JP2006228918A - セラミックス回路基板およびそれを用いた半導体モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 セラミックス基板11と、セラミックス基板11にろう材Aを介して設けられる回路形成用の金属板Mとを有するセラミックス回路基板10で、金属板Mの端部の側壁における上端部M2と下端部M1を結ぶ線gと、金属板Mの上面MSとのなす角θを95度以上、120度未満に規定する。併せて、ろう材Aを金属板Mの下端部M1より外側にはみ出させて、ろう材はみ出し部A1を形成し、マイグレーション防止膜を設ける。
【選択図】 図2
Description
11 セラミックス基板
11a 窒化珪素板
11S 上面
12 回路パターン形成用金属板
12a Cu板
13 放熱用金属板
13a Cu板
20 放熱ベース
20a Cu板
21 ねじ孔
30 半導体素子
31 ワイヤー
31a 金線
41 1番はんだ
42 2番はんだ
100 半導体モジュール
A ろう材
A1 ろう材はみ出し部
A2 下端
g 線
h 線
L はみ出し長さ
M 金属板
M1 下端部
M2 上端部
MK 金属板傾斜部
MS 上面
α はみ出し角度
θ 角
P 回路パターン
S100、S200、S300、S400、S500、S600 ステップ
Claims (6)
- セラミックス基板と、前記セラミックス基板にろう材を介して設けられる回路形成用の金属板とを有するセラミックス回路基板であって、
前記金属板の端部の側壁における前記金属板の上端部と下端部を結ぶ線と、前記金属板の上面とのなす角が、95度以上、120度未満であることを特徴とするセラミックス回路基板。 - セラミックス基板と、前記セラミックス基板にろう材を介して設けられる回路形成用の金属板とを有するセラミックス回路基板であって、
前記金属板の端部の側壁面のメッキ後の面粗さが、1μm以上、8μm以下であることを特徴とするセラミックス回路基板。 - セラミックス基板と、前記セラミックス基板にろう材を介して設けられる回路形成用の金属板とを有するセラミックス回路基板であって、
前記ろう材の前記金属板の端部よりはみ出して設けられたろう材はみ出し部の表面には、マイグレーション防止膜が設けられていることを特徴とするセラミックス回路基板。 - 請求項3記載のセラミックス回路基板において、
前記ろう材はみ出し部は、はみ出し長さが0.25mm以上、1mm以下であり、
はみ出し角度が20度以上、60度以下であることを特徴とするセラミックス回路基板。 - 請求項3または4に記載のセラミックス回路基板において、
前記マイグレーション防止膜は、厚さが2μm以上、10μm以下で、リン濃度が5質量%以上、15質量%以下の無電解Ni-Pメッキであることを特徴とするセラミックス回路基板。 - 請求項1〜5のいずれか1項に記載のセラミックス回路基板と、
前記セラミックス回路基板の前記回路形成用の金属板上の搭載部に搭載された半導体素子と、
前記セラミックス回路基板を搭載する放熱ベースと、
を有することを特徴とする半導体モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005040055A JP4479531B2 (ja) | 2005-02-17 | 2005-02-17 | セラミックス回路基板およびそれを用いた半導体モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
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JP2006228918A true JP2006228918A (ja) | 2006-08-31 |
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ID=36990025
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2005040055A Active JP4479531B2 (ja) | 2005-02-17 | 2005-02-17 | セラミックス回路基板およびそれを用いた半導体モジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4479531B2 (ja) |
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2005
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JP4479531B2 (ja) | 2010-06-09 |
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