JP2005101353A - セラミックス回路基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】セラミックス基板2の少なくとも一方の表面に金属回路板4aを一体に接合すると共に、この金属回路板4aに実装部品6を接合したセラミックス回路基板1aにおいて、上記金属回路板4aの表面に凹部7が形成されており、この凹部7内に実装部品6が嵌入され凹部7の底面が実装部品6の接合面であることを特徴とするセラミックス回路基板1a。
【選択図】 図2
Description
セラミックス基板として厚さ0.635mmの窒化アルミニウム(AlN)基板、窒化珪素(Si3N4)基板およびアルミナ(Al2O3)基板を多数用意し、これらのセラミックス基板の表面上に、Ag/Cu/Ti系のろう材ペーストをスクリーン印刷法により塗布し、厚さが15μmのろう材層を形成した。さらに、各セラミックス基板の裏面側にも、Ag/Cu/Ti系のろう材ペーストをスクリーン印刷法により塗布し、裏金属板を接合するための厚さが15μmのろう材層を形成した。
2 セラミックス基板
3 ろう材層
4 金属回路板(金属回路層、銅回路板)
5 裏金属板
6 実装部品(半導体チップ,電極端子,抵抗,コンデンサ,サーミスタ等)
7,7a 凹部
D 凹部の深さ
W 凹部側面と実装部品側面との間隙
Claims (3)
- セラミックス基板の少なくとも一方の表面に金属回路板を一体に接合すると共に、この金属回路板に実装部品を接合したセラミックス回路基板において、上記金属回路板表面に凹部が形成されており、この凹部内に実装部品が嵌入され凹部の底面が実装部品の接合面であることを特徴とするセラミックス回路基板。
- 請求項1記載のセラミックス回路基板において、前記凹部の深さが0.05mm以上であることを特徴とするセラミックス回路基板。
- 請求項1記載のセラミックス回路基板において、前記凹部の側面と、この凹部に搭載固定された実装部品の側面との間隙が0.5mm以下であることを特徴とするセラミックス回路基板。
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