009471A (ja) | 2022-01-14 |
US20220140787A1 (en) | 2022-05-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6978714B2 (ja) | 可変利得電力増幅器 | |
US7463106B2 (en) | Push-push voltage controlled oscillator for obtaining differential signals | |
CN109639244B (zh) | 用于偏置rf电路的系统和方法 | |
US7352241B2 (en) | Variable gain amplifier | |
US8773211B2 (en) | Common mode rejection circuit | |
JP5109895B2 (ja) | 増幅回路及び受信装置 | |
KR101176615B1 (ko) | 초 광대역의 신호 생성기 | |
EP3139506B1 (en) | Apparatus and methods for using tuning information to adaptively and dynamically modify the parameters of an rf signal chain | |
US20170179883A1 (en) | Multimode voltage controlled oscillator | |
JP5807762B2 (ja) | 高周波モジュール及びそれを用いた携帯端末 | |
JP5351849B2 (ja) | 増幅回路 | |
US20140347117A1 (en) | Impedance transformer for use with a quadrature passive cmos mixer | |
KR20020095618A (ko) | 차동 형태를 이용한 lc 공진 전압 제어 푸쉬-푸쉬 발진기 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20171228 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190606 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190606 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200226 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200226 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200515 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200902 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20201001 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6773698 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |