JP6759992B2

JP6759992B2 - 電子制御装置の製造方法

Info

Publication number: JP6759992B2
Application number: JP2016218285A
Authority: JP
Inventors: 真一郎白石; 光宏杉浦; 知里小澤
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2016-11-08
Filing date: 2016-11-08
Publication date: 2020-09-23
Anticipated expiration: 2036-11-08
Also published as: US10814418B2; JP2018075595A; US20180126474A1

Description

本発明は、処理対象に対してはんだ処理を行なうはんだ処理装置を用いた電子制御装置の製造方法に関する。

従来、はんだ処理装置が知られている。特許文献１に開示のはんだ処理装置は、処理対象に対してはんだ処理を行なう鏝先端部を有する鏝部と、鏝部を加熱する第１のヒータ部とを備えている。

さらに、特許文献１の装置は、鏝部の清掃に用いられる第２のヒータ部を備えている。清掃の際、第１のヒータによる余熱を利用して、又は第１のヒータ部と共に、第２のヒータ部が鏝先端部を４５０℃以上に加熱することで、鏝先端部への付着物が除去される。また、加熱終了後、エアーブローを実行することにより、残存する付着物が強制除去される。

特開２０１５−２２１４４９号公報

このように、特許文献１は、鏝部の清掃の際、２つのヒータ部を用いて燃焼時間を短縮するものであるが、２つのヒータ部により適切に加熱をコントロールするのは困難であり、過昇温となった場合の熱によるダメージが例えば装置へ及ぶことが懸念される。また、付着物が完全燃焼せずに残存することがある。このように、装置への熱ダメージを抑制しつつ、鏝部の付着物を効率的に除去することは困難であった。

本発明は、以上説明した問題に鑑みてなされたものであって、その目的は、熱ダメージを抑制しつつ、鏝部の付着物を効率的に除去可能な電子制御装置の製造方法を提供することにある。

開示される発明のひとつは、処理対象に対してはんだ処理を行なう鏝先端部（１２）を有する鏝部（１０）と、鏝部を加熱するヒータ部（２０）と、鏝部に助燃性ガスを供給可能に設けられたガス供給部（３０）と、を備えるはんだ処理装置（１００）を用いて、電子部品（３）が実装された回路基板（２）を備える電子制御装置を、製造する方法であって、
はんだが供給されると共にヒータ部により加熱された鏝先端部により、処理対象としての回路基板にはんだ処理を行なうはんだ処理工程（Ｓ１１）と、
回路基板に対するはんだ処理を停止しているときに、ヒータ部により鏝部を加熱するとともにガス供給部により助燃性ガスを供給することにより、鏝部を清掃する鏝部清掃工程（Ｓ１３）と、を含む。

このような発明によると、回路基板に対するはんだ処理を停止しているときに、ヒータ部により鏝部を加熱し、ガス供給部により助燃性ガスを供給することにより、鏝部が清掃される。この清掃にて、当該助燃性ガスが鏝部の付着物の燃焼を促進するため、付着物を容易に燃焼させることができる。このため、過度な加熱による熱ダメージを抑制し、燃焼時間を短縮することができる。そして、付着物の不完全燃焼が抑制されることで、付着物が残存し難くなる。付着物の影響を抑制してはんだ処理を行なうことができるので、電子制御装置の品質を高めることができる。

はんだ処理装置の構成を示す模式図である。図１のはんだ処理装置の回路基板へのはんだ付けを説明する模式図である。図１のはんだ処理装置の鏝部の清掃を説明する模式図である。はんだ処理装置の制御部等を説明するためのブロック図である。図１のはんだ処理装置の鏝部の清掃場所への移動を説明する模式図である。はんだ処理工程と鏝部清掃工程との関係を説明するフローチャートである。図６の鏝部清掃工程を詳細に説明するフローチャートである。燃焼時間と付着物残留量との関係を示すグラフである。燃焼時間と付着物残留量との関係を示すグラフである。変形例１におけるはんだ処理装置の構成を示す模式図である。変形例２における先端カバーを示す模式図である。

以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。

図１に示すはんだ処理装置１００は、処理対象としての回路基板２に、はんだ処理として、はんだ付けを行なう装置である。図２に示すように、回路基板２は、当該はんだ付けにより電子部品３が実装され、各種装置を制御するための電子制御装置１に備えられるものである。

はんだ処理装置１００は、鏝部１０、ヒータ部２０、ガス供給部３０、先端カバー４０、及び制御部５０を備えている。また、ガス供給部３０及び先端カバー４０を主体として、清掃ユニット２９が構成され、鏝部１０を清掃することが可能となっている。

鏝部１０は、例えばセラミックスないしは金属等の高い熱伝導率を有する材料により、形成されている。鏝部１０は、回路基板２に対してはんだ付けを行なう鏝先端部１２を有すると共に、供給経路１６を有する円筒状に形成されている。供給経路１６は、鏝部１０の中心を、鏝先端部１２側から当該鏝先端部１２とは反対の鏝基端部１４側まで貫通する円筒穴状に形成されている。供給経路１６において鏝先端部１２側では、当該供給経路１６の内径が他の箇所に対して小さく絞られている。

供給経路１６よりも鏝基端部１４側には、糸はんだと、糸はんだを所定の長さに切断するカッターが設けられており、切断された糸はんだ片が鏝基端部１４側から供給経路１６内に落下する。ヒータ部２０の作用により、供給経路１６内で糸はんだ片が溶融し、溶融したはんだが鏝先端部１２側から供給経路１６外に流出する。こうして供給経路１６は、鏝基端部１４側から鏝先端部１２側へはんだを供給可能となっている。

ヒータ部２０は、ヒータブロック２２及び電熱ヒータ２４を有している。ヒータブロック２２は、鏝部１０の鏝基端部１４側の外周を囲むように円筒状に設けられ、電熱ヒータ２４を保持している。電熱ヒータ２４は、ヒータブロック２２の外周に電熱線を巻きつけることにより鏝部１０を加熱可能に形成されている。電熱ヒータ２４は、鏝部１０の温度を検出する温度センサと連動して、その出力を制御されることにより、鏝部１０が所定の温度にコントロールされる。ヒータ部２０により鏝部１０が加熱されることにより、前述のように糸はんだ片が溶融されるのである。鏝部１０の温度は、状況に応じて４００〜５５０°Ｃ程度に管理される。

こうした鏝部１０及びヒータ部２０は、一体的に設けられており、可動機構７０（図４も参照）により、回路基板２のはんだ付け箇所に合わせて移動可能となっている。

ガス供給部３０は、ガス分離部３２及びガス切替部３４とを有している。ガス分離部３２は、空気を、当該空気よりも窒素濃度が高い窒素ガスと、当該空気よりも酸素濃度が高い富酸素ガスとに、分離するガス分離膜３２ａを主体として構成されている。ガス分離部３２は、空気入口３２ｂ、窒素ガス出口３２ｃ、及び富酸素ガス出口３２ｄを有している。空気入口３２ｂは、例えば工場内に設置されている圧縮空気供給装置５とチューブを介して接続されており、圧縮空気をガス分離膜３２ａに取り込む。取り込まれた圧縮空気の一部がガス分離膜３２ａを透過することにより、窒素濃度が透過前の空気よりも高くなることで、窒素ガス出口３２ｃから窒素ガスが発生する。また、窒素ガスが抽出される結果、取り込まれた圧縮空気の他部が相対的に酸素濃度が高くなることで、富酸素ガス出口３２ｄから富酸素ガスが発生する。

ガス切替部３４は、鏝部１０に供給するガスを、窒素ガスと富酸素ガスとの間で切り替える切替バルブ３４ａを主体として構成されている。ガス切替部３４は、窒素ガス入口３４ｃ、富酸素ガス入口３４ｄ、及び供給ガス出口３４ｅを有している。ガス供給部３０の窒素ガス出口３２ｃがガス切替部３４の窒素ガス入口３４ｃとチューブを介して接続されていると共に、ガス供給部３０の富酸素ガス出口３２ｄがガス切替部３４の富酸素ガス入口３４ｄとチューブを介して接続されている。ガス切替部３４は、窒素ガス及び富酸素ガスの一方を供給ガス出口３４ｅからチューブ等を介して鏝部１０に供給可能となっている。

鏝部１０に供給される窒素ガス及び富酸素ガスの一方は、鏝基端部１４側から鏝先端部１２側へ供給経路１６を通過するようになっている。窒素ガスは、回路基板２へのはんだ付けの際に使用され、富酸素ガスは、鏝部１０の清掃の際に使用される。

先端カバー４０は、図３に示すように、鏝部１０よりも熱伝導率が低い材料（例えばセラミックス）により形成され、鏝部１０の可動範囲内に設置されている。以下、この先端カバー４０の設置場所を清掃場所と呼ぶこととする。先端カバー４０は、有底のカバー円筒穴４２を有しており、富酸素ガスが供給されるとき、すなわち鏝部１０の清掃の際に、鏝部１０が移動することによって鏝先端部１２が当該カバー円筒穴４２に挿入されると、鏝先端部１２に対して隙間を設けつつ、当該鏝先端部１２を被覆するようになっている。具体的に、先端カバー４０の被覆状態において、互いに対向する鏝先端部１２とカバー円筒穴４２の底部４４との間に対向空間４８が形成されつつ、鏝先端部１２とカバー円筒穴４２の側壁４６との間に先端カバー４０の外部と連通する連通空間４９が形成される。なお、鏝先端部１２と側壁４６との間隔は、鏝先端部１２と底部４４との間隔よりも小さく設定されているが、同じ間隔に設定されていてもよい。

図４に示す制御部５０は、プロセッサ、メモリ、及び入出力端子等が基板上に実装された電子回路を主体として構成されている。プロセッサがメモリに記憶されているコンピュータプログラムを実行することにより、各種処理を実行可能となっている。また、操作者が操作パネル６０をマニュアル操作することにより、制御部５０を介してはんだ処理装置１００を手動制御することも可能となっている。

制御部５０は、このような電子回路により構築されている機能ブロックとして、はんだ処理制御部５２及び清掃制御部５４を有している。

はんだ処理制御部５２は、図１にも示すように、鏝部１０の可動範囲内にセットされた回路基板２にはんだ付けを行なう。より詳細に、はんだ処理制御部５２は、電子部品３の配置に応じた所定場所に鏝部１０を移動させ、電子部品３のリード線等の端子部分に、鏝先端部１２からはんだを供給する。これにより、電子部品３が回路基板２に確実に保持されると共に、端子部分が回路基板２の配線パターンと電気的に接続される。このとき、ヒータ部２０は、例えば鏝部が４５０°Ｃ程度になるように当該鏝部１０を加熱する。

また、はんだ処理制御部５２は、はんだ付けの際に、鏝部１０に窒素ガスを供給するようにガス供給部３０を制御する。すなわち、ガス切替部３４が供給するガスとして窒素ガスが選択される。

はんだ付けを繰り返し行なうと、鏝先端部１２及び供給経路１６の内壁１６ａに、付着物が次第に付着していく。こうした付着物の主な成分は、はんだに含まれ、粘着性を有するフラックスである。こうした付着物が多くなると、供給経路１６を通じて供給されるはんだが付着物に引っ掛かり、はんだ付け不良が生じることが懸念される。

このようなはんだ付け不良を回避するために、鏝部１０を清掃してやればよい。特に本実施形態において設けられた清掃制御部５４は、回路基板２に対するはんだ付けを停止しているときに、図３，５にも示すように、鏝部１０の可動範囲のうち、回路基板２がセットされない範囲に鏝部１０を移動させ、当該鏝部１０を清掃する。より具体的には、鏝部１０は先端カバー４０が設置された清掃場所に移動される。そして、清掃制御部５４により、鏝部１０を加熱するようにヒータ部２０が制御される。このとき、ヒータ部２０は、はんだ付け中よりも鏝部１０を昇温させる。例えば鏝部１０が５５０°Ｃ程度になるように当該鏝部１０が加熱される。

こうした加熱と共に、清掃制御部５４は鏝部１０に富酸素ガスを供給するようにガス供給部を制御する。すなわち、ガス切替部３４が供給するガスとして富酸素ガスが選択される。富酸素ガスは、鏝部１０への付着物の燃焼を助ける助燃性ガスとして機能し、当該付着物が燃焼することとなる。

清掃制御部５４は、予め設定された燃焼時間の経過後、ヒータ部２０による加熱を規制することで、鏝部１０をはんだ付け時の温度に戻すと共に、富酸素ガスの供給を停止するようにガス供給部３０を制御する。その後、鏝部１０は、はんだ付けを再開する。

以上説明したはんだ処理装置１００を用いた電子制御装置１の製造方法について、特にはんだ付けに関する内容を中心に、図６のフローチャートに沿って説明する。

はんだ処理工程Ｓ１１では、上述のはんだ処理制御部５２による制御に従って、はんだが供給されると共にヒータ部２０に加熱された鏝先端部１２により、はんだ付けが行なわれる。１枚の回路基板２のはんだ付けが終了すると、他の回路基板２に対して同様のはんだ処理工程Ｓ１１が実施される。

鏝部清掃工程Ｓ１３は、回路基板２に対するはんだ付けを停止しているときに、すなわち、はんだ処理工程Ｓ１１の合間に行なわれる。この鏝部清掃工程Ｓ１３は、はんだ処理工程Ｓ１１の１回毎に実施される必要はない。鏝部清掃工程Ｓ１３は、例えば操作者のマニュアル操作により、日に数回実施されるようにしてもよく、また例えば実施条件が成立すると、自動で実施されるようにしてもよい（ステップＳ１２参照）。実施条件としては、例えば前回の清掃から所定回数以上のはんだ付けを実施したこと等が挙げられる。

鏝部清掃工程Ｓ１３では、上述の清掃制御部５４による制御に従って、ヒータ部２０により鏝部１０が加熱され、ガス供給部３０により富酸素ガスが供給されることにより、鏝部１０が清掃される。清掃後、必要に応じてはんだ処理工程Ｓ１１が再開される（ステップＳ１４参照）。

ここで、鏝部清掃工程Ｓ１３に関して、図７のフローチャートに沿って改めて詳細に説明する。

最初に、ステップＳ１０１では、鏝部１０を清掃場所へ移動する。ステップＳ１０１の後、ステップＳ１０２へ移る。

ステップＳ１０２では、ヒータ部２０のヒータ温度の上昇を開始する。これに伴って鏝部１０が加熱及び昇温される。ステップＳ１０２の後、ステップＳ１０３へ移る。

ステップＳ１０３では、鏝部１０が燃焼開始温度（例えば５５０°Ｃ）に到達したか否かを判定する。ステップＳ１０３にて否定判定が下されると、引き続き鏝部１０が加熱及び昇温され、再びステップＳ１０３の判定が行われる。ステップＳ１０３にて肯定判定が下されると、ステップＳ１０４へ移る。

ステップＳ１０４では、富酸素ガスの鏝部１０への供給が開始される。ステップＳ１０４にて供給が開始されると、ステップＳ１０５では、燃焼時間の設定タイマの動作を開始する。ステップＳ１０５の後、ステップＳ１０６へ移る。

ステップＳ１０６では、設定タイマを参照して、予め設定されていた燃焼時間が完了したか否かを判定する。ステップＳ１０６にて否定判定が下されると、所定時間経過後に再びステップＳ１０６の判定が行われる。ステップＳ１０６にて肯定判定が下されると、ステップＳ１０７へ移る。

ステップＳ１０７では、ヒータ部２０のヒータ温度の下降を開始する。これに伴って鏝部１０が降温される。ステップＳ１０７の後、ステップＳ１０８へ移る。

ステップＳ１０８では、富酸素ガスの供給を停止する。ステップＳ１０８の後、ステップＳ１０９へ移る。

ステップＳ１０９では、鏝部１０を、はんだ付けを再開するための定位置に戻す。以上により、一連の処理を終了する。

次に、鏝部１０への付着物を富酸素ガスを用いて燃焼させる場合の、燃焼時間と付着物残留量との関係について、発明者らの実験により得られた知見を図８，９のグラフを用いて説明する。燃焼時間の経過に従って付着物残留量は減少するが、図８に示すように、富酸素ガスの酸素濃度を２０％、３０％、４０％と変えると、酸素濃度４０％の場合が最も付着物残留量の減少が早いことがわかる。すなわち、酸素濃度が高い方が燃焼時間を短く設定できる。

また、図９に示すように、富酸素ガスの流量を０．５Ｌ／ｍｉｎ、２Ｌ／ｍｉｎ、５Ｌ／ｍｉｎと変えると、流量が０．５Ｌ／ｍｉｎの場合が最も付着物残留量の減少が早いことがわかる。すなわち、富酸素ガスの流量を多くし過ぎると、鏝部１０が冷却されてしまうため、付着物の燃焼が十分に促進されない。

したがって、富酸素ガスの濃度、供給量及び加熱温度等を適切に設定することが重要である。

（作用効果）
以上説明した本実施形態の作用効果を以下に説明する。

本実施形態のはんだ処理装置によると、ガス供給部３０により、助燃性ガスとしての富酸素ガスが鏝部１０に供給可能となっている。例えば鏝部１０の清掃にて、鏝部１０が加熱されると共に、富酸素ガスが供給されることで、当該富酸素ガスが鏝部１０の付着物の燃焼を促進するため、付着物を容易に燃焼させることができる。このため、過度な加熱による熱ダメージを抑制し、燃焼時間を短縮することができる。そして、付着物の不完全燃焼が抑制されることで、付着物が残存し難くなる。こうして、鏝部１０の付着物を効率的に除去可能なはんだ処理装置１００を提供することができる。

また、本実施形態によると、回路基板２に対してはんだ付けを行なう際には、ガス切替部３４により、供給するガスを窒素ガスに切り替えることで、はんだの酸化は抑制可能となる。一方、鏝部１０の清掃の際には、供給するガスを富酸素ガスに切り替えることで、鏝部１０の付着物の燃焼は促進可能となる。こうした窒素ガスと富酸素ガスとは、ガス分離部３２が空気を分離することで、効率的に供給される。したがって、鏝部１０の付着物を効率的に除去可能なはんだ処理装置を容易に提供することができる。

また、本実施形態によると、富酸素ガスは、鏝基端部１４側から鏝先端部１２へ供給経路１６を通過させるように、供給される。はんだの供給経路１６を利用して富酸素ガスが供給されるので、供給経路１６の内壁１６ａへの付着物を容易に燃焼させることができる。これと共に、鏝先端部１２まで確実に助燃性ガスが供給されるので、鏝先端部１２への付着物を容易に燃焼させることができる。

また、本実施形態によると、富酸素ガスが供給されるときに、先端カバー４０が鏝先端部１２を被覆するので、供給経路１６から鏝先端部１２に到達した富酸素ガスが一時的に滞留することで、鏝先端部１２を富酸素雰囲気にして、鏝先端部１２への付着物の燃焼を促進する。そして、先端カバー４０は、鏝先端部１２に対して隙間を設けつつ被覆するので、燃焼に用いられたガスが先端カバー４０の外へ排出されるため、燃焼に用いられた富酸素ガスの滞留を抑制しつつ、富酸素ガスの持続的な供給が可能となる。

また、本実施形態によると、先端カバー４０のカバー円筒穴４２は、その底部４４と鏝先端部１２との間に対向空間４８を形成し、その側壁４６と鏝先端部１２との間に当該先端カバー４０の外部と連通する連通空間４９を形成している。対向空間４８に富酸素ガスが一時的に留まることにより、最も付着物が付着し易い鏝先端部１２にて燃焼が促進されると共に、連通空間４９により燃焼に用いられた富酸素ガスを速やかに外部へ排出可能となる。

また、本実施形態によると、鏝部１０の熱伝導率が比較的高いので、ヒータ部２０の熱が鏝先端部１２まで良好に伝導されると共に、先端カバー４０の熱伝導率が比較的低いので、鏝先端部１２の熱が放出され難くなる。したがって、効率的に鏝部１０を加熱することが可能となる。

また、本実施形態によると、清掃制御部５４が、回路基板２に対するはんだ付けを停止しているときに、鏝部１０の清掃として、鏝部１０を加熱するようにヒータ部２０を制御すると共に、鏝部１０に富酸素ガスを供給するようにガス供給部３０を制御する。このような制御によって、鏝部１０を加熱すると共に、富酸素ガスが供給されるので、鏝部１０の付着物を効率的に除去することができる。

また、本実施形態の清掃ユニット２９によると、ガス供給部３０により、富酸素ガスが鏝部１０に供給可能となっている。例えば鏝部１０の清掃にて、鏝部１０が加熱されると共に、富酸素ガスが供給されることで、当該富酸素ガスが鏝部１０の付着物の燃焼を促進するため、付着物を容易に燃焼させることができる。このため、過度な加熱による熱ダメージを抑制し、燃焼時間を短縮することができる。そして、付着物の不完全燃焼が抑制されることで、付着物が残存し難くなる。こうして、鏝部１０の付着物を効率的に除去可能となる。

また清掃ユニット２９によると、回路基板２に対してはんだ付けを行なう際には、ガス切替部３４により、供給するガスを窒素ガスに切り替えることで、はんだの酸化は抑制可能となる。一方、鏝部１０の清掃の際には、供給するガスを富酸素ガスに切り替えることで、鏝部１０の付着物の燃焼は促進可能となる。こうした窒素ガスと富酸素ガスとは、ガス分離部３２が空気を分離することで、効率的に供給される。したがって、鏝部１０の付着物を効率的に除去可能となる。

また、本実施形態の電子制御装置の製造方法によると、回路基板２に対するはんだ付けを停止しているときに、ヒータ部２０により鏝部１０を加熱し、ガス供給部３０により富酸素ガスを供給することにより、鏝部１０が清掃される。この清掃にて、当該富酸素ガスが鏝部１０の付着物の燃焼を促進するため、付着物を容易に燃焼させることができる。このため、過度な加熱による熱ダメージを抑制し、燃焼時間を短縮することができる。そして、付着物の不完全燃焼が抑制されることで、付着物が残存し難くなる。付着物の影響を抑制してはんだ付けを行なうことができるので、電子制御装置１の品質を高めることができる。

（他の実施形態）
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、当該実施形態に限定して解釈されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の実施形態に適用することができる。

具体的に、変形例１としては、図１０に示すように、ガス供給部３０は、窒素ガスが充填されたボンベ３６と、富酸素ガスが充填されたボンベ３７を有し、ガス切替部３４は、鏝部１０に供給するガスを、各ボンベ３６，３７からの窒素ガスと富酸素ガスとの間で切り替えるようにしてもよい。

変形例２としては、図１１に示すように、先端カバー４０に追加して、鏝部２０の外周と隙間を設けた状態で、当該鏝部２０を外周側から囲む円筒状の外周カバー８０が設けられていてもよい。外周カバー８０は、ヒータ部２０と干渉しないように、鏝部２０のうち外周がヒータ部２０から露出するスリーブ部分に設けられる。そして、先端カバー４０の側壁４６は、外周カバー８０のうち一部分を外周側から隙間を設けた状態で囲んでいる。これにより、鏝部２０と外周カバー８０との間に空間８１が形成され、外周カバー８０と先端カバー４０の側壁４６との間に空間８２が形成される。

さらに鏝部のスリーブ部分には、当該スリーブ部分を径方向に貫通することにより、供給通路から外周に分岐する貫通穴１８が設けられている。これによれば、供給通路１６を通過する富酸素ガスの一部が、貫通穴１８から空間８１に分岐して、対向空間４８を通じて空間８２から先端カバー４０及び外周カバー８０の外へ排出される。したがって、空間８１も富酸素ガス雰囲気とすることができ、当該空間８１を通過する富酸素ガスにより、鏝部２０のスリーブ部分の外周の付着物の燃焼を促進させることができる。

変形例３としては、先端カバー４０が設けられていなくてもよい。

変形例４としては、助燃性ガスとして、富酸素ガス以外のガスが採用されてもよい。

変形例５としては、はんだ処理としては、はんだ付けの他、金属同士の接合が採用されてもよい。したがって、はんだ処理の処理対象は回路基板２に限られない。

変形例６としては、ヒータ部２０は、電熱線を巻き付けた構造に限られない。例えば、鏝部１０の外周を囲むように円筒状の加熱体を配置したセラミックスヒータが採用されてもよい。

１００はんだ処理装置、２回路基板（処理対象）、１０鏝部、１２鏝先端部、２０ヒータ部、３０ガス供給部

Claims

処理対象に対してはんだ処理を行なう鏝先端部（１２）を有する鏝部（１０）と、前記鏝部を加熱するヒータ部（２０）と、前記鏝部に助燃性ガスを供給可能に設けられたガス供給部（３０）と、を備えるはんだ処理装置（１００）を用いて、電子部品（３）が実装された回路基板（２）を備える電子制御装置を、製造する方法であって、
はんだが供給されると共に前記ヒータ部により加熱された前記鏝先端部により、前記処理対象としての前記回路基板にはんだ処理を行なうはんだ処理工程（Ｓ１１）と、
前記回路基板に対する前記はんだ処理を停止しているときに、前記ヒータ部により前記鏝部を加熱するとともに前記ガス供給部により助燃性ガスを供給することにより、前記鏝部を清掃する鏝部清掃工程（Ｓ１３）と、を含む電子制御装置の製造方法。