JP2018085533A - Light emitting apparatus - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light emitting apparatus capable of stably and accurately installing or mounting without generating a device failure in installation to a package of a light emitting device and mounting to a mounting substrate of the light emitting apparatus even if it is a compact and thin light emitting apparatus.SOLUTION: The light emitting apparatus includes: a base body including a rectangular base material, a connection terminal provided on a first main surface of the base material, and an external connection portion provided on a second main surface opposite to the first main surface; a light emitting device connected by a fusible bonding member to the connection terminal of the first main surface; and a light reflective member covering the light emitting device. The connection terminal has a protrusion and is connected to the external connection portion of the second main surface through through-holes near both ends in the longitudinal direction of the base material.SELECTED DRAWING: Figure 11

Description

本発明は、発光装置に関する。   The present invention relates to a light emitting device.

従来から、チップと略同等サイズのチップスケールパッケージ(CSP)の発光装置が
提案されている(例えば、特許文献1)。この発光装置は、トップビュー型の実装形態で
の発光装置であり、その用途によっては、発光装置自体の厚みが薄く、非常に有効に利用
することができる。また、この発光装置は、パッケージに利用されているリード電極上に
突起部を形成することにより、量産効率を向上させて、より一層の薄型化を実現している

一方、電子機器の表示パネルのバックライト光源等として、サイドビュー型の発光装置
が使用されている。
サイドビュー型の発光装置は、その実装形態が、上述したトップビュー型とは異なるた
めに、実装の安定性、配光状態などにおいて、トップビュー型をそのまま適用することが
できない種々の制約がある。
Conventionally, a light emitting device of a chip scale package (CSP) approximately the same size as a chip has been proposed (for example, Patent Document 1). This light-emitting device is a light-emitting device in a top-view type mounting form. Depending on the application, the light-emitting device itself is thin and can be used very effectively. In addition, the light emitting device is formed with a protrusion on a lead electrode used for a package, thereby improving mass production efficiency and realizing further reduction in thickness.
On the other hand, a side view type light emitting device is used as a backlight light source of a display panel of an electronic device.
Since the mounting form of the side view type light emitting device is different from the above-described top view type, there are various restrictions that the top view type cannot be applied as it is in terms of mounting stability, light distribution state, and the like. .

特開2001−223391号公報JP 2001-223391 A

特に、近年、より小型化及び薄膜化が要求されている発光装置では、チップスケールの
パッケージ自体の占有空間を最小限にするために、基体の平坦化及び縮小化が進められて
いる。そのために、端子として利用される金属部材が、板状のリード電極から基体自体に
直接極薄膜状に成膜された金属膜に移行している。このような金属膜をパッケージに利用
してもなお、特にサイドビュー型の発光装置において、発光素子のパッケージへの搭載、
発光装置の実装基板への実装において、素子不良が発生することなく、安定的かつ高精度
に搭載又は実装し得るものが求められている。
また、より小型のチップによって、さらなる高出力又は高輝度等が求められる状況下、
より一層の光取り出し効率の向上を実現する必要がある。
In particular, in recent years, in light-emitting devices that are required to be smaller and thinner, flattening and downsizing of the substrate have been promoted in order to minimize the space occupied by the chip scale package itself. For this reason, the metal member used as a terminal has shifted from a plate-like lead electrode to a metal film formed directly on the substrate itself in the form of an ultrathin film. Even when such a metal film is used for a package, particularly in a side-view type light-emitting device, mounting of a light-emitting element on a package,
In mounting a light emitting device on a mounting substrate, there is a demand for a device that can be mounted or mounted stably and with high accuracy without causing element failure.
In addition, under a situation where a further smaller output or higher brightness is required by a smaller chip,
It is necessary to further improve the light extraction efficiency.

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、小型かつ薄型の発光装置であっても
、発光素子のパッケージへの搭載、発光装置の実装基板への実装において、素子不良が発
生することなく、安定的かつ高精度に搭載又は実装し得る発光装置を提供することを目的
とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and even in a small and thin light-emitting device, an element defect occurs when the light-emitting element is mounted on a package and the light-emitting device is mounted on a mounting substrate. An object of the present invention is to provide a light emitting device that can be mounted or mounted stably and with high accuracy.

本発明は、
少なくとも第1主面上に一対の接続端子を備える基体と、
前記接続端子と溶融性部材によって接続された発光素子と、
該発光素子を被覆する光反射性部材と、を備える発光装置であって、
前記接続端子は、前記第1主面上において、前記発光素子と接続される部位が前記接続
端子から突出した凸部を備えており、
該凸部及び前記溶融性部材は、前記光反射性部材に埋め込まれている発光装置である。
また、本発明は、
少なくとも第1主面上に凸部を有する一対の接続端子を備える基体を準備し、
基板上に半導体積層体を有し、かつ半導体積層体の同一面側に一対の電極を有する発光
素子を、前記基体の第1主面上の凸部に載置し、溶融性部材によって前記発光素子の一対
の電極と一対の接続端子とをそれぞれ接続し、
該接続端子の凸部及び前記溶融性部材の表面ならびに前記基体と前記発光素子との間を
光反射性部材で埋め込む工程を備える発光装置の製造方法である。
The present invention
A base body provided with a pair of connection terminals on at least the first main surface;
A light emitting device connected to the connection terminal by a meltable member;
A light reflecting device that covers the light emitting element, and a light emitting device comprising:
The connection terminal includes a convex portion projecting from the connection terminal on the first main surface, the portion connected to the light emitting element.
The convex portion and the meltable member are light emitting devices embedded in the light reflective member.
The present invention also provides:
Preparing a base including a pair of connection terminals having a convex portion on at least the first main surface;
A light emitting element having a semiconductor laminate on a substrate and having a pair of electrodes on the same surface side of the semiconductor laminate is placed on a convex portion on the first main surface of the base, and the light emission is performed by a meltable member. A pair of electrodes of the element and a pair of connection terminals, respectively,
It is a method for manufacturing a light emitting device including a step of embedding a convex portion of the connection terminal, a surface of the meltable member, and a space between the base and the light emitting element with a light reflective member.

本発明の発光装置によれば、小型かつ薄型の発光装置であっても、発光素子のパッケー
ジへの搭載、発光装置の実装基板への実装において、素子不良が発生することなく、安定
的かつ高精度に搭載又は実装が実現される。
本発明の発光装置の製造方法によれば、上述した発光装置を簡便かつ確実に製造するこ
とができる。
According to the light-emitting device of the present invention, even if the light-emitting device is small and thin, it is stable and high without causing any element defect in mounting the light-emitting element on the package and mounting the light-emitting device on the mounting substrate. Mounting or mounting is realized with high accuracy.
According to the method for manufacturing a light-emitting device of the present invention, the above-described light-emitting device can be easily and reliably manufactured.

本発明の一実施の形態の発光装置の概略斜視図である。1 is a schematic perspective view of a light emitting device according to an embodiment of the present invention. 図1の発光装置のA−A’線断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line A-A ′ of the light emitting device of FIG. 1. 図1の発光装置の平面透視図である。It is a plane perspective view of the light-emitting device of FIG. 図1の発光装置が実装部材に実装された状態を示す概略斜視図である。It is a schematic perspective view which shows the state in which the light-emitting device of FIG. 1 was mounted in the mounting member. 図1の発光装置の製造方法を説明するための概略平面図である。It is a schematic plan view for demonstrating the manufacturing method of the light-emitting device of FIG. 図5AのB−B’線断面図である。It is a B-B 'line sectional view of Drawing 5A. 本発明の別の実施の形態の発光装置の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the light-emitting device of another embodiment of this invention. 本発明のさらに別の実施の形態の発光装置の概略断面である。It is a schematic cross section of the light-emitting device of further another embodiment of this invention. 本発明のさらに別の実施の形態の発光装置の概略平面図である。It is a schematic plan view of the light-emitting device of further another embodiment of this invention. 図8Aの矢印E側から見た側面図である。It is the side view seen from the arrow E side of FIG. 8A. 図8AのF−F’線断面図である。It is the F-F 'sectional view taken on the line of FIG. 8A. 図8AのG−G’線断面図である。It is the G-G 'sectional view taken on the line of FIG. 8A. 図8Aの発光装置における基体の平面図である。It is a top view of the base | substrate in the light-emitting device of FIG. 8A. 図8Eの基体の矢印E側から見た透視図である。It is the perspective view seen from the arrow E side of the base | substrate of FIG. 8E. 図8Eの基体の裏面透視図である。It is a back surface perspective view of the base | substrate of FIG. 8E. 本発明のさらに別の実施の形態の発光装置の概略平面図である。It is a schematic plan view of the light-emitting device of further another embodiment of this invention. 図9Aの矢印E側から見た側面図である。It is the side view seen from the arrow E side of FIG. 9A. 図9AのF−F’線断面図である。It is the F-F 'sectional view taken on the line of FIG. 9A. 図9AのG−G’線断面図である。FIG. 9B is a sectional view taken along line G-G ′ of FIG. 9A. 図9Aの発光装置における基体の平面図である。It is a top view of the base | substrate in the light-emitting device of FIG. 9A. 本発明のさらに別の実施の形態の発光装置における接続端子の凸部の形状を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows the shape of the convex part of the connecting terminal in the light-emitting device of further another embodiment of this invention. 本発明のさらに別の実施の形態の発光装置の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the light-emitting device of another embodiment of this invention. 本発明のさらに別の実施の形態の発光装置の概略部分平面透視図である。It is a general | schematic partial plane perspective view of the light-emitting device of another embodiment of this invention. 図12Aの側面図である。FIG. 12B is a side view of FIG. 12A. 図12Aの断面図である。It is sectional drawing of FIG. 12A. 図12Aの発光装置における基体の平面図である。It is a top view of the base | substrate in the light-emitting device of FIG. 12A. 図12Aの発光装置における基体の断面図である。It is sectional drawing of the base | substrate in the light-emitting device of FIG. 12A. 図12Aの発光装置における基体の裏面図である。FIG. 12B is a rear view of the base in the light emitting device of FIG. 12A. 図12Aの発光装置の製造方法を説明するための基体の概略部分平面図である。It is a general | schematic fragmentary top view of the base | substrate for demonstrating the manufacturing method of the light-emitting device of FIG. 12A. 本発明のさらに別の実施の形態の発光装置の概略平面透視図である。It is a schematic plane perspective view of the light-emitting device of further another embodiment of this invention. 図13Aの側面図である。FIG. 13B is a side view of FIG. 13A. 図13Aの断面図である。It is sectional drawing of FIG. 13A. 図13Aの発光装置における基体の平面図である。It is a top view of the base | substrate in the light-emitting device of FIG. 13A. 図13Aの発光装置における基体の断面図である。It is sectional drawing of the base | substrate in the light-emitting device of FIG. 13A. 図13Aの発光装置における基体の裏面図である。It is a back view of the base | substrate in the light-emitting device of FIG. 13A. 図13Aの発光装置の製造方法を説明するための基体の概略部分平面図である。It is a general | schematic fragmentary top view of the base | substrate for demonstrating the manufacturing method of the light-emitting device of FIG. 13A.

以下、発明の実施の形態について適宜図面を参照して説明する。ただし、以下に説明す
る発光装置は、本発明の技術思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない
限り、本発明を以下のものに限定しない。また、一の実施の形態、実施例において説明す
る内容は、他の実施の形態、実施例にも適用可能である。
各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していること
がある。
Hereinafter, embodiments of the invention will be described with reference to the drawings as appropriate. However, the light-emitting device described below is for embodying the technical idea of the present invention, and the present invention is not limited to the following unless otherwise specified. The contents described in one embodiment and example are applicable to other embodiments and examples.
The size and positional relationship of the members shown in each drawing may be exaggerated for clarity of explanation.

本発明の発光装置は、一対の接続端子を備える基体と、発光素子と、光反射性部材とを
備える。この発光装置は、どのような実装形態に利用されるものでもよいが、サイドビュ
ー型、いわゆる側面発光型と称される実装形態で実装される発光装置、つまり、光取り出
し面に隣接する面を実装面とするものであることが好ましい。
The light emitting device of the present invention includes a base body including a pair of connection terminals, a light emitting element, and a light reflecting member. This light emitting device may be used in any mounting form, but a light emitting device mounted in a mounting form called a side view type, so-called side light emitting type, that is, a surface adjacent to the light extraction surface. A mounting surface is preferable.

本明細書においては、発光装置の光取り出し面を上面、光取り出し面に隣接又は交差す
る面を側面と称し、側面のうちの1つを発光装置の実装面と称する。これに伴って、発光
装置を構成する各要素又は各部材の面のうち、発光装置の光取り出し面に対応する面を第
1主面(つまり、上面)と、第1主面の反対側の面を第2主面(つまり、下面)と、第1
主面と第2主面に隣接又は交差する面(つまり、発光装置の側面に対応する面)を端面と
称することがある。
In this specification, the light extraction surface of the light emitting device is referred to as an upper surface, the surface adjacent to or intersecting with the light extraction surface is referred to as a side surface, and one of the side surfaces is referred to as a mounting surface of the light emitting device. Accordingly, the surface corresponding to the light extraction surface of the light emitting device among the surfaces of each element or each member constituting the light emitting device is the first main surface (that is, the upper surface) and the opposite side of the first main surface. The first main surface (that is, the lower surface) and the first
A surface adjacent to or intersecting with the main surface and the second main surface (that is, a surface corresponding to the side surface of the light emitting device) may be referred to as an end surface.

〔基体〕
基体は、少なくとも第1主面に正負に対応する一対の接続端子を備える。これら接続端
子は、通常、母材の少なくとも第1主面に形成されている。ここでの第1主面とは、基体
又は母材の一方の表面を指す。
基体の形状は特に限定されないが、通常、後述する母材の形状に相当する形状となる。
例えば、少なくとも第1主面が、長手方向に長いことが好ましく、さらに、長手方向に直
交する短手方向を備えることがより好ましい。
[Substrate]
The base body includes a pair of connection terminals corresponding to positive and negative at least on the first main surface. These connection terminals are usually formed on at least the first main surface of the base material. The 1st main surface here refers to one surface of a base or a base material.
The shape of the substrate is not particularly limited, but is usually a shape corresponding to the shape of a base material described later.
For example, it is preferable that at least the first main surface is long in the longitudinal direction, and it is more preferable that a short direction perpendicular to the longitudinal direction is provided.

(母材)
母材は、どのような材料によって形成されていてもよい。例えば、金属、セラミック、
樹脂、誘電体、パルプ、ガラス、紙又はこれらの複合材料、あるいはこれら材料と導電材
料(例えば、金属、カーボン等)との複合材料等が挙げられる。金属としては、銅、鉄、
ニッケル、クロム、アルミニウム、銀、金、チタン又はこれらの合金を含むものが挙げら
れる。樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン(BT)樹脂、ポリイミ
ド樹脂等が挙げられる。樹脂には、酸化チタンなどの白色顔料が含有されていてもよい。
なかでも、セラミック、複合樹脂であることが好ましい。
母材がこのような材料によって形成される場合には、公知の製造技術を適用することで
安価に調達することができる。
(Base material)
The base material may be formed of any material. For example, metal, ceramic,
Examples thereof include resins, dielectrics, pulp, glass, paper, or composite materials thereof, or composite materials of these materials and conductive materials (for example, metal, carbon, etc.). Metals include copper, iron,
The thing containing nickel, chromium, aluminum, silver, gold | metal | money, titanium, or these alloys is mentioned. Examples of the resin include an epoxy resin, a bismaleimide triazine (BT) resin, and a polyimide resin. The resin may contain a white pigment such as titanium oxide.
Of these, ceramics and composite resins are preferable.
When the base material is formed of such a material, it can be procured at low cost by applying a known manufacturing technique.

セラミックは、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、窒化ジルコ
ニウム、酸化チタン、窒化チタン又はこれらの混合物を含むものが挙げられ、放熱性の高
い窒化アルミ等を用いることが好ましい。複合樹脂は、ガラスエポキシ樹脂を用いること
が好ましい。なお、母材は適度の強度を確保したものであってもよいし、いわゆるフレキ
シブル性を有するものであってもよい。
Examples of the ceramic include aluminum oxide, aluminum nitride, zirconium oxide, zirconium nitride, titanium oxide, titanium nitride, or a mixture thereof, and it is preferable to use aluminum nitride having high heat dissipation. The composite resin is preferably a glass epoxy resin. Note that the base material may have a moderate strength or may have so-called flexibility.

1つの発光装置における母材の形状、大きさ、厚み等は特に限定されるものではなく、
適宜設定することができる。その第1主面の(平面)形状は、例えば、円形、四角形等の
多角形又はこれらに近い形状が挙げられ、なかでも長方形が好ましい。大きさは、後述す
る発光素子よりも大きい平面積であることが好ましく、特に、発光素子の一辺の2〜5倍
程度の長さを有する大きさが好ましい。厚みは、50〜300μm程度が挙げられる。
The shape, size, thickness, etc. of the base material in one light emitting device are not particularly limited,
It can be set appropriately. Examples of the (planar) shape of the first main surface include a circular shape, a polygonal shape such as a quadrangle, or a shape close to these, and a rectangular shape is preferable among them. The size is preferably a larger area than the light emitting element described later, and in particular, a size having a length of about 2 to 5 times one side of the light emitting element is preferable. As for thickness, about 50-300 micrometers is mentioned.

(接続端子)
一対の接続端子は、基体の少なくとも第1主面上に形成されていればよい。
例えば、接続端子は、第1主面から、第1主面と第2主面との間に存在する面(つまり
、端面)の上に延長して設けられているか、第1主面から、第1主面と第2主面との間に
存在する端面の上を通って、さらに、第2主面上に延長して(例えば、断面視、U字状に
)設けられていることが好ましい(図2の接続端子3、図8Cの接続端子43等参照)。
ここで端面とは、第1主面と第2主面との間に存在する1つの端面の一部又は全部を意味
するが、第1主面と第2主面との間に存在する特定の端面の一部又は全部に加えて、この
特定の端面に隣接する1つ又は2つの端面の一部を含んでいてもよい。
(Connecting terminal)
The pair of connection terminals may be formed on at least the first main surface of the base.
For example, the connection terminal is provided extending from the first main surface on the surface (that is, the end surface) existing between the first main surface and the second main surface, or from the first main surface, It passes over the end surface existing between the first main surface and the second main surface, and further extends on the second main surface (for example, in a cross-sectional view, in a U shape). Preferred (see connection terminal 3 in FIG. 2, connection terminal 43 in FIG. 8C, etc.).
Here, the end surface means a part or all of one end surface existing between the first main surface and the second main surface, but the specific existing between the first main surface and the second main surface. In addition to a part or all of the end face, a part of one or two end faces adjacent to the specific end face may be included.

接続端子は、基体の第1主面上において、発光素子と接続される部位が、接続端子の表
面から突出した凸部を備えている。以下、この部位を「素子接続部」ということがある。
凸部の形状、高さ、大きさ等は特に限定されるものではなく、基体の大きさ、接続端子
の厚み、発光素子の大きさ等によって適宜調整することができる。
凸部は、例えば、後述する発光素子に形成されている一対の電極のそれぞれに対応する
形状、大きさ及び位置に配置されていることが好ましい。また、凸部の平面形状は、円、
楕円又は環、三角形又は四角形等の多角形あるいはこれらの角が丸められた形状、X、L
、E、V字状等の多角形あるいはこれらの角が丸められた形状等が挙げられる。なかでも
、凸部の平面視における外形の少なくとも一部が発光素子の電極の外形と一致する形状で
あることが好ましい。これによって、後述するように、セルフアライメント効果で実装性
を向上させることができる。また、X形状等のように多角形の辺の一部(例えば、中央部
)が内側に凹んだ形状が好ましい。凹んだ部分において溶融性部材を貯めやすく、発光素
子の実装を安定させることができる。
凸部の側面における傾斜は垂直に近いほうが好ましい。これにより、その上に載置する
発光素子が移動しにくくなり、発光素子の実装を安定させることができる。
In the connection terminal, a portion connected to the light emitting element on the first main surface of the base includes a protrusion protruding from the surface of the connection terminal. Hereinafter, this part may be referred to as an “element connection part”.
The shape, height, size, and the like of the convex portion are not particularly limited, and can be appropriately adjusted depending on the size of the base, the thickness of the connection terminal, the size of the light emitting element, and the like.
For example, it is preferable that the convex portions are arranged in shapes, sizes, and positions corresponding to each of a pair of electrodes formed in the light emitting element described later. The planar shape of the convex part is a circle,
Ellipses or rings, polygons such as triangles or quadrangles, or shapes with rounded corners, X, L
, E, and V-shaped polygons, or shapes with rounded corners. Especially, it is preferable that at least a part of the outer shape of the convex portion in plan view is a shape that matches the outer shape of the electrode of the light emitting element. Thereby, as will be described later, the mountability can be improved by the self-alignment effect. Moreover, the shape where a part (for example, center part) of a polygon side was dented inside is preferable like X shape. It is easy to store the meltable member in the recessed portion, and the mounting of the light emitting element can be stabilized.
The inclination on the side surface of the convex portion is preferably close to vertical. Thereby, it becomes difficult for the light emitting element mounted on it to move, and the mounting of the light emitting element can be stabilized.

発光素子と接続される部位は、一対の接続端子では、通常、基体の第1主面上において
、互いに離間している。従って、凸部は、接続端子の縁部に隣接して又は縁部から離間し
て、一部隣接して又は一部離間して配置することができる。なかでも、凸部の全縁部が、
接続端子の縁部から離間してその内側に配置されていることが好ましい(例えば、図3の
凸部3a、図5Aの凸部13a、図8E及び図9Eの凸部43a参照)。このような凸部
の配置により、発光素子の実装時において、後述する溶融状態の溶融性部材が凸部上から
流れたとしても、凸部の周りに貯まりやすく、一対の接続端子の短絡、意図しない領域へ
の溶融性部材の浸入を防止することができる。よって、意図する部位に正確に発光素子を
固定することができる。また、発光素子の実装のための溶融性部材等又はこれらに含まれ
るフラックスなどが、接続端子表面に沿って、後述する光反射性部材下、さらに発光素子
下にまで浸入することを抑制することができる。
In the pair of connection terminals, the portions connected to the light emitting element are usually separated from each other on the first main surface of the base. Therefore, the convex portion can be arranged adjacent to or apart from the edge of the connection terminal and partially adjacent or partially separated. Above all, the whole edge of the convex part
It is preferable that the connecting terminal is spaced from the edge of the connecting terminal and disposed inside thereof (for example, see the convex portion 3a in FIG. 3, the convex portion 13a in FIG. 5A, and the convex portion 43a in FIGS. 8E and 9E). Due to the arrangement of the projections, even when a meltable member to be described later flows from the projection when the light emitting element is mounted, it is easy to collect around the projection, and the short circuit between the pair of connection terminals, the intention It is possible to prevent the meltable member from entering the area that is not. Therefore, the light emitting element can be accurately fixed to the intended site. Further, it is possible to prevent a meltable member or the like for mounting the light emitting element or a flux contained therein from penetrating under the light reflecting member (to be described later) and further below the light emitting element along the connection terminal surface. Can do.

凸部の高さは、例えば、基体の第1主面上における接続端子の最も薄膜の部位よりも突
出していればよく、最も薄膜の部位の厚みの10%以上、20%以上、30%以上、40
%以上、50%以上、100%以上であることが好ましい。言い換えると、接続端子は、
通常、第1主面における最も薄膜部分の厚みが10〜40μm程度である場合、凸部の厚
みは1〜40μm程度が挙げられる。
For example, the height of the convex portion only needs to protrude from the thinnest part of the connection terminal on the first main surface of the base, and is 10% or more, 20% or more, 30% or more of the thickness of the thinnest part. , 40
% Or more, 50% or more, preferably 100% or more. In other words, the connection terminal is
Usually, when the thickness of the thinnest portion on the first main surface is about 10 to 40 μm, the thickness of the convex portion is about 1 to 40 μm.

接続端子は、例えば、Au、Pt、Pd、Rh、Ni、W、Mo、Cr、Ti、Fe、
Cu、Al、Ag等の金属又はこれらの合金の単層膜又は積層膜によって形成することが
できる。なかでも、導電性及び実装性に優れているものが好ましく、発光装置の実装に用
いられる半田との接合性及び濡れ性の良い材料がより好ましい。特に、放熱性の観点にお
いては銅又は銅合金が好ましい。接続端子の表面には、銀、プラチナ、錫、金、銅、ロジ
ウム又はこれらの合金などの光反射性の高い被膜が形成されていてもよい。接続端子は、
具体的には、W/Ni/Au、W/Ni/Pd/Au、W/NiCo/Pd/Auなどの
積層構造が挙げられる。
接続端子は、部分的に厚み又は積層数が異なっていてもよい(図8B及び図9Bの接続
端子43、図8C及び図9Cの凸部43a参照)。
The connection terminals are, for example, Au, Pt, Pd, Rh, Ni, W, Mo, Cr, Ti, Fe,
It can be formed of a single layer film or a laminated film of a metal such as Cu, Al, Ag, or an alloy thereof. Among these, materials excellent in conductivity and mountability are preferable, and materials having good bondability and wettability with solder used for mounting the light emitting device are more preferable. In particular, copper or a copper alloy is preferable from the viewpoint of heat dissipation. A film having high light reflectivity such as silver, platinum, tin, gold, copper, rhodium, or an alloy thereof may be formed on the surface of the connection terminal. The connection terminals are
Specifically, a laminated structure of W / Ni / Au, W / Ni / Pd / Au, W / NiCo / Pd / Au, or the like can be given.
The connection terminals may partially differ in thickness or number of layers (see the connection terminals 43 in FIGS. 8B and 9B, and the protrusions 43a in FIGS. 8C and 9C).

接続端子は、配線、リードフレーム等を利用してもよいし、母材の表面への蒸着、スパ
ッタリング法、メッキ等によって形成することができる。なかでも、メッキを利用するこ
とが好ましい。特に、凸部は、少なくとも第1主面上に、上述した金属又は合金の単層膜
又は積層膜を形成した後、マスクを利用して、その単層膜又は積層膜の上に金属又は合金
の単層膜又は積層膜をさらに積層することにより形成することができる。また、凸部は、
基体表面メッキ等で厚膜を形成した後、エッチングで凸部以外の部分を除去して形成する
ことができる。この方法によれば、凸部の側面の傾斜を垂直に近づけ易い。また、複合基
板を用いる場合でも、メッキの厚み(凸部の高さ)のばらつきを少なくすることができる
ため、量産性を向上させることができる。接続端子の厚みは、数μmから数百μmが挙げ
られる。
The connection terminal may use wiring, a lead frame, or the like, or can be formed by vapor deposition on the surface of a base material, sputtering, plating, or the like. Among these, it is preferable to use plating. In particular, the protrusion is formed on the single-layer film or the laminated film by using a mask after forming the above-described single-layer film or laminated film of the metal or alloy on at least the first main surface. It can be formed by further laminating a single layer film or a laminated film. The convex part is
After forming a thick film by substrate surface plating or the like, it can be formed by removing portions other than the convex portions by etching. According to this method, it is easy to make the inclination of the side surface of the convex portion close to vertical. Further, even when a composite substrate is used, variation in plating thickness (height of convex portions) can be reduced, so that mass productivity can be improved. The thickness of the connection terminal is from several μm to several hundred μm.

接続端子の縁部の一部は、基体の第1主面の縁部の一部に一致するように形成すること
が好ましい。言い換えると、接続端子の端面の一部と基体の端面の一部とが同一面を形成
するように形成することが好ましい。これにより、発光装置の実装性を向上させることが
できる。ここで同一面とは、段差がない又はほとんどないことを意味し、数μmから数十
μm程度の凹凸は許容されることを意味する。本願明細書において以下同じである。
It is preferable that a part of the edge of the connection terminal is formed so as to coincide with a part of the edge of the first main surface of the base. In other words, it is preferable that a part of the end face of the connection terminal and a part of the end face of the base are formed so as to form the same plane. Thereby, the mountability of the light emitting device can be improved. Here, the same surface means that there is no or almost no step, and irregularities of about several μm to several tens of μm are allowed. The same applies hereinafter in this specification.

接続端子は、第1主面において、上述した発光素子の電極と接続される素子接続部と、
発光装置の外部と接続される外部接続部とを有することが好ましい。特に、外部接続部は
、基体の第1主面に加えて、さらに基体の第2主面上に延長していることがより好ましい
。通常、素子接続部は第1主面上に配置され、外部接続部は、第1主面上、第1主面及び
端面上又は第1主面、端面及び第2主面上に配置される。
The connection terminal has an element connection portion connected to the electrode of the light emitting element described above on the first main surface;
It is preferable to have an external connection portion connected to the outside of the light emitting device. In particular, it is more preferable that the external connection portion further extends on the second main surface of the base in addition to the first main surface of the base. Usually, the element connection portion is arranged on the first main surface, and the external connection portion is arranged on the first main surface, the first main surface and the end surface, or on the first main surface, the end surface and the second main surface. .

接続端子は、第1主面上、端面上及び/又は第2主面上にわたって、必ずしも同じ幅(
例えば、基体の短手方向の長さ)でなくてもよく、一部のみ幅狭又は幅広に形成されてい
てもよい。あるいは、基体の第1主面及び/又は第2主面において、幅狭となるように、
接続端子の一部が絶縁材料(例えば、母材等)により被覆されていてもよい。このような
幅狭部位は、基体の少なくとも第1主面上に配置されることが好ましく(図3の接続端子
3参照)、第1主面及び第2主面上の双方に配置されていてもよい(図8D及び図8Fの
接続端子43参照)。特に、幅狭部位は、基体の第1主面上では、後述する光反射性部材
の近傍において配置されることがより好ましい。幅狭部位を配置することにより、接続端
子に接続される、後述するような半田等又はこれらに含まれるフラックスなどが、端子表
面に沿って、後述する光反射性部材下、さらに発光素子下にまで浸入することを抑制する
ことができる。
The connection terminal does not necessarily have the same width (on the first main surface, the end surface, and / or the second main surface).
For example, it may not be the length of the base in the short direction), and only a part thereof may be formed narrow or wide. Alternatively, in the first main surface and / or the second main surface of the base, so as to be narrow,
A part of the connection terminal may be covered with an insulating material (for example, a base material). Such a narrow portion is preferably disposed on at least the first main surface of the base (see connection terminal 3 in FIG. 3), and is disposed on both the first main surface and the second main surface. (Refer to the connection terminal 43 in FIGS. 8D and 8F). In particular, it is more preferable that the narrow portion is disposed in the vicinity of the light reflecting member described later on the first main surface of the base. By arranging the narrow portion, the solder or the like as will be described later, or the flux contained therein, which is connected to the connection terminal, along the surface of the terminal, below the light reflecting member to be described later, and further below the light emitting element. It is possible to suppress the intrusion.

幅狭部位は、素子接続部よりも幅狭であることが好ましい。また、幅狭部位は、なだら
かに幅狭になることが好ましい(例えば、図8Eの接続端子43参照)。
The narrow portion is preferably narrower than the element connection portion. Further, it is preferable that the narrow portion is gradually narrowed (see, for example, the connection terminal 43 in FIG. 8E).

なお、接続端子が第1主面上から第2主面にそれぞれ延長する場合、必ずしも端面上を
通らず、母材に設けられたスルーホールを経て延長していてもよい。
When the connection terminal extends from the first main surface to the second main surface, the connection terminal does not necessarily pass through the end surface and may extend through a through hole provided in the base material.

また、発光素子に電気的に接続される接続端子の他に、さらに、放熱用の端子、ヒート
シンク、補強部材等を有していてもよい(例えば、図8B及び図9Bの補強端子43c参
照)。これらは、第1主面、第2主面、端面のいずれに配置されていてもよく、特に、発
光素子及び/又は光反射性部材の下方に配置されていることが好ましい。これにより、発
光装置の強度を高め、信頼性を高めることができる。また、光反射性部材が金型を用いて
成形される場合には、基体のゆがみが低減され、光反射性部材の成形性を向上させること
ができる。
放熱用の端子又は補強端子が接続端子の間に設けられる場合、ソルダーレジスト等の絶
縁性の膜で被覆されていること又はそれぞれの端子の間に絶縁性の膜が設けられているこ
とが好ましい。これにより、接続端子間と放熱用の端子または補強端子との溶融性部材の
ブリッジを防止することができる。
Further, in addition to the connection terminal electrically connected to the light emitting element, a heat radiating terminal, a heat sink, a reinforcing member, and the like may be included (see, for example, the reinforcing terminal 43c in FIGS. 8B and 9B). . These may be disposed on any of the first main surface, the second main surface, and the end surface, and particularly preferably disposed below the light emitting element and / or the light reflecting member. Thereby, the intensity | strength of a light-emitting device can be raised and reliability can be improved. Further, when the light reflective member is molded using a mold, the distortion of the substrate is reduced, and the moldability of the light reflective member can be improved.
When the heat radiating terminal or the reinforcing terminal is provided between the connection terminals, it is preferable that the terminal is covered with an insulating film such as a solder resist or an insulating film is provided between the terminals. . Thereby, the bridge | crosslinking of the meltable member between the connection terminals and the terminal for thermal radiation or the reinforcement terminal can be prevented.

さらに、1つの発光装置に発光素子が複数配置される場合、複数の発光素子を電気的に
接続するさらなる接続端子を1以上備えていてもよい。この場合、1つの基体に実装され
る発光素子の数、その配列、接続形態(並列及び直列)等によって、接続端子の形状及び
位置等を適宜設定することができる(図6の端子25参照)。この接続端子は、発光素子
と接続する部位において、上述した凸部を備える。
Further, in the case where a plurality of light emitting elements are arranged in one light emitting device, one or more additional connection terminals for electrically connecting the plurality of light emitting elements may be provided. In this case, the shape and position of the connection terminal can be appropriately set depending on the number of light-emitting elements mounted on one substrate, the arrangement thereof, the connection form (parallel and series), and the like (see the terminal 25 in FIG. 6). . This connection terminal is provided with the above-described convex portion at a portion connected to the light emitting element.

接続端子は、凸部以外の第1主面は、平坦であることが好ましい。また、接続端子の第
1主面及び凸部の表面は、発光素子が基体に搭載された場合に、発光面を水平に配置する
ことができるように、基体の第1主面に水平であることが好ましい。
As for a connection terminal, it is preferable that the 1st main surface other than a convex part is flat. Further, the first main surface of the connection terminal and the surface of the convex portion are horizontal to the first main surface of the base so that the light emitting surface can be arranged horizontally when the light emitting element is mounted on the base. It is preferable.

基体は、それ自体がコンデンサ、バリスタ、ツェナーダイオード、ブリッジダイオード
等の保護素子を構成するものであってもよいし、これら素子の機能を果たす構造をその一
部に備えるものでもよい。このような素子機能を果たすものを利用することにより、別途
部品を搭載することなく、発光装置として機能させることができる。その結果、静電耐圧
等を向上させた高性能の発光装置を、より小型化することが可能となる。
The substrate itself may constitute a protective element such as a capacitor, a varistor, a Zener diode, or a bridge diode, or may include a part of the structure that functions as these elements. By using a device that performs such an element function, it is possible to function as a light emitting device without separately mounting components. As a result, it is possible to further reduce the size of a high-performance light-emitting device with improved electrostatic withstand voltage and the like.

〔発光素子〕
発光素子は、基体上に搭載されており、基体の第1主面において、第1主面上の接続端
子と接続されている。
1つの発光装置に搭載される発光素子は1つでもよいし、複数でもよい。発光素子の大
きさ、形状、発光波長は適宜選択することができる。複数の発光素子が搭載される場合、
その配置は不規則でもよく、行列など規則的又は周期的に配置されてもよい。また、複数
の発光素子は、直列、並列、直並列又は並直列のいずれの接続形態でもよい。
[Light emitting element]
The light emitting element is mounted on the base, and is connected to the connection terminal on the first main surface on the first main surface of the base.
There may be one light emitting element or a plurality of light emitting elements mounted on one light emitting device. The size, shape, and emission wavelength of the light-emitting element can be selected as appropriate. When multiple light emitting elements are mounted,
The arrangement may be irregular, and may be arranged regularly or periodically such as a matrix. In addition, the plurality of light emitting elements may be connected in any of series, parallel, series parallel, or parallel series.

本発明の発光装置における発光素子は、半導体積層体として、第1半導体層(例えば、
n型半導体層)、発光層、第2半導体層(例えば、p型半導体層)がこの順に積層され、
同一面側(例えば、第2半導体層側の面)に、第1半導体層に電気的に接続される第1電
極と、第2半導体層に電気的に接続される第2電極との双方を有する。半導体積層体は、
通常、半導体層の成長用の基板上に積層されるが、発光素子としては、成長用の基板を伴
っていてもよいし、基板が除去されたものでもよい。
The light-emitting element in the light-emitting device of the present invention includes a first semiconductor layer (for example, a semiconductor stack)
n-type semiconductor layer), a light emitting layer, and a second semiconductor layer (for example, a p-type semiconductor layer) are laminated in this order,
Both the first electrode electrically connected to the first semiconductor layer and the second electrode electrically connected to the second semiconductor layer on the same surface side (for example, the surface on the second semiconductor layer side) Have. The semiconductor stack is
Usually, the semiconductor layers are stacked on a growth substrate. However, the light emitting element may be accompanied by a growth substrate or may have a substrate removed.

第1半導体層、発光層及び第2半導体層の種類、材料は特に限定されるものではなく、
例えば、III−V族化合物半導体、II−VI族化合物半導体等、種々の半導体が挙げ
られる。具体的には、InAlGa1−X−YN(0≦X、0≦Y、X+Y≦1)等
の窒化物系の半導体材料が挙げられ、InN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN
、InGaAlN等を用いることができる。各層の膜厚及び層構造は、当該分野で公知の
ものを利用することができる。
The types and materials of the first semiconductor layer, the light emitting layer, and the second semiconductor layer are not particularly limited,
For example, various semiconductors, such as a III-V group compound semiconductor and a II-VI group compound semiconductor, are mentioned. Specific examples thereof include nitride-based semiconductor materials such as In X Al Y Ga 1-XY N (0 ≦ X, 0 ≦ Y, X + Y ≦ 1), and include InN, AlN, GaN, InGaN, and AlGaN.
InGaAlN or the like can be used. As the film thickness and layer structure of each layer, those known in the art can be used.

半導体層の成長用の基板としては、半導体層をエピタキシャル成長させることができる
ものが挙げられる。このような基板の材料としては、サファイア(Al)、スピネ
ル(MgA1)のような絶縁性基板、上述した窒化物系の半導体基板等が挙げられ
る。半導体層の成長用の基板として、サファイア基板のような透光性を有する基板を用い
ることにより、半導体積層体から除去せず発光装置に用いることができる。
基板は、表面に複数の凸部又は凹凸を有するものであってもよい。また、C面、A面等
の所定の結晶面に対して0〜10°程度のオフ角を有するものであってもよい。
基板は、第1半導体層との間に、中間層、バッファ層、下地層等の半導体層又は絶縁層
等を有していてもよい。
Examples of the substrate for growing the semiconductor layer include a substrate capable of epitaxially growing the semiconductor layer. Examples of such a substrate material include an insulating substrate such as sapphire (Al 2 O 3 ) and spinel (MgA1 2 O 4 ), the above-described nitride-based semiconductor substrate, and the like. By using a light-transmitting substrate such as a sapphire substrate as a substrate for growing a semiconductor layer, the substrate can be used for a light-emitting device without being removed from the semiconductor stacked body.
The substrate may have a plurality of convex portions or irregularities on the surface. Moreover, you may have an off angle of about 0-10 degree with respect to predetermined crystal planes, such as C surface and A surface.
The substrate may have a semiconductor layer such as an intermediate layer, a buffer layer, or a base layer, an insulating layer, or the like between the first semiconductor layer.

半導体層の成長用の基板は、この成長用の基板側から半導体層に、基板を透過するレー
ザ光(例えば、KrFエキシマレーザ)を照射し、半導体層と基板との界面で分解反応を
生じさせ、基板を半導体層から分離する、レーザリフトオフ法等を利用して除去すること
ができる。ただし、成長用の基板は、半導体層から完全に除去されたものに加えて、半導
体層の端部又は隅部に若干の基板が残存したものであってもよい。成長用の基板の除去は
、発光素子が基体に実装された前後のいずれに行ってもよい。
The semiconductor layer growth substrate irradiates the semiconductor layer from the growth substrate side with laser light (for example, KrF excimer laser) that passes through the substrate to cause a decomposition reaction at the interface between the semiconductor layer and the substrate. The substrate can be removed from the semiconductor layer by using a laser lift-off method or the like. However, the growth substrate may be a substrate in which some of the substrate remains in the end portion or corner portion of the semiconductor layer in addition to the substrate completely removed from the semiconductor layer. The substrate for growth may be removed before or after the light emitting element is mounted on the substrate.

半導体積層体は、半導体層の成長用の基板が除去されたものである場合、より薄型化、
小型化を実現する発光装置を得ることができる。また、発光に直接寄与しない層を除去す
ることにより、これに起因する発光層から出射される光の吸収を阻止することができる。
よって、より発光効率を向上させることができる。その結果、発光輝度を高めることが可
能となる。
The semiconductor stacked body is thinner when the substrate for growth of the semiconductor layer is removed,
A light-emitting device that achieves miniaturization can be obtained. Further, by removing a layer that does not directly contribute to light emission, absorption of light emitted from the light emitting layer due to this can be prevented.
Therefore, the light emission efficiency can be further improved. As a result, it is possible to increase the light emission luminance.

半導体積層体は、平面視における形状は特に限定されるものではなく、四角形又はこれ
に近似する形状が好ましい。半導体積層体の大きさは、発光装置の大きさによって、その
上限を適宜調整することができる。具体的には、半導体積層体の一辺の長さが、数百μm
から10mm程度が挙げられる。
The shape of the semiconductor laminate in plan view is not particularly limited, and a quadrangle or a shape approximate to this is preferable. The upper limit of the size of the semiconductor stacked body can be adjusted as appropriate depending on the size of the light emitting device. Specifically, the length of one side of the semiconductor stacked body is several hundred μm.
To about 10 mm.

(第1電極及び第2電極)
第1電極及び第2電極は、半導体積層体の同一面側(基板が存在する場合にはその反対
側の面)に形成されていることが好ましい。これにより、基体の正負の接続端子と発光素
子の第1電極と第2電極を対向させて接合するフリップチップ実装を行うことができる。
(First electrode and second electrode)
The first electrode and the second electrode are preferably formed on the same side of the semiconductor stacked body (on the opposite side when a substrate is present). Thereby, flip chip mounting can be performed in which the positive and negative connection terminals of the substrate and the first electrode and the second electrode of the light emitting element are opposed to each other.

第1電極及び第2電極は、例えば、Au、Pt、Pd、Rh、Ni、W、Mo、Cr、
Ti等の金属又はこれらの合金の単層膜又は積層膜によって形成することができる。具体
的には、半導体層側からTi/Rh/Au、W/Pt/Au、Rh/Pt/Au、W/P
t/Au、Ni/Pt/Au、Ti/Rh等のように積層された積層膜が挙げられる。膜
厚は、当該分野で用いられる膜の膜厚のいずれでもよい。
The first electrode and the second electrode are, for example, Au, Pt, Pd, Rh, Ni, W, Mo, Cr,
It can be formed of a single layer film or a laminated film of a metal such as Ti or an alloy thereof. Specifically, Ti / Rh / Au, W / Pt / Au, Rh / Pt / Au, W / P from the semiconductor layer side.
Examples thereof include laminated films laminated like t / Au, Ni / Pt / Au, Ti / Rh, and the like. The film thickness may be any film thickness used in this field.

また、第1電極及び第2電極は、それぞれ第1半導体層及び第2半導体層に近い側に、
発光層から出射される光に対する反射率が電極のその他の材料より高い材料層が、これら
電極の一部として配置されることが好ましい。
反射率が高い材料としては、銀又は銀合金やアルミニウムを有する層が挙げられる。銀
合金としては、当該分野で公知の材料のいずれを用いてもよい。この材料層の厚みは、特
に限定されるものではなく、発光素子から出射される光を効果的に反射することができる
厚み、例えば、20nm〜1μm程度が挙げられる。この材料層の第1半導体層又は第2
半導体層との接触面積は大きいほど好ましい。
In addition, the first electrode and the second electrode are closer to the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, respectively.
It is preferable that a material layer having a higher reflectivity with respect to light emitted from the light emitting layer than other materials of the electrode is disposed as a part of these electrodes.
Examples of the material having high reflectance include a layer containing silver, a silver alloy, or aluminum. As the silver alloy, any material known in the art may be used. The thickness of the material layer is not particularly limited, and may be a thickness that can effectively reflect light emitted from the light emitting element, for example, about 20 nm to 1 μm. The first semiconductor layer or the second of this material layer
The larger the contact area with the semiconductor layer, the better.

なお、銀又は銀合金を用いる場合には、銀のマイグレーションを防止するために、その
表面(好ましくは、上面及び端面)を被覆する被覆層を形成することが好ましい。
このような被覆層としては、通常、導電材料として用いられている金属及び合金によっ
て形成されるものであればよく、例えば、アルミニウム、銅、ニッケル等の金属を含有す
る単層又は積層層が挙げられる。なかでも、AlCuを用いることが好ましい。被覆層の
厚みは、効果的に銀のマイグレーションを防止するために、数百nm〜数μm程度が挙げ
られる。
In addition, when using silver or a silver alloy, in order to prevent silver migration, it is preferable to form a coating layer that covers the surface (preferably, the upper surface and the end surface).
As such a coating layer, what is necessary is just to be formed with the metal and alloy which are normally used as a conductive material, for example, the single layer or laminated layer containing metals, such as aluminum, copper, and nickel, is mentioned. It is done. Of these, AlCu is preferably used. The thickness of the coating layer is about several hundred nm to several μm in order to effectively prevent silver migration.

第1電極及び第2電極は、それぞれ第1半導体層及び第2半導体層に電気的に接続され
ている限り、電極の全面が半導体層に接触されていなくてもよいし、第1電極の一部が第
1半導体層の上に及び/又は第2電極の一部が第2半導体層の上に位置していなくてもよ
い。つまり、例えば、絶縁膜等を介して、第1電極が第2半導体層上に配置されていても
よいし、第2電極が第1半導体層上に配置されていてもよい。これにより、第1電極また
は第2電極の形状を容易に変更することができるため、一対の接続端子に容易に実装する
ことができる。
As long as the first electrode and the second electrode are electrically connected to the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, respectively, the entire surface of the electrode may not be in contact with the semiconductor layer. The part may not be located on the first semiconductor layer and / or part of the second electrode may be located on the second semiconductor layer. That is, for example, the first electrode may be disposed on the second semiconductor layer via an insulating film or the like, or the second electrode may be disposed on the first semiconductor layer. Thereby, since the shape of a 1st electrode or a 2nd electrode can be changed easily, it can mount in a pair of connecting terminal easily.

ここでの絶縁膜としては、特に限定されるものではなく、当該分野で使用されるものの
単層膜及び積層膜のいずれでもよい。絶縁膜等を用いることにより、第1電極及び第2電
極は、第1半導体層及び/又は第2半導体層の平面積にかかわらず、任意の大きさ及び位
置に設定することができる。
The insulating film here is not particularly limited, and may be either a single layer film or a laminated film used in this field. By using an insulating film or the like, the first electrode and the second electrode can be set to an arbitrary size and position regardless of the plane area of the first semiconductor layer and / or the second semiconductor layer.

第1電極及び第2電極の形状は、半導体積層体の形状、基体の接続端子(特に、凸部)
の形状等によって設定することができる。第1電極、第2電極及び接続端子(特に、凸部
)は、それぞれが平面視四角形又はこれに近い形状とすることが好ましい。これにより、
セルフアライメント効果により、半導体積層体と基体との接合及び位置合わせを容易に行
うことができる。この場合、少なくとも、基体と接続される半導体積層体の最表面におい
て、第1電極及び第2電極の平面形状が略同じであることが好ましい。また、半導体積層
体の中央部分を挟んで、第1電極及び第2電極がそれぞれ対向するように配置されている
ことが好ましい。
The shape of the first electrode and the second electrode is the shape of the semiconductor laminate, the connection terminal of the substrate (particularly, the convex portion)
It can be set according to the shape of the. It is preferable that each of the first electrode, the second electrode, and the connection terminal (particularly the convex portion) has a square shape in plan view or a shape close thereto. This
Due to the self-alignment effect, the semiconductor laminate and the substrate can be easily joined and aligned. In this case, it is preferable that the planar shapes of the first electrode and the second electrode are substantially the same at least on the outermost surface of the semiconductor stacked body connected to the substrate. Moreover, it is preferable that the first electrode and the second electrode are arranged so as to face each other across the central portion of the semiconductor stacked body.

第1電極及び第2電極の第1主面(半導体層とは反対側の面)は、段差を有していても
よいが、略平坦であることが好ましい。ここでの平坦とは、半導体積層体の第2主面(第
1主面と反対側の面)から第1電極の第1主面までの高さと、半導体積層体の第2主面か
ら第2電極の第1主面までの高さとが略同じであることを意味する。ここでの略同じとは
、半導体積層体の高さの±10%程度の変動は許容される。
The first main surface (surface opposite to the semiconductor layer) of the first electrode and the second electrode may have a step, but is preferably substantially flat. Here, the term “flat” refers to the height from the second main surface (the surface opposite to the first main surface) of the semiconductor stacked body to the first main surface of the first electrode, and the second main surface of the semiconductor stacked body to the second main surface. It means that the height to the 1st main surface of 2 electrodes is substantially the same. Here, “substantially the same” allows a variation of about ± 10% of the height of the semiconductor stacked body.

このように、第1電極及び第2電極の第1主面を略平坦、つまり、実質的に両者を同一
面に配置することにより、発光素子を基体に水平に実装することが容易となる。このよう
な第1電極及び第2電極を形成するためには、例えば、電極上にメッキ等で金属膜を設け
、その後、平坦となるよう研磨又は切削を行うことで実現することができる。
As described above, the first main surfaces of the first electrode and the second electrode are substantially flat, that is, by substantially disposing them on the same surface, it becomes easy to mount the light emitting element horizontally on the substrate. In order to form such a 1st electrode and a 2nd electrode, it can implement | achieve by providing a metal film by plating etc. on an electrode, for example, and polishing or cutting so that it may become flat after that.

第1電極及び第2電極と第1半導体層及び第2半導体層とのそれぞれの間に、両者の電
気的な接続を阻害しない範囲で、DBR(分布ブラッグ反射器)層等を配置してもよい。
DBRは、例えば、任意に酸化膜等からなる下地層の上に、低屈折率層と高屈折率層と
を積層させた多層構造であり、所定の波長光を選択的に反射する。具体的には屈折率の異
なる膜を1/4波長の厚みで交互に積層することにより、所定の波長を高効率に反射させ
ることができる。材料として、Si、Ti、Zr、Nb、Ta、Alからなる群より選択
された少なくとも一種の酸化物または窒化物を含んで形成することができる。
A DBR (distributed Bragg reflector) layer or the like may be disposed between the first electrode and the second electrode and the first semiconductor layer and the second semiconductor layer in a range that does not hinder the electrical connection therebetween. Good.
The DBR has a multilayer structure in which a low refractive index layer and a high refractive index layer are laminated on an underlayer arbitrarily formed of an oxide film, for example, and selectively reflects light having a predetermined wavelength. Specifically, a predetermined wavelength can be reflected with high efficiency by alternately laminating films having different refractive indexes with a thickness of ¼ wavelength. As a material, it can be formed including at least one oxide or nitride selected from the group consisting of Si, Ti, Zr, Nb, Ta, and Al.

〔溶融性部材〕
発光素子は、通常、第1電極及び第2電極が、溶融性部材によって上述した基体の接続
端子、特に、凸部の上、場合によってはさらに凸部側面に接合されている。このような溶
融性部材は、当該分野で公知の材料のいずれをも用いることができる。溶融性部材として
は、加熱によって溶融し得る材料、例えば、錫-ビスマス系、錫-銅系、錫-銀系、金-錫系
などの半田、低融点金属などのろう材等が挙げられる。なかでも、半田を用いることによ
り、セルフアライメント効果によって、発光素子を適所に実装することが容易となり、量
産性を向上させ、より小型の発光装置を製造することができる。
溶融性部材は、少なくとも凸部の上面を被覆している。溶融性部材は、凸部の側面の一
部又は全部、さらに凸部周辺の接続端子の第1主面を被覆してもよい。
(Melting member)
In the light-emitting element, the first electrode and the second electrode are usually joined to the connection terminal of the substrate described above by the meltable member, in particular, on the convex portion, and in some cases, further on the side surface of the convex portion. For such a meltable member, any material known in the art can be used. Examples of the meltable member include materials that can be melted by heating, for example, solders such as tin-bismuth, tin-copper, tin-silver, and gold-tin, and brazing materials such as low melting point metals. In particular, by using solder, the light-emitting element can be easily mounted in place by the self-alignment effect, the mass productivity can be improved, and a smaller light-emitting device can be manufactured.
The meltable member covers at least the upper surface of the convex portion. The meltable member may cover a part or all of the side surface of the convex portion and further the first main surface of the connection terminal around the convex portion.

〔光反射性部材〕
光反射性部材は、光反射性を有し、少なくとも発光素子を被覆、固定又は封止する機能
を有する部材である。また、上述した接続端子の凸部及び溶融性部材を埋め込む部材であ
る。さらに、接続端子の凸部のうち、溶融性部材で被覆されていない部位、溶融性部材の
うち発光素子の電極と接触していない部位、発光素子のうち、基体と対向する部位であっ
て、溶融性部材と接触していない部位及びその端面の全てが、光反射性部材に接触し、被
覆されていることが好ましい。このような配置によって、発光素子から出射される光を、
基体、接続端子及び溶融性部材等によって吸収されることなく、光取り出し面側に効率的
に取り出すことが可能となる。
(Light reflective member)
The light reflective member is a member having light reflectivity and a function of covering, fixing, or sealing at least the light emitting element. Moreover, it is a member which embeds the convex part of a connection terminal mentioned above, and a meltable member. Further, of the convex portion of the connection terminal, the part not covered with the meltable member, the part of the meltable member that is not in contact with the electrode of the light emitting element, and the part of the light emitting element that faces the substrate, It is preferable that all of the portions that are not in contact with the meltable member and the end surfaces thereof are in contact with and covered with the light reflective member. With such an arrangement, the light emitted from the light emitting element is
Without being absorbed by the substrate, the connection terminal, the meltable member, and the like, the light can be efficiently extracted to the light extraction surface side.

光反射性部材の材料は特に限定されるものではなく、セラミック、樹脂、誘電体、パル
プ、ガラス又はこれらの複合材料等が挙げられる。なかでも、任意の形状に容易に成形す
ることができるという観点から、樹脂が好ましい。
The material of the light reflecting member is not particularly limited, and examples thereof include ceramic, resin, dielectric, pulp, glass, or a composite material thereof. Among these, a resin is preferable from the viewpoint that it can be easily formed into an arbitrary shape.

樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などが挙げられる。具体的には、エポキシ
樹脂組成物、シリコーン樹脂組成物、シリコーン変性エポキシ樹脂などの変性エポキシ樹
脂組成物;エポキシ変性シリコーン樹脂などの変性シリコーン樹脂組成物;ポリイミド樹
脂組成物、変性ポリイミド樹脂組成物;ポリフタルアミド(PPA);ポリカーボネート
樹脂;ポリフェニレンサルファイド(PPS);液晶ポリマー(LCP);ABS樹脂;
フェノール樹脂;アクリル樹脂;PBT樹脂等の樹脂が挙げられる。
Examples of the resin include a thermosetting resin and a thermoplastic resin. Specifically, epoxy resin compositions, silicone resin compositions, modified epoxy resin compositions such as silicone-modified epoxy resins; modified silicone resin compositions such as epoxy-modified silicone resins; polyimide resin compositions, modified polyimide resin compositions; Polyphthalamide (PPA); Polycarbonate resin; Polyphenylene sulfide (PPS); Liquid crystal polymer (LCP); ABS resin;
Examples thereof include phenol resins; acrylic resins; PBT resins and the like.

光反射性部材は、発光素子からの光に対する反射率が60%以上である材料、より好ま
しくは70%、80%又は90%以上の材料によって形成されているものが好ましい。
そのために、上述した材料、例えば、樹脂に、二酸化チタン、二酸化ケイ素、二酸化ジ
ルコニウム、チタン酸カリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライト、
酸化ニオブ、硫酸バリウム、各種希土類酸化物(例えば、酸化イットリウム、酸化ガドリ
ニウム)などの光反射材、光散乱材又はカーボンブラック等の着色剤等を含有させること
が好ましい。
光反射性部材は、ガラスファイバー、ワラストナイトなどの繊維状フィラー、カーボン
等の無機フィラーを含有させてもよい。また、放熱性の高い材料(例えば、窒化アルミ等
)を含有させてもよい。さらに、光反射性部材には、後述する蛍光体を含有させてもよい

これらの添加物は、例えば、光反射性部材の全重量に対して、10〜40重量%程度含
有させることが好ましい。
The light reflective member is preferably made of a material having a reflectance of 60% or more with respect to light from the light emitting element, more preferably 70%, 80%, or 90% or more.
To that end, the materials described above, for example, resin, titanium dioxide, silicon dioxide, zirconium dioxide, potassium titanate, alumina, aluminum nitride, boron nitride, mullite,
It is preferable to include a light reflecting material such as niobium oxide, barium sulfate, and various rare earth oxides (for example, yttrium oxide and gadolinium oxide), a light scattering material, or a colorant such as carbon black.
The light reflective member may contain a fibrous filler such as glass fiber or wollastonite, or an inorganic filler such as carbon. Further, a material with high heat dissipation (eg, aluminum nitride) may be included. Furthermore, you may make the light-reflective member contain the fluorescent substance mentioned later.
These additives are preferably contained, for example, in an amount of about 10 to 40% by weight based on the total weight of the light reflective member.

これにより、発光素子からの光を効率よく反射させることができる。特に、基体よりも
光反射率の高い材料を用いる(例えば、基体に窒化アルミを用いた場合に、光反射性部材
として二酸化チタンを含有させたシリコーン樹脂を用いる)ことにより、ハンドリング性
を保ちつつ、基体の大きさを小さくして、発光装置の光取出し効率をより高めることがで
きる。
Thereby, the light from a light emitting element can be reflected efficiently. In particular, a material having a higher light reflectivity than that of the base is used (for example, when aluminum nitride is used for the base, a silicone resin containing titanium dioxide is used as the light reflective member), while maintaining handling properties. By reducing the size of the substrate, the light extraction efficiency of the light emitting device can be further increased.

また、半導体層の成長基板などを除去、剥離するなどプロセス中の光反射性部材の強度
を向上させることができ、ひいては、発光装置においても強度を確保することができる。
さらに、放熱性の高い材料によって、発光装置の小型化を維持したまま、放熱性を向上
させることができる。
Further, the strength of the light-reflecting member during the process can be improved, for example, by removing and peeling the growth substrate of the semiconductor layer, and as a result, the strength of the light-emitting device can be ensured.
Furthermore, heat dissipation can be improved with a material having high heat dissipation while maintaining downsizing of the light emitting device.

光反射性部材の形状は特に限定されるものではなく、例えば、円柱、四角形柱等の多角
形柱又はこれらに近い形状、円錐台、四角錐台等の多角錐台等が挙げられる。なかでも基
体の長手方向に細長い形状を有していることが好ましい。また、基体の短手方向に沿った
面を有することが好ましい。
光反射性部材は、発光素子の全周囲を取り囲むよう設けられることが好ましい。また、
フリップチップ実装された発光素子と基体との間を充填するよう設けられることが好まし
い。これにより、発光装置の強度を高めることができる。また、光反射性部材が発光素子
の全周囲を取り囲むように設けられる場合には、光反射性部材は、発光装置の長手方向側
において厚く、短手方向側において薄く設けられることが好ましい。これにより、発光装
置の薄型化を図ることができる。
The shape of the light reflecting member is not particularly limited, and examples thereof include a polygonal column such as a cylinder and a quadrangular column or a shape close to these, a polygonal frustum such as a truncated cone and a quadrangular pyramid. In particular, it is preferable to have an elongated shape in the longitudinal direction of the substrate. Moreover, it is preferable to have the surface along the transversal direction of a base | substrate.
The light reflective member is preferably provided so as to surround the entire periphery of the light emitting element. Also,
It is preferably provided so as to fill a space between the light-emitting element mounted on the flip chip and the substrate. Thereby, the intensity | strength of a light-emitting device can be raised. In the case where the light reflecting member is provided so as to surround the entire periphery of the light emitting element, the light reflecting member is preferably provided thick on the long side of the light emitting device and thin on the short side. Thereby, the light emitting device can be thinned.

光反射性部材の平面視における縁部は、基体の縁部よりも内側又は外側に配置してもよ
い。光反射性部材が長手方向に細長い形状である場合、その長手方向に沿う1つの縁部は
、基体の長手方向に沿う縁部と一致していることが好ましい。つまり、光反射性部材の長
手方向に沿った端面の少なくとも一方は、基体の長手方向に沿った端面の一方と同一面を
形成することが好ましく、長手方向に沿った端面の双方が同一面を形成することがより好
ましい。これにより、発光装置の厚みを大きくすることなく、光取出し面の面積を大きく
することができ、光取出し効率を高めることができる。短手方向の縁部は、基体の短手方
向に沿う縁部よりも外側に配置されていてもよいが、通常、内側に配置されている。
発光装置がサイドビュータイプとして実装される場合には、基体及び光反射性部材の短
手方向の幅は、0.2mm〜0.4mmであることが好ましい。
The edge of the light reflective member in plan view may be disposed inside or outside of the edge of the substrate. When the light reflecting member has a shape elongated in the longitudinal direction, one edge portion along the longitudinal direction preferably coincides with the edge portion along the longitudinal direction of the base body. That is, at least one of the end surfaces along the longitudinal direction of the light reflecting member preferably forms the same surface as one of the end surfaces along the longitudinal direction of the substrate, and both of the end surfaces along the longitudinal direction have the same surface. More preferably, it is formed. Accordingly, the area of the light extraction surface can be increased without increasing the thickness of the light emitting device, and the light extraction efficiency can be increased. The edge in the short direction may be arranged outside the edge along the short direction of the substrate, but is usually arranged inside.
When the light emitting device is mounted as a side view type, the width in the short direction of the base body and the light reflecting member is preferably 0.2 mm to 0.4 mm.

光反射性部材の大きさは、発光素子よりも大きい平面積であることが好ましく、特に、
発光素子の一辺の2〜5倍程度の一辺の長さを有する大きさが好ましい。厚みは、例えば
、50〜300μm程度が挙げられる。
光反射性部材は、スクリーン印刷、ポッティング、トランスファーモールド、コンプレ
ッションモールド等により形成することができる。
The size of the light reflecting member is preferably larger than the light emitting element, in particular,
A size having a length of one side of about 2 to 5 times one side of the light emitting element is preferable. As for thickness, about 50-300 micrometers is mentioned, for example.
The light reflective member can be formed by screen printing, potting, transfer molding, compression molding, or the like.

光反射性部材は、発光素子が基体に実装される前に、発光素子の上面又は側面を被覆す
るように設けてもよいが、通常、発光素子の側面の全面、発光素子の基体と対向する面等
を封止又は被覆するために、発光素子が基体に実装された後に形成することが好ましい。
The light reflecting member may be provided so as to cover the upper surface or the side surface of the light emitting element before the light emitting element is mounted on the substrate. Usually, the entire surface of the side surface of the light emitting element faces the substrate of the light emitting element. In order to seal or cover the surface or the like, it is preferable to form the light emitting element after it is mounted on the substrate.

〔透光性部材〕
発光装置の光取り出し面上には、透光性部材が設けられていることが好ましい。
透光性部材の端面は光反射性部材の端面と一致していてもよいし、透光性部材の端面は
光反射性部材で被覆されていてもよい。このような透光性部材の配置により、発光素子か
ら取り出される光を効率的に発光面に導くことができる。
(Translucent member)
It is preferable that a translucent member is provided on the light extraction surface of the light emitting device.
The end surface of the translucent member may coincide with the end surface of the light reflective member, or the end surface of the translucent member may be covered with the light reflective member. With such an arrangement of the translucent member, light extracted from the light emitting element can be efficiently guided to the light emitting surface.

透光性部材は、発光層から出射される光の60%以上を透過するもの、さらに、70%
、80%又は90%以上を透過するものが好ましい。このような部材としては、例えば、
シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、シリコーン変成樹脂、エポキシ樹脂、フェノール
樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、TPX樹脂、ポリノルボルネン樹脂、又は
これらの樹脂を1種以上含むハイブリッド樹脂等の樹脂、ガラス等が挙げられる。なかで
もシリコーン樹脂又はエポキシ樹脂が好ましく、特に耐光性、耐熱性に優れるシリコーン
樹脂がより好ましい。
The translucent member transmits 60% or more of the light emitted from the light emitting layer, and further 70%
80% or 90% or more is preferable. As such a member, for example,
Examples include silicone resins, silicone-modified resins, silicone-modified resins, epoxy resins, phenol resins, polycarbonate resins, acrylic resins, TPX resins, polynorbornene resins, or resins such as hybrid resins containing one or more of these resins, glass, and the like. . Among these, a silicone resin or an epoxy resin is preferable, and a silicone resin excellent in light resistance and heat resistance is more preferable.

透光性部材には、蛍光体が含まれていることが好ましい。
蛍光体は、当該分野で公知のものを使用することができる。例えば、セリウムで賦活さ
れたイットリウム・アルミニウム・ガーネット(YAG)系蛍光体、セリウムで賦活され
たルテチウム・アルミニウム・ガーネット(LAG)系蛍光体、ユウロピウム及び/又は
クロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム(CaO−Al−SiO
系蛍光体、ユウロピウムで賦活されたシリケート((Sr,Ba)SiO)系蛍光体
、βサイアロン蛍光体、KSF系蛍光体(KSiF:Mn)、量子ドット蛍光体等と
呼ばれる半導体の微粒子などが挙げられる。これにより、可視波長の一次光及び二次光の
混色光(例えば白色系)を出射する発光装置、紫外光の一次光に励起されて可視波長の二
次光を出射する発光装置とすることができる。発光装置が液晶ディスプレイのバックライ
ト等に用いられる場合、発光素子から発せられた青色光によって励起され、赤色発光する
蛍光体(例えばKSF系蛍光体)と、緑色発光する蛍光体(例えばβサイアロン蛍光体)を
用いることが好ましい。これにより、発光装置を用いたディスプレイの色再現範囲を広げ
ることができる。
なお、蛍光体は、上記の部材中に含有されることに限られず、発光装置の種々の位置及
び部材中に設けることができる。例えば、発光素子を被覆するように形成されてもよく、
蛍光体を含有しない透光性部材の上に塗布、接着等された蛍光体層として設けられてもよ
い。
The translucent member preferably contains a phosphor.
As the phosphor, those known in the art can be used. For example, yttrium aluminum garnet (YAG) phosphor activated with cerium, lutetium aluminum garnet (LAG) phosphor activated with cerium, nitrogen-containing calcium aluminosilicate activated with europium and / or chromium (CaO—Al 2 O 3 —SiO 2 )
-Based phosphors, europium-activated silicate ((Sr, Ba) 2 SiO 4 ) -based phosphors, β sialon phosphors, KSF-based phosphors (K 2 SiF 6 : Mn), semiconductors called quantum dot phosphors, etc. Fine particles. Accordingly, a light emitting device that emits mixed light (for example, white light) of primary light and secondary light having a visible wavelength, and a light emitting device that emits secondary light having a visible wavelength when excited by the primary light of ultraviolet light. it can. When the light emitting device is used for a backlight of a liquid crystal display, etc., a phosphor that emits red light (for example, KSF phosphor) that is excited by blue light emitted from the light emitting element and a phosphor that emits green light (for example, β sialon fluorescence). Body). Thereby, the color reproduction range of the display using a light-emitting device can be expanded.
Note that the phosphor is not limited to being contained in the above-described member, and can be provided in various positions and members of the light-emitting device. For example, it may be formed so as to cover the light emitting element,
You may provide as a fluorescent substance layer apply | coated and adhere | attached on the translucent member which does not contain fluorescent substance.

透光性部材は、さらに、充填材(例えば、拡散剤、着色剤等)を含んでいてもよい。例
えば、シリカ、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、
水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、酸化亜鉛、
チタン酸バリウム、酸化アルミニウム、酸化鉄、酸化クロム、酸化マンガン、ガラス、カ
ーボンブラック、蛍光体の結晶又は焼結体、蛍光体と無機物の結合材との焼結体等が挙げ
られる。任意に、充填材の屈折率を調整してもよい。例えば、1.8以上が挙げられ、光
を効率的に散乱し高い光取り出し効率を得るために、2以上であることが好ましく、2.
5以上であることがより好ましい。なかでも、酸化チタンは、水分などに対して比較的安
定で且つ高屈折率であり、また熱伝導性にも優れるため、好ましい。
The translucent member may further contain a filler (for example, a diffusing agent, a colorant, etc.). For example, silica, titanium oxide, zirconium oxide, magnesium oxide, magnesium carbonate,
Magnesium hydroxide, calcium carbonate, calcium hydroxide, calcium silicate, zinc oxide,
Examples thereof include barium titanate, aluminum oxide, iron oxide, chromium oxide, manganese oxide, glass, carbon black, a phosphor crystal or sintered body, and a sintered body of a phosphor and an inorganic binder. Optionally, the refractive index of the filler may be adjusted. For example, 1.8 or more is mentioned, and it is preferably 2 or more in order to efficiently scatter light and obtain high light extraction efficiency.
More preferably, it is 5 or more. Of these, titanium oxide is preferable because it is relatively stable against moisture and has a high refractive index and excellent thermal conductivity.

充填剤の粒子の形状は、破砕状、球状、中空及び多孔質等のいずれでもよい。粒子の平
均粒径(メジアン径)は、高い効率で光散乱効果を得られる、0.08〜10μm程度が
好ましい。
充填材は、例えば、透光性部材の重量に対して10〜60重量%程度が好ましい。
The shape of the filler particles may be any of crushed, spherical, hollow and porous. The average particle diameter (median diameter) of the particles is preferably about 0.08 to 10 μm, which can obtain a light scattering effect with high efficiency.
For example, the filler is preferably about 10 to 60% by weight with respect to the weight of the translucent member.

透光性部材を形成する方法は、透光性部材をシート状に成形して、ホットメルト方式又
は接着剤により接着する方法、電気泳動堆積法、ポッティング、圧縮成型、スプレー、静
電塗布法、印刷法等が挙げられる。この際、粘度又は流動性を調整するために、シリカ(
アエロジル)などを添加してもよい。
The method of forming the translucent member is a method in which the translucent member is formed into a sheet shape and adhered by a hot melt method or an adhesive, electrophoretic deposition method, potting, compression molding, spraying, electrostatic coating method, The printing method etc. are mentioned. At this time, in order to adjust viscosity or fluidity, silica (
Aerosil) may be added.

透光性部材の厚みは特に限定されるものではなく、例えば、10〜300μm程度が挙
げられる。このような厚みに設定することにより、透光性部材の端面が光反射性部材の端
面と一致していても、また光反射性部材で被覆されていても、発光素子から取り出される
光を効率的に発光面に導くことができる。
透光性部材は、配光を制御するために、その第1主面及び/又は第2主面を凸面、凹面
等の凹凸面にしてもよい。
透光性部材は、発光素子が基体に実装される前に発光素子の上面に接着されて、発光装
置に設けられてもよい。特に、発光素子が、半導体層の成長用の基板が除去された半導体
積層体によって構成される場合には、例えば、ガラス、セラミック等の硬質な透光性部材
に接着又は固定されることによって発光素子の強度が高まり、ハンドリング性、発光素子
の実装の信頼性等を高めることができる。
The thickness of a translucent member is not specifically limited, For example, about 10-300 micrometers is mentioned. By setting the thickness as described above, the light extracted from the light emitting element can be efficiently used regardless of whether the end face of the translucent member coincides with the end face of the light reflective member or is covered with the light reflective member. Can be guided to the light emitting surface.
In order to control light distribution, the translucent member may have a first main surface and / or a second main surface that are convex and concave surfaces such as a concave surface.
The translucent member may be attached to the upper surface of the light emitting element before the light emitting element is mounted on the substrate, and may be provided in the light emitting device. In particular, in the case where the light-emitting element is constituted by a semiconductor stacked body from which a substrate for growing a semiconductor layer is removed, for example, light is emitted by being bonded or fixed to a hard translucent member such as glass or ceramic. The strength of the element is increased, and handling properties, reliability of mounting the light emitting element, and the like can be improved.

〔絶縁部材〕
本発明の発光装置には、絶縁部材が、接続端子の一部を被覆するように配置されていて
もよい。
絶縁部材は、接続端子の素子接続部と外部接続部との間に配置されていることが好まし
い。また、絶縁部材は、素子接続部から外部接続部の間で連結した領域を配置しないよう
に、素子接続部と外部接続部との間の表面領域を完全に分離するよう配置されていること
が好ましい。さらに、光反射性部材の縁部が、絶縁部材上に配置されるように接続端子の
上に配置されていることが好ましい。
これにより、後述するように、発光装置をサイドビュー型で実装基板に実装する場合に
、溶融性部材が、接続端子表面に沿って浸入して、発光装置の信頼性を低下させることを
回避することができる。溶融性部材によって発光素子を接続端子に接続する際に、凸部及
びその近傍からの溶融性部材の外部接続部への漏れを防止することができる。光反射性部
材と基体との密着性を高め、光反射性部材が剥離するおそれを低減することができる。
特に、上述したように、光反射性部材が、長手方向に長い形状を有する場合、光反射性
部材の長手方向における縁部が、絶縁部材上に配置されるように接続端子の上に配置され
ていることがより好ましい。これにより、基体が反る又は捩じれる場合にも、光反射性部
材の剥離するおそれを低減することができる。光反射性部材が金型を用いて成形させる場
合に、その金型と接続端子とが接触することに起因する、接続端子の損傷を防止すること
ができる。
上述したように、接続端子は、第1主面上において、必ずしも同じ幅を有さないことが
あるため、絶縁部材は、その一部が、接続端子の上のみならず、基体の上に配置される場
合もある。
絶縁部材は、一対の接続端子のそれぞれを被覆するよう一対設けられてもよいし、一対
の接続端子を連続して被覆してもよい。
[Insulating material]
In the light emitting device of the present invention, the insulating member may be disposed so as to cover a part of the connection terminal.
The insulating member is preferably disposed between the element connection portion of the connection terminal and the external connection portion. The insulating member may be disposed so as to completely separate the surface region between the element connection portion and the external connection portion so as not to dispose a region connected between the element connection portion and the external connection portion. preferable. Furthermore, it is preferable that the edge part of a light reflective member is arrange | positioned on a connection terminal so that it may be arrange | positioned on an insulating member.
Accordingly, as described later, when the light emitting device is mounted on the mounting substrate in a side view type, it is avoided that the meltable member enters along the surface of the connection terminal and decreases the reliability of the light emitting device. be able to. When the light emitting element is connected to the connection terminal by the meltable member, leakage from the convex portion and the vicinity thereof to the external connection portion of the meltable member can be prevented. The adhesion between the light reflecting member and the substrate can be improved, and the possibility that the light reflecting member is peeled off can be reduced.
In particular, as described above, when the light reflective member has a shape that is long in the longitudinal direction, the edge in the longitudinal direction of the light reflective member is disposed on the connection terminal so as to be disposed on the insulating member. More preferably. Thereby, also when a base | substrate warps or twists, a possibility that a light reflective member may peel can be reduced. When the light reflecting member is molded using a mold, it is possible to prevent the connection terminal from being damaged due to contact between the mold and the connection terminal.
As described above, since the connection terminal may not necessarily have the same width on the first main surface, a part of the insulating member is disposed not only on the connection terminal but also on the base body. Sometimes it is done.
A pair of insulating members may be provided so as to cover each of the pair of connection terminals, or the pair of connection terminals may be continuously covered.

絶縁部材は、光反射性部材の縁部が、絶縁部材上に配置されるように接続端子の上に配
置されていていることが好ましい。特に、上述したように、光反射性部材が、長手方向に
長い形状を有する場合、光反射性部材の長手方向における縁部が、絶縁部材上に配置され
るように接続端子の上に配置されていることがより好ましい。上述したように、接続端子
は、第1主面上において、必ずしも同じ幅を有さないことがあるため、絶縁部材は、その
一部が、接続端子の上のみならず、基体の上に配置される場合もある。
The insulating member is preferably disposed on the connection terminal so that the edge of the light reflecting member is disposed on the insulating member. In particular, as described above, when the light reflective member has a shape that is long in the longitudinal direction, the edge in the longitudinal direction of the light reflective member is disposed on the connection terminal so as to be disposed on the insulating member. More preferably. As described above, since the connection terminal may not necessarily have the same width on the first main surface, a part of the insulating member is disposed not only on the connection terminal but also on the base body. Sometimes it is done.

絶縁部材は、絶縁性を有する限り、どのような材料で形成されていてもよい。例えば、
上述した光反射性部材、後述する透光性部材で例示した材料を用いることができる。なか
でも、耐熱性が高い白色のシリコーン樹脂が好ましい。
The insulating member may be formed of any material as long as it has insulating properties. For example,
The materials exemplified above for the light-reflective member and the light-transmissive member described later can be used. Of these, a white silicone resin having high heat resistance is preferable.

絶縁部材の形状は、特に限定されるものではなく、素子接続部の隣接部位から、光反射
性部材の外側、つまり外部接続部にまで連続した帯状に形成されていることが好ましい。
具体的には、長手方向における絶縁部材の長さは、光反射性部材の1/10〜1/5程
度の長さが挙げられる。
接続部材の幅は、基体及び/又は光反射性部材の幅と同じであるか、それ以下であるこ
とが好ましい。
このような幅とすることにより、基体及び/又は光反射性部材の一端面と同一面を形成
でき、さらに、基体及び光反射性部材の対向する端面の双方と同一面を形成することがで
きる。
特に、接続端子に幅狭となる部位が存在する場合には、その幅狭となる部位を完全に被
覆することが好ましい。これによって、後述するように、サイドビュー型で実装基板に実
装する場合に、半田が、接続端子表面に沿って浸入して、発光装置の信頼性を低下させる
ことを回避することができる。
The shape of the insulating member is not particularly limited, and it is preferable that the insulating member is formed in a continuous belt shape from the adjacent portion of the element connecting portion to the outside of the light reflective member, that is, the external connecting portion.
Specifically, the length of the insulating member in the longitudinal direction is about 1/10 to 1/5 that of the light reflective member.
The width of the connecting member is preferably the same as or smaller than the width of the base body and / or the light reflecting member.
By setting it as such a width | variety, the same surface as the end surface of a base | substrate and / or a light reflection member can be formed, and also the same surface can be formed as both the end surface which a base | substrate and a light reflection member oppose. .
In particular, when there is a narrow portion in the connection terminal, it is preferable to completely cover the narrow portion. Accordingly, as described later, when mounting on the mounting substrate in a side-view type, it is possible to prevent the solder from entering along the surface of the connection terminal and reducing the reliability of the light emitting device.

絶縁部材は、上述した材料をシート状に成形して貼着する方法、印刷法、電気泳動堆積
法、ポッティング、圧縮成型、スプレー、静電塗布法等によって形成することができる。
絶縁部材の厚みは、特に限定されるものではなく、例えば、10〜300μm程度が挙げ
られる。
以下に本発明の発光装置の実施形態を、図面に基づいて具体的に説明する。
The insulating member can be formed by a method in which the above-described material is formed and pasted into a sheet, a printing method, an electrophoretic deposition method, potting, compression molding, spraying, an electrostatic coating method, or the like.
The thickness of an insulating member is not specifically limited, For example, about 10-300 micrometers is mentioned.
Embodiments of a light-emitting device according to the present invention will be specifically described below with reference to the drawings.

実施の形態1
本実施形態の発光装置1は、図1〜図3に示すように、接続端子3を有する基体4と、
発光素子5と、光反射性部材7とを含んで構成されている。
基体4は、ガラスエポキシ樹脂の直方体状の母材2の表面(第1主面である上面2a、
短手方向に延びる端面2b及び第2主面である下面2c)に、母材2側からCu/Ni/
Auが積層されて構成された一対の接続端子3が形成されて構成される。基体4は、長手
方向の長さが2.2mm、短手方向の幅が0.4mm、厚さが0.3mmの配線基板とし
て機能する。
Embodiment 1
As shown in FIGS. 1 to 3, the light-emitting device 1 of the present embodiment includes a base 4 having a connection terminal 3,
The light-emitting element 5 and the light reflective member 7 are included.
The base 4 is a surface of a rectangular parallelepiped base material 2 made of glass epoxy resin (an upper surface 2a which is a first main surface,
Cu / Ni / from the base material 2 side to the end surface 2b extending in the short direction and the lower surface 2c) which is the second main surface.
A pair of connection terminals 3 formed by stacking Au are formed. The base body 4 functions as a wiring board having a longitudinal length of 2.2 mm, a lateral width of 0.4 mm, and a thickness of 0.3 mm.

一対の接続端子3は、母材2の上面2a側の中央部において、互いに接近して、素子接
続部として凸部3aを有する。凸部3aは、母材2側からCu/Ni/Auが積層されて
形成されている。一対の接続端子3は、それぞれ、素子接続部である凸部3aから長手方
向に延びて、母材2の上面2aから端面2bを経て下面2cに連続して形成されている。
接続端子3は、素子接続部である凸部3aから延長して母材2の下面2cに連続する部位
(断面視U字状の部位)が外部接続部3bとなる(図2参照)。
接続端子3の長手方向に沿った縁部は、基体4の長手方向に沿った縁部に一致しており
、接続端子3の長手方向に沿った端面は、基体4の長手方向に沿った端面と同一面を形成
している。
The pair of connection terminals 3 are close to each other at the central portion on the upper surface 2a side of the base material 2 and have convex portions 3a as element connection portions. The convex portion 3a is formed by stacking Cu / Ni / Au from the base material 2 side. Each of the pair of connection terminals 3 extends in the longitudinal direction from the convex portion 3a which is an element connection portion, and is formed continuously from the upper surface 2a of the base material 2 to the lower surface 2c through the end surface 2b.
In the connection terminal 3, a portion (a portion having a U shape in cross section) extending from the convex portion 3 a that is an element connection portion and continuing to the lower surface 2 c of the base material 2 becomes the external connection portion 3 b (see FIG. 2).
The edge along the longitudinal direction of the connection terminal 3 coincides with the edge along the longitudinal direction of the base 4, and the end face along the longitudinal direction of the connection terminal 3 is an end face along the longitudinal direction of the base 4. And form the same plane.

なお、接続端子3は、素子接続部である凸部3aと外部接続部3bとの間において、幅
狭となる部位を有する(図3参照)。また、図示しないが、基体4の第2主面上の外部接
続部3bの一部が幅狭となる部位を有する。
In addition, the connection terminal 3 has a site | part which becomes narrow between the convex part 3a which is an element connection part, and the external connection part 3b (refer FIG. 3). Although not shown, a part of the external connection portion 3b on the second main surface of the base 4 has a narrowed portion.

基体4の凸部3aには、1つの発光素子5が、フリップチップ実装されている。
発光素子5は、サファイア基板上に窒化物半導体の積層体が形成され、積層体のサファ
イア基板と反対側の表面に正負一対の電極を有する。発光素子5は、その正負一対の電極
が、基体4の一対の接続端子3の凸部3aに、それぞれ、Au−Sn共晶半田である溶融
性部材6によって接続されている。
このような接続端子の凸部3aを利用することによって、発光素子の実装時において、
溶融状態の溶融性部材が凸部上から流れたとしても、凸部の周りに貯まりやすく、一対の
接続端子の短絡、意図しない領域への溶融性部材の浸入を防止して、意図する部位にのみ
正確に発光素子を固定することができる。
発光素子5は、長手方向の長さが0.8mm、短手方向の幅が0.3mm、厚さが0.
1mmの直方体状の青色発光(発光中心波長455nm)のLEDチップである。
One light emitting element 5 is flip-chip mounted on the convex portion 3 a of the base 4.
The light-emitting element 5 includes a nitride semiconductor laminate formed on a sapphire substrate, and has a pair of positive and negative electrodes on the surface of the laminate opposite to the sapphire substrate. In the light emitting element 5, a pair of positive and negative electrodes is connected to the convex portions 3 a of the pair of connection terminals 3 of the base 4 by a meltable member 6 made of Au—Sn eutectic solder.
By using the convex portion 3a of such a connection terminal, when mounting the light emitting element,
Even when a meltable member in a molten state flows from above the convex portion, it easily collects around the convex portion, prevents a short circuit between a pair of connection terminals, and intrusion of the fusible member into an unintended region. Only the light emitting element can be fixed accurately.
The light emitting element 5 has a length in the longitudinal direction of 0.8 mm, a width in the short direction of 0.3 mm, and a thickness of 0.1 mm.
It is a 1 mm rectangular parallelepiped LED chip that emits blue light (emission center wavelength: 455 nm).

光反射性部材7は、長手方向の長さが1.2mm、短手方向の幅が0.4mm、厚さが
0.3mmの略直方体状に成形されている。つまり、光反射性部材7の長手方向に沿った
縁部は、それぞれ、基体4の長手方向に沿った縁部と一致している。
光反射性部材7は、発光素子5に接し、その端面の全周を被覆するように、基体4の第
1主面に設けられている。また、光反射性部材7は、発光素子5の基体4と対向する面側
にも設けられている。つまり、凸部3aを略完全に被覆した溶融性部材6との間に配置さ
れ、溶融性部材6の表面を略完全に被覆している。
これによって、発光素子5から上面に、効率良く光を取り出すことができる。
The light reflecting member 7 is formed in a substantially rectangular parallelepiped shape having a length in the longitudinal direction of 1.2 mm, a width in the lateral direction of 0.4 mm, and a thickness of 0.3 mm. That is, the edge portions along the longitudinal direction of the light reflective member 7 respectively coincide with the edge portions along the longitudinal direction of the base body 4.
The light reflective member 7 is provided on the first main surface of the base 4 so as to be in contact with the light emitting element 5 and to cover the entire circumference of the end surface thereof. The light reflective member 7 is also provided on the surface of the light emitting element 5 facing the base 4. That is, it is arranged between the meltable member 6 that covers the convex portion 3a almost completely and covers the surface of the meltable member 6 almost completely.
Thereby, light can be efficiently extracted from the light emitting element 5 to the upper surface.

光反射性部材7は、平均粒径14μmのシリカと、無機粒子として、平均粒径0.25
〜0.3μmの酸化チタンとを、それぞれ、光反射性部材7の全重量に対して、2〜2.
5wt%及び40〜50wt%で含有したシリコーン樹脂によって形成されている。
基体4上の光反射性部材7の両側では、接続端子3の幅狭の部位の一部と外部接続部が
光反射性部材7から露出されている。
光反射性部材7の長手方向に沿った縁部は、基体4の長手方向に沿った縁部に一致して
おり、光反射性部材7の長手方向に沿った端面は、基体4の長手方向に沿った端面と同一
面を形成している。
The light reflective member 7 is composed of silica having an average particle diameter of 14 μm and inorganic particles having an average particle diameter of 0.25.
˜0.3 μm of titanium oxide with respect to the total weight of the light reflecting member 7, respectively.
It is formed of a silicone resin containing 5 wt% and 40 to 50 wt%.
On both sides of the light reflective member 7 on the substrate 4, a part of the narrow portion of the connection terminal 3 and the external connection portion are exposed from the light reflective member 7.
The edge along the longitudinal direction of the light reflecting member 7 coincides with the edge along the longitudinal direction of the substrate 4, and the end surface along the longitudinal direction of the light reflecting member 7 is the longitudinal direction of the substrate 4. Is formed on the same plane as the end face extending along the line.

発光素子5上、つまり、正負一対の電極と反対側の表面に、YAG:Ceの蛍光体を含
有するシリコーン樹脂のシート(厚さ0.1mm)である透光性部材10が配置されてい
る。
透光性部材10の端面は、光反射性部材7によって被覆されている。透光性部材10の
上面と、光反射性部材7の上面とは同一面を形成している。
On the light emitting element 5, that is, on the surface opposite to the pair of positive and negative electrodes, a translucent member 10 made of a silicone resin sheet (thickness 0.1 mm) containing a YAG: Ce phosphor is disposed. .
The end surface of the translucent member 10 is covered with the light reflective member 7. The upper surface of the translucent member 10 and the upper surface of the light reflective member 7 form the same surface.

このような発光装置1は、図4に示すように、基体4の長手方向に沿った一対の端面と
、光反射性部材7の長手方向に沿った一対の端面とが、それぞれ同一面を形成するように
配置されている。これらの同一面を形成する一方の端面を、発光装置1の実装面として、
表面に配線パターン52を有する実装基板51上において、サイドビュー型で実装される

実装は、発光装置1の一対の外部接続部3bが、それぞれ、実装基板51の正極及び負
極に対応する配線パターン52上に載置され、半田54により接続される。半田54は、
U字状に屈曲した外部接続部3bにおいて、基体4の第1主面のみならず、端面及び第2
主面にわたって、小型の接続端子3との接触面積を広げて、接続されている。これによっ
て、発光装置の側面にフィレットを形成することができ、発光装置の放熱性及び実装安定
性を向上させることができる。
In such a light emitting device 1, as shown in FIG. 4, the pair of end surfaces along the longitudinal direction of the base body 4 and the pair of end surfaces along the longitudinal direction of the light reflecting member 7 form the same surface. Are arranged to be. One end surface forming these same surfaces is used as a mounting surface of the light emitting device 1.
On the mounting substrate 51 having the wiring pattern 52 on the surface, it is mounted in a side view type.
For mounting, the pair of external connection portions 3 b of the light emitting device 1 are placed on the wiring patterns 52 corresponding to the positive electrode and the negative electrode of the mounting substrate 51, respectively, and connected by solder 54. Solder 54 is
In the external connection portion 3b bent in a U-shape, not only the first main surface of the base 4 but also the end surface and the second
Over the main surface, the contact area with the small connection terminal 3 is expanded and connected. Accordingly, a fillet can be formed on the side surface of the light emitting device, and heat dissipation and mounting stability of the light emitting device can be improved.

また、接続端子3において、凸部3aと外部接続部3bとの間に幅狭となる部位を配置
することにより、外部接続部3bに接続される、後述するような半田等又はこれに含まれ
るフラックスなどが、光反射性部材7下に浸入するのを抑制することができる。
Further, in the connection terminal 3, by arranging a narrowed portion between the convex portion 3a and the external connection portion 3b, the solder is connected to the external connection portion 3b as described later or included in this. The flux or the like can be prevented from entering under the light reflective member 7.

さらに、光反射性部材の長手方向に沿った端面及び基体4の長手方向に沿った端面の双
方が実装基板11の表面に接している。
Furthermore, both the end surface along the longitudinal direction of the light reflective member and the end surface along the longitudinal direction of the substrate 4 are in contact with the surface of the mounting substrate 11.

光反射性部材7は、それ自体が、発光素子5の周囲において極薄い壁状で設けられるこ
とにより、発光装置の十分な小型化を図ることができる。さらに、光反射性部材を発光素
子の周辺に接触して配置することにより、発光素子から放射される光のうち、横方向に出
射する光を、光反射性部材によって上方に反射させて取り出すことができ、光の利用効率
を向上させることが可能となる。
The light reflecting member 7 itself is provided with an extremely thin wall shape around the light emitting element 5, so that the light emitting device can be sufficiently downsized. Further, by arranging the light reflecting member in contact with the periphery of the light emitting element, the light emitted from the light emitting element in the lateral direction is reflected upward by the light reflecting member and taken out. It is possible to improve the light use efficiency.

このような発光装置1は、図5A及び図5Bに示すように、母材12に複合接続端子1
3が形成された複合基体14を用いて製造することができる。この複合基体14は、個片
化工程後に各発光装置の基体となるものが複数個連なって構成されている。
この複合基体14は、母材12において、上面から裏面に及ぶスリット15を有してい
る。複合接続端子13は、このスリット15の内壁を通って、複合基体14の母材12の
上面から下面に連続して設けられている。
図5では、18個の発光装置を得る複合基体14を表しているが、生産効率を考慮して
、より多数(数百〜数千個)の発光装置を得る複合基体14とすることができる。
As shown in FIGS. 5A and 5B, the light emitting device 1 has a composite connection terminal 1 on a base material 12.
3 can be produced by using the composite substrate 14 on which 3 is formed. The composite substrate 14 is formed by connecting a plurality of substrates to be the substrates of the respective light emitting devices after the singulation process.
This composite substrate 14 has a slit 15 extending from the top surface to the back surface of the base material 12. The composite connection terminal 13 is provided continuously from the upper surface to the lower surface of the base material 12 of the composite base 14 through the inner wall of the slit 15.
In FIG. 5, the composite substrate 14 for obtaining 18 light emitting devices is shown. However, in consideration of production efficiency, the composite substrate 14 for obtaining a larger number (several hundred to several thousand) of light emitting devices can be obtained. .

このような複合基体14上に、発光素子5を接続し、発光素子5の上に、発光素子5と
平面視において略同じ形状の透光性部材10を接着し、発光素子と透光性部材の端面を被
覆するよう、複数の光反射性部材17を一括で圧縮成型により成形し、複合基体14と光
反射性部材17とを分割予定線Lに沿って一方向に切断する。これによって、スリット1
5の配置により、スリットの延長方向にも分離され、比較的少ない工数で個片化した発光
装置を得ることができる。
切断には、ダイサー、レーザなどを用いることができる。
The light emitting element 5 is connected to such a composite substrate 14, and the light transmitting element 10 having substantially the same shape as the light emitting element 5 in a plan view is bonded onto the light emitting element 5. The plurality of light reflecting members 17 are collectively formed by compression molding so as to cover the end surfaces of the two, and the composite base 14 and the light reflecting member 17 are cut in one direction along the planned dividing line L. As a result, the slit 1
With the arrangement of 5, the light emitting device can be obtained which is separated in the extending direction of the slit and is separated into pieces with a relatively small number of steps.
For the cutting, a dicer, a laser, or the like can be used.

実施の形態2
本実施形態の発光装置20は、図6に示すように、接続端子23を有する基体24と、
複数の発光素子5と、光反射性部材27とを含んで構成されている。
接続端子23は、母材22の長手方向の両側において、上面、端面及び下面に延長して
配置されている。また、母材22の上面においては、複数の発光素子5を、例えば、直列
接続し得る端子25がさらに配置されている。
基体24の一面上において、接続端子23及び端子25は、素子接続部として凸部23
aをそれぞれ有しており、この凸部23a上において発光素子5が溶融性部材6によって
接続されている。
Embodiment 2
As shown in FIG. 6, the light emitting device 20 of the present embodiment includes a base body 24 having connection terminals 23,
A plurality of light emitting elements 5 and a light reflecting member 27 are included.
The connection terminals 23 are disposed so as to extend to the upper surface, the end surface, and the lower surface on both sides in the longitudinal direction of the base material 22. Further, on the upper surface of the base material 22, for example, a terminal 25 that can connect the plurality of light emitting elements 5 in series is further arranged.
On one surface of the base 24, the connection terminals 23 and the terminals 25 are convex portions 23 as element connection portions.
a, and the light emitting element 5 is connected by the meltable member 6 on the convex portion 23a.

発光素子5は、複数が一列に整列して配置されている。なお、一列のみならず、行列方
向に配置されていてもよい。
A plurality of the light emitting elements 5 are arranged in a line. It may be arranged not only in one column but also in the matrix direction.

光反射性部材27は、これら複数の発光素子5を一体的に封止している。光反射性部材
27の長手方向に沿った端面は、基体24の長手方向に沿った端面と同一面を形成してい
る。光反射性部材27の短手方向に対向する縁部は、基体24の内側に配置されている。
The light reflecting member 27 integrally seals the plurality of light emitting elements 5. The end surface along the longitudinal direction of the light reflecting member 27 forms the same surface as the end surface along the longitudinal direction of the substrate 24. An edge portion of the light reflective member 27 facing the short direction is disposed inside the base body 24.

図示していないが、発光素子5の間において、基体24に凹部又は貫通孔が形成され、
その凹部又は貫通孔に光反射性部材27の一部が充填されて、光反射性部材27が基体2
4に係止されていることが好ましい。これにより、光反射性部材27と基体24との密着
性を高めて、光反射性部材27の基体24からの剥離を防止することができる。
Although not shown, a recess or a through hole is formed in the base 24 between the light emitting elements 5,
The concave portion or the through hole is filled with a part of the light reflecting member 27, and the light reflecting member 27 becomes the base 2.
4 is preferably locked. Thereby, the adhesiveness of the light reflective member 27 and the base | substrate 24 can be improved, and peeling from the base | substrate 24 of the light reflective member 27 can be prevented.

上述した構成以外は実質的に実施の形態1と同様の構成を有する。よって、実施の形態
1と同様の効果を示す。
さらに、この発光装置は、線状又はマトリクス状のサイドビュー型の発光装置として利
用することができる。従って、この発光装置は、個々のサイドビュー型の発光装置を、そ
れぞれ実装基板に実装することと比較して、実装精度を向上させることができる。また、
例えば、バックライト光源として、導光板とのアライメント性を向上させることができる
Except for the configuration described above, the configuration is substantially the same as that of the first embodiment. Therefore, the same effect as in the first embodiment is shown.
Furthermore, this light-emitting device can be used as a linear or matrix side-view type light-emitting device. Therefore, this light-emitting device can improve mounting accuracy as compared with mounting each side-view type light-emitting device on a mounting substrate. Also,
For example, the alignment property with the light guide plate can be improved as a backlight light source.

実施の形態3
この実施の形態の発光装置30は、図7に示すように、実施の形態1の発光装置、つま
り、接続端子33において、素子接続部として凸部33aを備える発光装置が、そのまま
、隣接する接続端子33、特に外部接続部33bを共有する形態で結合させたように、複
数列方向又は行列方向に配列されている。つまり、隣接する発光素子5の間において、母
材32にスルーホールを設け、このスルーホールを介して、基体34の接続端子33を基
体34の下面側に引き出している。
このような構成以外は、実質的に実施の形態1の発光装置と同様の構成を有する。よっ
て、実施の形態1と同様の効果を有する。さらに、実施の形態2と同様の効果を有する。
Embodiment 3
As shown in FIG. 7, the light emitting device 30 of this embodiment includes a light emitting device according to the first embodiment, that is, a light emitting device provided with a protruding portion 33 a as an element connecting portion in the connection terminal 33. The terminals 33, in particular, the external connection portions 33b are arranged in a shared manner, and are arranged in a plurality of column directions or matrix directions. That is, a through hole is provided in the base material 32 between the adjacent light emitting elements 5, and the connection terminal 33 of the base body 34 is drawn out to the lower surface side of the base body 34 through the through hole.
Except for such a configuration, the configuration is substantially the same as that of the light-emitting device of the first embodiment. Therefore, it has the same effect as the first embodiment. Furthermore, it has the same effect as the second embodiment.

実施の形態4
この実施の形態の発光装置40は、図8A〜図8Gに示すように、母材42の第1主面
から端面を経て第2主面に連続して形成された接続端子43が、Cu/Ni/Auによっ
て形成されており(厚み20μm)、第1主面及び第2主面においては、さらにCuによ
る層(厚み20μm)を有しており、接続端子部としてさらにCuによる凸部43a(厚
み40μm)を有している。
なお、接続端子43は、まず、母材42の凸部43aに相当する部位にCuをメッキに
よって所定の形状に成膜し、その後、端面をマスクし、Cuによる凸部を含む第1主面及
び第2主面にCuをメッキによって形成する。さらに、端面のマスクを除去して、第1主
面、端面及び第2主面にNi/Auをメッキによって形成することにより、接続端子43
を形成することができる。
Embodiment 4
In the light emitting device 40 of this embodiment, as shown in FIGS. 8A to 8G, the connection terminal 43 formed continuously from the first main surface of the base material 42 through the end surface to the second main surface is formed of Cu / It is formed of Ni / Au (thickness 20 μm), and the first main surface and the second main surface further have a layer of Cu (thickness 20 μm). 40 μm in thickness).
First, the connection terminal 43 is formed by depositing Cu in a predetermined shape by plating on a portion corresponding to the convex portion 43a of the base material 42, and then masking the end surface and including the convex portion by Cu. And Cu is formed on the second main surface by plating. Further, the end surface mask is removed, and Ni / Au is formed on the first main surface, the end surface, and the second main surface by plating, thereby connecting terminals 43.
Can be formed.

基体は、発光素子5aの搭載領域に対応する第2主面に、補強端子43cを備えている

基体の第2主面は、一対の接続端子43の基体の中央部に近い部分から、母材42及び
補強端子43c上にわたって、絶縁性の膜8によって被覆されている。
The base includes a reinforcing terminal 43c on the second main surface corresponding to the mounting region of the light emitting element 5a.
The second main surface of the base is covered with the insulating film 8 from the portion near the center of the base of the pair of connection terminals 43 to the base material 42 and the reinforcing terminal 43c.

接続端子43は、図8Eに示すように、基体の第1主面において、一部が幅狭に形成さ
れている。また、図8Gに示すように、接続端子43は、第2主面においても、一部が幅
狭に形成されている。
As shown in FIG. 8E, the connection terminal 43 is partially narrowed on the first main surface of the base. Further, as shown in FIG. 8G, a part of the connection terminal 43 is also formed narrow on the second main surface.

発光素子5aは、図8Cに示すように、半導体積層体と一対の電極によって形成されて
おり、半導体層の成長用の基板が除去されている。
成長用の基板の除去は、例えば、成長用の基板を有する発光素子5を一対の接続端子に
実装し、光反射性部材7を配置した後に、成長用の基板であるサファイア基板を、このサ
ファイア基板側から半導体層に、レーザ光(例えば、KrFエキシマレーザ)を照射し、
半導体層と基板との界面で分解反応を生じさせ、基板を半導体層から分離する、レーザリ
フトオフ法を利用して行われる。
この際に、光反射性部材7によって発光素子の半導体層を被覆し、さらに、接続端子4
3の凸部43a及び溶融性部材6をともに被覆することによって、発光素子を確実に固定
することができ、レーザ光の照射による応力を吸収し、サファイア基板を半導体層から効
率的に除去することができる。
As shown in FIG. 8C, the light emitting element 5a is formed of a semiconductor stacked body and a pair of electrodes, and a substrate for growing a semiconductor layer is removed.
For removing the growth substrate, for example, the light emitting element 5 having the growth substrate is mounted on the pair of connection terminals, the light reflecting member 7 is disposed, and then the sapphire substrate as the growth substrate is replaced with this sapphire. The semiconductor layer is irradiated with laser light (for example, KrF excimer laser) from the substrate side,
This is performed using a laser lift-off method in which a decomposition reaction is caused at the interface between the semiconductor layer and the substrate to separate the substrate from the semiconductor layer.
At this time, the light-reflecting member 7 covers the semiconductor layer of the light-emitting element, and the connection terminal 4
By covering both the three convex portions 43a and the meltable member 6, the light emitting element can be reliably fixed, the stress due to the laser light irradiation is absorbed, and the sapphire substrate is efficiently removed from the semiconductor layer. Can do.

発光素子5aの一対の電極は、接続端子43の凸部43aとAu−Snの共晶半田から
なる溶融性部材6によって接合されている。
発光素子5aの第1主面上には、透光性部材10aとして、蛍光体を含有したセラミッ
クス板が、透光性のシリコーン樹脂の接着材によって固定されている。透光性部材10a
の端面は光反射性部材7によって被覆されている。
The pair of electrodes of the light emitting element 5a are joined to the convex portion 43a of the connection terminal 43 by the meltable member 6 made of eutectic solder of Au—Sn.
On the first main surface of the light emitting element 5a, a ceramic plate containing a phosphor is fixed as a translucent member 10a by a translucent silicone resin adhesive. Translucent member 10a
The end face is covered with a light reflecting member 7.

また、接続端子43上であって、凸部43aと外部接続部との間において、絶縁部材9
が配置されている。絶縁部材9は、長手方向の長さが0.5mm、短手方向の幅が0.4
mm、厚さが0.02mmの略直方体状に成形されている。絶縁部材9は、光反射性部材
7の端面から長手方向に0.3mm露出している。絶縁部材9は、接続端子3の幅狭とな
る部位とその周辺を被覆している。
光反射性部材7の長手方向に対向する縁部は、絶縁部材9の上に配置されており、光反
射性部材7の長手方向に沿った縁部は、絶縁部材9の長手方向に沿った縁部と一致してい
る。また、絶縁部材9の長手方向に沿った縁部は、基体の長手方向に沿った縁部に一致し
ており、絶縁部材9の長手方向に沿った端面は、基体の長手方向に沿った端面と同一面を
形成している。
絶縁部材9は、二酸化チタンを含有する白色のシリコーン樹脂によって、形成されてい
る。
このように絶縁部材を配置することにより、後述するように、発光装置をサイドビュー
型で実装基板に実装する場合に、半田が、接続端子表面に沿って浸入して、発光装置の信
頼性を低下させることを回避することができる。また、溶融性部材によって発光素子を接
続端子に接続する際に、凸部及びその近傍からの溶融性部材の外部接続部への漏れを防止
することができる。
Further, on the connection terminal 43 and between the convex portion 43a and the external connection portion, the insulating member 9
Is arranged. The insulating member 9 has a length in the longitudinal direction of 0.5 mm and a width in the short direction of 0.4.
It is formed in a substantially rectangular parallelepiped shape with a thickness of 0.02 mm. The insulating member 9 is exposed 0.3 mm in the longitudinal direction from the end face of the light reflective member 7. The insulating member 9 covers the portion of the connection terminal 3 that is narrow and the periphery thereof.
The edge part which opposes the longitudinal direction of the light reflective member 7 is arrange | positioned on the insulating member 9, and the edge part along the longitudinal direction of the light reflective member 7 followed the longitudinal direction of the insulating member 9. Coincides with the edge. Moreover, the edge part along the longitudinal direction of the insulating member 9 corresponds to the edge part along the longitudinal direction of the base body, and the end surface along the longitudinal direction of the insulating member 9 is the end face along the longitudinal direction of the base body. And form the same plane.
The insulating member 9 is formed of a white silicone resin containing titanium dioxide.
By disposing the insulating member in this way, as described later, when the light emitting device is mounted on the mounting substrate in a side view type, solder penetrates along the surface of the connection terminal, thereby improving the reliability of the light emitting device. Decreasing can be avoided. Further, when the light emitting element is connected to the connection terminal by the meltable member, leakage from the convex portion and the vicinity thereof to the external connection portion of the meltable member can be prevented.

このような構成以外は、実質的に実施の形態1の発光装置と同様の構成を有する。よっ
て、実施の形態1と同様の効果を有する。
Except for such a configuration, the configuration is substantially the same as that of the light-emitting device of the first embodiment. Therefore, it has the same effect as the first embodiment.

実施の形態5
この実施の形態の発光装置50は、図9A〜図9Eに示すように、発光素子5の上に、
透光性部材10bとして、透明のガラス板と、その表面にスプレーによって塗布された蛍
光体層10cとが配置されている。
これらの構成以外は、実質的に実施の形態4の発光装置と同様の構成を有する。よって
、実施の形態1及び4と同様の効果を有する。
Embodiment 5
As shown in FIGS. 9A to 9E, the light-emitting device 50 of this embodiment is formed on the light-emitting element 5.
As the translucent member 10b, a transparent glass plate and a phosphor layer 10c coated on the surface by spraying are disposed.
Except for these configurations, the configuration is substantially the same as that of the light-emitting device of Embodiment 4. Therefore, it has the same effect as Embodiments 1 and 4.

実施の形態6
この実施の形態の発光装置は、図10に示すように、接続端子53における凸部53a
の平面形状がX字状に形成されている以外、実質的に実施の形態4及び5の発光装置と同
様の構成を有する。よって、実施の形態1、4及び5と同様の効果を有する。
加えて、凸部形状をX字状とすることにより、平面視において凹んだ部位へ溶融性部材
が貯まりやすく、発光素子の接続をより確実かつ強固とすることができる。
Embodiment 6
As shown in FIG. 10, the light emitting device of this embodiment has a convex portion 53 a in the connection terminal 53.
The configuration is substantially the same as that of the light-emitting devices of Embodiments 4 and 5, except that the planar shape is formed in an X shape. Therefore, the same effects as those of the first, fourth, and fifth embodiments are obtained.
In addition, by making the convex shape into an X shape, the meltable member can be easily stored in the concave portion in plan view, and the connection of the light emitting element can be made more reliable and strong.

実施の形態7
この実施の形態の発光装置60は、図11に示すように、母材62の長手方向の両端近
傍にスルーホール62aを有し、接続部材63は、上面からスルーホール62aを通って
下面に延長しており、端面を被覆しないこと以外は実質的に実施形態1及び4の発光装置
と同様の構成を有する。よって、実施の形態1及び4と同様の効果を有する。
Embodiment 7
As shown in FIG. 11, the light emitting device 60 of this embodiment has through holes 62a in the vicinity of both ends in the longitudinal direction of the base material 62, and the connection member 63 extends from the upper surface to the lower surface through the through holes 62a. The light emitting device has substantially the same configuration as that of the light emitting devices of Embodiments 1 and 4 except that the end surface is not covered. Therefore, it has the same effect as Embodiments 1 and 4.

実施の形態8
本実施形態の発光装置70は、図12A〜図12Gに示すように、母材72と、母材7
2の表面に設けられた接続端子73とを有する基体と、1つの発光素子5と、光反射性部
材7とを含んで構成されている。発光素子5は、接続端子73に設けられた2つの凸部7
3aに溶融性部材6によって接続されている。また、図12Cに示すように、基体の裏面
において、一対の接続端子73の間に絶縁性の膜78を有している。さらに、発光素子5
と封止部材7の上面とを連続して被覆する、蛍光体を含有する透光性部材10dを備える

母材72に配置される接続端子73のパターンの形状及び接続端子73の表面に形成さ
れた凸部73aの大きさが異なり、透光性部材10dの4つの端面が光反射性部材7の4
つの端面と一致している以外は、実質的に実施形態1の発光装置と同様の構成を有する。
よって、実施の形態1と同様の効果を有する。
ここで用いた発光素子5は、長手方向の長さが1.1mm、短手方向の幅が0.2mm
、厚さが0.2mmの直方体状の青色発光(発光中心波長455nm)のLEDチップで
ある。
基体は、長手方向の長さが3.5mm、短手方向の幅が0.4mm、厚さが0.2mm
の略直方体形状である。光反射性部材7は、長手方向の長さが1.2mm、短手方向の幅
が0.4mm、厚さが0.3mmの略直方体状に成形されている。
Embodiment 8
As shown in FIGS. 12A to 12G, the light emitting device 70 of the present embodiment includes a base material 72 and a base material 7.
2 is configured to include a base body having a connection terminal 73 provided on the surface of 2, one light emitting element 5, and a light reflecting member 7. The light emitting element 5 includes two convex portions 7 provided on the connection terminal 73.
It is connected to 3 a by a meltable member 6. Further, as shown in FIG. 12C, an insulating film 78 is provided between the pair of connection terminals 73 on the back surface of the base. Furthermore, the light emitting element 5
And a translucent member 10d containing a phosphor that continuously covers the upper surface of the sealing member 7.
The shape of the pattern of the connection terminal 73 arranged on the base material 72 and the size of the convex portion 73a formed on the surface of the connection terminal 73 are different, and the four end surfaces of the translucent member 10d are 4 of the light reflective member 7.
The configuration is substantially the same as that of the light emitting device of Embodiment 1 except that the two end surfaces coincide with each other.
Therefore, it has the same effect as the first embodiment.
The light emitting element 5 used here has a length in the longitudinal direction of 1.1 mm and a width in the short direction of 0.2 mm.
This is a rectangular parallelepiped blue light emitting (emission central wavelength: 455 nm) LED chip with a thickness of 0.2 mm.
The base has a length in the longitudinal direction of 3.5 mm, a width in the lateral direction of 0.4 mm, and a thickness of 0.2 mm.
The substantially rectangular parallelepiped shape. The light reflecting member 7 is formed in a substantially rectangular parallelepiped shape having a length in the longitudinal direction of 1.2 mm, a width in the lateral direction of 0.4 mm, and a thickness of 0.3 mm.

この発光装置70は、図12Gに示すように、母材72cに複合接続端子73cが形成
された複合基体を用いて、実施形態1と同様に製造することができる。この複合基体は、
個片化工程後に、図12D及び図12Eに示すような各発光装置の基体となるものが複数
個連なって構成されている。2つの発光素子5は接続端子83と第2の接続端子83eに
設けられた4つの凸部83aに溶融性部材6によって接合されている。
As shown in FIG. 12G, the light emitting device 70 can be manufactured in the same manner as in the first embodiment by using a composite substrate in which a composite connection terminal 73c is formed on a base material 72c. This composite substrate is
After the singulation step, a plurality of light emitting devices as shown in FIGS. 12D and 12E are connected in series. The two light emitting elements 5 are joined to the four convex portions 83a provided on the connection terminal 83 and the second connection terminal 83e by the meltable member 6.

実施の形態9
本実施形態の発光装置80は、図13A〜図13Gに示すように、母材82と、母材8
2の表面に設けられた接続端子83、第2の接続端子83eとを有する基体と、2つの発
光素子5と、光反射性部材7とを含んで構成されている。
発光素子5の数と、母材82に配置される接続端子83のパターンの形状及び接続端子
83の表面に形成された凸部83aの大きさが異なり、透光性部材10dの4つの端面が
光反射性部材7の4つの端面と一致している以外は、実質的に実施形態1の発光装置と同
様の構成を有する。よって、実施の形態1と同様の効果を有する。
2つの発光素子5は、長手方向の幅が1.1mm、短手方向の幅が0.2mm、厚みが
0.2mmの略直方体であり、0.4mmの間隔で基体の長手方向に並んで実装されてい
る。基体は、長手方向の長さが3.5mm、短手方向の幅が0.4mm、厚みが0.15
mmの略直方体形状に成形されている。光反射性部材7は、基体の第1主面の中央に、長
手方向の長さが3.0mm、短手方向の幅が0.4mm、厚さが0.2mmの略直方体状
に成形されている。
母材82は、2つの発光素子5の間にスルーホール82dを有しており、そのスルーホ
ール82dを埋め込んで第2の接続端子83eが裏面に及んでいる。つまり、第2の接続
端子83eは、基体の裏面側において、2つの発光素子5の間に設けられている。より詳
細には、2つの発光素子の直下にそれぞれ設けられた2つの絶縁性の膜88bの間に設け
られている。なお、2つの絶縁性の膜84は、母材82と接し、それぞれ接続端子83と
第2の接続端子83eと離間して設けられている。第2の接続端子83eは、基体の裏面
側において絶縁性の膜に被覆されることなく露出しており、発光装置が実装された場合に
は、半田等の接合部材が接続されることで、放熱用の端子としても機能する。
そして、2つの発光素子5と封止部材7の上面とを連続して被覆する、蛍光体を含有す
る透光性部材10dを備える。
Embodiment 9
As shown in FIGS. 13A to 13G, the light emitting device 80 of the present embodiment includes a base material 82 and a base material 8.
2 includes a base body having a connection terminal 83 and a second connection terminal 83 e provided on the surface of the two, two light emitting elements 5, and a light reflective member 7.
The number of the light emitting elements 5, the shape of the pattern of the connection terminal 83 arranged on the base material 82, and the size of the convex portion 83a formed on the surface of the connection terminal 83 are different, and the four end surfaces of the translucent member 10d are different. The configuration is substantially the same as that of the light-emitting device of Embodiment 1 except that it matches the four end faces of the light-reflecting member 7. Therefore, it has the same effect as the first embodiment.
The two light emitting elements 5 are substantially rectangular parallelepipeds having a longitudinal width of 1.1 mm, a lateral width of 0.2 mm, and a thickness of 0.2 mm, and are arranged in the longitudinal direction of the substrate at intervals of 0.4 mm. Has been implemented. The substrate has a longitudinal length of 3.5 mm, a lateral width of 0.4 mm, and a thickness of 0.15.
It is formed in a substantially rectangular parallelepiped shape of mm. The light reflective member 7 is formed in the center of the first main surface of the base body into a substantially rectangular parallelepiped shape having a length in the longitudinal direction of 3.0 mm, a width in the short direction of 0.4 mm, and a thickness of 0.2 mm. ing.
The base material 82 has a through hole 82d between the two light emitting elements 5, and the second connection terminal 83e extends to the back surface by filling the through hole 82d. That is, the second connection terminal 83e is provided between the two light emitting elements 5 on the back side of the base. More specifically, it is provided between two insulating films 88b provided immediately below the two light emitting elements. Note that the two insulating films 84 are in contact with the base material 82 and are provided apart from the connection terminal 83 and the second connection terminal 83e, respectively. The second connection terminal 83e is exposed without being covered with an insulating film on the back surface side of the base, and when a light emitting device is mounted, a joining member such as solder is connected, Also functions as a terminal for heat dissipation.
And the translucent member 10d containing the fluorescent substance which coat | covers continuously the two light emitting elements 5 and the upper surface of the sealing member 7 is provided.

この発光装置80は、図13Gに示す、母材82cに複合接続端子83cが形成された
複合基体を用いて、実施形態1と同様に製造することができる。この複合基体は、個片化
工程後に、図13D及び図13Eに示すような各発光装置の基体となるものが複数個連な
って構成されている。
The light emitting device 80 can be manufactured in the same manner as in the first embodiment, using a composite substrate shown in FIG. 13G in which a composite connection terminal 83c is formed on a base material 82c. The composite substrate is formed by connecting a plurality of substrates that are the substrates of the light emitting devices as shown in FIGS. 13D and 13E after the singulation process.

本発明の発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト光源、各種照明器具、大型ディ
スプレイ、広告、行き先案内等の各種表示装置、さらには、デジタルビデオカメラ、ファ
クシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置、プロジェクタ装置などに利用す
ることができる。
The light-emitting device of the present invention includes a backlight source of a liquid crystal display, various lighting devices, a large display, various displays such as advertisements, destination guidance, and an image reading device in a digital video camera, a facsimile, a copier, a scanner, etc. It can be used for projector devices.

1、20、30、40、50、60、70、80 発光装置
2、12、22、32、42、62、72、82 母材
2a 上面
2b 端面
2c 下面
3、23、33、43、53、63、73、83 接続端子
3a、13a、23a、43a、53a、63a、73a、83a 凸部
3b、33b 外部接続部
4、24 基体
5、5a 発光素子
6 溶融性部材
7、17、27 光反射性部材
8、78、84 絶縁性の膜
9 絶縁部材
10、10a、10b、10d 透光性部材
10c 蛍光体層
13、73c、83c 複合接続端子
14、72c、82c 複合基体
15、75、85 スリット
25 端子
43c、63b 補強端子
51 実装基板
52 配線パターン
54 半田
62a、82d スルーホール
83e 第2の接続端子
1, 20, 30, 40, 50, 60, 70, 80 Light-emitting device 2, 12, 22, 32, 42, 62, 72, 82 Base material 2a Upper surface 2b End surface 2c Lower surface 3, 23, 33, 43, 53, 63, 73, 83 Connection terminal 3a, 13a, 23a, 43a, 53a, 63a, 73a, 83a Convex part 3b, 33b External connection part 4, 24 Base body 5, 5a Light emitting element 6 Melting member 7, 17, 27 Light reflection Conductive member 8, 78, 84 Insulating film 9 Insulating member 10, 10a, 10b, 10d Translucent member 10c Phosphor layer 13, 73c, 83c Composite connection terminal 14, 72c, 82c Composite substrate 15, 75, 85 Slit 25 terminal 43c, 63b reinforcement terminal 51 mounting board 52 wiring pattern 54 solder 62a, 82d through hole 83e second connection terminal

Claims (7)

長方形の母材と、前記母材の第1主面に設けられる接続端子と、前記第1主面の反対側の第2主面に設けられる外部接続部と、を備える基体と、
前記第1主面の前記接続端子と、溶融性接合部材によって接続された発光素子と、
前記発光素子を被覆する光反射性部材と、を備え、
前記接続端子は凸部を有し、前記母材の長手方向の両端近傍のスルーホールを介して、前記第2主面の前記外部接続部と連結している発光装置。
A base comprising: a rectangular base material; a connection terminal provided on the first main surface of the base material; and an external connection portion provided on a second main surface opposite to the first main surface;
The connection terminal of the first main surface, and a light emitting element connected by a meltable bonding member;
A light reflective member covering the light emitting element,
The light emitting device, wherein the connection terminal has a convex portion and is connected to the external connection portion of the second main surface through through holes in the vicinity of both ends in the longitudinal direction of the base material.
前記溶融性接合部材は、前記凸部の側面を被覆する請求項1記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 1, wherein the meltable bonding member covers a side surface of the convex portion. 前記凸部は、前記第1主面上において、前記接続端子の縁部から離間している請求項1又は2記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 1, wherein the convex portion is separated from an edge portion of the connection terminal on the first main surface. 前記基体と前記発光素子との間は、前記光反射性部材で埋め込まれている請求項1〜3のいずれか1項に記載の発光装置。   The light-emitting device according to claim 1, wherein the light-reflecting member is embedded between the base and the light-emitting element. 前記発光素子の第1主面は、前記光反射性部材の第1主面と同一面、又は、前記光反射性部材の第1主面よりも低い位置にある請求項1〜4のいずれか1項に記載の発光装置。   The first main surface of the light emitting element is in the same plane as the first main surface of the light reflective member or at a position lower than the first main surface of the light reflective member. 2. The light emitting device according to item 1. 前記透光性部材の端面及び前記発光素子の端面が前記光反射性部材に被覆されている請求項1〜5のいずれか1項に記載の発光装置。   The light emitting device according to any one of claims 1 to 5, wherein an end face of the translucent member and an end face of the light emitting element are covered with the light reflecting member. 前記発光素子は複数であり、
前記基体は、前記2つの発光素子のそれぞれの直下の前記第2主面に設けられた絶縁性の膜を備え、
前記第2主面において、前記絶縁性の膜の間に設けられる第2の接続端子を備え、前記第2の接続端子は、前記スルーホールを介して前記第1主面の接続端子と連結している請求項1〜6のいずれか1項に記載の発光装置。
The light emitting element is plural,
The base includes an insulating film provided on the second main surface immediately below each of the two light emitting elements,
The second main surface includes a second connection terminal provided between the insulating films, and the second connection terminal is connected to the connection terminal of the first main surface through the through hole. The light-emitting device according to claim 1.
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