JP6734284B2

JP6734284B2 - 電子機器筐体

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Publication number: JP6734284B2
Application number: JP2017539187A
Authority: JP
Inventors: 晋太郎小松
Original assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date: 2015-09-11
Filing date: 2016-09-07
Publication date: 2020-08-05
Anticipated expiration: 2036-09-07
Also published as: TW201722682A; KR20180051539A; CN108025472A; JPWO2017043524A1; KR102498397B1; CN108025472B; WO2017043524A1; US20180354175A1; TWI687299B

Description

本発明は電子機器筐体に関する。
本願は、２０１５年９月１１日に、日本に出願された特願２０１５−１７９９９０号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

ノートＰＣ（ノートパソコン）、スマートフォン、又はタブレット機器等の携帯情報端末に代表されるような電子機器の普及に伴い、薄型で軽量の製品が市場で強く要望されている。これに伴い、製品を構成する電子機器筐体においても、薄肉性、及び軽量性を有するとともに、内部の電子部品を保護する観点から十分な強度を満足することが強く要求されている。

薄肉性、及び軽量性を実現する観点から、電子機器筐体の材料にはプラスチック材料が採用されている。
例えば特許文献１には、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体（ＡＢＳ）系樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）系樹脂、ＡＢＳ系樹脂とＰＣ系樹脂の混合樹脂、ナイロン系樹脂とポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）系樹脂との混合樹脂、ＡＢＳ系樹脂とポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）系樹脂との混合樹脂、又は液晶ポリエステル（ＬＣＰ）系樹脂等を用い、射出成形により得られた電子機器筐体が開示されている。

特開平７−６０７７７号公報

射出成形においては、金型内で溶融樹脂の流れが合流して融着した部分に細いライン（ウエルドライン）が生じることがある。特に、ゲートを２つ以上設ける必要がある場合には、ウエルドラインの発生は避けられない。このウエルドラインは、融着不良による外観不良や、強度の低下の原因となる。流動性が不十分な樹脂を用いた従来の電子機器筐体は、射出成形の際にゲートを複数設ける必要があり、用いるゲートの数が増えるほどウエルドラインも多く発生する。その結果、成形された電子機器筐体は強度に劣ることがあった。

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、ウエルドラインの数が低減され、かつ薄肉でも強度に優れた電子機器筐体を提供することを課題とする。

本発明の実施態様に係る電子機器筺体は、
［１］液晶ポリエステルと、繊維状充填材とを含有する樹脂組成物を射出成形して得られた電子機器筐体であって、樹脂組成物を充填するゲート１つ当たりの投影面積が１００ｃｍ^２以上であり、さらに、１ゲート当たりの投影面積（ｃｍ^２）と、電子機器筐体の平均厚み（ｃｍ）の比が１０００以上であり、さらに、電子機器筐体の平均厚みが０．０１ｃｍ超過０．２ｃｍ以下であり、該樹脂組成物は、下記一般式（１）、（２）及び（３）で表される繰返し単位を有する液晶ポリエステルと、充填材とを含有することを特徴とする、電子機器筐体である。
（１）−Ｏ−Ａｒ^１−ＣＯ−
（２）−ＣＯ−Ａｒ^２−ＣＯ−
（３）−Ｘ−Ａｒ^３−Ｙ−
（式中、Ａｒ^１は、フェニレン基、ナフチレン基又はビフェニリレン基であり；Ａｒ^２及びＡｒ^３は、それぞれ独立に、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニリレン基又は下記一般式（４）で表される基であり；Ｘ及びＹは、それぞれ独立に、酸素原子又はイミノ基であり；前記Ａｒ^１、Ａｒ^２及びＡｒ^３中の一つ以上の水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキル基又はアリール基で置換されていてもよい。）
（４）−Ａｒ^４−Ｚ−Ａｒ^５−
（式中、Ａｒ^４及びＡｒ^５は、それぞれ独立に、フェニレン基又はナフチレン基であり；Ｚは、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、スルホニル基又はアルキリデン基である。）

また、本発明の実施態様は次の側面も有する。
［１Ａ］液晶ポリエステルと、充填材とを含有する樹脂組成物を射出成形された電子機器筐体であって、前記電子機器筐体の投影面積を、前記電子機器筐体の表面の樹脂組成物の充填ゲート痕の個数で除した、前記充填ゲート痕１つ当たりの投影面積が１００ｃｍ^２以上であり、前記充填ゲート痕１つ当たりの投影面積（ｃｍ^２）を電子機器筐体の平均厚み（ｃｍ）で除した比が１０００以上であり、前記電子機器筐体の平均厚みが０．０１ｃｍを超え０．２ｃｍ以下であり、さらに、前記液晶ポリエステルは、下記一般式（１）、（２）及び（３）で表される群から選ばれる１つ以上の繰返し単位を有する、電子機器筐体。
（１）−Ｏ−Ａｒ^１−ＣＯ−
（２）−ＣＯ−Ａｒ^２−ＣＯ−
（３）−Ｘ−Ａｒ^３−Ｙ−
（式中、Ａｒ^１は、フェニレン基、ナフチレン基又はビフェニリレン基であり；Ａｒ^２及びＡｒ^３は、それぞれ独立にフェニレン基、ナフチレン基、ビフェニリレン基又は下記一般式（４）で表される基であり；Ｘ及びＹは、それぞれ独立に酸素原子又はイミノ基であり；前記Ａｒ^１、Ａｒ^２及びＡｒ^３は、前記Ａｒ^１、Ａｒ^２及びＡｒ^３中の一つ以上の水素原子がそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキル基又はアリール基で置換されているか、又は置換されていない。）
［２Ａ］下記一般式（１）、（２）及び（３）で表される群より選ばれる１つ以上の繰返し単位を有する液晶ポリエステルと、充填材とを含有する樹脂組成物を射出成形する電子機器筐体の製造方法であって、前記電子機器筐体の投影面積（ｃｍ^２）を金型におけるゲートの数で除して得られる金型におけるゲート１つ当たりの投影面積が１００ｃｍ^２以上で、前記金型におけるゲート１つ当たりの投影面積を電子機器筐体の平均厚み（ｃｍ）で除した比が１０００以上で、前記電子機器筐体の平均厚みが０．０１ｃｍを超え０．２ｃｍ以下となるよう形成された金型に対して、溶融状態の前記樹脂組成物を充填し、前記樹脂組成物を冷却し固化する、電子機器筐体の製造方法。
（１）−Ｏ−Ａｒ^１−ＣＯ−
（２）−ＣＯ−Ａｒ^２−ＣＯ−
（３）−Ｘ−Ａｒ^３−Ｙ−
（式中、Ａｒ^１は、フェニレン基、ナフチレン基又はビフェニリレン基であり；Ａｒ^２及びＡｒ^３は、それぞれ独立に、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニリレン基又は下記一般式（４）で表される基であり；Ｘ及びＹは、それぞれ独立に、酸素原子又はイミノ基であり；前記Ａｒ^１、Ａｒ^２及びＡｒ^３は、前記Ａｒ^１、Ａｒ^２及びＡｒ^３中の一つ以上の水素原子がそれぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキル基又はアリール基で置換されているか、又は置換されていない。）
（４）−Ａｒ^４−Ｚ−Ａｒ^５−
（式中、Ａｒ^４及びＡｒ^５は、それぞれ独立に、フェニレン基又はナフチレン基であり；Ｚは、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、スルホニル基又はアルキリデン基である。）

本発明によれば、ウエルドラインの数が低減され、かつ薄肉でも強度に優れた電子機器筐体を提供することができる。

本実施形態の電子機器筐体の一例を示す概略図である。実施例のＰＣ筐体のを示す図である。実施例のＰＣ筐体のゲート数が４の場合のゲート位置を示す図である。図３ＡのＰＣ筐体のゲート位置を示す斜視図である。実施例のＰＣ筐体のゲート数が３の場合のゲート位置を示す図である。図４ＡのＰＣ筐体のゲート位置を示す斜視図である。実施例のＰＣ筐体のゲート数が１２の場合のゲート位置を示す図である。図５ＡのＰＣ筐体のゲート位置を示す斜視図である。実施例のＰＣ筐体の試験片の切取位置を示す図である。実施例の曲げ弾性率試験において、試験片Ａに治具を押し付ける位置を示す概略斜視図である。実施例の曲げ弾性率試験において、試験片Ｂに治具を押し付ける位置を示す概略斜視図である。

＜電子機器筐体＞
本実施形態の電子機器筐体について説明する。
本実施形態の電子機器筐体は、電気・電子機器を構成する筐体であって、ノートＰＣ（ここでＰＣはパーソナルコンピュータ、パソコンとも呼ぶ）、スマートフォン、又はタブレット機器等の携帯情報端末に代表されるような種々の電子機器を構成する筐体である。本実施形態における電子機器筐体は、特に、前記電子機器の外面を構成する部品のうちの１つを指し、さらに特には、そのような部品のうち後述する投影面積が１００ｃｍ^２以上の部品を指す。
図１に本実施形態の電子機器筐体の一例として、ノートＰＣの筐体１００を示す。筺体１００は、平面板１１と、その縁部の少なくとも１部に略垂直に伸びた縁板１２とを備えて概略構成される。平面板１１は、他の部材が挿入可能な孔１３を備えている。筺体は長辺の一つに沿って、他の部材との接続等に用いる切欠１４を備えている。筺体の切欠１４の設けられた側とは逆側の長辺には、曲面状をなして平面板１１に対して略垂直に伸びる曲面縁板１５を備えている。図１に示すノートＰＣの筐体１００において、筺体の長尺方向の大きさＬ１は約２０ｃｍ以上４０ｃｍ以下であり、筺体の短尺方向の大きさＬ２（曲面縁板を除く）は約２０ｃｍ以上３０ｃｍ以下である。また、筐体の平均厚みの大きさＬ３は、０．０１ｃｍ以上０．２ｃｍ以下である。筐体の平均厚みの大きさＬ３は、０．０１ｃｍ以上０．１８ｃｍ以下であることが好ましく、０．０３ｃｍ以上０．１５ｃｍ以下であることがより好ましい。

より好ましい範囲を図２に示すと、切欠１４の、筐体の短辺の端部（図では左端部）から離れた側の端部までの距離Ｌ４は、２００〜３００ｍｍが好ましい。孔１３の、筺体の短辺の端部から離れた側の端部までの距離Ｌ５は、１６０〜２６０ｍｍが好ましい。孔１３の筐体の短辺の端部に近い側の端部までの距離Ｌ６は、９０〜１９０ｍｍが好ましい。切欠１４の筐体の短辺の端部に近い端部までの距離Ｌ７は、１０〜１００ｍｍが好ましい。切欠１４の幅Ｌ８は、１０〜１００ｍｍが好ましい。孔１３の筐体の長辺の端部（図では上端部）に近い端部までの距離Ｌ９は、３５〜１３５ｍｍが好ましい。孔１３の筐体の長辺の端部から遠い端部までの距離Ｌ１０は、１１５〜２１５ｍｍが好ましい。平面板１１と曲面縁板１５とを含む筐体の大きさＬ１１は、２１０〜４２０ｍｍが好ましい。これらは筐体の大きさであるＬ１〜Ｌ３の範囲内で設定できる。本実施形態において電子機器筐体の大きさは上述の値などに限定されず、適宜設計できる。

なお「平均厚み」とは、電子機器筐体１００の平面板１１の厚みを複数点（例えば、平面板１１上の、縁板１２や切欠１３以外の無作為の部位を１０〜４０点）測定し、その算術平均値を算出した値をいう。

本明細書において、「投影面積」とは電子機器筐体の寸法（大きさ）を示す尺度である。電子機器筐体が複雑な形状等を有する場合にその寸法を投影面積（単位：ｃｍ^２）に換算して表示することができる。投影面積とは、より具体的には、電子機器筐体の上面に対して、垂直方向から平行光線を照射したときの、当前記垂直方向と直交する平面に映される影の面積をいう。

本実施形態の電子機器筐体は、特定の樹脂組成物を射出成形して得られたものである。前記射出成形は、複数のゲートを有する金型内に溶融した樹脂材料を射出し、冷却した固化した後に成形体を取り出す成形方法である。

本実施形態の電子機器筐体は、成形された電子機器筺体の前記投影面積について、射出成型の際に前記樹脂組成物を充填された際のゲート１つ当たりの投影面積が上記の面積となるように、ゲート数及びゲート配置を調整して成形される。ここで、本実施形態の金型におけるゲートの数及び金型におけるゲートの配置は、成形された電子機器筺体においては、後述する充填ゲート痕から測定できる。金型におけるゲート数の設定は、成形する電子機器筐体の投影面積をゲートの数で除した場合に、ゲート１つ当たりの投影面積が１００ｃｍ^２以上となるように算出し、さらに成形する電子機器筐体の形状に応じて適宜調整すればよい。上記金型におけるゲート１つあたりの投影面積を１００ｃｍ^２以上とすることで、ゲートの数を少なくし、ウエルドラインの発生を防ぐことができる。
本実施形態においては、前記金型におけるゲート１つ当たりの投影面積は１１０ｃｍ^２以上が好ましく、１２０ｃｍ^２以上がより好ましい。金型におけるゲート１つ当たりの投影面積の上限値は特に限定されないが、６００ｃｍ^２以下であることが好ましく、４５０ｃｍ^２以下であることがより好ましい。すなわち、前記金型におけるゲート１つ当たりの投影面積は１１０〜６００ｃｍ^２、好ましくは１２０〜４５０ｃｍ^２から選択できる。

金型におけるゲートの配置位置は、成形する電子機器筐体の形状により適宜調整すればよく、特に限定されない。しかし、２個以上のゲートを設けた場合、金型内で溶融樹脂の流れが合流した位置にウエルドラインが発生する。例えばウエルドラインが電子機器筐体を横断するように直線状に形成された場合、強度低下の原因となる。電子機器筐体の強度低下を防止するためには、溶融樹脂の流れ方向等を考慮し、ウェルドラインの数及び／又は大きさが最小となるように、金型におけるゲートの配置位置を適宜調整する。位置関係を選択するための方法としては、電子機器筐体の表面において、複数のゲートが可能な限り前記表面に均等に分散されるように、ゲートの位置を設定する。
ゲートの位置を設定する際は、ＣＡＥ（流動解析シミュレーション）の各種ソフトウェアを用いて、溶融樹脂の流れを事前にシミュレートし、上記条件となるようゲートの位置を設定してもよい。あわせて、上述したゲートの数も溶融樹脂の流れから、配置とあわせて設定してもよい。

目安として、前記ゲート間の距離は、溶融樹脂が金型におけるゲートより注入されてから、溶融樹脂が金型に充填されるまでに流れる流動距離に対して、２倍以下であることが好ましい。前記流動距離に影響するものとしては、樹脂の組成や温度等の他に、電子機器筐体の厚みが挙げられるため、後述する電子機器筐体の設計（樹脂の組成、温度及び電子機器筐体の厚み等）に合わせてゲート間の距離を設定する。

金型におけるゲートの位置の具体例として、例えば図３Ａで示すように金型におけるゲートが４つ設けられ、切欠１４のある側の筐体の長辺に沿って、筐体の短辺近くにゲートＧ１及びＧ２、切欠１４に隣接してゲートＧ３、切欠１４のない側の長辺に沿ってゲートＧ４がある場合を示す。なお図３Ａではゲートの位置は、筐体表面のゲート痕の位置で示されている。ゲートＧ１と隣接する短辺（図の左側の短辺）との距離Ｌ１４は１０〜２０ｍｍが好ましい。ゲートＧ１の隣接する短辺との距離Ｌ１５は３５〜５５ｍｍが好ましい。ゲートＧ２と前記短辺との距離Ｌ１２は２９０〜３１０ｍｍが好ましい。ゲートＧ２と隣接する短辺との距離は図に示した例ではゲートＧ１と同じＬ１５だが、３５〜５５ｍｍから別の値を選択してもよい。ゲートＧ３の前記短辺との距離Ｌ１３は１００〜２００ｍｍ、ゲートＧ３と前記長辺との距離Ｌ１６は６０〜７０ｍｍが好ましい。ゲートＧ４と前記短辺との距離は図に示した例ではゲートＧ３と同じＬ１３だが、１００〜２００ｍｍから別の値を選択してもよい。ゲートＧ４と前記長辺との距離は１５０〜２５０ｍｍが好ましい。これらは筐体の大きさであるＬ１〜Ｌ３の範囲内で設定できる。

金型におけるゲートの位置の別の具体例として、例えば図４Ａで示すように金型におけるゲートが３つ設けられ、平面板１０上にゲートＧ５、切欠１４に隣接してゲートＧ６、筐体の短辺近くにゲートＧ７がある場合を示す。ゲートＧ５と近い短辺（図に示す例では左側の辺）との距離Ｌ１７は５０〜１４０ｍｍが好ましい。ゲートＧ５と近い長辺（図に示す例では上側の辺）との距離Ｌ２１は８５〜１８５ｍｍが好ましい。ゲートＧ６と前記短辺との距離Ｌ１８は１００〜２００ｍｍが好ましい。ゲートＧ６と前記長辺との距離Ｌ２０は６０〜８０ｍｍが好ましい。ゲートＧ７の位置は前記Ｌ１２及びＬ１５の範囲から選択してもよい。

なお、成形された電子機器筐体を製造するための金型におけるゲートの個数及び位置は、電子機器筐体上の充填ゲート痕の個数及び位置より推定できる。したがって、成形された電子機器筐体の金型におけるゲート１つ当たりの投影面積は、電子機器筐体の投影面積を充填ゲート痕の個数で除することにより算出できる。
ここで、充填ゲート痕とは、電子機器筺体を成形するにあたって、金型のゲートから樹脂組成物を注入して、金型に樹脂組成物を充填した際に生じる痕である。充填ゲート痕は、成形された電子機器筺体の表面から識別可能である。

また、金型に配置されるゲートの種類は、ピンポイントゲート（ピンゲート）やサブマリンゲート等を用いればよい。また、ゲート径は特に限定されないが、通常、０．１〜５ｍｍであり、中でも０．２〜４ｍｍ、特に０．３〜３．５ｍｍであることが好ましい。

また、本実施形態の電子機器筐体は、前記ゲート１つ当たりの投影面積（ｃｍ^２）と、電子機器筐体の平均厚み（ｃｍ）の比が１０００以上となる条件を満たす薄肉の筐体である。本明細書において、この投影面積（ｃｍ^２）と平均厚み（ｃｍ）の比とは、前記ゲート１つ当たりの投影面積（ｃｍ^２）を前記電子機器筐体の平均厚み（ｃｍ）で除した大きさ（ｃｍ）でも表すことができる。本実施形態においては、投影面積と電子機器筐体の平均厚み（ｃｍ）の比は１１００以上であることが好ましく、１２００以上であることがより好ましい。前記比の上限は特に限定されないが、例えば１８００以下であることが好ましく、１６００以下であることがより好ましい。すなわち、投影面積と電子機器筐体の平均厚み（ｃｍ）の比は１１００〜１８００、好ましくは１２００〜１６００から選択できる。

下記表１に、電子機器筐体の例として、１５型ノートＰＣ、１４型ノートＰＣ、携帯端末１〜２、及び８型タブレットの筐体の一般的な寸法と投影面積の例を記載する。さらに、本実施形態においてそれぞれの電子機器筐体を成形する場合のゲート数と、ゲート１つ当たりの投影面積（ここでは、それぞれの筐体の投影面積を、筺体を成形する際の金型におけるゲートの数で除した値である）の例を記載する。

上記表１に示したとおり本実施形態の電子機器筐体は、１５型ノートＰＣの場合でもゲート数が６つと、少ないゲート数で成形することができる。このためウエルドラインの数が少なく、薄肉であっても強度に優れた電子機器筐体とすることができる。

下記表２に、電子機器筐体の例として、１５型ノートＰＣ、１４型ノートＰＣ、携帯端末１〜２、及び８型タブレットのゲート１つ当たりの投影面積（ｃｍ^２）の例と、それぞれの電子機器筐体の平均厚みと、投影面積と電子機器筐体の平均厚み（ｃｍ）の比の例を記載する。

上記表２に示したとおり、本実施形態の電子機器筐体は、ゲート１つあたりの投影面積と電子機器筐体の平均厚み（ｃｍ）の比が１０００〜１６００の範囲であり、薄肉の筐体である。また、図に示すように、本実施形態は、前記比が１２００〜１５５０の電子機器筐体について好適に使用できる。
本実施形態の電子機器筐体は、前記ゲート１つあたりの投影面積が１００ｃｍ^２以上であることと、前記投影面積と電子機器筐体の平均厚み（ｃｍ）で除した大きさが１０００ｃｍ以上である条件を満たすことで、ウェルドラインの数が少なく、かつ薄肉の筐体となる。そのため、薄肉で軽量かつスペースをとらず、かつ優れた強度を両立した筺体とすることができる。

≪樹脂組成物≫
本実施形態の電子機器筐体を成形するために用いる樹脂組成物について説明する。
本実施形態において樹脂組成物は、下記一般式（１）、（２）及び（３）を含む群から選ばれる１以上で表される繰返し単位を有する液晶ポリエステルと、充填材とを含有する。

（液晶ポリエステル）
本実施形態に用いる液晶ポリエステルは、下記一般式（１）、（２）又は（３）で表される繰返し単位を有する。
（１）−Ｏ−Ａｒ^１−ＣＯ−
（２）−ＣＯ−Ａｒ^２−ＣＯ−
（３）−Ｘ−Ａｒ^３−Ｙ−
（式中、Ａｒ^１は、フェニレン基、ナフチレン基又はビフェニリレン基であり；Ａｒ^２及びＡｒ^３は、それぞれ独立に、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニリレン基又は下記一般式（４）で表される基であり；Ｘ及びＹは、それぞれ独立に、酸素原子又はイミノ基であり；前記Ａｒ^１、Ａｒ^２及びＡｒ^３は、前記Ａｒ^１、Ａｒ^２及びＡｒ^３中の一つ以上の水素原子がそれぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキル基又はアリール基で置換されたものを含む。）
（４）−Ａｒ^４−Ｚ−Ａｒ^５−
（式中、Ａｒ^４及びＡｒ^５は、それぞれ独立に、フェニレン基又はナフチレン基であり；Ｚは、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、スルホニル基又はアルキリデン基である。）

上記一般式（１）〜（３）中、Ａｒ^１、Ａｒ^２又はＡｒ^３で表される前記基中の１個以上の水素原子と置換可能なハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子が挙げられる。

上記一般式（１）〜（３）中、Ａｒ^１、Ａｒ^２又はＡｒ^３で表される前記基中の１個以上の水素原子と置換可能なアルキル基の炭素数は、１〜１０であることが好ましい。前記アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−へプチル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基又はｎ−デシル基等が挙げられる。

上記一般式（１）〜（３）中、Ａｒ^１、Ａｒ^２又はＡｒ^３で表される前記基中の１個以上の水素原子と置換可能なアリール基の例としては、その炭素数は、６〜２０であることが好ましい。前記アリール基の具体例としては、フェニル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、若しくはｐ−トリル基等のような単環式芳香族基、又は１−ナフチル基及び２−ナフチル基等のような縮環式芳香族基が挙げられる。

上記一般式（１）〜（３）中、Ａｒ^１、Ａｒ^２又はＡｒ^３で表される前記基中の１個以上の水素原子がこれらの基で置換されている場合、その置換数は、Ａｒ^１、Ａｒ^２又はＡｒ^３で表される前記基毎に、それぞれ独立に、好ましくは１個又は２個であり、より好ましくは１個である。

上記一般式（４）中、アルキリデン基は、その炭素数は１〜１０であることが好ましい。前記アルキリデン基の具体例としては、メチレン基、エチリデン基、イソプロピリデン基、ｎ−ブチリデン基又は２−エチルヘキシリデン基等が挙げられる。

一般式（１）で表される繰返し単位としては、Ａｒ^１が１，４−フェニレン基であるもの（ｐ−ヒドロキシ安息香酸に由来する繰返し単位）、又はＡｒ^１が２，６−ナフチレン基であるもの（６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸に由来する繰返し単位）が好ましく、Ａｒ^１が２，６−ナフチレン基であるものがより好ましい。

一般式（１）で表される繰返し単位を形成するモノマーとしては、２−ヒドロキシ−６−ナフトエ酸、ｐ−ヒドロキシ安息香酸又は４−（４−ヒドロキシフェニル）安息香酸が挙げられ、さらに、これらのベンゼン環又はナフタレン環の水素原子が、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基又はアリール基で置換されているモノマーも挙げられる。さらに、後述のエステル形成性誘導体であってもよい。

一般式（２）で表される繰返し単位としては、Ａｒ^２が１，４−フェニレン基であるもの（テレフタル酸に由来する繰返し単位）、Ａｒ^２が１，３−フェニレン基であるもの（イソフタル酸に由来する繰返し単位）、Ａｒ^２が２，６−ナフチレン基であるもの（２，６−ナフタレンジカルボン酸に由来する繰返し単位）、又はＡｒ^２がジフェニルエーテル−４，４’−ジイル基であるもの（ジフェニルエーテル−４，４’−ジカルボン酸に由来する繰返し単位）が好ましい。特に、前記繰り返し単位としてはＡｒ^２が１，４−フェニレン基であるもの、又はＡｒ^２が１，３−フェニレン基であるものがより好ましい。

一般式（２）で表される繰返し単位を形成するモノマーとしては、２，６−ナフタレンジカルボン酸、テレフタル酸、イソフタル酸又はビフェニル−４，４’−ジカルボン酸が挙げられ、さらに、これらのベンゼン環又はナフタレン環の水素原子が、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基又はアリール基で置換されているモノマーも挙げられる。さらに、後述のエステル形成性誘導体にして用いてもよい。

一般式（３）で表される繰返し単位としては、Ａｒ^３が１，４−フェニレン基であるもの（ヒドロキノン、ｐ−アミノフェノール又はｐ−フェニレンジアミンに由来する繰返し単位）、及びＡｒ^３が４，４’−ビフェニリレン基であるもの（４，４’−ジヒドロキシビフェニル、４−アミノ−４’−ヒドロキシビフェニル又は４，４’−ジアミノビフェニルに由来する繰返し単位）が好ましい。

一般式（３）で表される繰返し単位を形成するモノマーとしては、２，６−ナフトール、ハイドロキノン、レゾルシン又は４，４’−ジヒドロキシビフェニルが挙げられ、さらに、これらのベンゼン環又はナフタレン環の水素原子が、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基又はアリール基で置換されているモノマーも挙げられる。さらに、後述のエステル形成性誘導体にして用いてもよい。

前記の式（１）、（２）又は（３）で示される構造単位を形成するモノマーは、ポリエステルを製造する過程で重合を容易にするため、エステル形成性誘導体を用いることが好ましい。このエステル形成性誘導体とは、エステル生成反応を促進するような基を有するモノマーを示す。前記エステル形成性誘導体を具体的に例示すると、モノマー分子内のカルボン酸基を酸ハロゲン化物、酸無水物に転換したエステル形成性誘導体や、モノマー分子内のヒドロキシル基（水酸基）を低級カルボン酸エステル基にしたエステル形成性誘導体などの高反応性誘導体が挙げられる。

前記液晶ポリエステルの繰返し単位（１）の含有率は、繰返し単位（１）、繰返し単位（２）及び繰返し単位（３）の合計量１００モル％に対して、好ましくは３０モル％以上１００モル％未満、より好ましくは３０モル％以上８０モル％以下、さらに好ましくは４０モル％以上７０モル％以下、特に好ましくは４５モル％以上６５モル％以下である。

前記液晶ポリエステルの繰返し単位（２）の含有率は、繰返し単位（１）、繰返し単位（２）及び繰返し単位（３）の合計１００モル％に対して、好ましくは０モル％以上３５モル％以下、より好ましくは１０モル％以上３５モル％以下、さらに好ましくは１５モル％以上３０モル％以下、特に好ましくは１７．５モル％以上２７．５モル％以下である。

前記液晶ポリエステルの繰返し単位（３）の含有率は、繰返し単位（１）、繰返し単位（２）及び繰返し単位（３）の合計１００モル％に対して、好ましくは０モル％以上３５モル％以下、より好ましくは１０モル％以上３５モル％以下、さらに好ましくは１５モル％以上３０モル％以下、特に好ましくは１７．５モル％以上２７．５モル％以下である。

すなわち、前記液晶ポリエステルは、繰返し単位（１）、繰返し単位（２）及び繰返し単位（３）の合計を１００モル％として、繰返し単位（１）の含有率が３０モル％以上８０モル％以下であり、繰返し単位（２）の含有率が１０モル％以上３５モル％以下であり、繰返し単位（３）の含有率が１０モル％以上３５モル％以下であることが好ましい。上記値の範囲内で、前記液晶ポリエステルが（１）、（２）又は（３）のうち２以上を含む場合、それぞれの含有率の合計は１００モル％未満である必要がある。

前記液晶ポリエステルは、繰返し単位（１）の含有率が上記の範囲であると、溶融流動性や耐熱性や強度・剛性が向上し易くなる。

前記液晶ポリエステルにおいては、繰返し単位（２）の含有率と繰返し単位（３）の含有率との割合が、［繰返し単位（２）の含有率］／［繰返し単位（３）の含有率］（モル／モル）で表して、好ましくは０．９／１〜１／０．９、より好ましくは０．９５／１〜１／０．９５、さらに好ましくは０．９８／１〜１／０．９８である。

前記液晶ポリエステルは、繰返し単位（１）、繰返し単位（２）及び繰返し単位（３）として、それぞれ２，６−ナフチレン基を含む繰返し単位を有する。
そして、前記液晶ポリエステルは、全繰返し単位の合計を１００モル％として、２，６−ナフチレン基を含む繰り返し単位の含有率が、４０モル％以上である。２，６−ナフチレン基を含む繰り返し単位の含有率が４０モル％以上であると、得られる樹脂組成物は、溶融加工時における流動性がより良好となり、微細な格子構造を有する電子機器筐体の加工により適したものとなる。

なお、前記液晶ポリエステルは、繰返し単位（１）、（２）又は（３）を、それぞれ独立に、１種のみ有してもよいし、２種以上有してもよい。また、前記液晶ポリエステルは、繰返し単位（１）〜（３）以外の繰返し単位を１種又は２種以上有してもよいが、その含有率は、全繰返し単位の合計に対して、好ましくは０モル％以上１０モル％以下、より好ましくは０モル％以上５モル％以下である。

前記液晶ポリエステルは、繰返し単位（３）として、Ｘ及びＹがそれぞれ酸素原子であるものを有すること、すなわち、所定の芳香族ジオールに由来する繰返し単位を有することが、上述の含有率において溶融粘度が低くなり易いので好ましく、繰返し単位（３）として、Ｘ及びＹがそれぞれ酸素原子であるもののみを有することが、より好ましい。

前記液晶ポリエステルは、これを構成する繰返し単位に対応する原料モノマーを溶融重合させ、得られた重合物（プレポリマー）を固相重合させることにより、製造することが好ましい。これにより、耐熱性や強度・剛性が高い高分子量の液晶ポリエステルを操作性よく製造できる。溶融重合は触媒の存在下で行ってもよく、前記触媒の例としては、酢酸マグネシウム、酢酸第一錫、テトラブチルチタネート、酢酸鉛、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、若しくは三酸化アンチモン等の金属化合物や、又は、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン、若しくはＮ−メチルイミダゾール等の含窒素複素環式化合物が挙げられ、好ましくは含窒素複素環式化合物が挙げられる。

前記液晶ポリエステルの流動開始温度は、好ましくは２７０℃以上、より好ましくは２７０℃以上４００℃以下、さらに好ましくは２８０℃以上３８０℃以下である。前記液晶ポリエステルは、流動開始温度を前記下限より高くすることで耐熱性や強度・剛性を向上させることができる。一方で、前記上限より低くすることで、溶融させるために高温を要したり、成形時に熱劣化し易くなったり、溶融時の粘度が高くなって流動性が低下したりすることが少ない。

なお、流動開始温度は、フロー温度又は流動温度とも呼ばれ、毛細管レオメーターを用いて、９．８ＭＰａ（１００ｋｇｆ／ｃｍ^２）の荷重下、４℃／分の速度で昇温しながら、液晶ポリエステルを溶融させ、内径１ｍｍ及び長さ１０ｍｍのノズルから押し出すときに、４８００Ｐａ・ｓ（４８０００ポイズ）の粘度を示す温度であり、液晶ポリエステルの分子量の目安となるものである（小出直之編、「液晶ポリマー−合成・成形・応用−」、株式会社シーエムシー、１９８７年６月５日、ｐ．９５参照）。

前記液晶ポリエステルは、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。

（充填材）
本実施形態の樹脂組成物が含有する充填材について説明する。
本実施形態においては、樹脂組成物が特定の充填材を含有していることにより、成形後の電子機器筐体に十分な強度を付与することができる。
本実施形態の樹脂組成物において用いられる充填材は、無機充填材であってもよいし、有機充填材であってもよい。前記充填材は、繊維状の充填材であってもよく、板状の充填材であってもよい。ここで、充填材が繊維状であるとは、例えば充填材の最も長尺の方向の大きさが他の２方向の大きさの１０倍以上であることを指す。充填材が板状であるとは、例えば充填材の１平面をなす長さ方向及び幅方向と、残りの１方向を厚さ方向とした場合、長さ方向及び幅方向の大きさがいずれも厚さ方向の大きさの３倍以上であることを指す。
前記繊維状の充填材は、繊維状無機充填材であってもよい。前記繊維状無機充填材の例としては、ガラス繊維；パン系炭素繊維若しくはピッチ系炭素繊維等の炭素繊維；シリカ繊維、アルミナ繊維若しくはシリカアルミナ繊維等のセラミック繊維；又はステンレス繊維等の金属繊維が挙げられる。また、チタン酸カリウムウイスカー、チタン酸バリウムウイスカー、ウォラストナイトウイスカー、ホウ酸アルミニウムウイスカー、窒化ケイ素ウイスカー、又は炭化ケイ素ウイスカー等のウイスカーも挙げられる。
本実施形態の樹脂組成物において用いられる充填材は、上記のなかでも繊維状無機充填材が好ましく、繊維状無機充填材のなかでもガラス繊維又は炭素繊維が好ましい。

前記ガラス繊維の例としては、チョップドガラス繊維、又はミルドガラス繊維等、種々の方法で製造されたものが挙げられる。
前記ガラス繊維は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。

前記炭素繊維の例としては、ポリアクリロニトリルを原料とするパン系炭素繊維であってもよいし、石炭タールや石油ピッチを原料とするピッチ系炭素繊維であってもよいし、ビスコースレーヨンや酢酸セルロース等を原料とするセルロース系炭素繊維であってもよいし、又は炭化水素等を原料とする気相成長系炭素繊維であってもよい。前記炭素繊維としては、電子機器筐体の強度が最も向上するパン系炭素繊維が特に好ましい。
また、前記炭素繊維は、チョップド炭素繊維であってもよいし、ミルド炭素繊維であってもよい。前記炭素繊維は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
繊維状無機充填材の数平均繊維径は１〜２０μｍであることが好ましく、５〜１５μｍであることがより好ましい。ここで、数平均繊維径は光学顕微鏡により測定された値である。液晶ポリエステルに配合する前の繊維状無機充填材の数平均繊維長は射出成形する電子機器筐体の形状によって選択されるが、５０μｍ〜１０ｍｍであることが好ましく、１〜９ｍｍであることがより好ましく、２〜７ｍｍであることがさらに好ましい。ここで、数平均繊維長は光学顕微鏡により測定された値である。

本実施形態において樹脂組成物における前記充填材の含有量は、樹脂組成物の流動性を損なわない範囲で適宜調整すればよい。
具体的には、液晶ポリエステル１００質量部に対して、１５質量部以上８０質量部以下であることが好ましく、４０質量部以上６７質量部以下であることがより好ましい。

本実施形態において樹脂組成物は、前記充填材の含有量がこのような範囲であることで、樹脂組成物の十分な流動性を保持しつつ、さらに成形後の電子機器筐体に十分な強度を付与することができる。

（他の成分）
本実施形態において樹脂組成物は、本実施形態の効果を損なわない範囲内において、液晶ポリエステル及び充填材のいずれにも該当しない成分を含有してもよい。
前記他の成分の例としては、前記充填材以外の充填材（以下、「その他の充填材」ということがある。）、添加剤、又は前記液晶ポリエステル以外の樹脂（以下、「その他の樹脂」ということがある。）等が挙げられる。
前記他の成分は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。

前記その他の充填材は、板状充填材又は粒状充填材であってもよい。
ここで粒状とは、球状、楕円体状、多面体状等の形状のものでありえるが、一方向の大きさが他の２方向の大きさに比べて３倍をこえないものをいう。特に本実施形態では、０．１〜１０００μｍの大きさのものをいう。
また、前記その他の充填材は、無機充填材であってもよいし、又は有機充填材であってもよい。

板状無機充填材の例としては、タルク、マイカ、グラファイト、ウォラストナイト、硫酸バリウム又は炭酸カルシウム等が挙げられる。マイカは、白雲母であってもよいし、金雲母であってもよいし、フッ素金雲母であってもよいし、又は四ケイ素雲母であってもよい。

粒状無機充填材の例としては、シリカ、アルミナ、酸化チタン、窒化ホウ素、炭化ケイ素又は炭酸カルシウム等が挙げられる。

本実施形態において樹脂組成物が、前記その他の充填材を含有する場合、前記樹脂組成物のその他の充填材の含有量は、前記液晶ポリエステル１００質量部に対して、０質量部より多く１０質量部以下であることが好ましい。また、前記その他の充填材の含有量は、樹脂組成物の全体質量１００質量部に対して、０質量部より多く８質量部以下であることが好ましい。

前記添加剤の例としては、計量安定剤、離型剤、酸化防止剤、熱安定剤、紫外線吸収剤、帯電防止剤、界面活性剤、難燃剤又は着色剤が挙げられる。

本実施形態において樹脂組成物が、前記添加剤を含有する場合、前記樹脂組成物の添加剤の含有量は、前記液晶ポリエステル１００質量部に対して、０質量部より多く５質量部以下であることが好ましい。また、前記添加剤の含有量は、樹脂組成物の全体質量１００質量部に対して、０質量部より多く３質量部以下であることが好ましい。

前記その他の樹脂の例としては、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリエステル、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルケトン、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリエーテルイミド、若しくはフッ素樹脂等の液晶ポリエステル以外の熱可塑性樹脂；又は、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、若しくはシアネート樹脂等の熱硬化性樹脂が挙げられる。

本実施形態において樹脂組成物が、前記その他の樹脂を含有する場合、前記樹脂組成物のその他の樹脂の含有量は、前記液晶ポリエステル１００質量部に対して、０質量部より多く２０質量部以下であることが好ましい。また、前記その他の樹脂の含有量は、樹脂組成物の全体質量１００質量部に対して、０質量部より多く１５質量部以下であることが好ましい。

本実施形態において樹脂組成物は、前記液晶ポリエステル、充填材、及び必要に応じて用いられる他の成分を、一括で又は適当な順序で混合することにより製造できる。
そして、本実施形態の樹脂組成物は、液晶ポリエステル、充填材、及び必要に応じて用いられる他の成分を、押出機を用いて溶融混練することで、ペレット化したものが好ましい。

本実施形態の電子機器筐体は、流動性に優れる上記の液晶ポリエステルを含有する樹脂組成物を用いたため、１ゲートあたりの投影面積を大きくすることができ、少ないゲート数で成形することができる。少ないゲート数で成形できたことにより、ウエルドラインの数が減少し、かつ薄肉であっても十分な強度を有している。

＜曲げ弾性率＞
本実施形態の電子機器筐体は、曲げ弾性率が少なくとも一方向について測定した値が２０〜５０ＧｐＰａであり、好ましくは、略直交する２方向を含む少なくとも２方向について測定した値がいずれも２０〜５０ＧｐＰａである。
ここで、ある方向についての曲げ弾性率は、筐体の平面板１１から、縁板１２、孔１３又は切欠１４を含まない位置から選んだ１５０×１５０ｍｍの略平面状の部位を切り取って試験片とし、その方向で治具幅１５０ｍｍの治具を当て、３点曲げ試験と同様の測定方法により、標線間距離Ｚを１００ｍｍ、試験速度２ｍｍ／ｓで測定した時の値とする。

＜電子機器筐体の成形方法＞
電子機器筐体は射出成形法により成形できる。
具体的には、電子機器筐体の投影面積を射出成型時の金型のゲートの数で除して得られる、ゲート１つ当たりの投影面積が１００ｃｍ^２以上となるようにゲート数を調整し、溶融状態の前記樹脂組成物を金型内に充填する。前記金型は、ゲート１つ当たりの投影面積（ｃｍ^２）と、電子機器筐体の平均厚み（ｃｍ）の比が１０００以上（または、前記投影面積（ｃｍ^２）を前記平均厚み（ｃｍ）で除した大きさが１０００ｃｍ以上）となる金型を採用する。その後、冷却して固化した後に成形体を取り出せばよい。

本実施形態の電子機器筺体の製造時における押出機の温度は、樹脂組成物に用いられる液晶ポリエステルのモノマー組成に応じて異なるが、上述した液晶ポリエステルの流動開始温度をＦＴとしたとき、ＦＴ〜ＦＴ＋１２０℃の範囲であることが好ましく、ＦＴ〜ＦＴ＋８０℃の範囲であることがより好ましい。例えば、ＦＴが２８０℃の液晶ポリエステルであれば、押出機の温度は２８０〜４００℃が好ましく、２８０〜３６０℃であることがより好ましい。

押出機の温度がＦＴよりも高いことで、液晶ポリエステルないのフィラーの分散が良好となる。さらに、押出機の温度が高いほど、電子機器筺体の耐熱性、強度及び剛性を向上させることができる。一方、押出機の温度がＦＴ＋１２０℃以下であることで、熱劣化による力学特性の低下の可能性が小さく、押出機の温度がＦＴ＋８０℃以下であることで力学特性をさらに好適に調整できる。なお、押出機の温度は、例えば射出成形時のシリンダノズルの温度によって調整できる。

電子機器筺体の成型時の樹脂組成物の温度は、樹脂組成物に用いられる液晶ポリエステルのモノマー組成に応じて異なるが、上述した液晶ポリエステルの流動開始温度をＦＴとしたとき、ＦＴ〜ＦＴ＋１２０℃の範囲であることが好ましく、ＦＴ〜ＦＴ＋８０℃の範囲であることがより好ましい。例えば、ＦＴが２８０℃の液晶ポリエステルであれば、押出機の温度は２８０〜４００℃が好ましく、２８０〜３６０℃であることがより好ましい。なお、樹脂組成物の温度は、例えば射出成形時の射出成形機のシリンダ温度によって調整できる。

電子機器筺体の成型時の樹脂組成物の温度がＦＴ以上であることで、金型内の樹脂組成物の溶融樹脂の流動性が確保でき、別のゲートから充填された樹脂が互いにぶつかるウエルド部において、樹脂組成物の溶融樹脂のぶつかる圧力が一定以上となるので、電子機器筺体の強度がウエルド部において低くなることが少ない。一方、樹脂組成物の温度がＦＴ＋１２０℃以下であることで、成形機シリンダ内での溶融樹脂の滞留による熱劣化の可能性が少なく、樹脂組成物の温度がＦＴ＋８０℃以下であることで力学特性をさらに好適に調整できる。

電子機器筺体の成型時の樹脂組成物の射出率は、２００〜５００ｃｍ^３／ｓであることが好ましく、３００〜４００ｃｍ^３／ｓであることがさらに好ましい。具体的には、φ５８ｍｍのスクリューを用いた場合、電子機器筺体の成型時の樹脂組成物の射出速度は、８０ｍｍ／ｓ以上が好ましい。前記射出率であることで、ウエルド部での樹脂組成物の溶融樹脂のぶつかる圧力が大きくなるため、ウエルド部における強度が上昇する。

以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

・液晶ポリエステルＡ１の製造方法
攪拌装置、トルクメータ、窒素ガス導入管、温度計及び還流冷却器を備えた反応器に、６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸（１０３４．９９ｇ、５．５モル）、２，６−ナフタレンジカルボン酸（３７８．３３ｇ、１．７５モル）、テレフタル酸（８３．０７ｇ、０．５モル）、ヒドロキノン（２７２．５２ｇ、２．４７５モル、２，６−ナフタレンジカルボン酸及びテレフタル酸の合計量に対して０．２２５モル過剰）、無水酢酸（１２２６．８７ｇ、１２モル）、及び触媒として１−メチルイミダゾール（０．１７ｇ）を入れ、反応器内のガスを窒素ガスで置換した後、窒素ガス気流下、攪拌しながら、室温から１４５℃まで１５分間かけて昇温し、１４５℃で１時間還流させた。得られた生成物から副生酢酸及び未反応の無水酢酸を留去しながら、１４５℃から３１０℃まで３．５時間かけて昇温し、３１０℃で３時間保持した後、反応器の内容物を取り出し、これを室温まで冷却した。得られた固形物を、粉砕機で粒径約０．１〜１ｍｍに粉砕後、窒素雰囲気下、室温から２５０℃まで１時間かけて昇温し、ついで２５０℃から３１０℃まで１０時間かけて昇温し、３１０℃で５時間保持することにより、固相重合を行った。固相重合後、冷却して、粉末状の液晶ポリエステルＡ１を得た。この液晶ポリエステルの流動開始温度は３２４℃であった。

表３に示す割合で、液晶ポリエステル等をスクリュー直径３０ｍｍの同方向回転２軸押出機（池貝鉄工社製「ＰＣＭ−３０ＨＳ」）に供給し、表３に示す温度で溶融混練してペレット化することで、樹脂１〜３のペレットを得た。

下記表３中、各記号は以下のものを意味する。また、［］内の数値は配合比（質量部）である。
・Ａ１：上記液晶ポリエステルＡ１
・Ｐ１：宇部興産（株）製、ＵＢＥナイロン６６２０２０Ｂ
・ガラス繊維：オーウェンスコーニング（株）製、ＣＳ０３−ＪＡＰｘ−１（数平均繊維径１０μｍ、数平均繊維長３ｍｍ）
・炭素繊維：三菱レイヨン（株）製、ＴＲ０６ＵＢ４Ｅ（数平均繊維径７μｍ、数平均繊維長６ｍｍ）

＜電子機器筐体の成形＞
電子機器筐体の一例として、ＰＣ筐体を製造した。
図２に示す形状及び寸法のＰＣ筐体１００Ａを成形した。図２において、Ｌ１＝３４０、Ｌ２＝２３０、Ｌ４＝２５５、Ｌ５＝２１０、Ｌ６＝１４０，Ｌ７＝５０、Ｌ８＝５０、Ｌ９＝８５、Ｌ１０＝１６５、Ｌ１１＝２２０である。図２に示されるこれらの寸法の単位はそれぞれｍｍである。
また、図２に示す形状及び寸法のＰＣ筐体１００Ａの平均厚みの大きさＬ３（図示せず）は０．１３ｃｍである。
成形条件は下記の通りである。
・成形機：ＪＳＷ４５０ＡＤスクリュー径６６ｍｍ
・シリンダノズル温度：樹脂１〜２３５０℃
樹脂３２８０℃
・ホットランナーマニホールド温度：樹脂１〜２３５０℃
樹脂３２８０℃
・金型温度：６０℃
・射出率：３４０ｃｍ^３／ｓ
・使用樹脂：表５記載の各樹脂
・ゲート数：表５記載の各ゲート数
・ゲート径：２ｍｍ

図２に示す形状及び寸法のＰＣ筐体１００Ａを用いてゲート数を４、３、１２の各ゲート数を設けたＰＣ筺体１００Ｂ、１００Ｃ及び１００Ｄをそれぞれ製造した。成形後のＰＣ筐体１００Ｂ、１００Ｃ及び１００Ｄの外観を目視で確認し、発生したウエルドラインを数えた。
ゲート数が４のＰＣ筺体１００Ｂを図３Ａに示す。図３ＡにおけるＬ１２＝３００、Ｌ１３＝１５０、Ｌ１４＝２０、Ｌ１５＝４５、Ｌ１６＝７０、Ｌ１７＝２００である。図３Ａに示される寸法の単位はそれぞれｃｍである。図３ＡのＧ１〜Ｇ４で示される位置がゲート位置である。図３Ａ中、Ｗはウエルドラインを模式的に示している。図３Ａに示すように、ゲート数が４の場合にはウエルドラインが４か所発生した。図３Ｂは、図３ＡのＰＣ筺体１００Ｂのゲート位置を斜視図で示した図である。

ゲート数が３のＰＣ筺体１００Ｃを図４Ａに示す。図４ＡにおけるＬ１２＝３００、Ｌ１８＝１５０、Ｌ１９＝９０、Ｌ２０＝４５、Ｌ２１＝７０、Ｌ２２＝１３５である。図４Ａに示される寸法の単位はそれぞれｃｍである。図４ＡのＧで示される位置がゲート位置である。図４Ａ中、Ｗはウエルドラインを示している。図４Ａに示すように、ゲート数が３の場合にはウエルドラインが２か所発生した。図４Ｂは、図４ＡのＰＣ筺体１００Ｃのゲート位置を斜視図で示した図である。

ゲート数が１２の場合のＰＣ筺体１００Ｄを図５Ａに示す。図５ＡにおけるＬ２２＝３００、Ｌ２３＝２５０、Ｌ２４＝１５０、Ｌ２５＝９０、Ｌ２６＝６０、Ｌ２７＝２０、Ｌ２８＝４５、Ｌ２９＝７０、Ｌ３０＝８５、Ｌ３１＝１５１、Ｌ３２＝１９０、Ｌ３３＝２００である。図５Ａに示される寸法の単位はそれぞれｃｍである。図５ＡのＧで示される位置がゲート位置である。図５Ａ中、Ｗはウエルドラインを示している。図５Ａに示すように、ゲート数が１２の場合にはウエルドラインが１４か所発生した。図５Ｂは、図５ＡのＰＣ筺体１００Ｄのゲート位置を斜視図で示した図である。

図２に示す形状及び寸法のＰＣ筐体において、ゲート数が４、３、１２のＰＣ筺体１００Ｂ、１００Ｃ及び１００Ｄそれぞれにおけるゲート１つあたりの投影面積と、ゲート１つあたりの投影面積とＰＣ筐体の平均厚みの比は下記表４に記載の通りである。

樹脂１〜３を用い、ゲート数４、３、１２でそれぞれ図２に示す形状及び寸法で、１００Ｂ、１００Ｃ及び１００Ｄに示すゲートを有するＰＣ筐体を成形した場合の成形結果を表５に記載する。

上記表５に示したとおり、樹脂１を用いた場合、ゲート数が４、３、１２のいずれの場合であっても、ＰＣ筐体を成形することができた。樹脂２を用いた場合、ゲート数が３、１２のいずれの場合であっても、ＰＣ筐体を成形することができた。
樹脂１〜２を用いた実施例１〜２は、樹脂が十分な流動性を有していたため、ゲート数が３又は４と少ない場合であっても、ＰＣ筐体を成形することができた。
一方、樹脂３を用いた場合には、樹脂の流動性が十分ではなかったため、ゲート数が３又は４の場合にはＰＣ筐体を成形することができなかった。
なお、ゲート数が１２の場合はいずれの樹脂を用いても成形は可能であるが、ウエルドラインが多数生じ、強度に問題が生じる場合がある。

＜曲げ弾性率の測定＞
下記表６に示す成形条件で成形した、図６に示す寸法のＰＣ筐体を成形した。そして、図６に示す寸法で試験片Ａ及び試験片Ｂを切り取った。図６においてＬ３４＝３３０、Ｌ３５＝２２０、Ｌ３７＝１５、Ｌ３８＝６０、Ｌ３９＝２１０である。図６に示される寸法の単位はそれぞれｍｍである。
試験片Ａについて、図７Ａに示す方向で治具幅１５０ｍｍの治具Ｘを当て、曲げ試験を行った。また、試験片Ｂについて、図７Ｂに示す方向で治具幅１５０ｍｍの治具Ｘを当て、曲げ試験を行った。曲げ試験は、図７Ａ及び図７Ｂに示す支持体Ｙ上に試験片Ａ又はＢをのせ、標線間距離Ｚを１００ｍｍ、試験速度２ｍｍ／ｓで行った。
この時の、試験片Ａ及びＢの曲げ弾性率（ＧＰａ）を表６に記載する。

上記表６に示したように、樹脂１〜２を用いて成形した実施例３〜４のＰＣ筐体は、試験片Ａ及びＢ共に、曲げ弾性率が良好であった。これは、実施例３〜４はゲート数が４又は３と少ないゲート数で成形することができたため、ウエルドラインの発生が少なく、ウエルドラインの発生に起因する強度の低下を抑えることができたためと考えられる。
一方、比較例２は、１２のゲート数で成形したため、ウエルドラインが多く発生し、多数のウエルドライン部により強度が低下したものと考えられる。

１１平面板
１２縁板
１３孔
１４切欠
１５曲面縁板
１００筐体
１００ＡＰＣ筺体
Ａ、Ｂ試験片
Ｇ、Ｇ１〜Ｇ７ゲート
Ｌ１〜Ｌ３９大きさ
Ｗウエルドライン
Ｘ治具
Ｙ支持体
Ｚ標線間距離

Claims

液晶ポリエステルと、充填材とを含有する樹脂組成物を射出成形された電子機器筐体であって、
前記電子機器筐体の投影面積を、前記電子機器筐体の表面の樹脂組成物の充填ゲート痕の個数
で除した、前記充填ゲート痕１つ当たりの投影面積が１５０ｃｍ^２以上であり、
前記充填ゲート痕１つ当たりの投影面積（ｃｍ^２）を電子機器筐体の平均厚み（ｃｍ）で除した比が１１００以上であり、
前記電子機器筐体の平均厚みが０．０１ｃｍを超え０．２ｃｍ以下であり、さらに、
前記液晶ポリエステルは、下記一般式（１）、（２）及び（３）で表される群から選ばれる１つ以上の繰返し単位を有する、電子機器筐体。
（１）−Ｏ−Ａｒ１−ＣＯ−
（２）−ＣＯ−Ａｒ２−ＣＯ−
（３）−Ｘ−Ａｒ３−Ｙ−
（式中、Ａｒ１は、フェニレン基、ナフチレン基又はビフェニリレン基であり；Ａｒ２及びＡｒ３は、それぞれ独立にフェニレン基、ナフチレン基、ビフェニリレン基又は下記一般式（４）で表される基であり；Ｘ及びＹは、
それぞれ独立に酸素原子又はイミノ基であり；前記Ａｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３は、前記Ａｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３中の一つ以上の水素原子がそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキル基又はアリール基で置換されているか、又は置換されていない。）
（４）−Ａｒ４−Ｚ−Ａｒ５−
（式中、Ａｒ４及びＡｒ５は、それぞれ独立にフェニレン基又はナフチレン基であり；Ｚは、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、スルホニル基又はアルキリデン基である。）
前記充填材がガラス繊維又は炭素繊維である請求項１に記載の電子機器筐体。
前記液晶ポリエステルが、これを構成する全繰返し単位の合計に対して、前記一般式（１）で表される繰返し単位を３０モル％以上８０モル％以下、前記一般式（２）で表される繰返し単位を１０モル％以上３５モル％以下、前記一般式（３）で表される繰返し単位を１０モル％以上３５モル％以下有する請求項１又は２に記載の電子機器筐体。