JP6773162B2 - Light emitting device - Google Patents
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Description
本開示は、発光装置に関する。 The present disclosure relates to a light emitting device.
従来から、液晶テレビ用バックライトや照明器具などの光源として、発光素子を備える
発光装置が広く用いられている。このような発光装置として、ＬＥＤ素子の電極がマザー
基板に対する接続電極となる発光装置が提案されている（例えば、特許文献１）。
Conventionally, a light emitting device provided with a light emitting element has been widely used as a light source for a backlight for a liquid crystal television or a lighting fixture. As such a light emitting device, a light emitting device in which the electrode of the LED element serves as a connection electrode to the mother substrate has been proposed (for example, Patent Document 1).
しかし、このような発光装置では実装用電極が比較的小さいために、発光装置の実装が
困難になるおそれがある。
そこで、本発明の実施形態は、実装が容易な発光装置を製造する方法を提供することを
目的とする。
However, in such a light emitting device, since the mounting electrode is relatively small, it may be difficult to mount the light emitting device.
Therefore, an embodiment of the present invention aims to provide a method for manufacturing a light emitting device that is easy to mount.
本発明の実施形態に係る発光装置は、主発光面と、前記主発光面の反対側の電極形成面と、を有する半導体層と、前記電極形成面に一対の電極を備える発光素子と、前記発光素子の側面を被覆し、外面に凹部を備える被覆部材と、前記電極に接続されるとともに、前記凹部内に配置される金属層と、を備える発光装置である。 The light emitting device according to the embodiment of the present invention includes a semiconductor layer having a main light emitting surface, an electrode forming surface on the opposite side of the main light emitting surface, and a light emitting element having a pair of electrodes on the electrode forming surface. It is a light emitting device including a coating member that covers the side surface of the light emitting element and has a recess on the outer surface, and a metal layer that is connected to the electrode and is arranged in the recess.
本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法によれば、実装が容易な発光装置を製造す
ることができる。
According to the method for manufacturing a light emitting device according to the embodiment of the present invention, it is possible to manufacture a light emitting device that is easy to mount.
以下、本発明の実施形態について適宜図面を参照して説明する。ただし、以下に説明す
る発光装置及びその製造方法は、実施形態の技術的思想を具現化するためのものであって
、以下に限定するものではない。特に、構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等
は、本発明の技術的範囲を限定するものではなく、単なる説明例であり、説明を明確にす
るために誇張していることがある。以下に記載される実施形態は、各構成等を適宜組み合
わせて適用できる。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings as appropriate. However, the light emitting device and the manufacturing method thereof described below are for embodying the technical idea of the embodiment, and are not limited to the following. In particular, the dimensions, materials, shapes, relative arrangements, etc. of the components do not limit the technical scope of the present invention, but are merely explanatory examples and may be exaggerated to clarify the explanation. is there. The embodiments described below can be applied by appropriately combining each configuration and the like.
本実施形態の発光装置の製造方法は、同一面側に一対の電極を備え、それぞれ分離され
た複数の発光素子と、一対の電極の表面の一部が露出されるように複数の発光素子の側面
を被覆し、複数の発光素子の間において凹部を有する被覆部材と、を備える中間体を準備
する工程と、発光素子の一対の電極の表面と被覆部材の凹部の内面とを連続して覆う金属
層を形成する工程と、凹部の内面において被覆部材と金属層を切断する工程と、を含む発
光装置の製造方法である。
この製造方法は、例えば、下記のとおりである。
The method for manufacturing a light emitting device of the present embodiment includes a pair of electrodes on the same surface side, a plurality of separated light emitting elements, and a plurality of light emitting elements so that a part of the surface of the pair of electrodes is exposed. The step of preparing an intermediate body that covers the side surface and has a covering member having a recess between a plurality of light emitting elements, and continuously covers the surface of a pair of electrodes of the light emitting element and the inner surface of the recess of the covering member. It is a method of manufacturing a light emitting device including a step of forming a metal layer and a step of cutting a covering member and a metal layer on an inner surface of a recess.
This manufacturing method is, for example, as follows.
１．中間体を準備する工程
まず、同一面側に一対の電極を備え、それぞれ分離された複数の発光素子と、一対の電
極の表面の一部が露出されるように複数の発光素子の側面を被覆し、複数の発光素子の間
において凹部を有する被覆部材と、を備える中間体を準備する工程を行う。
この工程は例えば下記の工程により行うことができる。
1. 1. Step of preparing an intermediate First, a pair of electrodes are provided on the same surface side, and a plurality of separated light emitting elements and side surfaces of the plurality of light emitting elements are covered so that a part of the surface of the pair of electrodes is exposed. Then, a step of preparing an intermediate including a covering member having a recess between the plurality of light emitting elements is performed.
This step can be performed, for example, by the following steps.
１−１．発光素子の支持体上への配置
図１Ａ及び図１Ｂに示されるように、主発光面Ｑと、主発光面Ｑと反対側の面である電
極形成面に一対の電極２ａ、２ｂを有する複数の発光素子２を、電極２ａ、２ｂを上向き
にして隣接するように支持体１上に配置する。
発光素子２は、少なくとも発光層を含む半導体層を含み、主発光面Ｑと、主発光面Ｑと
反対側の面である電極形成面に正負一対の電極２ａ、２ｂを有する。このように、ウエハ
状態から個々に分離した発光素子２を用いる、例えば特性の選別を行った後に、所望の特
性を有するものだけを発光装置の製造に用いることで、歩留まりよく発光装置を形成する
ことができる。
1-1. Arrangement of light emitting elements on a support As shown in FIGS. 1A and 1B, a plurality of electrodes 2a and 2b having a pair of electrodes 2a and 2b on a main light emitting surface Q and an electrode forming surface which is a surface opposite to the main light emitting surface Q. The light emitting element 2 of the above is arranged on the support 1 so as to be adjacent to each other with the electrodes 2a and 2b facing upward.
The light emitting element 2 includes at least a semiconductor layer including a light emitting layer, and has a pair of positive and negative electrodes 2a and 2b on a main light emitting surface Q and an electrode forming surface which is a surface opposite to the main light emitting surface Q. In this way, by using the light emitting elements 2 individually separated from the wafer state, for example, after selecting the characteristics, only those having the desired characteristics are used for manufacturing the light emitting device, thereby forming the light emitting device with a high yield. be able to.
発光素子２の平面形状は、円形、楕円形、三角形、四角形及び六角形等の多角形等のい
ずれであってもよい。また、発光素子２の大きさ及び厚みは、適宜選択することができる
。この実施形態では、例えば、平面形状が矩形の発光素子２を用いることができる。
The planar shape of the light emitting element 2 may be any of a polygon such as a circle, an ellipse, a triangle, a quadrangle, and a hexagon. Further, the size and thickness of the light emitting element 2 can be appropriately selected. In this embodiment, for example, a light emitting element 2 having a rectangular planar shape can be used.
発光素子２を配置する支持体１を準備する。支持体１は、後述する金属層及び被覆部材
を切断する前に除去してもよいし、金属層及び被覆部材とともに切断することで、発光装
置の一部として用いてもよい。
A support 1 on which the light emitting element 2 is arranged is prepared. The support 1 may be removed before cutting the metal layer and the covering member described later, or may be used as a part of the light emitting device by cutting together with the metal layer and the covering member.
この実施形態では、このような発光素子２の電極２ａ、２ｂが上向きに、つまり、主発
光面Ｑが支持体１と接し、発光素子２の電極２ａ、２ｂの上面が支持体１と反対側に配置
されるように、複数の発光素子２を隣接させて支持体１上に配置する。これにより、後の
工程において電極上に金属層を形成しやすく、さらに、主発光面Ｑを露出させるように被
覆部材を形成しやすい。
In this embodiment, the electrodes 2a and 2b of the light emitting element 2 face upward, that is, the main light emitting surface Q is in contact with the support 1, and the upper surface of the electrodes 2a and 2b of the light emitting element 2 is on the opposite side to the support 1. A plurality of light emitting elements 2 are arranged adjacent to each other on the support 1 so as to be arranged in the above. As a result, it is easy to form a metal layer on the electrode in a later step, and further, it is easy to form a covering member so as to expose the main light emitting surface Q.
さらに、複数の発光素子２は、それぞれの発光素子２の異極どうしが隣接するように配
置することが好ましい。具体的には、図１Ａに示されるように、一方の発光素子２の正電
極２ａと他方の発光素子２１の負電極２ｂとが隣接し、且つ、一方の発光素子２の負電極
２ｂと他方の発光素子２の正電極２ａとが隣接するように、複数の発光素子２を配置する
ことが好ましい。
Further, it is preferable that the plurality of light emitting elements 2 are arranged so that the different poles of the respective light emitting elements 2 are adjacent to each other. Specifically, as shown in FIG. 1A, the positive electrode 2a of one light emitting element 2 and the negative electrode 2b of the other light emitting element 21 are adjacent to each other, and the negative electrode 2b of one light emitting element 2 and the other. It is preferable to arrange a plurality of light emitting elements 2 so as to be adjacent to the positive electrode 2a of the light emitting element 2.
複数の発光素子２の配置間隔は、任意に設定することができる。この間隔は、後述する
被覆部材３及び凹部３ａの厚みに影響を与える。よって、所望の被覆部材３の厚みとでき
るように、間隔の広狭を調整することが好ましい。例えば、発光素子２の配置精度、後の
個片化工程における切断位置精度、被覆部材３の構成、凹部３ａの形状にもよるが、０．
１μｍ〜３００μｍ程度の間隔を空けて配置することができる。これにより、後の工程に
おいて金属層４を形成しやすく、且つ、主発光面Ｑ以外から漏れる光を十分に遮光可能な
被覆部材３を形成することができる。さらに、製造される発光装置の数を増加させること
ができ、効率よく発光装置を製造することができる。
The arrangement interval of the plurality of light emitting elements 2 can be arbitrarily set. This interval affects the thickness of the covering member 3 and the recess 3a, which will be described later. Therefore, it is preferable to adjust the width of the interval so that the desired thickness of the covering member 3 can be obtained. For example, although it depends on the arrangement accuracy of the light emitting element 2, the cutting position accuracy in the subsequent individualization step, the configuration of the covering member 3, and the shape of the recess 3a, 0.
It can be arranged at intervals of about 1 μm to 300 μm. As a result, it is possible to form the covering member 3 which can easily form the metal layer 4 in a later step and can sufficiently block the light leaking from other than the main light emitting surface Q. Further, the number of light emitting devices to be manufactured can be increased, and the light emitting devices can be manufactured efficiently.
支持体１上に発光素子２を配置する際、例えば、予め支持体１及び発光素子２に接着剤
を配置する、または、接着膜を有する支持体１を用い該接着剤により発光素子２を支持体
１上に固定することができる。接着剤としては、樹脂等の当該分野で公知のものを用いる
ことができ、特に、支持体１を発光装置１０の一部として用いる場合は、透光性を有する
樹脂を用いることが好ましい。なお、粘着性を有する支持体１を用いる場合は、支持体１
の粘着性によって、発光素子２を支持体１上に固定してもよい。これにより、少ない工程
数で効率よく発光素子２を配置することができる。支持体１は、樹脂に接着剤が配置され
たフィルム、セラミック等の平板を用いることができる。
When arranging the light emitting element 2 on the support 1, for example, an adhesive is arranged on the support 1 and the light emitting element 2 in advance, or the light emitting element 2 is supported by the adhesive using the support 1 having an adhesive film. It can be fixed on the body 1. As the adhesive, a resin or the like known in the art can be used, and in particular, when the support 1 is used as a part of the light emitting device 10, it is preferable to use a translucent resin. When using the support 1 having adhesiveness, the support 1
The light emitting element 2 may be fixed on the support 1 due to the adhesiveness of the light emitting element 2. As a result, the light emitting element 2 can be efficiently arranged with a small number of steps. As the support 1, a flat plate such as a film or ceramic in which an adhesive is arranged on a resin can be used.
１−２．被覆部材３の形成
次に、一対の電極２ａ、２ｂの上面が露出されるように複数の発光素子２の側面を被覆
し、複数の発光素子２の間において凹部３ａを有する被覆部材３を形成する。
1-2. Formation of Covering Member 3 Next, the side surfaces of the plurality of light emitting elements 2 are covered so that the upper surfaces of the pair of electrodes 2a and 2b are exposed, and a covering member 3 having a recess 3a is formed between the plurality of light emitting elements 2. To do.
１−２−１．被覆部材３の成形
この実施形態では、次に、少なくとも複数の発光素子２の側面を被覆する被覆部材３を
形成する。具体的には、支持体１上に配置された複数の発光素子２の支持体１と対向して
いる部分以外の面を連続して被覆する被覆部材３を支持体１上に成形する。これにより、
発光素子２を保護する被覆部材３を容易に形成することができ、さらに、被覆部材３が光
反射性または遮光性である場合には主発光面Ｑ以外からの光漏れを防止することができる
。
1-2-1. Molding of Covering Member 3 In this embodiment, next, a covering member 3 that covers the side surfaces of at least a plurality of light emitting elements 2 is formed. Specifically, a covering member 3 that continuously covers a surface other than a portion of the plurality of light emitting elements 2 arranged on the support 1 that faces the support 1 is formed on the support 1. This will
The covering member 3 that protects the light emitting element 2 can be easily formed, and further, when the covering member 3 is light-reflecting or light-shielding, light leakage from other than the main light emitting surface Q can be prevented. ..
ここで、図４Ａ及び４Ｂに示すように、被覆部材３の上面から電極２ａ、２ｂが露出す
るように被覆部材３を形成する。被覆部材３は、はじめから電極２ａ、２ｂが露出される
形状で形成されてもよく、一方、例えば、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、被覆部材３を
電極２ａ、２ｂの上面まで被覆する高さで形成しておき、図３に示すように、切削や研磨
等によって被覆部材３の上部の除去部３Ｓを除去することで、電極２ａ、２ｂを露出させ
ることができる。または、被覆部材３及び電極２ａ、２ｂの上部を除去することで、電極
２ａ、２ｂを露出させてもよい。電極２ａ、２ｂの露出工程の詳細については後述する。
Here, as shown in FIGS. 4A and 4B, the covering member 3 is formed so that the electrodes 2a and 2b are exposed from the upper surface of the covering member 3. The covering member 3 may be formed in a shape in which the electrodes 2a and 2b are exposed from the beginning, while the covering member 3 is covered to the upper surfaces of the electrodes 2a and 2b, for example, as shown in FIGS. 2A and 2B. The electrodes 2a and 2b can be exposed by forming the electrodes at a height and removing the removing portion 3S at the upper portion of the covering member 3 by cutting, polishing, or the like, as shown in FIG. Alternatively, the electrodes 2a and 2b may be exposed by removing the upper parts of the covering member 3 and the electrodes 2a and 2b. Details of the exposure process of the electrodes 2a and 2b will be described later.
被覆部材３の材料としては、樹脂等の母材に光反射性又は光吸収性物質を含有させたも
のを用いることができる。被覆部材は、トランスファーモールド、コンプレッションモー
ルド、スクリーン印刷、ポッティング、スプレー等で成形することで形成できる。特に、
複数の発光素子２の間の比較的狭い空間まで確実に被覆部材３を形成するために、圧縮成
形、コンプレッションモールド、トランスファーモールド等の金型を用いた成形方法が好
ましい。
なお、被覆部材３は、前述のように一度に形成（形成した被覆部材３の一部を除去する
形態も一度に形成すると表す）してもよいし、複数回に分けて形成してもよい。
As the material of the covering member 3, a base material such as a resin containing a light-reflecting or light-absorbing substance can be used. The covering member can be formed by molding by transfer mold, compression mold, screen printing, potting, spraying or the like. In particular,
In order to surely form the covering member 3 even in a relatively narrow space between the plurality of light emitting elements 2, a molding method using a mold such as compression molding, compression molding, or transfer molding is preferable.
The covering member 3 may be formed at one time as described above (a form in which a part of the formed covering member 3 is removed is also expressed as being formed at one time), or may be formed in a plurality of times. ..
１−２−２．電極の露出
実装形態１では、被覆部材３で電極２ａ、２ｂの上面まで被覆した後、次に図３に示さ
れるように被覆部材３を除去し、被覆部材３により被覆された発光素子２の電極２ａ、２
ｂの上面を被覆部材３の表面（上面）から露出させる。これにより、後の工程において形
成される金属層４と電極２ａ、２ｂを接触させ発光素子２へ電気を供給する電極を形成す
ることができる。
1-2-2. Exposure of Electrodes In the mounting mode 1, the covering member 3 covers the upper surfaces of the electrodes 2a and 2b, and then the covering member 3 is removed as shown in FIG. 3, and the light emitting element 2 covered with the covering member 3 Electrodes 2a, 2
The upper surface of b is exposed from the surface (upper surface) of the covering member 3. As a result, it is possible to form an electrode that supplies electricity to the light emitting element 2 by bringing the metal layer 4 formed in a later step into contact with the electrodes 2a and 2b.
電極２ａ、２ｂの露出は、研削、切断、エッチングなどの方法を用いることができる。
後の工程において設けられる金属層４と被覆部材３間及び金属層４と電極２ａ、２ｂ間の
密着性の低下を低減するため、この工程においては被覆部材３と電極２ａ、２ｂとの上面
が略同一平面となるように平坦とすることが好ましい。このような観点および量産性を向
上させる観点から、研削が好ましい。
なお、この電極２ａ、２ｂの露出は、被覆部材３の成形と同時に行ってもよく、被覆部
材３の成形の後に行われてもよい。
For the exposure of the electrodes 2a and 2b, a method such as grinding, cutting, or etching can be used.
In this step, the upper surfaces of the covering member 3 and the electrodes 2a and 2b are formed in order to reduce the decrease in the adhesion between the metal layer 4 and the covering member 3 and between the metal layer 4 and the electrodes 2a and 2b provided in the later step. It is preferable that the flat surface is substantially the same. Grinding is preferable from such a viewpoint and from the viewpoint of improving mass productivity.
The electrodes 2a and 2b may be exposed at the same time as the molding of the covering member 3, or may be performed after the molding of the covering member 3.
１−２−３．凹部の形成
次に、本実施形態では、被覆部材３の一部を除去することで、凹部３ａを形成する。具
体的には、図４Ａ及び４Ｂに示すように、複数の発光素子２間の被覆部材３に、発光素子
２の主発光面Ｑに対して略垂直に交差する方向に切断する。これにより、後の工程におい
て形成される金属層４を発光装置１０の側面まで形成することができる。
1-2-3. Formation of Recesses Next, in the present embodiment, the recesses 3a are formed by removing a part of the covering member 3. Specifically, as shown in FIGS. 4A and 4B, the covering member 3 between the plurality of light emitting elements 2 is cut in a direction substantially perpendicular to the main light emitting surface Q of the light emitting element 2. As a result, the metal layer 4 formed in the later step can be formed up to the side surface of the light emitting device 10.
凹部３ａの形成のための被覆部材３の除去は、当該分野で公知の切断方法、例えば、ブ
レードを用いたブレードダイシングや、レーザダイシング、カッタースクライブ、ドリル
、マスクを用いてのブラスト等を利用することができる。
The removal of the covering member 3 for forming the recess 3a uses a cutting method known in the art, for example, blade dicing using a blade, laser dicing, cutter scribe, drill, blasting using a mask, or the like. be able to.
支持体１上に配置する複数の発光素子２の形状をそれぞれ同じとすると、被覆部材３の
凹部３ａを形成しやすくなる。さらに、本実施形態では、２つの矩形の発光素子２の側面
が対向するように配置されているので、発光素子２の４辺に沿ってその近傍の被覆部材３
を切断して凹部３ａを形成しやすい。さらに後の工程において効率的に被覆部材３と金属
層４の切断及び個々の発光装置の個片化を行うことができる。
If the shapes of the plurality of light emitting elements 2 arranged on the support 1 are the same, it becomes easy to form the recess 3a of the covering member 3. Further, in the present embodiment, since the side surfaces of the two rectangular light emitting elements 2 are arranged so as to face each other, the covering member 3 in the vicinity thereof along the four sides of the light emitting element 2
Is easy to cut to form the recess 3a. Further, in a later step, the covering member 3 and the metal layer 4 can be efficiently cut and the individual light emitting devices can be separated into individual pieces.
なお、凹部３ａの形成は、本実施形態のように成形された被覆部材３の一部を除去する
ことで設ける他、被覆部材３の成形の際に同時に行われてもよい。例えば、被覆部材３を
成形する金型で、発光素子２を被覆するとともに凹部３ａを有する形状に被覆部材３を形
成してもよい。なお、凹部３ａの形成は、上述の電極２ａ、２ｂの露出工程の前に行われ
てもよく、後で行われてもよい。発光素子２の電極２ａ、２ｂの露出工程の後で行う場合
、発光素子２の電極２ａ、２ｂの位置をカメラで確認しながら凹部３ａを形成することが
できるため、発光装置１０の量産性や凹部３ａの形成の精度を高めることができ好ましい
。
The concave portion 3a may be formed by removing a part of the covering member 3 formed as in the present embodiment, or may be formed at the same time as the forming of the covering member 3. For example, the covering member 3 may be formed in a shape having a recess 3a while covering the light emitting element 2 with a mold for molding the covering member 3. The formation of the recess 3a may be performed before the above-mentioned exposure step of the electrodes 2a and 2b, or may be performed after the process. When the process is performed after the exposure process of the electrodes 2a and 2b of the light emitting element 2, the recess 3a can be formed while checking the positions of the electrodes 2a and 2b of the light emitting element 2 with a camera. It is preferable because the accuracy of forming the recess 3a can be improved.
凹部は、複数の発光素子２の間であって、複数の発光素子の電極２ａ、２ｂと隣接した
位置に設けることが好ましい。これにより、凹部３ａ内に設けられる金属層４と複数の発
光素子２の電極２ａ、２ｂと接続しやすくできる。
It is preferable that the recess is provided between the plurality of light emitting elements 2 at a position adjacent to the electrodes 2a and 2b of the plurality of light emitting elements. As a result, the metal layer 4 provided in the recess 3a can be easily connected to the electrodes 2a and 2b of the plurality of light emitting elements 2.
凹部３ａの内面の形状は、製造される発光装置１０の側面の金属層４またはキャスタレ
ーションの形を略決定する。そのため、大きさや、製造する発光装置１０の特性に求めら
れるものとすればよい。
例えば、凹部３ａの深さ（図４Ｂにおける縦方向の幅）は、例えば、発光装置１０の高
さの１％〜９９％程度とすることができる。この凹部３ａの深さを深くすると、発光装置
１０の側面に設けられる金属層４の面積を増やすことができるため、発光装置１０を実装
基板に実装した際に実装強度を高めることができる。しかし、凹部３ａの深さを深くしす
ぎると、金属層４の端部と発光装置１０の発光面が近づくため、実装に用いられる半田等
の接着部材が発光装置の発光に影響するおそれがある。そのため、例えば、凹部３ａの深
さは発光装置１０の高さの２０〜５０％程度とすることが好ましい。
The shape of the inner surface of the recess 3a substantially determines the shape of the metal layer 4 or the caster on the side surface of the manufactured light emitting device 10. Therefore, it may be required for the size and the characteristics of the light emitting device 10 to be manufactured.
For example, the depth of the recess 3a (the width in the vertical direction in FIG. 4B) can be, for example, about 1% to 99% of the height of the light emitting device 10. By increasing the depth of the recess 3a, the area of the metal layer 4 provided on the side surface of the light emitting device 10 can be increased, so that the mounting strength can be increased when the light emitting device 10 is mounted on the mounting substrate. However, if the depth of the recess 3a is made too deep, the end portion of the metal layer 4 and the light emitting surface of the light emitting device 10 come close to each other, so that an adhesive member such as solder used for mounting may affect the light emission of the light emitting device. .. Therefore, for example, the depth of the recess 3a is preferably about 20 to 50% of the height of the light emitting device 10.
凹部３ａの上面視における形状は、発光素子２の辺と沿った方向に長い矩形、円形等が
あげられる。凹部３ａは、発光装置１０の一側面の端部から端部まで金属層４が形成でき
るよう、延長して形成することは好ましい。このような金属層４を用いることで発光装置
１０の実装精度を高めることができる。
凹部３ａは、複数の発光素子２と隣接して延長された一つの溝としてもよい。これによ
り、切削や金型による成形によって容易に凹部３ａを設けることができる。一方、上面視
において離間した凹部を複数設けてもよい。例えば、複数の発光素子２のそれぞれと隣接
する分離した凹部３ａとしてもよい。
凹部３ａの幅（図４Ｂにおける横方向の長さ）は金属層４が製膜可能かつ切断が容易な
程度で設けられることが好ましい。凹部３ａの側面は、傾斜してもよいし垂直であっても
よい。
なお、凹部３ａは、発光装置１０の側面となる部分に設けられていればよく、複数の発
光素子２を有する発光装置１０を製造する場合には、すべての複数の発光素子２の間に設
けられていなくてもよい。
The shape of the recess 3a in the top view may be a rectangle, a circle, or the like that is long in the direction along the side of the light emitting element 2. It is preferable that the recess 3a is extended so that the metal layer 4 can be formed from one side surface of the light emitting device 10 to the end. By using such a metal layer 4, the mounting accuracy of the light emitting device 10 can be improved.
The recess 3a may be a single groove extended adjacent to the plurality of light emitting elements 2. As a result, the recess 3a can be easily provided by cutting or molding with a mold. On the other hand, a plurality of recesses that are separated from each other in the top view may be provided. For example, it may be a separate recess 3a adjacent to each of the plurality of light emitting elements 2.
The width of the recess 3a (the length in the lateral direction in FIG. 4B) is preferably provided so that the metal layer 4 can form a film and can be easily cut. The side surface of the recess 3a may be inclined or vertical.
The recess 3a may be provided on the side surface of the light emitting device 10, and when the light emitting device 10 having the plurality of light emitting elements 2 is manufactured, the recess 3a is provided between all the plurality of light emitting elements 2. It does not have to be.
凹部は、図５Ｂに示すように、２つの発光素子２の間に２つ、もしくは２つ以上設けて
もよい。
一方、図１１に示すように、２つの発光素子２の間に１つのみ凹部３ａを設けることが
できる。これにより、発光素子２の間隔を広くせずに凹部３ａの幅を広げることができる
ため、後述する凹部３ａの内面における切断を容易に行うことができる。また、凹部３ａ
内に形成される比較的高価な金属層４の材料を有効に利用することができ、安価な発光装
置を製造することができる。
As shown in FIG. 5B, two or more recesses may be provided between the two light emitting elements 2.
On the other hand, as shown in FIG. 11, only one recess 3a can be provided between the two light emitting elements 2. As a result, the width of the recess 3a can be widened without widening the distance between the light emitting elements 2, so that cutting on the inner surface of the recess 3a, which will be described later, can be easily performed. In addition, the recess 3a
The material of the relatively expensive metal layer 4 formed inside can be effectively used, and an inexpensive light emitting device can be manufactured.
以上のようにして、中間体１００を得る。 As described above, Intermediate 100 is obtained.
次に、中間体１００の、発光素子２の一対の電極２ａ、２ｂの表面と被覆部材３の凹部
３ａの内面とを連続して覆う金属層４を形成する。
Next, a metal layer 4 of the intermediate 100 that continuously covers the surfaces of the pair of electrodes 2a and 2b of the light emitting element 2 and the inner surface of the recess 3a of the covering member 3 is formed.
２．金属層の形成
図５Ａ及び５Ｂに示すように、中間体１００の発光素子の電極が露出された面（上面）
及び凹部３ａの内面にわたって金属層４を形成する。
金属層４は、発光装置１０の実装用端子として用いられるため、その構成は発光装置１
０の実装性や密着性を考慮して設けられる。
金属層４の材料は、例として、金、銀、ニッケル、アルミニウム、ロジウム、銅、又は
これらの合金を単層または積層などを用いることができる。中間体１００と接する層（金
属層の第１層）としては、密着性を向上させるためにＮｉを用いることが好ましい。金属
層４への実装用半田の拡散を防止するために、Ｒｕの層を含むことが好ましい。また、最
表面は耐食性等の高いＡｕを用いることが好ましい。つまり、中間体１００に近い側から
Ｎｉ／Ｒｕ／Ａｕの積層構造を用いることが好ましい。
金属層４の厚みは、薄いことが好ましく、適宜、発光装置１０を実装基板に接合する際
に接合強度が確保できる条件とすることができる。レーザアブレーションが選択的に起こ
る程度とすることができ、例えば１μｍ以下であることが好ましく、１０００Å以下がよ
り好ましい。また、電極の腐食を低減することができる厚み、例えば５ｎｍ以上であるこ
とが好ましい。ここで、金属層の厚みとは、金属層が複数の層が積層されて構成されてい
る場合には、該複数の層の合計の厚みのことをいう。
金属層４が積層構造である場合には、積層構造のうちの１層の厚みは、例えば、１０Å
〜１０００Åとすることができ、好ましくは、１５０Å〜１０００Å程度である。
この金属層４の形成は、ＡＬＤ、ＣＶＤ、スパッタ、蒸着で行うことができる。中でも
スパッタによれば容易に金属層４を形成することができる。
2. Formation of Metal Layer As shown in FIGS. 5A and 5B, the surface (upper surface) where the electrodes of the light emitting element of the intermediate 100 are exposed.
And the metal layer 4 is formed over the inner surface of the recess 3a.
Since the metal layer 4 is used as a mounting terminal for the light emitting device 10, its configuration is the light emitting device 1.
It is provided in consideration of the mountability and adhesion of 0.
As the material of the metal layer 4, for example, gold, silver, nickel, aluminum, rhodium, copper, or an alloy thereof can be used as a single layer or a laminate. As the layer in contact with the intermediate 100 (the first layer of the metal layer), it is preferable to use Ni in order to improve the adhesion. In order to prevent the solder for mounting on the metal layer 4 from diffusing, it is preferable to include a layer of Ru. Further, it is preferable to use Au having high corrosion resistance and the like on the outermost surface. That is, it is preferable to use a laminated structure of Ni / Ru / Au from the side closer to the intermediate 100.
The thickness of the metal layer 4 is preferably thin, and can be appropriately set as a condition for ensuring the bonding strength when the light emitting device 10 is bonded to the mounting substrate. The degree to which laser ablation occurs selectively can be set to, for example, preferably 1 μm or less, and more preferably 1000 Å or less. Further, the thickness is preferably 5 nm or more, which can reduce the corrosion of the electrode. Here, the thickness of the metal layer means the total thickness of the plurality of layers when the metal layer is composed of a plurality of layers laminated.
When the metal layer 4 has a laminated structure, the thickness of one layer of the laminated structure is, for example, 10 Å.
It can be ~ 1000 Å, preferably about 150 Å ~ 1000 Å.
The metal layer 4 can be formed by ALD, CVD, sputtering, or vapor deposition. Above all, the metal layer 4 can be easily formed by sputtering.
この実施形態では、まず、一つの連続する金属層４を被覆部材３と複数の電極２ａ、２
ｂの表面にわたって略全面に形成している。このため、図６Ａ及び図６Ｂに示すように、
一つの発光素子２の正負の電極２ａ、２ｂの間を接続するように存在している金属層４の
一部を除去する。除去しなければ電極２ａ、２ｂが短絡した状態になり発光装置１０への
電気供給がなく、発光装置１０が破壊されるためである。これは、例えば、レーザの照射
またはエッチングまたはルータ加工によって電極２ａ、２ｂ間の金属層４を電極２ａ、２
ｂに平行な一軸方向に、金属層４を除去することができる。特に、レーザの照射によれば
、アブレーションにより金属層の除去を容易に精度よく行うことができる。
In this embodiment, first, one continuous metal layer 4 is covered with a covering member 3 and a plurality of electrodes 2a, 2
It is formed on almost the entire surface of b. Therefore, as shown in FIGS. 6A and 6B,
A part of the metal layer 4 existing so as to connect between the positive and negative electrodes 2a and 2b of one light emitting element 2 is removed. This is because if the electrodes 2a and 2b are not removed, the electrodes 2a and 2b will be short-circuited and there will be no electricity supply to the light emitting device 10, and the light emitting device 10 will be destroyed. This is done, for example, by irradiating or etching a laser or processing a router to attach the metal layer 4 between the electrodes 2a and 2b to the electrodes 2a and 2
The metal layer 4 can be removed in the uniaxial direction parallel to b. In particular, according to laser irradiation, the metal layer can be easily and accurately removed by ablation.
このように、中間体１００の一面の略全面に設けた金属層４の一部を除去して金属層４
を形成することが、金属層４を、マスク等を用いてパターニングして形成するよりも、容
易なため、量産性の観点から好ましい。
In this way, a part of the metal layer 4 provided on substantially the entire surface of one surface of the intermediate 100 is removed to remove the metal layer 4
Is preferable from the viewpoint of mass productivity because it is easier to form the metal layer 4 than patterning the metal layer 4 with a mask or the like.
発光装置１０における側面の金属層４の高さは、発光装置１０の実装基板と面する面か
ら発光装置１０の高さの１％〜９９％、好ましくは１０〜７５％程度、より好ましくは１
５〜５０％程度に設けることができる。金属層４の高さは、中間体１００の上面に非選択
的に金属層４を形成する場合には、上述の凹部３ａの深さによって制御することができる
。
The height of the metal layer 4 on the side surface of the light emitting device 10 is about 1% to 99%, preferably about 10 to 75%, more preferably 1 of the height of the light emitting device 10 from the surface facing the mounting substrate of the light emitting device 10.
It can be provided at about 5 to 50%. The height of the metal layer 4 can be controlled by the depth of the recess 3a described above when the metal layer 4 is non-selectively formed on the upper surface of the intermediate 100.
この実施形態では、複数の発光素子２の電極２ａ、２ｂの間の領域が平面視において一
つの帯状になるよう複数の発光素子２を配置しているため、発光素子２の正負の電極２ａ
、２ｂの間の金属層４を容易に除去することができる。電極２ａ、２ｂ間の金属層を一直
線状に除去する為に、複数の発光素子２の支持体１への配置は、位置ずれが少ない状態で
行うことが好ましい。発光素子２を精度よく配列しておけば、電極２ａ、２ｂ間の金属層
４を除去する際に発生する電極の形状のばらつきを少なくすることができ、発光装置の生
産性や品質の安定性を向上させることができる。
In this embodiment, since the plurality of light emitting elements 2 are arranged so that the region between the electrodes 2a and 2b of the plurality of light emitting elements 2 forms one band in a plan view, the positive and negative electrodes 2a of the light emitting element 2
The metal layer 4 between 2b can be easily removed. In order to remove the metal layer between the electrodes 2a and 2b in a straight line, it is preferable that the plurality of light emitting elements 2 are arranged on the support 1 in a state where there is little misalignment. If the light emitting elements 2 are arranged accurately, the variation in the shape of the electrodes generated when the metal layer 4 between the electrodes 2a and 2b is removed can be reduced, and the productivity and quality stability of the light emitting device can be reduced. Can be improved.
なお、凹部３ａの内面に設けられた金属層４と発光素子２の電極２ａ、２ｂが電気的に
接続している限り、その他の中間体１００に設けられている部分も除去してもよい。例え
ば、後述の被覆部材３と金属層４が切断される際または発光装置１０として個片化される
際に、切断される位置の中間体１００の上面に設けられた金属層４を除去してもよい。こ
れにより、切断の際に金属のバリやゴミが発生することを低減することができ、安定して
発光装置１０を製造することができる。
発光装置１０として完成した後に、発光装置１０の底面（中間体１００の状態では上面
と呼ばれていた面）の周縁部にあたる部分を除去してもよい。
金属層４は、発光素子２の一方の電極２ａと接続される部分と他方の電極２ｂと接続さ
れた部分とが略同じ形状であってもよく、異なる形状であってもよい。例えば、これらの
形状を互いに異ならせることで、発光装置１０の極性を見分けるマークとして用いること
ができる。このような除去は、レーザの照射またはエッチングまたはルータ加工等で行う
ことができる。特にレーザの照射によれば、金属層４の除去を精度よく行うことができる
ため、比較的複雑な形状に容易に形成することができる。
金属層４は、凹部３ａの内面の全てに設けられてもよく、部分的に設けられてもよい。
As long as the metal layer 4 provided on the inner surface of the recess 3a and the electrodes 2a and 2b of the light emitting element 2 are electrically connected, the other portions provided on the intermediate 100 may be removed. For example, when the covering member 3 and the metal layer 4 described later are cut or separated as a light emitting device 10, the metal layer 4 provided on the upper surface of the intermediate 100 at the cutting position is removed. May be good. As a result, it is possible to reduce the generation of metal burrs and dust during cutting, and the light emitting device 10 can be stably manufactured.
After the light emitting device 10 is completed, the portion corresponding to the peripheral edge of the bottom surface of the light emitting device 10 (the surface called the upper surface in the state of the intermediate 100) may be removed.
The metal layer 4 may have substantially the same shape or different shapes in the portion connected to one electrode 2a of the light emitting element 2 and the portion connected to the other electrode 2b. For example, by making these shapes different from each other, it can be used as a mark for distinguishing the polarity of the light emitting device 10. Such removal can be performed by laser irradiation or etching, router processing, or the like. In particular, according to laser irradiation, the metal layer 4 can be removed with high accuracy, so that the metal layer 4 can be easily formed into a relatively complicated shape.
The metal layer 4 may be provided on the entire inner surface of the recess 3a, or may be partially provided.
３．被覆部材と金属層の切断
次に、図７Ａ及び７Ｂに示すように、凹部３ａの内面において被覆部材３と金属層４を
切断する。
この時、凹部３ａがない部分の被覆部材３と金属層４も切断することができる。
なお、すべての凹部３ａにおいて切断が行われる必要はない。例えば、１つの発光装置
が複数の発光素子２を備えるものを製造する場合、複数の発光素子２の間において配置さ
れた凹部３ａを切断せず、複数の発光素子２の間の被覆部材３に凹部３ａ（及び金属層４
）を備える発光装置としてもよい。
3. 3. Cutting the covering member and the metal layer Next, as shown in FIGS. 7A and 7B, the covering member 3 and the metal layer 4 are cut on the inner surface of the recess 3a.
At this time, the covering member 3 and the metal layer 4 in the portion without the recess 3a can also be cut.
It is not necessary to cut all the recesses 3a. For example, when one light emitting device is manufactured to include a plurality of light emitting elements 2, the recess 3a arranged between the plurality of light emitting elements 2 is not cut, and the covering member 3 between the plurality of light emitting elements 2 is formed. Recess 3a (and metal layer 4)
) May be provided.
切断は、被覆部材３や金属層４を切断可能な方法で行われる。例えば、ブレードを用い
たブレードダイシングや、レーザダイシング、カッタースクライブ等を利用することがで
きる。
The cutting is performed by a method capable of cutting the covering member 3 and the metal layer 4. For example, blade dicing using a blade, laser dicing, cutter scribe, and the like can be used.
本実施形態においては、発光素子２と隣接して延長された一つの溝である複数の凹部３
ａの内面を、ダイサーを用いて切断しているため、容易に切断を行うことができる。
In the present embodiment, a plurality of recesses 3 which are one groove extended adjacent to the light emitting element 2
Since the inner surface of a is cut using a dicer, cutting can be easily performed.
被覆部材と金属層の切断は、図７Ｂに示すように、１つの凹部３ａの略中央で切断する
ことで、凹部３ａを２つに分割するように行ってもよい。また、凹部３ａの内面の側面の
うち、発光素子２から離れた側の側面を除去するように行ってもよい。また、図７Ａにお
ける２つの凹部３ａの間に配置された被覆部材を除去するように２つの凹部３ａを一度に
切断してもよい。これにより、切断の回数を減少させることができ、また切断と発光装置
に利用されなかった被覆部材の除去を同時に行うことができるため、製造を容易に行うこ
とができる。また、図１１に示すような２つの発光素子２の間に１つのみ設けられた凹部
３ａを切断し、１つの凹部３ａの２つの側面をそれぞれ２つの発光装置の側面として設け
てもよい。これにより、切断の回数を減少させることができるため、製造を容易に行うこ
とができる。
As shown in FIG. 7B, the covering member and the metal layer may be cut at substantially the center of one recess 3a so as to divide the recess 3a into two. Further, among the side surfaces of the inner surface of the recess 3a, the side surface on the side away from the light emitting element 2 may be removed. Further, the two recesses 3a may be cut at once so as to remove the covering member arranged between the two recesses 3a in FIG. 7A. As a result, the number of cuttings can be reduced, and the cutting and the covering member not used in the light emitting device can be removed at the same time, so that the production can be easily performed. Further, only one recess 3a provided between the two light emitting elements 2 as shown in FIG. 11 may be cut, and the two side surfaces of the one recess 3a may be provided as the side surfaces of the two light emitting devices. As a result, the number of cuttings can be reduced, so that the production can be easily performed.
本実施形態においては、凹部の内面において被覆部材３と金属層４の切断を行う際に同
時に被覆部材３を完全に切断しているため、後述する発光装置の個片化も同時に行うこと
ができ、量産性を高くすることができる。なお、被覆部材３と金属層４の切断の後に、さ
らに被覆部材３または金属層４を除去する、成形する等の工程を有してもよい。
In the present embodiment, since the covering member 3 and the metal layer 4 are completely cut at the same time when the covering member 3 and the metal layer 4 are cut on the inner surface of the recess, the light emitting device described later can be individually separated at the same time. , Mass productivity can be increased. After cutting the covering member 3 and the metal layer 4, there may be a step of further removing the covering member 3 or the metal layer 4, molding, and the like.
発光装置の個片化
本実施形態においては、図７Ａ及び７Ｂに示すように、凹部３ａ以外の部分においても
被覆部材３と金属層４を切断して分離溝５を形成し、発光装置１０を個片化している。
前述のように、支持体１上に配置する発光素子２の形状として同じものを用いると、凹
部３ａの形成のほかにも、発光装置１０の個片化も容易に行うことができる。この実施形
態では、複数の矩形の発光素子２の側面が対向するように配置しているので、発光素子２
の辺に沿って切断しやすく、効率的に個々の発光装置を個片化することができる。
Individualization of the light emitting device In the present embodiment, as shown in FIGS. 7A and 7B, the covering member 3 and the metal layer 4 are cut to form a separation groove 5 in a portion other than the recess 3a to form the light emitting device 10. It is individualized.
As described above, when the same shape of the light emitting element 2 arranged on the support 1 is used, the light emitting device 10 can be easily separated in addition to the formation of the recess 3a. In this embodiment, since the side surfaces of the plurality of rectangular light emitting elements 2 are arranged so as to face each other, the light emitting elements 2
It is easy to cut along the side of, and each light emitting device can be efficiently separated.
前述のように、個片化することで、図８及び９に示すように、実装基板８に実装する場
合に、主発光面Ｑに対して略垂直な面（側面）にわたって発光装置１０の電極となる金属
層４を形成することができる。また電極２ａ、２ｂ面に実装基板８の電極と同様の形状で
電極が形成されていない場合でも、発光装置１０の側面に有する金属層４を利用して実装
することで、発光装置１０の発光面Ｑが実装基板８の実装面に対して垂直なサイドビュー
型の発光装置１０を製造することができる。
これにより、実装基板８との実装が容易な発光装置１０を形成することができる。
As described above, by individualizing, as shown in FIGS. 8 and 9, when mounted on the mounting substrate 8, the electrodes of the light emitting device 10 cover a plane (side surface) substantially perpendicular to the main light emitting surface Q. The metal layer 4 to be used can be formed. Further, even when the electrodes 2a and 2b are not formed with the same shape as the electrodes of the mounting substrate 8, the light emitting device 10 can emit light by mounting the metal layer 4 on the side surface of the light emitting device 10. A side-view type light emitting device 10 in which the surface Q is perpendicular to the mounting surface of the mounting substrate 8 can be manufactured.
As a result, it is possible to form a light emitting device 10 that can be easily mounted on the mounting substrate 8.
このように、実装に用いられる金属層４を発光装置１０の側面に沿って設けることで、
発光装置の実装を容易に精度よく行うことができる。また、実装した際に発光装置１０の
側面の金属層４に半田フィレットが形成されるため、発光装置１０の実装の確認を容易に
行うことができるとともに、実装基板８と発光装置１０とが実装された際の接着強度を高
めることができる。これにより、実装が比較的困難な上、電極の面積を大きくすることが
難しい、液晶ディスプレイのバックライトの光源等に用いられる小型の発光装置１０に好
ましく用いることができる。
By providing the metal layer 4 used for mounting along the side surface of the light emitting device 10 in this way,
The light emitting device can be easily and accurately mounted. Further, since the solder fillet is formed on the metal layer 4 on the side surface of the light emitting device 10 at the time of mounting, the mounting of the light emitting device 10 can be easily confirmed, and the mounting substrate 8 and the light emitting device 10 are mounted. It is possible to increase the adhesive strength when soldered. As a result, it can be preferably used in a small light emitting device 10 used as a light source for a backlight of a liquid crystal display, which is relatively difficult to mount and it is difficult to increase the area of electrodes.
金属層４は、発光装置１０の底面において、広い面積で設けられることが好ましい。例
えば、発光装置１０の底面の面積の２０％〜９０％、より好ましくは５０％〜８０％の面
積で設けられることが好ましい。これにより、発光装置１０の放熱性や実装強度を高める
ことができる。
The metal layer 4 is preferably provided on the bottom surface of the light emitting device 10 in a large area. For example, it is preferably provided in an area of 20% to 90%, more preferably 50% to 80% of the area of the bottom surface of the light emitting device 10. As a result, the heat dissipation property and mounting strength of the light emitting device 10 can be improved.
金属層４の側面が発光装置１０の側面と略同一面となるよう配置することで、複数の発
光装置１０を並べて実装する際に、上述のような効果を得ながら、発光装置１０同士の間
隔を狭めることができる。これにより、発光装置１０を高い密度で実装することができる
。
By arranging the side surfaces of the metal layer 4 so as to be substantially the same as the side surfaces of the light emitting device 10, when a plurality of light emitting devices 10 are mounted side by side, the distance between the light emitting devices 10 while obtaining the above-mentioned effect is obtained. Can be narrowed. As a result, the light emitting device 10 can be mounted at a high density.
本実施形態においては、それぞれの発光素子２の両側に１つずつ溝の凹部３ａが設けら
れているが、隣接する発光素子２の間に１つの凹部が設けられてもよい。このような１つ
の凹部の内面で切断することで、凹部に隣接する２つの発光装置それぞれの側面に金属層
４を形成してもよい。これによれば、切断の回数を減らすことができ、製造の効率を高め
ることができる。
In the present embodiment, one groove recess 3a is provided on each side of each light emitting element 2, but one recess may be provided between adjacent light emitting elements 2. By cutting on the inner surface of one such recess, the metal layer 4 may be formed on the side surface of each of the two light emitting devices adjacent to the recess. According to this, the number of cuttings can be reduced and the manufacturing efficiency can be improved.
この実施形態においては、図９に示すように、発光装置１０の被覆部材３と金属層４の
外側面が略同一平面となるよう設けられているが、図１０に示すように、発光装置の被覆
部材３が発光装置の側面に開口を有し、開口内に金属層４の一部が設けられることで、キ
ャスタレーションを備えていてもよい。このような開口内に金属層４を設けることにより
、金属層４の高さを高くすることなく、半田と金属層が接着する面積を増やすことができ
、発光装置の実装信頼性を高めることができる。このような金属層４は、中間体を準備す
る際に凹部３ａの幅を広く形成し、凹部３ａの内面に金属層４を形成した後、凹部３ａの
底面３ｄの一部が発光装置に残るように切断することで、形成することができる。このよ
うな開口は、被覆部材３と金属層４の切断の際に、例えば、凹部３ａの内面のうち側面だ
けでなく底面３ｄを発光装置に残すことで形成することができる。
In this embodiment, as shown in FIG. 9, the covering member 3 of the light emitting device 10 and the outer surface of the metal layer 4 are provided so as to be substantially flush with each other. However, as shown in FIG. Casting may be provided by the covering member 3 having an opening on the side surface of the light emitting device and a part of the metal layer 4 being provided in the opening. By providing the metal layer 4 in such an opening, the area where the solder and the metal layer adhere can be increased without increasing the height of the metal layer 4, and the mounting reliability of the light emitting device can be improved. it can. In such a metal layer 4, the width of the recess 3a is formed wide when the intermediate is prepared, and after the metal layer 4 is formed on the inner surface of the recess 3a, a part of the bottom surface 3d of the recess 3a remains in the light emitting device. It can be formed by cutting in this way. Such an opening can be formed, for example, by leaving not only the side surface but also the bottom surface 3d of the inner surface of the recess 3a in the light emitting device when the covering member 3 and the metal layer 4 are cut.
４．その他の工程
以上の工程の他に、例えば、波長変換層を形成する工程、透光層を形成する工程等を適
宜行ってもよい。
4. Other Steps In addition to the above steps, for example, a step of forming a wavelength conversion layer, a step of forming a light transmitting layer, and the like may be appropriately performed.
波長変換層を形成する工程では、主発光面Ｑから出射される光を所望の波長に変換する
波長変換層を、主発光面Ｑを被覆するように形成することができる。波長変換層としては
、例えば樹脂やガラス等の母材に蛍光体等の波長変換材料を含有したものを用いることが
できる。波長変換層は、スプレー、印刷、塗布、貼り付け等の所望の方法で形成すること
ができる。被覆部材で波長変換層の側面も覆うことにより、発光部と非発光部のコントラ
ストが高い、いわゆる見切り性の良い発光装置を形成することができる。波長変換層は、
その構成に応じて、上述のどの工程の前後に行われてもよい。例えば、支持体１として波
長変換材料を含有した透光性の樹脂等からなるシートを用い、この支持体１を波長変換層
として用いてもよい。また、周縁を遮光性部材の枠で囲まれた波長変換層を予め形成して
おき、被覆部材の形成前に主発光面に貼り付けることで、見切り性の良い発光装置を製造
することができる。また、被覆部材の形成前に発光素子の主発光面に波長変換層を接着し
た後、被覆部材を形成してもよい。波長変換層の上に発光素子の主発光面を対向するよう
に接着することで、容易に波長変換層と発光素子の位置決めを行うことができる。透光性
接着剤の波長変換層と発光素子との接着には、シリコーン樹脂等の透光性接着剤を用いる
ことができる。この透光性接着剤は発光素子の側面と被覆部材の間に設けられていてもよ
い。
In the step of forming the wavelength conversion layer, the wavelength conversion layer that converts the light emitted from the main light emitting surface Q into a desired wavelength can be formed so as to cover the main light emitting surface Q. As the wavelength conversion layer, for example, a base material such as resin or glass containing a wavelength conversion material such as a phosphor can be used. The wavelength conversion layer can be formed by a desired method such as spraying, printing, coating, and pasting. By covering the side surface of the wavelength conversion layer with the covering member, it is possible to form a so-called light emitting device having a high contrast between the light emitting portion and the non-light emitting portion and having good parting property. The wavelength conversion layer is
Depending on the configuration, it may be performed before or after any of the above steps. For example, a sheet made of a translucent resin or the like containing a wavelength conversion material may be used as the support 1, and the support 1 may be used as the wavelength conversion layer. Further, by forming a wavelength conversion layer whose peripheral edge is surrounded by a frame of a light-shielding member in advance and attaching it to the main light emitting surface before forming the covering member, it is possible to manufacture a light emitting device having good parting property. .. Further, the covering member may be formed after the wavelength conversion layer is adhered to the main light emitting surface of the light emitting element before the covering member is formed. By adhering the main light emitting surfaces of the light emitting element on the wavelength conversion layer so as to face each other, the wavelength conversion layer and the light emitting element can be easily positioned. A translucent adhesive such as a silicone resin can be used for adhering the wavelength conversion layer of the translucent adhesive to the light emitting element. This translucent adhesive may be provided between the side surface of the light emitting element and the covering member.
透光層を形成する工程は、発光装置の発光面（具体的には、波長変換層や主発光面Ｑ）
上に、透光性を有する透光層を形成する工程である。透光層を形成することで、発光装置
の発光面を保護することができる。透光層としては、例えば透光性を有する樹脂やガラス
等を用いることができる。また、フィラー等を含有させることで、光の取り出し向上や、
タック性を低減させることが可能である。透光層は、例えばスプレー、印刷、塗布、貼り
付け等の所望の方法で形成することができる。上記の波長変換層を用いる場合、あらかじ
め波長変換層と透光層を積層した状態に形成した後、発光素子に設けてもよい。
The step of forming the light transmitting layer is the light emitting surface of the light emitting device (specifically, the wavelength conversion layer and the main light emitting surface Q).
It is a step of forming a translucent layer having translucency on the top. By forming the light-transmitting layer, the light emitting surface of the light emitting device can be protected. As the light-transmitting layer, for example, a light-transmitting resin, glass, or the like can be used. In addition, by containing fillers, etc., light extraction can be improved.
It is possible to reduce the tackiness. The translucent layer can be formed by a desired method such as spraying, printing, coating, or pasting. When the above wavelength conversion layer is used, it may be provided in the light emitting element after the wavelength conversion layer and the light transmitting layer are formed in a laminated state in advance.
以下、各構成部材について説明する。 Hereinafter, each component will be described.
発光素子２
発光素子２は、当該分野で一般的に用いられる発光ダイオード、レーザダイオード等を
用いることができる。例えば、窒化物系半導体（ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ、０≦Ｘ
、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）、ＧａＰ、ＧａＡｓなどのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、ＺｎＳｅ
、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体等、種々の半導体を利用することができる。なお、発光素子
２は、半導体層を成長させるための基板を有していてもよい。基板としては、サファイア
等の絶縁性基板、ＳｉＣ、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ダイヤモンド、窒化物半導体と格子
接合するニオブ酸リチウム、ガリウム酸ネオジム等の酸化物からなる基板が挙げられる。
なお、基板はレーザリフトオフ法等を利用して除去されていてもよい。
Light emitting element 2
As the light emitting element 2, a light emitting diode, a laser diode, or the like generally used in the art can be used. For example, a nitride semiconductor (In X Al Y Ga 1-XY N, 0 ≦ X
, 0 ≦ Y, X + Y ≦ 1), Group III-V compound semiconductors such as GaP and GaAs, ZnSe
, II-VI group compound semiconductors, and various other semiconductors can be used. The light emitting element 2 may have a substrate for growing the semiconductor layer. Examples of the substrate include an insulating substrate such as sapphire, and a substrate made of an oxide such as SiC, ZnO, Si, GaAs, diamond, lithium niobate and neodymium gallium that lattice-bond with a nitride semiconductor.
The substrate may be removed by using a laser lift-off method or the like.
支持体１
支持体１は、前述のようにシート状の樹脂、セラミックス、ガラス等を用いることがで
きる。特に、耐熱性の観点から、シート状のポリイミド樹脂を用いることが好ましい。
支持体１の平面形状、大きさ、厚み等は、配置する発光素子２の大きさや数によって適
宜調整することができる。特に、均一な厚みを有し、その表面が平坦なシート状の支持体
１であると、発光素子２を安定的に配置しやすく好ましい。
Support 1
As the support 1, a sheet-shaped resin, ceramics, glass, or the like can be used as described above. In particular, from the viewpoint of heat resistance, it is preferable to use a sheet-shaped polyimide resin.
The planar shape, size, thickness, etc. of the support 1 can be appropriately adjusted depending on the size and number of the light emitting elements 2 to be arranged. In particular, it is preferable that the sheet-shaped support 1 having a uniform thickness and a flat surface thereof makes it easy to stably arrange the light emitting element 2.
支持体１を発光装置の一部として用いる場合は、透光性を有していると好ましく、発光
素子２からの光の透過率が６０％以上、７０％以上、８０％以上、９０％以上であるもの
が好ましい。
特に、支持体１を発光装置の一部として用いる場合は、支持体１として樹脂を用いるこ
とが好ましく、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、エポキシ変性樹脂
、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ＴＰＸ樹脂、ポリノルボルネ
ン樹脂、又はこれらの樹脂を１種以上含むハイブリッド樹脂等の樹脂等によって形成され
たものが挙げられる。なかでも、シリコーン樹脂又はエポキシ樹脂が好ましく、特に耐光
性、耐熱性に優れるシリコーン樹脂が好ましい。
When the support 1 is used as a part of the light emitting device, it is preferable that the support 1 has light transmittance, and the transmittance of light from the light emitting element 2 is 60% or more, 70% or more, 80% or more, 90% or more. Is preferable.
In particular, when the support 1 is used as a part of the light emitting device, it is preferable to use a resin as the support 1, and a silicone resin, a silicone-modified resin, an epoxy resin, an epoxy-modified resin, a phenol resin, a polycarbonate resin, an acrylic resin, etc. Examples thereof include those formed of a TPX resin, a polynorbornene resin, or a resin such as a hybrid resin containing one or more of these resins. Of these, a silicone resin or an epoxy resin is preferable, and a silicone resin having excellent light resistance and heat resistance is particularly preferable.
さらに、支持体１を発光装置の一部として用いる場合、支持体１に発光素子からの光を
波長変換する波長変換部材、例えば、蛍光体及び／又は発光物質を含有させると、発光装
置の波長変換層として用いることができる。
蛍光体及び／又は発光物質としては、例えば、イットリウム・アルミニウム・ガーネッ
ト（ＹＡＧ）系蛍光体などを用いることができる。
Further, when the support 1 is used as a part of the light emitting device, when the support 1 contains a wavelength conversion member for wavelength-converting the light from the light emitting element, for example, a phosphor and / or a light emitting substance, the wavelength of the light emitting device is generated. It can be used as a conversion layer.
As the phosphor and / or luminescent substance, for example, yttrium aluminum garnet (YAG) -based phosphor or the like can be used.
支持体１は、フィラー（例えば、拡散剤、着色剤等）を含んでいてもよい。例えば、シ
リカ、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、ガラス、蛍光体の結晶又は焼
結体、蛍光体と無機物の結合材との焼結体等が挙げられる。
The support 1 may contain a filler (for example, a diffusing agent, a coloring agent, etc.). For example, silica, titanium oxide, zirconium oxide, magnesium oxide, glass, a crystal or sintered body of a fluorescent substance, a sintered body of a fluorescent substance and an inorganic binder, and the like can be mentioned.
被覆部材３
被覆部材３は、例えば、母材である樹脂に光反射性又は光吸収性物質を含有させた材料
により形成することができる。これにより、被覆部材３を所望の形状に成形しやすい。樹
脂としては、例えば、シリコーン樹脂、変成シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変成エポキ
シ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、変成ポリイミド樹脂、フェノール樹
脂、ウレタン樹脂、アクリレート樹脂、ユリア樹脂、アクリル樹脂、ポリフタルアミド（
ＰＰＡ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）等が挙げら
れる。これらは単独で又は２種以上の樹脂を組み合わせて用いてもよい。特に、耐熱性、
耐候性の観点から、シリコーン系の樹脂を含むことが好ましい。
なお、被覆部材３の厚み（発光素子２の側面から発光装置１００の側面までの距離、図
１０に示すＤ）は、例えば１０μｍ〜１００μｍとすることで、主発光面Ｑ以外からの発
光素子の光を十分に遮光しつつ、小型の発光装置を形成することができる。
Covering member 3
The covering member 3 can be formed of, for example, a material in which a resin as a base material contains a light-reflecting or light-absorbing substance. As a result, the covering member 3 can be easily formed into a desired shape. Examples of the resin include silicone resin, modified silicone resin, epoxy resin, modified epoxy resin, unsaturated polyester resin, polyimide resin, modified polyimide resin, phenol resin, urethane resin, acrylate resin, urea resin, acrylic resin, and polyphthalamide. (
PPA), polyphenylene sulfide (PPS), liquid crystal polymer (LCP) and the like. These may be used alone or in combination of two or more kinds of resins. Especially heat resistance
From the viewpoint of weather resistance, it is preferable to contain a silicone-based resin.
The thickness of the covering member 3 (distance from the side surface of the light emitting element 2 to the side surface of the light emitting device 100, D shown in FIG. 10) is set to, for example, 10 μm to 100 μm, so that the light emitting element from other than the main light emitting surface Q can be used. It is possible to form a small light emitting device while sufficiently blocking light.
光反射性又は光吸収性物質としては、例えば、セラミックス、二酸化チタン、二酸化ケ
イ素、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ
素、窒化ホウ素、ムライト、酸化ニオブ、酸化亜鉛、硫酸バリウム、各種希土類酸化物（
例えば、酸化イットリウム、酸化ガドリニウム）等が挙げられる。光反射性又は光吸収性
物質は、被覆部材の全重量において、約２０重量％〜８０重量％程度含有されていること
が好ましく、約３０重量％〜７０重量％程度がより好ましい。これにより、被覆部材の遮
光性及び強度を確保することができる。
Examples of the light-reflecting or light-absorbing substance include ceramics, titanium dioxide, silicon dioxide, zirconium dioxide, potassium titanate, alumina, aluminum nitride, silicon nitride, boron nitride, murite, niobium oxide, zinc oxide, barium sulfate, and the like. Various rare earth oxides (
For example, yttrium oxide, gadolinium oxide) and the like can be mentioned. The light-reflecting or light-absorbing substance is preferably contained in an amount of about 20% by weight to 80% by weight, more preferably about 30% by weight to 70% by weight, based on the total weight of the covering member. As a result, the light-shielding property and strength of the covering member can be ensured.
本発明の実施形態に係る発光装置は、照明用光源、各種インジケーター用光源、車載用
光源、ディスプレイ用光源、液晶のバックライト用光源、センサー用光源、信号機等、種
々の発光装置に使用することができる。
The light emitting device according to the embodiment of the present invention shall be used for various light emitting devices such as a light source for lighting, a light source for various indicators, a light source for vehicles, a light source for a display, a light source for a liquid crystal backlight, a light source for a sensor, and a traffic light. Can be done.
１ 支持体
２ 発光素子
２ａ、２ｂ 発光素子の電極
３ 被覆部材
３ａ 凹部
３ｄ 底面
４ 金属層
５ 分離溝
８ 実装基板
９ 半田
１０ 発光装置
１００ 中間体
1 Support 2 Light emitting element 2a, 2b Electrodes of light emitting element 3 Coating member 3a Recess 3d Bottom surface 4 Metal layer 5 Separation groove 8 Mounting board 9 Solder 10 Light emitting device 100 Intermediate
Claims (10)
光反射材料からなり、前記半導体層の前記主発光面を露出させ、かつ前記発光素子の側面に接触して該側面を被覆し、外面に凹部を備える被覆部材と、
前記電極に接続されるとともに、前記凹部内に配置される金属層と、を備える発光装置であって、
前記金属層は、前記発光装置の前記電極形成面から、前記半導体層の側面を被覆する前記被覆部材の側面にわたって、前記被覆部材に接して配置され、かつ前記発光装置の外側に露出している発光装置。 A semiconductor layer having a main light emitting surface and an electrode forming surface on the opposite side of the main light emitting surface, and a light emitting element having a pair of electrodes on the electrode forming surface.
A coating member made of a light-reflecting material, which exposes the main light emitting surface of the semiconductor layer , contacts the side surface of the light emitting element to cover the side surface, and has a recess on the outer surface.
Is connected to the electrode, a metal layer disposed in the recess, a light-emitting device Ru provided with,
The metal layer from the electrode formation surface of the light emitting device, over the side surface of the cover member covering the side surface of the semiconductor layer, disposed in contact with the covering member, and it is exposed to the outside of the light emitting device Light emitting device.
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