JP6759274B2 - 高周波動作のための光電子装置のマルチビームアレイ用マイクロレンズ - Google Patents
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Description
この国際出願は2013年5月24日に出願された米国特許出願13/902,555号の利益を主張するものであり、「Multibeam Arrays of Optoelectronic Devices for High Frequency Operation」と題され、2011年3月31日に出願された米国特許出願13/077,769号と、「Multibeam Arrays of Optoelectronic Devices for High Frequency Operation」と題され、2010年2月17日に出願された米国特許出願12/707,657号(今では米国特許7,949,024号)と、「Multibeam Arrays of Optoelectronic Devices for High Frequency Operation」と題され、2009年2月17日に出願された米国特許出願61/153,190号に関する。
例えば、高酸化
しかしながら、蒸着の他の方法も使用することができ、こうした場合には金属シード層は必要とされない。めっきについては、フォトリソグラフィプロセスを用いて、その前のシード層レジストで定められた開口部にわたって開口部を定義する。フォトレジストは蒸着が生じる領域で除去される。フォトレジストの厚さは、厚い金属が定められて一般に約4μm乃至約12μmの厚さに及んだ後に、フォトレジストが容易に取り除かれるように、選択されなければならない。水酸化アンモニウム(NH4OH)と組み合わせてO2または水を使用するプラズマ洗浄は、金のシード層に残されたレジストを取り除くために行われる。ヒートシンク(124)金属は次に標準的なめっき手順によってめっきされる。記載された実施形態では、銅(Cu)はその熱伝導特性によるめっきのための金属として選ばれたが、優れた熱伝導を提供するとともに装置の信頼性を損なわないインタフェースを提供する、Au、Pd、Ptなどの非酸化金属の方がより好ましいこともあり得る。めっきの厚さは変わる可能性がある。記載された実施形態では、約3μmの厚さが使用された。
モバイルの装置用途では、このことは非常に大きな問題である。アクティブスキャンまたはアラインメント調節を伴わない固定されたリンクは、非常に短い距離でも並べるのが困難となる。アラインメント許容誤差はビームスポットを大きくすることによって減少することもあるが、この手法は結果として電力消費量の増加によって制限されている。加えて、送受信機の機械的なアクティブスキャンはまたはトラッキングはあまりに量が多く手効果であるため、実施することを正当化することができないことが多い。
円(1610)は、オフセットしたサブグループ(1602と1604)の焦点(1614)の後ろで形成されるため、「錯乱円」と呼ばれる。錯乱円(1610)は、ビーム(1608)の拡大領域であり、ビーム(1608)の出力密度が特定の帯域幅を可能にするほどに十分な場合と相関する。ビーム(1608)が拡大するにつれて、錯乱円(1610)中の出力密度は減少し、高帯域幅を支持することができない点に達する。一実施形態では、ホログラフィック光素子などの光素子(1616)は、明るいスポットを減らし、かつビーム(1608)中のパワーをより均一に拡散するのに役立つビーム(1608)を均質化するために、ビーム(1608)の経路のどこかに位置付けられてもよい。一実施形態では、サブグループ(1602)と(1604)は、ビーム(1608)が光ルーターの基礎を形成するために検出器または検出器のグループにとりわけ向けられる。
Claims (14)
- 光学装置であって、
モノリシックレーザーアレイであって、第1の基板上に1つのパターンで配列された複数の垂直共振器面発光レーザー(VCSEL)装置を含むレーザーアレイ、
前記第1の基板に結合された第2の基板内に形成された複数のマイクロレンズであって、複数のマイクロレンズのなかの各マイクロレンズが対応するVCSEL装置の上に位置し、対応するVCSEL装置によって放射された光のビームをターゲットに方向づけるか、あるいはターゲットを照射するための光を平行化するまたは集めるために、レーザーアレイの外部の光学素子を必要とすることなく走査を行うための、マイクロレンズ、および、
レーザーアレイに動力を供給するためのドライバ回路を含み、
ドライバ回路はデータ通信のためにVCSELを変調するように動作可能であり、パターンがVCSEL装置の2つ以上のサブアレイを含み、2以上のサブアレイのうちの各サブアレイがドライバ回路によって動作されるために独立して動力を供給されるとともに調節され、および、
各サブアレイの対応するVCSEL装置用のマイクロレンズが、各サブアレイからの光のサブアレイビームをターゲットに向けるか、あるいは走査を行うためのグループとして、当該マイクロレンズのグループ毎に1つのサブアレイビームを合成するように位置付けられ、
複数のマイクロレンズのなかの1以上のマイクロレンズは、複数のマイクロレンズのなかの他のマイクロレンズとは異なる曲率半径を有し、光の各サブアレイビームは空間内の3次元容積の異なる部分に方向づけられ、ドライバ回路による2以上のサブアレイの動作により、光の各サブアレイビームは別々の間隔を置いて空間内で3次元容積を走査する、
光学装置。 - 各マイクロレンズは、光のビームをターゲット上に集中させるまたは分岐させる、あるいは走査を行うのに必要な、対応するVCSEL装置の軸からの距離だけオフセットされる、請求項1に記載の光学装置。
- 前記距離は、光のビームをターゲット上に集中させるまたは分岐させる、あるいは走査を行うのに必要な角度偏差に基づき設定される、請求項2に記載の光学装置。
- 2以上の電気接点を含むサブマウントをさらに備え、各電気接点はサブアレイに結合されており、および、ドライバ回路からサブアレイまで高データレート光信号を伝達するためにサブマウントに組み込まれたインピーダンス整合送電線を介してドライバ回路にサブアレイを接続する、請求項1に記載の光学装置。
- 各サブアレイまたはサブアレイの組み合わせはドライバ回路により連続して動作される、請求項1に記載の光学装置。
- 光の各サブアレイビームは空間内の線形領域の異なる部分に方向づけられ、ドライバ回路による2以上のサブアレイの動作により、光の各サブアレイビームは別々の間隔を置いて空間の線形領域を走査する、請求項1に記載の光学装置。
- 光の各サブアレイビームは空間内の2次元パターンの異なる部分に方向づけられ、ドライバ回路による2以上のサブアレイの動作により、光の各サブアレイビームは別々の間隔を置いて空間内で2次元パターンを走査する、請求項1に記載の光学装置。
- 光のサブアレイビームの複数は互いに共通点に方向づけられ、ドライバ回路による2以上のサブアレイの動作により、共通点で強度の異なる光のサブアレイビームの組み合わせが生じる、請求項1に記載の光学装置。
- 複数のマイクロレンズの1つ以上は、あるプロファイルを設定するように形成またはパターン化され、
当該プロファイルは、半球形、非球面、ホログラフィック、回折性、非点収差、及び偏光制御光学系のうちの何れかである、請求項1に記載の光学装置。 - 対応するVCSEL装置によって放射された光のビームの焦点はレーザーアレイの背後に位置する虚焦点である、請求項1に記載の光学装置。
- 虚焦点は別の光学システムのソースとして機能する、請求項10に記載の光学装置。
- ターゲットは2以上のターゲットを含み、1以上のVCSEL装置の第1のグループによって放射された光のビームは第1のターゲットに集められ、1以上のVCSEL装置の第2のグループによって放射された少なくとも光のビームは第2のターゲットに集められる、請求項1に記載の光学装置。
- 第1のターゲットと第2のターゲットは線を形成する、請求項12に記載の光学装置。
- 2以上のターゲットは幾何学的なパターンを形成する、請求項12に記載の光学装置。
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Families Citing this family (27)
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US9660418B2 (en) * | 2014-08-27 | 2017-05-23 | Align Technology, Inc. | VCSEL based low coherence emitter for confocal 3D scanner |
AU2016298390B2 (en) | 2015-07-30 | 2021-09-02 | Optipulse Inc. | Rigid high power and high speed lasing grid structures |
US9927558B2 (en) | 2016-04-19 | 2018-03-27 | Trilumina Corp. | Semiconductor lens optimization of fabrication |
JP7027033B2 (ja) * | 2016-09-28 | 2022-03-01 | スタンレー電気株式会社 | 照明用の垂直共振器型発光素子モジュール |
JP7027032B2 (ja) * | 2016-09-28 | 2022-03-01 | スタンレー電気株式会社 | 照明用の垂直共振器型発光素子モジュール |
US10243324B2 (en) * | 2016-10-17 | 2019-03-26 | Trilumina Corp. | Matching drive device for multi-beam optoelectronic arrays |
CN110214380B (zh) * | 2017-01-25 | 2024-04-09 | 苏州立琻半导体有限公司 | 半导体器件 |
EP3382828A1 (en) * | 2017-03-31 | 2018-10-03 | Koninklijke Philips N.V. | Inherently safe laser arrangement comprising a vertical cavity surface emitting laser |
JPWO2018221042A1 (ja) * | 2017-05-31 | 2020-04-02 | ソニー株式会社 | 発光素子および発光素子の製造方法 |
CN107315982A (zh) * | 2017-06-13 | 2017-11-03 | 深圳市华周测控技术有限公司 | 一种微距小视野高分辨率的扫码器 |
CN110892597B (zh) * | 2017-07-18 | 2022-11-04 | 索尼公司 | 发光装置和发光装置阵列 |
US11482835B2 (en) | 2017-07-25 | 2022-10-25 | Lumentum Operations Llc | VCSEL device with multiple stacked active regions |
CN111149226B (zh) * | 2017-07-25 | 2023-04-18 | 朗美通经营有限责任公司 | 单个芯片串联连接vcsel阵列 |
WO2019033111A1 (en) | 2017-08-11 | 2019-02-14 | Optipulse Inc. | LASER GRID STRUCTURES FOR HIGH-SPEED WIRELESS DATA TRANSFERS |
AU2018314281B2 (en) * | 2017-08-11 | 2024-02-01 | Optipulse Inc. | High power laser grid structure |
JP7021829B2 (ja) * | 2017-08-14 | 2022-02-17 | ルメンタム・オペレーションズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 表面実装対応可能なvcselアレイ |
JP7128433B2 (ja) * | 2017-10-11 | 2022-08-31 | ウシオ電機株式会社 | 光照射装置 |
US11042004B1 (en) | 2017-10-23 | 2021-06-22 | Waymo Llc | System and method for alignment of optical beams |
CN111868487A (zh) * | 2018-03-20 | 2020-10-30 | 维克萨股份有限公司 | 对眼睛安全的光学模块 |
JP7180145B2 (ja) * | 2018-06-28 | 2022-11-30 | 富士フイルムビジネスイノベーション株式会社 | 発光素子アレイ、及び光計測システム |
EP3598591A1 (en) * | 2018-07-17 | 2020-01-22 | Koninklijke Philips N.V. | Laser arrangement with reduced building height |
EP4004587A4 (en) * | 2019-07-31 | 2023-08-16 | Opsys Tech Ltd. | HIGH DEFINITION SOLID STATE LIDAR TRANSMITTER |
US20220342070A1 (en) * | 2019-10-15 | 2022-10-27 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Lighting device and distance measurement apparatus |
DE102020214458A1 (de) | 2020-11-18 | 2022-05-19 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Scanvorrichtung zum Aussenden von Lichtstrahlen einer Lichtquelle und/oder zum Abbilden von Lichtstrahlen auf einen Detektor, LiDAR-Sensor und Verfahren zur Ansteuerung einer Scanvorrichtung |
WO2023032307A1 (ja) * | 2021-08-30 | 2023-03-09 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 発光素子アレイおよび発光素子アレイの製造方法 |
DE102022112920A1 (de) * | 2022-05-23 | 2023-11-23 | Dspace Gmbh | Optische Einheit, Testsystem und Verfahren zum Herstellen einer optischen Einheit |
NL2033042B1 (en) * | 2022-09-15 | 2024-03-22 | Univ Eindhoven Tech | An Optical Wireless Communication, OWC, detector arranged for ensuring sufficient optical power at the receiver while taking into account the field of view, as well as a related optical communication device and a method for manufacturing an OWC detector. |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2560507B2 (ja) * | 1990-02-16 | 1996-12-04 | 日本電気株式会社 | 接続装置 |
US5325386A (en) * | 1992-04-21 | 1994-06-28 | Bandgap Technology Corporation | Vertical-cavity surface emitting laser assay display system |
JP3238979B2 (ja) * | 1992-12-25 | 2001-12-17 | 三洋電機株式会社 | 面発光レーザ装置及びその製造方法 |
US5781671A (en) * | 1995-10-04 | 1998-07-14 | Nec Research Institute, Inc. | Free-space angle-multiplexed optical interconnect network |
WO1999052647A1 (en) * | 1998-04-16 | 1999-10-21 | The University Of New Mexico | Non-planar micro-optical structures |
US7079472B2 (en) * | 1999-06-23 | 2006-07-18 | Dphi Acquisitions, Inc. | Beamshaper for optical head |
JP2001311898A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Fuji Xerox Co Ltd | 光ビーム走査駆動装置及び画像形成装置 |
WO2001086696A2 (en) * | 2000-05-09 | 2001-11-15 | Teraconnect, Inc. | Self aligning optical interconnect with multiple opto-electronic devices per fiber channel |
US6353502B1 (en) * | 2000-06-13 | 2002-03-05 | Eastman Kodak Company | VCSEL field correction |
JP2002026466A (ja) * | 2000-07-11 | 2002-01-25 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 集光光学系及びレーザ加工機用光源 |
US6888871B1 (en) | 2000-07-12 | 2005-05-03 | Princeton Optronics, Inc. | VCSEL and VCSEL array having integrated microlenses for use in a semiconductor laser pumped solid state laser system |
US6835535B2 (en) * | 2000-07-31 | 2004-12-28 | Corning Incorporated | Microlens arrays having high focusing efficiency |
DE10111871A1 (de) * | 2001-03-13 | 2002-09-19 | Heidelberger Druckmasch Ag | Bebilderungseinrichtung für eine Druckform mit einem Array von VCSEL-Lichtquellen |
US20030091084A1 (en) * | 2001-11-13 | 2003-05-15 | Decai Sun | Integration of VCSEL array and microlens for optical scanning |
US7155129B2 (en) * | 2002-01-07 | 2006-12-26 | Xerox Corporation | Steerable free space optical interconnect apparatus |
US7978981B2 (en) * | 2002-02-22 | 2011-07-12 | Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Structure and apparatus for a very short haul, free space, and fiber optic interconnect and data link |
US7257141B2 (en) * | 2003-07-23 | 2007-08-14 | Palo Alto Research Center Incorporated | Phase array oxide-confined VCSELs |
JP4539302B2 (ja) * | 2004-05-28 | 2010-09-08 | 日本ビクター株式会社 | 光軸調整方法 |
JP2008508561A (ja) * | 2004-07-30 | 2008-03-21 | ノバラックス,インコーポレイティド | モード同期拡張キャビティ面発光半導体レーザの波長変換用装置、システム、および方法 |
JP4400429B2 (ja) * | 2004-11-22 | 2010-01-20 | 株式会社デンソー | レーザビームスキャナ |
WO2006105258A2 (en) * | 2005-03-30 | 2006-10-05 | Novalux, Inc. | Manufacturable vertical extended cavity surface emitting laser arrays |
US7295375B2 (en) * | 2005-08-02 | 2007-11-13 | International Business Machines Corporation | Injection molded microlenses for optical interconnects |
JP2008244431A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-10-09 | Canon Inc | 面発光レーザアレイ及びその製造方法、面発光レーザアレイを備えている画像形成装置 |
JP2008221658A (ja) * | 2007-03-13 | 2008-09-25 | Seiko Epson Corp | ラインヘッドおよび画像形成装置 |
US7949024B2 (en) * | 2009-02-17 | 2011-05-24 | Trilumina Corporation | Multibeam arrays of optoelectronic devices for high frequency operation |
KR101733422B1 (ko) * | 2009-08-20 | 2017-05-10 | 코닌클리케 필립스 엔.브이. | 구성 가능한 강도 분포를 갖는 레이저 장치 |
WO2011075609A1 (en) * | 2009-12-19 | 2011-06-23 | Trilumina Corporation | System and method for combining laser arrays for digital outputs |
JP2012089564A (ja) * | 2010-10-15 | 2012-05-10 | Hitachi Ltd | 光通信モジュールおよび光通信装置 |
KR102011298B1 (ko) * | 2011-02-03 | 2019-10-14 | 트리아 뷰티, 인코포레이티드 | 방사선-계 피부치료 장치 |
DE102011083353A1 (de) * | 2011-09-23 | 2013-03-28 | Carl Zeiss Ag | Abbildungsvorrichtung und Abbildungsverfahren |
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