KR101176615B1 - 초 광대역의 신호 생성기 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 초 광대역(Ultra Wide Band)의 주파수 범위에 걸친 고조파(Harmonic) 신호를 이용하여 원하는 주파수의 신호를 생성하는 신호 생성기에 관한 것이다.
이를 위하여, 본 발명에 따른 초 광대역의 신호 생성기는, 비선형의 동작 범위에서 서로 전력이 유사한 고조파 신호들을 생성하고, 인덕터의 값이 조절 가능한 능동 인덕터; 상기 조절 가능한 능동 인덕터에서 생성된 고조파 신호들을 고주파의 주파수 대역으로 주파수 천이하여 증폭하여 출력하는 발진 수단; 및 상기 발신 수단에서 출력되는 고조파 신호들 중 어느 하나를 선택하여 출력하는 필터를 구비하는 것을 특징으로 한다.
초 광대역, 고조파, VCO, 필터, 능동 인덕터
Description
도 1은 일반적인 무선 통신 시스템의 수신기 내부의 일부 구성도.
도 2는 종래의 VCO 회로도.
도 3은 일반적인 고조파의 전력을 나타내는 도면.
도 4는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 초 광대역의 신호 생성기의 회로도.
도 5는 도 4의 필터부(41)와 등가의 필터 회로도.
도 6은 도 4의 조절 가능한 능동 인덕터 TAI의 일 실시 예를 나타내는 회로도.
도 7은 도 4의 조절 가능한 능동 인덕터 TAI의 입력 전압에 따른 고조파들의 파워를 나타내는 도면.
도 8은 도 4의 발진부(42)에서 출력되는 고조파를 설명하기 위한 도면.
도 9는 도 4의 필터부(41)에서 가변 캐패시터 Cload에 의해 해당 주파수의 고조파 신호가 선택되는 것을 나타내는 도면.
도 10은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 초 광대역의 신호 생성기의 회로도.
도 11은 도 4에 대하여 주파수에 따른 출력 전력을 나타내는 도면.
도 12는 도 4에 대하여 원천 주파수의 변화에 따른 위상 잡음을 나타내는 도 면.
본 발명은 신호 생성기에 관한 것으로, 보다 상세하게는 초 광대역(Ultra Wide Band : UWB)의 주파수 범위에 걸친 고조파(Harmonic) 신호를 이용하여 원하는 주파수의 신호를 생성하는 신호 생성기에 관한 것이다.
무선 통신 시스템에서 수신기에 수신된 RF(Radio Frequency) 신호는 도 1에 도시된 바와 같이 혼합기(Mixer)(10)에 의해 IF(Intermediate Frequency) 신호로 변환된다. 이때 혼합기(10)는 VCO(Voltage Controlled Oscillator)(12)에서 전달되는 신호와 RF 신호를 혼합하여 IF 신호로 주파수를 하향 변환한다.
이렇게 수신기에 구비되는 VCO는 주로 채널 선택(Channel Selection)에 사용되며, 대역 선택(Band Selection)에 사용되기 위해서는 보다 넓은 주파수 조절 범위가 요구된다.
그러나 도 2와 같은 종래의 VCO는 그 안에 많은 기생 캐패시터가 존재하기 때문에 버랙터(Varactor)만으로는 주파수 조절 범위를 넓게 제어할 수 없다.
한편 비선형 소자는 도 3과 같이 원천 주파수(Fundamental Frequency) f에 대하여 고조파들을 발생하는데, 이러한 고조파들은 넓은 주파수 범위에 생성되지만, 그 전력은 매우 작아서 발진기 신호로 사용하기엔 부적합하다.
이에, 본 발명은 발진기의 신호로 사용 가능한 전력을 갖는 고조파 신호를 이용하여 초 광대역 주파수 범위의 고조파 신호들을 생성하고 원하는 주파수의 고조파 신호을 출력하는 신호 생성기를 제공하고자 한다.
그리고 본 발명은 조절 가능한 능동 인덕터(Tunable Active Inductor)를 이용하여 발진기의 신호로 사용 가능한 전력을 갖는 고조파 신호들을 생성하고, 필터를 이용하여 원하는 주파수의 고조파 성분을 출력하는 신호 생성기를 제공하고자 한다.
이를 위하여, 본 발명에 따른 초 광대역의 신호 생성기는, 비선형의 동작 범위에서 서로 전력이 유사한 고조파 신호들을 생성하고, 인덕터의 값이 조절 가능한 능동 인덕터; 상기 조절 가능한 능동 인덕터에서 생성된 고조파 신호들을 고주파의 주파수 대역으로 주파수 천이하여 증폭하여 출력하는 발진 수단; 및 상기 발신 수단에서 출력되는 고조파 신호들 중 어느 하나를 선택하여 출력하는 필터를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 조절 가능한 능동 인덕터는, 소스가 전원 전압과 연결되고, 게이트가 제 1 바이어스 전압과 연결된 제 1 트랜지스터; 드레인이 상기 제 1 트랜지스터의 드레인과 연결되고, 게이트가 제 2 바이어스 전압과 연결된 제 2 트랜지스터; 드레인이 상기 제 2 트랜지스터의 소스와 연결되고, 소스가 제1 접지 전압과 연결된 제 3 트랜지스터; 드레인이 상기 제 3 트랜지스터의 게이트와 연결되고, 소스가 상기 제1 접지 전압과 연결되고, 게이트가 제 3 바이어스 전압과 연결된 제 4 트랜지스터; 소스가 상기 제 4 트랜지스터의 드레인과 연결되고, 드레인이 상기 전원 전압과 연결된 제 5 트랜지스터; 및 상기 제 1 트랜지스터의 드레인과 상기 제 5 트랜지스터의 게이트 사이에 연결되어 저항 값이 조절 가능한 제 1 저항을 포함하는 것을 특징으로 하고, 상기 제 1 저항은, 상기 제 1 트랜지스터의 드레인과 상기 제 5 트랜지스터의 게이트 사이에 연결된 제 2 저항과; 드레인이 상기 제 1 트랜지스터의 드레인과 연결되고, 소스가 상기 제 5 트랜지스터의 게이트와 연결되고, 게이트가 제 4 바이어스 전압과 연결된 제 6 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 한다.
그리고 상기 발진 수단은, 베이스가 상기 조절 가능한 능동 인덕터와 연결된 제 7 트랜지스터; 상기 조절 가능한 능동 인덕터와 상기 제 7 트랜지스터의 베이스 사이에 연결된 제 1 캐패시터; 제 5 바이어스 전압과 상기 제 7 트랜지스터의 베이스 사이에 연결된 제 3 저항; 상기 제 7 트랜지스터의 베이스와 에미터 사이에 연결된 제 2 캐패시터; 상기 제 2 캐패시터와 제2접지 전압 사이에 연결된 제 3 캐패시터; 상기 제 7 트랜지스터의 에미터와 상기 제3접지 전압 사이에 연결된 제 1 전류원; 전원 전압과 상기 제 7 트랜지스터의 콜렉터 사이에 연결된 제 1 인덕터; 및 상기 제 7 트랜지스터의 콜렉터와 출력 단자 사이에 연결된 제 4 캐패시터를 포함하는 것을 특징으로 한다.
그리고 상기 필터는, 상기 제 7 트랜지스터의 콜렉터와 제4 접지 전압 사이에 연결되는 제 1 가변 캐패시터를 구비하여, 상기 제1가변 캐패시터는 상기 제 1 인덕터와 함께 상기 필터로서 구현되는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 4는 본 발명에 따른 초 광대역의 신호 생성기의 회로도이다.
본 발명에 따른 초 광대역의 신호 발생기는, 초 광대역의 고조파 신호들을 생성하는 조절 가능한 능동 인덕터 TAI(Tunable Active Inductor)와, 비선형성 소자에 의해 고주파 신호를 생성하는 발진부(42), 및 발진부(42)에서 출력되는 초 광대역(UWB)의 고조파 신호들 중 해당 주파수의 신호를 선택하여 출력하는 필터부(41)를 포함한다.
조절 가능한 능동 인덕터 TAI는 그 인덕터의 값이 조절 가능한 능동 인덕터로서, 발진부(42)의 트랜지스터 Q1의 베이스에 캐패시터 C3을 사이에 두고 연결된다.
발진부(42)는 트랜지스터 Q1을 구비하고, 트랜지스터 Q1의 베이스에 바이어스 전압 Bias가 저항 R1을 통해 입력되며, 캐패시터 C1, C2가 접지 전압과 트랜지스터 Q1의 베이스 사이에 구비된다. 그리고 트랜지스터 Q1의 에미터와 캐패시터 C2가 연결된 단자에는 전류원 Icore가 연결된다. 그리고 출력단인 트래지스터 Q1의 콜렉터에는 전원 전압 VDD에 연결된 인덕터 Lload와 출력 단자 OUT에 연결된 C4가 연결된다. 발진부(42)는 이러한 구성에 의해 조절 가능한 능동 인덕터 TAI에서 입력되는 고조파 신호를 발진부(42)에서 생성되는 고주파 신호의 주파수 대역으로 주파수 천이하여 출력한다.
한편, 필터부(41)는 트랜지스터 Q1의 콜렉터와 접지 전압 사이에 버랙터와 같은 가변 캐패시터 Cload를 연결하여 인덕터 Lload와 함께, 트랜지스터 Q1의 콜렉터에서 출력되는 고조파 신호들 중 해당 주파수의 신호를 선택하도록 구현된다. 필터부(41)는 도시된 바와 같이 기생 캐패시터 Cparasitic을 구비하고 이는 도 5와 같이 L과 C로 이루어진 필터와 등가로 작용한다.
이하에서 도 4의 조절 가능한 능동 인덕터 TAI에 대하여 보다 상세히 설명한다.
조절 가능한 능동 인덕터 TAI는 비선형의 동작 범위에서 고조파들을 생성한다. 종래 기술에 따르면 조절 가능한 능동 인덕터 TAI에서 생성되는 고조파들의 전력이 실제로는 크기가 매우 작아서 발진부에서 사용 불가능한 문제점이 있었다. 본 발명은 발진부(42)에서 사용 가능한 전력을 갖는 고조파들을 생성하기 위하여, 조절 가능한 능동 인덕터 TAI의 입력 전압의 파워를 증가시키는 것이 특징이다. 조절 가능한 능동 인덕터 TAI의 입력 전압의 파워를 증가시키면 생성되는 고조파들의 전력 또한 증가하며, 입력 전압의 전력이 커질수록 각 고조파들의 전력의 크기도 유사해진다.
도 6은 이러한 조절 가능한 능동 인덕터 TAI의 일 실시 예를 나타내는 회로도이다.
도 6에 도시된 조절 가능한 능동 인덕터 TAI는 캐스코드 그라운디드 (Cascode-Grounded) 구조에 조절 가능한 피드백 저항을 구비한다. 보다 상세하게, 조절 가능한 능동 인덕터 TAI는 트랜지스터 M4와 트랜지스터 M6로 이루어진 자이레이터(Gyrator) 구조에, 트랜지스터 M5가 트랜지스터 M6에 캐스코드 구조로 연결되고, 트랜지스터 M5의 드레인과 트랜지스터 M4의 게이트 사이에 조절 가능한 피드백 저항 Rf´을 구비한다. 트랜지스터 MP는 PMOS형으로 전류원 역할을 하고, 트랜지스터 MN은 NMOS형으로 이것 또한 전류원 역할을 한다. 조절 가능한 피드백 저항 Rf´는 저항 Rf와 트랜지스터 MR로 구성된다.
여기서 Rf´의 값을 수학식 1과 같이 가정하면 Q 팩터와 피크 Q 주파수 fQ 값 및 자기 공진 주파수 ω는 각각 수학식 2 내지 수학식 4와 같이 구해진다.
여기서 gdsR은 트랜지스터 MR에 대한 출력 컨덕턴스이다.
여기서 gds5, gds6, gdsP은 각각 트랜지스터 M5, M6, MP에 대한 출력 컨덕턴스이고, Cgs4, Cgs5는 각각 트랜지스터 M4와 M5의 게이트와 소스 간의 캐패시턴스이다. 그리고 gmN은 전류원인 트랜지스터 MN의 상호 컨덕턴스이고, ω는 자기 공진 주파수이다.
수학식 2 내지 수학식 4에서 알 수 있듯이 본 발명에 따른 능동 인덕터는 Rf´가 증가하더라도 gdsP를 조절하면 Q 팩터와 피크 Q 주파수 fQ 값 및 자기 공진 주파수 ω를 일정하게 유지할 수 있다.
조절 가능한 피드백 저항 Rf´는 저항 Rf와 트랜지스터 MR로 구성되어 있으므로, 트랜지스터 MR의 게이트에 연결된 전압 Vtune을 조절하여 Rf´의 크기를 조절할 수 있다. 그리고 gdsP는 트랜지스터 MP의 게이트에 연결된 전압 Vbiasp를 조절하여 조절된다.
즉, 조절 가능한 능동 인덕터 TAI는 Vbiasp, Vtune, 및 Vbiasn 의 조합에 의해 인턱터의 값을 조절할 수 있다.
이러한 구성의 조절 가능한 능동 인덕터 TAI의 입력 전압에 따른 고조파들의 파워는 도 7과 같이 입력 전압이 증가할수록 증가하고 그 크기가 서로 비슷해짐을 알 수 있다. 본 발명은 이러한 현상을 이용한 것이다. 따라서 도 4에서 필터부(41)의 가변 캐패시터 Cload를 제외하여, 발진부(42)에서 생성되는 초 광대역의 고조파 신호들을 모두 살펴보면 도 8과 같다. 즉, 조절 가능한 능동 인덕터 TAI에서 생성되는, 그 크기가 서로 유사한 고조파 신호들이 발진부(42)에서 증폭되어 거의 동일한 크기의 큰 전력을 갖는 고조파 신호들로 출력되는 것을 알 수 있다. 상술한 바와 같이 본 발명은 조절 가능한 능동 인덕터 TAI를 이용하여 초 광대역의 고조파 신호들을 생성하는 것이 특징이다.
도 9는 도 4의 필터부(41)에서 가변 캐패시터 Cload에 의해 해당 주파수의 고조파 신호가 선택되는 것을 나타낸다. 도 9에 도시된 바와 같이, 도 4의 필터부(41)는 발진부(42)에서 출력되는 초 광대역의 고조파 신호들 중 필터부(41)의 공진 부하의 전달 함수(Transfer Function of Resonant Load)에 의해 해당 주파수의 고조파 신호를 선택하여 출력하는 것을 알 수 있다.
한편, 도 4의 신호 생성기는 도 10과 같이 바이어스 전압 Bias에 연결된 저항 R1이 제거되고, 캐패시터 C1, C2를 가변으로 사용하며, 전류원 Icore를 저항 R2로 대체하여 구현할 수도 있다.
도 11과 도 12는 본 발명에 따른 초 광대역의 신호 생성기를 시뮬레이션 한 결과이다. 도 11은 주파수에 따른 출력 전력을 나타내고, 도 12는 원천 주파수의 변화에 따른 위상 잡음을 나타낸다. 도 11은 원천 주파수 수준의 출력 전력을 갖는 고조파 신호들을 이용하기 위해서 원천 주파수의 조절 범위는 대략 1.7GHz~5.2GHz가 됨을 나타낸다. 도 12는 원천 주파수와 그에 따른 고조파 신호들의 주파수 범위 및 위상 잡음을 나타내는데, 도 12에 따르면 같은 위상 잡음이라면 주파수가 큰 원천 주파수를 이용하는 것보다 주파수가 낮은 고조파 신호를 이용하는 것이 더 효율적이라는 것을 알 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 조절 가능한 능동 인덕터를 이용하여 초 광대역의 고조파 신호들을 생성하고 필터로 해당 주파수의 고조파 신호를 선택하여 출력함으로써, 생성되는 신호의 주파수를 초 광대역의 범위에서 조절 가능한 신호 생성기를 제공할 수 있다.
그리고 본 발명은 무선 통신 시스템의 수신기에서 채널 선택뿐만이 아니라 대역 선택을 위한 VCO로 사용될 수 있다.
Claims (14)
- 초 광대역의 신호 생성기에 있어서,비선형의 동작 범위에서 서로간의 전력이 유사한 고조파 신호들을 생성하고, 인덕터의 값이 조절 가능한 능동 인덕터;상기 조절 가능한 능동 인덕터에서 생성된 고조파 신호들을 고주파의 주파수 대역으로 주파수 천이하여 증폭하여 출력하는 발진 수단; 및상기 발진 수단에서 출력되는 고조파 신호들 중 어느 하나를 선택하여 출력하는 필터를 포함하는 초 광대역의 신호 생성기.
- 제 1항에 있어서,상기 조절 가능한 능동 인덕터는,소스가 전원 전압과 연결되고, 게이트가 제 1 바이어스 전압과 연결된 제 1 트랜지스터;드레인이 상기 제 1 트랜지스터의 드레인과 연결되고, 게이트가 제 2 바이어스 전압과 연결된 제 2 트랜지스터;드레인이 상기 제 2 트랜지스터의 소스와 연결되고, 소스가 제1 접지 전압과 연결된 제 3 트랜지스터;드레인이 상기 제 3 트랜지스터의 게이트와 연결되고, 소스가 상기 제1 접지 전압과 연결되고, 게이트가 제 3 바이어스 전압과 연결된 제 4 트랜지스터;소스가 상기 제 4 트랜지스터의 드레인과 연결되고, 드레인이 상기 전원 전압과 연결된 제 5 트랜지스터; 및상기 제 1 트랜지스터의 드레인과 상기 제 5 트랜지스터의 게이트 사이에 연결되어 저항 값이 조절 가능한 제 1 저항을 포함함을 특징으로 하는 초 광대역의 신호 생성기.
- 제 2항에 있어서,상기 조절 가능한 제 1 저항은,상기 제 1 트랜지스터의 드레인과 상기 제 5 트랜지스터의 게이트 사이에 연결된 제 2 저항;드레인이 상기 제 1 트랜지스터의 드레인과 연결되고, 소스가 상기 제 5 트랜지스터의 게이트와 연결되고, 게이트가 제 4 바이어스 전압과 연결된 제 6 트랜지스터를 포함함을 특징으로 하는 초 광대역의 신호 생성기.
- 제 1항에 있어서,상기 발진 수단은,베이스가 상기 조절 가능한 능동 인덕터와 연결된 제 7 트랜지스터;상기 조절 가능한 능동 인덕터와 상기 제 7 트랜지스터의 베이스 사이에 연결된 제 1 캐패시터;제 5 바이어스 전압과 상기 제 7 트랜지스터의 베이스 사이에 연결된 제 3 저항;상기 제 7 트랜지스터의 베이스와 에미터 사이에 연결된 제 2 캐패시터;상기 제 2 캐패시터와 제2 접지 전압 사이에 연결된 제 3 캐패시터;상기 제 7 트랜지스터의 에미터와 제3 접지 전압 사이에 연결된 제 1 전류원;전원 전압과 상기 제 7 트랜지스터의 콜렉터 사이에 연결된 제 1 인덕터; 및상기 제 7 트랜지스터의 콜렉터와 출력 단자 사이에 연결된 제 4 캐패시터를 포함함을 특징으로 하는 초 광대역의 신호 생성기.
- 제 4항에 있어서,상기 필터는, 상기 제 7 트랜지스터의 콜렉터와 제4 접지 전압 사이에 연결되는 제 1 가변 캐패시터를 포함하며, 상기 제1가변 캐패시터는 상기 제 1 인덕터와 함께 상기 필터로서 구현됨을 특징으로 하는 초 광대역의 신호 생성기.
- 제 1항에 있어서,상기 발진 수단은,베이스가 상기 조절 가능한 능동 인덕터 및 제 6 바이어스 전압과 연결된 제 8 트랜지스터;상기 조절 가능한 능동 인덕터와 상기 제 8 트랜지스터의 베이스 사이에 연결된 제 5 캐패시터;상기 제 8 트랜지스터의 베이스와 에미터 사이에 연결된 제 2 가변 캐패시터;상기 제 2 가변 캐패시터와 제5 접지 전압 사이에 연결된 제 3 가변 캐패시터;상기 제 8 트랜지스터의 에미터와 제6 접지 전압 사이에 연결된 제 4 저항;전원 전압과 상기 제 8 트랜지스터의 콜렉터 사이에 연결된 제 2 인덕터; 및상기 제 8 트랜지스터의 콜렉터와 출력 단자 사이에 연결된 제 6 캐패시터를 포함함을 특징으로 하는 초 광대역의 신호 생성기.
- 제 6항에 있어서,상기 필터는, 상기 제 8 트랜지스터의 콜렉터와 제7접지 전압 사이에 연결되는 제 4 가변 캐패시터를 포함하며, 상기 제 4 가변 캐패시터는 상기 제 2 인덕터와 함께 상기 필터로서 구현됨을 특징으로 하는 초 광대역의 신호 생성기.
- 초 광대역의 신호 생성기에 있어서,비선형의 동작 범위에서 전력이 유사한 고조파 신호들을 생성하고, 인덕터의 값이 조절 가능한 능동 인덕터;베이스가 상기 조절 가능한 능동 인덕터와 연결된 제 9 트랜지스터;상기 조절 가능한 능동 인덕터와 상기 제 9 트랜지스터의 베이스 사이에 연결된 제 7 캐패시터;제 7 바이어스 전압과 상기 제 9 트랜지스터의 베이스 사이에 연결된 제 5 저항;상기 제 9 트랜지스터의 베이스와 에미터 사이에 연결된 제 8 캐패시터;상기 제 8 캐패시터와 제8 접지 전압 사이에 연결된 제 9 캐패시터;상기 제 9 트랜지스터의 에미터와 제9 접지 전압 사이에 연결된 제 2 전류원;전원 전압과 상기 제 9 트랜지스터의 콜렉터 사이에 연결된 제 3 인덕터;상기 제 9 트랜지스터의 콜렉터와 출력 단자 사이에 연결된 제 10 캐패시터; 및제 9 트랜지스터의 콜렉터와 제10 접지 전압 사이에 연결되는 제 5 가변 캐패시터를 포함함을 특징으로 하는 초 광대역의 신호 생성기.
- 제 8항에 있어서,상기 조절 가능한 능동 인덕터는,소스가 상기 전원 전압과 연결되고, 게이트가 제 8 바이어스 전압과 연결된 제 10 트랜지스터;드레인이 상기 제 10 트랜지스터의 드레인과 연결되고, 게이트가 제 9 바이어스 전압과 연결된 제 11 트랜지스터;드레인이 상기 제 11 트랜지스터의 소스와 연결되고, 소스가 제11 접지 전압과 연결된 제 12 트랜지스터;드레인이 상기 제 12 트랜지스터의 게이트와 연결되고, 소스가 상기 제11 접지 전압과 연결되고, 게이트가 제 10 바이어스 전압과 연결된 제 13 트랜지스터;소스가 상기 제 13 트랜지스터의 드레인과 연결되고, 드레인이 상기 전원 전압과 연결된 제 14 트랜지스터; 및상기 제 10 트랜지스터의 드레인과 상기 제 14 트랜지스터의 게이트 사이에 연결되어 저항 값이 조절 가능한 제 6 저항을 포함함을 특징으로 하는 초 광대역의 신호 생성기.
- 제 9항에 있어서,상기 제 6 저항은,상기 제 10 트랜지스터의 드레인과 상기 제 14 트랜지스터의 게이트 사이에 연결된 제 7 저항과;드레인이 상기 제 10 트랜지스터의 드레인과 연결되고, 소스가 상기 제 14 트랜지스터의 게이트와 연결되고, 게이트가 제 11 바이어스 전압과 연결된 제 15 트랜지스터를 포함함을 특징으로 하는 초 광대역의 신호 생성기.
- 초 광대역의 신호 생성기에 있어서,비선형의 동작 범위에서 전력이 유사한 고조파 신호들을 생성하고, 인덕터의 값이 조절 가능한 능동 인덕터;베이스가 상기 조절 가능한 능동 인덕터 및 제 12 바이어스 전압과 연결된 제 16 트랜지스터;상기 조절 가능한 능동 인덕터와 상기 제 16 트랜지스터의 베이스 사이에 연결된 제 11 캐패시터;상기 제 16 트랜지스터의 베이스와 에미터 사이에 연결된 제 6 가변 캐패시터;상기 제 6 가변 캐패시터와 제12 접지 전압 사이에 연결된 제 7 가변 캐패시터;상기 제 16 트랜지스터의 에미터와 제13 접지 전압 사이에 연결된 제 8 저항;전원 전압과 상기 제 16 트랜지스터의 에미터 사이에 연결된 제 4 인덕터;상기 제 16 트랜지스터의 콜렉터와 출력 단자 사이에 연결된 제 12 캐패시터; 및상기 제 16 트랜지스터의 콜렉터와 제14 접지 전압 사이에 연결되는 제 8 가변 캐패시터를 포함함을 특징으로 하는 초 광대역의 신호 생성기.
- 제 11항에 있어서,상기 조절 가능한 능동 인덕터는,소스가 상기 전원 전압과 연결되고, 게이트가 제 13 바이어스 전압과 연결된 제 17 트랜지스터;드레인이 상기 제 17 트랜지스터의 드레인과 연결되고, 게이트가 제 14 바이어스 전압과 연결된 제 18 트랜지스터;드레인이 상기 제 18 트랜지스터의 소스와 연결되고, 소스가 제15 접지 전압과 연결된 제 19 트랜지스터;드레인이 상기 제 19 트랜지스터의 게이트와 연결되고, 소스가 상기 제15 접지 전압과 연결되고, 게이트가 제 15 바이어스 전압과 연결된 제 20 트랜지스터;소스가 상기 제 20 트랜지스터의 드레인과 연결되고, 드레인이 상기 전원 전압과 연결된 제 21 트랜지스터; 및상기 제 17 트랜지스터의 드레인과 상기 제 21 트랜지스터의 게이트 사이에 연결되어 저항 값이 조절 가능한 제 9 저항을 포함함을 특징으로 하는 초 광대역의 신호 생성기.
- 제 12항에 있어서,상기 제 9 저항은,상기 제 17 트랜지스터의 드레인과 상기 제 21 트랜지스터의 게이트 사이에 연결된 제 10 저항;드레인이 상기 제 17 트랜지스터의 드레인과 연결되고, 소스가 상기 제 21 트랜지스터의 게이트와 연결되고, 게이트가 제 16 바이어스 전압과 연결된 제 22 트랜지스터를 포함함을 특징으로 하는 초 광대역의 신호 생성기.
- 제 1항에 있어서,상기 조절 가능한 능동 인덕터는 캐스코드 그라운디드(Cascode-Grounded) 구조에 조절 가능한 피드백 저항을 포함함을 특징으로 하는 초 광대역 신호 생성기.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP06002180A EP1689074B1 (en) | 2005-02-02 | 2006-02-02 | Ultra wide band signal generator |
US11/345,716 US7403075B2 (en) | 2005-02-02 | 2006-02-02 | Ultra wide band signal generator |
CN2006100033104A CN101106354B (zh) | 2005-02-02 | 2006-02-05 | 超宽频带信号发生器 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US64928505P | 2005-02-02 | 2005-02-02 | |
US60/649,285 | 2005-02-02 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060088805A KR20060088805A (ko) | 2006-08-07 |
KR101176615B1 true KR101176615B1 (ko) | 2012-08-23 |
Family
ID=37177125
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050037291A KR101176615B1 (ko) | 2005-02-02 | 2005-05-03 | 초 광대역의 신호 생성기 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7403075B2 (ko) |
KR (1) | KR101176615B1 (ko) |
CN (1) | CN101106354B (ko) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7253707B2 (en) * | 2005-02-02 | 2007-08-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Tunable active inductor |
US7696833B2 (en) * | 2007-01-29 | 2010-04-13 | Fujitsu Media Devices Limited | Oscillator |
TWI334275B (en) * | 2007-05-08 | 2010-12-01 | Univ Nat Taiwan Science Tech | Injection-locked frequency divider |
KR100956906B1 (ko) * | 2007-12-26 | 2010-05-11 | 주식회사 동부하이텍 | 능동 인덕터, 궤환 인덕터를 사용한 인덕턴스 구현 방법 |
JP6036564B2 (ja) * | 2013-06-14 | 2016-11-30 | 富士通株式会社 | 可変インダクタ回路及び高周波回路 |
CN109347442B (zh) * | 2018-12-14 | 2023-09-19 | 湖南师范大学 | 一种基于可调谐有源电感的微型压控振荡器 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5347238A (en) | 1993-07-06 | 1994-09-13 | Trw Inc. | Bipolar microwave monolithic voltage controlled oscillator using active inductors |
US5623233A (en) * | 1993-11-10 | 1997-04-22 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Pulsed optically injection locked MESFET oscillator |
JPH0865050A (ja) | 1994-08-25 | 1996-03-08 | Sony Corp | 発振器 |
US5821825A (en) | 1996-11-26 | 1998-10-13 | Trw Inc. | Optically controlled oscillator |
FR2864728B1 (fr) * | 2003-12-29 | 2007-12-07 | St Microelectronics Sa | Circuit electronique integre comportant un resonateur accordable |
US7504899B2 (en) * | 2004-03-22 | 2009-03-17 | Mobius Microsystems, Inc. | Inductor and capacitor-based clock generator and timing/frequency reference |
US7268634B2 (en) * | 2004-08-27 | 2007-09-11 | The Hong Kong University Of Science And Technology | Dual-mode voltage controlled oscillator using integrated variable inductors |
US7161439B2 (en) * | 2004-11-18 | 2007-01-09 | Intel Corporation | Oscillator delay stage with active inductor |
-
2005
- 2005-05-03 KR KR1020050037291A patent/KR101176615B1/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-02-02 US US11/345,716 patent/US7403075B2/en active Active
- 2006-02-05 CN CN2006100033104A patent/CN101106354B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101106354B (zh) | 2011-02-09 |
CN101106354A (zh) | 2008-01-16 |
KR20060088805A (ko) | 2006-08-07 |
US20060197617A1 (en) | 2006-09-07 |
US7403075B2 (en) | 2008-07-22 |
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|
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