JP6769971B2 - 焦点体積方法を用いたウェーハ検査 - Google Patents
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Description
式[1]
Iij(Δz)=AijΔz4+BijΔz3+CijΔz2+DijΔz+Eij(Δz=0)によって表現され得る。
Claims (24)
- 半導体サンプルにおける欠陥を検出するための方法であって、
前記サンプルの複数のxy位置の各々から、複数の焦点設定における強度データセットを収集するために検査ツールを使用することと、
焦点設定の関数として、前記xy位置毎の強度データセットから、複数の係数を有する多項式を抽出することと、
前記複数のxy位置のための、前記係数の値のセットの各々を、対応する係数画像面を用いて表すことで複数の係数画像面を形成することと、
前記サンプルにおける欠陥を検出するために、前記係数画像面のターゲットセットおよび前記係数画像面の基準セットとの比較に基づいた複数の差分係数画像面を分析することと、を備えることを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法であって、1つまたは複数のスワースの次のセットの前に、1つまたは複数のスワースの第1のセットから、前記複数の焦点設定において、強度データが収集され、前記第1のセットにおいて実際の焦点位置に影響を与える所定の熱膨張時間未満に複数のスワースが選択され、そこから前記強度データが収集されることを特徴とする方法。
- 請求項2に記載の方法であって、前記複数のスワースは、第1および第2のスワースを備えることを特徴とする方法。
- 請求項3に記載の方法であって、
リアルタイムのxyエンコーダ位置データを、前記検査ツールから収集することと、
前記xy位置毎の強度データセットから、前記多項式を抽出する前に、各焦点設定から収集された前記強度データを、前記収集されたリアルタイムのxyエンコーダ位置データに基づいて整列させることと、をさらに備えることを特徴とする方法。 - 請求項4に記載の方法であって、前記整列動作が実行される前に、前記複数の焦点設定において、xy位置の前記第1および第2のスワースから、強度データが収集されることを特徴とする方法。
- 請求項2に記載の方法であって、
前記複数の焦点設定のうちの第1の焦点設定において、前記複数のスワースのうちの第1のスワースから強度データを収集する前に、xyエンコーダ位置データのエンコーダバッファへの記録を開始することと、
前記第1の焦点設定において、前記複数のスワースのうちの第2のスワースから強度データを収集するためのセットアップへ前記検査ツールのステージを反転している間、前記整列動作における使用のために、前記エンコーダバッファからの前記xyエンコーダ位置データを、システムメモリへコピーし、その後、前記第2のスワースから強度データを収集する前に、xyエンコーダ位置データの前記エンコーダバッファへの記録を開始することと、
前記第2のスワースから強度データを収集した後、前記複数の焦点設定のうちの第2の焦点設定において、前記第1のスワースから強度データを収集するためのセットアップへ前記検査ツールのステージを反転している間、前記整列動作における使用のために、前記エンコーダバッファからの前記xyエンコーダ位置データを、システムメモリへコピーし、その後、前記第2の焦点設定において、前記第1のスワースから強度データを収集する前に、xyエンコーダ位置データの前記エンコーダバッファへの記録を開始することと、
前記複数の焦点設定の各々において、後続するスワースのペアのための記録を開始することとコピーすることとの動作を繰り返すことと、をさらに備えることを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記基準セットの各々から前記ターゲットセットの各々を減算することによって、各係数について、複数の差分係数値を有する前記複数の差分係数画像面を計算することを特徴とする方法。 - 請求項7に記載の方法であって、
前記差分係数画像面からの各xy位置における前記差分係数値のための画像ポイントを、各係数のための軸を有する散布図へプロットし、
そのような散布図の画像ポイントを、興味のある画像ポイント、有害な画像ポイント、またはバックグラウンド画像ポイントからなる欠陥のクラスタへクラスタ化することによって、前記差分係数画像面が分析されることを特徴とする方法。 - 請求項7に記載の方法であって、
前記差分係数画像面からの各xy位置のための前記差分係数値のための画像ポイントを、単位球体へ投影し、
そのような投影された画像ポイントを、興味のある画像ポイント、有害な画像ポイント、またはバックグラウンド画像ポイントからなる欠陥のクラスタへクラスタ化することによって、前記差分係数画像面が分析されることを特徴とする方法。 - 請求項7に記載の方法であって、前記差分係数画像面は、
各焦点面においてターゲットおよび基準から収集された強度データセットから複数の差分画像を生成することと、
異なる複数の焦点にわたって融合された画像を形成するために、前記差分画像を結合することと、
欠陥検出のために、前記融合された画像を分析することと、
により分析されることを特徴とする方法。 - 請求項7に記載の方法であって、
複数の異なるセグメントを形成するように、類似の値を持つ係数をともにグループ化することであって、ここで、各セグメントは、実際のデバイス構造の別の部分に対応する、グループ化することと、
どのタイプの実際のデバイスが、前記異なるセグメントに対応しているのかに基づいて、前記異なるセグメントを分析することと、をさらに備えることを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法であって、強度データセットの第2のターゲットセットと、強度データセットの第2の基準セットにおける各xy位置の焦点設定変化の関数として、強度の差分を分析することをさらに備えることを特徴とする方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記焦点設定は、焦点設定のペアから構成され、前記焦点設定の各ペアは、検査システムの焦点の深さの1/3または1/2であるステップ値によって分離される、ことを特徴とする方法。
- 半導体サンプルを検査するための検査システムであって、
入射ビームを生成するための照明源と、
複数の焦点設定において、前記入射ビームを半導体サンプルへ向けるための照明光学系と、
前記入射ビームに応じて、前記サンプルの複数のxy位置の各々から、複数の焦点設定における強度データセットを収集するためのセンサと、
以下の動作を実行するように構成されたコントローラであって、前記動作は、
焦点設定の関数として、前記xy位置毎の強度データセットから、複数の係数を有する多項式を抽出することと、
前記複数のxy位置のための、前記係数の値のセットの各々を、対応する係数画像面を用いて表すことで複数の係数画像面を形成することと、
前記サンプルにおける欠陥を検出するために、前記係数画像面のターゲットセットおよび前記係数画像面の基準セットとの比較に基づいた複数の差分係数画像面を分析することとである、コントローラと、を備えることを特徴とする検査システム。 - 請求項14に記載の検査システムであって、1つまたは複数のスワースの次のセットの前に、1つまたは複数のスワースの第1のセットから、前記複数の焦点設定において、強度データが収集され、前記第1のセットにおいて実際の焦点位置に影響を与える所定の熱膨張時間未満に複数のスワースが選択され、そこから前記強度データが収集されることを特徴とする検査システム。
- 請求項15に記載の検査システムであって、前記複数のスワースは、第1および第2のスワースを備えることを特徴とする検査システム。
- 請求項16に記載の検査システムであって、前記コントローラはさらに、
リアルタイムのxyエンコーダ位置データを、前記センサから収集し、
前記xy位置の収集された強度データセットの各々のために、前記多項式を抽出する前に、各焦点設定から収集された前記強度データを、前記収集されたリアルタイムのxy位置データに基づいて整列する、ように構成されたことを特徴とする検査システム。 - 請求項15に記載の検査システムであって、さらに、
前記サンプルを受け取るステージと、
前記サンプルのエンコーダ位置データを保持するエンコーダバッファと、
システムメモリと、
を備え、前記コントローラはさらに、
前記複数の焦点設定のうちの第1の焦点設定において、前記複数のスワースのうちの第1のスワースから強度データを収集する前に、xyエンコーダ位置データの前記エンコーダバッファへの記録を開始し、
前記第1の焦点設定において、前記複数のスワースのうちの第2のスワースから強度データを収集するためのセットアップへ前記検査システムのステージを反転している間、前記整列動作における使用のために、前記エンコーダバッファからの前記xyエンコーダ位置データを、前記システムメモリへコピーし、その後、前記第2のスワースから強度データを収集する前に、xyエンコーダ位置データの前記エンコーダバッファへの記録を開始し、
前記第2のスワースから強度データを収集した後、前記複数の焦点設定のうちの第2の焦点設定において、前記第1のスワースから強度データを収集するためのセットアップへ前記検査システムのステージを反転している間、前記整列動作における使用のために、前記エンコーダバッファからの前記xyエンコーダ位置データを、前記システムメモリへコピーし、その後、前記第2の焦点設定において、前記第1のスワースから強度データを収集する前に、xyエンコーダ位置データの前記エンコーダバッファへの記録を開始し、
前記複数の焦点設定の各々において、後続するスワースのペアのための記録を開始することとコピーすることとの動作を繰り返す、ように構成されたことを特徴とする検査システム。 - 請求項14に記載の検査システムであって、
前記基準セットの各々から前記ターゲットセットの各々を減算することによって、各係数について、複数の差分係数値を有する前記複数の差分係数画像面を計算することを特徴とする検査システム。 - 請求項19に記載の検査システムであって、前記差分係数画像面の分析は、
各焦点面においてターゲットおよび基準から収集された強度データセットから複数の差分画像を生成し、
異なる複数の焦点にわたって融合された画像を形成するために、前記差分画像を結合し、
欠陥検出のために、前記融合された画像を分析する
ことで実行されることを特徴とする検査システム。 - 請求項19に記載の検査システムであって、
差分係数画像面からの各xy位置における差分係数値のための画像ポイントを、各係数のための軸を有する散布図へプロットし、
そのような散布図の画像ポイントを、興味のある画像ポイント、有害な画像ポイント、またはバックグラウンド画像ポイントからなる欠陥のクラスタへクラスタ化することによって、前記差分係数画像面が分析される、ことを特徴とする検査システム。 - 請求項19に記載の検査システムであって、前記差分係数画像面からの各xy位置のための前記差分係数値のための画像ポイントを、単位球体へ投影し、そのような投影された画像ポイントを、興味のある画像ポイント、有害な画像ポイント、またはバックグラウンド画像ポイントからなる欠陥のクラスタへクラスタ化することによって、前記差分係数画像面が分析されることを特徴とする検査システム。
- 請求項19に記載の検査システムであって、前記コントローラはさらに、
複数の異なるセグメントを形成するように、類似の値を持つ係数をともにグループ化することであって、ここで、各セグメントは、実際のデバイス構造の別の部分に対応する、グループ化し、
どのタイプの実際のデバイスが、前記異なるセグメントに対応しているのかに基づいて、前記異なるセグメントを分析するように構成されたことを特徴とする検査システム。 - 請求項14に記載の検査システムであって、前記コントローラはさらに、
強度データセットの第2のターゲットセットと、強度データセットの第2の基準セットにおける各xy位置の焦点設定変化の関数として、強度の差分を分析するように構成されたことを特徴とする検査システム。
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Families Citing this family (16)
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US9916965B2 (en) | 2015-12-31 | 2018-03-13 | Kla-Tencor Corp. | Hybrid inspectors |
US10887580B2 (en) | 2016-10-07 | 2021-01-05 | Kla-Tencor Corporation | Three-dimensional imaging for semiconductor wafer inspection |
US11047806B2 (en) | 2016-11-30 | 2021-06-29 | Kla-Tencor Corporation | Defect discovery and recipe optimization for inspection of three-dimensional semiconductor structures |
KR102429614B1 (ko) * | 2017-06-08 | 2022-08-04 | 삼성전자주식회사 | 테스트 시스템, 테스트 방법 및 이들을 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
US10957033B2 (en) * | 2017-07-10 | 2021-03-23 | Kla-Tencor Corporation | Repeater defect detection |
US11222799B2 (en) * | 2017-10-18 | 2022-01-11 | Kla Corporation | Swath selection for semiconductor inspection |
US10599951B2 (en) | 2018-03-28 | 2020-03-24 | Kla-Tencor Corp. | Training a neural network for defect detection in low resolution images |
KR20230141951A (ko) * | 2018-06-04 | 2023-10-10 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 패터닝 공정을 위한 공정 모델을 개선하는 방법 |
US10846845B2 (en) * | 2018-07-25 | 2020-11-24 | Fei Company | Training an artificial neural network using simulated specimen images |
US10957035B2 (en) * | 2018-11-30 | 2021-03-23 | Kla Corporation | Defect classification by fitting optical signals to a point-spread function |
US11379967B2 (en) * | 2019-01-18 | 2022-07-05 | Kla Corporation | Methods and systems for inspection of semiconductor structures with automatically generated defect features |
KR102418198B1 (ko) * | 2019-05-15 | 2022-07-07 | 전상구 | 기판 상의 패턴을 측정하는 시스템들 및 방법들 |
TWI808435B (zh) * | 2019-06-17 | 2023-07-11 | 邦睿生技股份有限公司 | 複數視角分析的自動測試裝置 |
JP7451227B2 (ja) * | 2020-02-28 | 2024-03-18 | 日東電工株式会社 | 光透過性積層体の検査方法 |
CN112881419B (zh) * | 2021-05-06 | 2024-01-30 | 高视科技(苏州)股份有限公司 | 芯片检测方法、电子设备及存储介质 |
JP2023031371A (ja) * | 2021-08-25 | 2023-03-09 | 日東電工株式会社 | 光透過性積層体の検査方法および検査装置 |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4818110A (en) * | 1986-05-06 | 1989-04-04 | Kla Instruments Corporation | Method and apparatus of using a two beam interference microscope for inspection of integrated circuits and the like |
JPH04142055A (ja) * | 1990-10-01 | 1992-05-15 | Nec Yamagata Ltd | 半導体ウェーハの外観検査装置 |
US5438413A (en) * | 1993-03-03 | 1995-08-01 | Kla Instruments Corporation | Process for measuring overlay misregistration during semiconductor wafer fabrication |
EP1190372A1 (en) | 1999-06-01 | 2002-03-27 | Greenvision Systems Ltd | Method for in-situ focus-fusion multi-layer spectral imaging and analysis of particulate samples |
US7170075B2 (en) | 2002-07-18 | 2007-01-30 | Rudolph Technologies, Inc. | Inspection tool with a 3D point sensor to develop a focus map |
JP2004198199A (ja) * | 2002-12-17 | 2004-07-15 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査装置 |
US7302360B2 (en) | 2003-10-24 | 2007-11-27 | Ade Corporation | Defect size projection |
US7551272B2 (en) | 2005-11-09 | 2009-06-23 | Aceris 3D Inspection Inc. | Method and an apparatus for simultaneous 2D and 3D optical inspection and acquisition of optical inspection data of an object |
JP4723362B2 (ja) | 2005-11-29 | 2011-07-13 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 光学式検査装置及びその方法 |
US7659973B2 (en) | 2006-05-26 | 2010-02-09 | Applied Materials Southeast Asia, Pte Ltd. | Wafer inspection using short-pulsed continuous broadband illumination |
JP4928862B2 (ja) * | 2006-08-04 | 2012-05-09 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法及びその装置 |
US7904845B2 (en) | 2006-12-06 | 2011-03-08 | Kla-Tencor Corp. | Determining locations on a wafer to be reviewed during defect review |
US8073240B2 (en) | 2007-05-07 | 2011-12-06 | Kla-Tencor Corp. | Computer-implemented methods, computer-readable media, and systems for identifying one or more optical modes of an inspection system as candidates for use in inspection of a layer of a wafer |
JP5178079B2 (ja) * | 2007-07-23 | 2013-04-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法およびその装置 |
JP2009288162A (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 3次元測定装置 |
JP6185693B2 (ja) | 2008-06-11 | 2017-08-23 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーションKla−Tencor Corporation | ウェーハー上の設計欠陥および工程欠陥の検出、ウェーハー上の欠陥の精査、設計内の1つ以上の特徴を工程監視特徴として使用するための選択、またはそのいくつかの組み合わせのためのシステムおよび方法 |
JP2010097419A (ja) * | 2008-10-16 | 2010-04-30 | Toshiba Plant Systems & Services Corp | 三次元データ処理装置、三次元データ処理プログラム、および三次元データ処理方法 |
SG163442A1 (en) * | 2009-01-13 | 2010-08-30 | Semiconductor Technologies & Instruments | System and method for inspecting a wafer |
SG164293A1 (en) * | 2009-01-13 | 2010-09-29 | Semiconductor Technologies & Instruments Pte | System and method for inspecting a wafer |
US8605275B2 (en) | 2009-01-26 | 2013-12-10 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer |
EP2394295A2 (en) | 2009-02-06 | 2011-12-14 | KLA-Tencor Corporation | Selecting one or more parameters for inspection of a wafer |
DE102010025033B4 (de) | 2010-06-23 | 2021-02-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Defekterkennung und Reparatur von EUV-Masken |
US8810646B2 (en) | 2010-10-12 | 2014-08-19 | Kla-Tencor Corporation | Focus offset contamination inspection |
KR101158323B1 (ko) | 2010-10-14 | 2012-06-26 | 주식회사 고영테크놀러지 | 기판 검사방법 |
WO2012091494A2 (ko) * | 2010-12-29 | 2012-07-05 | 주식회사 고영테크놀러지 | 기판 검사방법 |
US20120316855A1 (en) | 2011-06-08 | 2012-12-13 | Kla-Tencor Corporation | Using Three-Dimensional Representations for Defect-Related Applications |
US9595091B2 (en) * | 2012-04-19 | 2017-03-14 | Applied Materials Israel, Ltd. | Defect classification using topographical attributes |
US9454072B2 (en) | 2012-11-09 | 2016-09-27 | Kla-Tencor Corporation | Method and system for providing a target design displaying high sensitivity to scanner focus change |
US9390494B2 (en) | 2012-12-13 | 2016-07-12 | Kla-Tencor Corporation | Delta die intensity map measurement |
US9176074B2 (en) * | 2013-01-28 | 2015-11-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern inspection method and pattern inspection apparatus |
KR102019534B1 (ko) | 2013-02-01 | 2019-09-09 | 케이엘에이 코포레이션 | 결함 특유의, 다중 채널 정보를 이용한 웨이퍼 상의 결함 검출 |
US9091935B2 (en) | 2013-03-11 | 2015-07-28 | Kla-Tencor Corporation | Multistage extreme ultra-violet mask qualification |
-
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