JP6703335B2 - 電力用半導体装置及び電力用半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、実施の形態1による電力用半導体装置1の上面図である。図2は電力用半導体装置1を構成する、放熱板60の上面図、図3は図1のIII−III線に沿う電力用半導体装置1の断面図である。また、図4A〜図4Dは、それぞれ、パワーモジュール10の上面図、正面図、背面図及び側面図である。同様に、図5A〜図5Dは、それぞれ、パワーモジュール20の上面図、正面図、背面図及び側面図であり、図6A〜図6Dは、それぞれ、パワーモジュール30の上面図、正面図、背面図及び側面図である。
パワーモジュール10の突起部12と突起部13の距離は、熱膨張により変化し、また製造誤差によりばらつく。しかし、凹部60bは長穴となっているので、この変化及びばらつきを吸収することができる。
実施の形態2では、制御用基板50にガイド部材90が取付けられている点が、実施の形態1とは異なる。他の構成は実施の形態1と同様である。
本発明における実施の形態3について、図12、図13A、図13Bを用いて説明する。図12は、本発明の電力用半導体装置のX方向とY方向を示す上面図である。図13Aは、実施の形態3の電力用半導体装置の上面図である。そして、図13Bは、図13Aの電力用半導体装置の断面を示す図である。
Claims (8)
- 制御端子が取付けられた複数種類のパワーモジュールと、
前記複数種類のパワーモジュールが実装される放熱板と、
前記制御端子が固着される固着部が形成された制御用基板とを有する、
電力用半導体装置であって、
前記複数種類のパワーモジュールは、それぞれ、前記制御端子が取付けられている側の端部に設けられた円柱状の第1突起部と、前記第1突起部が形成された端部と反対側の端部に設けられた第2突起部とを有し、
前記第1突起部と前記第2突起部との位置関係は、前記パワーモジュールの種類ごとに異なっており、
前記放熱板は、
前記複数種類のパワーモジュールが実装されたときの、前記第1突起部に対応する位置に、前記第1突起部と係合する円筒状の第1の凹部を有するととともに、前記第2突起部に対応する位置に、前記第2突起部と係合する長穴状の第2の凹部を有し、
前記第2の凹部の長径は、前記第2の凹部の中で前記第2突起部が移動可能な大きさであり、
前記複数種類のパワーモジュールは、それぞれバルク状のはんだ材料で形成された固着層によって、前記放熱板に固着されている、
電力用半導体装置。 - 前記複数種類のパワーモジュールは、
第1パワーモジュールと、
前記第1パワーモジュールとは種類の異なる、第2パワーモジュールとを有し、
前記第1パワーモジュールにおける、前記第1突起部から前記第2突起部までの距離は、
前記第2パワーモジュールにおける、前記距離に対応する距離と異なる、
請求項1に記載の電力用半導体装置。 - 前記複数種類のパワーモジュールは、
少なくとも1つの第1パワーモジュールと、
前記第1パワーモジュールとは種類の異なる、第3パワーモジュールとを有し、
前記複数種類のパワーモジュールが実装されたときの、前記第1パワーモジュールにおける、前記第1突起部が形成されている位置に対する前記第2突起部が形成されている方向は、
前記第3パワーモジュールにおける、前記方向に対応する方向と異なる、
請求項1に記載の電力用半導体装置。 - 前記第1突起部及び前記第2突起部の、前記パワーモジュールの底面からの高さは1.5mm以上であり、
前記第1の凹部及び前記第2の凹部の深さ方向の寸法は、
前記第1突起部及び前記第2突起部の高さより大きい、
請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の電力用半導体装置。 - 前記第1突起部及び前記第2突起部は、
軟化温度が270℃以上の樹脂材料で形成されている、
請求項1から4のいずれか一項に記載の電力用半導体装置。 - 前記制御用基板は、
前記制御端子を前記固着部に案内する、ガイド部材を有する、
請求項1から5のいずれか一項に記載の電力用半導体装置。 - 制御端子が取付けられた複数種類のパワーモジュールと、
前記複数種類のパワーモジュールが実装される放熱板と、
前記制御端子が固着される固着部が形成された制御用基板とを有する、
電力用半導体装置の製造方法であって、
前記複数種類のパワーモジュールのそれぞれにおける、前記制御端子が取付けられている側の端部に円柱状の第1突起部を設けるとともに、前記第1突起部が形成された端部と反対側の端部に、前記第1突起部との位置関係が前記パワーモジュールの種類ごとに異なるように第2突起部を設け、
前記放熱板における、
前記パワーモジュールが実装されたときの、前記第1突起部に対応する位置に、前記第1突起部と係合する円筒状の第1の凹部を設けるとともに、前記第2突起部に対応する位置に、前記第2突起部と係合する長穴状の第2の凹部を設け、
前記第2の凹部の長径は、前記第2の凹部の中で前記第2突起部が移動可能な大きさとし、
前記放熱板の前記第1の凹部と前記第2の凹部との間に、バルク状のはんだ材料を配置する工程と、
前記第1突起部を前記第1の凹部に合わせて挿入するとともに、前記第2突起部を前記第2の凹部に挿入して、
前記第1突起部及び前記第2突起部によって、前記第1の凹部と前記第2の凹部とが並ぶ方向の前記はんだ材料の位置ズレを規制しつつ、前記はんだ材料の上に前記パワーモジュールを配置する工程と、
前記はんだ材料を加熱して溶融する工程と、
前記はんだ材料の雰囲気が、10kpa以下になるまで真空引きする工程とを有する、
電力用半導体装置の製造方法。 - 前記はんだ材料を加熱して溶融する工程に先立って、下方に突出した複数の突起部を有する金属製のブロックを複数の前記パワーモジュールに跨って配置して、前記複数の突起部によって、前記第1の凹部と前記第2の凹部とが並ぶ方向に垂直な方向の前記はんだ材料の位置ズレを規制する工程を有する、請求項7に記載の電力用半導体装置の製造方法。
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