JP6277860B2 - Light emitting device and manufacturing method thereof - Google Patents

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Description

本発明は、発光装置及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a light emitting device and a method for manufacturing the same.

従来から、チップと略同等サイズのチップスケールパッケージ(CSP)の発光装置が提案されている(例えば、特許文献1)。この発光装置は、トップビュー型の実装形態での発光装置であり、その用途によっては、発光装置自体の厚みが薄く、非常に有効に利用することができる。また、この発光装置は、パッケージに利用されているリード電極上に突起部を形成することにより、量産効率を向上させて、より一層の薄型化を実現している。
一方、電子機器の表示パネルのバックライト光源等として、サイドビュー型の発光装置が使用されている。
サイドビュー型の発光装置は、その実装形態が、上述したトップビュー型とは異なるために、実装の安定性、配光状態などにおいて、トップビュー型をそのまま適用することができない種々の制約がある。
Conventionally, a light emitting device of a chip scale package (CSP) approximately the same size as a chip has been proposed (for example, Patent Document 1). This light-emitting device is a light-emitting device in a top-view type mounting form. Depending on the application, the light-emitting device itself is thin and can be used very effectively. In addition, the light emitting device is formed with a protrusion on a lead electrode used for a package, thereby improving mass production efficiency and realizing further reduction in thickness.
On the other hand, a side view type light emitting device is used as a backlight light source of a display panel of an electronic device.
Since the mounting form of the side view type light emitting device is different from the above-described top view type, there are various restrictions that the top view type cannot be applied as it is in terms of mounting stability, light distribution state, and the like. .

特開2001−223391号公報JP 2001-223391 A

特に、近年、より小型化及び薄膜化が要求されている発光装置では、チップスケールのパッケージ自体の占有空間を最小限にするために、基体の平坦化及び縮小化が進められている。そのために、端子として利用される金属部材が、板状のリード電極から基体自体に直接極薄膜状に成膜された金属膜に移行している。このような金属膜をパッケージに利用してもなお、特にサイドビュー型の発光装置において、発光素子のパッケージへの搭載、発光装置の実装基板への実装において、素子不良が発生することなく、安定的かつ高精度に搭載又は実装し得るものが求められている。
また、より小型のチップによって、さらなる高出力又は高輝度等が求められる状況下、より一層の光取り出し効率の向上を実現する必要がある。
In particular, in recent years, in light-emitting devices that are required to be smaller and thinner, flattening and downsizing of the substrate have been promoted in order to minimize the space occupied by the chip scale package itself. For this reason, the metal member used as a terminal has shifted from a plate-like lead electrode to a metal film formed directly on the substrate itself in the form of an ultrathin film. Even when such a metal film is used for a package, in particular, in a side-view type light-emitting device, when a light-emitting element is mounted on a package and a light-emitting device is mounted on a mounting substrate, it is stable without causing element failure. What can be mounted or mounted with high accuracy and accuracy is demanded.
Further, it is necessary to further improve the light extraction efficiency in a situation where a higher power or higher luminance is required by a smaller chip.

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、小型かつ薄型の発光装置であっても、発光素子のパッケージへの搭載、発光装置の実装基板への実装において、素子不良が発生することなく、安定的かつ高精度に搭載又は実装し得る発光装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and even in a small and thin light-emitting device, an element defect occurs when the light-emitting element is mounted on a package and the light-emitting device is mounted on a mounting substrate. An object of the present invention is to provide a light emitting device that can be mounted or mounted stably and with high accuracy.

本発明は、
少なくとも第1主面上に一対の接続端子を備える基体と、
前記接続端子と溶融性部材によって接続された発光素子と、
該発光素子を被覆する光反射性部材と、を備える発光装置であって、
前記接続端子は、前記第1主面上において、前記発光素子と接続される部位が前記接続端子から突出した凸部を備えており、
該凸部及び前記溶融性部材は、前記光反射性部材に埋め込まれている発光装置である。
また、本発明は、
少なくとも第1主面上に凸部を有する一対の接続端子を備える基体を準備し、
基板上に半導体積層体を有し、かつ半導体積層体の同一面側に一対の電極を有する発光素子を、前記基体の第1主面上の凸部に載置し、溶融性部材によって前記発光素子の一対の電極と一対の接続端子とをそれぞれ接続し、
該接続端子の凸部及び前記溶融性部材の表面ならびに前記基体と前記発光素子との間を光反射性部材で埋め込む工程を備える発光装置の製造方法である。
The present invention
A base body provided with a pair of connection terminals on at least the first main surface;
A light emitting device connected to the connection terminal by a meltable member;
A light reflecting device that covers the light emitting element, and a light emitting device comprising:
The connection terminal includes a convex portion projecting from the connection terminal on the first main surface, the portion connected to the light emitting element.
The convex portion and the meltable member are light emitting devices embedded in the light reflective member.
The present invention also provides:
Preparing a base including a pair of connection terminals having a convex portion on at least the first main surface;
A light emitting element having a semiconductor laminate on a substrate and having a pair of electrodes on the same surface side of the semiconductor laminate is placed on a convex portion on the first main surface of the base, and the light emission is performed by a meltable member. A pair of electrodes of the element and a pair of connection terminals, respectively,
It is a method for manufacturing a light emitting device including a step of embedding a convex portion of the connection terminal, a surface of the meltable member, and a space between the base and the light emitting element with a light reflective member.

本発明の発光装置によれば、小型かつ薄型の発光装置であっても、発光素子のパッケージへの搭載、発光装置の実装基板への実装において、素子不良が発生することなく、安定的かつ高精度に搭載又は実装が実現される。
本発明の発光装置の製造方法によれば、上述した発光装置を簡便かつ確実に製造することができる。
According to the light-emitting device of the present invention, even if the light-emitting device is small and thin, it is stable and high without causing any element defect in mounting the light-emitting element on the package and mounting the light-emitting device on the mounting substrate. Mounting or mounting is realized with high accuracy.
According to the method for manufacturing a light-emitting device of the present invention, the above-described light-emitting device can be easily and reliably manufactured.

本発明の一実施の形態の発光装置の概略斜視図である。1 is a schematic perspective view of a light emitting device according to an embodiment of the present invention. 図1の発光装置のA−A’線断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line A-A ′ of the light emitting device of FIG. 1. 図1の発光装置の平面透視図である。It is a plane perspective view of the light-emitting device of FIG. 図1の発光装置が実装部材に実装された状態を示す概略斜視図である。It is a schematic perspective view which shows the state in which the light-emitting device of FIG. 1 was mounted in the mounting member. 図1の発光装置の製造方法を説明するための概略平面図である。It is a schematic plan view for demonstrating the manufacturing method of the light-emitting device of FIG. 図5AのB−B’線断面図である。It is a B-B 'line sectional view of Drawing 5A. 本発明の別の実施の形態の発光装置の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the light-emitting device of another embodiment of this invention. 本発明のさらに別の実施の形態の発光装置の概略断面である。It is a schematic cross section of the light-emitting device of further another embodiment of this invention. 本発明のさらに別の実施の形態の発光装置の概略平面図である。It is a schematic plan view of the light-emitting device of further another embodiment of this invention. 図8Aの矢印E側から見た側面図である。It is the side view seen from the arrow E side of FIG. 8A. 図8AのF−F’線断面図である。It is the F-F 'sectional view taken on the line of FIG. 8A. 図8AのG−G’線断面図である。It is the G-G 'sectional view taken on the line of FIG. 8A. 図8Aの発光装置における基体の平面図である。It is a top view of the base | substrate in the light-emitting device of FIG. 8A. 図8Eの基体の矢印E側から見た透視図である。It is the perspective view seen from the arrow E side of the base | substrate of FIG. 8E. 図8Eの基体の裏面透視図である。It is a back surface perspective view of the base | substrate of FIG. 8E. 本発明のさらに別の実施の形態の発光装置の概略平面図である。It is a schematic plan view of the light-emitting device of further another embodiment of this invention. 図9Aの矢印E側から見た側面図である。It is the side view seen from the arrow E side of FIG. 9A. 図9AのF−F’線断面図である。It is the F-F 'sectional view taken on the line of FIG. 9A. 図9AのG−G’線断面図である。FIG. 9B is a sectional view taken along line G-G ′ of FIG. 9A. 図9Aの発光装置における基体の平面図である。It is a top view of the base | substrate in the light-emitting device of FIG. 9A. 本発明のさらに別の実施の形態の発光装置における接続端子の凸部の形状を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows the shape of the convex part of the connecting terminal in the light-emitting device of further another embodiment of this invention. 本発明のさらに別の実施の形態の発光装置の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the light-emitting device of another embodiment of this invention. 本発明のさらに別の実施の形態の発光装置の概略部分平面透視図である。It is a general | schematic partial plane perspective view of the light-emitting device of another embodiment of this invention. 図12Aの側面図である。FIG. 12B is a side view of FIG. 12A. 図12Aの断面図である。It is sectional drawing of FIG. 12A. 図12Aの発光装置における基体の平面図である。It is a top view of the base | substrate in the light-emitting device of FIG. 12A. 図12Aの発光装置における基体の断面図である。It is sectional drawing of the base | substrate in the light-emitting device of FIG. 12A. 図12Aの発光装置における基体の裏面図である。FIG. 12B is a rear view of the base in the light emitting device of FIG. 12A. 図12Aの発光装置の製造方法を説明するための基体の概略部分平面図である。It is a general | schematic fragmentary top view of the base | substrate for demonstrating the manufacturing method of the light-emitting device of FIG. 12A. 本発明のさらに別の実施の形態の発光装置の概略平面透視図である。It is a schematic plane perspective view of the light-emitting device of further another embodiment of this invention. 図13Aの側面図である。FIG. 13B is a side view of FIG. 13A. 図13Aの断面図である。It is sectional drawing of FIG. 13A. 図13Aの発光装置における基体の平面図である。It is a top view of the base | substrate in the light-emitting device of FIG. 13A. 図13Aの発光装置における基体の断面図である。It is sectional drawing of the base | substrate in the light-emitting device of FIG. 13A. 図13Aの発光装置における基体の裏面図である。It is a back view of the base | substrate in the light-emitting device of FIG. 13A. 図13Aの発光装置の製造方法を説明するための基体の概略部分平面図である。It is a general | schematic fragmentary top view of the base | substrate for demonstrating the manufacturing method of the light-emitting device of FIG. 13A.

以下、発明の実施の形態について適宜図面を参照して説明する。ただし、以下に説明する発光装置は、本発明の技術思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り、本発明を以下のものに限定しない。また、一の実施の形態、実施例において説明する内容は、他の実施の形態、実施例にも適用可能である。
各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していることがある。
Hereinafter, embodiments of the invention will be described with reference to the drawings as appropriate. However, the light-emitting device described below is for embodying the technical idea of the present invention, and the present invention is not limited to the following unless otherwise specified. The contents described in one embodiment and example are applicable to other embodiments and examples.
The size and positional relationship of the members shown in each drawing may be exaggerated for clarity of explanation.

本発明の発光装置は、一対の接続端子を備える基体と、発光素子と、光反射性部材とを備える。この発光装置は、どのような実装形態に利用されるものでもよいが、サイドビュー型、いわゆる側面発光型と称される実装形態で実装される発光装置、つまり、光取り出し面に隣接する面を実装面とするものであることが好ましい。   The light emitting device of the present invention includes a base body including a pair of connection terminals, a light emitting element, and a light reflecting member. This light emitting device may be used in any mounting form, but a light emitting device mounted in a mounting form called a side view type, so-called side light emitting type, that is, a surface adjacent to the light extraction surface. A mounting surface is preferable.

本明細書においては、発光装置の光取り出し面を上面、光取り出し面に隣接又は交差する面を側面と称し、側面のうちの1つを発光装置の実装面と称する。これに伴って、発光装置を構成する各要素又は各部材の面のうち、発光装置の光取り出し面に対応する面を第1主面(つまり、上面)と、第1主面の反対側の面を第2主面(つまり、下面)と、第1主面と第2主面に隣接又は交差する面(つまり、発光装置の側面に対応する面)を端面と称することがある。   In this specification, the light extraction surface of the light emitting device is referred to as an upper surface, the surface adjacent to or intersecting with the light extraction surface is referred to as a side surface, and one of the side surfaces is referred to as a mounting surface of the light emitting device. Accordingly, the surface corresponding to the light extraction surface of the light emitting device among the surfaces of each element or each member constituting the light emitting device is the first main surface (that is, the upper surface) and the opposite side of the first main surface. The surface may be referred to as a second main surface (that is, the lower surface), and a surface that is adjacent to or intersects with the first main surface and the second main surface (that is, a surface corresponding to the side surface of the light emitting device).

〔基体〕
基体は、少なくとも第1主面に正負に対応する一対の接続端子を備える。これら接続端子は、通常、母材の少なくとも第1主面に形成されている。ここでの第1主面とは、基体又は母材の一方の表面を指す。
基体の形状は特に限定されないが、通常、後述する母材の形状に相当する形状となる。例えば、少なくとも第1主面が、長手方向に長いことが好ましく、さらに、長手方向に直交する短手方向を備えることがより好ましい。
[Substrate]
The base body includes a pair of connection terminals corresponding to positive and negative at least on the first main surface. These connection terminals are usually formed on at least the first main surface of the base material. The 1st main surface here refers to one surface of a base or a base material.
The shape of the substrate is not particularly limited, but is usually a shape corresponding to the shape of a base material described later. For example, it is preferable that at least the first main surface is long in the longitudinal direction, and it is more preferable that a short direction perpendicular to the longitudinal direction is provided.

(母材)
母材は、どのような材料によって形成されていてもよい。例えば、金属、セラミック、樹脂、誘電体、パルプ、ガラス、紙又はこれらの複合材料、あるいはこれら材料と導電材料(例えば、金属、カーボン等)との複合材料等が挙げられる。金属としては、銅、鉄、ニッケル、クロム、アルミニウム、銀、金、チタン又はこれらの合金を含むものが挙げられる。樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン(BT)樹脂、ポリイミド樹脂等が挙げられる。樹脂には、酸化チタンなどの白色顔料が含有されていてもよい。なかでも、セラミック、複合樹脂であることが好ましい。
母材がこのような材料によって形成される場合には、公知の製造技術を適用することで安価に調達することができる。
(Base material)
The base material may be formed of any material. For example, a metal, ceramic, resin, dielectric, pulp, glass, paper, or a composite material thereof, or a composite material of these materials and a conductive material (for example, metal, carbon, etc.) can be used. Examples of the metal include those containing copper, iron, nickel, chromium, aluminum, silver, gold, titanium, or alloys thereof. Examples of the resin include an epoxy resin, a bismaleimide triazine (BT) resin, and a polyimide resin. The resin may contain a white pigment such as titanium oxide. Of these, ceramics and composite resins are preferable.
When the base material is formed of such a material, it can be procured at low cost by applying a known manufacturing technique.

セラミックは、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、窒化ジルコニウム、酸化チタン、窒化チタン又はこれらの混合物を含むものが挙げられ、放熱性の高い窒化アルミ等を用いることが好ましい。複合樹脂は、ガラスエポキシ樹脂を用いることが好ましい。なお、母材は適度の強度を確保したものであってもよいし、いわゆるフレキシブル性を有するものであってもよい。   Examples of the ceramic include aluminum oxide, aluminum nitride, zirconium oxide, zirconium nitride, titanium oxide, titanium nitride, or a mixture thereof, and it is preferable to use aluminum nitride having high heat dissipation. The composite resin is preferably a glass epoxy resin. Note that the base material may have a moderate strength or may have so-called flexibility.

1つの発光装置における母材の形状、大きさ、厚み等は特に限定されるものではなく、適宜設定することができる。その第1主面の(平面)形状は、例えば、円形、四角形等の多角形又はこれらに近い形状が挙げられ、なかでも長方形が好ましい。大きさは、後述する発光素子よりも大きい平面積であることが好ましく、特に、発光素子の一辺の2〜5倍程度の長さを有する大きさが好ましい。厚みは、50〜300μm程度が挙げられる。   The shape, size, thickness, and the like of the base material in one light emitting device are not particularly limited, and can be set as appropriate. Examples of the (planar) shape of the first main surface include a circular shape, a polygonal shape such as a quadrangle, or a shape close to these, and a rectangular shape is preferable among them. The size is preferably a larger area than the light emitting element described later, and in particular, a size having a length of about 2 to 5 times one side of the light emitting element is preferable. As for thickness, about 50-300 micrometers is mentioned.

(接続端子)
一対の接続端子は、基体の少なくとも第1主面上に形成されていればよい。
例えば、接続端子は、第1主面から、第1主面と第2主面との間に存在する面(つまり、端面)の上に延長して設けられているか、第1主面から、第1主面と第2主面との間に存在する端面の上を通って、さらに、第2主面上に延長して(例えば、断面視、U字状に)設けられていることが好ましい(図2の接続端子3、図8Cの接続端子43等参照)。ここで端面とは、第1主面と第2主面との間に存在する1つの端面の一部又は全部を意味するが、第1主面と第2主面との間に存在する特定の端面の一部又は全部に加えて、この特定の端面に隣接する1つ又は2つの端面の一部を含んでいてもよい。
(Connecting terminal)
The pair of connection terminals may be formed on at least the first main surface of the base.
For example, the connection terminal is provided extending from the first main surface on the surface (that is, the end surface) existing between the first main surface and the second main surface, or from the first main surface, It passes over the end surface existing between the first main surface and the second main surface, and further extends on the second main surface (for example, in a cross-sectional view, in a U shape). Preferred (see connection terminal 3 in FIG. 2, connection terminal 43 in FIG. 8C, etc.). Here, the end surface means a part or all of one end surface existing between the first main surface and the second main surface, but the specific existing between the first main surface and the second main surface. In addition to a part or all of the end face, a part of one or two end faces adjacent to the specific end face may be included.

接続端子は、基体の第1主面上において、発光素子と接続される部位が、接続端子の表面から突出した凸部を備えている。以下、この部位を「素子接続部」ということがある。
凸部の形状、高さ、大きさ等は特に限定されるものではなく、基体の大きさ、接続端子の厚み、発光素子の大きさ等によって適宜調整することができる。
凸部は、例えば、後述する発光素子に形成されている一対の電極のそれぞれに対応する形状、大きさ及び位置に配置されていることが好ましい。また、凸部の平面形状は、円、楕円又は環、三角形又は四角形等の多角形あるいはこれらの角が丸められた形状、X、L、E、V字状等の多角形あるいはこれらの角が丸められた形状等が挙げられる。なかでも、凸部の平面視における外形の少なくとも一部が発光素子の電極の外形と一致する形状であることが好ましい。これによって、後述するように、セルフアライメント効果で実装性を向上させることができる。また、X形状等のように多角形の辺の一部(例えば、中央部)が内側に凹んだ形状が好ましい。凹んだ部分において溶融性部材を貯めやすく、発光素子の実装を安定させることができる。
凸部の側面における傾斜は垂直に近いほうが好ましい。これにより、その上に載置する発光素子が移動しにくくなり、発光素子の実装を安定させることができる。
In the connection terminal, a portion connected to the light emitting element on the first main surface of the base includes a protrusion protruding from the surface of the connection terminal. Hereinafter, this part may be referred to as an “element connection part”.
The shape, height, size, and the like of the convex portion are not particularly limited, and can be appropriately adjusted depending on the size of the base, the thickness of the connection terminal, the size of the light emitting element, and the like.
For example, it is preferable that the convex portions are arranged in shapes, sizes, and positions corresponding to each of a pair of electrodes formed in the light emitting element described later. Further, the planar shape of the convex portion is a polygon such as a circle, an ellipse or a ring, a triangle or a quadrangle, a shape obtained by rounding these corners, a polygon such as an X, L, E, or V shape, or these corners. Examples include rounded shapes. Especially, it is preferable that at least a part of the outer shape of the convex portion in plan view is a shape that matches the outer shape of the electrode of the light emitting element. Thereby, as will be described later, the mountability can be improved by the self-alignment effect. Moreover, the shape where a part (for example, center part) of a polygon side was dented inside is preferable like X shape. It is easy to store the meltable member in the recessed portion, and the mounting of the light emitting element can be stabilized.
The inclination on the side surface of the convex portion is preferably close to vertical. Thereby, it becomes difficult for the light emitting element mounted on it to move, and the mounting of the light emitting element can be stabilized.

発光素子と接続される部位は、一対の接続端子では、通常、基体の第1主面上において、互いに離間している。従って、凸部は、接続端子の縁部に隣接して又は縁部から離間して、一部隣接して又は一部離間して配置することができる。なかでも、凸部の全縁部が、接続端子の縁部から離間してその内側に配置されていることが好ましい(例えば、図3の凸部3a、図5Aの凸部13a、図8E及び図9Eの凸部43a参照)。このような凸部の配置により、発光素子の実装時において、後述する溶融状態の溶融性部材が凸部上から流れたとしても、凸部の周りに貯まりやすく、一対の接続端子の短絡、意図しない領域への溶融性部材の浸入を防止することができる。よって、意図する部位に正確に発光素子を固定することができる。また、発光素子の実装のための溶融性部材等又はこれらに含まれるフラックスなどが、接続端子表面に沿って、後述する光反射性部材下、さらに発光素子下にまで浸入することを抑制することができる。   In the pair of connection terminals, the portions connected to the light emitting element are usually separated from each other on the first main surface of the base. Therefore, the convex portion can be arranged adjacent to or apart from the edge of the connection terminal and partially adjacent or partially separated. Especially, it is preferable that the whole edge part of a convex part is spaced apart from the edge part of a connection terminal, and is arrange | positioned inside it (for example, the convex part 3a of FIG. 3, the convex part 13a of FIG. 5A, FIG. (Refer to the convex part 43a of FIG. 9E). Due to the arrangement of the projections, even when a meltable member to be described later flows from the projection when the light emitting element is mounted, it is easy to collect around the projection, and the short circuit between the pair of connection terminals, the intention It is possible to prevent the meltable member from entering the area that is not. Therefore, the light emitting element can be accurately fixed to the intended site. Further, it is possible to prevent a meltable member or the like for mounting the light emitting element or a flux contained therein from penetrating under the light reflecting member (to be described later) and further below the light emitting element along the connection terminal surface. Can do.

凸部の高さは、例えば、基体の第1主面上における接続端子の最も薄膜の部位よりも突出していればよく、最も薄膜の部位の厚みの10%以上、20%以上、30%以上、40%以上、50%以上、100%以上であることが好ましい。言い換えると、接続端子は、通常、第1主面における最も薄膜部分の厚みが10〜40μm程度である場合、凸部の厚みは1〜40μm程度が挙げられる。   For example, the height of the convex portion only needs to protrude from the thinnest part of the connection terminal on the first main surface of the base, and is 10% or more, 20% or more, 30% or more of the thickness of the thinnest part. , 40% or more, 50% or more, preferably 100% or more. In other words, when the thickness of the thinnest portion of the first main surface is about 10 to 40 μm, the connection terminal has a thickness of about 1 to 40 μm.

接続端子は、例えば、Au、Pt、Pd、Rh、Ni、W、Mo、Cr、Ti、Fe、Cu、Al、Ag等の金属又はこれらの合金の単層膜又は積層膜によって形成することができる。なかでも、導電性及び実装性に優れているものが好ましく、発光装置の実装に用いられる半田との接合性及び濡れ性の良い材料がより好ましい。特に、放熱性の観点においては銅又は銅合金が好ましい。接続端子の表面には、銀、プラチナ、錫、金、銅、ロジウム又はこれらの合金などの光反射性の高い被膜が形成されていてもよい。接続端子は、具体的には、W/Ni/Au、W/Ni/Pd/Au、W/NiCo/Pd/Auなどの積層構造が挙げられる。
接続端子は、部分的に厚み又は積層数が異なっていてもよい(図8B及び図9Bの接続端子43、図8C及び図9Cの凸部43a参照)。
The connection terminal may be formed of, for example, a single layer film or a multilayer film of a metal such as Au, Pt, Pd, Rh, Ni, W, Mo, Cr, Ti, Fe, Cu, Al, Ag, or an alloy thereof. it can. Among these, materials excellent in conductivity and mountability are preferable, and materials having good bondability and wettability with solder used for mounting the light emitting device are more preferable. In particular, copper or a copper alloy is preferable from the viewpoint of heat dissipation. A film having high light reflectivity such as silver, platinum, tin, gold, copper, rhodium, or an alloy thereof may be formed on the surface of the connection terminal. Specific examples of the connection terminal include a laminated structure of W / Ni / Au, W / Ni / Pd / Au, W / NiCo / Pd / Au, and the like.
The connection terminals may partially differ in thickness or number of layers (see the connection terminals 43 in FIGS. 8B and 9B, and the protrusions 43a in FIGS. 8C and 9C).

接続端子は、配線、リードフレーム等を利用してもよいし、母材の表面への蒸着、スパッタリング法、メッキ等によって形成することができる。なかでも、メッキを利用することが好ましい。特に、凸部は、少なくとも第1主面上に、上述した金属又は合金の単層膜又は積層膜を形成した後、マスクを利用して、その単層膜又は積層膜の上に金属又は合金の単層膜又は積層膜をさらに積層することにより形成することができる。また、凸部は、基体表面メッキ等で厚膜を形成した後、エッチングで凸部以外の部分を除去して形成することができる。この方法によれば、凸部の側面の傾斜を垂直に近づけ易い。また、複合基板を用いる場合でも、メッキの厚み(凸部の高さ)のばらつきを少なくすることができるため、量産性を向上させることができる。接続端子の厚みは、数μmから数百μmが挙げられる。   The connection terminal may use wiring, a lead frame, or the like, or can be formed by vapor deposition on the surface of a base material, sputtering, plating, or the like. Among these, it is preferable to use plating. In particular, the protrusion is formed on the single-layer film or the laminated film by using a mask after forming the above-described single-layer film or laminated film of the metal or alloy on at least the first main surface. It can be formed by further laminating a single layer film or a laminated film. The convex portion can be formed by forming a thick film by substrate surface plating or the like and then removing portions other than the convex portion by etching. According to this method, it is easy to make the inclination of the side surface of the convex portion close to vertical. Further, even when a composite substrate is used, variation in plating thickness (height of convex portions) can be reduced, so that mass productivity can be improved. The thickness of the connection terminal is from several μm to several hundred μm.

接続端子の縁部の一部は、基体の第1主面の縁部の一部に一致するように形成することが好ましい。言い換えると、接続端子の端面の一部と基体の端面の一部とが同一面を形成するように形成することが好ましい。これにより、発光装置の実装性を向上させることができる。ここで同一面とは、段差がない又はほとんどないことを意味し、数μmから数十μm程度の凹凸は許容されることを意味する。本願明細書において以下同じである。   It is preferable that a part of the edge of the connection terminal is formed so as to coincide with a part of the edge of the first main surface of the base. In other words, it is preferable that a part of the end face of the connection terminal and a part of the end face of the base are formed so as to form the same plane. Thereby, the mountability of the light emitting device can be improved. Here, the same surface means that there is no or almost no step, and irregularities of about several μm to several tens of μm are allowed. The same applies hereinafter in this specification.

接続端子は、第1主面において、上述した発光素子の電極と接続される素子接続部と、発光装置の外部と接続される外部接続部とを有することが好ましい。特に、外部接続部は、基体の第1主面に加えて、さらに基体の第2主面上に延長していることがより好ましい。通常、素子接続部は第1主面上に配置され、外部接続部は、第1主面上、第1主面及び端面上又は第1主面、端面及び第2主面上に配置される。   The connection terminal preferably has, on the first main surface, an element connection portion connected to the above-described electrode of the light emitting element and an external connection portion connected to the outside of the light emitting device. In particular, it is more preferable that the external connection portion further extends on the second main surface of the base in addition to the first main surface of the base. Usually, the element connection portion is arranged on the first main surface, and the external connection portion is arranged on the first main surface, the first main surface and the end surface, or on the first main surface, the end surface and the second main surface. .

接続端子は、第1主面上、端面上及び/又は第2主面上にわたって、必ずしも同じ幅(例えば、基体の短手方向の長さ)でなくてもよく、一部のみ幅狭又は幅広に形成されていてもよい。あるいは、基体の第1主面及び/又は第2主面において、幅狭となるように、接続端子の一部が絶縁材料(例えば、母材等)により被覆されていてもよい。このような幅狭部位は、基体の少なくとも第1主面上に配置されることが好ましく(図3の接続端子3参照)、第1主面及び第2主面上の双方に配置されていてもよい(図8D及び図8Fの接続端子43参照)。特に、幅狭部位は、基体の第1主面上では、後述する光反射性部材の近傍において配置されることがより好ましい。幅狭部位を配置することにより、接続端子に接続される、後述するような半田等又はこれらに含まれるフラックスなどが、端子表面に沿って、後述する光反射性部材下、さらに発光素子下にまで浸入することを抑制することができる。   The connection terminals do not necessarily have the same width (for example, the length in the short direction of the substrate) over the first main surface, the end surface, and / or the second main surface, and only a part thereof is narrow or wide. It may be formed. Alternatively, a part of the connection terminal may be covered with an insulating material (for example, a base material) so as to be narrow on the first main surface and / or the second main surface of the base. Such a narrow portion is preferably disposed on at least the first main surface of the base (see connection terminal 3 in FIG. 3), and is disposed on both the first main surface and the second main surface. (Refer to the connection terminal 43 in FIGS. 8D and 8F). In particular, it is more preferable that the narrow portion is disposed in the vicinity of the light reflecting member described later on the first main surface of the base. By arranging the narrow portion, the solder or the like as will be described later, or the flux contained therein, which is connected to the connection terminal, along the surface of the terminal, below the light reflecting member to be described later, and further below the light emitting element. It is possible to suppress the intrusion.

幅狭部位は、素子接続部よりも幅狭であることが好ましい。また、幅狭部位は、なだらかに幅狭になることが好ましい(例えば、図8Eの接続端子43参照)。   The narrow portion is preferably narrower than the element connection portion. Further, it is preferable that the narrow portion is gradually narrowed (see, for example, the connection terminal 43 in FIG. 8E).

なお、接続端子が第1主面上から第2主面にそれぞれ延長する場合、必ずしも端面上を通らず、母材に設けられたスルーホールを経て延長していてもよい。   When the connection terminal extends from the first main surface to the second main surface, the connection terminal does not necessarily pass through the end surface and may extend through a through hole provided in the base material.

また、発光素子に電気的に接続される接続端子の他に、さらに、放熱用の端子、ヒートシンク、補強部材等を有していてもよい(例えば、図8B及び図9Bの補強端子43c参照)。これらは、第1主面、第2主面、端面のいずれに配置されていてもよく、特に、発光素子及び/又は光反射性部材の下方に配置されていることが好ましい。これにより、発光装置の強度を高め、信頼性を高めることができる。また、光反射性部材が金型を用いて成形される場合には、基体のゆがみが低減され、光反射性部材の成形性を向上させることができる。
放熱用の端子又は補強端子が接続端子の間に設けられる場合、ソルダーレジスト等の絶縁性の膜で被覆されていること又はそれぞれの端子の間に絶縁性の膜が設けられていることが好ましい。これにより、接続端子間と放熱用の端子または補強端子との溶融性部材のブリッジを防止することができる。
Further, in addition to the connection terminal electrically connected to the light emitting element, a heat radiating terminal, a heat sink, a reinforcing member, and the like may be included (see, for example, the reinforcing terminal 43c in FIGS. 8B and 9B). . These may be disposed on any of the first main surface, the second main surface, and the end surface, and particularly preferably disposed below the light emitting element and / or the light reflecting member. Thereby, the intensity | strength of a light-emitting device can be raised and reliability can be improved. Further, when the light reflective member is molded using a mold, the distortion of the substrate is reduced, and the moldability of the light reflective member can be improved.
When the heat radiating terminal or the reinforcing terminal is provided between the connection terminals, it is preferable that the terminal is covered with an insulating film such as a solder resist or an insulating film is provided between the terminals. . Thereby, the bridge | crosslinking of the meltable member between the connection terminals and the terminal for thermal radiation or the reinforcement terminal can be prevented.

さらに、1つの発光装置に発光素子が複数配置される場合、複数の発光素子を電気的に接続するさらなる接続端子を1以上備えていてもよい。この場合、1つの基体に実装される発光素子の数、その配列、接続形態(並列及び直列)等によって、接続端子の形状及び位置等を適宜設定することができる(図6の端子25参照)。この接続端子は、発光素子と接続する部位において、上述した凸部を備える。   Further, in the case where a plurality of light emitting elements are arranged in one light emitting device, one or more additional connection terminals for electrically connecting the plurality of light emitting elements may be provided. In this case, the shape and position of the connection terminal can be appropriately set depending on the number of light-emitting elements mounted on one substrate, the arrangement thereof, the connection form (parallel and series), and the like (see the terminal 25 in FIG. 6). . This connection terminal is provided with the above-described convex portion at a portion connected to the light emitting element.

接続端子は、凸部以外の第1主面は、平坦であることが好ましい。また、接続端子の第1主面及び凸部の表面は、発光素子が基体に搭載された場合に、発光面を水平に配置することができるように、基体の第1主面に水平であることが好ましい。   As for a connection terminal, it is preferable that the 1st main surface other than a convex part is flat. Further, the first main surface of the connection terminal and the surface of the convex portion are horizontal to the first main surface of the base so that the light emitting surface can be arranged horizontally when the light emitting element is mounted on the base. It is preferable.

基体は、それ自体がコンデンサ、バリスタ、ツェナーダイオード、ブリッジダイオード等の保護素子を構成するものであってもよいし、これら素子の機能を果たす構造をその一部に備えるものでもよい。このような素子機能を果たすものを利用することにより、別途部品を搭載することなく、発光装置として機能させることができる。その結果、静電耐圧等を向上させた高性能の発光装置を、より小型化することが可能となる。   The substrate itself may constitute a protective element such as a capacitor, a varistor, a Zener diode, or a bridge diode, or may include a part of the structure that functions as these elements. By using a device that performs such an element function, it is possible to function as a light emitting device without separately mounting components. As a result, it is possible to further reduce the size of a high-performance light-emitting device with improved electrostatic withstand voltage and the like.

〔発光素子〕
発光素子は、基体上に搭載されており、基体の第1主面において、第1主面上の接続端子と接続されている。
1つの発光装置に搭載される発光素子は1つでもよいし、複数でもよい。発光素子の大きさ、形状、発光波長は適宜選択することができる。複数の発光素子が搭載される場合、その配置は不規則でもよく、行列など規則的又は周期的に配置されてもよい。また、複数の発光素子は、直列、並列、直並列又は並直列のいずれの接続形態でもよい。
[Light emitting element]
The light emitting element is mounted on the base, and is connected to the connection terminal on the first main surface on the first main surface of the base.
There may be one light emitting element or a plurality of light emitting elements mounted on one light emitting device. The size, shape, and emission wavelength of the light-emitting element can be selected as appropriate. When a plurality of light emitting elements are mounted, the arrangement may be irregular, and may be arranged regularly or periodically such as a matrix. In addition, the plurality of light emitting elements may be connected in any of series, parallel, series parallel, or parallel series.

本発明の発光装置における発光素子は、半導体積層体として、第1半導体層(例えば、n型半導体層)、発光層、第2半導体層(例えば、p型半導体層)がこの順に積層され、同一面側(例えば、第2半導体層側の面)に、第1半導体層に電気的に接続される第1電極と、第2半導体層に電気的に接続される第2電極との双方を有する。半導体積層体は、通常、半導体層の成長用の基板上に積層されるが、発光素子としては、成長用の基板を伴っていてもよいし、基板が除去されたものでもよい。   The light-emitting element in the light-emitting device of the present invention includes a semiconductor stacked body in which a first semiconductor layer (for example, an n-type semiconductor layer), a light-emitting layer, and a second semiconductor layer (for example, a p-type semiconductor layer) are stacked in this order. On the surface side (for example, the surface on the second semiconductor layer side), both the first electrode electrically connected to the first semiconductor layer and the second electrode electrically connected to the second semiconductor layer are provided. . The semiconductor stacked body is usually stacked on a substrate for growth of a semiconductor layer. However, the light emitting element may be accompanied by a growth substrate or may be a substrate from which the substrate has been removed.

第1半導体層、発光層及び第2半導体層の種類、材料は特に限定されるものではなく、例えば、III−V族化合物半導体、II−VI族化合物半導体等、種々の半導体が挙げられる。具体的には、InAlGa1−X−YN(0≦X、0≦Y、X+Y≦1)等の窒化物系の半導体材料が挙げられ、InN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlN等を用いることができる。各層の膜厚及び層構造は、当該分野で公知のものを利用することができる。 The types and materials of the first semiconductor layer, the light emitting layer, and the second semiconductor layer are not particularly limited, and examples thereof include various semiconductors such as III-V group compound semiconductors and II-VI group compound semiconductors. Specific examples thereof include nitride-based semiconductor materials such as In X Al Y Ga 1-XY N (0 ≦ X, 0 ≦ Y, X + Y ≦ 1), and include InN, AlN, GaN, InGaN, and AlGaN. InGaAlN or the like can be used. As the film thickness and layer structure of each layer, those known in the art can be used.

半導体層の成長用の基板としては、半導体層をエピタキシャル成長させることができるものが挙げられる。このような基板の材料としては、サファイア(Al)、スピネル(MgA1)のような絶縁性基板、上述した窒化物系の半導体基板等が挙げられる。半導体層の成長用の基板として、サファイア基板のような透光性を有する基板を用いることにより、半導体積層体から除去せず発光装置に用いることができる。
基板は、表面に複数の凸部又は凹凸を有するものであってもよい。また、C面、A面等の所定の結晶面に対して0〜10°程度のオフ角を有するものであってもよい。
基板は、第1半導体層との間に、中間層、バッファ層、下地層等の半導体層又は絶縁層等を有していてもよい。
Examples of the substrate for growing the semiconductor layer include a substrate capable of epitaxially growing the semiconductor layer. Examples of such a substrate material include an insulating substrate such as sapphire (Al 2 O 3 ) and spinel (MgA1 2 O 4 ), the above-described nitride-based semiconductor substrate, and the like. By using a light-transmitting substrate such as a sapphire substrate as a substrate for growing a semiconductor layer, the substrate can be used for a light-emitting device without being removed from the semiconductor stacked body.
The substrate may have a plurality of convex portions or irregularities on the surface. Moreover, you may have an off angle of about 0-10 degree with respect to predetermined crystal planes, such as C surface and A surface.
The substrate may have a semiconductor layer such as an intermediate layer, a buffer layer, or a base layer, an insulating layer, or the like between the first semiconductor layer.

半導体層の成長用の基板は、この成長用の基板側から半導体層に、基板を透過するレーザ光(例えば、KrFエキシマレーザ)を照射し、半導体層と基板との界面で分解反応を生じさせ、基板を半導体層から分離する、レーザリフトオフ法等を利用して除去することができる。ただし、成長用の基板は、半導体層から完全に除去されたものに加えて、半導体層の端部又は隅部に若干の基板が残存したものであってもよい。成長用の基板の除去は、発光素子が基体に実装された前後のいずれに行ってもよい。   The semiconductor layer growth substrate irradiates the semiconductor layer from the growth substrate side with laser light (for example, KrF excimer laser) that passes through the substrate to cause a decomposition reaction at the interface between the semiconductor layer and the substrate. The substrate can be removed from the semiconductor layer by using a laser lift-off method or the like. However, the growth substrate may be a substrate in which some of the substrate remains in the end portion or corner portion of the semiconductor layer in addition to the substrate completely removed from the semiconductor layer. The substrate for growth may be removed before or after the light emitting element is mounted on the substrate.

半導体積層体は、半導体層の成長用の基板が除去されたものである場合、より薄型化、小型化を実現する発光装置を得ることができる。また、発光に直接寄与しない層を除去することにより、これに起因する発光層から出射される光の吸収を阻止することができる。よって、より発光効率を向上させることができる。その結果、発光輝度を高めることが可能となる。   When the semiconductor stacked body is obtained by removing the substrate for growing the semiconductor layer, a light emitting device that can be made thinner and smaller can be obtained. Further, by removing a layer that does not directly contribute to light emission, absorption of light emitted from the light emitting layer due to this can be prevented. Therefore, the light emission efficiency can be further improved. As a result, it is possible to increase the light emission luminance.

半導体積層体は、平面視における形状は特に限定されるものではなく、四角形又はこれに近似する形状が好ましい。半導体積層体の大きさは、発光装置の大きさによって、その上限を適宜調整することができる。具体的には、半導体積層体の一辺の長さが、数百μmから10mm程度が挙げられる。   The shape of the semiconductor laminate in plan view is not particularly limited, and a quadrangle or a shape approximate to this is preferable. The upper limit of the size of the semiconductor stacked body can be adjusted as appropriate depending on the size of the light emitting device. Specifically, the length of one side of the semiconductor stacked body is about several hundred μm to 10 mm.

(第1電極及び第2電極)
第1電極及び第2電極は、半導体積層体の同一面側(基板が存在する場合にはその反対側の面)に形成されていることが好ましい。これにより、基体の正負の接続端子と発光素子の第1電極と第2電極を対向させて接合するフリップチップ実装を行うことができる。
(First electrode and second electrode)
The first electrode and the second electrode are preferably formed on the same side of the semiconductor stacked body (on the opposite side when a substrate is present). Thereby, flip chip mounting can be performed in which the positive and negative connection terminals of the substrate and the first electrode and the second electrode of the light emitting element are opposed to each other.

第1電極及び第2電極は、例えば、Au、Pt、Pd、Rh、Ni、W、Mo、Cr、Ti等の金属又はこれらの合金の単層膜又は積層膜によって形成することができる。具体的には、半導体層側からTi/Rh/Au、W/Pt/Au、Rh/Pt/Au、W/Pt/Au、Ni/Pt/Au、Ti/Rh等のように積層された積層膜が挙げられる。膜厚は、当該分野で用いられる膜の膜厚のいずれでもよい。   The first electrode and the second electrode can be formed of, for example, a single layer film or a laminated film of a metal such as Au, Pt, Pd, Rh, Ni, W, Mo, Cr, Ti, or an alloy thereof. Specifically, the laminated layers are Ti / Rh / Au, W / Pt / Au, Rh / Pt / Au, W / Pt / Au, Ni / Pt / Au, Ti / Rh, etc. from the semiconductor layer side. A membrane is mentioned. The film thickness may be any film thickness used in this field.

また、第1電極及び第2電極は、それぞれ第1半導体層及び第2半導体層に近い側に、発光層から出射される光に対する反射率が電極のその他の材料より高い材料層が、これら電極の一部として配置されることが好ましい。
反射率が高い材料としては、銀又は銀合金やアルミニウムを有する層が挙げられる。銀合金としては、当該分野で公知の材料のいずれを用いてもよい。この材料層の厚みは、特に限定されるものではなく、発光素子から出射される光を効果的に反射することができる厚み、例えば、20nm〜1μm程度が挙げられる。この材料層の第1半導体層又は第2半導体層との接触面積は大きいほど好ましい。
In addition, the first electrode and the second electrode have a material layer having a higher reflectivity with respect to light emitted from the light emitting layer than other materials of the electrode on the side close to the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, respectively. It is preferable to be arranged as a part of
Examples of the material having high reflectance include a layer containing silver, a silver alloy, or aluminum. As the silver alloy, any material known in the art may be used. The thickness of the material layer is not particularly limited, and may be a thickness that can effectively reflect light emitted from the light emitting element, for example, about 20 nm to 1 μm. The larger the contact area of the material layer with the first semiconductor layer or the second semiconductor layer, the better.

なお、銀又は銀合金を用いる場合には、銀のマイグレーションを防止するために、その表面(好ましくは、上面及び端面)を被覆する被覆層を形成することが好ましい。
このような被覆層としては、通常、導電材料として用いられている金属及び合金によって形成されるものであればよく、例えば、アルミニウム、銅、ニッケル等の金属を含有する単層又は積層層が挙げられる。なかでも、AlCuを用いることが好ましい。被覆層の厚みは、効果的に銀のマイグレーションを防止するために、数百nm〜数μm程度が挙げられる。
In addition, when using silver or a silver alloy, in order to prevent silver migration, it is preferable to form a coating layer that covers the surface (preferably, the upper surface and the end surface).
As such a coating layer, what is necessary is just to be formed with the metal and alloy which are normally used as a conductive material, for example, the single layer or laminated layer containing metals, such as aluminum, copper, and nickel, is mentioned. It is done. Of these, AlCu is preferably used. The thickness of the coating layer is about several hundred nm to several μm in order to effectively prevent silver migration.

第1電極及び第2電極は、それぞれ第1半導体層及び第2半導体層に電気的に接続されている限り、電極の全面が半導体層に接触されていなくてもよいし、第1電極の一部が第1半導体層の上に及び/又は第2電極の一部が第2半導体層の上に位置していなくてもよい。つまり、例えば、絶縁膜等を介して、第1電極が第2半導体層上に配置されていてもよいし、第2電極が第1半導体層上に配置されていてもよい。これにより、第1電極または第2電極の形状を容易に変更することができるため、一対の接続端子に容易に実装することができる。   As long as the first electrode and the second electrode are electrically connected to the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, respectively, the entire surface of the electrode may not be in contact with the semiconductor layer. The part may not be located on the first semiconductor layer and / or part of the second electrode may be located on the second semiconductor layer. That is, for example, the first electrode may be disposed on the second semiconductor layer via an insulating film or the like, or the second electrode may be disposed on the first semiconductor layer. Thereby, since the shape of a 1st electrode or a 2nd electrode can be changed easily, it can mount in a pair of connecting terminal easily.

ここでの絶縁膜としては、特に限定されるものではなく、当該分野で使用されるものの単層膜及び積層膜のいずれでもよい。絶縁膜等を用いることにより、第1電極及び第2電極は、第1半導体層及び/又は第2半導体層の平面積にかかわらず、任意の大きさ及び位置に設定することができる。   The insulating film here is not particularly limited, and may be either a single layer film or a laminated film used in this field. By using an insulating film or the like, the first electrode and the second electrode can be set to an arbitrary size and position regardless of the plane area of the first semiconductor layer and / or the second semiconductor layer.

第1電極及び第2電極の形状は、半導体積層体の形状、基体の接続端子(特に、凸部)の形状等によって設定することができる。第1電極、第2電極及び接続端子(特に、凸部)は、それぞれが平面視四角形又はこれに近い形状とすることが好ましい。これにより、セルフアライメント効果により、半導体積層体と基体との接合及び位置合わせを容易に行うことができる。この場合、少なくとも、基体と接続される半導体積層体の最表面において、第1電極及び第2電極の平面形状が略同じであることが好ましい。また、半導体積層体の中央部分を挟んで、第1電極及び第2電極がそれぞれ対向するように配置されていることが好ましい。   The shapes of the first electrode and the second electrode can be set according to the shape of the semiconductor laminate, the shape of the connection terminal (particularly, the convex portion) of the base body, and the like. It is preferable that each of the first electrode, the second electrode, and the connection terminal (particularly the convex portion) has a square shape in plan view or a shape close thereto. Thereby, joining and position alignment of a semiconductor laminated body and a base | substrate can be easily performed by the self-alignment effect. In this case, it is preferable that the planar shapes of the first electrode and the second electrode are substantially the same at least on the outermost surface of the semiconductor stacked body connected to the substrate. Moreover, it is preferable that the first electrode and the second electrode are arranged so as to face each other across the central portion of the semiconductor stacked body.

第1電極及び第2電極の第1主面(半導体層とは反対側の面)は、段差を有していてもよいが、略平坦であることが好ましい。ここでの平坦とは、半導体積層体の第2主面(第1主面と反対側の面)から第1電極の第1主面までの高さと、半導体積層体の第2主面から第2電極の第1主面までの高さとが略同じであることを意味する。ここでの略同じとは、半導体積層体の高さの±10%程度の変動は許容される。   The first main surface (surface opposite to the semiconductor layer) of the first electrode and the second electrode may have a step, but is preferably substantially flat. Here, the term “flat” refers to the height from the second main surface (the surface opposite to the first main surface) of the semiconductor stacked body to the first main surface of the first electrode, and the second main surface of the semiconductor stacked body to the second main surface. It means that the height to the 1st main surface of 2 electrodes is substantially the same. Here, “substantially the same” allows a variation of about ± 10% of the height of the semiconductor stacked body.

このように、第1電極及び第2電極の第1主面を略平坦、つまり、実質的に両者を同一面に配置することにより、発光素子を基体に水平に実装することが容易となる。このような第1電極及び第2電極を形成するためには、例えば、電極上にメッキ等で金属膜を設け、その後、平坦となるよう研磨又は切削を行うことで実現することができる。   As described above, the first main surfaces of the first electrode and the second electrode are substantially flat, that is, by substantially disposing them on the same surface, it becomes easy to mount the light emitting element horizontally on the substrate. In order to form such a 1st electrode and a 2nd electrode, it can implement | achieve by providing a metal film by plating etc. on an electrode, for example, and polishing or cutting so that it may become flat after that.

第1電極及び第2電極と第1半導体層及び第2半導体層とのそれぞれの間に、両者の電気的な接続を阻害しない範囲で、DBR(分布ブラッグ反射器)層等を配置してもよい。
DBRは、例えば、任意に酸化膜等からなる下地層の上に、低屈折率層と高屈折率層とを積層させた多層構造であり、所定の波長光を選択的に反射する。具体的には屈折率の異なる膜を1/4波長の厚みで交互に積層することにより、所定の波長を高効率に反射させることができる。材料として、Si、Ti、Zr、Nb、Ta、Alからなる群より選択された少なくとも一種の酸化物または窒化物を含んで形成することができる。
A DBR (distributed Bragg reflector) layer or the like may be disposed between the first electrode and the second electrode and the first semiconductor layer and the second semiconductor layer in a range that does not hinder the electrical connection therebetween. Good.
The DBR has a multilayer structure in which a low refractive index layer and a high refractive index layer are laminated on an underlayer arbitrarily formed of an oxide film, for example, and selectively reflects light having a predetermined wavelength. Specifically, a predetermined wavelength can be reflected with high efficiency by alternately laminating films having different refractive indexes with a thickness of ¼ wavelength. As a material, it can be formed including at least one oxide or nitride selected from the group consisting of Si, Ti, Zr, Nb, Ta, and Al.

〔溶融性部材〕
発光素子は、通常、第1電極及び第2電極が、溶融性部材によって上述した基体の接続端子、特に、凸部の上、場合によってはさらに凸部側面に接合されている。このような溶融性部材は、当該分野で公知の材料のいずれをも用いることができる。溶融性部材としては、加熱によって溶融し得る材料、例えば、錫-ビスマス系、錫-銅系、錫-銀系、金-錫系などの半田、低融点金属などのろう材等が挙げられる。なかでも、半田を用いることにより、セルフアライメント効果によって、発光素子を適所に実装することが容易となり、量産性を向上させ、より小型の発光装置を製造することができる。
溶融性部材は、少なくとも凸部の上面を被覆している。溶融性部材は、凸部の側面の一部又は全部、さらに凸部周辺の接続端子の第1主面を被覆してもよい。
(Melting member)
In the light-emitting element, the first electrode and the second electrode are usually joined to the connection terminal of the substrate described above by the meltable member, in particular, on the convex portion, and in some cases, further on the side surface of the convex portion. For such a meltable member, any material known in the art can be used. Examples of the meltable member include materials that can be melted by heating, for example, solders such as tin-bismuth, tin-copper, tin-silver, and gold-tin, and brazing materials such as low melting point metals. In particular, by using solder, the light-emitting element can be easily mounted in place by the self-alignment effect, the mass productivity can be improved, and a smaller light-emitting device can be manufactured.
The meltable member covers at least the upper surface of the convex portion. The meltable member may cover a part or all of the side surface of the convex portion and further the first main surface of the connection terminal around the convex portion.

〔光反射性部材〕
光反射性部材は、光反射性を有し、少なくとも発光素子を被覆、固定又は封止する機能を有する部材である。また、上述した接続端子の凸部及び溶融性部材を埋め込む部材である。さらに、接続端子の凸部のうち、溶融性部材で被覆されていない部位、溶融性部材のうち発光素子の電極と接触していない部位、発光素子のうち、基体と対向する部位であって、溶融性部材と接触していない部位及びその端面の全てが、光反射性部材に接触し、被覆されていることが好ましい。このような配置によって、発光素子から出射される光を、基体、接続端子及び溶融性部材等によって吸収されることなく、光取り出し面側に効率的に取り出すことが可能となる。
(Light reflective member)
The light reflective member is a member having light reflectivity and a function of covering, fixing, or sealing at least the light emitting element. Moreover, it is a member which embeds the convex part of a connection terminal mentioned above, and a meltable member. Further, of the convex portion of the connection terminal, the part not covered with the meltable member, the part of the meltable member that is not in contact with the electrode of the light emitting element, and the part of the light emitting element that faces the substrate, It is preferable that all of the portions that are not in contact with the meltable member and the end surfaces thereof are in contact with and covered with the light reflective member. With such an arrangement, light emitted from the light emitting element can be efficiently extracted to the light extraction surface side without being absorbed by the substrate, the connection terminal, the meltable member, and the like.

光反射性部材の材料は特に限定されるものではなく、セラミック、樹脂、誘電体、パルプ、ガラス又はこれらの複合材料等が挙げられる。なかでも、任意の形状に容易に成形することができるという観点から、樹脂が好ましい。   The material of the light reflecting member is not particularly limited, and examples thereof include ceramic, resin, dielectric, pulp, glass, or a composite material thereof. Among these, a resin is preferable from the viewpoint that it can be easily formed into an arbitrary shape.

樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などが挙げられる。具体的には、エポキシ樹脂組成物、シリコーン樹脂組成物、シリコーン変性エポキシ樹脂などの変性エポキシ樹脂組成物;エポキシ変性シリコーン樹脂などの変性シリコーン樹脂組成物;ポリイミド樹脂組成物、変性ポリイミド樹脂組成物;ポリフタルアミド(PPA);ポリカーボネート樹脂;ポリフェニレンサルファイド(PPS);液晶ポリマー(LCP);ABS樹脂;フェノール樹脂;アクリル樹脂;PBT樹脂等の樹脂が挙げられる。   Examples of the resin include a thermosetting resin and a thermoplastic resin. Specifically, epoxy resin compositions, silicone resin compositions, modified epoxy resin compositions such as silicone-modified epoxy resins; modified silicone resin compositions such as epoxy-modified silicone resins; polyimide resin compositions, modified polyimide resin compositions; Polyphthalamide (PPA); polycarbonate resin; polyphenylene sulfide (PPS); liquid crystal polymer (LCP); ABS resin; phenol resin; acrylic resin;

光反射性部材は、発光素子からの光に対する反射率が60%以上である材料、より好ましくは70%、80%又は90%以上の材料によって形成されているものが好ましい。
そのために、上述した材料、例えば、樹脂に、二酸化チタン、二酸化ケイ素、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライト、酸化ニオブ、硫酸バリウム、各種希土類酸化物(例えば、酸化イットリウム、酸化ガドリニウム)などの光反射材、光散乱材又はカーボンブラック等の着色剤等を含有させることが好ましい。
光反射性部材は、ガラスファイバー、ワラストナイトなどの繊維状フィラー、カーボン等の無機フィラーを含有させてもよい。また、放熱性の高い材料(例えば、窒化アルミ等)を含有させてもよい。さらに、光反射性部材には、後述する蛍光体を含有させてもよい。
これらの添加物は、例えば、光反射性部材の全重量に対して、10〜40重量%程度含有させることが好ましい。
The light reflective member is preferably made of a material having a reflectance of 60% or more with respect to light from the light emitting element, more preferably 70%, 80%, or 90% or more.
Therefore, the above-mentioned materials, for example, resin, titanium dioxide, silicon dioxide, zirconium dioxide, potassium titanate, alumina, aluminum nitride, boron nitride, mullite, niobium oxide, barium sulfate, various rare earth oxides (for example, yttrium oxide) , Gadolinium oxide) or the like, a light scattering material, or a colorant such as carbon black is preferably contained.
The light reflective member may contain a fibrous filler such as glass fiber or wollastonite, or an inorganic filler such as carbon. Further, a material with high heat dissipation (eg, aluminum nitride) may be included. Furthermore, you may make the light-reflective member contain the fluorescent substance mentioned later.
These additives are preferably contained, for example, in an amount of about 10 to 40% by weight based on the total weight of the light reflective member.

これにより、発光素子からの光を効率よく反射させることができる。特に、基体よりも光反射率の高い材料を用いる(例えば、基体に窒化アルミを用いた場合に、光反射性部材として二酸化チタンを含有させたシリコーン樹脂を用いる)ことにより、ハンドリング性を保ちつつ、基体の大きさを小さくして、発光装置の光取出し効率をより高めることができる。   Thereby, the light from a light emitting element can be reflected efficiently. In particular, a material having a higher light reflectivity than that of the base is used (for example, when aluminum nitride is used for the base, a silicone resin containing titanium dioxide is used as the light reflective member), while maintaining handling properties. By reducing the size of the substrate, the light extraction efficiency of the light emitting device can be further increased.

また、半導体層の成長基板などを除去、剥離するなどプロセス中の光反射性部材の強度を向上させることができ、ひいては、発光装置においても強度を確保することができる。
さらに、放熱性の高い材料によって、発光装置の小型化を維持したまま、放熱性を向上させることができる。
Further, the strength of the light-reflecting member during the process can be improved, for example, by removing and peeling the growth substrate of the semiconductor layer, and as a result, the strength of the light-emitting device can be ensured.
Furthermore, heat dissipation can be improved with a material having high heat dissipation while maintaining downsizing of the light emitting device.

光反射性部材の形状は特に限定されるものではなく、例えば、円柱、四角形柱等の多角形柱又はこれらに近い形状、円錐台、四角錐台等の多角錐台等が挙げられる。なかでも基体の長手方向に細長い形状を有していることが好ましい。また、基体の短手方向に沿った面を有することが好ましい。
光反射性部材は、発光素子の全周囲を取り囲むよう設けられることが好ましい。また、フリップチップ実装された発光素子と基体との間を充填するよう設けられることが好ましい。これにより、発光装置の強度を高めることができる。また、光反射性部材が発光素子の全周囲を取り囲むように設けられる場合には、光反射性部材は、発光装置の長手方向側において厚く、短手方向側において薄く設けられることが好ましい。これにより、発光装置の薄型化を図ることができる。
The shape of the light reflecting member is not particularly limited, and examples thereof include a polygonal column such as a cylinder and a quadrangular column or a shape close to these, a polygonal frustum such as a truncated cone and a quadrangular pyramid. In particular, it is preferable to have an elongated shape in the longitudinal direction of the substrate. Moreover, it is preferable to have the surface along the transversal direction of a base | substrate.
The light reflective member is preferably provided so as to surround the entire periphery of the light emitting element. Further, it is preferably provided so as to fill a space between the light-emitting element mounted on the flip chip and the substrate. Thereby, the intensity | strength of a light-emitting device can be raised. In the case where the light reflecting member is provided so as to surround the entire periphery of the light emitting element, the light reflecting member is preferably provided thick on the long side of the light emitting device and thin on the short side. Thereby, the light emitting device can be thinned.

光反射性部材の平面視における縁部は、基体の縁部よりも内側又は外側に配置してもよい。光反射性部材が長手方向に細長い形状である場合、その長手方向に沿う1つの縁部は、基体の長手方向に沿う縁部と一致していることが好ましい。つまり、光反射性部材の長手方向に沿った端面の少なくとも一方は、基体の長手方向に沿った端面の一方と同一面を形成することが好ましく、長手方向に沿った端面の双方が同一面を形成することがより好ましい。これにより、発光装置の厚みを大きくすることなく、光取出し面の面積を大きくすることができ、光取出し効率を高めることができる。短手方向の縁部は、基体の短手方向に沿う縁部よりも外側に配置されていてもよいが、通常、内側に配置されている。
発光装置がサイドビュータイプとして実装される場合には、基体及び光反射性部材の短手方向の幅は、0.2mm〜0.4mmであることが好ましい。
The edge of the light reflective member in plan view may be disposed inside or outside of the edge of the substrate. When the light reflecting member has a shape elongated in the longitudinal direction, one edge portion along the longitudinal direction preferably coincides with the edge portion along the longitudinal direction of the base body. That is, at least one of the end surfaces along the longitudinal direction of the light reflecting member preferably forms the same surface as one of the end surfaces along the longitudinal direction of the substrate, and both of the end surfaces along the longitudinal direction have the same surface. More preferably, it is formed. Accordingly, the area of the light extraction surface can be increased without increasing the thickness of the light emitting device, and the light extraction efficiency can be increased. The edge in the short direction may be arranged outside the edge along the short direction of the substrate, but is usually arranged inside.
When the light emitting device is mounted as a side view type, the width in the short direction of the base body and the light reflecting member is preferably 0.2 mm to 0.4 mm.

光反射性部材の大きさは、発光素子よりも大きい平面積であることが好ましく、特に、発光素子の一辺の2〜5倍程度の一辺の長さを有する大きさが好ましい。厚みは、例えば、50〜300μm程度が挙げられる。
光反射性部材は、スクリーン印刷、ポッティング、トランスファーモールド、コンプレッションモールド等により形成することができる。
The size of the light-reflecting member is preferably larger than that of the light-emitting element, and particularly preferably has a side length of about 2 to 5 times one side of the light-emitting element. As for thickness, about 50-300 micrometers is mentioned, for example.
The light reflective member can be formed by screen printing, potting, transfer molding, compression molding, or the like.

光反射性部材は、発光素子が基体に実装される前に、発光素子の上面又は側面を被覆するように設けてもよいが、通常、発光素子の側面の全面、発光素子の基体と対向する面等を封止又は被覆するために、発光素子が基体に実装された後に形成することが好ましい。   The light reflecting member may be provided so as to cover the upper surface or the side surface of the light emitting element before the light emitting element is mounted on the substrate. Usually, the entire surface of the side surface of the light emitting element faces the substrate of the light emitting element. In order to seal or cover the surface or the like, it is preferable to form the light emitting element after it is mounted on the substrate.

〔透光性部材〕
発光装置の光取り出し面上には、透光性部材が設けられていることが好ましい。
透光性部材の端面は光反射性部材の端面と一致していてもよいし、透光性部材の端面は光反射性部材で被覆されていてもよい。このような透光性部材の配置により、発光素子から取り出される光を効率的に発光面に導くことができる。
(Translucent member)
It is preferable that a translucent member is provided on the light extraction surface of the light emitting device.
The end surface of the translucent member may coincide with the end surface of the light reflective member, or the end surface of the translucent member may be covered with the light reflective member. With such an arrangement of the translucent member, light extracted from the light emitting element can be efficiently guided to the light emitting surface.

透光性部材は、発光層から出射される光の60%以上を透過するもの、さらに、70%、80%又は90%以上を透過するものが好ましい。このような部材としては、例えば、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、シリコーン変成樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、TPX樹脂、ポリノルボルネン樹脂、又はこれらの樹脂を1種以上含むハイブリッド樹脂等の樹脂、ガラス等が挙げられる。なかでもシリコーン樹脂又はエポキシ樹脂が好ましく、特に耐光性、耐熱性に優れるシリコーン樹脂がより好ましい。   The light transmissive member preferably transmits 60% or more of light emitted from the light emitting layer, and further transmits 70%, 80%, or 90% or more. Examples of such members include silicone resins, silicone-modified resins, silicone-modified resins, epoxy resins, phenol resins, polycarbonate resins, acrylic resins, TPX resins, polynorbornene resins, or hybrid resins containing one or more of these resins. Such as resin, glass and the like. Among these, a silicone resin or an epoxy resin is preferable, and a silicone resin excellent in light resistance and heat resistance is more preferable.

透光性部材には、蛍光体が含まれていることが好ましい。
蛍光体は、当該分野で公知のものを使用することができる。例えば、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット(YAG)系蛍光体、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット(LAG)系蛍光体、ユウロピウム及び/又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム(CaO−Al−SiO)系蛍光体、ユウロピウムで賦活されたシリケート((Sr,Ba)SiO)系蛍光体、βサイアロン蛍光体、KSF系蛍光体(KSiF:Mn)、量子ドット蛍光体等と呼ばれる半導体の微粒子などが挙げられる。これにより、可視波長の一次光及び二次光の混色光(例えば白色系)を出射する発光装置、紫外光の一次光に励起されて可視波長の二次光を出射する発光装置とすることができる。発光装置が液晶ディスプレイのバックライト等に用いられる場合、発光素子から発せられた青色光によって励起され、赤色発光する蛍光体(例えばKSF系蛍光体)と、緑色発光する蛍光体(例えばβサイアロン蛍光体)を用いることが好ましい。これにより、発光装置を用いたディスプレイの色再現範囲を広げることができる。
なお、蛍光体は、上記の部材中に含有されることに限られず、発光装置の種々の位置及び部材中に設けることができる。例えば、発光素子を被覆するように形成されてもよく、蛍光体を含有しない透光性部材の上に塗布、接着等された蛍光体層として設けられてもよい。
The translucent member preferably contains a phosphor.
As the phosphor, those known in the art can be used. For example, yttrium aluminum garnet (YAG) phosphor activated with cerium, lutetium aluminum garnet (LAG) phosphor activated with cerium, nitrogen-containing calcium aluminosilicate activated with europium and / or chromium (CaO—Al 2 O 3 —SiO 2 ) -based phosphor, europium-activated silicate ((Sr, Ba) 2 SiO 4 ) -based phosphor, β sialon phosphor, KSF-based phosphor (K 2 SiF 6 : Mn), semiconductor fine particles called quantum dot phosphors, and the like. Accordingly, a light emitting device that emits mixed light (for example, white light) of primary light and secondary light having a visible wavelength, and a light emitting device that emits secondary light having a visible wavelength when excited by the primary light of ultraviolet light. it can. When the light emitting device is used for a backlight of a liquid crystal display, etc., a phosphor that emits red light (for example, KSF phosphor) that is excited by blue light emitted from the light emitting element and a phosphor that emits green light (for example, β sialon fluorescence). Body). Thereby, the color reproduction range of the display using a light-emitting device can be expanded.
Note that the phosphor is not limited to being contained in the above-described member, and can be provided in various positions and members of the light-emitting device. For example, the phosphor layer may be formed so as to cover the light emitting element, or may be provided as a phosphor layer that is coated, bonded, or the like on a light-transmitting member that does not contain a phosphor.

透光性部材は、さらに、充填材(例えば、拡散剤、着色剤等)を含んでいてもよい。例えば、シリカ、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、酸化亜鉛、チタン酸バリウム、酸化アルミニウム、酸化鉄、酸化クロム、酸化マンガン、ガラス、カーボンブラック、蛍光体の結晶又は焼結体、蛍光体と無機物の結合材との焼結体等が挙げられる。任意に、充填材の屈折率を調整してもよい。例えば、1.8以上が挙げられ、光を効率的に散乱し高い光取り出し効率を得るために、2以上であることが好ましく、2.5以上であることがより好ましい。なかでも、酸化チタンは、水分などに対して比較的安定で且つ高屈折率であり、また熱伝導性にも優れるため、好ましい。   The translucent member may further contain a filler (for example, a diffusing agent, a colorant, etc.). For example, silica, titanium oxide, zirconium oxide, magnesium oxide, magnesium carbonate, magnesium hydroxide, calcium carbonate, calcium hydroxide, calcium silicate, zinc oxide, barium titanate, aluminum oxide, iron oxide, chromium oxide, manganese oxide, glass , Carbon black, phosphor crystals or sintered bodies, and sintered bodies of phosphors and inorganic binders. Optionally, the refractive index of the filler may be adjusted. For example, 1.8 or more is mentioned, and in order to efficiently scatter light and obtain high light extraction efficiency, it is preferably 2 or more, and more preferably 2.5 or more. Of these, titanium oxide is preferable because it is relatively stable against moisture and has a high refractive index and excellent thermal conductivity.

充填剤の粒子の形状は、破砕状、球状、中空及び多孔質等のいずれでもよい。粒子の平均粒径(メジアン径)は、高い効率で光散乱効果を得られる、0.08〜10μm程度が好ましい。
充填材は、例えば、透光性部材の重量に対して10〜60重量%程度が好ましい。
The shape of the filler particles may be any of crushed, spherical, hollow and porous. The average particle diameter (median diameter) of the particles is preferably about 0.08 to 10 μm, which can obtain a light scattering effect with high efficiency.
For example, the filler is preferably about 10 to 60% by weight with respect to the weight of the translucent member.

透光性部材を形成する方法は、透光性部材をシート状に成形して、ホットメルト方式又は接着剤により接着する方法、電気泳動堆積法、ポッティング、圧縮成型、スプレー、静電塗布法、印刷法等が挙げられる。この際、粘度又は流動性を調整するために、シリカ(アエロジル)などを添加してもよい。   The method of forming the translucent member is a method in which the translucent member is formed into a sheet shape and adhered by a hot melt method or an adhesive, electrophoretic deposition method, potting, compression molding, spraying, electrostatic coating method, The printing method etc. are mentioned. At this time, silica (aerosil) or the like may be added in order to adjust the viscosity or fluidity.

透光性部材の厚みは特に限定されるものではなく、例えば、10〜300μm程度が挙げられる。このような厚みに設定することにより、透光性部材の端面が光反射性部材の端面と一致していても、また光反射性部材で被覆されていても、発光素子から取り出される光を効率的に発光面に導くことができる。
透光性部材は、配光を制御するために、その第1主面及び/又は第2主面を凸面、凹面等の凹凸面にしてもよい。
透光性部材は、発光素子が基体に実装される前に発光素子の上面に接着されて、発光装置に設けられてもよい。特に、発光素子が、半導体層の成長用の基板が除去された半導体積層体によって構成される場合には、例えば、ガラス、セラミック等の硬質な透光性部材に接着又は固定されることによって発光素子の強度が高まり、ハンドリング性、発光素子の実装の信頼性等を高めることができる。
The thickness of a translucent member is not specifically limited, For example, about 10-300 micrometers is mentioned. By setting the thickness as described above, the light extracted from the light emitting element can be efficiently used regardless of whether the end face of the translucent member coincides with the end face of the light reflective member or is covered with the light reflective member. Can be guided to the light emitting surface.
In order to control light distribution, the translucent member may have a first main surface and / or a second main surface that are convex and concave surfaces such as a concave surface.
The translucent member may be attached to the upper surface of the light emitting element before the light emitting element is mounted on the substrate, and may be provided in the light emitting device. In particular, in the case where the light-emitting element is constituted by a semiconductor stacked body from which a substrate for growing a semiconductor layer is removed, for example, light is emitted by being bonded or fixed to a hard translucent member such as glass or ceramic. The strength of the element is increased, and handling properties, reliability of mounting the light emitting element, and the like can be improved.

〔絶縁部材〕
本発明の発光装置には、絶縁部材が、接続端子の一部を被覆するように配置されていてもよい。
絶縁部材は、接続端子の素子接続部と外部接続部との間に配置されていることが好ましい。また、絶縁部材は、素子接続部から外部接続部の間で連結した領域を配置しないように、素子接続部と外部接続部との間の表面領域を完全に分離するよう配置されていることが好ましい。さらに、光反射性部材の縁部が、絶縁部材上に配置されるように接続端子の上に配置されていることが好ましい。
これにより、後述するように、発光装置をサイドビュー型で実装基板に実装する場合に、溶融性部材が、接続端子表面に沿って浸入して、発光装置の信頼性を低下させることを回避することができる。溶融性部材によって発光素子を接続端子に接続する際に、凸部及びその近傍からの溶融性部材の外部接続部への漏れを防止することができる。光反射性部材と基体との密着性を高め、光反射性部材が剥離するおそれを低減することができる。
特に、上述したように、光反射性部材が、長手方向に長い形状を有する場合、光反射性部材の長手方向における縁部が、絶縁部材上に配置されるように接続端子の上に配置されていることがより好ましい。これにより、基体が反る又は捩じれる場合にも、光反射性部材の剥離するおそれを低減することができる。光反射性部材が金型を用いて成形させる場合に、その金型と接続端子とが接触することに起因する、接続端子の損傷を防止することができる。
上述したように、接続端子は、第1主面上において、必ずしも同じ幅を有さないことがあるため、絶縁部材は、その一部が、接続端子の上のみならず、基体の上に配置される場合もある。
絶縁部材は、一対の接続端子のそれぞれを被覆するよう一対設けられてもよいし、一対の接続端子を連続して被覆してもよい。
[Insulating material]
In the light emitting device of the present invention, the insulating member may be disposed so as to cover a part of the connection terminal.
The insulating member is preferably disposed between the element connection portion of the connection terminal and the external connection portion. The insulating member may be disposed so as to completely separate the surface region between the element connection portion and the external connection portion so as not to dispose a region connected between the element connection portion and the external connection portion. preferable. Furthermore, it is preferable that the edge part of a light reflective member is arrange | positioned on a connection terminal so that it may be arrange | positioned on an insulating member.
Accordingly, as described later, when the light emitting device is mounted on the mounting substrate in a side view type, it is avoided that the meltable member enters along the surface of the connection terminal and decreases the reliability of the light emitting device. be able to. When the light emitting element is connected to the connection terminal by the meltable member, leakage from the convex portion and the vicinity thereof to the external connection portion of the meltable member can be prevented. The adhesion between the light reflecting member and the substrate can be improved, and the possibility that the light reflecting member is peeled off can be reduced.
In particular, as described above, when the light reflective member has a shape that is long in the longitudinal direction, the edge in the longitudinal direction of the light reflective member is disposed on the connection terminal so as to be disposed on the insulating member. More preferably. Thereby, also when a base | substrate warps or twists, a possibility that a light reflective member may peel can be reduced. When the light reflecting member is molded using a mold, it is possible to prevent the connection terminal from being damaged due to contact between the mold and the connection terminal.
As described above, since the connection terminal may not necessarily have the same width on the first main surface, a part of the insulating member is disposed not only on the connection terminal but also on the base body. Sometimes it is done.
A pair of insulating members may be provided so as to cover each of the pair of connection terminals, or the pair of connection terminals may be continuously covered.

絶縁部材は、光反射性部材の縁部が、絶縁部材上に配置されるように接続端子の上に配置されていていることが好ましい。特に、上述したように、光反射性部材が、長手方向に長い形状を有する場合、光反射性部材の長手方向における縁部が、絶縁部材上に配置されるように接続端子の上に配置されていることがより好ましい。上述したように、接続端子は、第1主面上において、必ずしも同じ幅を有さないことがあるため、絶縁部材は、その一部が、接続端子の上のみならず、基体の上に配置される場合もある。   The insulating member is preferably disposed on the connection terminal so that the edge of the light reflecting member is disposed on the insulating member. In particular, as described above, when the light reflective member has a shape that is long in the longitudinal direction, the edge in the longitudinal direction of the light reflective member is disposed on the connection terminal so as to be disposed on the insulating member. More preferably. As described above, since the connection terminal may not necessarily have the same width on the first main surface, a part of the insulating member is disposed not only on the connection terminal but also on the base body. Sometimes it is done.

絶縁部材は、絶縁性を有する限り、どのような材料で形成されていてもよい。例えば、上述した光反射性部材、後述する透光性部材で例示した材料を用いることができる。なかでも、耐熱性が高い白色のシリコーン樹脂が好ましい。   The insulating member may be formed of any material as long as it has insulating properties. For example, the materials exemplified above for the light reflective member and the light transmissive member described later can be used. Of these, a white silicone resin having high heat resistance is preferable.

絶縁部材の形状は、特に限定されるものではなく、素子接続部の隣接部位から、光反射性部材の外側、つまり外部接続部にまで連続した帯状に形成されていることが好ましい。
具体的には、長手方向における絶縁部材の長さは、光反射性部材の1/10〜1/5程度の長さが挙げられる。
接続部材の幅は、基体及び/又は光反射性部材の幅と同じであるか、それ以下であることが好ましい。
このような幅とすることにより、基体及び/又は光反射性部材の一端面と同一面を形成でき、さらに、基体及び光反射性部材の対向する端面の双方と同一面を形成することができる。
特に、接続端子に幅狭となる部位が存在する場合には、その幅狭となる部位を完全に被覆することが好ましい。これによって、後述するように、サイドビュー型で実装基板に実装する場合に、半田が、接続端子表面に沿って浸入して、発光装置の信頼性を低下させることを回避することができる。
The shape of the insulating member is not particularly limited, and it is preferable that the insulating member is formed in a continuous belt shape from the adjacent portion of the element connecting portion to the outside of the light reflective member, that is, the external connecting portion.
Specifically, the length of the insulating member in the longitudinal direction is about 1/10 to 1/5 that of the light reflective member.
The width of the connecting member is preferably the same as or smaller than the width of the base body and / or the light reflecting member.
By setting it as such a width | variety, the same surface as the end surface of a base | substrate and / or a light reflection member can be formed, and also the same surface can be formed as both the end surface which a base | substrate and a light reflection member oppose. .
In particular, when there is a narrow portion in the connection terminal, it is preferable to completely cover the narrow portion. Accordingly, as described later, when mounting on the mounting substrate in a side-view type, it is possible to prevent the solder from entering along the surface of the connection terminal and reducing the reliability of the light emitting device.

絶縁部材は、上述した材料をシート状に成形して貼着する方法、印刷法、電気泳動堆積法、ポッティング、圧縮成型、スプレー、静電塗布法等によって形成することができる。絶縁部材の厚みは、特に限定されるものではなく、例えば、10〜300μm程度が挙げられる。
以下に本発明の発光装置の実施形態を、図面に基づいて具体的に説明する。
The insulating member can be formed by a method in which the above-described material is formed and pasted into a sheet, a printing method, an electrophoretic deposition method, potting, compression molding, spraying, an electrostatic coating method, or the like. The thickness of an insulating member is not specifically limited, For example, about 10-300 micrometers is mentioned.
Embodiments of a light-emitting device according to the present invention will be specifically described below with reference to the drawings.

実施の形態1
本実施形態の発光装置1は、図1〜図3に示すように、接続端子3を有する基体4と、発光素子5と、光反射性部材7とを含んで構成されている。
基体4は、ガラスエポキシ樹脂の直方体状の母材2の表面(第1主面である上面2a、短手方向に延びる端面2b及び第2主面である下面2c)に、母材2側からCu/Ni/Auが積層されて構成された一対の接続端子3が形成されて構成される。基体4は、長手方向の長さが2.2mm、短手方向の幅が0.4mm、厚さが0.3mmの配線基板として機能する。
Embodiment 1
The light-emitting device 1 of this embodiment is comprised including the base | substrate 4 which has the connection terminal 3, the light emitting element 5, and the light reflection member 7, as shown in FIGS.
The base 4 is formed on the surface of the cuboid base material 2 made of glass epoxy resin (the upper surface 2a as the first main surface, the end surface 2b extending in the short direction and the lower surface 2c as the second main surface) from the base material 2 side. A pair of connection terminals 3 formed by stacking Cu / Ni / Au are formed. The base body 4 functions as a wiring board having a longitudinal length of 2.2 mm, a lateral width of 0.4 mm, and a thickness of 0.3 mm.

一対の接続端子3は、母材2の上面2a側の中央部において、互いに接近して、素子接続部として凸部3aを有する。凸部3aは、母材2側からCu/Ni/Auが積層されて形成されている。一対の接続端子3は、それぞれ、素子接続部である凸部3aから長手方向に延びて、母材2の上面2aから端面2bを経て下面2cに連続して形成されている。接続端子3は、素子接続部である凸部3aから延長して母材2の下面2cに連続する部位(断面視U字状の部位)が外部接続部3bとなる(図2参照)。
接続端子3の長手方向に沿った縁部は、基体4の長手方向に沿った縁部に一致しており、接続端子3の長手方向に沿った端面は、基体4の長手方向に沿った端面と同一面を形成している。
The pair of connection terminals 3 are close to each other at the central portion on the upper surface 2a side of the base material 2 and have convex portions 3a as element connection portions. The convex portion 3a is formed by stacking Cu / Ni / Au from the base material 2 side. Each of the pair of connection terminals 3 extends in the longitudinal direction from the convex portion 3a which is an element connection portion, and is formed continuously from the upper surface 2a of the base material 2 to the lower surface 2c through the end surface 2b. In the connection terminal 3, a portion (a portion having a U shape in cross section) extending from the convex portion 3 a that is an element connection portion and continuing to the lower surface 2 c of the base material 2 becomes the external connection portion 3 b (see FIG. 2).
The edge along the longitudinal direction of the connection terminal 3 coincides with the edge along the longitudinal direction of the base 4, and the end face along the longitudinal direction of the connection terminal 3 is an end face along the longitudinal direction of the base 4. And form the same plane.

なお、接続端子3は、素子接続部である凸部3aと外部接続部3bとの間において、幅狭となる部位を有する(図3参照)。また、図示しないが、基体4の第2主面上の外部接続部3bの一部が幅狭となる部位を有する。   In addition, the connection terminal 3 has a site | part which becomes narrow between the convex part 3a which is an element connection part, and the external connection part 3b (refer FIG. 3). Although not shown, a part of the external connection portion 3b on the second main surface of the base 4 has a narrowed portion.

基体4の凸部3aには、1つの発光素子5が、フリップチップ実装されている。
発光素子5は、サファイア基板上に窒化物半導体の積層体が形成され、積層体のサファイア基板と反対側の表面に正負一対の電極を有する。発光素子5は、その正負一対の電極が、基体4の一対の接続端子3の凸部3aに、それぞれ、Au−Sn共晶半田である溶融性部材6によって接続されている。
このような接続端子の凸部3aを利用することによって、発光素子の実装時において、溶融状態の溶融性部材が凸部上から流れたとしても、凸部の周りに貯まりやすく、一対の接続端子の短絡、意図しない領域への溶融性部材の浸入を防止して、意図する部位にのみ正確に発光素子を固定することができる。
発光素子5は、長手方向の長さが0.8mm、短手方向の幅が0.3mm、厚さが0.1mmの直方体状の青色発光(発光中心波長455nm)のLEDチップである。
One light emitting element 5 is flip-chip mounted on the convex portion 3 a of the base 4.
The light-emitting element 5 includes a nitride semiconductor laminate formed on a sapphire substrate, and has a pair of positive and negative electrodes on the surface of the laminate opposite to the sapphire substrate. In the light emitting element 5, a pair of positive and negative electrodes is connected to the convex portions 3 a of the pair of connection terminals 3 of the base 4 by a meltable member 6 made of Au—Sn eutectic solder.
By utilizing the convex portion 3a of such a connection terminal, even when a meltable meltable member flows from above the convex portion at the time of mounting the light emitting element, it is easy to accumulate around the convex portion, and a pair of connection terminals Therefore, the light-emitting element can be accurately fixed only to the intended portion by preventing the short circuit of the meltable member and the intrusion of the meltable member into the unintended region.
The light emitting element 5 is a rectangular parallelepiped blue light emitting (emission center wavelength of 455 nm) LED having a longitudinal length of 0.8 mm, a lateral width of 0.3 mm, and a thickness of 0.1 mm.

光反射性部材7は、長手方向の長さが1.2mm、短手方向の幅が0.4mm、厚さが0.3mmの略直方体状に成形されている。つまり、光反射性部材7の長手方向に沿った縁部は、それぞれ、基体4の長手方向に沿った縁部と一致している。
光反射性部材7は、発光素子5に接し、その端面の全周を被覆するように、基体4の第1主面に設けられている。また、光反射性部材7は、発光素子5の基体4と対向する面側にも設けられている。つまり、凸部3aを略完全に被覆した溶融性部材6との間に配置され、溶融性部材6の表面を略完全に被覆している。
これによって、発光素子5から上面に、効率良く光を取り出すことができる。
The light reflecting member 7 is formed in a substantially rectangular parallelepiped shape having a length in the longitudinal direction of 1.2 mm, a width in the lateral direction of 0.4 mm, and a thickness of 0.3 mm. That is, the edge portions along the longitudinal direction of the light reflective member 7 respectively coincide with the edge portions along the longitudinal direction of the base body 4.
The light reflective member 7 is provided on the first main surface of the base 4 so as to be in contact with the light emitting element 5 and to cover the entire circumference of the end surface thereof. The light reflective member 7 is also provided on the surface of the light emitting element 5 facing the base 4. That is, it is arranged between the meltable member 6 that covers the convex portion 3a almost completely and covers the surface of the meltable member 6 almost completely.
Thereby, light can be efficiently extracted from the light emitting element 5 to the upper surface.

光反射性部材7は、平均粒径14μmのシリカと、無機粒子として、平均粒径0.25〜0.3μmの酸化チタンとを、それぞれ、光反射性部材7の全重量に対して、2〜2.5wt%及び40〜50wt%で含有したシリコーン樹脂によって形成されている。
基体4上の光反射性部材7の両側では、接続端子3の幅狭の部位の一部と外部接続部が光反射性部材7から露出されている。
光反射性部材7の長手方向に沿った縁部は、基体4の長手方向に沿った縁部に一致しており、光反射性部材7の長手方向に沿った端面は、基体4の長手方向に沿った端面と同一面を形成している。
The light reflective member 7 is composed of silica having an average particle diameter of 14 μm and titanium oxide having an average particle diameter of 0.25 to 0.3 μm as inorganic particles with respect to the total weight of the light reflective member 7. It is formed with a silicone resin contained at ˜2.5 wt% and 40-50 wt%.
On both sides of the light reflective member 7 on the substrate 4, a part of the narrow portion of the connection terminal 3 and the external connection portion are exposed from the light reflective member 7.
The edge along the longitudinal direction of the light reflecting member 7 coincides with the edge along the longitudinal direction of the substrate 4, and the end surface along the longitudinal direction of the light reflecting member 7 is the longitudinal direction of the substrate 4. Is formed on the same plane as the end face extending along the line.

発光素子5上、つまり、正負一対の電極と反対側の表面に、YAG:Ceの蛍光体を含有するシリコーン樹脂のシート(厚さ0.1mm)である透光性部材10が配置されている。
透光性部材10の端面は、光反射性部材7によって被覆されている。透光性部材10の上面と、光反射性部材7の上面とは同一面を形成している。
On the light emitting element 5, that is, on the surface opposite to the pair of positive and negative electrodes, a translucent member 10 made of a silicone resin sheet (thickness 0.1 mm) containing a YAG: Ce phosphor is disposed. .
The end surface of the translucent member 10 is covered with the light reflective member 7. The upper surface of the translucent member 10 and the upper surface of the light reflective member 7 form the same surface.

このような発光装置1は、図4に示すように、基体4の長手方向に沿った一対の端面と、光反射性部材7の長手方向に沿った一対の端面とが、それぞれ同一面を形成するように配置されている。これらの同一面を形成する一方の端面を、発光装置1の実装面として、表面に配線パターン52を有する実装基板51上において、サイドビュー型で実装される。
実装は、発光装置1の一対の外部接続部3bが、それぞれ、実装基板51の正極及び負極に対応する配線パターン52上に載置され、半田54により接続される。半田54は、U字状に屈曲した外部接続部3bにおいて、基体4の第1主面のみならず、端面及び第2主面にわたって、小型の接続端子3との接触面積を広げて、接続されている。これによって、発光装置の側面にフィレットを形成することができ、発光装置の放熱性及び実装安定性を向上させることができる。
In such a light emitting device 1, as shown in FIG. 4, the pair of end surfaces along the longitudinal direction of the base body 4 and the pair of end surfaces along the longitudinal direction of the light reflecting member 7 form the same surface. Are arranged to be. One end face that forms the same surface is used as a mounting surface of the light emitting device 1, and is mounted in a side view type on a mounting substrate 51 having a wiring pattern 52 on the surface.
For mounting, the pair of external connection portions 3 b of the light emitting device 1 are placed on the wiring patterns 52 corresponding to the positive electrode and the negative electrode of the mounting substrate 51, respectively, and connected by solder 54. The solder 54 is connected to the external connection portion 3b bent in a U-shape by expanding the contact area with the small connection terminal 3 not only on the first main surface of the base 4 but also on the end surface and the second main surface. ing. Accordingly, a fillet can be formed on the side surface of the light emitting device, and heat dissipation and mounting stability of the light emitting device can be improved.

また、接続端子3において、凸部3aと外部接続部3bとの間に幅狭となる部位を配置することにより、外部接続部3bに接続される、後述するような半田等又はこれに含まれるフラックスなどが、光反射性部材7下に浸入するのを抑制することができる。   Further, in the connection terminal 3, by arranging a narrowed portion between the convex portion 3a and the external connection portion 3b, the solder is connected to the external connection portion 3b as described later or included in this. The flux or the like can be prevented from entering under the light reflective member 7.

さらに、光反射性部材の長手方向に沿った端面及び基体4の長手方向に沿った端面の双方が実装基板11の表面に接している。   Furthermore, both the end surface along the longitudinal direction of the light reflective member and the end surface along the longitudinal direction of the substrate 4 are in contact with the surface of the mounting substrate 11.

光反射性部材7は、それ自体が、発光素子5の周囲において極薄い壁状で設けられることにより、発光装置の十分な小型化を図ることができる。さらに、光反射性部材を発光素子の周辺に接触して配置することにより、発光素子から放射される光のうち、横方向に出射する光を、光反射性部材によって上方に反射させて取り出すことができ、光の利用効率を向上させることが可能となる。   The light reflecting member 7 itself is provided with an extremely thin wall shape around the light emitting element 5, so that the light emitting device can be sufficiently downsized. Further, by arranging the light reflecting member in contact with the periphery of the light emitting element, the light emitted from the light emitting element in the lateral direction is reflected upward by the light reflecting member and taken out. It is possible to improve the light use efficiency.

このような発光装置1は、図5A及び図5Bに示すように、母材12に複合接続端子13が形成された複合基体14を用いて製造することができる。この複合基体14は、個片化工程後に各発光装置の基体となるものが複数個連なって構成されている。
この複合基体14は、母材12において、上面から裏面に及ぶスリット15を有している。複合接続端子13は、このスリット15の内壁を通って、複合基体14の母材12の上面から下面に連続して設けられている。
図5では、18個の発光装置を得る複合基体14を表しているが、生産効率を考慮して、より多数(数百〜数千個)の発光装置を得る複合基体14とすることができる。
Such a light emitting device 1 can be manufactured using a composite substrate 14 in which a composite connection terminal 13 is formed on a base material 12, as shown in FIGS. 5A and 5B. The composite substrate 14 is formed by connecting a plurality of substrates to be the substrates of the respective light emitting devices after the singulation process.
This composite substrate 14 has a slit 15 extending from the top surface to the back surface of the base material 12. The composite connection terminal 13 is provided continuously from the upper surface to the lower surface of the base material 12 of the composite base 14 through the inner wall of the slit 15.
In FIG. 5, the composite substrate 14 for obtaining 18 light emitting devices is shown. However, in consideration of production efficiency, the composite substrate 14 for obtaining a larger number (several hundred to several thousand) of light emitting devices can be obtained. .

このような複合基体14上に、発光素子5を接続し、発光素子5の上に、発光素子5と平面視において略同じ形状の透光性部材10を接着し、発光素子と透光性部材の端面を被覆するよう、複数の光反射性部材17を一括で圧縮成型により成形し、複合基体14と光反射性部材17とを分割予定線Lに沿って一方向に切断する。これによって、スリット15の配置により、スリットの延長方向にも分離され、比較的少ない工数で個片化した発光装置を得ることができる。
切断には、ダイサー、レーザなどを用いることができる。
The light emitting element 5 is connected to such a composite substrate 14, and the light transmitting element 10 having substantially the same shape as the light emitting element 5 in a plan view is bonded onto the light emitting element 5. The plurality of light reflecting members 17 are collectively formed by compression molding so as to cover the end surfaces of the two, and the composite base 14 and the light reflecting member 17 are cut in one direction along the planned dividing line L. Accordingly, the light emitting device which is separated in the extending direction of the slit due to the arrangement of the slits 15 and is singulated with a relatively small number of steps can be obtained.
For the cutting, a dicer, a laser, or the like can be used.

実施の形態2
本実施形態の発光装置20は、図6に示すように、接続端子23を有する基体24と、複数の発光素子5と、光反射性部材27とを含んで構成されている。
接続端子23は、母材22の長手方向の両側において、上面、端面及び下面に延長して配置されている。また、母材22の上面においては、複数の発光素子5を、例えば、直列接続し得る端子25がさらに配置されている。
基体24の一面上において、接続端子23及び端子25は、素子接続部として凸部23aをそれぞれ有しており、この凸部23a上において発光素子5が溶融性部材6によって接続されている。
Embodiment 2
As shown in FIG. 6, the light emitting device 20 of the present embodiment includes a base 24 having connection terminals 23, a plurality of light emitting elements 5, and a light reflecting member 27.
The connection terminals 23 are disposed so as to extend to the upper surface, the end surface, and the lower surface on both sides in the longitudinal direction of the base material 22. Further, on the upper surface of the base material 22, for example, a terminal 25 that can connect the plurality of light emitting elements 5 in series is further arranged.
On one surface of the base 24, the connection terminal 23 and the terminal 25 each have a convex portion 23 a as an element connection portion, and the light emitting element 5 is connected to the convex portion 23 a by the meltable member 6.

発光素子5は、複数が一列に整列して配置されている。なお、一列のみならず、行列方向に配置されていてもよい。   A plurality of the light emitting elements 5 are arranged in a line. It may be arranged not only in one column but also in the matrix direction.

光反射性部材27は、これら複数の発光素子5を一体的に封止している。光反射性部材27の長手方向に沿った端面は、基体24の長手方向に沿った端面と同一面を形成している。光反射性部材27の短手方向に対向する縁部は、基体24の内側に配置されている。   The light reflecting member 27 integrally seals the plurality of light emitting elements 5. The end surface along the longitudinal direction of the light reflecting member 27 forms the same surface as the end surface along the longitudinal direction of the substrate 24. An edge portion of the light reflective member 27 facing the short direction is disposed inside the base body 24.

図示していないが、発光素子5の間において、基体24に凹部又は貫通孔が形成され、その凹部又は貫通孔に光反射性部材27の一部が充填されて、光反射性部材27が基体24に係止されていることが好ましい。これにより、光反射性部材27と基体24との密着性を高めて、光反射性部材27の基体24からの剥離を防止することができる。   Although not shown, a recess or a through hole is formed in the base 24 between the light emitting elements 5, and a part of the light reflective member 27 is filled in the recess or the through hole, so that the light reflective member 27 is the base. It is preferable to be locked to 24. Thereby, the adhesiveness of the light reflective member 27 and the base | substrate 24 can be improved, and peeling from the base | substrate 24 of the light reflective member 27 can be prevented.

上述した構成以外は実質的に実施の形態1と同様の構成を有する。よって、実施の形態1と同様の効果を示す。
さらに、この発光装置は、線状又はマトリクス状のサイドビュー型の発光装置として利用することができる。従って、この発光装置は、個々のサイドビュー型の発光装置を、それぞれ実装基板に実装することと比較して、実装精度を向上させることができる。また、例えば、バックライト光源として、導光板とのアライメント性を向上させることができる。
Except for the configuration described above, the configuration is substantially the same as that of the first embodiment. Therefore, the same effect as in the first embodiment is shown.
Furthermore, this light-emitting device can be used as a linear or matrix side-view type light-emitting device. Therefore, this light-emitting device can improve mounting accuracy as compared with mounting each side-view type light-emitting device on a mounting substrate. Moreover, for example, the alignment property with the light guide plate can be improved as a backlight light source.

実施の形態3
この実施の形態の発光装置30は、図7に示すように、実施の形態1の発光装置、つまり、接続端子33において、素子接続部として凸部33aを備える発光装置が、そのまま、隣接する接続端子33、特に外部接続部33bを共有する形態で結合させたように、複数列方向又は行列方向に配列されている。つまり、隣接する発光素子5の間において、母材32にスルーホールを設け、このスルーホールを介して、基体34の接続端子33を基体34の下面側に引き出している。
このような構成以外は、実質的に実施の形態1の発光装置と同様の構成を有する。よって、実施の形態1と同様の効果を有する。さらに、実施の形態2と同様の効果を有する。
Embodiment 3
As shown in FIG. 7, the light emitting device 30 of this embodiment includes a light emitting device according to the first embodiment, that is, a light emitting device provided with a protruding portion 33 a as an element connecting portion in the connection terminal 33. The terminals 33, in particular, the external connection portions 33b are arranged in a shared manner, and are arranged in a plurality of column directions or matrix directions. That is, a through hole is provided in the base material 32 between the adjacent light emitting elements 5, and the connection terminal 33 of the base body 34 is drawn out to the lower surface side of the base body 34 through the through hole.
Except for such a configuration, the configuration is substantially the same as that of the light-emitting device of the first embodiment. Therefore, it has the same effect as the first embodiment. Furthermore, it has the same effect as the second embodiment.

実施の形態4
この実施の形態の発光装置40は、図8A〜図8Gに示すように、母材42の第1主面から端面を経て第2主面に連続して形成された接続端子43が、Cu/Ni/Auによって形成されており(厚み20μm)、第1主面及び第2主面においては、さらにCuによる層(厚み20μm)を有しており、接続端子部としてさらにCuによる凸部43a(厚み40μm)を有している。
なお、接続端子43は、まず、母材42の凸部43aに相当する部位にCuをメッキによって所定の形状に成膜し、その後、端面をマスクし、Cuによる凸部を含む第1主面及び第2主面にCuをメッキによって形成する。さらに、端面のマスクを除去して、第1主面、端面及び第2主面にNi/Auをメッキによって形成することにより、接続端子43を形成することができる。
Embodiment 4
In the light emitting device 40 of this embodiment, as shown in FIGS. 8A to 8G, the connection terminal 43 formed continuously from the first main surface of the base material 42 through the end surface to the second main surface is formed of Cu / It is formed of Ni / Au (thickness 20 μm), and the first main surface and the second main surface further have a layer of Cu (thickness 20 μm). 40 μm in thickness).
First, the connection terminal 43 is formed by depositing Cu in a predetermined shape by plating on a portion corresponding to the convex portion 43a of the base material 42, and then masking the end surface and including the convex portion by Cu. And Cu is formed on the second main surface by plating. Furthermore, the connection terminal 43 can be formed by removing the mask on the end face and forming Ni / Au on the first main face, the end face and the second main face by plating.

基体は、発光素子5aの搭載領域に対応する第2主面に、補強端子43cを備えている。
基体の第2主面は、一対の接続端子43の基体の中央部に近い部分から、母材42及び補強端子43c上にわたって、絶縁性の膜8によって被覆されている。
The base includes a reinforcing terminal 43c on the second main surface corresponding to the mounting region of the light emitting element 5a.
The second main surface of the base is covered with the insulating film 8 from the portion near the center of the base of the pair of connection terminals 43 to the base material 42 and the reinforcing terminal 43c.

接続端子43は、図8Eに示すように、基体の第1主面において、一部が幅狭に形成されている。また、図8Gに示すように、接続端子43は、第2主面においても、一部が幅狭に形成されている。   As shown in FIG. 8E, the connection terminal 43 is partially narrowed on the first main surface of the base. Further, as shown in FIG. 8G, a part of the connection terminal 43 is also formed narrow on the second main surface.

発光素子5aは、図8Cに示すように、半導体積層体と一対の電極によって形成されており、半導体層の成長用の基板が除去されている。
成長用の基板の除去は、例えば、成長用の基板を有する発光素子5を一対の接続端子に実装し、光反射性部材7を配置した後に、成長用の基板であるサファイア基板を、このサファイア基板側から半導体層に、レーザ光(例えば、KrFエキシマレーザ)を照射し、半導体層と基板との界面で分解反応を生じさせ、基板を半導体層から分離する、レーザリフトオフ法を利用して行われる。
この際に、光反射性部材7によって発光素子の半導体層を被覆し、さらに、接続端子43の凸部43a及び溶融性部材6をともに被覆することによって、発光素子を確実に固定することができ、レーザ光の照射による応力を吸収し、サファイア基板を半導体層から効率的に除去することができる。
As shown in FIG. 8C, the light emitting element 5a is formed of a semiconductor stacked body and a pair of electrodes, and a substrate for growing a semiconductor layer is removed.
For removing the growth substrate, for example, the light emitting element 5 having the growth substrate is mounted on the pair of connection terminals, the light reflecting member 7 is disposed, and then the sapphire substrate as the growth substrate is replaced with this sapphire. Laser irradiation (for example, KrF excimer laser) is applied to the semiconductor layer from the substrate side, a decomposition reaction is caused at the interface between the semiconductor layer and the substrate, and the substrate is separated from the semiconductor layer. Is called.
At this time, the light-emitting element can be securely fixed by covering the semiconductor layer of the light-emitting element with the light-reflecting member 7 and further covering both the convex portion 43 a of the connection terminal 43 and the meltable member 6. The stress due to the laser light irradiation can be absorbed, and the sapphire substrate can be efficiently removed from the semiconductor layer.

発光素子5aの一対の電極は、接続端子43の凸部43aとAu−Snの共晶半田からなる溶融性部材6によって接合されている。
発光素子5aの第1主面上には、透光性部材10aとして、蛍光体を含有したセラミックス板が、透光性のシリコーン樹脂の接着材によって固定されている。透光性部材10aの端面は光反射性部材7によって被覆されている。
The pair of electrodes of the light emitting element 5a are joined to the convex portion 43a of the connection terminal 43 by the meltable member 6 made of eutectic solder of Au—Sn.
On the first main surface of the light emitting element 5a, a ceramic plate containing a phosphor is fixed as a translucent member 10a by a translucent silicone resin adhesive. The end face of the translucent member 10 a is covered with the light reflecting member 7.

また、接続端子43上であって、凸部43aと外部接続部との間において、絶縁部材9が配置されている。絶縁部材9は、長手方向の長さが0.5mm、短手方向の幅が0.4mm、厚さが0.02mmの略直方体状に成形されている。絶縁部材9は、光反射性部材7の端面から長手方向に0.3mm露出している。絶縁部材9は、接続端子3の幅狭となる部位とその周辺を被覆している。
光反射性部材7の長手方向に対向する縁部は、絶縁部材9の上に配置されており、光反射性部材7の長手方向に沿った縁部は、絶縁部材9の長手方向に沿った縁部と一致している。また、絶縁部材9の長手方向に沿った縁部は、基体の長手方向に沿った縁部に一致しており、絶縁部材9の長手方向に沿った端面は、基体の長手方向に沿った端面と同一面を形成している。
絶縁部材9は、二酸化チタンを含有する白色のシリコーン樹脂によって、形成されている。
このように絶縁部材を配置することにより、後述するように、発光装置をサイドビュー型で実装基板に実装する場合に、半田が、接続端子表面に沿って浸入して、発光装置の信頼性を低下させることを回避することができる。また、溶融性部材によって発光素子を接続端子に接続する際に、凸部及びその近傍からの溶融性部材の外部接続部への漏れを防止することができる。
Further, the insulating member 9 is disposed on the connection terminal 43 between the convex portion 43a and the external connection portion. The insulating member 9 is formed in a substantially rectangular parallelepiped shape having a length in the longitudinal direction of 0.5 mm, a width in the lateral direction of 0.4 mm, and a thickness of 0.02 mm. The insulating member 9 is exposed 0.3 mm in the longitudinal direction from the end face of the light reflective member 7. The insulating member 9 covers the portion of the connection terminal 3 that is narrow and the periphery thereof.
The edge part which opposes the longitudinal direction of the light reflective member 7 is arrange | positioned on the insulating member 9, and the edge part along the longitudinal direction of the light reflective member 7 followed the longitudinal direction of the insulating member 9. Coincides with the edge. Moreover, the edge part along the longitudinal direction of the insulating member 9 corresponds to the edge part along the longitudinal direction of the base body, and the end surface along the longitudinal direction of the insulating member 9 is the end face along the longitudinal direction of the base body. And form the same plane.
The insulating member 9 is formed of a white silicone resin containing titanium dioxide.
By disposing the insulating member in this way, as described later, when the light emitting device is mounted on the mounting substrate in a side view type, solder penetrates along the surface of the connection terminal, thereby improving the reliability of the light emitting device. Decreasing can be avoided. Further, when the light emitting element is connected to the connection terminal by the meltable member, leakage from the convex portion and the vicinity thereof to the external connection portion of the meltable member can be prevented.

このような構成以外は、実質的に実施の形態1の発光装置と同様の構成を有する。よって、実施の形態1と同様の効果を有する。   Except for such a configuration, the configuration is substantially the same as that of the light-emitting device of the first embodiment. Therefore, it has the same effect as the first embodiment.

実施の形態5
この実施の形態の発光装置50は、図9A〜図9Eに示すように、発光素子5の上に、透光性部材10bとして、透明のガラス板と、その表面にスプレーによって塗布された蛍光体層10cとが配置されている。
これらの構成以外は、実質的に実施の形態4の発光装置と同様の構成を有する。よって、実施の形態1及び4と同様の効果を有する。
Embodiment 5
As shown in FIGS. 9A to 9E, the light emitting device 50 of this embodiment includes a transparent glass plate on the light emitting element 5 as a translucent member 10b and a phosphor coated on the surface thereof by spraying. Layer 10c is disposed.
Except for these configurations, the configuration is substantially the same as that of the light-emitting device of Embodiment 4. Therefore, it has the same effect as Embodiments 1 and 4.

実施の形態6
この実施の形態の発光装置は、図10に示すように、接続端子53における凸部53aの平面形状がX字状に形成されている以外、実質的に実施の形態4及び5の発光装置と同様の構成を有する。よって、実施の形態1、4及び5と同様の効果を有する。
加えて、凸部形状をX字状とすることにより、平面視において凹んだ部位へ溶融性部材が貯まりやすく、発光素子の接続をより確実かつ強固とすることができる。
Embodiment 6
As shown in FIG. 10, the light emitting device of this embodiment is substantially the same as the light emitting device of Embodiments 4 and 5, except that the planar shape of the convex portion 53a in the connection terminal 53 is formed in an X shape. It has the same configuration. Therefore, the same effects as those of the first, fourth, and fifth embodiments are obtained.
In addition, by making the convex shape into an X shape, the meltable member can be easily stored in the concave portion in plan view, and the connection of the light emitting element can be made more reliable and strong.

実施の形態7
この実施の形態の発光装置60は、図11に示すように、母材62の長手方向の両端近傍にスルーホール62aを有し、接続部材63は、上面からスルーホール62aを通って下面に延長しており、端面を被覆しないこと以外は実質的に実施形態1及び4の発光装置と同様の構成を有する。よって、実施の形態1及び4と同様の効果を有する。
Embodiment 7
As shown in FIG. 11, the light emitting device 60 of this embodiment has through holes 62a in the vicinity of both ends in the longitudinal direction of the base material 62, and the connection member 63 extends from the upper surface to the lower surface through the through holes 62a. The light emitting device has substantially the same configuration as that of the light emitting devices of Embodiments 1 and 4 except that the end surface is not covered. Therefore, it has the same effect as Embodiments 1 and 4.

実施の形態8
本実施形態の発光装置70は、図12A〜図12Gに示すように、母材72と、母材72の表面に設けられた接続端子73とを有する基体と、1つの発光素子5と、光反射性部材7とを含んで構成されている。発光素子5は、接続端子73に設けられた2つの凸部73aに溶融性部材6によって接続されている。また、図12Cに示すように、基体の裏面において、一対の接続端子73の間に絶縁性の膜78を有している。さらに、発光素子5と封止部材7の上面とを連続して被覆する、蛍光体を含有する透光性部材10dを備える。
母材72に配置される接続端子73のパターンの形状及び接続端子73の表面に形成された凸部73aの大きさが異なり、透光性部材10dの4つの端面が光反射性部材7の4つの端面と一致している以外は、実質的に実施形態1の発光装置と同様の構成を有する。よって、実施の形態1と同様の効果を有する。
ここで用いた発光素子5は、長手方向の長さが1.1mm、短手方向の幅が0.2mm、厚さが0.2mmの直方体状の青色発光(発光中心波長455nm)のLEDチップである。
基体は、長手方向の長さが3.5mm、短手方向の幅が0.4mm、厚さが0.2mmの略直方体形状である。光反射性部材7は、長手方向の長さが1.2mm、短手方向の幅が0.4mm、厚さが0.3mmの略直方体状に成形されている。
Embodiment 8
As shown in FIGS. 12A to 12G, the light-emitting device 70 of the present embodiment includes a base body having a base material 72, a connection terminal 73 provided on the surface of the base material 72, one light-emitting element 5, and light. The reflective member 7 is included. The light emitting element 5 is connected to two convex portions 73 a provided on the connection terminal 73 by the meltable member 6. Further, as shown in FIG. 12C, an insulating film 78 is provided between the pair of connection terminals 73 on the back surface of the base. Furthermore, a translucent member 10d containing a phosphor that continuously covers the light emitting element 5 and the upper surface of the sealing member 7 is provided.
The shape of the pattern of the connection terminal 73 arranged on the base material 72 and the size of the convex portion 73a formed on the surface of the connection terminal 73 are different, and the four end surfaces of the translucent member 10d are 4 of the light reflective member 7. The configuration is substantially the same as that of the light emitting device of Embodiment 1 except that the two end surfaces coincide with each other. Therefore, it has the same effect as the first embodiment.
The light emitting element 5 used here is a rectangular parallelepiped blue light emitting (emission central wavelength of 455 nm) LED having a length in the longitudinal direction of 1.1 mm, a width in the short direction of 0.2 mm, and a thickness of 0.2 mm. It is.
The base has a substantially rectangular parallelepiped shape with a length in the longitudinal direction of 3.5 mm, a width in the lateral direction of 0.4 mm, and a thickness of 0.2 mm. The light reflecting member 7 is formed in a substantially rectangular parallelepiped shape having a length in the longitudinal direction of 1.2 mm, a width in the lateral direction of 0.4 mm, and a thickness of 0.3 mm.

この発光装置70は、図12Gに示すように、母材72cに複合接続端子73cが形成された複合基体を用いて、実施形態1と同様に製造することができる。この複合基体は、個片化工程後に、図12D及び図12Eに示すような各発光装置の基体となるものが複数個連なって構成されている。2つの発光素子5は接続端子83と第2の接続端子83eに設けられた4つの凸部83aに溶融性部材6によって接合されている。   As shown in FIG. 12G, the light emitting device 70 can be manufactured in the same manner as in the first embodiment by using a composite substrate in which a composite connection terminal 73c is formed on a base material 72c. The composite substrate is constituted by a plurality of continuous substrates which are the substrates of the light emitting devices as shown in FIGS. 12D and 12E after the individualization step. The two light emitting elements 5 are joined to the four convex portions 83a provided on the connection terminal 83 and the second connection terminal 83e by the meltable member 6.

実施の形態9
本実施形態の発光装置80は、図13A〜図13Gに示すように、母材82と、母材82の表面に設けられた接続端子83、第2の接続端子83eとを有する基体と、2つの発光素子5と、光反射性部材7とを含んで構成されている。
発光素子5の数と、母材82に配置される接続端子83のパターンの形状及び接続端子83の表面に形成された凸部83aの大きさが異なり、透光性部材10dの4つの端面が光反射性部材7の4つの端面と一致している以外は、実質的に実施形態1の発光装置と同様の構成を有する。よって、実施の形態1と同様の効果を有する。
2つの発光素子5は、長手方向の幅が1.1mm、短手方向の幅が0.2mm、厚みが0.2mmの略直方体であり、0.4mmの間隔で基体の長手方向に並んで実装されている。基体は、長手方向の長さが3.5mm、短手方向の幅が0.4mm、厚みが0.15mmの略直方体形状に成形されている。光反射性部材7は、基体の第1主面の中央に、長手方向の長さが3.0mm、短手方向の幅が0.4mm、厚さが0.2mmの略直方体状に成形されている。
母材82は、2つの発光素子5の間にスルーホール82dを有しており、そのスルーホール82dを埋め込んで第2の接続端子83eが裏面に及んでいる。つまり、第2の接続端子83eは、基体の裏面側において、2つの発光素子5の間に設けられている。より詳細には、2つの発光素子の直下にそれぞれ設けられた2つの絶縁性の膜88bの間に設けられている。なお、2つの絶縁性の膜84は、母材82と接し、それぞれ接続端子83と第2の接続端子83eと離間して設けられている。第2の接続端子83eは、基体の裏面側において絶縁性の膜に被覆されることなく露出しており、発光装置が実装された場合には、半田等の接合部材が接続されることで、放熱用の端子としても機能する。
そして、2つの発光素子5と封止部材7の上面とを連続して被覆する、蛍光体を含有する透光性部材10dを備える。
Embodiment 9
As shown in FIGS. 13A to 13G, the light emitting device 80 according to the present embodiment includes a base body having a base material 82, a connection terminal 83 provided on the surface of the base material 82, and a second connection terminal 83 e, 2 Two light emitting elements 5 and a light reflecting member 7 are included.
The number of the light emitting elements 5, the shape of the pattern of the connection terminal 83 arranged on the base material 82, and the size of the convex portion 83a formed on the surface of the connection terminal 83 are different, and the four end surfaces of the translucent member 10d are different. The configuration is substantially the same as that of the light-emitting device of Embodiment 1 except that it matches the four end faces of the light-reflecting member 7. Therefore, it has the same effect as the first embodiment.
The two light emitting elements 5 are substantially rectangular parallelepipeds having a longitudinal width of 1.1 mm, a lateral width of 0.2 mm, and a thickness of 0.2 mm, and are arranged in the longitudinal direction of the substrate at intervals of 0.4 mm. Has been implemented. The base body is formed in a substantially rectangular parallelepiped shape having a length in the longitudinal direction of 3.5 mm, a width in the lateral direction of 0.4 mm, and a thickness of 0.15 mm. The light reflective member 7 is formed in the center of the first main surface of the base body into a substantially rectangular parallelepiped shape having a length in the longitudinal direction of 3.0 mm, a width in the short direction of 0.4 mm, and a thickness of 0.2 mm. ing.
The base material 82 has a through hole 82d between the two light emitting elements 5, and the second connection terminal 83e extends to the back surface by filling the through hole 82d. That is, the second connection terminal 83e is provided between the two light emitting elements 5 on the back side of the base. More specifically, it is provided between two insulating films 88b provided immediately below the two light emitting elements. Note that the two insulating films 84 are in contact with the base material 82 and are provided apart from the connection terminal 83 and the second connection terminal 83e, respectively. The second connection terminal 83e is exposed without being covered with an insulating film on the back surface side of the base, and when a light emitting device is mounted, a joining member such as solder is connected, Also functions as a terminal for heat dissipation.
And the translucent member 10d containing the fluorescent substance which coat | covers continuously the two light emitting elements 5 and the upper surface of the sealing member 7 is provided.

この発光装置80は、図13Gに示す、母材82cに複合接続端子83cが形成された複合基体を用いて、実施形態1と同様に製造することができる。この複合基体は、個片化工程後に、図13D及び図13Eに示すような各発光装置の基体となるものが複数個連なって構成されている。   The light emitting device 80 can be manufactured in the same manner as in the first embodiment, using a composite substrate shown in FIG. 13G in which a composite connection terminal 83c is formed on a base material 82c. The composite substrate is formed by connecting a plurality of substrates that are the substrates of the light emitting devices as shown in FIGS. 13D and 13E after the singulation process.

本発明の発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト光源、各種照明器具、大型ディスプレイ、広告、行き先案内等の各種表示装置、さらには、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置、プロジェクタ装置などに利用することができる。   The light-emitting device of the present invention includes a backlight source of a liquid crystal display, various lighting devices, a large display, various displays such as advertisements, destination guidance, and an image reading device in a digital video camera, a facsimile, a copier, a scanner, etc. It can be used for projector devices.

1、20、30、40、50、60、70、80 発光装置
2、12、22、32、42、62、72、82 母材
2a 上面
2b 端面
2c 下面
3、23、33、43、53、63、73、83 接続端子
3a、13a、23a、43a、53a、63a、73a、83a 凸部
3b、33b 外部接続部
4、24 基体
5、5a 発光素子
6 溶融性部材
7、17、27 光反射性部材
8、78、84 絶縁性の膜
9 絶縁部材
10、10a、10b、10d 透光性部材
10c 蛍光体層
13、73c、83c 複合接続端子
14、72c、82c 複合基体
15、75、85 スリット
25 端子
43c、63b 補強端子
51 実装基板
52 配線パターン
54 半田
62a、82d スルーホール
83e 第2の接続端子
1, 20, 30, 40, 50, 60, 70, 80 Light-emitting device 2, 12, 22, 32, 42, 62, 72, 82 Base material 2a Upper surface 2b End surface 2c Lower surface 3, 23, 33, 43, 53, 63, 73, 83 Connection terminal 3a, 13a, 23a, 43a, 53a, 63a, 73a, 83a Convex part 3b, 33b External connection part 4, 24 Base body 5, 5a Light emitting element 6 Melting member 7, 17, 27 Light reflection Conductive member 8, 78, 84 Insulating film 9 Insulating member 10, 10a, 10b, 10d Translucent member 10c Phosphor layer 13, 73c, 83c Composite connection terminal 14, 72c, 82c Composite substrate 15, 75, 85 Slit 25 terminal 43c, 63b reinforcement terminal 51 mounting board 52 wiring pattern 54 solder 62a, 82d through hole 83e second connection terminal

Claims (11)

少なくとも第1主面上に一対の接続端子を備える基体と、
前記接続端子と溶融性部材によって接続された発光素子と、
該発光素子を被覆する光反射性部材と、を備える発光装置であって、
前記接続端子は、前記第1主面上において、前記発光素子と接続される部位が前記接続端子から突出した凸部を備えており、
該凸部は、前記第1主面上において、前記接続端子の縁部から離間しており、
前記凸部及び前記溶融性部材は、前記光反射性部材に埋め込まれていることを特徴とする発光装置。
A base body provided with a pair of connection terminals on at least the first main surface;
A light emitting device connected to the connection terminal by a meltable member;
A light reflecting device that covers the light emitting element, and a light emitting device comprising:
The connection terminal includes a convex portion projecting from the connection terminal on the first main surface, the portion connected to the light emitting element.
The convex portion is spaced from the edge of the connection terminal on the first main surface,
The light emitting device, wherein the convex portion and the meltable member are embedded in the light reflective member.
発光装置がサイドビュー型の発光装置である請求項1に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 1, wherein the light emitting device is a side view type light emitting device. 前記基体と前記発光素子との間は、前記光反射性部材で埋め込まれている請求項1又は2に記載の発光装置。   The light-emitting device according to claim 1, wherein the light-reflecting member is embedded between the base and the light-emitting element. 前記発光素子の第1主面は、前記光反射性部材の第1主面と同一面を形成するか、前記光反射性部材の第1主面よりも低い位置にある請求項1〜3のいずれか1つに記載の発光装置。 The 1st main surface of the said light emitting element forms the same surface as the 1st main surface of the said light reflective member, or exists in a position lower than the 1st main surface of the said light reflective member. The light emitting device according to any one of the above. 前記発光素子の第1主面上に、前記発光素子からの光に励起される蛍光体を含有する透光性部材が配置されている請求項1〜4のいずれか1つに記載の発光装置。   The light-emitting device according to any one of claims 1 to 4, wherein a translucent member containing a phosphor excited by light from the light-emitting element is disposed on the first main surface of the light-emitting element. . 前記透光性部材の端面及び前記発光素子の端面が前記光反射性部材に被覆されている請求項5に記載の発光装置。   The light-emitting device according to claim 5, wherein an end face of the translucent member and an end face of the light-emitting element are covered with the light-reflecting member. 前記接続端子は、前記基体の第1主面上から該第1主面とは反対側の面である第2主面に延長して設けられている請求項1〜6のいずれか1つに記載の発光装置。   7. The connection terminal according to claim 1, wherein the connection terminal extends from the first main surface of the base to a second main surface that is a surface opposite to the first main surface. The light-emitting device of description. 前記接続端子は、前記第1主面上において、前記凸部と、前記発光装置の外部と接続される外部接続部とを有し、
前記凸部と前記外部接続部との間に前記接続端子の一部を被覆する絶縁部材を備える請求項1〜7のいずれか1つに記載の発光装置。
The connection terminal has the convex part and an external connection part connected to the outside of the light emitting device on the first main surface,
The light emitting device according to claim 1, further comprising an insulating member that covers a part of the connection terminal between the convex portion and the external connection portion.
少なくとも第1主面上に一対の接続端子を備え、該接続端子は、その縁部から離間した凸部を有する基体を準備し、
基板上に半導体積層体を有し、かつ半導体積層体の同一面側に一対の電極を有する発光素子を、前記基体の第1主面上の凸部に載置し、溶融性部材によって前記発光素子の一対の電極と一対の接続端子とをそれぞれ接続し、
該接続端子の凸部及び前記溶融性部材の表面ならびに前記基体と前記発光素子との間を光反射性部材で埋め込む工程を備える発光装置の製造方法。
A pair of connection terminals to at least the first main surface, the connection terminal prepares a group member that having a protrusion spaced from the edge,
A light emitting element having a semiconductor laminate on a substrate and having a pair of electrodes on the same surface side of the semiconductor laminate is placed on a convex portion on the first main surface of the base, and the light emission is performed by a meltable member. A pair of electrodes of the element and a pair of connection terminals, respectively,
A method of manufacturing a light emitting device, comprising: a step of embedding a convex portion of the connection terminal, a surface of the meltable member, and a space between the base and the light emitting element with a light reflective member.
さらに、前記発光素子から前記基板を剥離する工程を含む請求項9に記載の発光装置の製造方法。   Furthermore, the manufacturing method of the light-emitting device of Claim 9 including the process of peeling the said board | substrate from the said light emitting element. さらに、前記基板が剥離された前記半導体積層体の一面に透光性部材を配置する請求項10に記載の発光装置の製造方法。   Furthermore, the manufacturing method of the light-emitting device of Claim 10 which arrange | positions a translucent member in one surface of the said semiconductor laminated body from which the said board | substrate peeled.
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015106444A1 (en) * 2015-04-27 2016-10-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component arrangement and method for producing a multiplicity of optoelectronic component arrangements
JP6217705B2 (en) * 2015-07-28 2017-10-25 日亜化学工業株式会社 Light emitting device and manufacturing method thereof
KR102208504B1 (en) * 2016-07-28 2021-01-28 루미레즈 엘엘씨 Light-emitting device package with reflective side coating
US10330852B2 (en) 2016-10-19 2019-06-25 Nichia Corporation Light-emitting device
JP6579159B2 (en) 2016-10-19 2019-09-25 日亜化学工業株式会社 Light emitting device
JP6699580B2 (en) 2017-02-09 2020-05-27 日亜化学工業株式会社 Light emitting device
US10707384B2 (en) 2017-07-06 2020-07-07 Nichia Corporation Light-emitting device
JP7189413B2 (en) * 2017-07-06 2022-12-14 日亜化学工業株式会社 light emitting device
JP6838528B2 (en) * 2017-08-31 2021-03-03 日亜化学工業株式会社 Substrate manufacturing method and light emitting device manufacturing method
US11367820B2 (en) 2017-09-01 2022-06-21 Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device package and light source device
KR102388285B1 (en) * 2017-09-01 2022-04-19 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 Light emitting device package and light unit
KR102401964B1 (en) * 2017-09-12 2022-05-25 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 Light emitting device package and lighting module
JP2017224867A (en) * 2017-09-28 2017-12-21 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device and manufacturing method therefor
JP6658808B2 (en) 2017-12-25 2020-03-04 日亜化学工業株式会社 Light emitting device and method of manufacturing light emitting device
JP7259216B2 (en) * 2018-06-04 2023-04-18 三菱ケミカル株式会社 Polarizer protective film
JP7421056B2 (en) 2018-09-27 2024-01-24 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device and method for manufacturing the light-emitting device
KR102270996B1 (en) * 2018-09-27 2021-06-29 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 Light emitting device and method for manufacturing light emitting device
JP7425750B2 (en) * 2018-12-27 2024-01-31 デンカ株式会社 Phosphor substrates, light emitting substrates and lighting devices
JP7444537B2 (en) * 2018-12-27 2024-03-06 デンカ株式会社 Method for manufacturing a phosphor substrate, method for manufacturing a light emitting substrate, and method for manufacturing a lighting device
JP7057508B2 (en) 2019-03-28 2022-04-20 日亜化学工業株式会社 Light emitting device
JP7307874B2 (en) 2019-04-26 2023-07-13 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device and light-emitting module

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5979588A (en) * 1982-10-29 1984-05-08 Hitachi Ltd Light emitting semiconductor device
JPH0563242A (en) * 1991-08-29 1993-03-12 Nippon Steel Corp Lead frame for light emitting diode and light emitting diode lamp
JP2967080B1 (en) * 1998-05-14 1999-10-25 松下電器産業株式会社 Method of manufacturing semiconductor device package
JP2000315855A (en) * 1999-04-28 2000-11-14 Canon Inc Facedown mounting substrate and facedown mounting method
JP4366810B2 (en) * 2000-02-08 2009-11-18 日亜化学工業株式会社 Method for forming light emitting diode
JP2001223243A (en) * 2000-02-14 2001-08-17 Seiko Epson Corp Semiconductor device and its manufacturing method, circuit board and electronic equipment
JP2003101121A (en) * 2001-09-27 2003-04-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor light emitting device
JP3794987B2 (en) * 2002-05-29 2006-07-12 ローム株式会社 Semiconductor light emitting device
JP4091926B2 (en) * 2003-11-26 2008-05-28 京セラ株式会社 Light emitting device and lighting device
JP4486451B2 (en) * 2004-09-07 2010-06-23 スタンレー電気株式会社 LIGHT EMITTING DEVICE, LEAD FRAME USED FOR THE LIGHT EMITTING DEVICE, AND LEAD FRAME MANUFACTURING METHOD
US7462502B2 (en) * 2004-11-12 2008-12-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Color control by alteration of wavelength converting element
JP4673610B2 (en) * 2004-11-25 2011-04-20 シチズン電子株式会社 Surface mount type light emitting diode
JP4706825B2 (en) * 2005-02-18 2011-06-22 日亜化学工業株式会社 Side-view type light emitting device
JP4920330B2 (en) * 2006-07-18 2012-04-18 ソニー株式会社 Mounting method for mounting structure, mounting method for light emitting diode display, mounting method for light emitting diode backlight, and mounting method for electronic device
TWI313943B (en) * 2006-10-24 2009-08-21 Chipmos Technologies Inc Light emitting chip package and manufacturing thereof
JP4966810B2 (en) * 2007-07-13 2012-07-04 シャープ株式会社 Device mounting substrate, electronic component, light emitting device, liquid crystal backlight device, and electronic component mounting method
JP5251038B2 (en) * 2007-08-23 2013-07-31 豊田合成株式会社 Light emitting device
JP5224173B2 (en) * 2008-03-07 2013-07-03 スタンレー電気株式会社 Semiconductor light emitting device
JP5278023B2 (en) * 2009-02-18 2013-09-04 日亜化学工業株式会社 Method for manufacturing light emitting device
CN102403306B (en) * 2010-09-10 2015-09-02 展晶科技(深圳)有限公司 Package structure for LED
JP5666962B2 (en) * 2011-03-28 2015-02-12 日東電工株式会社 Light emitting diode device and manufacturing method thereof
JP2012243822A (en) * 2011-05-16 2012-12-10 Citizen Electronics Co Ltd Led light-emitting device and manufacturing method thereof
JP5730680B2 (en) * 2011-06-17 2015-06-10 シチズン電子株式会社 LED light emitting device and manufacturing method thereof
JP5874233B2 (en) * 2011-08-05 2016-03-02 日亜化学工業株式会社 Light emitting element and light emitting device

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