JP2024041498A - Wiring board, light emitting device and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
【課題】放熱性及び光反射率を向上させることができる配線基板、発光装置及びそれらの製造方法を提供する。【解決手段】配線基板の製造方法S10は、互いに間隔を空けて複数の凸部を有する第1面及び第1面の反対側となる第2面を有する金属板を準備することS11と、金属板の第1面に酸化金属層を形成することS12と、酸化金属層が形成された金属板の第1面に未硬化の無機物の光反射性部材を配置することS13と、配置した光反射性部材を硬化することS14と、硬化した光反射性部材の一部を除去することS15と、光反射性部材の一部を除去することにより、凸部の上面に金属板の母材の金属を露出することS16と、金属板の第2面側の一部を除去することS17と、金属板の第2面側の一部を除去することで、隣接する金属ブロックの間の光反射性部材を露出することS18と、を含む。【選択図】図2[Problem] To provide a wiring board, a light emitting device, and a manufacturing method thereof that can improve heat dissipation and light reflectance. [Solution] A manufacturing method S10 for a wiring board includes the steps of preparing a metal plate having a first surface with a plurality of convex portions spaced apart from each other and a second surface opposite to the first surface, forming a metal oxide layer S12 on the first surface of the metal plate, arranging an uncured inorganic light reflective member on the first surface of the metal plate on which the metal oxide layer has been formed S13, curing the arranged light reflective member S14, removing a part of the cured light reflective member S15, exposing the base metal of the metal plate on the upper surface of the convex portions by removing a part of the light reflective member S16, removing a part of the second surface side of the metal plate S17, and removing a part of the second surface side of the metal plate S18 to expose the light reflective member between adjacent metal blocks. [Selected Figure] Figure 2
Description
本開示は、配線基板、発光装置及びそれらの製造方法に関する。 The present disclosure relates to a wiring board, a light emitting device, and a manufacturing method thereof.
従来、積層された複数のセラミック層をもって構成される積層体と、セラミック層上に形成される導体配線層と、を備える積層型セラミック電子部品が知られている(例えば、特許文献1参照)。この導体配線層は、金属箔または金属線から構成され、その表面の少なくとも一部がCr、Mo、Ti、Al2O3等から選ばれる少なくとも1種によって覆われている。また、金属箔または金属線は、Cu、Ag、Au等から選ばれる少なくとも1種を含む。さらにこの製造方法として、金属箔または金属線の表面の少なくとも一部をCu2O、Cr、Mo、Ti、Al2O3等から選ばれる少なくとも1種によって覆う工程を有する。 BACKGROUND ART Conventionally, a laminated ceramic electronic component is known that includes a laminate including a plurality of laminated ceramic layers and a conductive wiring layer formed on the ceramic layer (for example, see Patent Document 1). This conductive wiring layer is made of metal foil or metal wire, and at least a portion of its surface is covered with at least one selected from Cr, Mo, Ti, Al2O3 , and the like. Moreover, the metal foil or metal wire contains at least one selected from Cu, Ag, Au, and the like. Furthermore, this manufacturing method includes the step of covering at least a portion of the surface of the metal foil or metal wire with at least one member selected from Cu 2 O, Cr, Mo, Ti, Al 2 O 3 and the like.
本開示に係る実施形態は、放熱性及び光反射率を向上させることができる配線基板、発光装置及びそれらの製造方法を提供することを課題とする。 The objective of the present disclosure is to provide a wiring board, a light-emitting device, and a method for manufacturing the same that can improve heat dissipation and light reflectance.
実施形態に開示される配線基板の製造方法は、互いに間隔を空けて複数の凸部を有する第1面及び前記第1面の反対側となる第2面を有する金属板を準備することと、前記金属板の前記第1面に酸化金属層を形成することと、前記酸化金属層が形成された前記金属板の前記第1面に未硬化の無機物の光反射性部材を配置することと、前記配置した前記光反射性部材を硬化することと、硬化した前記光反射性部材の一部を除去することと、前記光反射性部材の一部を除去することにより、前記凸部の上面に前記金属板の母材の金属を露出することと、前記金属板の前記第2面側の一部を除去することと、前記金属板の前記第2面側の一部を除去することで、隣接する金属ブロックの間の前記光反射性部材を露出することと、を含む。 A method for manufacturing a wiring board disclosed in the embodiment includes preparing a metal plate having a first surface having a plurality of convex portions spaced apart from each other and a second surface opposite to the first surface; forming a metal oxide layer on the first surface of the metal plate; disposing an uncured inorganic light-reflecting member on the first surface of the metal plate on which the metal oxide layer is formed; By curing the disposed light-reflecting member, removing a portion of the cured light-reflecting member, and removing a portion of the light-reflective member, the upper surface of the convex portion is coated. By exposing the metal of the base material of the metal plate, by removing a part of the second surface side of the metal plate, and by removing a part of the second surface side of the metal plate, exposing the light reflective member between adjacent metal blocks.
実施形態に開示される発光装置の製造方法は、実施形態に開示される配線基板の製造方法により製造した配線基板を準備することと、前記配線基板に、一対の素子電極を有する発光素子を含む複数の光源を配置することと、を含み、前記光源を配置することにおいて、前記一対の素子電極のそれぞれを隣接する前記金属ブロックのそれぞれに導電性部材を介して接続する。 A method for manufacturing a light emitting device disclosed in an embodiment includes preparing a wiring board manufactured by a method for manufacturing a wiring board disclosed in an embodiment, and including a light emitting element having a pair of element electrodes on the wiring board. arranging a plurality of light sources, and in arranging the light sources, each of the pair of element electrodes is connected to each of the adjacent metal blocks via a conductive member.
実施形態に開示される配線基板は、上面と、前記上面の反対側の下面と、前記上面及び前記下面に連続する側面と、を有し、行及び列方向の少なくとも一方に離隔して配置される複数の金属ブロックと、前記金属ブロックの前記側面に配置され、前記金属ブロックと共に平板状をなす無機物の光反射性部材と、を備え、前記光反射性部材に対面する前記金属ブロックの前記側面に酸化金属層が配置されている。 The wiring board disclosed in the embodiment has an upper surface, a lower surface opposite to the upper surface, and a side surface continuous with the upper surface and the lower surface, and is spaced apart in at least one of the row and column directions. a plurality of metal blocks, and an inorganic light-reflecting member disposed on the side surface of the metal block and forming a flat plate together with the metal blocks, the side surface of the metal block facing the light-reflective member. A metal oxide layer is disposed on the surface.
実施形態に開示される発光装置は、実施形態に開示される配線基板と、前記配線基板の上面に配置され、一対の素子電極を有する発光素子を含む光源と、を備え、前記一対の素子電極のそれぞれは、隣接する前記金属ブロックのそれぞれに導電性部材を介して接続されている。 A light emitting device disclosed in an embodiment includes a wiring board disclosed in an embodiment, and a light source including a light emitting element disposed on an upper surface of the wiring board and having a pair of element electrodes. Each of the metal blocks is connected to each of the adjacent metal blocks via a conductive member.
本開示の実施形態によれば、放熱性及び光反射率を向上させることができる配線基板、発光装置及びそれらの製造方法を提供することができる。 According to embodiments of the present disclosure, it is possible to provide a wiring board, a light emitting device, and a manufacturing method thereof that can improve heat dissipation and light reflectance.
以下、本開示に係る実施形態について図面を参照しながら説明する。ただし、以下に説明する実施形態は、本開示に係る技術的思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り、発明を以下のものに限定しない。一つの実施形態において説明する内容は、他の実施形態及び変形例にも適用可能である。また、図面は実施形態を概略的に示すものであり、説明を明確にするため、各部材のスケールや間隔、位置関係等を誇張し、あるいは、部材の一部の図示を省略している場合がある。各図において示す方向は、構成要素間の相対的な位置を示し、絶対的な位置を示すことを意図したものではない。なお、同一の名称、符号については、原則として、同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。また、実施形態について、「覆う」とは直接接する場合に限らず、間接的に、例えば他の部材を介して覆う場合も含む。 Embodiments according to the present disclosure will be described below with reference to the drawings. However, the embodiments described below are for embodying the technical idea of the present disclosure, and unless there is a specific description, the invention is not limited to the following. What is described in one embodiment is applicable to other embodiments and modifications. In addition, the drawings schematically show the embodiments, and in order to clarify the explanation, the scale, spacing, positional relationship, etc. of each member may be exaggerated, or illustration of some members may be omitted. There is. The directions shown in each figure indicate relative positions between components and are not intended to indicate absolute positions. Note that the same names and symbols basically indicate the same or homogeneous members, and detailed explanations will be omitted as appropriate. Furthermore, in the embodiments, "covering" is not limited to the case of direct contact, but also includes the case of covering indirectly, for example, via another member.
[配線基板]
実施形態に係る配線基板1を図1A、1Bを参照しながら説明する。図1Aは、配線基板1の概略を例示する平面図である。図1Bは、図1AのIB-IB線における断面図である。図1Cは、実施形態に係る金属ブロックの概略を例示する斜視図である。
[Wiring board]
A
配線基板1は、上面15Aと、上面15Aの反対側の下面15Bと、上面15A及び下面15Bに連続する側面15Cと、を有し、行及び列方向の少なくとも一方に離隔して配置される複数の金属ブロック15と、金属ブロック15の側面15Cに配置され、金属ブロック15と共に平板状をなす無機物の光反射性部材40と、を備え、光反射性部材40に対面する金属ブロック15の側面15Cに酸化金属層16が配置されている。以下、配線基板1の各構成について説明する。
The
(金属ブロック)
金属ブロック15は、配線基板1における配線材となる部材である。金属ブロック15は、上面15Aと上面15Aの反対側の下面15Bと、上面15A及び下面15Bに連続する側面15Cと、を有している。ここでは、金属ブロック15は一例として直方体状であり、上面15A及び下面15B、4つの側面15Cは何れも矩形である。
(metal block)
The
金属ブロック15は、上面15A及び下面15Bの最大径が100μm以上800μm以下であり、厚みが100μm以上500μm以下であることが好ましい。なお、直方体状の金属ブロック15の上面15A及び下面15Bの最大径とは、上面15A及び下面15Bそれぞれの対角線の長さである。
It is preferable that the maximum diameter of the
金属ブロック15は、平面視において行及び列方向に複数が整列し、互いに離隔して配置されている。金属ブロック15の上面15Aは互いに平行であり、1つの平面に接するように配置されている。金属ブロック15の下面15Bは互いに平行であり、上面15Aが接する平面とは異なる1つの平面に接するように配置されている。隣接する金属ブロック15の距離は、100μm以上300μm以下であることが好ましい。隣接する金属ブロック15の距離が小さいほど配線基板1の熱抵抗を小さくすることができる。
A plurality of metal blocks 15 are arranged in rows and columns in plan view and are spaced apart from each other. The
金属ブロック15の母材は金属である。金属ブロック15の側面15Cには酸化金属層16が配置されている。酸化金属層16の厚みは、0.1μm以上10μm以下であることが好ましい。酸化金属層16が配置されていることで、金属ブロック15の側面15Cに配置される光反射性部材40との接合を強固にすることができる。酸化金属層16が0.1μmより薄いと接合は強固にならず、10μmより厚くしても接合強度をさらに向上させる効果は小さくなる。
The base material of the
金属ブロック15の母材は銅、銀、金、アルミニウム、又はこれらを含む合金等から選択される少なくとも1種を使用することもでき、銅が好ましい。酸化金属層16は酸化銅、酸化銀、酸化金、酸化アルミニウム、又はこれらを含む酸化物等から選択される少なくとも1種を使用することもできるが、酸化銅層が好ましい。金属ブロック15の母材を銅とすることで、電気及び熱の伝導性を高めることができる。
As the base material of the
(光反射性部材)
光反射性部材40は、金属ブロック15同士の間に配置され、金属ブロック15同士を絶縁すると共に支持する部材である。光反射性部材40は、金属ブロック15の側面15Cを覆うように配置されており、上面15A及び下面15Bは光反射性部材40から露出している。光反射性部材40は、酸化金属層16を介して側面15Cに対面している。
配線基板1は、光反射性部材40及び金属ブロック15によって平板状に形成されている。光反射性部材40の上面は、金属ブロック15の上面15Aと共に配線基板1の上面を形成している。光反射性部材40の下面は、金属ブロック15の下面15Bと共に配線基板1の下面を構成している。
(light reflective member)
The light
The
光反射性部材40は光反射性を有する。光反射性部材40は、例えば白色のセラミックスとすることができる。光反射性部材40は、白色とすることで光反射性を高めることができ、セラミックスとすることで耐熱性を高めることができる。
光反射性部材40は、窒化ホウ素、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化ジルコニウム、窒化チタン、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、又は、これらの1種以上の混合物の少なくともいずれか1種を含むことが好ましい。光反射性部材は、前述の窒化ホウ素、窒化珪素、窒化アルミニウム等に加えてシリカ及びアルカリ金属をさらに用いてもよい。
The light
The light
配線基板1は、上面15A、下面15B及び側面15Cを有するブロック状の金属である金属ブロック15を配線材とすることで、配線の引き回しがなく、配線抵抗を低減すると共に構造的に熱伝導性を高め、放熱性の向上を図ることができる。
配線基板1は、金属ブロック15の表面に酸化金属層16を設けることで、セラミックスとの密着性を向上させることができる。また、金属ブロック15の側面15Cを支持することでさらに放熱性を高め、側面15Cを支持する部材を無機物の光反射性部材40とすることで、光反射性に優れると共に耐熱性の高い基板とすることができる。
The
By providing the
[配線基板の製造方法]
次に、実施形態に係る配線基板の製造方法S10を図2から図3Hを参照しながら説明する。図2は、配線基板の製造方法S10を例示するフローチャートである。図3Aは、準備する金属板10の材料となる平板11を例示する断面図である。図3Bは、平板11にマスク81を形成した状態を例示する断面図である。図3Cは、エッチングにより凸部14を形成した状態を例示する断面図である。図3Dは、準備した金属板10を例示する断面図である。図3Eは、金属板10に酸化金属層16を形成した状態を例示する断面図である。図3Fは、金属板10に光反射性部材40を形成した状態を例示する断面図である。図3Gは、光反射性部材40の一部を除去して金属板10の母材の金属を露出させた状態を例示する断面図である。図3Hは、金属板10の一部を除去して隣接する金属ブロック15の間の光反射性部材40を露出させた状態を例示する断面図である。
[Method for manufacturing wiring board]
Next, a wiring board manufacturing method S10 according to the embodiment will be described with reference to FIGS. 2 to 3H. FIG. 2 is a flowchart illustrating the wiring board manufacturing method S10. FIG. 3A is a cross-sectional view illustrating a
配線基板の製造方法S10は、互いに間隔を空けて複数の凸部14を有する第1面10A及び第1面10Aの反対側となる第2面10Bを有する金属板10を準備することS11と、金属板10の第1面10Aに酸化金属層16を形成することS12と、酸化金属層16が形成された金属板10の第1面10Aに未硬化の無機物の光反射性部材41を配置することS13と、配置した光反射性部材41を硬化することS14と、硬化した光反射性部材40の一部を除去することS15と、光反射性部材40の一部を除去することにより、凸部14の上面に金属板10の母材の金属を露出することS16と、金属板10の第2面側10Bの一部を除去することS17と、金属板10の第2面10B側の一部を除去することで、隣接する金属ブロック15の間の光反射性部材40を露出することS18と、を含む。以下、金属ブロック15の母材を銅とする場合を例にして説明する。なお、第1面10Aは特に断りのない限り、平坦な形状における上面だけでなく、一方の面側の表面全体を指す。つまり第1面10Aが凹形状を持つ場合に凹形状の内平面だけでなく、外平面及び内側面も含まれる。また、第1面10Aが凸形状を持つ場合に凸形状の上平面だけでなく、下平面及び側面も含まれる。
The wiring board manufacturing method S10 includes preparing a
(金属板を準備する)
金属板を準備することS11において、互いに間隔を空けて複数の凸部14を有する金属板10を準備する。金属板10は、第1面10A及び第1面10Aの反対側となる第2面10Bを有し、凸部14は第1面10Aに形成される。
まず、金属板10の材料となる銅の平板11を準備する。平板11の厚みは、特に限定されないが、300μm以上1000μm以下が好ましく、400μm以上700μm以下が特に好ましい。この平板11の厚さを金属板10の凸部14を含む厚さとすることができる。平板11の凸部14を形成する領域にマスク81を形成してエッチングを行うことで、マスク81を形成した領域が残り、凸部14を形成することができる。そして、マスク81を除去して金属板10が準備される。
(Prepare a metal plate)
Preparing a metal plate In step S11, a
First, a copper
エッチングは、例えば、凸部14の高さH1が105μm以上600μm以下となるように行うことができる。凸部14の高さH1は、150μm以上300μm以下が好ましい。凸部14の高さH1は、凸部14が形成されていない金属板10の上面からの凸部14の上面までの高さである。
Etching can be performed, for example, so that the height H1 of the
(酸化金属層を形成する)
酸化金属層を形成することS12において、金属板10に酸化金属層16を形成する。ここでは、酸化金属層16は酸化銅層である。酸化金属層16は、第1面10Aに形成されていればよい。ここでは、第1面10A及び第2面10Bに酸化金属層16を形成している。
(forms a metal oxide layer)
Forming a metal oxide layer S12 forms a
まず、酸化金属層16を形成する面、すなわち、少なくとも金属板10の第1面10Aにアルカリ処理を行う。ここでは、第1面10A及び第2面10Bにアルカリ処理を行っている。
First, the surface on which the
アルカリ処理は、重量百分率で3%以上10%以下の水酸化ナトリウム又は水酸化カリウム水溶液に金属板10を5分以上10分以下浸漬し、その後100℃以上200℃以下で5分以上10分以下の加熱することによって行うことができる。水酸化ナトリウム又は水酸化カリウム水溶液の濃度は5%以上10%以下が好ましく、浸漬時間は7分以上10分以下が好ましい。また、加熱温度は125℃以上200℃以下が好ましく、加熱時間は7分以上10分以下が好ましい。
In the alkali treatment, the
酸化金属層16は、厚みが0.1μm以上10μm以下になるように形成している。酸化金属層16の厚みは、0.5μm以上8μm以下が好ましく、1μm以上5μm以下がさらに好ましい。
なお、後記する未硬化の光反射性部材41の成分に水酸化カリウム又は水酸化ナトリウムが含まれる場合は、アルカリ処理及び熱処理は省略することができる。
The
Note that when potassium hydroxide or sodium hydroxide is included in the components of the uncured light-reflecting member 41 to be described later, the alkali treatment and heat treatment can be omitted.
(未硬化の光反射性部材を配置する)
未硬化の光反射性部材を配置することS13において、酸化金属層16が形成されている金属板10の第1面10Aに未硬化の光反射性部材41を配置する。未硬化の光反射性部材41は、少なくとも凸部14の側面を覆うように配置する。ここでは、凸部14の側面及び上面を覆うように光反射性部材41を配置している。未硬化の光反射性部材41は流動性を有しており、例えばポッティング、スプレー、インクジェット、印刷等によって配置することができる。
(Place uncured light reflective material)
Arranging an uncured light-reflective member In S13, an uncured light-reflective member 41 is arranged on the
未硬化の光反射性部材41は流動性を有する無機物であり、窒化ホウ素、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化ジルコニウム、窒化チタン、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、又は、これらの1種以上の混合物の少なくともいずれか1種を含むことが好ましい。 The uncured light reflective member 41 is an inorganic material having fluidity, and is made of boron nitride, silicon nitride, aluminum nitride, zirconium nitride, titanium nitride, silicon oxide, aluminum oxide, zirconium oxide, titanium oxide, or one of these. It is preferable that at least one of the above mixtures is included.
未硬化の光反射性部材41は、低温で硬化するタイプのセラミックスとすることができる。低温とは、例えば70℃以上500℃以下である。低温で硬化するセラミックスを用いることで内部応力の低減を図ることができる。
未硬化の光反射性部材41には、硬化剤として、メタケイ酸ナトリウム、リン酸アルミニウムのいずれかを含有させることができる。なお、未硬化の光反射性部材41は有機溶剤等が含有されていてもよく、硬化後に無機物の光反射性部材40となればよい。
The uncured light reflective member 41 can be made of a type of ceramic that hardens at low temperatures. The low temperature is, for example, 70°C or higher and 500°C or lower. Internal stress can be reduced by using ceramics that harden at low temperatures.
The uncured light reflective member 41 can contain either sodium metasilicate or aluminum phosphate as a curing agent. Note that the uncured light-reflecting member 41 may contain an organic solvent or the like, and the light-reflecting
(光反射性部材を硬化する)
光反射性部材を硬化することS14において、配置した未硬化の光反射性部材41を硬化させる。光反射性部材41の硬化は、加圧しながら加熱することによって行うことができる。一例として、仮硬化の後、本硬化を行う場合について説明する。仮硬化の温度は50℃以上200℃以下とし、本硬化の温度は200℃以上500℃以下とすることができる。仮硬化の温度は70℃以上150℃以下、本硬化の温度は250℃以上300℃以下が好ましい。
(Cure the light reflective member)
Curing the light reflective member In S14, the disposed uncured light reflective member 41 is cured. The light reflective member 41 can be cured by heating while applying pressure. As an example, a case where main curing is performed after temporary curing will be described. The temperature for temporary curing can be 50°C or more and 200°C or less, and the temperature for main curing can be 200°C or more and 500°C or less. The temperature for temporary curing is preferably 70°C or more and 150°C or less, and the temperature for main curing is preferably 250°C or more and 300°C or less.
仮硬化及び本硬化の圧力は、0.5MPa以上3MPa以下とすることができ、1MPa以上2MPa以下が好ましい。仮硬化と本硬化とで圧力を変えてもよい。加圧及び加熱を行う時間は、仮硬化及び本硬化のそれぞれについて、例えば30分以上60分以下とすることができる。 The pressure for temporary curing and main curing can be 0.5 MPa or more and 3 MPa or less, preferably 1 MPa or more and 2 MPa or less. The pressure may be changed between temporary curing and main curing. The time for applying pressure and heating can be, for example, 30 minutes or more and 60 minutes or less for each of temporary curing and main curing.
(光反射性部材の一部を除去する)
光反射性部材の一部を除去することS15において、凸部14の上面に形成されている光反射性部材40を除去する。光反射性部材の一部を除去することS15は、金属板の母材の金属を露出することS16を含む。金属板の母材の金属を露出することS16において、凸部14の上面の酸化金属層16を除去して、凸部14の上面に金属板10の母材の金属を露出させる。
光反射性部材40の一部の除去及び酸化金属層16の除去は、例えば砥粒を用いる加工装置を使用して研磨又は研削することによって行うことができる。研磨又は研削の他、切削加工やブラスト加工を併用してもよい。
(Remove part of the light reflective material)
Removing a Part of the Light Reflective Member In S15, the light
Removal of a portion of the light
(金属板の第2面側の一部を除去する)
金属板の第2面側の一部を除去することS17において、金属板10の第2面10B側から金属板10の一部を除去して凸部14を分離し、分離された凸部14が金属ブロック15となる。つまり、金属板10の第2面10B側から金属板10を研磨・研削等を行い薄型化したり、金属板10を厚み方向に対して平行な方向に切断したりすることもできる。隣合う凸部14間の光反射部材を第2面側から露出させるまで、金属板10を薄くする。金属板10の除去は、場所によって金属板10の厚みの違いが生じないように行うことが好ましい。なお、金属板10の第2面10Bに酸化金属層16が形成されている場合には、酸化金属層16も除去することができる。
金属板10及び酸化金属層16の除去は、光反射性部材の一部を除去することS15と同様に、例えば砥粒を用いる加工装置を使用して研磨又は研削することによって行うことができ、切削加工やブラスト加工を併用してもよい。
(Remove part of the second side of the metal plate)
Removing a part of the second surface side of the metal plate S17 removes a part of the
The
金属板の第2面側の一部を除去することS17において、金属板10を除去する量を調節することで、金属ブロック15の厚みを調節することができる。金属ブロック15の厚みは、100μm以上500μm以下とすることができる。金属ブロック15の厚みは、150μm以上250μm以下が好ましい。
In step S17 of removing a portion of the second surface of the metal plate, the thickness of the
(光反射性部材を露出する)
金属板の第2面側の一部を除去することS17は、光反射性部材を露出することS18を含む。光反射性部材を露出することS18において、金属ブロック15同士の間に光反射性部材40を露出させる。光反射性部材40を露出させたことにより、互いに離隔して配置される金属ブロック15を備える配線基板1となる。
(Exposing the light reflective member)
Removing a part of the second surface side of the metal plate S17 includes exposing the light reflective member S18. In exposing the light reflective member S18, the light
配線基板の製造方法S10は、凸部14を形成し、酸化金属層16を形成した金属板10の第1面10Aに未硬化の無機物の光反射性部材41を配置して硬化させ、硬化した光反射性部材40の一部及び金属板10の第2面10B側の一部を除去することで、上面15A及び下面15Bに金属の母材が露出し、側面15Cに酸化金属層16を介して光反射性部材40が配置され、光反射性部材40に支持されて互いに離隔する金属ブロック15を備える配線基板1を製造することができる。
In the wiring board manufacturing method S10, an uncured inorganic light-reflecting member 41 is placed on the
(配線基板の製造方法の変形例)
次に、配線基板の製造方法の変形例について、図4Aから図4Eを参照しながら説明する。図4Aは、準備する金属板10の材料となる平板12を例示する断面図である。図4Bは、平板12にドライフィルム85を配置した状態を例示する断面図である。図4Cは、平板12にマスク82を形成した状態を例示する断面図である。図4Dは、めっきにより凸部14を形成した状態を例示する断面図である。図4Eは、準備した金属板10を例示する断面図である。
(Modified example of wiring board manufacturing method)
Next, a modification of the wiring board manufacturing method will be described with reference to FIGS. 4A to 4E. FIG. 4A is a cross-sectional view illustrating a
配線基板の製造方法の変形例は、金属板を準備することが製造方法S10と異なり、その他は製造方法S10と共通する。変形例に係る金属板を準備することにおいて、製造方法S10における金属板を準備することS11と異なる方法で、互いに間隔を空けて複数の凸部14Pを有する金属板10Pを準備する。
まず、金属板10Pの材料となる銅の平板12を準備する。この平板12の厚さは、製造方法S10で準備する金属板10の凸部14を含まない厚さとすることができる。
The modification of the wiring board manufacturing method differs from manufacturing method S10 in preparing a metal plate, and is common to manufacturing method S10 in other respects. In preparing the metal plate according to the modification, a
First, a copper
平板12の凸部14Pを形成する面にドライフィルム85を配置する。続いて、ドライフィルム85の露光及び現像を行い、凸部14Pを形成しない領域にマスク82を形成する。続いて、平板12のマスク82を形成している側の面に金属めっきを行って凸部14Pを形成する。金属めっきは銅めっきとすることができる。金属めっきは、凸部14Pが製造方法S10における高さH1と同様の高さとなるように行うことができる。そして、マスク82を除去して金属板10Pが準備される。酸化金属層を形成することS12以降は、準備した金属板10Pを使用して、製造方法S10と同様に進めることができる。
A
[発光装置(第1実施形態)]
次に、第1実施形態に係る発光装置100について、図5Aから図6Cを参照しながら説明する。図5Aは、第1実施形態に係る発光装置の概略を例示する平面図である。図5Bは、図5AのVB-VB線における断面図である。図6Aは、実施形態に係る発光装置の光源の概略を例示する平面図である。図6Bは、実施形態に係る発光装置の光源の概略を例示する底面図である。図6Cは、図6AのVIC-VIC線における断面図である。
[Light-emitting device (first embodiment)]
Next, the
発光装置100は、実施形態に係る配線基板1と、配線基板1の上面に配置され、一対の素子電極21を有する発光素子22を含む光源20と、を備え、一対の素子電極21のそれぞれは、隣接する金属ブロック15のそれぞれに導電性部材50を介して接続されている。ここでは、光源20は複数配置されている。
発光装置100は、一例として、配線基板1に複数の光源20を配置するモジュールタイプの発光装置である。以下、発光装置100の各構成について説明する。なお、配線基板1の上面は、金属ブロック15の上面15Aが露出している面である。
The
The
(配線基板)
配線基板1は、発光装置100における光源20の大きさや配置、一対の素子電極21の間隔等に合わせて金属ブロック15が形成され配置されている。ここでは、配線基板1は、金属ブロック15の上面15Aに、めっき層17を有している。めっき層17は、金属ブロック15の上面15Aの全体に形成されている。めっき層17は、例えば、銅である金属ブロック15の上面15Aに、ニッケルめっき層、金めっき層の順に積層されるニッケル金めっきとすることが好ましい。めっき層17を有することで、発光素子22の素子電極21と金属ブロック15との電気的及び熱的接続を良好にすることができる。
(wiring board)
The
(光源)
光源20は、一対の素子電極21を有する発光素子22を少なくとも含む部材である。ここでは、光源20は、発光素子22と、発光素子22の光取出し面側に配置される透光性部材30と、発光素子22及び透光性部材30の側面を覆う樹脂部材25とが予め一体に形成された部材である。樹脂部材25は、発光素子22の素子電極21を除く下面をさらに覆っていてもよい。
光源20はさらに他の部材を含んでいてもよい。また、光源20は発光素子22だけであってもよい。光源20を発光素子22だけとする場合には、例えば、光源20とは別体の透光性部材30と組み合わせることができる。
(light source)
The
(発光素子)
発光素子22は、半導体積層体を含み、ここではサファイア、窒化ガリウム等の透光性の基板が半導体積層体の上面側に配置され、下面側に一対の素子電極21を有している。半導体積層体としては、所望とする発光波長に応じて任意の組成を用いることができるが、例えば、青色又は緑色の発光が可能な窒化物半導体(InxAlyGa1-x-yN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)やGaP、又は、赤色の発光が可能なGaAlAsやAlInGaPなどを用いることができる。また、使用する目的に応じて発光素子22の大きさや形状は適宜選択が可能である。
(Light emitting element)
The light-emitting
(素子電極)
一対の素子電極21は、一例として矩形状であり、光源20の下面に露出している。一対の素子電極21のそれぞれは、隣接する金属ブロック15のそれぞれに導電性部材50を介して接続されている。また、ここでは、隣接する金属ブロック15は、同じ光源20の素子電極21又は隣接する光源20の素子電極21に接続されている。
素子電極21は、例えば、金、白金、パラジウム、ロジウム、ニッケル、タングステン、モリブデン、クロム、チタン等の金属又はこれらの合金の単層膜あるいは積層膜によって構成することができる。導電性部材50は、例えば金錫はんだ、銅錫はんだ等とすることができる。なお、ここでは、金属ブロック15の上面15Aにめっき層17が配置されており、素子電極21は、導電性部材50及びめっき層17を介して金属ブロック15に接続されている。導電性部材50を設けずに、めっき層17をニッケル金めっきとし、素子電極21とめっき層17とを超音波接合してもよい。
(Element electrode)
The pair of
The
発光装置100は、ブロック状の配線材である金属ブロック15を有する配線基板1に光源20を実装することで、配線抵抗の低減及び放熱性の向上を図ることができる。また、一対の素子電極21のそれぞれが隣接する金属ブロック15のそれぞれに接続され、光源20の直下には光反射性の高い光反射性部材40を配置することができるため、光取出し効率の向上を図ることができる。
The
(透光性部材)
透光性部材30は、例えば、透光性の樹脂材料からなり、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂又はこれらを混合した樹脂等を用いることができる。透光性部材30は、蛍光体を含んでいてもよく、例えば、発光素子22からの青色の光を吸収し、黄色の光を放射する蛍光体を含むことにより、光源20から白色の光を出射させることができる。また、透光性部材30は、複数種類の蛍光体を含んでいてもよく、例えば、発光素子22からの青色の光を吸収して、緑色の光を放射する蛍光体と、赤色の光を放射する蛍光体と、を含むことによっても、光源20から白色の光を出射させることができる。
(Translucent member)
The
透光性部材30は、蛍光体、量子ドット等の発光材料を更に含んでいてもよい。このような蛍光体としては、例えば、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム(ガリウムドープ)・ガーネット、ユウロピウムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム(ストロンチウム)、マンガンで賦活されたフッ化珪酸カリウム、βサイアロン系蛍光体等を挙げることができる。蛍光体として具体的には、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(例えば、(Y,Gd)3(Al,Ga)5O12:Ce)、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(例えば、Lu3(Al,Ga)5O12:Ce)、テルビウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(例えば、Tb3(Al,Ga)5O12:Ce)、CCA系蛍光体(例えば、Ca10(PO4)6Cl2:Eu)、SAE系蛍光体(例えば、Sr4Al14O25:Eu)、クロロシリケート系蛍光体(例えば、Ca8MgSi4O16Cl2:Eu)、シリケート系蛍光体(例えば、(Ba,Sr,Ca,Mg)2SiO4:Eu)、βサイアロン系蛍光体(例えば、(Si,Al)3(O,N)4:Eu)若しくはαサイアロン系蛍光体(例えば、Ca(Si,Al)12(O,N)16:Eu)等の酸窒化物系蛍光体、LSN系蛍光体(例えば、(La,Y)3Si6N11:Ce)、BSESN系蛍光体(例えば、(Ba,Sr)2Si5N8:Eu)、SLA系蛍光体(例えば、SrLiAl3N4:Eu)、CASN系蛍光体(例えば、CaAlSiN3:Eu)若しくはSCASN系蛍光体(例えば、(Sr,Ca)AlSiN3:Eu)等の窒化物系蛍光体、KSF系蛍光体(例えば、K2SiF6:Mn)、KSAF系蛍光体(例えば、K2(Si1-xAlx)F6-x:Mn、ここで、xは、0<x<1を満たす。)若しくはMGF系蛍光体(例えば、3.5MgO・0.5MgF2・GeO2:Mn)等のフッ化物系蛍光体等を挙げることができる。量子ドットとしては、ペロブスカイト構造を有する量子ドット(例えば、(Cs,FA,MA)(Pb,Sn)(F,Cl,Br,I)3、ここで、FAはホルムアミジニウムを、MAはメチルアンモニウムを表す。)、II-VI族量子ドット(例えば、CdSe)、III-V族量子ドット(例えば、InP)、カルコパイライト構造を有する量子ドット(例えば、(Ag,Cu)(In,Ga)(S,Se)2)等を挙げることができる。
The
(樹脂部材)
樹脂部材25は、発光素子22を覆い、発光素子22を保護する部材である。樹脂部材25は、光反射性を有していてもよく、透光性あるいは光吸収性を有してしてもよい。樹脂部材25は、光反射性を有することが好ましい。光反射性を有する樹脂部材25は、例えば、透光性部材30と同様の樹脂材料に、光反射性物質を含有させることにより形成することができる。光反射性物質としては、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム酸化イットリウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、酸化亜鉛等が挙げられる。また、樹脂部材25が透光性を有する場合には、蛍光体などの波長変換部材を含有していてもよい。
(Resin member)
The
[第1実施形態に係る発光装置の製造方法]
次に、発光装置100の製造方法S20について、図7から図8Cを参照しながら説明する。図7は、発光装置の製造方法S20を例示するフローチャートである。図8Aは、準備した金属板10を例示する断面図である。図8Bは、金属ブロック15の表面にめっき層17を形成した状態を例示する断面図である。図8Cは、配線基板1上に光源20を配置した状態を例示する断面図である。
[Method for manufacturing light emitting device according to first embodiment]
Next, a method S20 for manufacturing the
発光装置の製造方法S20は、実施形態に係る配線基板1を準備することS21と、配線基板1に、一対の素子電極21を有する発光素子22を含む複数の光源20を配置することS23と、を含む。光源を配置することS23において、一対の素子電極21のそれぞれを隣接する金属ブロック15のそれぞれに導電性部材50を介して接続する。ここでは、光源を配置することS23の前に、金属ブロック15の表面にめっき層17を形成することS22を行う場合について説明する。なお、金属ブロック15の上面15Aが露出する面を配線基板1の上面とし、光源20を配線基板1の上面に配置する場合について説明する。
The manufacturing method S20 of a light emitting device includes preparing the
(配線基板を準備する)
配線基板を準備することS21において、発光装置100における光源20の大きさや配置、一対の素子電極21の間隔等に合わせて金属ブロック15を形成した配線基板1を準備する。隣接する光源20の間には、光源20に接続されない金属ブロック15が配置されていないことが好ましい。
(Prepare the wiring board)
Preparing a Wiring Board In step S21, a
(めっき層を形成する)
めっき層を準備することS22において、金属ブロック15の上面15Aにめっき層17を形成する。めっき層17は、例えば銅である金属ブロック15の上面15Aにニッケルめっきの下地を形成し、その上に金めっきを行って形成することができる。
(Forming a plating layer)
In preparing a plating layer S22, a
(光源を配置する)
光源を配置することS23において、配線基板1に光源20を配置する。一対の素子電極21のそれぞれは、互いに隣接する金属ブロック15のそれぞれに導電性部材50を介して接続する。ここでは、金属ブロック15の上面15Aに、めっき層17を形成している。このため、素子電極21は、導電性部材50及びめっき層17を介して金属ブロック15に接続される。
(Place the light source)
In arranging the light source S23, the
[第2実施形態に係る発光装置]
次に、第2実施形態に係る発光装置200、300について、図9Aから図9Cを参照しながら説明する。図9Aは、発光装置200の概略を例示する平面図である。図9Bは、図9AのIXB-IXB線における断面図である。図9Cは、個片化した発光装置300の概略を例示する断面図である。
[Light-emitting device according to second embodiment]
Next, light emitting
発光装置200は、発光装置100と同様に、配線基板1に複数の光源を配置するモジュールタイプの発光装置である。発光装置300は、発光装置200を切断線L1、L2に沿って切断して個片化したものであり、1個の光源を備えるチップスケールパッケージ(CSP)タイプの発光装置である。
発光装置200は、発光装置100の光源20に代えて発光素子22及び透光性部材30を有し、被覆部材60をさらに備えている。その他の点では、発光装置200は発光装置100と共通する。発光装置300は発光装置200を個片化したものであり、発光装置200と同様の構成を備えている。以下、発光装置200の各構成について説明する。なお、配線基板1の上面は、発光装置100と同様に、金属ブロック15の上面15Aが露出している面である。
Like the
The
(光源)
発光装置200の光源は、発光素子22だけで構成されている。そして、発光素子22の上面に透光性部材30を配置している。透光性部材30は、発光装置100の光源20と同様のものとすることができる。
(light source)
The light source of the
(被覆部材)
被覆部材60は、配線基板1の上面に配置され、発光素子22の上面及び下面、透光性部材30の側面を覆い、保護する部材である。透光性部材30の上面は被覆部材60から露出している。被覆部材60は、発光素子22と配線基板1との間に入り込むことで、素子電極21や導電性部材50の側面も覆っている。
被覆部材60は、光反射性、透光性、遮光性等を有する樹脂、これらの樹脂に光反射性物質を含有した樹脂等によって形成することができる。被覆部材60は、光反射性及び遮光性の少なくとも何れかを有することが好ましい。樹脂としては、例えばシリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂の1種以上を含む樹脂又はハイブリッド樹脂等が挙げられる。光反射性物質としては、例えば酸化チタン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライトなどが挙げられる。被覆部材60は、蛍光体、拡散材、着色剤等を含有してもよい。
(Coated member)
The covering
The covering
発光装置200は、発光装置100と同様に、配線抵抗の低減、放熱性及び光取出し効率の向上を図ることができる。これらに加え、発光装置200は、配線基板1の上面に被覆部材60を備えることで、配線基板1の上面や電気的な接続部材を保護し、信頼性の向上を図ることができる。
Like the
なお、発光装置300は、金属ブロック15を切断しないように、発光装置200における隣接する金属ブロック15の中間を通る切断線L1、L2で切断されている。発光装置300の側面は、被覆部材60及び配線基板1の光反射性部材40で構成されている。
Note that the
[第2実施形態に係る発光装置の製造方法]
次に、第2実施形態に係る発光装置200、300の製造方法S30について、図10から図11Dを参照しながら説明する。図10は、発光装置200、300の製造方法を例示するフローチャートである。図11Aは、発光素子22を配置した状態を例示する断面図である。図11Bは、透光性部材30を配置した状態を例示する断面図である。図11Cは、被覆部材60を配置した状態を例示する断面図である。図11Dは、個片化した状態を例示する断面図である。
[Method for manufacturing light emitting device according to second embodiment]
Next, a method S30 for manufacturing the
発光装置の製造方法S30は、実施形態に係る配線基板1を準備することS31と、配線基板1に、一対の素子電極21を有する発光素子22を含む複数の光源を配置することS33と、を含む。光源を配置することS33において、一対の素子電極21のそれぞれを隣接する金属ブロック15のそれぞれに導電性部材50を介して接続する。そして、光源を配置することS33の後に、透光性部材30を配置することS34と、被覆部材60を配置することS35と、を含み、個片化することS36をさらに含んでもよい。
ここでは、発光装置の製造方法S20と同様に、光源を配置することS33の前に、金属ブロック15の表面にめっき層17を形成することS32を行う。また、配線基板を準備することS31及びめっき層を形成することS32は、発光装置の製造方法S20と共通する。なお、金属ブロック15の上面15Aが露出する面を配線基板1の上面とし、光源を配線基板1の上面に配置する場合について説明する。
The light emitting device manufacturing method S30 includes preparing the
Here, similarly to the light emitting device manufacturing method S20, forming the
(光源を配置すること)
光源を配置することS33は、発光装置の製造方法S20における光源を配置することS23と同様に行うことができる。ただし、ここで使用する光源は発光素子22だけで構成されており、めっき層17が形成された配線基板1に発光素子22を配置している。
(Place the light source)
Arranging the light source S33 can be performed in the same manner as arranging the light source S23 in the light emitting device manufacturing method S20. However, the light source used here is composed of only the
(透光性部材を配置する)
透光性部材を配置することS34において、発光素子22の上面に透光性部材30を配置する。透光性部材30は、例えばポッティング、スプレー、インクジェット、印刷等により未硬化の透光性部材30の材料の塗布等を行い、その後硬化させることによって配置することができる。透光性部材30は、シート状又は板状に形成された部材を発光素子22の上面に接着剤を介して配置してもよい。
(Placing the light-transmitting member)
In disposing the light-transmitting member S34, the light-transmitting
(被覆部材を配置する)
被覆部材を配置することS35において、透光性部材30の上面を露出させるように、配線基板1の上面に被覆部材60を配置する。被覆部材60は、発光素子22及び透光性部材30の側面を覆うように配置し、発光素子22の下面や導電性部材50も覆うように配置することが好ましい。被覆部材60は、例えば、配線基板1の上方に樹脂吐出装置のノズルを配置し、ノズルの先端から未硬化の樹脂材料を吐出させながら、ノズルを移動させることにより塗布し、その後硬化させることによって配置することができる。被覆部材60の塗布は複数回に分けて行うことが好ましい。被覆部材60の上面は、隣合う発光素子22の上面と面一であることが好ましい。ただし、隣合う発光素子22の間に被覆部材60を配置するため、被覆部材60の上面が一部、ひけるように配置してもよく、又は、盛り上がるように配置してもよい。また、盛り上がった被覆部材60を研磨、研削等することにより、被覆部材60の上面を隣合う発光素子22の上面と面一にすることもできる。なお、被覆部材60だけでなく、発光素子22の上面も研磨、研削等してもよい。
(Place the covering member)
In step S<b>35 of disposing the covering member, the covering
(個片化する)
個片化することS36において、1個の発光素子22が含まれるように個片化を行う。個片化は、例えばダイシングブレード、レーザ照射、ブレイク等によって切断することで行うことができる。
なお、発光装置の製造方法S30は、個片化を行わない場合には発光装置200を製造することができ、個片化を行う場合には発光装置300を製造することができる。
(Individualize)
In the step of dividing into individual pieces (S36), the chip is divided into individual pieces each including one
In the light emitting device manufacturing method S30, the
(金属ブロックの変形例)
次に、変形例に係る金属ブロック18について、図12Aから図12Cを参照しながら説明する。図12Aは、変形例に係る金属ブロック18を備える配線基板を使用して金属ブロック18の上面18Aに光源20を配置した発光装置の概略を例示する断面図である。図12Bは、変形例に係る金属ブロック18を備える配線基板を使用して金属ブロック18の下面18Bに光源20を配置した発光装置の概略を例示する断面図である。図12Cは、変形例に係る金属ブロック18の概略を例示する斜視図である。
(Modified example of metal block)
Next, a
配線基板の製造方法S10において、エッチングによって形成した凸部14を分離して金属ブロックを形成することを説明した。このエッチングの条件によっては、マスク81の端部においてマスク81の下面に沿ってエッチングが進むアンダーカットが大きくなる場合がある。アンダーカットによって凸部14は先端側が細くなる形状に形成され、上面18Aが下面18Bよりも小さい金属ブロック18を形成することができる。
金属ブロック18の外形は四角錐台状であり、側面18Cは内側に凸に湾曲している。上面18A及び下面18Bは矩形状であり、上面18Aは下面18Bよりも小さい。金属ブロック18を備える配線基板に光源20を配置する場合、光源20は上面18A側又は下面18B側のどちらにでも配置することができる。ただし、光源20は上面18A側に配置されることが好ましい。光源20を上面18A側に配置することで、光源20の直下の光反射性部材40の面積が、光源20を下面18B側に配置した場合と比較して大きくなり、光反射の観点で有利となるためである。
In the wiring board manufacturing method S10, it has been described that the
The outer shape of the
なお、金属ブロックは、直方体状や四角錐台状に限らず、円柱状、楕円柱状、三角形や多角形の角柱状、円錐台状、角錐台状といった様々な形状であってよい。また、金属ブロックは、マスク81、82の形状やエッチングの条件等によって、様々な形状に形成することができる。
Note that the metal block is not limited to the shape of a rectangular parallelepiped or a truncated quadrangular pyramid, but may have various shapes such as a cylinder, an elliptical cylinder, a triangular or polygonal prism, a truncated cone, or a truncated pyramid. Furthermore, the metal blocks can be formed into various shapes depending on the shapes of the
本開示は、次の各項の実施形態を含む。
(項1)
互いに間隔を空けて複数の凸部を有する第1面及び前記第1面の反対側となる第2面を有する金属板を準備することと、
前記金属板の前記第1面に酸化金属層を形成することと、
前記酸化金属層が形成された前記金属板の前記第1面に未硬化の無機物の光反射性部材を配置することと、
前記配置した前記光反射性部材を硬化することと、
硬化した前記光反射性部材の一部を除去することと、
前記光反射性部材の一部を除去することにより、前記凸部の上面に前記金属板の母材の金属を露出することと、
前記金属板の前記第2面側の一部を除去することと、
前記金属板の前記第2面側の一部を除去することで、隣接する金属ブロックの間の前記光反射性部材を露出することと、を含む、配線基板の製造方法。
(項2)
前記金属板を準備することにおいて、前記凸部は前記金属板にマスクを配置してエッチングすることで形成する項1に記載の配線基板の製造方法。
(項3)
前記金属板を準備することにおいて、前記凸部は前記金属板にドライフィルムを配置して金属めっきすることで形成する項1に記載の配線基板の製造方法。
(項4)
前記金属板を準備することにおいて、前記凸部は行及び列方向に配置され、前記凸部の上面は平面視において矩形状である項1から項3の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。
(項5)
前記金属板を準備することにおいて、隣接する前記凸部の距離は、100μm以上300μ以下である項1から項4の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。
(項6)
前記金属板を準備することにおいて、前記金属板の母材は、銅である項1から項5の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。
(項7)
前記金属板を準備することにおいて、前記金属めっきは、銅めっきである項3から項6の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。
(項8)
前記光反射性部材を配置することにおいて、前記光反射性部材は、窒化ホウ素、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化ジルコニウム、窒化チタン、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、又は、これらの1種以上の混合物の少なくともいずれか1種を含む項1から項7の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。
(項9)
前記光反射性部材を配置することにおいて、少なくとも前記凸部の側面を覆うように前記光反射性部材を配置する項1から項8の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。
(項10)
前記光反射性部材を配置することにおいて、前記光反射性部材に硬化剤としてメタケイ酸ナトリウム又はリン酸アルミニウムのいずれかを含有させる項1から項9の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。
(項11)
前記光反射性部材を硬化することにおいて、50℃以上200℃以下で仮硬化し、その後200℃以上500℃以下で本硬化する項1から項10の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。
(項12)
前記光反射性部材を硬化することにおいて、0.5MPa以上3MPa以下で前記仮硬化及び前記本硬化を行う項11に記載の配線基板の製造方法。
(項13)
前記酸化金属層を形成することにおいて、前記金属板の前記第1面にアルカリ処理を行う項1から項12の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。
(項14)
前記酸化金属層を形成することにおいて、前記アルカリ処理は3%以上10%以下の水酸化ナトリウム又は水酸化カリウム水溶液に5分以上10分以下浸漬し、その後100℃以上200℃以下で5分以上10分以下の加熱を行う項13に記載の配線基板の製造方法。
(項15)
前記酸化金属層を形成することにおいて、厚みが0.1μm以上10μm以下になるように前記酸化金属層を形成する項1から項14の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。
(項16)
前記金属板を準備することにおいて、前記凸部の高さは、105μm以上600μm以下であり、
前記金属板の前記第2面側の一部を除去することにおいて、前記金属ブロックの厚みが100μm以上500μm以下になるように除去する項1から項15の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。
(項17)
項1から項16のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法により製造した配線基板を準備することと、
前記配線基板に、一対の素子電極を有する発光素子を含む複数の光源を配置することと、を含み、
前記光源を配置することにおいて、前記一対の素子電極のそれぞれを隣接する前記金属ブロックのそれぞれに導電性部材を介して接続する、発光装置の製造方法。
(項18)
前記光源を1個含むように個片化することをさらに含む項17に記載の発光装置の製造方法。
(項19)
上面と、前記上面の反対側の下面と、前記上面及び前記下面に連続する側面と、を有し、行及び列方向の少なくとも一方に離隔して配置される複数の金属ブロックと、
前記金属ブロックの前記側面に配置され、前記金属ブロックと共に平板状をなす無機物の光反射性部材と、を備え、
前記光反射性部材に対面する前記金属ブロックの前記側面に酸化金属層が形成されている配線基板。
(項20)
前記金属ブロックの前記上面及び前記下面、4つの前記側面はいずれも矩形である項19に記載の配線基板。
(項21)
前記金属ブロックの母材は銅であり、前記酸化金属層は酸化銅層である項19又は項20に記載の配線基板。
(項22)
前記光反射性部材は、窒化ホウ素、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化ジルコニウム、窒化チタン、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、又は、これらの1種以上の混合物の少なくともいずれか1種を含む項19から項22の何れか一項に記載の配線基板。
(項23)
隣接する前記金属ブロックの距離は、100μm以上300μm以下である項19から項22の何れか一項に記載の配線基板。
(項24)
前記金属ブロックは、前記上面及び前記下面の最大径が100μm以上800μm以下であり、厚みが100μm以上500μm以下である項19から項23の何れか一項に記載の配線基板。
(項25)
項19から項24のいずれか一項に記載の配線基板と、
前記配線基板の上面に配置され、一対の素子電極を有する発光素子を含む光源と、を備え、
前記一対の素子電極のそれぞれは、隣接する前記金属ブロックのそれぞれに導電性部材を介して接続されている発光装置。
(項26)
前記光源は、複数配置されている項25に記載の発光装置。
The present disclosure includes embodiments of the following sections.
(Section 1)
preparing a metal plate having a first surface having a plurality of convex portions spaced apart from each other and a second surface opposite to the first surface;
forming a metal oxide layer on the first surface of the metal plate;
disposing an uncured inorganic light-reflecting member on the first surface of the metal plate on which the metal oxide layer is formed;
Curing the disposed light reflective member;
removing a portion of the cured light reflective member;
exposing the base metal of the metal plate on the upper surface of the convex portion by removing a part of the light reflective member;
removing a part of the second surface side of the metal plate;
A method for manufacturing a wiring board, comprising: exposing the light reflective member between adjacent metal blocks by removing a portion of the second surface of the metal plate.
(Section 2)
2. The method of manufacturing a wiring board according to
(Section 3)
2. The method of manufacturing a wiring board according to
(Section 4)
In preparing the metal plate, the wiring board according to any one of
(Section 5)
5. The method for manufacturing a wiring board according to any one of
(Section 6)
6. The method for manufacturing a wiring board according to any one of
(Section 7)
7. The method for manufacturing a wiring board according to any one of Items 3 to 6, wherein in preparing the metal plate, the metal plating is copper plating.
(Section 8)
In arranging the light reflective member, the light reflective member is made of boron nitride, silicon nitride, aluminum nitride, zirconium nitride, titanium nitride, silicon oxide, aluminum oxide, zirconium oxide, titanium oxide, or one of these. 8. The method for manufacturing a wiring board according to any one of
(Section 9)
9. The method for manufacturing a wiring board according to any one of
(Section 10)
Manufacturing the wiring board according to any one of
(Section 11)
Manufacturing the wiring board according to any one of
(Section 12)
(Section 13)
13. The method for manufacturing a wiring board according to any one of
(Section 14)
In forming the metal oxide layer, the alkali treatment is performed by immersing it in an aqueous solution of 3% to 10% sodium hydroxide or potassium hydroxide for 5 minutes to 10 minutes, and then at 100° C. to 200° C. for 5 minutes or more.
(Section 15)
15. The method for manufacturing a wiring board according to any one of
(Section 16)
In preparing the metal plate, the height of the convex portion is 105 μm or more and 600 μm or less,
The wiring board according to any one of
(Section 17)
Preparing a wiring board manufactured by the method for manufacturing a wiring board according to any one of
arranging a plurality of light sources including a light emitting element having a pair of element electrodes on the wiring board;
A method for manufacturing a light emitting device, wherein, in arranging the light source, each of the pair of element electrodes is connected to each of the adjacent metal blocks via a conductive member.
(Section 18)
18. The method for manufacturing a light emitting device according to
(Section 19)
A plurality of metal blocks having an upper surface, a lower surface opposite to the upper surface, and a side surface continuous with the upper surface and the lower surface, and spaced apart in at least one of the row and column directions;
an inorganic light reflective member disposed on the side surface of the metal block and forming a flat plate shape together with the metal block,
A wiring board, wherein a metal oxide layer is formed on the side surface of the metal block facing the light reflective member.
(Section 20)
20. The wiring board according to item 19, wherein the upper surface, the lower surface, and the four side surfaces of the metal block are all rectangular.
(Section 21)
21. The wiring board according to
(Section 22)
The light reflective member contains at least one of boron nitride, silicon nitride, aluminum nitride, zirconium nitride, titanium nitride, silicon oxide, aluminum oxide, zirconium oxide, titanium oxide, or a mixture of one or more of these. The wiring board according to any one of Items 19 to 22.
(Section 23)
23. The wiring board according to any one of Items 19 to 22, wherein the distance between the adjacent metal blocks is 100 μm or more and 300 μm or less.
(Section 24)
24. The wiring board according to any one of Items 19 to 23, wherein the metal block has a maximum diameter of 100 μm or more and 800 μm or less of the upper surface and the lower surface, and a thickness of 100 μm or more and 500 μm or less.
(Section 25)
The wiring board according to any one of Items 19 to 24,
a light source including a light emitting element disposed on the upper surface of the wiring board and having a pair of element electrodes;
In the light emitting device, each of the pair of element electrodes is connected to each of the adjacent metal blocks via a conductive member.
(Section 26)
26. The light emitting device according to
1 配線基板
10 金属板
11 平板
12 平板(変形例)
14 凸部
15 金属ブロック
15A 上面
15B 下面
15C 側面
16 酸化金属層
17 めっき層
18 金属ブロック(変形例)
20 光源
21 素子電極
22 発光素子
25 樹脂部材
30 透光性部材
40 光反射性部材
41 光反射性部材(未硬化)
50 導電性部材
60 被覆部材
81 マスク
82 マスク(変形例)
85 ドライフィルム
100 発光装置(第1実施形態)
200 発光装置(第2実施形態)
300 発光装置(CSP)
1 Wiring
14
20
50
85
200 Light emitting device (second embodiment)
300 Light emitting device (CSP)
Claims (26)
前記金属板の前記第1面に酸化金属層を形成することと、
前記酸化金属層が形成された前記金属板の前記第1面に未硬化の無機物の光反射性部材を配置することと、
前記配置した前記光反射性部材を硬化することと、
硬化した前記光反射性部材の一部を除去することと、
前記光反射性部材の一部を除去することにより、前記凸部の上面に前記金属板の母材の金属を露出することと、
前記金属板の前記第2面側の一部を除去することと、
前記金属板の前記第2面側の一部を除去することで、隣接する金属ブロックの間の前記光反射性部材を露出することと、を含む、配線基板の製造方法。 preparing a metal plate having a first surface having a plurality of convex portions spaced apart from each other and a second surface opposite to the first surface;
forming a metal oxide layer on the first surface of the metal plate;
disposing an uncured inorganic light-reflecting member on the first surface of the metal plate on which the metal oxide layer is formed;
Curing the disposed light reflective member;
removing a portion of the cured light reflective member;
exposing the base metal of the metal plate on the upper surface of the convex portion by removing a part of the light reflective member;
removing a part of the second surface side of the metal plate;
A method for manufacturing a wiring board, comprising: exposing the light reflective member between adjacent metal blocks by removing a portion of the second surface of the metal plate.
前記金属板の前記第2面側の一部を除去することにおいて、前記金属ブロックの厚みが100μm以上500μm以下になるように除去する請求項1に記載の配線基板の製造方法。 In preparing the metal plate, the height of the protrusion is 105 μm or more and 600 μm or less;
2 . The method for manufacturing a wiring board according to claim 1 , wherein the part of the second surface side of the metal plate is removed so that the thickness of the metal block is 100 μm or more and 500 μm or less.
前記配線基板に、一対の素子電極を有する発光素子を含む複数の光源を配置することと、を含み、
前記光源を配置することにおいて、前記一対の素子電極のそれぞれを隣接する前記金属ブロックのそれぞれに導電性部材を介して接続する、発光装置の製造方法。 Preparing a wiring board manufactured by the method for manufacturing a wiring board according to any one of claims 1 to 16;
Arranging a plurality of light sources, including a light emitting element having a pair of element electrodes, on the wiring substrate;
In arranging the light source, each of the pair of element electrodes is connected to each of the adjacent metal blocks via a conductive member.
前記金属ブロックの前記側面に配置され、前記金属ブロックと共に平板状をなす無機物の光反射性部材と、を備え、
前記光反射性部材に対面する前記金属ブロックの前記側面に酸化金属層が形成されている配線基板。 A plurality of metal blocks having an upper surface, a lower surface opposite to the upper surface, and a side surface continuous with the upper surface and the lower surface, and arranged at intervals in at least one of the row and column directions;
an inorganic light-reflecting member disposed on the side surface of the metal block and having a flat plate shape together with the metal block;
A wiring board, wherein a metal oxide layer is formed on the side surface of the metal block facing the light reflective member.
前記配線基板の上面に配置され、一対の素子電極を有する発光素子を含む光源と、を備え、
前記一対の素子電極のそれぞれは、隣接する前記金属ブロックのそれぞれに導電性部材を介して接続されている発光装置。 The wiring board according to any one of claims 19 to 24,
a light source including a light emitting element disposed on the upper surface of the wiring board and having a pair of element electrodes;
In the light emitting device, each of the pair of element electrodes is connected to each of the adjacent metal blocks via a conductive member.
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