JP6748679B2 - 表示装置、電子機器、及びボディバイアシング回路 - Google Patents

Description

本発明は、表示装置、電子機器、及びボディバイアシング回路に関するものである。

情報化社会が発展するにつれて、画像を表示するための表示装置に対する要求が多様な形態に増加しており、最近は、液晶表示装置、プラズマ表示装置、有機発光表示装置などのさまざまな表示装置が活用されている。

表示装置には駆動のための各種の電圧がサブピクセルに印加される。このような各種の電圧のうちにはモードサブピクセルに共通に印加される共通電圧がある。

このような共通電圧は一定の電圧値を有するＤＣ電圧であるが、生成時に発生したノイズによって電圧値が変動することがある。

このように、ノイズによる共通電圧の変動はサブピクセルの映像表示のための電気的特性（例：電流、キャパシタンスなど）が不要に変わるようになって、画像品質が落ちる問題点がもたらされることがある。

しかしながら、共通電圧の変動は電圧生成時に発生する予期しないノイズによるものであって、防止または制御できない現象でありうる。

したがって、ノイズによる共通電圧の変動による画像品質の低下はディスプレイ分野で非常に改善し難い慢性的な問題点として認識されている。

このような背景で、実施形態の目的は、ノイズによる共通電圧の変動が発生しても、共通電圧の変動による画像品質の低下が防止できる表示装置、電子機器、及びボディバイアシング回路を提供することにある。

実施形態の他の目的は、ノイズによる共通電圧の変動が発生しても、共通電圧の変動により有機発光ダイオードに流れる電流変動幅が大きくなることを防止することができる表示装置、電子機器、及びボディバイアシング回路を提供することにある。

実施形態の他の目的は、仮想現実機器または拡張現実機器に適用されることができ、優れる画像品質を有する表示装置、電子機器、及びボディバイアシング回路を提供することにある。

実施形態は、多数のデータライン及び多数のゲートラインにより定義される多数のサブピクセルを含むピクセルアレイと、ピクセルアレイを駆動するための駆動回路を含む表示装置を提供することができる。

駆動回路は、多数のデータラインを駆動するソース駆動回路と、多数のゲートラインを駆動するゲート駆動回路を含むことができる。

駆動回路は、ソース駆動回路及びゲート駆動回路を制御するコントローラをさらに含むことができる。

表示装置で、多数のサブピクセルに共通に印加される共通電圧と対応するボディ電圧（Body Voltage）が多数のサブピクセルの各々での駆動トランジスタのボディ（Body）に印加できる。

ボディ電圧は、共通電圧の波形と対応する波形を有することができる。

ボディ電圧は、共通電圧の振幅変化によって変わる振幅を有することができる。

多数のサブピクセルの各々には駆動トランジスタにより駆動され、アノード電極とカソード電極を有する有機発光ダイオードを含むことができる。

この場合、共通電圧は有機発光ダイオードのカソード電極に印加される基底電圧（カソード電圧）でありうる。

実施形態に従う表示装置は、共通電圧を出力するパワー供給回路と、駆動トランジスタのボディとパワー供給回路との間に連結され、共通電圧と対応するボディ電圧を駆動トランジスタのボディに印加させるボディバイアシング回路をさらに含むことができる。

ボディバイアシング回路は、駆動トランジスタのドレインノードまたはソースノードに印加される駆動電圧と共通電圧との間の分配電圧を出力する電圧分配回路と、分配電圧に該当するボディ電圧または分配電圧が増幅されたボディ電圧を駆動トランジスタのボディに出力する出力回路を含むことができる。

パワー供給回路は、ＤＣ−ＤＣコンバータを含むことができる。

一方、パワー供給回路から出力された共通電圧（基底電圧）が駆動トランジスタのボディに直ちに印加できる。

これによって、パワー供給回路は、共通電圧を有機発光ダイオードのカソード電極に供給し、これと共に、共通電圧と対応するボディ電圧を駆動トランジスタのボディに供給することができる。

ピクセルアレイは、ガラス基板上に配置できる。

または、ピクセルアレイはシリコン基板（シリコン半導体基板）上に配置されることもできる。この場合、ピクセルアレイは勿論、ソース駆動回路、ゲート駆動回路、及びコントローラなどの回路もシリコン基板上に配置できる。

実施形態は、映像信号が入力される映像信号入力部と、映像信号に基づいた第１映像が表示される第１ディスプレイユニットと、映像信号に基づいた第２映像が表示される第２ディスプレイユニットと、映像信号入力部、第１ディスプレイユニット、及び第２ディスプレイユニットを収納するケースを含む電子機器を含むことができる。

第１ディスプレイユニット及び第２ディスプレイユニットの各々は実施形態に従う表示装置またはその一部でありうる。

第１ディスプレイユニット及び第２ディスプレイユニットの各々は、シリコン基板と、シリコン基板上に配列された多数のサブピクセルを含むピクセルアレイと、シリコン基板上に配置された駆動回路を含むことができる。

駆動回路は、シリコン基板上に配置され、かつピクセルアレイの周辺に位置する。

実施形態に従う電子機器で、多数のサブピクセルに共通に印加される共通電圧と対応するボディ電圧（Body Voltage）が多数のサブピクセルの各々での駆動トランジスタのボディ（Body）に印加できる。

実施形態に従う電子機器は、共通電圧を出力するパワー供給回路と、駆動トランジスタのボディとパワー供給回路との間に連結され、共通電圧と対応するボディ電圧を駆動トランジスタのボディに印加させるボディバイアシング回路をさらに含むことができる。

このようなボディバイアシング回路は、第１ディスプレイユニット及び第２ディスプレイユニットの各々に対応して存在することができる。

または、ボディバイアシング回路は、第１ディスプレイユニット及び第２ディスプレイユニットに共通に存在することができる。

ボディバイアシング回路は、駆動トランジスタのドレインノードまたはソースノードに印加される駆動電圧と共通電圧との間の分配電圧を出力する電圧分配回路と、分配電圧に該当するボディ電圧または分配電圧が増幅されたボディ電圧を駆動トランジスタのボディに出力する出力回路を含むことができる。

ピクセルアレイでの駆動トランジスタは、半導体工程で製作されるＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）タイプでありうる。

実施形態に従う電子機器は、仮想現実（ＶＲ：Virtual Reality）機器または拡張現実（ＡＲ：Augmented Reality）機器でありうる。

実施形態は、サブピクセルを駆動するための駆動電圧及び基底電圧の間の分配電圧を出力する電圧分配回路と、分配電圧または分配電圧が増幅された電圧をサブピクセル内の駆動トランジスタのボディに出力する出力回路を含むボディバイアシング回路を提供することができる。

電圧分配回路は、駆動電圧及び基底電圧の間に連結された抵抗ストリングと、抵抗ストリングで多数の地点のうちの一地点を出力回路の入力ノードに連結するスイッチング回路を含むことができる。

実施形態によれば、ノイズによる共通電圧の変動が発生しても、共通電圧の変動による画像品質の低下が防止できる表示装置、電子機器、及びボディバイアシング回路を提供することができる。

実施形態によれば、ノイズによる共通電圧の変動が発生しても、共通電圧の変動により有機発光ダイオードに流れる電流変動幅が大きくなることを防止することができる表示装置、電子機器、及びボディバイアシング回路を提供することができる。

実施形態によれば、仮想現実機器または拡張現実機器に適用されることができ、優れる画像品質を有する表示装置、電子機器、及びボディバイアシング回路を提供することができる。

実施形態に従う有機発光表示装置のシステム構成図である。 実施形態に従う有機発光表示装置のサブピクセル構造である。 実施形態に従う有機発光表示装置の他のサブピクセル構造である。 実施形態に従う有機発光表示装置の更に他のサブピクセル構造である。 実施形態に従う有機発光表示装置において、共通電圧である基底電圧を供給するパワー供給回路と、基底電圧のノイズ発生を示した図である。 実施形態に従う有機発光表示装置において、ノイズが発生した基底電圧と、基底電圧のノイズに従う有機発光ダイオードの電流変化を示した図である。 実施形態に従う有機発光表示装置において、ノイズによる基底電圧の変動に従う画質低下現象を防止するためのボディバイアシング方法を示した図である。 実施形態に従う有機発光表示装置において、シンプルなボディバイアシング技法を示した図である。 実施形態に従う有機発光表示装置において、適応的なボディバイアシング技法のためのボディバイアシング回路を示した図である。 実施形態に従う有機発光表示装置において、適応的なボディバイアシング技法のためのボディバイアシング回路をより詳細に示した図である。 実施形態に従う有機発光表示装置において、適応的なボディバイアシング技法のためのボディバイアシング回路を適用した場合、駆動トランジスタのボディ電圧の例示である。 実施形態に従う有機発光表示装置において、ノイズが発生した基底電圧と、ボディバイアシング技法を適用した場合のボディ電圧と有機発光ダイオードの電流変化を示した図である。 実施形態に従う有機発光表示装置を用いた電子機器を示した図である。 実施形態に従う電子機器の第１ディスプレイユニット及び第２ディスプレイユニットの各々の具現例示図である。 実施形態に従う電子機器の第１ディスプレイユニット及び第２ディスプレイユニットの各々で、駆動トランジスタのボディ電圧印加構造を示した図である。 実施形態に従う電子機器の第１ディスプレイユニット及び第２ディスプレイユニットの各々で、ＭＯＳＦＥＴタイプの駆動トランジスタが形成された領域に対する簡単な断面図である。 実施形態に従う電子機器の第１ディスプレイユニット及び第２ディスプレイユニットの各々で、ＭＯＳＦＥＴタイプの駆動トランジスタが形成された領域に対する簡単な断面図である。

以下、本発明の一部の実施形態を添付した図面を参照しつつ詳細に説明する。各図面の構成要素に参照符号を付加するに当たって、同一な構成要素に対してはたとえ他の図面上に表示されても、できる限り同一な符号を有することができる。また、本発明を説明するに当たって、関連した公知構成または機能に対する具体的な説明が本発明の要旨を曖昧にすることがあると判断される場合にはその詳細な説明は省略する。

また、本発明の構成要素を説明するに当たって、第１、第２、Ａ、Ｂ、（ａ）、（ｂ）などの用語を使用することができる。このような用語はその構成要素を他の構成要素と区別するためのものであり、その用語により当該構成要素の本質、回順序、順序、または個数などが限定されない。ある構成要素が他の構成要素に“連結”、“結合”、または“接続”されると記載された場合、その構成要素は該他の構成要素に直接的に連結、または接続できるが、各構成要素の間に他の構成要素が介されるか、各構成要素が他の構成要素を介して“連結”、“結合”、または“接続”されることもできると理解されるべきである。

実施形態は、ノイズによる共通電圧の変動が発生しても、共通電圧の変動による画像品質の低下が防止できるボディバイアシング回路とこれを含む表示装置を開示する。

また、実施形態は、ボディバイアシング回路と表示装置を活用して実感がわく仮想現実または拡張現実をユーザに提供する電子機器を開示する。

実施形態に従う表示装置は、液晶表示装置、プラズマ表示装置、有機発光表示装置などの多様なタイプのディスプレイでありうる。但し、以下では有機発光表示装置を例として説明する。

図１は、本実施形態に従う有機発光表示装置１００のシステム構成図である。

図１を参照すると、本実施形態に従う有機発光表示装置１００は、多数のデータラインＤＬ及び多数のゲートラインＧＬが配置され、多数のデータラインＤＬ及び多数のゲートラインＧＬにより定義される多数のサブピクセルＳＰを含むピクセルアレイＰＸＬと、多数のデータラインＤＬを駆動するソース駆動回路ＳＤＣと、多数のゲートラインＧＬを駆動するゲート駆動回路ＧＤＣと、ソース駆動回路ＳＤＣ及びゲート駆動回路ＧＤＣを制御するコントローラＣＯＮＴなどを含む。

コントローラＣＯＮＴは、ソース駆動回路ＳＤＣ及びゲート駆動回路ＧＤＣに各種の制御信号（ＤＣＳ、ＧＣＳ）を供給して、ソース駆動回路ＳＤＣ及びゲート駆動回路ＧＤＣを制御する。

このようなコントローラＣＯＮＴは、各フレームで具現するタイミングによってスキャンを始めて、外部から入力される入力映像データをソース駆動回路ＳＤＣで使用するデータ信号形式に合うように転換して、転換された映像データ（Data）を出力し、スキャンに合せて適当な時間にデータ駆動を統制する。

このようなコントローラＣＯＮＴは、通常のディスプレイ技術で用いられるタイミングコントローラ（Timing Controller）であるか、またはタイミングコントローラ（Timing Controller）を含んで他の制御機能もさらに遂行する制御装置でありうる。

このようなコントローラＣＯＮＴは、ソース駆動回路ＳＤＣと別途の部品で具現されることもでき、ソース駆動回路ＳＤＣと共に統合されて集積回路で具現できる。

ソース駆動回路ＳＤＣは、コントローラＣＯＮＴから映像データ（Data）の入力を受けて多数のデータラインＤＬにデータ電圧を供給することによって、多数のデータラインＤＬを駆動する。ここで、ソース駆動回路ＳＤＣはソース駆動回路ともいう。

このようなソース駆動回路ＳＤＣは、少なくとも１つのソースドライバ集積回路（ＳＤＩＣ：Source Driver Integrated Circuit）を含んで具現できる。

各ソースドライバ集積回路ＳＤＩＣは、シフトレジスタ（Shift Register）、ラッチ回路（Latch Circuit）、デジタルアナログコンバータ（ＤＡＣ：Digital to Analog Converter）、出力バッファ（Output Buffer）などを含むことができる。

各ソースドライバ集積回路ＳＤＩＣは、場合によって、アナログデジタルコンバータ（ＡＤＣ：Analog to Digital Converter）をさらに含むことができる。

ゲート駆動回路ＧＤＣは、多数のゲートラインＧＬにスキャン信号を順次に供給することによって、多数のゲートラインＧＬを順次に駆動する。ここで、ゲート駆動回路ＧＤＣはスキャン駆動回路ともいう。

このようなゲート駆動回路ＧＤＣは、少なくとも１つのゲート駆動回路集積回路（ＧＤＩＣ：Gate Driver Integrated Circuit）を含んで具現できる。

各ゲート駆動回路集積回路ＧＤＩＣは、シフトレジスタ（Shift Register）、レベルシフタ（Level Shifter）などを含むことができる。

ゲート駆動回路ＧＤＣは、コントローラＣＯＮＴの制御によって、オン（On）電圧またはオフ（Off）電圧のスキャン信号を多数のゲートラインＧＬに順次に供給する。

ソース駆動回路ＳＤＣは、ゲート駆動回路ＧＤＣにより特定ゲートラインが開けば、コントローラＣＯＮＴから受信した映像データ（ＤＡＴＡ）をアナログ形態のデータ電圧に変換して多数のデータラインＤＬに供給する。

ソース駆動回路ＳＤＣは、ピクセルアレイＰＸＬの一側（例：上側または下側）のみに位置することもでき、場合によっては、駆動方式、パネル設計方式などによってピクセルアレイＰＸＬの両側（例：上側と下側）に全て位置することもできる。

ゲート駆動回路ＧＤＣは、ピクセルアレイＰＸＬの一側（例：左側または右側）のみに位置することもでき、場合によっては、駆動方式、パネル設計方式などによってピクセルアレイＰＸＬの両側（例：左側と右側）に全て位置することもできる。

各サブピクセルＳＰを構成する回路素子の種類及び個数は、提供機能及び設計方式などによって多様に定まることができる。

一方、ピクセルアレイＰＸＬはガラス基板などを使用した表示パネルに存在することができ、ソース駆動回路ＳＤＣ及びゲート駆動回路ＧＤＣなどは多様な方式により表示パネルと電気的に連結できる。

即ち、有機発光表示装置１００で、ガラス基板上にトランジスタ、各種の電極及び各種の信号配線などが形成されてピクセルアレイＰＸＬを形成し、駆動回路に該当する集積回路は印刷回路に実装され、印刷回路を通じて表示パネルと電気的に連結される。このような既存の構造は、中大型表示装置では適している。

一方、実施形態に従う有機発光表示装置１００は、仮想現実機器、増強現実機器などの電子機器に適用されることに適した構造や優れるディスプレイ性能を有する小型表示装置でありうる。

この場合、一例に、ピクセルアレイＰＸＬ、ソース駆動回路ＳＤＣ、ゲート駆動回路ＧＤＣ、及びコントローラＣＯＮＴは、シリコン基板（シリコン半導体基板）上に共に配置されることもできる。

この場合、有機発光表示装置１００は非常に小さく製作されることができ、仮想現実（ＶＲ：Virtual Reality）機器または拡張現実（ＡＲ：Augmented Reality）機器などの電子機器に活用できる。

図２は実施形態に従う有機発光表示装置１００のサブピクセル構造であり、図３は実施形態に従う有機発光表示装置１００の他のサブピクセル構造である。

図２を参照すると、実施形態に従う有機発光表示装置１００において、各サブピクセルＳＰは、有機発光ダイオードＯＬＥＤと、有機発光ダイオードＯＬＥＤを駆動する駆動トランジスタＤＲＴと、駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１とデータラインＤＬとの間に電気的に連結された第１トランジスタＴ１と、駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１と第２ノードＮ２との間に電気的に連結されたキャパシタＣｓｔなどを含んで具現できる。

有機発光ダイオードＯＬＥＤは、第１電極Ｅ１（例：アノード電極またはカソード電極）、有機発光層ＯＥＬ、及び第２電極Ｅ２（例：カソード電極またはアノード電極）などからなることができる。

有機発光ダイオードＯＬＥＤの第１電極Ｅ１は、駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２と電気的に連結できる。有機発光ダイオードＯＬＥＤの第２電極Ｅ２には基底電圧（ＥＶＳＳ）が印加できる。

ここで、基底電圧（ＥＶＳＳ）は全てのサブピクセルＳＰに印加される共通電圧（Ｖｃｏｍ）でありうる。

駆動トランジスタＤＲＴは、有機発光ダイオードＯＬＥＤに駆動電流（Ｉｏｌｅｄ）を供給することによって、有機発光ダイオードＯＬＥＤを駆動する。

駆動トランジスタＤＲＴは、第１ノードＮ１、第２ノードＮ２、及び第３ノードＮ３を有する。

駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１はゲートノードに該当するノードであって、第１トランジスタＴ１のソースノードまたはドレインノードと電気的に連結できる。

駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２は有機発光ダイオードＯＬＥＤの第１電極と電気的に連結されることができ、ソースノードまたはドレインノードでありうる。

駆動トランジスタＤＲＴの第３ノードＮ３は駆動電圧（ＥＶＤＤ）が印加されるノードであって、駆動電圧（ＥＶＤＤ）を供給する駆動電圧ラインＤＶＬと電気的に連結されることができ、ドレインノードまたはソースノードでありうる。

ここで、駆動電圧（ＥＶＤＤ）は全てのサブピクセルＳＰに印加される共通電圧（Ｖｃｏｍ）でありうる。

第１トランジスタＴ１はゲートラインを通じて第１スキャン信号ＳＣＡＮ１をゲートノードに印加を受けてオン−オフが制御できる。

このような第１トランジスタＴ１は第１スキャン信号ＳＣＡＮ１によりターン−オンされてデータラインＤＬから供給されたデータ電圧（Ｖｄａｔａ）を駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１に伝達することができる。

このような第１トランジスタＴ１は、スイッチングトランジスタともいう。

キャパシタＣｓｔは、駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１と第２ノードＮ２との間に電気的に連結されて、映像信号電圧に該当するデータ電圧（Ｖｄａｔａ）またはこれに対応する電圧を１フレーム時間の間維持することができる。

前述したように、図２に例示された１つのサブピクセルＳＰは有機発光ダイオードＯＬＥＤを駆動するために、２つのトランジスタＤＲＴ、Ｔ１と１つのキャパシタＣｓｔを含む２Ｔ（Transistor）１Ｃ（Capacitor）構造を有することができる。

図２に例示されたサブピクセル構造（２Ｔ１Ｃ構造）は説明の便宜のための例示であり、機能、パネル構造などによって、１つのサブピクセルＳＰは１つ以上のトランジスタをさらに含むか、または１つ以上のキャパシタをさらに含むこともできる。

図３は、１つのサブピクセルＳＰが駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２と基準電圧ラインＲＶＬとの間に電気的に連結された第２トランジスタＴ２をさらに含む３Ｔ（Transistor）１Ｃ（Capacitor）構造を例示的に示した図である。

図３を参照すると、第２トランジスタＴ２は駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２と基準電圧ラインＲＶＬとの間に電気的に連結されて、ゲートノードに第２スキャン信号ＳＣＡＮ２の印加を受けてオン−オフが制御できる。

第２トランジスタＴ２のドレインノードまたはソースノードは基準電圧ラインＲＶＬに電気的に連結され、第２トランジスタＴ２のソースノードまたはドレインノードは駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２に電気的に連結できる。

第２トランジスタＴ２は、一例に、ディスプレイ駆動時区間でターン−オンされることができ、駆動トランジスタＤＲＴの特性値または有機発光ダイオードＯＬＥＤの特性値をセンシングするためのセンシング駆動時区間でターン−オンできる。

第２トランジスタＴ２は該当駆動タイミングに合せて、第２スキャン信号ＳＣＡＮ２によりターン−オンされて、基準電圧ラインＲＶＬに供給された基準電圧（Ｖｒｅｆ）を駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２に伝達することができる。

また、第２トランジスタＴ２は他の駆動タイミングに合せて、第２スキャン信号ＳＣＡＮ２によりターン−オンされて、駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧を基準電圧ラインＲＶＬに伝達することができる。

この場合、基準電圧ラインＲＶＬと電気的に連結できるセンシング部（例：アナログデジタルコンバータなど）は駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧を基準電圧ラインＲＶＬを通じて測定することができる。

言い換えると、第２トランジスタＴ２は、駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧状態を制御するか、または駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧を基準電圧ラインＲＶＬに伝達することができる。

一方、キャパシタＣｓｔは、駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１と第２ノードＮ２との間に存在する内部キャパシタ（Internal Capacitor）である寄生キャパシタ（例：Ｃｇｓ、Ｃｇｄ）でなく、駆動トランジスタＤＲＴの外部に意図的に設計した外部キャパシタ（External Capacitor）でありうる。

駆動トランジスタＤＲＴ、第１トランジスタＴ１、及び第２トランジスタＴ２の各々はｎタイプトランジスタ、またはｐタイプトランジスタでありうる。

一方、第１スキャン信号ＳＣＡＮ１及び第２スキャン信号ＳＣＡＮ２は別個のゲート信号でありうる。この場合、第１スキャン信号ＳＣＡＮ１及び第２スキャン信号ＳＣＡＮ２は互いに異なるゲートラインを通じて、第１トランジスタＴ１のゲートノード及び第２トランジスタＴ２のゲートノードに各々印加されることもできる。

場合によっては、第１スキャン信号ＳＣＡＮ１及び第２スキャン信号ＳＣＡＮ２は同一なゲート信号でありうる。この場合、第１スキャン信号ＳＣＡＮ１及び第２スキャン信号ＳＣＡＮ２は同一なゲートラインを通じて第１トランジスタＴ１のゲートノード及び第２トランジスタＴ２のゲートノードに共通に印加されることもできる。

図２及び図３に例示された各サブピクセル構造は説明のための例示であり、１つ以上のトランジスタをさらに含むか、または場合によっては、１つ以上のキャパシタをさらに含むこともできる。

または、多数のサブピクセルの各々が同一な構造となっていることもでき、多数のサブピクセルのうちの一部は異なる構造となっていることもできる。

図４は、実施形態に従う有機発光表示装置１００の更に他のサブピクセル構造である。

図４のサブピクセル構造は、図３の３Ｔ１Ｃ構造の変形である。

図４のサブピクセル構造の場合、第１トランジスタＴ１のゲートノード及び第２トランジスタＴ２のゲートノードは同一なゲートラインＧＬに連結されて、スキャン信号（ＳＣＡＮ）を同一に供給を受ける。

また、第２トランジスタＴ２のドレインノードまたはソースノードには基準電圧（Ｖｒｅｆ）としてグラウンド電圧（ＧＮＤ）が印加される。

また、図４のサブピクセル構造の場合、駆動トランジスタＤＲＴのボディ（Body、Nboby）は定電圧形態のグラウンド電圧（ＧＮＤ）が印加される。

以下では、図４のサブピクセル構造を例として説明する。しかしながら、これに制限されるものではない。

図５は、実施形態に従う有機発光表示装置１００で、共通電圧（Ｖｃｏｍ）である基底電圧（ＥＶＳＳ）を供給するパワー供給回路ＰＳＣと、基底電圧（ＥＶＳＳ）のノイズ発生を示した図であり、図６は実施形態に従う有機発光表示装置１００で、ノイズが発生した基底電圧（ＥＶＳＳ）と、基底電圧（ＥＶＳＳ）のノイズに従う有機発光ダイオードＯＬＥＤの電流変化を示した図である。

図５を参照すると、実施形態に従う有機発光表示装置１００は、パワー供給回路ＰＳＣをさらに含むことができる。

パワー供給回路ＰＳＣは、共通電圧（Ｖｃｏｍ）に該当する基底電圧（ＥＶＳＳ）をピクセルアレイ１１０に供給することができる。

ここで、例えば、有機発光表示装置１００の場合、共通電圧（Ｖｃｏｍ）は基底電圧（ＥＶＳＳ）でありうるが、液晶表示装置の場合、各サブピクセル内のピクセル電極とキャパシタンスを形成する共通電極に印加される共通電圧でありうる。

また、パワー供給回路ＰＳＣはピクセルアレイＰＸＬの駆動に必要な電圧、ソース駆動回路ＳＤＣの動作に必要な電圧、ゲート駆動回路ＧＤＣの動作に必要な電圧、コントローラＣＯＮＴの動作に必要な電圧などを出力することができる。

このようなパワー供給回路ＰＳＣは、１つ以上のパワー関連回路で構成できる。

一方、パワー供給回路ＰＳＣから出力される基底電圧（ＥＶＳＳ）はＤＣ電圧形態でありうる。

パワー供給回路ＰＳＣから供給される基底電圧（ＥＶＳＳ）は、有機発光ダイオードＯＬＥＤの第２電極Ｅ２（例：カソード電極）に印加される電圧であって、モードサブピクセルＳＰに共通に印加される共通電圧（Ｖｃｏｍ）に該当する。

一方、パワー供給回路ＰＳＣは、ＤＣ−ＤＣコンバータで構成できる。

ここで、ＤＣ−ＤＣコンバータはある電圧の直流電源から他の電圧の直流電源に変換する電子回路装置でありうる。

図５及び図６を参照すると、ＤＣ−ＤＣコンバータから出力される基底電圧（ＥＶＳＳ）はＤＣ電圧でなければならないが、電圧変動が発生してＤＣ電圧に該当しないことがある。

このように、基底電圧（ＥＶＳＳ）の電圧変動は、主にＤＣ−ＤＣコンバータで発生することができ、ＤＣ−ＤＣコンバータで生じるスイッチングノイズ（DC-DC switching noise）といい、簡単に縮めて、ノイズともいう。

図５及び図６を参照すると、基底電圧（ＥＶＳＳ）がノイズによって一定の電圧値（ＥＶＳＳ＿ｒｅｆ）を有しなくて変動される電圧値を有するようになれば、有機発光ダイオードＯＬＥＤに流れるＯＬＥＤ電流（Ｉｏｌｅｄ）も一定の電流値（Ｉｏｌｅｄ＿ｒｅｆ）を有しなくて変動される。

図６を参照すると、基底電圧（ＥＶＳＳ）が高まれば、ＯＬＥＤ電流（Ｉｏｌｅｄ）は減少することがある。基底電圧（ＥＶＳＳ）が低くなれば、ＯＬＥＤ電流（Ｉｏｌｅｄ）は増加することがある。

このようなＯＬＥＤ電流の変動（変化）は、有機発光ダイオードＯＬＥＤが所望の水準の輝度を有する光を発光できない。これによって、全体的または部分的な画質低下をもたらすことがある。

ここに、本実施形態はノイズによる基底電圧（ＥＶＳＳ）の変動が発生しても画質低下現象を防止する方法を提供することができる。以下では、ノイズによる基底電圧（ＥＶＳＳ）の変動に従う画質低下現象を防止する方法について詳細に説明する。

図７は、実施形態に従う有機発光表示装置１００で、ノイズによる基底電圧（ＥＶＳＳ）の変動に従う画質低下現象を防止するためのボディバイアシング（Body Biasing）技法を示した図である。

実施形態に従う有機発光表示装置１００は、ノイズによる基底電圧（ＥＶＳＳ）の変動に従う画質低下現象を防止するために、駆動トランジスタＤＲＴのボディＮｂに多数のサブピクセルＳＰに共通に印加される共通電圧（Ｖｃｏｍ）に該当する基底電圧（ＥＶＳＳ）と対応するボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）を印加することができる。

前述したように、駆動トランジスタＤＲＴのボディＮｂに基底電圧（ＥＶＳＳ）と対応するボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）を印加する方法をボディバイアシングという。

このようなボディバイアシングによれば、駆動トランジスタＤＲＴのボディＮｂに印加されるボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）は共通電圧（Ｖｃｏｍ）に該当する基底電圧（ＥＶＳＳ）の波形と対応する波形を有することができる。

これによって、基底電圧（ＥＶＳＳ）がノイズにより変動しても、駆動トランジスタＤＲＴのボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）も共に変動することによって、ノイズによる基底電圧（ＥＶＳＳ）の変動が及ぼす影響を減らすことができる。

駆動トランジスタＤＲＴのボディＮｂにノイズにより変動する基底電圧（ＥＶＳＳ）と対応するボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）が印加されれば、即ち、駆動トランジスタＤＲＴのボディＮｂに変動するボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）が印加されれば、以下の＜数式１＞から見ることができるように、駆動トランジスタＤＲＴのしきい電圧（Ｖｔｈ）はボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）の大きさによって増加または減少することができる。

前記＜数式１＞で、Ｖｓｂは逆基板バイアス電圧（reverse substrate bias voltage）である。Ｖｓｂはボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）の変動（即ち、基底電圧（ＥＶＳＳ）のノイズ成分による基底電圧（ＥＶＳＳ）の変動）と関連する。Ｖｓｂはボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）の変動がない場合には０（Zero）となる。

前記＜数式１＞で、Ｖｔｈはボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）の変動によって変動する駆動トランジスタＤＲＴのしきい電圧である。Ｖｔｈｏはボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）の変動がない時（即ち、Ｖｓｂ＋０の時）の駆動トランジスタＤＲＴのしきい電圧である。

前記＜数式１＞で、γは製造工程パラメータ（Fabrication-Process Parameter）であって、ボディ効果パラメータ（Body-effect Parameter）ともいう。Φｆは物理的なパラメータ（Physical Parameter）であって、基板のフェルミポテンシャルともいう。

前述したボディバイアシングを通じて、駆動トランジスタＤＲＴのしきい電圧（Ｖｔｈ）を増加または減少させて、パワー供給回路ＰＳＣのＤＣ−ＤＣコンバータが基底電圧（ＥＶＳＳ）を生成する時に発生するノイズによる基底電圧（ＥＶＳＳ）の変動が誘発させることができる電流変動を低減または防止することができる。

図８は、実施形態に従う有機発光表示装置１００において、シンプルなボディバイアシング（Simple Body Biasing）技法を示した図である。

図８を参照すると、実施形態に従う有機発光表示装置１００において、パワー供給回路ＰＳＣで基底電圧（ＥＶＳＳ）が出力される出力端と駆動トランジスタＤＲＴのボディＮｂと直接的に連結できる。

この場合、パワー供給回路ＰＳＣから出力された基底電圧（ＥＶＳＳ）は、ピクセルアレイ１１０での有機発光ダイオードＯＬＥＤの第２電極Ｅ２に印加される。また、パワー供給回路ＰＳＣから出力された基底電圧（ＥＶＳＳ）は駆動トランジスタＤＲＴのボディＮｂにもボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）として印加される。

したがって、パワー供給回路ＰＳＣは有機発光ダイオードＯＬＥＤの第２電極Ｅ２（例：カソード電極）に共通電圧（Ｖｃｏｍ）に該当する基底電圧（ＥＶＳＳ）を供給し、共通電圧（Ｖｃｏｍ）と対応するボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）を駆動トランジスタＤＲＴのボディＮｂにも供給することができる。

これによれば、有機発光表示装置１００は、パワー供給回路ＰＳＣから基底電圧（ＥＶＳＳ）が出力される出力端と駆動トランジスタＤＲＴのボディＮｂとの間に別途の回路を追加しなくても、シンプルなボディバイアシングを提供することができる。

図９は、実施形態に従う有機発光表示装置１００において、適応的なボディバイアシング（Adaptive Body Biasing）技法のためのボディバイアシング回路９００を示した図である。図１０は、実施形態に従う有機発光表示装置１００において、適応的なボディバイアシング技法のためのボディバイアシング回路９００をより詳細に示した図である。図１１は、実施形態に従う有機発光表示装置１００において、適応的なボディバイアシング技法のためのボディバイアシング回路９００を適用した場合、駆動トランジスタＤＲＴのボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）の例示である。

図９を参照すると、実施形態に従う有機発光表示装置１００は、駆動トランジスタＤＲＴのボディＮｂとパワー供給回路ＰＳＣとの間に連結されるボディバイアシング回路９００をさらに含むことができる。

ボディバイアシング回路９００は、共通電圧（Ｖｃｏｍ）に該当する基底電圧（ＥＶＳＳ）と対応するボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）を駆動トランジスタＤＲＴのボディＮｂに印加させることができる。

即ち、ボディバイアシング回路９００は、パワー供給回路ＰＳＣから出力された基底電圧（ＥＶＳＳ）の入力を受けて、基底電圧（ＥＶＳＳ）に対応するボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）を生成し、生成されたボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）をピクセルアレイ１１０での各駆動トランジスタＤＲＴのボディＮｂに印加することができる。

前述したボディバイアシング回路９００を利用すれば、パワー供給回路ＰＳＣから出力された基底電圧（ＥＶＳＳ）を用いて、基底電圧（ＥＶＳＳ）の変動がダイナミックに発生する状況に対して、ボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）を適応的に調節して駆動トランジスタＤＲＴのボディＮｂに印加することができる。

図１０を参照すると、ボディバイアシング回路９００はサブピクセルＳＰを駆動するための駆動電圧及び基底電圧（ＥＶＳＳ）の間の分配電圧（Ｖｄ）を出力する電圧分配回路１０１０と出力回路１０２０などを含むことができる。

電圧分配回路１０１０は、駆動トランジスタＤＲＴの第３ノードＮ３に印加される駆動電圧（ＥＶＤＤ）と基底電圧（ＥＶＳＳ）との間の分配電圧（Ｖｄ）を出力することができる。

出力回路１０２０は、分配電圧（Ｖｄ）に該当するボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）または分配電圧（Ｖｄ）が増幅されたボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）を駆動トランジスタＤＲＴのボディＮｂに出力することができる。

ここで、出力回路１０２０は増幅器を含むことができる。

電圧分配回路１０１０は、駆動電圧及び基底電圧（ＥＶＳＳ）の間に連結された多数の抵抗（Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５）を含む抵抗ストリングＲＳＴＲと、抵抗ストリングＲＳＴＲで多数の地点（ａ、ｂ、ｃ、ｄ）のうち、いずれか一地点を選択して出力回路１０２０の入力ノードに電気的に連結するスイッチング回路ＭＵＸなどを含むことができる。

スイッチング回路ＭＵＸのスイッチング動作はコントローラＣＯＮＴにより制御されるか、またはボディバイアシング回路９００の内部または外部に存在する制御ユニットにより制御できる。

これによって、ボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）の基準ボディ電圧値（Ｖｂｏｄｙ＿ｒｅｆ）、振幅などを制御することができる。

図１１を参照すると、例えば、スイッチ回路ＭＵＸが抵抗ストリングＲＳＴＲで多数の地点（ａ、ｂ、ｃ、ｄ）のうち、ａ地点を出力回路１０２０の入力ノードに連結する場合（ｃａｓｅ１）、ボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ＿ａ）は第１基準ボディ電圧値（Ｖｂｏｄｙ＿ｒｅｆ＿ａ）、第１ボディ電圧振幅（ＡＭＰａ）を有する。

この場合、ボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ＿ａ）は以下の＜数式２＞の通りである。＜数式２＞で、Ｋは出力回路１０２０での電圧増幅ゲインである。

スイッチ回路ＭＵＸが抵抗ストリングＲＳＴＲで多数の地点（ａ、ｂ、ｃ、ｄ）のうち、ｄ地点を出力回路１０２０の入力ノードに連結する場合（ｃａｓｅ２）、ボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ＿ｄ）は第２基準ボディ電圧値（Ｖｂｏｄｙ＿ｒｅｆ＿ｄ）、第２ボディ電圧振幅（ＡＭＰｄ）を有する。

この場合、ボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ＿ｄ）は以下の＜数式３＞の通りである。＜数式３＞で、Ｋは出力回路１０２０での電圧増幅ゲインである。

スイッチ回路ＭＵＸが抵抗ストリングＲＳＴＲでａ地点を出力回路１０２０の入力ノードに連結する場合（ｃａｓｅ１）のボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ＿ａ）の第１ボディ電圧振幅（ＡＭＰａ）は、スイッチ回路ＭＵＸが抵抗ストリングＲＳＴＲでｄ地点を出力回路１０２０の入力ノードに連結する場合（ｃａｓｅ２）のボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ＿ｄ）の第２ボディ電圧振幅（ＡＭＰｄ）より大きいことがある。

スイッチ回路ＭＵＸが抵抗ストリングＲＳＴＲでａ地点を出力回路１０２０の入力ノードに連結する場合（ｃａｓｅ１）のボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ＿ａ）の第１基準ボディ電圧値（Ｖｂｏｄｙ＿ｒｅｆ＿ａ）は、スイッチ回路ＭＵＸが抵抗ストリングＲＳＴＲでｄ地点を出力回路１０２０の入力ノードに連結する場合（ｃａｓｅ２）のボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ＿ｄ）の第２基準ボディ電圧値（Ｖｂｏｄｙ＿ｒｅｆ_ｂ）と同一または相異することがある。

図１２は、実施形態に従う有機発光表示装置１００において、ノイズが発生した基底電圧（ＥＶＳＳ）と、ボディバイアシング技法を適用した場合のボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）と有機発光ダイオードＯＬＥＤの電流変化を示した図である。

共通電圧（Ｖｃｏｍ）に該当する基底電圧（ＥＶＳＳ）は一定の基準基底電圧値（ＥＶＳＳ＿ｒｅｆ、パワー供給回路ＰＤＣから出力した電圧値である）を有せず、ＤＣ−ＤＣコンバータの電圧生成動作により発生したノイズによって変動する。

変動する基底電圧（ＥＶＳＳ）と対応するボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）が駆動トランジスタＤＲＴのボディＮｂに印加される。

ここで、ボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）は基準ボディ電圧値（Ｖｂｏｄｙ＿ｒｅｆ）とボディ電圧振幅を有することができる。

基準ボディ電圧値（Ｖｂｏｄｙ＿ｒｅｆ）は、基底電圧（ＥＶＳＳ）は一定の基準基底電圧値（ＥＶＳＳ＿ｒｅｆ）と同一または相異することがある。

ボディ電圧振幅は、基底電圧（ＥＶＳＳ）の振幅と同一または相異することがある。

一方、ボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）は共通電圧（Ｖｃｏｍ）に該当する基底電圧（ＥＶＳＳ）の波形と対応する波形を有することができる。

ボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）は、共通電圧（Ｖｃｏｍ）に該当する基底電圧（ＥＶＳＳ）の振幅変化によって変わる振幅を有することができる。

このように、ノイズにより変動する基底電圧（ＥＶＳＳ）と対応するボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）が駆動トランジスタＤＲＴのボディＮｂに印加されることによって、駆動トランジスタＤＲＴのしきい電圧変動が発生して（＜数式１＞参照）、図１２に図示したように、有機発光ダイオードＯＬＥＤに流れる電流（Ｉｏｌｅｄ）の電流変動幅は減ることがある。

言い換えると、図１２のようにボディバイアシング技法を適用した場合の電流変動幅は、図６のようにボディバイアシング技法を適用しない場合の電流変動幅に比べて、相当に減ることがある（例えば、１／１０位減少）。

以上で前述した有機発光表示装置１００は、ピクセルアレイＰＸＬがガラス基板などを使用した表示パネルに存在し、ソース駆動回路ＳＤＣ及びゲート駆動回路ＧＤＣなどは多様な方式により表示パネルと電気的に連結される一般的なディスプレイでありうる。

これとは異なり、有機発光表示装置１００は非常に小さく製作されて仮想現実機器または拡張現実機器などの電子機器に活用されるマイクロディスプレイでありうる。

以下、マイクロディスプレイタイプの有機発光表示装置１００を活用した電子機器について説明する。

図１３は、実施形態に従う有機発光表示装置１００を用いた電子機器１３００を示した図である。

図１３を参照すると、実施形態に従う電子機器１３００は拡張現実または仮想現実映像を表示するヘッドセットタイプの機器である。

実施形態に従う電子機器１３００は、映像信号が入力される映像信号入力部１３１０と、映像信号に基づいた第１映像（例：左眼映像）が表示される第１ディスプレイユニット１３２０Ｌと、映像信号に基づいた第２映像（例：右眼映像）が表示される第２ディスプレイユニット１３２０Ｒと、映像信号入力部１３１０、第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び第２ディスプレイユニット１３２０Ｒを収納するケース１３３０などを含むことができる。

映像信号入力部１３１０は、映像データを出力する端末（例：スマートフォンなど）と連結される有線ケーブルまたは無線通信モジュールなどを含むことができる。

第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び第２ディスプレイユニット１３２０Ｒは、ユーザの左眼と右眼と対応する位置にある表示構成である。

第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び第２ディスプレイユニット１３２０Ｒの各々は、有機発光表示装置１００の全体または一部を含むことができる。

図１４は、実施形態に従う電子機器１３００の第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び第２ディスプレイユニット１３２０Ｒの各々の具現例示図である。

図１４を参照すると、実施形態に従う電子機器１３００の第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び第２ディスプレイユニット１３２０Ｒの各々は、シリコン基板１４００と、シリコン基板１４００のピクセルアレイ区域上に配列された多数のサブピクセルＳＰを含むピクセルアレイＰＸＬと、シリコン基板１４００の回路区域上に配置された駆動回路（ＳＤＣ、ＧＤＣ、ＣＯＮＴなど）を含むことができる。

実施形態に従う電子機器１３００の第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び第２ディスプレイユニット１３２０Ｒは、半導体工程を通じて、同一なシリコンウエハ（Silicon Wafer）または互いに異なるシリコンウエハ（Silicon Wafer）で製作できる。

実施形態に従う電子機器１３００は、ボディバイアシング（Body Biasing）を遂行することができる。

実施形態に従う電子機器１３００は、ボディバイアシングを通じて、第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び第２ディスプレイユニット１３２０Ｒの各々で、多数のサブピクセルＳＰに共通に印加される共通電圧（Ｖｃｏｍ）に該当する基底電圧（ＥＶＳＳ）と対応するボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）が多数のサブピクセルＳＰの各々での駆動トランジスタＤＲＴのボディＮｂに印加できる。

前述したようなボディバイアシングを通じて、電子機器１３００は基底電圧（ＥＶＳＳ）の生成時に発生するノイズによる基底電圧（ＥＶＳＳ）の変動が発生しても、基底電圧（ＥＶＳＳ）の変動に従う画像品質低下を防止することができる。

前述したように、実施形態に従う電子機器１３００は拡張現実機器または仮想現実機器でありうる。

したがって、実施形態に従う電子機器１３００を利用すれば、ユーザはより実感がわく拡張現実または仮想現実を満喫することができる。

一方、実施形態に従う電子機器１３００は、第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び第２ディスプレイユニット１３２０Ｒの各々が動作することに必要な電圧を供給するパワー供給回路ＰＳＣと、第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び第２ディスプレイユニット１３２０Ｒの各々での駆動トランジスタＤＲＴのボディＮｂにボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）を供給するボディバイアシング回路９００をさらに含むことができる。

パワー供給回路ＰＳＣは、第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び第２ディスプレイユニット１３２０Ｒの各々に対応して存在することができる。これとは異なり、第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び第２ディスプレイユニット１３２０Ｒはパワー供給回路ＰＳＣを共有することができる。

即ち、パワー供給回路ＰＳＣは１つまたは２つでありうる。

パワー供給回路ＰＳＣは、第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び／又は第２ディスプレイユニット１３２０Ｒに含まれることができる。即ち、パワー供給回路ＰＳＣは第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び／又は第２ディスプレイユニット１３２０Ｒのシリコン基板１４００上に位置することができる。

一方、パワー供給回路ＰＳＣは１つ以上のパワー関連回路で構成できる。この場合、パワー供給回路ＰＳＣの一部は、第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び／又は第２ディスプレイユニット１３２０Ｒの外部に存在することができる。

ボディバイアシング回路９００は、第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び第２ディスプレイユニット１３２０Ｒの各々に対応して存在することができる。これとは異なり、第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び第２ディスプレイユニット１３２０Ｒはボディバイアシング回路９００を共有することができる。

即ち、ボディバイアシング回路９００は１つまたは２つでありうる。

ボディバイアシング回路９００は、第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び／又は第２ディスプレイユニット１３２０Ｒに含まれることができる。即ち、ボディバイアシング回路９００は、第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び／又は第２ディスプレイユニット１３２０Ｒのシリコン基板１４００上に位置することができる。

一方、ボディバイアシング回路９００内の一部構成は、第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び／又は第２ディスプレイユニット１３２０Ｒの外部に存在することができる。

ボディバイアシング回路９００は、駆動トランジスタＤＲＴのボディＮｂとパワー供給回路ＰＳＣとの間に連結され、共通電圧（Ｖｃｏｍ）と対応するボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）を駆動トランジスタＤＲＴのボディＮｂに印加させることができる。

前述したように、ボディバイアシング回路９００は、駆動トランジスタＤＲＴの第３ノードＮ３に印加される駆動電圧（ＥＶＤＤ）と共通電圧（Ｖｃｏｍ）との間の分配電圧（Ｖｄ）を出力する電圧分配回路１０１０と、分配電圧（Ｖｄ）に該当するボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）または分配電圧（Ｖｄ）が増幅されたボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）を駆動トランジスタＤＲＴのボディＮｂに出力する出力回路１０２０などを含むことができる。

図１５は、実施形態に従う電子機器１３００の第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び第２ディスプレイユニット１３２０Ｒの各々で、駆動トランジスタＤＲＴのボディ電圧印加構造を示した図である。

実施形態に従う電子機器１３００の第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び第２ディスプレイユニット１３２０Ｒの各々では、ボディバイアシングがなされることができる。

実施形態に従う電子機器１３００の第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び第２ディスプレイユニット１３２０Ｒの各々には基底電圧（ＥＶＳＳ）が印加される第２電極Ｅ２がピクセルアレイ領域の前面に配置できる。

パワー供給回路ＰＳＣは、基底電圧（ＥＶＳＳ）を生成して出力するＤＣ−ＤＣコンバータを含むことができる。

ＤＣ−ＤＣコンバータが基底電圧（ＥＶＳＳ）を生成する時、ノイズが発生することがある。

これによって、ＤＣ−ＤＣコンバータから出力される基底電圧（ＥＶＳＳ）はノイズ成分を含むようになって電圧値が一定でなく、変動するようになる。

このような基底電圧（ＥＶＳＳ）の変動によって有機発光ダイオードＯＬＥＤに流れる電流（Ｉｏｌｅｄ）の変化が発生し、これによって画像品質が低下することがある。

これを防止するために、実施形態に従う電子機器１３００はボディバイアシング構造を含むことができる。

実施形態に従う電子機器１３００の第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び第２ディスプレイユニット１３２０Ｒの各々には、ボディバイアシング回路９００と各サブピクセル内の駆動トランジスタＤＲＴのボディＮｂを電気的に連結する連結パターン１５００が配置できる。

ボディバイアシング回路９００から出力されたボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）は、連結パターン１５００を通じて各駆動トランジスタＤＲＴのボディＮｂに印加される。

一方、図１５に図示したように、実施形態に従う電子機器１３００の第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び第２ディスプレイユニット１３２０Ｒの各々で、ピクセルアレイＰＸＬ及び駆動回路（ＳＤＣ、ＧＤＣ、ＣＯＮＴなど）はシリコン基板１４００上に配置されるため、ピクセルアレイＰＸＬに配置される駆動トランジスタＤＲＴは、駆動回路でのトランジスタと同様に、半導体工程で作られることができるＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）タイプでありうる。ここで、ＭＯＳＦＥＴタイプはＣＭＯＳ（Complementary Metal-Oxide Semiconductor）を含むことができる。場合によって、ピクセルアレイＰＸＬに配置される駆動トランジスタＤＲＴは非晶質シリコンＴＦＴ（Amorphous Silicon TFT）、ＬＴＰＳ（Low-Temperature Polycrystalline Silicon）などのポーリシリコンＴＦＴ（Poly Silicon TFT）、オキサイドＴＦＴ（Oxide TFT）、及び有機物ＴＦＴ（Organic TFT）などの多様なＴＦＴのうちの１つでありうる。

したがって、実施形態に従う電子機器１３００の第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び第２ディスプレイユニット１３２０Ｒの各々で、駆動回路（ＳＤＣ、ＧＤＣ、ＣＯＮＴなど）に含まれたトランジスタだけでなく、ピクセルアレイＰＸＬでのトランジスタ（ＤＲＴ、Ｔ１、Ｔ２など）も半導体工程でシリコン基板１４００上に共に形成することができる。

図１６及び図１７は、実施形態に従う電子機器１３００の第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び第２ディスプレイユニット１３２０Ｒの各々で、ＭＯＳＦＥＴタイプの駆動トランジスタＤＲＴが形成された領域に対する簡単な断面図である。

図１６の断面図を参照すると、シリコン基板１４００のピクセルアレイ領域にＮ−タイプＭＯＳＦＥＴ（ＮチャンネルのＭＯＳＦＥＴ）である駆動トランジスタＤＲＴが形成される。

一例に、シリコン基板１０はＰ−タイプの基板（P-Substrate）でありうる。

シリコン基板１４００で、駆動トランジスタＤＲＴのソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄと対応する位置にＮ＋ソース領域（Source Region）、Ｎ＋ドレイン領域（Drain Region）が形成される。Ｎ＋ソース領域（Source Region）、Ｎ＋ドレイン領域（Drain Region）の間にはＮチャンネルが形成できる。

ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄに該当するＮ＋ソース領域（Source Region）及びＮ＋ドレイン領域（Drain Region）の間で、Ｎ＋ソース領域（Source Region）及びＮ＋ドレイン領域（Drain Region）が存在する層の上または下にゲート電極Ｇが存在することができる。ここで、図１６は概念的に簡略に図示したものであって、絶縁層、平坦化層などがさらに存在することができる。

一方、ＭＯＳＦＥＴに該当する駆動トランジスタＤＲＴはシリコン基板１４００に直ちに形成されることもできるが、１つ以上のウェル（Well）に形成できる。このような“ウェル（Well）”は“井戸”ともいうが、シリコン基板１４００のタイプ（Ｎ−タイプ、Ｐ−タイプ）、ＭＯＳＦＥＴのタイプなどによってＰ−ウェル（Ｐ−タイプウェル）またはＮ−ウェル（Ｎ−タイプウェル）でありうる。

例えば、図１６に図示したように、Ｐ−基板（P-Substrate）であるシリコン基板１４００にディープＮ−ウェル（Deep N-Well）が形成され、ディープＮ−ウェル（Deep N-Well）内にＰ−ウェル（P-Well）が形成できる。このようなＰ−ウェル（P-Well）にソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄに該当するＮ＋ソース領域（Source Region）及びＮ＋ドレイン領域（Drain Region）が形成できる。

一方、Ｐ−ウェル（P-Well）には駆動トランジスタＤＲＴのボディ（Ｎｂ、ボディ電極ともいう）がＰ＋タイプで位置することができる。

このようなＰ＋タイプのボディＮｂにはボディバイアシングのためのボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）が印加される。

一方、１つのＰ−ウェル（P-Well）には１つの駆動トランジスタＤＲＴが存在することもでき、２つ以上の駆動トランジスタＤＲＴが存在することもできる。

１つのディープＮ−ウェル（Deep N-Well）には１つのＰ−ウェル（P-Well）が存在することもでき、２つ以上のＰ−ウェル（P-Well）が存在することもできる。

図１７の断面図を参照すると、シリコン基板１４００のピクセルアレイ領域にＰ−タイプＭＯＳＦＥＴ（ＰチャンネルのＭＯＳＦＥＴ）である駆動トランジスタＤＲＴが形成される。

一例に、シリコン基板１０はＰ−タイプの基板（P-Substrate）でありうる。

シリコン基板１４００で、駆動トランジスタＤＲＴのソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄと対応する位置にＰ＋ソース領域（Source Region）、Ｐ＋ドレイン領域（Drain Region）が形成される。Ｐ＋ソース領域（Source Region）、Ｐ＋ドレイン領域（Drain Region）の間にはＰチャンネルが形成できる。

ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄに該当するＰ＋ソース領域（Source Region）及びＰ＋ドレイン領域（Drain Region）の間で、Ｐ＋ソース領域（Source Region）及びＰ＋ドレイン領域（Drain Region）が存在する層の上または下にゲート電極Ｇが存在することができる。ここで、図１７は概念的に簡略に図示したものであって、絶縁層、平坦化層などがさらに存在することができる。

一方、ＭＯＳＦＥＴに該当する駆動トランジスタＤＲＴはシリコン基板１４００に直ちに形成されることもできるが、１つ以上のウェル（Well）に形成できる。このような“ウェル（Well）”は“井戸”ともいうが、シリコン基板１４００のタイプ（Ｎ−タイプ、Ｐ−タイプ）、ＭＯＳＦＥＴのタイプなどによってＰ−ウェル（Ｐ−タイプウェル）またはＮ−ウェル（Ｎ−タイプウェル）でありうる。

例えば、図１７に図示したように、Ｐ−基板（P-Substrate）であるシリコン基板１４００のＮ−ウェル（N-Well）に形成できる。このようなＮ−ウェル（N-Well）にソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄに該当するＰ＋ソース領域（Source Region）及びＰ＋ドレイン領域（Drain Region）が形成できる。

一方、Ｎ−ウェル（P-Well）には駆動トランジスタＤＲＴのボディ（Ｎｂ、ボディ電極という）がＮ＋タイプで位置することができる。

このようなＮ＋タイプのボディＮｂにはボディバイアシングのためのボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）が印加される。

一方、１つのＮ−ウェル（N-Well）には１つの駆動トランジスタＤＲＴが存在することもでき、２つ以上の駆動トランジスタＤＲＴが存在することもできる。

実施形態によれば、ノイズによる共通電圧の変動が発生しても、共通電圧の変動による画像品質の低下が防止できる表示装置１００、電子機器１３００、及びボディバイアシング回路９００を提供することができる。

実施形態によれば、ノイズによる共通電圧の変動が発生しても、共通電圧の変動により有機発光ダイオードに流れる電流変動幅が大きくなることを防止することができる表示装置１００、電子機器１３００、及びボディバイアシング回路９００を提供することができる。

実施形態によれば、仮想現実機器または拡張現実機器に適用されることができ、優れる画像品質を有する表示装置１００、電子機器１３００、及びボディバイアシング回路９００を提供することができる。

以上の説明及び添付の図面は本発明の技術思想を例示的に示したことに過ぎないものであって、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者であれば本発明の本質的な特性から逸脱しない範囲で構成の結合、分離、置換、及び変更などの多様な修正及び変形が可能である。したがって、本発明に開示された実施形態は本発明の技術思想を限定するためのものでなく、説明するためのものであり、このような実施形態によって本発明の技術思想の範囲が限定されるものではない。本発明の保護範囲は請求範囲により解釈されなければならず、それと同等な範囲内にある全ての技術思想は本発明の権利範囲に含まれるものとして解釈されるべきである。

１００ 表示装置
９００ ボディバイアシング回路
１３００ 電子機器

Claims (13)

1. 多数のデータライン及び多数のゲートラインにより定義される多数のサブピクセルを含むピクセルアレイと、
   前記多数のデータラインを駆動するソース駆動回路と、
   前記多数のゲートラインを駆動するゲート駆動回路と、
   前記ソース駆動回路及び前記ゲート駆動回路を制御するコントローラと、
   前記多数のサブピクセルに共通に印加される共通電圧を出力するパワー供給回路と、
   前記多数のサブピクセルの各々の駆動トランジスタのボディ（Body）と前記パワー供給回路との間に連結され、前記共通電圧と対応するボディ電圧（Body Voltage）を前記駆動トランジスタのボディに印加させるボディバイアシング回路と、を含む、表示装置であって、
   前記ボディバイアシング回路は、前記共通電圧と前記ボディ電圧との差の時間的な変動が及ぼす影響を減らすために、
   前記駆動トランジスタのドレインノードまたはソースノードに印加される駆動電圧と前記共通電圧との間の分配電圧を出力する電圧分配回路と、
   前記分配電圧が増幅された前記ボディ電圧を前記駆動トランジスタのボディに出力する出力回路と、を含む、
   表示装置。
2. 前記ボディ電圧は、前記共通電圧の波形と対応する波形を有する、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記ボディ電圧は、前記共通電圧の振幅変化によって変わる振幅を有する、請求項１に記載の表示装置。
4. 前記多数のサブピクセルの各々には前記駆動トランジスタにより駆動され、アノード電極とカソード電極を有する有機発光ダイオードを含み、
   前記共通電圧は、前記カソード電極に印加される基底電圧である、請求項１に記載の表示装置。
5. 前記パワー供給回路は、ＤＣ−ＤＣコンバータを含む、請求項１に記載の表示装置。
6. 前記共通電圧を供給し、前記共通電圧と対応する前記ボディ電圧を前記駆動トランジスタのボディに供給するパワー供給回路をさらに含む、請求項１に記載の表示装置。
7. 前記ピクセルアレイ、前記ソース駆動回路、前記ゲート駆動回路、及び前記コントローラは、シリコン基板上に配置される、請求項１に記載の表示装置。
8. 映像信号が入力される映像信号入力部と、
   前記映像信号に基づいた第１映像が表示される第１ディスプレイユニットと、
   前記映像信号に基づいた第２映像が表示される第２ディスプレイユニットと、
   前記映像信号入力部、前記第１ディスプレイユニット、及び前記第２ディスプレイユニットを収納するケースと、を含み、
   前記第１ディスプレイユニット及び前記第２ディスプレイユニットの各々は、
   シリコン基板と、
   前記シリコン基板上に配列された多数のサブピクセルを含むピクセルアレイと、
   前記シリコン基板上に配置された駆動回路と、
   前記多数のサブピクセルに共通に印加される共通電圧を出力するパワー供給回路と、
   前記多数のサブピクセルの各々の駆動トランジスタのボディ（Body）と前記パワー供給回路との間に連結され、前記共通電圧と対応するボディ電圧（Body Voltage）を前記駆動トランジスタのボディに印加させるボディバイアシング回路と、を含み、
   前記駆動回路は前記ピクセルアレイの周辺に位置し、
   前記ボディバイアシング回路は、前記共通電圧と前記ボディ電圧との差の時間的な変動が及ぼす影響を減らすために、
   前記駆動トランジスタのドレインノードまたはソースノードに印加される駆動電圧と前記共通電圧との間の分配電圧を出力する電圧分配回路と、
   前記分配電圧が増幅された前記ボディ電圧を前記駆動トランジスタのボディに出力する出力回路と、を含む、電子機器。
9. 前記駆動トランジスタは、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）タイプである、請求項８に記載の電子機器。
10. 仮想現実（ＶＲ：Virtual Reality）機器または拡張現実（ＡＲ：Augmented Reality）機器である、請求項８に記載の電子機器。
11. サブピクセルを駆動するための駆動電圧及び基底電圧の間の分配電圧を出力する電圧分配回路と、
    前記分配電圧が増幅された電圧を前記サブピクセル内の駆動トランジスタのボディにボディ電圧として出力する出力回路と、を含み、
    前記基底電圧と前記ボディ電圧との差の時間的な変動が及ぼす影響を減らす、ボディバイアシング回路。
12. 前記電圧分配回路は、
    前記駆動電圧及び前記基底電圧の間に連結された抵抗ストリングと、
    前記抵抗ストリングで多数の地点のうちの一地点を前記出力回路の入力ノードに連結するスイッチング回路と、を含む、請求項１１に記載のボディバイアシング回路。
13. 前記駆動トランジスタのボディに印加される電圧は、前記基底電圧と対応する波形を有する、請求項１１に記載のボディバイアシング回路。

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