JP6711590B2 - メモリを制御する情報処理装置 - Google Patents

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Description

本発明は、制御信号に従って第1の電力状態から第1の電力状態より省電力な第2の電力状態に移行可能なメモリの省電力制御方法に関するものである。
制御信号により低消費電力モードの設定と解除可能なメモリモジュールがある(特許文献1)。このメモリモジュールは、レジュームスタンバイ信号(以下、RS信号)と呼ばれる制御信号を入力する入力ノードを有し、RS信号に従ってレジューム状態に移行したり、スタンバイ状態に移行したりする。
また、特許文献1では、同じメモリブロックに属する複数個のメモリモジュールに並列的に制御信号を入力してモジュール内経路を伝播させ、その一部のメモリモジュールが後段のモジュール外経路に制御信号を出力する。これにより、複数のメモリモジュールでの低消費電力モードの解除に際して突入電流の発生を緩和する。
特開2013−25843号公報
低消費電力モードへの移行や低消費電力モードからの復帰のために、メモリモジュール内部の回路への電源電圧を入れたり切ったりする際に、メモリモジュールに入力しているクロック信号が電源電圧に影響する可能性がある。例えば、近年高周波数化しているクロック信号のトグルによって電源電圧の揺れが発生する可能性がある。
そこで、本発明では、メモリモジュールを低消費電力モードへ移行させる際に、メモリモジュールに入力しているクロック信号がメモリモジュール内部の電源電圧に与える影響を軽減することを目的とする。
本発明に記載の制御装置は、データを記憶する記憶部と前記記憶部への書き込み読み出しを制御する制御部とを有し、第1の移行信号に従って、前記記憶部と前記制御部に電力が供給されている第1の状態から、前記記憶部に電力が供給されているが前記制御部に電力が供給されていない第2の状態に移行し、第2の移行信号に従って前記第2の状態から前記第1の状態に移行するメモリデバイスを複数有する情報処理装置において、クロック信号を出力するクロック出力手段と、前記クロック出力手段が出力したクロック信号を複数の前記メモリデバイスに供給するか否かを切り替えることができ、所定の信号が入力されたことに従って複数の前記メモリデバイスへのクロック信号の供給を停止してから、複数の前記メモリデバイスのうち一つのメモリデバイスに対して前記第1の移行信号を出力する制御手段と、前記一つのメモリデバイスに入力された前記第1の移行信号を遅延させて、複数の前記メモリデバイスのうち少なくとも一つの他のメモリデバイスに対して出力する遅延回路と、を有し、前記制御手段は、他の所定の信号が入力されたことに従って、前記一つのメモリデバイスに対して前記第2の移行信号を出力し、前記一つのメモリデバイスが遅延させて前記他のメモリデバイスに出力した前記第2の移行信号を、前記複数のメモリデバイスのうち最後に前記第2の移行信号が入力されたメモリデバイスから受信し、前記第2の移行信号の受信に従って、前記複数のメモリデバイスへのクロック供給を開始することを特徴とする。
本発明によれば、クロック信号の停止に連動するようにメモリモジュールを省電力状態に移行させることにより、メモリモジュールが省電力状態に移行する際に、クロック信号がメモリモジュールの電源電圧に与える影響を軽減する。
システム全体のブロック図である。 画像処理部103のブロック図である。 モジュールAのブロック図である。 SRAMのブロック図を示す。 クロック信号及び制御信号を出力するタイミングを示すタイミングチャートである。 モジュールEのブロック図である。 クロック信号及び制御信号を出力するタイミングを示すタイミングチャートである。
<第1の実施形態>
以下、本発明を実施するための形態について図面を用いて説明する。以下では、スキャン、プリント、コピーなどの複数の機能を有するMFP(デジタル複合機)を例にしてメモリの省電力制御方法を説明する。
図1はシステム全体のブロック図である。MFPは、システム部100、プリンタ部108、スキャナ部109、ブートROM110、DRAM111、操作部114を有する。
システム部100は、CPU101、CGレジスタ部102、画像処理部103、ROMIF部104、DRAMIF部105、スキャナIF部106、プリンタIF部107、ネットワークIF部112、操作IF部113を有する。
プリンタ部108は画像出力デバイスであり、スキャナ部109は画像入力デバイスである。システム部100とプリンタ部108とはプリンタI/F部107を介して接続し、システム部100とスキャナ部109とはスキャナI/F部106を介して接続している。システム部100はこれらのデバイスを制御することで、画像データの読み取りや画像データの印刷を実現する。システム部100内では、BUS115によって各構成要素が接続されている。
CPU101は、CGレジスタ部102の設定や画像処理部103の設定を行ったり、画像データの制御を行ったりする。例えば、CPU101は、スキャナ部109から入力される画像データをプリンタ部108へ出力するのを制御して、コピー機能を実現する。CPU101は、DRAM111に展開されたOSやアプリケーションプログラムを実行する。
CGレジスタ部102は、画像処理部103で使われるクロックの発振・停止を制御するレジスタを備える。CPU101はレジスタの値を書き換えることで、クロックの発振・停止の制御を行う。図2では図示していないが、システム部100は、PLLなどで逓倍されたクロックによって動作しており、画像処理部103もそのクロックで動作している。CGレジスタ部102は、そのクロックの発振・停止を制御するためのレジスタを有する。
画像処理部103は各種画像処理を行う回路であり、CPU101による制御に従って各種画像処理を行う。画像処理の例としては、画像データの回転、変倍、色処理、トリミング・マスキング、2値変換、多値変換、白紙判定等の各種画像処理を行う。また、プリント画像処理としては、プリンタ部108で印刷される画像データに対して、プリンタ部108に応じた補正等を行う。スキャン画像処理としては、スキャナ部109で読み込まれた画像データに対して、補正、加工、編集等を行う。
ROMIF部104は、ブートROM110にアクセスするためのインターフェースモジュールである。システム部100に電力が投入された時に、CPU101はROMIF部110を介してブートROM110にアクセスしてブートROM110内のブートプログラムを実行することで、CPU101はブートする。
DRAMIF部105は、DRAM111にアクセスするためのインターフェースモジュールである。DRAMIF部105は、DRAM111の設定や制御を行うためのレジスタを備えており、このレジスタは、CPU101からアクセス可能である。
操作IF部113は、ユーザが操作部114で行った操作指示を受け付けたり、操作結果を操作部114に表示したりする。
ネットワークIF部112はLANカード等であり、不図示のLAN等のネットワークに接続して外部装置との間でデバイス情報や画像データを通信する。
図2は画像処理部103のブロック図である。
CPU101はBUS115を介してCGレジスタ部102にアクセスする。CGレジスタ部102は画像処理A_CG_reg201を備えており、画像処理A_CG_reg201は、CPU101のレジスタ設定に従って、画像処理回路204に入力されるクロック信号(A_CLK)を制御するための信号(CG_EN)を出力する。つまり、画像処理回路204に入力されるクロック信号(A_CLK)の発振・停止はCPU101によるレジスタ設定に従って制御される。
画像処理部103はRS制御部202と画像処理回路204を備えている。
RS制御部202は、CLK_RS制御部203とCG(クロックゲーティングセル)213を備える。本実施形態では、SRAMは、RSモードと通常モードを少なくとも含む複数の電力状態に移行可能である。RS制御部202は、RSモードへの移行や通常モードへの復帰を制御するRS信号(P_RS_in)の制御とクロック信号の制御とを行う。
CLK_RS制御部203は、Counter214とt_reg215を備える。Counter214はカウンター回路である。Counter214はA_CG_EN信号の出力タイミングをP_RS_out信号から計時して、CLK_RS制御部203はA_CG_EN信号の出力を制御する。また、Counter214は、RSモードを制御するP_RS_in信号の出力タイミングをA_CG_EN信号の出力から計時して、CLK_RS制御部203はその出力タイミングでP_RS_in信号の出力を制御する。
なお、Counter214は、RSモードを制御するP_RS_in信号の出力タイミングをCG_EN信号の入力から計時して、CLK_RS制御部203はその出力タイミングでP_RS_in信号の出力を制御してもよい。
t_reg215はレジスタであり、CPU101によって設定可能である。t_reg215のレジスタ値によって、A_CG_ENをHighにしてからP_RS_inをHighにするまでの時間を変更可能である。詳細は図5で説明する。
CG213は、画像処理部103の動作クロック(CLK)に基づいて画像処理回路204の動作クロック(A_CLK)を出力するとともに、A_CG_EN信号に従ってA_CLKの発振・停止を制御する。クロックジェネレータ216は画像処理部103の動作クロック(CLK)を生成する。
画像処理回路204は、画像処理を行う回路であり、モジュールA205、モジュールB206、モジュールC207、モジュールD208で構成される。本実施形態では4つのモジュールで説明するが、モジュールの数は4つより多くても4つより少なくてもよい。また、本実施例では、画像処理回路204のみ図示して説明するが、画像処理回路204のような回路が複数あってもよい。
モジュールA、モジュールB、モジュールC、モジュールDのそれぞれはSRAMブロック209、210、211、212を有していて、各SRAMブロックは複数のSRAMで構成される。
図3は、モジュールAのブロック図である。モジュールB〜DもそれぞれモジュールAと同様な構成をしている。
モジュールAは、SRAM1 301、SRAM2 302、SRAM3 303、SRAM4 304を備えるSRAMブロック209と、画像処理回路であるCORE305で構成される。SRAM1〜4はCORE305と接続される。
図3で破線で示している、モジュールAへの入力信号であるP_RS_in信号はSRAM1〜4に接続される。P_RS_in信号がHighの時に、SRAM1〜4はRSモードに移行する。SRAM1〜4はRSモードに移行することで省電力状態になる。モジュールAへの入力信号であるAM_CLK信号はクロック信号であり、SRAM1〜4とCORE305に接続される。
モジュールAからの出力信号であるRS1信号は、SRAM1に入力されるP_RS_in信号をバッファセル306〜308で遅延させた信号である。RS1信号は、SRAMブロックで最も記憶容量が大きいSRAMから生成される。本実施形態では、SRAM1が最も記憶容量が大きいSRAMであるためSRAM1からRS1信号が出力される。
SRAMの記憶容量の大きさと、RSモードへの移行や通常モードへの復帰にかかる時間とには相関関係があり、記憶容量が大きければ大きいほどRS信号が出力されるまでの時間が長くなるようにバッファセルなどを用いて遅延時間を作りだす。これは、SRAMの記憶容量が大きければSRAMを構成するメモリアレイ部や周辺回路の規模も大きくなるので、それらが動作可能な状態まで内部の電源ノードや信号ノードが安定化するまでに多くの時間を必要とするからである。このように、モジュールAに入力されたP_RS_in信号は、電源などが安定化するのを待って、RS1信号として出力される。
図4はSRAMのブロック図を示す。図4では、SRAM1を例にSRAMの構成を説明する。入力信号は、CS、WE、addr、data_inとAM_CLK、P_RS_inであり、出力信号はdata_outとRS1である。
制御部401は、CS信号やWE信号からメモリ動作のタイミング信号を生成するタイミング制御回路を備える。また、制御部401は、ワードドライバ部402とカラム部403の電源をP_RS_in信号に従って制御し、P_RS_in信号がHighの時にワードドライバ部402とカラム部403の電力を遮断する回路を備える。さらに、制御部401のRS制御以外の部分についてもP_RS_in信号がHighの時に電源を遮断することが可能である。先述したように、P_RS_in信号は制御部401やバッファセル306〜308で遅延させてRS1信号として出力される。
ワードドライバ部402はaddr信号をデコードして、メモリアレイ部404のどこの列(ロウ)を活性化させるかを決定するブロックである。ワードドライブ402は、制御部401によってRSモード時に電力が遮断される。
カラム部403はaddr信号をデコードして、メモリアレイ部404のどこの行(カラム)を活性化させるかを決定するブロックである。カラム部403は、制御部401によってRSモード時に電力が遮断される。
本実施形態では、RSモードへの移行時にワードドライバ402やカラム部403の電力遮断とクロック信号の発振とが重ならないようにすることで、メモリアレイ部404での電圧揺れを抑える。
メモリアレイ部404は、スタティック型のメモリセルがマトリクス状に配置され、ワードドライバ部402とカラム部403で決定されるメモリセルにデータを保持する。メモリアレイ部404はRSモード時にも通電されたままであり、これにより、RSモード時にデータを保持することができる。
図2において、モジュールAから出力されたRS1信号はモジュールBに入力され、SRAMブロック210で最も記憶容量が大きいSRAMからRS2信号として出力される。そのRS2信号はモジュールCに入力される。同様に、モジュールCからRS3信号が出力されてモジュールDに入力される。モジュールDに最後に入力されたRS3信号はP_RS_out信号として出力されてCLK_RS制御部202に入力される。このようにモジュールA〜DのRS信号がチェーン状に接続していて、モジュールA〜DはRS信号を中継する。
図5は、第1実施形態でクロック信号及び制御信号を出力するタイミングを示すタイミングチャートである。
画像処理部103の動作クロックであるCLKは、図示していないクロック生成モジュールから出力されるものであり、システム部100の電源が投入されると常に発振されている。
まずは、SRAMのRSモード移行シーケンスについて説明する。
時間t0において、CPU101はBUS115を介してCGレジスタ部102の画像処理A_CG_reg201にアクセスして、CG_EN信号をクロック停止を示すHighにする。CG_EN信号をHighにするタイミングは、画像処理Aを未使用状態であるとソフトウエアが判断した時である。
CG_EN信号がHighになった時に、CLK_RS制御部203は時間t1においてA_CG_EN信号をHighにして、CG213はA_CLKを停止する(クロック停止状態)。これにより、画像処理AのAM_CLK、BM_CLK,CM_CLK,DM_CLKが停止し、画像処理A内のSRAMのクロックが停止される。
時間t1でA_CG_EN信号がHighとなりA_CLKが停止されてからt_in時間経過後の時間t2において、CLK_RS制御部203は、P_RS_in信号をHighにする。これにより、SRAMをRSモードに投入する際にSRAMに入力されるクロックが停止されているので、RSモード投入時の電圧揺れを抑え、データ保持を担保することが可能となる。
適切なt_in時間は、SRAMの記憶保持容量によって変わり、容量が大きいほど時間が長くなる。そこで、t_reg215によってt_in時間を調整し、SRAMの容量に適した時間を設定することができる。
時間t2でP_RS_in信号がHighとなると、セル・配線遅延によって時間t3でRS1信号がHighとなる。同様に、RS1信号がHighとなってからセル・配線遅延の後にRS2信号がHighとなる。RS2信号がHighとなってからセル・配線遅延の後にRS3信号がHighとなる。そして、RS3信号がHighとなってからセル・配線遅延の後に、時間t4でP_RS_out信号がHighとなり、画像処理Aの全てのSRAMでRSモードへの移行が完了する。
次に、SRAMの通常モードへの復帰シーケンスを説明する。
時間t5よりも前で、CPU101はBUS115を介してCGレジスタ部102の画像処理A_CG_regにアクセスして、CG_EN信号をクロック発振を示すLowにする。CG_EN信号をLowにするタイミングは、画像処理Aを使用時であるとソフトウエアが判断した時である。
時間t5でCG_ENがLowとなった時に、CLK_RS制御部203は時間t6でP_RS_in信号をLowにする。すると、RSモード移行と同じように、RS1信号、RS2信号、RS3信号、P_RS_out信号が順次Lowになる。時間t8でP_RS_out信号がLowとなった時からt_out時間経過後の時間t9に、CLK_RS制御部203はA_CG_EN信号をLowにする。
適切なt_out時間は、SRAMの記憶保持容量によって変わり、容量が大きいほど時間が長くなる。そこで、t_reg215によってt_out時間を調整し、SRAMの容量に適した時間を設定することができる。
A_CG_ENがLowになったことを受けたCG213は、A_CLKを発振させて、画像処理Aの全てのSRAMで通常モードへの移行が完了する。
以上説明したように、RS制御部202によって、クロック信号の停止・発振制御に合わせて、RSモードの移行と復帰を制御する。例えば、図5のタイミングチャートによれば、SRAMに入力されるクロック信号を停止したのちにSRAMを低電力モードに移行させることで、SRAMが低電力モードに移行する際に、クロック信号がSRAMの電源電圧に影響を与えないようにする。
これにより、SRAM内のメモリアレイ部404内のデータが適切に保持されるように、RS信号とクロック信号のタイミングを制御することが可能となる。
<第2実施形態>
第1実施形態では、CPU101からのソフトウエア制御によるクロック信号の停止・発振制御に合わせて、SRAMのRSモードへの移行と通常モードへの復帰を制御するRS信号とSRAMに入力されるクロック信号とを制御する方法を説明した。
第2実施形態では、ソフトウエアによるクロック信号の制御不可な場合におけるRSモードへの移行と通常モードへの復帰方法について説明する。第2の実施形態では、下記で説明するモジュールEを例にする。
図6はモジュールEのブロック図である。
モジュールE600は、モジュールE_reg601、SRAM603、CORE608を有する。EM_CLKは、モジュールE600に入力される動作クロックであり、クロックジェネレータ609によって生成される。
モジュールE_reg601は、モジュールE600の画像処理の設定に必要な複数のレジスタを備えており、レジスタ値がCPU101から設定される。モジュールE_reg601のレジスタの一つであるenable_reg602は、モジュールE600が使用される時に設定されるレジスタである。モジュールE600の使用中はA_EN信号がHighになるように、未使用時はA_EN信号がLowになるように、enable_reg602はCPU101によって設定される。つまり、モジュールEが稼働している場合には、A_EN信号がHighになり、モジュールEが未稼働の場合には、A_EN信号がLowになる。A_EN信号は、SRAM603と画像処理回路であるCORE608に入力される。
SRAM603は、SRAM_RS制御部604とCG606とSRAMコア607を備える。
SRAM_RS制御部604は、SRAMコア607のRS信号とクロック信号を制御する。その制御方法は、Counter605を使用して、RS_SRAM信号とCG_EN信号の出力タイミングをA_EN信号に従って制御し、RSモードへの移行時にクロック信号を停止させるなどの制御を行う。
CG606は、CG_EN信号に従って、CLK_in信号として入力されたEM_CLKをCLK_SRAM信号としてそのまま伝達するか、CLK_SRAM信号を停止させるかを制御する。
SRAMコア607は図4で説明したSRAM1と同様な構成である。図6のRS_SRAM信号が図4のP_RS_in信号に対応し、図6のCLK_SRAMが図4のAM_CLKに対応する。また、各制御信号がSRAMコア607とCORE608との間で接続される。
CORE608はモジュールE600の画像処理回路であり、SRAM603と接続され、画像処理に必要な処理を行う。例えば、画像データを一時的にバッファとして格納し、ある矩形範囲データを取り出し処理するなどの画像処理を行う。
図7は、第2実施形態でクロック信号及び制御信号を出力するタイミングを示すタイミングチャートである。
まずは、SRAMのRSモード移行シーケンスについて説明する。
モジュールE600が使用中である場合、A_EN信号はHigh状態である。
時間t0で、CPU101がモジュールE_reg601内のenable_reg602のレジスタに、未使用状態を示す値を設定すると、A_EN信号がLowとなる。
SRAM_RS制御部604は、RS_in信号として入力されたA_EN信号がLowであれば、時間t1でCG_EN信号をHighにする。CG_EN信号がHighとなった時にCG606はCLK_SRAMを停止させる。
CG_EN信号がHighになってからt_in時間経過後の時間t2に、SRAM_RS制御部604はRS_SRAM信号をHighにする。適切なt_in時間はSRAMコア607の記憶容量によって時間が決められ、記憶容量が大きいほど時間は長くなる。
以上の処理で、SRAMコア607でRSモードへの移行が完了する。
次に、SRAMの通常モードへの復帰シーケンスを説明する。
時間t3で、CPU101がモジュールE_reg601内のenable_reg602のレジスタに、使用状態を示す値を設定すると、A_EN信号がHighとなる。
SRAM_RS制御部604は、RS_in信号として入力されたA_EN信号がHighになるのを受けて、時間t4でRS_SRAM信号をLowにする。RS_SRAMがLowになってからt_out時間経過後の時間t5に、SRAM_RS制御部604はCG_EN信号をLowにする。t_in時間と同様に、適切なt_out時間はSRAMコア607の記憶容量によって時間が決められ、記憶容量が大きいほど時間は長くなる。
CG606は、CG_EN信号がLowになるのを受けて、時間t6にCLK_SRAMを発振する。
以上の処理で、SRAMコア607で通常モードへの移行が完了する。
以上説明したように、モジュールEの動作クロックであるEM_CLKのクロック制御ができない場合には、モジュールEが備える使用中かどうかを示すレジスタ値を利用して、RS信号とクロック信号の出力タイミングを制御する。これにより、SRAM内のメモリアレイ部404内のデータが適切に保持されるようにRS信号とクロック信号のタイミングを制御することが可能となる。
(他の実施形態)
上記した実施形態では、本発明の情報処理装置としてMFPについて説明したが、パーソナルコンピュータやサーバなどの情報処理装置であっても良い。
また、本発明の目的は、前述した実施形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムコードを記録した記録媒体を、システムあるいは装置に供給するよう構成することによっても達成される。この場合、そのシステムあるいは装置のコンピュータ(またはCPUやMPU)が記録媒体に格納されたプログラムコードを読出し実行することにより、上記機能が実現されることとなる。なお、この場合、そのプログラムコードを記憶した記録媒体は本発明を構成することになる。
プログラムコードを供給するための記録媒体としては、例えば、フレキシブルディスク、ハードディスク、光ディスク、光磁気ディスク、CD−ROM、CD−R、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、ROMなどを用いることができる。
また、コンピュータが読出したプログラムコードを実行することにより、前述した実施形態の機能が実現される場合に限られない。例えば、そのプログラムコードの指示に基づき、コンピュータ上で稼働しているOS(オペレーティングシステム)などが実際の処理の一部または全部を行い、その処理によって前述した実施形態の機能が実現される場合も含まれる。
さらに、記録媒体から読出されたプログラムコードが、コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書込まれた後、前述した実施形態の機能が実現される場合も含まれる。つまり、プログラムコードがメモリに書込まれた後、そのプログラムコードの指示に基づき、その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるCPUなどが実際の処理の一部または全部を行い、その処理によって実現される場合も含まれる。

Claims (9)

  1. データを記憶する記憶部と前記記憶部への書き込み読み出しを制御する制御部とを有し、第1の移行信号に従って、前記記憶部と前記制御部に電力が供給されている第1の状態から、前記記憶部に電力が供給されているが前記制御部に電力が供給されていない第2の状態に移行し、第2の移行信号に従って前記第2の状態から前記第1の状態に移行するメモリデバイスを複数有する情報処理装置において、
    クロック信号を出力するクロック出力手段と、
    前記クロック出力手段が出力したクロック信号を複数の前記メモリデバイスに供給するか否かを切り替えることができ、所定の信号が入力されたことに従って複数の前記メモリデバイスへのクロック信号の供給を停止してから、複数の前記メモリデバイスのうち一つのメモリデバイスに対して前記第1の移行信号を出力する制御手段と、
    前記一つのメモリデバイスに入力された前記第1の移行信号を遅延させて、複数の前記メモリデバイスのうち少なくとも一つの他のメモリデバイスに対して出力する遅延回路と、を有し、
    前記制御手段は、他の所定の信号が入力されたことに従って、前記一つのメモリデバイスに対して前記第2の移行信号を出力し、前記一つのメモリデバイスが遅延させて前記他のメモリデバイスに出力した前記第2の移行信号を、前記複数のメモリデバイスのうち最後に前記第2の移行信号が入力されるメモリデバイスから受信し、前記第2の移行信号の受信に従って、前記複数のメモリデバイスへのクロック供給を開始することを特徴とする情報処理装置。
  2. 前記制御手段は、複数の前記メモリデバイスへの前記クロック信号の供給を停止したのち、所定時間の経過に基づいて、前記第1の移行信号を出力することを特徴とする請求項1に記載の情報処理装置。
  3. 前記メモリデバイスの記憶部はメモリアレイであり、
    前記メモリデバイスの制御部は前記メモリアレイへのアクセスを制御するドライバであることを特徴とする請求項1または2に記載の情報処理装置。
  4. 前記遅延回路は、前記一つのメモリデバイスに対して入力された前記第1の移行信号をバッファ回路で遅延させて前記他のメモリデバイスに対して出力することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の情報処理装置。
  5. 前記第2の移行信号が最後に入力される前記メモリデバイスは、入力された前記第2の移行信号を遅延させたのち、前記制御手段に対して出力することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の情報処理装置。
  6. 前記第2の状態は前記第1の状態よりも消費電力の低い状態であることを特徴とする請求項1乃至のいずれか一項に記載の情報処理装置。
  7. 前記制御手段が前記クロック信号の供給を停止してから前記第1の移行信号を出力するまでの時間は、前記メモリデバイスの記憶容量に基づき決められた時間であることを特徴とする請求項1乃至のいずれか一項に記載の情報処理装置。
  8. 前記制御手段は、前記クロック出力手段の出力したクロックをゲートすることで複数の前記メモリデバイスへのクロック信号の供給を停止することを特徴とする請求項1乃至のいずれか一項に記載の情報処理装置。
  9. データを記憶する記憶部と前記記憶部への書き込み読み出しを制御する制御部とを有し、第1の移行信号に従って、前記記憶部と前記制御部に電力が供給されている第1の状態から前記記憶部に電力が供給され前記制御部に電力が供給されていない第2の状態に移行し、第2の移行信号に従って前記第2の状態から前記第1の状態に移行する前記メモリデバイスを複数有する情報処理装置の制御方法において、
    前記複数のメモリデバイスへのクロック信号の供給を停止するクロック停止工程と、
    前記クロック停止工程ののち、一つの前記メモリデバイスに前記第1の移行信号を入力し、前記第2の状態からの復帰指示に基づき、前記第2の状態に移行した前記一つのメモリデバイスに前記第2の移行信号を入力する入力工程と、
    一つの前記メモリデバイスが、前記入力工程において入力された前記第1の移行信号および前記第2の移行信号を、遅延回路を介して遅延させて他の前記メモリデバイスに対して出力する出力工程と、
    前記複数のメモリデバイスのうち最後に前記第2の移行信号が入力されるメモリデバイスが出力した前記第2の移行信号を受信した所定の時間後に、前記複数のメモリデバイスへクロック信号を供給するクロック信号供給工程と、を有することを特徴とする情報処理装置の制御方法。
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