TWI619354B - 射頻收發裝置及其射頻發射機 - Google Patents

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Abstract

一種射頻發射機，包含：功率合併器及差動放大器。功率合併器電性耦接於天線，將一差動輸出訊號轉換為單端輸出訊號傳送至天線。差動放大器包含：一對共源極輸入電晶體、一對共閘極輸出電晶體及開關模組。共源極輸入電晶體放大差動輸入訊號並輸出放大的差動訊號。共閘極輸出電晶體包含電性耦接於共源極輸入電晶體的源極、電性耦接於功率合併器的汲極以及閘極，依據放大的差動訊號產生差動輸出訊號。差動差動開關模組設置於共閘極輸出電晶體的閘極間，在射頻發射機工作時使閘極電性耦接，並在射頻接收機工作時使閘極電性隔離。

Description

射頻收發裝置及其射頻發射機
本發明是有關於一種射頻通訊技術，且特別是有關於一種射頻收發裝置及其射頻發射機。
在射頻收發裝置中，為了成本考量，常使射頻接收機和射頻發射機共用同一個天線。在這樣的架構下，通常射頻發射機會在射頻接收機工作時關閉，而射頻接收機會在射頻發射機工作時關閉。然而，在射頻頻率下操作時，射頻接收機和射頻發射機彼此會看到各自的負載阻抗，而增加電路的損耗。部分技術是採用阻抗匹配的方式增加射頻接收機和射頻發射機間的隔離性。但是射頻收發裝置的電路中的寄生電容，往往會使阻抗匹配的效果下降，而無法達到降低損耗的目的。
因此，如何設計一個新的射頻收發裝置及其射頻發射機，以解決上述的問題，乃為此一業界亟待解決的問題。
因此，本發明之一實施例是在提供一種射頻發射機，射頻發射機包含：功率合併器以及差動放大器。功率合併器用以將差動輸出訊號轉換為單端輸出訊號，並傳送單端輸出訊號至天線。差動放大器包含：一對共源極(common source)輸入電晶體、一對共閘極(common gate)輸出電晶體以及開關模組。共源極輸入電晶體用以放大差動輸入訊號並輸出放大的差動訊號。共閘極輸出電晶體包含電性耦接於共源極輸入電晶體的一對源極、電性耦接於功率合併器的一對汲極以及一對閘極，共閘極輸出電晶體用以根據放大的差動訊號產生差動輸出訊號。開關模組設置於閘極間，用以在射頻發射機工作時使閘極電性耦接，並在射頻接收機工作時使閘極電性隔離。
本發明之另一實施例是在提供一種射頻收發裝置，包含：天線、射頻接收機以及射頻發射機。射頻接收機電性耦接於天線。射頻發射機電性耦接於天線，包含：功率合併器以及差動放大器。功率合併器用以將差動輸出訊號轉換為單端輸出訊號，並傳送單端輸出訊號至天線。差動放大器包含：一對共源極輸入電晶體、一對共閘極輸出電晶體以及開關模組。共源極輸入電晶體用以放大差動輸入訊號並輸出放大的差動訊號。共閘極輸出電晶體包含電性耦接於共源極輸入電晶體的一對源極、電性耦接於功率合併器的一對汲極以及一對閘極，共閘極輸出電晶體用以根據放大的差動訊號產生差動輸出訊號。開關模組設置於閘極間，用以在射頻發射機工作時使閘極電性耦接，並在射頻接收機工作時使閘極電性隔離。
本發明之又一實施例是在提供一種射頻發射機，電性耦接於天線，射頻發射機包含：功率合併器以及差動放大器。功率合併器電性耦接於天線，並用以將一差動輸出訊號轉換為單端輸出訊號，並傳送單端輸出訊號至天線。差動放大器包含：一對共源極輸入電晶體、一對共閘極輸出電晶體以及電容。共源極輸入電晶體用以放大差動輸入訊號並輸出放大的差動訊號。共閘極輸出電晶體包含電性耦接於共源極輸入電晶體的一對源極、電性耦接於功率合併器的一對汲極以及一對閘極，共閘極輸出電晶體用以根據放大的差動訊號產生差動輸出訊號。電容電性耦接於閘極間。
應用本發明之優點在於藉由射頻收發裝置中，開關模組或是電容的設計，可以在射頻接收機工作時，分別使差動放大器的寄生電容浮接或是使寄生電容的容值下降，避免寄生電容對於功率合併器的可變電容與變壓模組的等效阻值造成影響，進而使射頻接收機正常的運作。
1‧‧‧射頻收發裝置
100‧‧‧天線
102‧‧‧射頻接收機
104‧‧‧射頻發射機
20‧‧‧功率合併器
200‧‧‧變壓模組
202‧‧‧可變電容
22‧‧‧差動放大器
220‧‧‧開關模組
300‧‧‧第一接地開關模組
302‧‧‧第二接地開關模組
400A‧‧‧第一開關單元
400B‧‧‧第二開關單元
Cg1‧‧‧第一接地電容
Cg2‧‧‧第二接地電容
Cgd1、Cgd2‧‧‧寄生電容
Cg‧‧‧接地電容
Cp‧‧‧串聯電容
GND‧‧‧接地電位
M1、M2‧‧‧共源極輸入電晶體
M3、M4‧‧‧共閘極輸出電晶體
P‧‧‧連接點
Vi+、Vi-‧‧‧差動輸入訊號
Vo+、Vo-‧‧‧差動輸出訊號
RFin、RFout‧‧‧射頻訊號
第1圖為本發明一實施例中，一種射頻收發裝置的方塊圖；第2A圖及第2B圖分別為本發明一實施例中，射頻收發裝置在不同工作狀態下的電路圖；第3A圖及第3B圖分別為本發明另一實施例中，射頻收發裝置在不同工作狀態下的電路圖； 第4A圖及第4B圖分別為本發明另一實施例中，射頻收發裝置在不同工作狀態下的電路圖；以及第5圖為本發明一實施例中，射頻收發裝置的電路圖。
請參照第1圖。第1圖為本發明一實施例中，一種射頻收發裝置1的方塊圖。射頻收發裝置1包含：天線100、射頻接收機102以及射頻發射機104。
射頻接收機102以及射頻發射機104均電性耦接於天線100，以共用天線100。射頻接收機102用以在工作時，透過天線100從其他電子裝置接收射頻訊號RFin。射頻發射機104用以在工作時，透過天線100傳送射頻訊號RFout至其他電子裝置。
於一實施例中，當射頻接收機102工作時，射頻發射機104即停止工作。而當射頻發射機104工作時，射頻接收機102即停止工作。
請參照第2A圖及第2B圖。第2A圖及第2B圖分別為本發明一實施例中，射頻收發裝置1在不同工作狀態下的電路圖。射頻發射機104包含：功率合併器20以及差動放大器22。
功率合併器20電性耦接於天線，並用以將來自差動放大器22的一差動輸出訊號Vo+及Vo-轉換為單端輸出訊號，亦即前述的射頻訊號RFout，並傳送射頻訊號RFout至天線100傳送出去。
於一實施例中，功率合併器20包含變壓模組200以及可變電容202。變壓模組200包含用以接收差動輸出訊號Vo+及Vo-的二變壓輸入端，以及電性耦接於天線100並輸出射頻訊號RFout的變壓輸出端。可變電容202電性耦接於二變壓輸入端，用以在射頻接收機102工作時調降電容值，以使可變電容202與變壓模組200的等效阻值相對射頻接收機102為高阻抗。因此，在理想的狀況下，射頻接收機102所接受的訊號將由於射頻發射機104的高阻抗而不會受到影響。
差動放大器22包含：一對共源極(common source)輸入電晶體M1、M2、一對共閘極(common gate)輸出電晶體M3、M4以及開關模組220。
於本實施例中，共源極輸入電晶體M1、M2為N型金氧半電晶體，並分別包含閘極，用以放大一差動輸入訊號Vi+及Vi-並輸出放大的差動訊號。並且，共源極輸入電晶體M1、M2的源極共同電性耦接於一個接地電位GND。
共閘極輸出電晶體M3、M4包含一對源極、一對汲極以及一對閘極。其中，源極電性耦接於共源極輸入電晶體M1、M2。汲極電性耦接於功率合併器20的二變壓輸入端。其中，汲極用以根據放大的差動訊號產生差動輸出訊號Vo+及Vo-。
於一實施例中，開關模組220為N型金氧半電晶體、P型金氧半電晶體、傳輸閘或其組合。開關模組220設置於共閘極輸出電晶體M3、M4的閘極間。如第2A圖所示，開關模組220用以在射頻發射機104工作，亦即射頻接收機102 停止工作時，使閘極電性耦接，產生交流短路。進一步地，如第2B圖所示，開關模組220在射頻接收機102工作，亦即射頻發射機104停止工作時，使閘極電性隔離，產生交流斷路，使得共閘極輸出電晶體M3、M4在實際的工作情境中，於汲極以及閘極間具有的寄生電容Cgd1，Cgd2斷接。
因此，當射頻接收機102工作時，雖然功率合併器20中的可變電容202可改變電容值，但是卻容易受到寄生電容Cgd1以及Cgd2的影響，而使可變電容202、寄生電容Cgd1以及Cgd2與變壓模組200的等效阻值小於理想的高阻抗值。
因此，藉由開關模組220的設計，可以在射頻接收機102工作時，分別使寄生電容Cgd1以及Cgd2浮接，避免寄生電容Cgd1以及Cgd2對於可變電容202與變壓模組200的等效阻值造成影響，進而使射頻接收機102正常的運作。
依據本發明之一實施例，共源極輸入電晶體M1、M2採用的是低壓電晶體，而共閘極輸出電晶體M3、M4採用的是高壓電晶體。
請參照第3A圖及第3B圖。第3A圖及第3B圖分別為本發明另一實施例中，射頻收發裝置1在不同工作狀態下的電路圖。類似於第2A圖及第2B圖的結構，射頻發射機104亦包含功率合併器20以及差動放大器22，且差動放大器22亦包含共源極輸入電晶體M1、M2、共閘極輸出電晶體M3、M4以及開關模組220。因此，以下不再對於相同的元件進行贅述。
然而，本實施例的差動放大器22更包含第一接地電容Cg1、第二接地電容Cg2、第一接地開關模組300以及第二接地開關模組302。
第一接地電容Cg1以及第二接地電容Cg2分別電性耦接於共閘極輸出電晶體M3、M4的閘極其中之一。第一接地開關模組300設置於第一接地電容Cg1與接地電位GND間，第二接地開關模組302設置於第二接地電容Cg2與接地電位GND間。
如第3A圖所示，第一接地開關模組300用以在射頻發射機104工作時使第一接地電容Cg1與接地電位GND間電性耦接，且第二接地開關模組302用以在射頻發射機104工作時使第二接地電容Cg2與接地電位GND間電性耦接。
如第3B圖所示，第一接地開關模組300用以在射頻接收機102工作時使第一接地電容Cg1與接地電位GND間電性隔離。第二接地開關模組302用以在射頻接收機102工作時使第二接地電容Cg2與接地電位GND間電性隔離。
於部分使用情境中，在射頻發射機104工作時，第一接地電容Cg1與第二接地電容Cg2是作用為旁路電容，透過第一接地開關模組300以及第二接地開關模組302使共閘極輸出電晶體M3、M4的閘極交流短路，提供閘極電性耦合至地GND。因此，為了完全使寄生電容Cgd1以及Cgd2在射頻接收機102工作時浮接，除了開關模組220外，亦需 設置第一接地開關模組300以及第二接地開關模組302以達到目的。
請參照第4A圖及第4B圖。第4A圖及第4B圖分別為本發明又一實施例中，射頻收發裝置1在不同工作狀態下的電路圖。類似於第2A圖及第2B圖的結構，射頻發射機104亦包含功率合併器20以及差動放大器22，且差動放大器22亦包含共源極輸入電晶體M1、M2、共閘極輸出電晶體M3、M4以及開關模組220。因此，以下不再對於相同的元件進行贅述。
於本實施例中，差動放大器22包含接地電容Cg。接地電容Cg電性耦接於連接點P以及接地電位GND。開關模組220更包含第一開關單元400A以及第二開關單元400B，分別設置於共閘極輸出電晶體M3、M4的閘極其中之一和連接點P間。
如第4A圖所示，第一開關單元400A用以在射頻發射機104工作時使共閘極輸出電晶體M3的閘極與連接點P電性耦接。第二開關單元400B用以在射頻發射機104工作時使共閘極輸出電晶體M4的閘極與連接點P電性耦接。
如第4B圖所示，第一開關單元400A用以在射頻接收機102工作時使共閘極輸出電晶體M3的閘極與連接點P電性隔離。第二開關單元400B用以在射頻接收機102工作時使共閘極輸出電晶體M4的閘極與連接點P電性隔離。
於部分使用情境中，在射頻發射機104工作時，接地電容Cg是作用為旁路電容，以透過第一開關單元400A以及第二開關單元400B使共閘極輸出電晶體M3、M4 的閘極交流短路，提供閘極電性耦合至地GND。因此，為了使寄生電容Cgd1以及Cgd2在射頻接收機102工作時浮接，可設置第一開關單元400A以及第二開關單元400B以達到目的。
請參照第5圖。第5圖為本發明另一實施例中，射頻收發裝置1的電路圖。類似於第2A圖及第2B圖的結構，射頻發射機104亦包含功率合併器20以及差動放大器22，且差動放大器22亦包含共源極輸入電晶體M1、M2以及共閘極輸出電晶體M3、M4。因此，以下不再對於相同的元件進行贅述。
然而，與第2A圖及第2B圖相較下，本實施例的差動放大器22並未包含開關模組220，而包含電容Cp。
電容Cp電性耦接於共閘極輸出電晶體M3、M4的閘極間，用以與寄生電容Cgd1以及Cgd2串聯，以使寄生電容Cgd1以及Cgd2以及電容Cp的總電容值，小於寄生電容Cgd1以及Cgd2的寄生電容值。
因此，藉由電容Cp的設置，將可降低寄生電容Cgd1以及Cgd2對於可變電容202的影響，進而避免可變電容202與變壓模組200的等效阻值由於寄生電容Cgd1以及Cgd2的存在降低。
雖然本案內容已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本案內容，任何熟習此技藝者，在不脫離本案內容之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本案內容之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims (10)

  1. 一種射頻發射機，電性耦接於一天線，該射頻發射機包含：一功率合併器，用以將一差動輸出訊號轉換為一單端輸出訊號，並傳送該單端輸出訊號至該天線；以及一差動放大器，包含：一對共源極(common source)輸入電晶體，用以放大一差動輸入訊號並輸出一放大的差動訊號；以及一對共閘極(common gate)輸出電晶體，包含電性耦接於該對共源極輸入電晶體的一對源極、電性耦接於該功率合併器的一對汲極以及一對閘極，該對共閘極輸出電晶體用以根據該放大的差動訊號產生該差動輸出訊號；以及一開關模組，設置於該對閘極間，用以在該射頻發射機工作時使該對閘極電性耦接，並在該射頻接收機工作時使該對閘極電性隔離。
  2. 如請求項1所述之射頻發射機，其中該差動放大器更包含：一第一接地電容以及一第二接地電容，分別電性耦接於該對共閘極輸出電晶體的該對閘極其中之一；以及一第一接地開關模組以及一第二接地開關模組，分別設置於該第一接地電容與一接地電位間以及該第二接地電容與該接地電位間，用以在該射頻發射機工作時使該第一 接地電容以及該第二接地電容分別與該接地電位間電性耦接，並在該射頻接收機工作時使該第一接地電容以及該第二接地電容分別與該接地電位間電性隔離。
  3. 如請求項1所述之射頻發射機，其中該差動放大器更包含一接地電容，電性耦接於一連接點以及一接地電位，且該開關模組更包含一第一開關單元以及一第二開關單元，分別設置於該對閘極其中之一和該連接點間，用以在該射頻發射機工作時使該對閘極與該連接點電性耦接，並在該射頻接收機工作時使該對閘極與該連接點電性隔離。
  4. 如請求項1所述之射頻發射機，其中該開關模組包含一N型金氧半電晶體、一P型金氧半電晶體、一傳輸閘或其組合。
  5. 如請求項1所述之射頻發射機，其中該開關模組用以在該射頻接收機工作時，使該對共閘極輸出電晶體在該對汲極與該對閘極間的一對寄生電容浮接。
  6. 如請求項1所述之射頻發射機，其中該功率合併器包含： 一變壓模組，包含電性耦接於該對共閘極輸出電晶體之該對汲極的二變壓輸入端以及電性耦接於該天線之一變壓輸出端；以及一可變電容，電性耦接於該二變壓輸入端，用以在該射頻接收機工作時調降一電容值，以使該可變電容與該變壓模組之一等效阻值相對該射頻接收機為高阻抗。
  7. 如請求項1所述之射頻發射機，其中該對共源極輸入電晶體為一低壓元件，該對共閘極輸出電晶體為一高壓元件。
  8. 一種射頻收發裝置，包含：一天線；一射頻接收機，電性耦接於該天線；以及一射頻發射機，電性耦接於該天線，包含：一功率合併器，電性耦接於該天線，用以將一差動輸出訊號轉換為一單端輸出訊號，並傳送該單端輸出訊號至該天線；以及一差動放大器，包含：一對共源極輸入電晶體，用以放大一差動輸入訊號並輸出一放大的差動訊號；以及一對共閘極輸出電晶體，包含電性耦接於該對共源極輸入電晶體的一對源極、電性耦接於該功率合併器的一對汲極以及一對閘極，該對共閘極輸出 電晶體用以根據該放大的差動訊號產生該差動輸出訊號差動差動；以及一開關模組，設置於該對閘極間，用以在該射頻發射機工作時使該對閘極電性耦接，並在該射頻接收機工作時使該對閘極電性隔離。
  9. 如請求項8所述之射頻收發裝置，其中該差動放大器更包含：一第一接地電容以及一第二接地電容，分別電性耦接於該對共閘極輸出電晶體的該對閘極其中之一；以及一第一接地開關模組以及一第二接地開關模組，分別設置於該第一接地電容與一接地電位間以及該第二接地電容與該接地電位間，用以在該射頻發射機工作時使該第一接地電容以及該第二接地電容分別與該接地電位間電性耦接，並在該射頻接收機工作時使該第一接地電容以及該第二接地電容分別與該接地電位間電性隔離。
  10. 一種射頻發射機，電性耦接於一天線，該射頻發射機包含：一功率合併器，電性耦接於該天線，並用以將一差動輸出訊號轉換為一單端輸出訊號，以傳送該單端輸出訊號至該天線；以及一差動放大器，包含： 一對共源極輸入電晶體，用以放大一差動輸入訊號並輸出一放大的差動訊號；以及一對共閘極輸出電晶體，包含電性耦接於該對共源極輸入電晶體的一對源極、電性耦接於該功率合併器的一對汲極以及一對閘極，該對共閘極輸出電晶體用以根據該放大的差動訊號產生該差動輸出訊號；以及一電容，電性耦接於該對閘極間。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11121676B1 (en) * 2019-10-08 2021-09-14 Dialog Semiconductor B.V. Methods and circuits for harmonic suppression
TWI779974B (zh) * 2021-12-22 2022-10-01 瑞昱半導體股份有限公司 射頻收發裝置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090289721A1 (en) * 2008-05-09 2009-11-26 Texas Instruments Incorporated Circuits, processes, devices and systems for full integration of rf front end module including rf power amplifier
TW201036347A (en) * 2009-03-23 2010-10-01 Ralink Technology Corp Radio frequency transceiver and related wireless communication device
US20100329234A1 (en) * 2008-02-29 2010-12-30 Sensordynamics Ag Front end for rf transmitting-receiving systems with implicit directional control and time-multiplexing method in submicron technology
CN102118179A (zh) * 2011-04-22 2011-07-06 上海迦美信芯通讯技术有限公司 一种射频收发系统电路
US20130057346A1 (en) * 2011-09-02 2013-03-07 Renesas Mobile Corporation Apparatus and method for low noise amplification
CN106233621A (zh) * 2014-04-22 2016-12-14 高通股份有限公司 具有选择性地耦合的栅极端子的差分共源共栅放大器

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8472894B2 (en) 2010-01-14 2013-06-25 Realtek Semiconductor Corp. Signal transmitting/receiving circuit including an impedance matching circuit
US8892159B2 (en) * 2011-05-12 2014-11-18 St-Ericsson Sa Multi-standard transceiver architecture with common balun and mixer
US8818302B2 (en) * 2012-05-03 2014-08-26 Rf Micro Devices, Inc. Harmonic trap circuit for linear differential power amplifiers
US9413303B2 (en) * 2012-09-23 2016-08-09 Dsp Group, Ltd. Efficient linear integrated power amplifier incorporating low and high power operating modes
US9130636B2 (en) * 2013-03-13 2015-09-08 Texas Instruments Incorporated Low power, low out-of-band harmonic content radio
US9723560B2 (en) * 2014-05-22 2017-08-01 Qualcomm Incorporated Multi-stage amplifier with RC network
US9520906B2 (en) * 2014-06-25 2016-12-13 Qualcomm Incorporated Switched capacitor transmitter circuits and methods
CN105634532B (zh) * 2014-10-31 2018-08-24 展讯通信（上海）有限公司 信号收发装置
US9685907B2 (en) * 2015-06-30 2017-06-20 Texas Instruments Incorporated Variable gain power amplifiers
US9882588B2 (en) * 2015-07-06 2018-01-30 Mediatek Inc. Matching network for load line change
US9705536B2 (en) * 2015-07-08 2017-07-11 Marvell World Trade Ltd. Tunable balun
US9887673B2 (en) * 2016-03-11 2018-02-06 Intel Corporation Ultra compact multi-band transmitter with robust AM-PM distortion self-suppression techniques
KR101746107B1 (ko) * 2016-04-12 2017-06-14 (주)에프씨아이 적응형 전력증폭기 및 이를 포함하는 rf 송신기
US9935663B1 (en) * 2017-07-20 2018-04-03 Movandi Corporation Low-loss isolating outphasing power combiner in a radio frequency device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100329234A1 (en) * 2008-02-29 2010-12-30 Sensordynamics Ag Front end for rf transmitting-receiving systems with implicit directional control and time-multiplexing method in submicron technology
US20090289721A1 (en) * 2008-05-09 2009-11-26 Texas Instruments Incorporated Circuits, processes, devices and systems for full integration of rf front end module including rf power amplifier
TW201036347A (en) * 2009-03-23 2010-10-01 Ralink Technology Corp Radio frequency transceiver and related wireless communication device
CN102118179A (zh) * 2011-04-22 2011-07-06 上海迦美信芯通讯技术有限公司 一种射频收发系统电路
US20130057346A1 (en) * 2011-09-02 2013-03-07 Renesas Mobile Corporation Apparatus and method for low noise amplification
CN106233621A (zh) * 2014-04-22 2016-12-14 高通股份有限公司 具有选择性地耦合的栅极端子的差分共源共栅放大器

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