JP6695884B2 - サーマルリッドを有する原子層堆積チャンバ - Google Patents
サーマルリッドを有する原子層堆積チャンバ Download PDFInfo
- Publication number
- JP6695884B2 JP6695884B2 JP2017537891A JP2017537891A JP6695884B2 JP 6695884 B2 JP6695884 B2 JP 6695884B2 JP 2017537891 A JP2017537891 A JP 2017537891A JP 2017537891 A JP2017537891 A JP 2017537891A JP 6695884 B2 JP6695884 B2 JP 6695884B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- apertures
- channel
- insert
- lid assembly
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 title description 26
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 280
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 24
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 24
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 18
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 7
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 5
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 76
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 73
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 64
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 56
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 35
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 description 20
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 20
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 14
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 13
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 12
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 10
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 9
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 9
- 230000006854 communication Effects 0.000 description 8
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 8
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 8
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000007175 bidirectional communication Effects 0.000 description 1
- 239000012707 chemical precursor Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PDPJQWYGJJBYLF-UHFFFAOYSA-J hafnium tetrachloride Chemical compound Cl[Hf](Cl)(Cl)Cl PDPJQWYGJJBYLF-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 1
- 238000009717 reactive processing Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/452—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by activating reactive gas streams before their introduction into the reaction chamber, e.g. by ionisation or addition of reactive species
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
- C23C16/45506—Turbulent flow
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
- C23C16/45536—Use of plasma, radiation or electromagnetic fields
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/4558—Perforated rings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32522—Temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32853—Hygiene
- H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Fluid Mechanics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
回路密度が増大するにつれて、ビア、トレンチ、コンタクト、および他の特徴などの相互接続ならびにそれらの間の誘電体材料の幅は減少するが、誘電体層の厚さは実質上一定のままであり、その結果、特徴の高さと幅のアスペクト比が増大する。多くの従来の堆積プロセスでは、アスペクト比が4:1を超過する場合、特にアスペクト比が10:1を超過する場合、ミクロン以下の構造を充填するのが困難である。したがって、高いアスペクト比を有する実質上ボイドおよび継ぎ目のないミクロン以下の特徴の形成を対象とする多くの取組みが進行中である。
原子層堆積(ALD)は、高いアスペクト比を有する特徴の上に材料層を堆積させるために開発されている堆積技法である。ALDプロセスの一例は、ガスのパルスを連続して導入することを含む。たとえば、ガスのパルスを連続して導入する1回の周期は、第1の反応ガスのパルスと、それに続くパージガスおよび/またはポンプ排気のパルスと、それに続く第2の反応ガスパルスと、それに続くパージガスおよび/またはポンプ排気のパルスとを含むことができる。本明細書では、「ガス」という用語は、単一のガスまたは複数のガスを含むものと定義する。第1の反応物質および第2の反応物質の別個のパルスを連続して導入する結果、基板の表面上の反応物質の単層を自己制限的に交互に吸収することができ、したがって周期ごとに材料の単層を形成する。この周期は、堆積材料が所望の厚さになるまで繰り返すことができる。第1の反応ガスのパルスと第2の反応ガスのパルスとの間のパージガスおよび/またはポンプ排気のパルスは、余分な量の反応物質がチャンバ内に残留することにより反応物質が気相反応する可能性を低減させる働きをする。しかし、本発明者らは、ALD処理に対するいくつかのチャンバ設計において、基板上にその結果得られる堆積が、「M」字状の厚さプロファイルを有することを観察した。本発明者らはまた、ガスの導入中、チャンバ部品上に副生成物が蓄積し、処理中の基板上へ剥がれ落ちる可能性があることを観察した。
上記で簡単に要約し、以下でより詳細に論じる本開示の実施形態は、添付の図面に示す本開示の例示的な実施形態を参照することによって理解することができる。しかし、本開示は、他の等しく有効な実施形態も許容することができるため、添付の図面は、本開示の典型的な実施形態のみを示し、したがって範囲を限定すると見なされるべきではない。
チャンバ本体102の上部部分には、プロセスガスおよび/またはパージガスなどのガスをプロセスチャンバ100へ提供するためのガス供給システム130が配置される。図1および図2A〜2Gは、少なくとも2つのガス源または化学前駆体に基板110を露出させるように構成されたガス供給システム130を示す。真空システム178が、ポンピングチャネル179に連通して、プロセスチャンバ100から任意の所望のガスを排気し、プロセスチャンバ100のポンピングゾーン166内で所望の圧力または圧力範囲を維持するのを助ける。
ガス分散チャネル134の上部部分は、ハウジング200内に配置されたインサート300によって画定される。ハウジング200およびインサート300上には、キャップ400を配置することができる。インサート300およびキャップ400は、適切な密閉を確実にするために、インサート300とハウジング200との間に配置された複数のOリング385を含む。
2つ以上の環状チャネルは、環状マニホルド205の中心軸133に沿って互いから垂直方向に隔置されて配置される。環状チャネル260などの環状チャネルが、流体を流すように適合されたチャネルを構成し、内側領域290を部分的または完全に取り囲む。環状チャネルは、内側領域に対して最大360°の流体連通、たとえば内側領域の周りに270°〜360°の流体連通を提供することができる。各環状チャネルは、処理ガスなどの流体を流体源(たとえば、ガス源)から内側領域へ供給し、環状マニホルド205と結合されたインサート300内に形成された開孔を通って流体を分散させることを可能にする。環状チャネルはそれぞれ、様々な横断面の形状および設計を有することができる。たとえば、環状チャネルは、円形、半円、方形、または楕円形の横断面設計とすることができる。横断面設計は、環状チャネルから環状チャネルと結合された開孔への処理ガスなどの流体の効果的な流れを提供するように適合される。たとえば、環状チャネルは、方形の横断面の3つの面を備えることができ、第4の面は、インサート300の垂直本体330とすることができる。したがって、3つの方形の横断面と、インサート300の垂直本体330の第4の面とがともに、環状チャネルを画定する。
環状チャネルはそれぞれ、図1Cに示すように、流体供給ライン210、215、220などのそれぞれの流体供給ラインと結合される。別法として、環状チャネルはそれぞれ、図2Fおよび図2Gに示すように、2つ以上の流体供給ラインと結合することができ、これらの流体供給ラインは、環状チャネルを通って流れるガスまたは代替ガスの混合物を提供することができる。図2Gは、それぞれ環状チャネル265と結合される流体供給ライン210および215を示す。
開孔341、346は、環状マニホルド205の2つ以上の環状チャネル260、265と流体的に結合される。環状マニホルド205内に形成された環状チャネルに対応する各入口で、複数の組の複数の開孔を使用することができる。開孔は、任意の横断面形状、たとえば、方形の形状、円筒形の管、または涙滴の形状とすることができる。環状チャネルと、複数の開孔を有する入口との組合せにより、基板表面に提供されるプロセスガスの流れがより均一になる。
インサート300は、NF3洗浄ガスなどの処理および洗浄ガスと反応しない材料から作ることができる。1つのそのような材料は、アルミニウムである。これらの図に示す構成では、アルミニウムのインサートは、材料適合性を増大させることが観察され、すなわち、アルミニウムのインサートは、ステンレス鋼などの他の材料より、NF3洗浄ガスおよび水などの他の処理ガスとの反応性が低い。加えて、インサート材料はまた、インサート300が接触しうるチャンバの他の構造部品とより適合したものとすることができる。たとえば、リッドキャップ172、およびリッドプレート170のうちガス分散チャネル134を取り囲む部分もまた、アルミニウムから作ることができ、アルミニウムのインサート300は、これらの部分と良好な材料適合性を有するはずであり、製造および組立てにとって構造上より適合したものとなるはずである。
上記のように、本発明者らは、いくつかの適用分野では、円形のガス流が均一でない処理結果を招く可能性があることを発見した。したがって、いくつかの実施形態では、ガス流174は、2つ以上のガスの混合の強化を提供するために、さらに乱流とすることができる。図4Aは、インサート300を示し、インサート300は、ALDチャンバのリッドキャップ内へ挿入されると、インサート300の垂直本体330とリッドキャップとの間に3つ以上の環状チャネル402、404、406を画定する。環状チャネル402、404、406は、上記の環状チャネル260、265、270に実質上類似している。環状チャネル402、404、406は、それぞれ複数の開孔410、420、430に流体的に結合される。各水平平面に沿った開孔410、420、430の数は、2〜10個の開孔とすることができ、たとえば、図4B〜4Cに示すように6つの開孔とすることができる。上記の開孔と同様に、それぞれの複数の開孔410、420、430内の各開孔は、垂直本体330の周りに互いから等距離を隔てて配置することができる。しかし、そのような実施形態では、複数の開孔410、420、430の少なくとも1つは、複数の開孔410、420、430の少なくとも1つの他の開孔と比較すると、逆方向にガスの回転流を生じさせるように配置される(たとえば、図4B〜Cに示す視点から見て、複数の開孔の少なくとも1つは、第1の方向、たとえば時計方向に回転流を提供するように構成され、複数の開孔の少なくとも1つは、第2の方向、たとえば反時計方向に回転流を提供するように構成される)。たとえば、図4B〜Cに示すように、複数の開孔410は、反時計方向にガス流を誘導し、複数の開孔420(および複数の開孔430)は、時計方向にガス流を誘導する。複数の開孔410、420、430の逆流方向の構成の結果、乱流のガス流174が生じる。インサート300は、インサート300とALDチャンバのリッドキャップとの間に適切な密閉を確保するために、Oリングを配置するための複数の溝408を含むことができる。
理論に拘束されるものではないが、本発明者らは、ガス流が基板110の表面にわたって進む速度がより均一になることで、基板110上のガスの堆積をより均一にするのを助けると考える。本発明者らは、ガスの速度はガスの濃度に正比例し、ガスの濃度は基板110の表面上のガスの堆積速度に正比例すると考える。したがって、基板110の表面の第2の区域に比べて基板110の表面の第1の区域におけるガスの速度が速ければ速いほど、第1の区域上のガスの堆積がより速くなると考えられる。チャンバリッドアセンブリ132が下方へ傾いている下面160を有することで、下面160によって速度がより均一になり、したがって基板110の表面にわたってガス濃度がより均一になるため、基板110の表面にわたってガスの堆積がより均一になる。
1つの特有の実施形態では、チョーク162と基板支持体112との間の間隔は、約0.04インチ〜約2.0インチ、たとえば0.04インチ〜約0.2インチである。間隔は、供給されるガスおよび堆積中のプロセス条件に応じて変動することができる。チョーク162は、均一でない圧力分布のポンピングゾーン166から反応ゾーン164を分けることによって、チャンバリッドアセンブリ132と基板110との間に画定された体積または反応ゾーン164内の圧力分布をより均一にするのに役立つ(図1A)。
制御装置180は、工業的な環境で様々なチャンバおよびサブプロセッサを制御するために使用することができる任意の形の汎用コンピュータプロセッサの1つとすることができる。CPU182は、ランダムアクセスメモリ、読取り専用メモリ、フロッピーディスクドライブ、ハードディスク、またはローカルもしくは遠隔の任意の他の形のデジタルストレージなど、任意の適したメモリ186を使用することができる。CPU182には、プロセスチャンバ100を支持するために、様々な支持回路を結合することができる。制御装置180は、バルブ142A、142Bのプログラマブルロジックコントローラ148A、148Bなどの個々のチャンバ部品に隣接して位置する別のコントローラに結合することができる。集合的に信号バス188と呼ばれる多数の信号ケーブルを通じて、制御装置180とプロセスチャンバ100の様々な他の部品との間の双方向通信に対応する。信号バス188のいくつかを、図1Aに示す。制御装置180は、ガス源138、139、140およびバルブ142A、142Bのプログラマブルロジックコントローラ148A、148Bからの反応ガスおよびパージガスの制御に加えて、他の動作の中でもウエハ輸送、温度制御、チャンバ排気などのウエハ処理で使用される他の動作の自動制御を担うように構成することができる。これらの動作のいくつかは、本明細書に別途記載する。
Claims (12)
- 中心軸に沿って延びて上部部分および下部部分を有する中心チャネルを密閉するハウジングと、
前記ハウジングに結合されたリッドプレートであって、前記中心チャネルの前記下部部分に結合された中心開口から前記リッドプレートの周辺部分まで下方外向きに延びる外形を有する底面を有するリッドプレートと、
前記中心チャネルを加熱する第1の加熱要素と、
前記リッドプレートの前記外形を有する底面を加熱する第2の加熱要素であって、前記リッドプレートの上面に結合されたヒータプレートを構成する第2の加熱要素と、
前記中心チャネルに流体的に結合された遠隔プラズマ源と、
前記遠隔プラズマ源と前記ハウジングとの間に結合された分離カラーであって、前記遠隔プラズマ源および前記中心チャネルを流体的に結合するように前記分離カラーを通って延びる内側チャネルを有する分離カラーと
を備えるチャンバリッドアセンブリ。 - 前記第1の加熱要素が、前記ハウジング内に配置された1つまたは複数のカートリッジヒータを構成する、請求項1に記載のチャンバリッドアセンブリ。
- 前記遠隔プラズマ源に洗浄ガスを供給するように前記遠隔プラズマ源に結合された洗浄ガス源
をさらに備える、請求項1に記載のチャンバリッドアセンブリ。 - 前記洗浄ガスが三フッ化窒素である、請求項3に記載のチャンバリッドアセンブリ。
- 前記分離カラーが、アルミニウムから形成される、請求項1に記載のチャンバリッドアセンブリ。
- 前記第1の加熱要素が、前記ハウジング内に配置された1つまたは複数のカートリッジヒータを構成し、
前記第2の加熱要素が、前記リッドプレートの上面に結合されたヒータプレートを構成し、
前記ハウジングが、内側領域を含み、第1の環状チャネルおよび第2の環状チャネルを少なくとも部分的に画定し、前記第1および第2の環状チャネルが、前記中心チャネルに流体的に結合され、
前記内側領域内に配置され、前記中心チャネルを少なくとも部分的に画定する中心通路を有するインサートであって、第1の複数の開孔および第2の複数の開孔を含み、前記第1の複数の開孔が、前記第1の環状チャネルと前記中心チャネルとの間に多孔ガス入口を提供するように第1の水平平面に沿って配置され、前記第2の複数の開孔が、前記第2の環状チャネルと前記中心チャネルとの間に多孔ガス入口を提供するように第2の水平平面に沿って配置される、インサートと、
前記分離カラーと前記インサートとの間の接触面積を最小にするように前記分離カラーと前記インサートとの間に配置された熱分離リングと
をさらに備える、
請求項1から5までのいずれかに記載のチャンバリッドアセンブリ。 - 前記ハウジングが、内側領域を含み、第1の環状チャネルおよび第2の環状チャネルを少なくとも部分的に画定し、前記第1および第2の環状チャネルが、前記中心チャネルに流体的に結合され、
前記内側領域内に配置され、前記中心チャネルを少なくとも部分的に画定する中心通路を有するインサートをさらに備え、前記インサートが、第1の複数の開孔および第2の複数の開孔を含み、前記第1の複数の開孔が、前記第1の環状チャネルと前記中心チャネルとの間に多孔ガス入口を提供するように第1の水平平面に沿って配置され、前記第2の複数の開孔が、前記第2の環状チャネルと前記中心チャネルとの間に多孔ガス入口を提供するように第2の水平平面に沿って配置される、請求項1から5までのいずれかに記載のチャンバリッドアセンブリ。 - 前記第1の複数の開孔の各開孔が、第1の回転方向に前記中心軸の周りでガスの流れを引き起こすように前記中心軸に対して角度をなし、
前記第2の複数の開孔の各開孔が、前記第1の回転方向とは逆の第2の回転方向に前記中心軸の周りでガスの流れを引き起こすように前記中心軸に対して角度をなす、請求項7に記載のチャンバリッドアセンブリ。 - 前記分離カラーと前記インサートとの間の接触面積を最小にするように前記分離カラーと前記インサートとの間に配置された熱分離リング
をさらに備える、請求項7に記載のチャンバリッドアセンブリ。 - 前記熱分離リングが、ステンレス鋼から形成される、請求項9に記載のチャンバリッドアセンブリ。
- 前記インサートが、前記インサートの上部部分に配置されたキャップを含み、前記キャップが、前記キャップの中心部分内に形成された複数の孔を含み、前記複数の孔が、前記分離カラーの前記内側チャネルおよび前記中心チャネルを流体的に結合する、請求項7に記載のチャンバリッドアセンブリ。
- 前記第1の複数の開孔および前記第2の複数の開孔がそれぞれ、半径方向の開孔および接線方向の開孔を含む、請求項7に記載のチャンバリッドアセンブリ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/507,780 US10407771B2 (en) | 2014-10-06 | 2014-10-06 | Atomic layer deposition chamber with thermal lid |
US14/507,780 | 2014-10-06 | ||
PCT/US2015/050661 WO2016057180A1 (en) | 2014-10-06 | 2015-09-17 | Atomic layer deposition chamber with thermal lid |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017533599A JP2017533599A (ja) | 2017-11-09 |
JP6695884B2 true JP6695884B2 (ja) | 2020-05-20 |
Family
ID=55632394
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017537891A Active JP6695884B2 (ja) | 2014-10-06 | 2015-09-17 | サーマルリッドを有する原子層堆積チャンバ |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10407771B2 (ja) |
EP (1) | EP3204962A4 (ja) |
JP (1) | JP6695884B2 (ja) |
KR (3) | KR20230105690A (ja) |
CN (1) | CN107429393B (ja) |
SG (2) | SG10201903080PA (ja) |
TW (1) | TWI697579B (ja) |
WO (1) | WO2016057180A1 (ja) |
Families Citing this family (60)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
US9793096B2 (en) * | 2014-09-12 | 2017-10-17 | Lam Research Corporation | Systems and methods for suppressing parasitic plasma and reducing within-wafer non-uniformity |
US10407771B2 (en) * | 2014-10-06 | 2019-09-10 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition chamber with thermal lid |
US9966240B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-05-08 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
KR102024503B1 (ko) | 2015-03-13 | 2019-11-04 | 에이이에스 글로벌 홀딩스 피티이 리미티드 | 플라즈마 소스 디바이스 및 방법들 |
US11384432B2 (en) * | 2015-04-22 | 2022-07-12 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition chamber with funnel-shaped gas dispersion channel and gas distribution plate |
US20160362813A1 (en) * | 2015-06-12 | 2016-12-15 | Applied Materials, Inc. | Injector for semiconductor epitaxy growth |
US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
WO2017119074A1 (ja) | 2016-01-06 | 2017-07-13 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | ガス供給装置 |
US10325790B2 (en) * | 2016-04-29 | 2019-06-18 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for correcting substrate deformity |
US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
JP6696322B2 (ja) * | 2016-06-24 | 2020-05-20 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス処理装置、ガス処理方法及び記憶媒体 |
KR20180030363A (ko) | 2016-09-13 | 2018-03-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
TWI649446B (zh) * | 2017-03-15 | 2019-02-01 | 漢民科技股份有限公司 | 應用於半導體設備之可拆卸式噴氣裝置 |
WO2018202935A1 (en) * | 2017-05-02 | 2018-11-08 | Picosun Oy | Ald apparatus, method and valve |
US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
US11004722B2 (en) * | 2017-07-20 | 2021-05-11 | Applied Materials, Inc. | Lift pin assembly |
US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
US11598003B2 (en) * | 2017-09-12 | 2023-03-07 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing chamber having heated showerhead assembly |
US10147597B1 (en) | 2017-09-14 | 2018-12-04 | Lam Research Corporation | Turbulent flow spiral multi-zone precursor vaporizer |
WO2019057310A1 (en) * | 2017-09-25 | 2019-03-28 | Applied Materials, Inc. | SYSTEM FOR CLEANING A VACUUM CHAMBER, METHOD FOR CLEANING A VACUUM CHAMBER, AND USE OF A COMPRESSOR FOR CLEANING A VACUUM CHAMBER |
US10903054B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
US10854426B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
US10847337B2 (en) * | 2018-01-24 | 2020-11-24 | Applied Materials, Inc. | Side inject designs for improved radical concentrations |
US10679870B2 (en) * | 2018-02-15 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
US10886137B2 (en) | 2018-04-30 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Selective nitride removal |
US11201035B2 (en) * | 2018-05-04 | 2021-12-14 | Tokyo Electron Limited | Radical source with contained plasma |
US10872778B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-12-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods utilizing solid-phase etchants |
US10755941B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting selective etching systems and methods |
US10892198B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved performance in semiconductor processing |
US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
KR20230170130A (ko) * | 2018-12-20 | 2023-12-18 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 개선된 가스 유동을 처리 챔버의 처리 용적에 공급하기 위한 방법 및 장치 |
US11721527B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber mixing systems |
US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
CN111799143B (zh) * | 2019-04-09 | 2023-09-22 | 应用材料公司 | 半导体处理腔室多阶段混合设备 |
US11335591B2 (en) | 2019-05-28 | 2022-05-17 | Applied Materials, Inc. | Thermal process chamber lid with backside pumping |
WO2021021518A1 (en) * | 2019-07-29 | 2021-02-04 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber and methods for cleaning the same |
KR20230024424A (ko) * | 2019-08-12 | 2023-02-20 | 커트 제이. 레스커 컴파니 | 원자 스케일 처리를 위한 초고순도 조건 |
US11043362B2 (en) * | 2019-09-17 | 2021-06-22 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatuses including multiple electron sources |
KR20210065054A (ko) * | 2019-11-25 | 2021-06-03 | 주식회사 원익아이피에스 | 가스 공급 블록 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
CN110904438A (zh) * | 2019-12-04 | 2020-03-24 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 用于多种化学源之气体分配装置 |
CN111705307A (zh) * | 2020-06-15 | 2020-09-25 | 苏州迈为科技股份有限公司 | 等离子体气相沉积设备 |
US11862475B2 (en) * | 2020-10-15 | 2024-01-02 | Applied Materials, Inc. | Gas mixer to enable RPS purging |
US20230073150A1 (en) * | 2021-09-09 | 2023-03-09 | Applied Materials, Inc. | Heated lid for a process chamber |
Family Cites Families (59)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5186120A (en) * | 1989-03-22 | 1993-02-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Mixture thin film forming apparatus |
US5256205A (en) * | 1990-05-09 | 1993-10-26 | Jet Process Corporation | Microwave plasma assisted supersonic gas jet deposition of thin film materials |
US5614247A (en) * | 1994-09-30 | 1997-03-25 | International Business Machines Corporation | Apparatus for chemical vapor deposition of aluminum oxide |
JP3901252B2 (ja) * | 1996-08-13 | 2007-04-04 | キヤノンアネルバ株式会社 | 化学蒸着装置 |
US5935334A (en) * | 1996-11-13 | 1999-08-10 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing apparatus with bottom-mounted remote plasma system |
EP0855452B1 (en) | 1997-01-24 | 2003-06-04 | Applied Materials, Inc. | Process and apparatus for depositing titanium layers |
US6051286A (en) | 1997-02-12 | 2000-04-18 | Applied Materials, Inc. | High temperature, high deposition rate process and apparatus for depositing titanium layers |
US6433314B1 (en) | 1998-04-08 | 2002-08-13 | Applied Materials, Inc. | Direct temperature control for a component of a substrate processing chamber |
US6454860B2 (en) | 1998-10-27 | 2002-09-24 | Applied Materials, Inc. | Deposition reactor having vaporizing, mixing and cleaning capabilities |
JP2001020076A (ja) * | 1999-07-06 | 2001-01-23 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 反応室のクリーニング方法及び装置 |
US6287643B1 (en) * | 1999-09-30 | 2001-09-11 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus and method for injecting and modifying gas concentration of a meta-stable or atomic species in a downstream plasma reactor |
US6387207B1 (en) * | 2000-04-28 | 2002-05-14 | Applied Materials, Inc. | Integration of remote plasma generator with semiconductor processing chamber |
EP1322801B1 (de) * | 2000-09-22 | 2010-01-06 | Aixtron Ag | Cvd-verfahren und gaseinlassorgan zur durchführung des verfahrens |
US20030047282A1 (en) | 2001-09-10 | 2003-03-13 | Yasumi Sago | Surface processing apparatus |
US7780789B2 (en) * | 2001-10-26 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Vortex chamber lids for atomic layer deposition |
US20080102203A1 (en) * | 2001-10-26 | 2008-05-01 | Dien-Yeh Wu | Vortex chamber lids for atomic layer deposition |
US20080102208A1 (en) * | 2001-10-26 | 2008-05-01 | Dien-Yeh Wu | Vortex chamber lids for atomic layer deposition |
JP4121269B2 (ja) * | 2001-11-27 | 2008-07-23 | 日本エー・エス・エム株式会社 | セルフクリーニングを実行するプラズマcvd装置及び方法 |
EP1420080A3 (en) * | 2002-11-14 | 2005-11-09 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for hybrid chemical deposition processes |
US20050252449A1 (en) * | 2004-05-12 | 2005-11-17 | Nguyen Son T | Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system |
US7581549B2 (en) * | 2004-07-23 | 2009-09-01 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method for removing carbon-containing residues from a substrate |
JP2006128485A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Asm Japan Kk | 半導体処理装置 |
KR100663351B1 (ko) | 2004-11-12 | 2007-01-02 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 처리장치 |
US20060133955A1 (en) * | 2004-12-17 | 2006-06-22 | Peters David W | Apparatus and method for delivering vapor phase reagent to a deposition chamber |
KR20060076714A (ko) * | 2004-12-28 | 2006-07-04 | 에이에스엠지니텍코리아 주식회사 | 원자층 증착기 |
US20070119370A1 (en) * | 2005-11-04 | 2007-05-31 | Paul Ma | Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition |
JP5045000B2 (ja) * | 2006-06-20 | 2012-10-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、ガス供給装置、成膜方法及び記憶媒体 |
KR100794661B1 (ko) | 2006-08-18 | 2008-01-14 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 및 그 장치의 세정 방법 |
US20080063798A1 (en) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Kher Shreyas S | Precursors and hardware for cvd and ald |
WO2008052047A2 (en) * | 2006-10-24 | 2008-05-02 | Applied Materials, Inc. | Vortex chamber lids for atomic layer deposition |
KR100819096B1 (ko) | 2006-11-21 | 2008-04-02 | 삼성전자주식회사 | Peox공정을 진행하는 반도체 제조설비의 리모트 플라즈마를 이용한 세정방법 |
WO2008129977A1 (ja) * | 2007-04-17 | 2008-10-30 | Ulvac, Inc. | 成膜装置 |
US20090000550A1 (en) | 2007-06-29 | 2009-01-01 | Applied Materials, Inc. | Manifold assembly |
CN101809717B (zh) * | 2007-09-25 | 2012-10-10 | 朗姆研究公司 | 用于等离子处理设备的喷头电极总成的温度控制模块 |
US20090084317A1 (en) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition chamber and components |
CN101802254B (zh) * | 2007-10-11 | 2013-11-27 | 瓦伦斯处理设备公司 | 化学气相沉积反应器 |
US8137467B2 (en) * | 2007-10-16 | 2012-03-20 | Novellus Systems, Inc. | Temperature controlled showerhead |
US20090095218A1 (en) * | 2007-10-16 | 2009-04-16 | Novellus Systems, Inc. | Temperature controlled showerhead |
US8673080B2 (en) * | 2007-10-16 | 2014-03-18 | Novellus Systems, Inc. | Temperature controlled showerhead |
US7943531B2 (en) * | 2007-10-22 | 2011-05-17 | Applied Materials, Inc. | Methods for forming a silicon oxide layer over a substrate |
US20090155488A1 (en) * | 2007-12-18 | 2009-06-18 | Asm Japan K.K. | Shower plate electrode for plasma cvd reactor |
US8187381B2 (en) * | 2008-08-22 | 2012-05-29 | Applied Materials, Inc. | Process gas delivery for semiconductor process chamber |
JP5315898B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2013-10-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JP5544697B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2014-07-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
CN102762767B (zh) * | 2010-03-12 | 2015-11-25 | 应用材料公司 | 具有多重注射道的原子层沉积腔室 |
WO2012122054A2 (en) * | 2011-03-04 | 2012-09-13 | Novellus Systems, Inc. | Hybrid ceramic showerhead |
JP5762841B2 (ja) * | 2011-06-21 | 2015-08-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体製造装置 |
US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
US9677176B2 (en) * | 2013-07-03 | 2017-06-13 | Novellus Systems, Inc. | Multi-plenum, dual-temperature showerhead |
TWI546847B (zh) * | 2013-12-27 | 2016-08-21 | 日立國際電氣股份有限公司 | 基板處理裝置及半導體裝置的製造方法 |
US10487399B2 (en) * | 2014-06-26 | 2019-11-26 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition chamber with counter-flow multi inject |
JP5792364B1 (ja) * | 2014-07-31 | 2015-10-07 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、チャンバリッドアセンブリ、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体 |
US10407771B2 (en) * | 2014-10-06 | 2019-09-10 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition chamber with thermal lid |
JP5916909B1 (ja) * | 2015-02-06 | 2016-05-11 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、ガス整流部、半導体装置の製造方法およびプログラム |
JP5961297B1 (ja) * | 2015-03-26 | 2016-08-02 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
US11384432B2 (en) * | 2015-04-22 | 2022-07-12 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition chamber with funnel-shaped gas dispersion channel and gas distribution plate |
US20160186319A1 (en) * | 2015-06-25 | 2016-06-30 | Rec Silicon Inc | Silicon carbide stack bottom seal arrangement |
JP6333232B2 (ja) * | 2015-12-02 | 2018-05-30 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
US20190048467A1 (en) * | 2017-08-10 | 2019-02-14 | Applied Materials, Inc. | Showerhead and process chamber incorporating same |
-
2014
- 2014-10-06 US US14/507,780 patent/US10407771B2/en active Active
-
2015
- 2015-09-17 KR KR1020237023010A patent/KR20230105690A/ko not_active Application Discontinuation
- 2015-09-17 JP JP2017537891A patent/JP6695884B2/ja active Active
- 2015-09-17 WO PCT/US2015/050661 patent/WO2016057180A1/en active Application Filing
- 2015-09-17 SG SG10201903080PA patent/SG10201903080PA/en unknown
- 2015-09-17 SG SG11201702258TA patent/SG11201702258TA/en unknown
- 2015-09-17 KR KR1020177012316A patent/KR102554825B1/ko active IP Right Grant
- 2015-09-17 EP EP15849178.7A patent/EP3204962A4/en not_active Withdrawn
- 2015-09-17 KR KR1020207023498A patent/KR102661401B1/ko active IP Right Grant
- 2015-09-17 CN CN201580054256.3A patent/CN107429393B/zh active Active
- 2015-09-21 TW TW104131161A patent/TWI697579B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3204962A1 (en) | 2017-08-16 |
CN107429393A (zh) | 2017-12-01 |
TWI697579B (zh) | 2020-07-01 |
US20160097119A1 (en) | 2016-04-07 |
EP3204962A4 (en) | 2018-05-16 |
SG11201702258TA (en) | 2017-04-27 |
JP2017533599A (ja) | 2017-11-09 |
TW201619430A (zh) | 2016-06-01 |
KR20230105690A (ko) | 2023-07-11 |
SG10201903080PA (en) | 2019-05-30 |
KR102661401B1 (ko) | 2024-04-25 |
CN107429393B (zh) | 2020-07-03 |
US10407771B2 (en) | 2019-09-10 |
KR102554825B1 (ko) | 2023-07-11 |
WO2016057180A1 (en) | 2016-04-14 |
KR20200098739A (ko) | 2020-08-20 |
KR20170067827A (ko) | 2017-06-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6695884B2 (ja) | サーマルリッドを有する原子層堆積チャンバ | |
US10982326B2 (en) | Counter-flow multi inject for atomic layer deposition chamber | |
JP5889806B2 (ja) | 複式噴射を伴う原子層堆積チャンバ | |
US11932939B2 (en) | Lids and lid assembly kits for atomic layer deposition chambers | |
KR102600385B1 (ko) | 처리 챔버 혼합 시스템들 | |
US7780785B2 (en) | Gas delivery apparatus for atomic layer deposition | |
EP1444380B1 (en) | Gas delivery apparatus for atomic layer deposition | |
JP2014518452A (ja) | 気相成長システム用のプロセスガスディフューザ組立体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180817 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190718 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190729 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20191028 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191225 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200323 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200422 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6695884 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |