JP6692393B2 - 有機発光表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、有機発光表示装置に関するものであり、特に下部構造の配置密度によって両ダムパターンの間に選択的に補償パターンを適用し、装置の信頼性を改善した有機発光表示装置に関する。

近年、本格的な情報化時代に入るにつれて、電気的情報信号を視覚的に表現するディスプレイ分野が急速に発展している。これに応じて、薄型化、軽量化、省電力化の優れた性能を有する多様な平面表示装置（Ｆｌａｔ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ）が開発され、既存のブラウン管（Ｃａｔｈｏｄｅ Ｒａｙ Ｔｕｂｅ：ＣＲＴ）と急速に置き換わっている。

このような平面表示装置の具体的な例としては、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ：ＬＣＤ）、プラズマ表示装置（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ ｄｅｖｉｃｅ：ＰＤＰ）、電界放出表示装置（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ：ＦＥＤ）、有機発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｅｖｉｃｅ：ＯＬＥＤ）などが挙げられる。

これらの装置のうち、追加の光源を必要とせず、装置のコンパクト化及び鮮やかなカラー表示を行えることから、有機発光表示装置は、競争力のあるアプリケーションと考えられている。

このような有機発光表示装置は、各サブピクセル毎に、独立して駆動する有機発光素子を備える。有機発光素子は、正極と、負極と、正極と負極の間に有機発光層を含む有機層とを含んでなる。

一方、有機発光表示装置は、一例として、下板側に各サブピクセルに対応して薄膜トランジスタと有機発光素子を有するアレイ構成を有し、水分に弱い有機発光素子を封止するために封止基板をアレイに対向させて備える。また、下板と封止基板との間の縁部を取り囲むように上下に位置し、封止基板と下板とを側面の外気から封止するシールパターン（ｓｅａｌ ｐａｔｔｅｒｎ）を備える（例えば、特許文献１参照）。

一般に、シールパターンは、封止基板側に塗布されて、封止基板を下板に対向させて合着させることによってなる。しかし、下板の構造は、下板の上辺、下辺及び両辺の各領域で異なる。このため、合着後のシールパターンの拡散の程度は、互いに異なることになる。

これにより、シールパターンが小さな幅を有する領域で、側面の外気又は湿気に弱いという問題がある。また、各領域におけるシールパターンの幅の差は、時間の経過につれて次第に脆弱部位で劣化を促進させ、装置の信頼性の低下を引き起こす。

特開２０１４−２０３７０７号公報

本発明は、上述した課題を解決するために案出したものであり、下部構造の配置密度によって両ダムパターンの間に選択的に補償パターンを適用して、シールパターン材料が満たされる幅を領域毎に同一にすることによって装置の信頼性を改善した有機発光表示装置を提供することを目的とする。

本発明の有機発光表示装置は、複数のサブピクセルを有する活性領域、前記活性領域の周りに、第１辺のパッド部、前記第１辺の両側にそれぞれ接した第２辺及び第３辺のゲート駆動部、及び前記第１辺に対向し、前記第２辺及び前記第３辺のゲート駆動部の間に位置する第４辺の不活性領域を有する基板と、前記基板に対向する封止基板と、前記基板上の前記第１辺乃至前記第４辺の不活性領域で同じ離隔間隔を有し、それぞれ閉ループ状に形成された第１ダムパターン及び第２ダムパターンと、平面上で前記第１ダムパターン及び前記第２ダムパターンの間に位置し、断面上の前記基板と前記封止基板の間に位置するシールパターンと、前記第４辺の不活性領域の前記シールパターン内に形成された第１補償パターンとを備える。

これにより、本発明の有機発光表示装置は、シールパターンと重畳する各領域の基板上の表面密度（体積）を同一に維持し、シールパターンが有する幅を領域毎に同一に維持することができる。したがって、装置の信頼性を改善できる。

本発明の有機発光表示装置は、以下の効果を奏する。

本発明の有機発光表示装置は、シールパターンと重畳する各領域の基板上の表面密度（体積）を同一に維持し、シールパターンが有する幅を領域毎に同一に維持することができる。したがって、特定領域のシールパターンが薄くなり、これを通じて水分の透湿経路が発生して寿命が低下する課題を解決し、装置の信頼性を改善できる。

本発明の有機発光表示装置を示す平面図である。 本発明の有機発光表示装置の一実施形態におけるダムパターン及び補償パターンを示す平面図である。 本発明の有機発光表示装置の一実施形態におけるダムパターン及び補償パターンを示す平面図である。 本発明の有機発光表示装置の一実施形態におけるダムパターン及び補償パターンを示す平面図である。 本発明の有機発光表示装置の一実施形態における補償パターンを示す断面図である。 本発明の有機発光表示装置の一実施形態における補償パターンを示す断面図である。 本発明の有機発光表示装置の一実施形態における補償パターンを示す断面図である。 図１のＩ〜Ｉ’線に沿った断面図である。 図１のＩＩ〜ＩＩ’線に沿った断面図である。 図１のＩＩＩ〜ＩＩＩ’線に沿った断面図である。 本発明の有機発光表示装置における、第１辺乃至第４辺の不活性領域を示す平面図である。

本発明の利点及び特徴、並びにそれらを達成する方法は、添付図面に基づいて詳細に後述する実施形態を参照すれば明らかになるであろう。しかしながら、本発明は以下で開示する実施形態に限定されるものではなくて相異なる多様な形態として具現してもよい。したがって、実施形態は、本発明の開示を完全にさせ、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供するものであり、本発明は請求範囲の範疇によってのみ定義される。

本発明の実施形態を説明するための図面に開示した形状、寸法、比率、角度、個数などは例示的なものなので、本発明が図示の事項に限定されるものではない。明細書全般にわたって同じ参照符号は同じ構成要素を指示する。また、本発明の説明において、関連の公知技術についての具体的な説明が本発明の要旨を不必要にあいまいにすることができると判断される場合、その詳細な説明は省略する。

本明細書上で‘含む’、‘有する’、‘なる’などが使われる場合、‘〜のみ’が使われない限り、他の部分が付加され得る。構成要素を単数で表現した場合、特に明示的な記載事項がない限り、その構成要素が複数である場合も含む。

構成要素の解釈において、明示的記載がない場合であっても誤差範囲を含むものとして解釈する。

位置関係について説明する場合、例えば、‘〜上に’、‘〜の上部に’、‘〜の下部に’、‘〜のそばに’などによって２つの部分の位置関係を説明する場合、‘すぐ’又は‘直接’を使わない限り、二つの部分の間に一つ以上の他の部分が位置することもある。

時間関係について説明する場合、例えば、‘〜の後に’、‘〜に引き続き’、‘〜の次に’、‘〜の前に’などで時間的先後関係を説明する場合、‘すぐ’又は‘直接’が使われない限り、連続的ではない場合も含むことがある。

‘第１’及び‘第２’などを多様な構成要素を説明するために使うが、これらの構成要素はこれらの用語によって制限されない。これらの用語は単に一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用されるものである。したがって、以下で言及する第１構成要素は、本発明の技術的思想内で第２構成要素であってもよい。

‘少なくとも一つ’という用語は、一つ以上の関連項目から提示可能な全ての組合せを含むものとして理解しなければならない。例えば、‘第１項目、第２項目及び第３項目の少なくとも一つ’の意味は、第１項目、第２項目又は第３項目のそれぞれだけでなく、第１項目、第２項目及び第３項目のうち二つ以上から提示可能な全ての項目の組合せを意味することができる。

本発明の幾つかの実施形態の各特徴を部分的に又は全体的に互いに結合又は組合せてもよく、技術的に様々に連動及び駆動してもよく、各実施形態をそれぞれ独立して実施してもよく、複数の実施形態を組み合わせて実施してもよい。

以下、添付図面に基づいて本発明の実施形態を詳細に説明する。

図１は、本発明の有機発光表示装置を示す平面図、図２ａ〜図２ｃは、本発明の有機発光表示装置の一実施形態におけるダムパターン及び補償パターンをそれぞれ示す平面図、図３ａ〜図３ｃは、本発明の一実施形態における補償パターンをそれぞれ示す断面図である。

図１に示すように、本発明の有機発光表示装置は、複数のサブピクセルＳＰを有する活性領域ＡＡと活性領域の周りの不活性領域とを有する基板１００と、基板１００に対向する封止基板２００と、基板１００上の不活性領域で同じ離隔間隔を有し、それぞれ閉ループ状に形成された第１ダムＤ１及び第２ダムＤ２と、平面上で第１ダムＤ１と第２ダムＤ２の間に位置し、かつ断面上の基板１００と封止基板２００の間に位置するシールパターン３００と、不活性領域のシールパターン３００内において、各辺の不活性領域での基板上の表面段差を補償する第１補償パターン（図２ａ〜図３ｃの符号１４３ａ参照）とを含む。

ここで、不活性領域は、第１辺Ｓ１のパッド部Ｐと、第１辺の両側に接する第２辺Ｓ２及び第３辺Ｓ３のゲート駆動部ＧＰ１、ＧＰ２と、第１辺に対向し、第２辺及び第３辺のゲート駆動部ＧＰ１、ＧＰ２の間に位置する第４辺Ｓ４の非パッド部ＮＰとを含む。第１補償パターン１４３ａは、第４辺Ｓ４の非パッド部ＮＰに位置する。また、パッド部Ｐは、基板１００が封止基板２００より相対的に突出した部位であり、パッド部Ｐには複数のパッド電極（図４の符号１３５参照）が備えられている。パッド電極は、ソースドライバー（図示せず）又はフレキシブルプリント回路基板（図示せず）と連結され、これに外部から駆動信号が印加可能である。

本発明の有機発光表示装置は、活性領域を取り囲む第１辺〜第４辺Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４の不活性領域の基板１００上の表面構造が、配置される金属層の密度又はオーバーコート層が占める面積に差がある点を考慮して、これを補償するように第１補償パターン１４３ａを備えたものである。具体的に説明すると、基板又は封止基板のいずれか一つにシールパターン物質を塗布した後、両基板を合着するとき、基板表面の構造差によってシールパターン物質の拡散性差が領域毎に発生する。これに起因して第１辺〜第４辺のシールパターンの幅が変わり得るという課題を解決するために、本発明の有機発光表示装置は、基板１００上の表面構造において密度が不足している部分に第１補償パターン１４３ａを備えたものである。

ここで、第１補償パターン１４３ａは、第１辺〜第４辺Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４の不活性領域のうち、基板１００の表面構造が最低密度であってシールパターン３００と重畳した領域である第４辺Ｓ４の不活性領域に配置されるものである。

図２ａ〜図３ｃに示すように、第２辺及び第３辺の不活性領域の、シールパターン３００内に第１補償パターン１４３ａよりも低密度で第２補償パターン１４３ｂをさらに含むことができる。これは、第１辺の不活性領域と比較して第２辺及び第３辺の不活性領域もシールパターン３００と重畳した基板１００の表面の下部構造が小さな体積を有するからであり、第２補償パターン１４３ｂを備えることで、シールパターン３００が満たされる領域を補償するものである。

すなわち、第１及び第２補償パターン１４３ａ、１４３ｂを備えることで、第１辺〜第４辺Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４の不活性領域で、基板１００上の構造表面が有する体積又は密度をほぼ同一にし、結果としてシールパターン３００が合着過程で拡散する領域を同等にするものである。

第２辺Ｓ２及び第３辺Ｓ３の不活性領域は、第４辺Ｓ４の不活性領域よりも基板１００上の表面の密度が高い。このため、第２補償パターン１４３ｂは、第１補償パターン１４３ａよりも低密度で形成する。この場合、第１及び第２補償パターン１４３ａ、１４３ｂの密度差は、図２ａ及び図２ｂに示すように、第１補償パターン１４３ａの個数を第２補償パターン１４３ｂより多くして（図５及び図６参照）具現化する、あるいは、図２ｃに示すように、第１補償パターン１４３ａより第２補償パターン１４３ｂの幅を大きくして具現化することができる。具体的に、図２ａの実施形態と図２ｂの実施形態とを比較すると、図２ａの実施形態は、第１補償パターン１４３ａと第２補償パターン１４３ｂが互いに連結されていないものである。図２ｂの実施形態は、第１及び第２補償パターン１４３ａ、１４３ｂが互いに連結されたものである。二つの実施形態は、基板１００のコーナーでの配置によって適宜選択することができる。場合によっては、第１及び第２補償パターン１４３ａ、１４３ｂは、いずれも各辺で１列に、複数に分けて形成することができる。第１及び第２補償パターン１４３ａ、１４３ｂは、活性領域ＡＡをカバーするとともに、シールパターン３００と一側で重畳したオーバーコート層（図４〜図６の１４１）からは離隔して形成するものである。これは、これらの材料が有機物であり、活性領域ＡＡから離隔させることで、発生し得る第１及び第２補償パターン１４３ａ、１４３ｂの損傷がオーバーコート層１４１に影響を及ぼすことを防止するためである。

あるいは、図３ｃに示すように、垂直断面上で、第１補償パターン１４３ａは、オーバーコート層１４１と同一層の第１層１４３１と、バンク１６１と同一層の第２層１４３２との複数層とし、第２補償パターン１４３ｂは、オーバーコート層又はバンクと同一層の材料の単一層として具現することもできる。

その他の例としては、第１補償パターン１４３ａと第２補償パターン１４３ｂとを各辺で複数パターンに分けて形成するとともに、相対的に第２補償パターン１４３ｂとの間隔を第１補償パターン１４３ａよりも大きくして第１補償パターン１４３ａをより高い密度で構成することもできる。

図３ａ〜図３ｃに示すように（図４〜図６参照）、第１及び第２補償パターン１４３ａ、１４３ｂは、領域毎の密度差を補償するために備えるものであり、基板１００上に備えられる層のうち、相対的に厚さの大きなオーバーコート層１４１又はバンク１６１と同一の物質で形成する。ここで、オーバーコート層１４１又はバンク１６１の厚さは、およそ１μｍ〜５μｍ、より好ましくは１．１μｍ〜３μｍである。第１及び第２補償パターン１４３ａ、１４３ｂが小さな幅であっても、その厚さは大きい。このため、合着中にシールパターン３００が拡散するとき、基板１００上の表面密度を領域毎に均一にすることができる。オーバーコート層１４１及びバンク１６１と比較し、基板１００上に備えられる金属層又は無機絶縁層の厚さは、およそ５０００Å（＝０．５μｍ）以下で同じ幅で備えられるとき、基板１００上の他層である金属層又は無機絶縁層に比べて、オーバーコート層１４１又はバンク１６１の物質がある部位で基板１００上の最上部が突出することがある。

一方、図３ａ〜図３ｃは、第１及び第２補償パターン１４３ａ、１４３ｂが層間絶縁膜１３８上に位置することを示している。このような層間絶縁膜１３８は、薄膜トランジスタを覆う用途のものであるか、あるいは薄膜トランジスタを成す金属層又は半導体層の間に位置する無機膜成分の層間絶縁膜である。そして、図３ａ〜図３ｃは、概略的に示されて詳細には表現されていないが、第１及び第２補償パターン１４３ａ、１４３ｂの表面を基板１００の最上部に位置する保護膜１９１が覆い、シールパターン３００が保護膜１９１上に重畳して配置され得る（図５及び図６参照）。

一方、図１に示した基板１００は、第１辺〜第４辺を有する長方形として示されている。上述した活性領域の縁部に位置する第１辺〜第４辺Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４の不活性領域は、長方形を基準に説明する。

しかし、基板１００の形状は、要求又は技術発展に応じて他の多角形又は円形の形態を有してもよい。この場合にも、基板１００の表面形状が異なれば、相対的に基板１００の表面密度が低い部位に上述した補償パターンをさらに備えることができる。例えば、基板１００が五角形以上の多角形であれば、同じ原理で第５辺以上の不活性領域に補償パターンをさらに適用することができる。

以下、本発明の有機発光表示装置における各領域について断面図を参照して詳細に説明する。

図４は、図１におけるＩ〜Ｉ’線に沿った断面図であり、図５は、図１におけるＩＩ〜ＩＩ’線に沿った断面図であり、図６は、図１におけるＩＩＩ〜ＩＩＩ’線に沿った断面図である。

活性領域ＡＡの各サブピクセルは、少なくとも一つの薄膜トランジスタＴＦＴと、薄膜トランジスタＴＦＴを覆うオーバーコート層１４１と、オーバーコート層１４１上に設けられて薄膜トランジスタＴＦＴと電気的に連結され、第１電極１５１、有機発光層１７１及び第２電極１８１が積層されてなる有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）とを有する。有機発光層１７１は、単一層として示されているが、これは一例に過ぎない。有機発光層１７１は、実質的に発光するＥＬ層と、その下部と上部に備えられる正孔関連層及び電子関連層をさらに備えて複数層に形成され得る。図４〜図６に示す断面図のうち、図４にのみ薄膜トランジスタＴＦＴが示されているが、これに限られない。図５のゲートパッド部に隣接する活性領域と図６の非パッド部に隣接する活性領域に薄膜トランジスタＴＦＴが備えられてもよい。

一方、サブピクセルＳＰの境界部に有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の発光部を定義するバンク１６１がさらに備えられてもよい。ここで、バンク１６１は、ブラックレジンを含むことができる。そして、このようなバンク１６１は、有機物から形成されるものである。バンク１６１は、オーバーコート層１４１と類似した１μｍ〜５μｍの厚さを有し、好ましくは１．１μｍ〜３μｍの厚さを有する。

ここで、オーバーコート層１４１は、薄膜トランジスタＴＦＴと第１電極１５１が連結されるコンタクトホールを除き、活性領域ＡＡを全体的にカバーするように形成され、活性領域の外側にも伸びてシールパターン３００とも部分的に重畳することができる。ここで、第１辺〜第４辺Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４の不活性領域でシールパターン３００と重畳する幅は、互いに異なる。図６に示すように、ショーティンバー(短絡バー)配線１５２が備えられた領域よりも外側にオーバーコート層１４１を備える。ショーティンバー配線１５２は、第１電極１５１と同一層の金属材料で形成され得る。オーバーコート層１４１の下側にそれぞれ２０００Å前後の薄い層間絶縁膜１３８及びゲート絶縁膜１３１が位置する。これは、ショーティンバー配線１５２が、オーバーコート層１４１の外側に突出して層間絶縁膜１３８上に位置し、このような薄い絶縁膜にピンホールが発生するときに、ショーティンバー配線とソースリンク配線間のショートが発生することを防止するためである。すなわち、厚いオーバーコート層１４１が、少なくともソースリンク配線１１１が位置する部位にショーティンバー配線１５２の下側に位置する。これにより、薄膜の層間絶縁膜１３８及びゲート絶縁膜１３１にダメージがあっても、ショーティンバー配線１５２とソースリンク配線１１１との間の絶縁を維持することができる。また、ショーティンバー配線１５２の電位を安定化するために、ショーティンバー配線１５２の上部を第２電極１８１が覆うことになり、第２電極１８１は下側のソースリンク配線１１１又はゲート金属層１１３のような金属が位置する部位では、オーバーコート層１４１の上部まで形成される。これは、前述した薄い層間絶縁膜１３８及びゲート絶縁膜１３１のピンホールによって発生する下側金属層とのショートを防止しようとしたものと類似した機能のためである。図４及び図５に示すように、オーバーコート層１４１の下側に金属層が位置する第１辺、第２辺及び第３辺の不活性領域では、オーバーコート層１４１の上部まで第２電極１８１を位置させ、図６に示すように、オーバーコート層１４１の下側に金属層が位置しない第４辺の不活性領域では、第２電極１８１がオーバーコート層１４１の側部を覆いながら隣接した層間絶縁膜１３８の上側まで位置することができる。図６の場合にも、第２電極１８１は、ゲートグラウンド配線１１４とは重畳させないことがショート防止のために好ましい。ここで、図６に示すように、第２電極１８１は、活性領域の全部と外縁の一部で一体型に、シールパターン３００とは部分的に重畳することができ、活性領域の外縁部でショーティンバー配線１５２と電気的に連結され得る。

図４〜図６において、基板１００上の構成のうち、説明しなかった符号１２１は、バッファー層である。バッファー層は、基板１００側の不純物が基板１００上に形成される構成に流入することを防止するために備えられる。あるいは、バッファー層は、基板１００の特定処理を行うとき、これによる影響を防止するために備えられる。また、説明しなかった符号１１５は、ゲートグラウンド配線１１４と同じ層に位置し、電源電圧ラインＶＤＤ ｌｉｎｅの静電安定化機能を有する静電安定補助線であり、これは第２ダムパターン１６２と重畳して、前記ゲートグラウンド配線１１４と電気的に離隔して形成される。

参考として、薄膜トランジスタＴＦＴは、ゲート電極１１２、半導体層１２２、半導体層１２２の両側と接続されたソース電極１３６及びドレイン電極１３７からなる。ゲート電極１１２と半導体層１２２の間には、ゲート絶縁膜１３１が介在する。図示の半導体層１２２は、酸化物半導体であって、ソース電極１３６及びドレイン電極１３７のパターニング時にチャネル部の保護のためにエッチストッパー１３２が備えられている状態を示す。しかし、このような薄膜トランジスタは一例であり、半導体層１２２は、非晶質シリコン、ポリシリコン、又は複数層のシリコン層から形成可能である。この場合には、エッチストッパー１３２を省略することができる。

そして、ドレイン電極１３７は、有機発光ダイオードの第１電極１５１と電気的に接続される。第１電極１５１は反射性金属から、第２電極１８１は透明金属からそれぞれ形成可能である。反対に、第１電極１５１は透明金属から、第２電極１８１は反射性電極から形成可能である。前者は上部発光方式、後者は下部発光方式であり、図示の形態で封止基板２００側の透過性を維持する構造は、主に上部発光方式で具現化される。

パッド電極１３５の電極の上部には、パッド電極１３５の酸化防止のために、第１電極１５１と同一層の金属でパッド保護電極１５３をさらに構成することができる。

そして、シールパターン３００は、それぞれ両側に第１ダムパターン２２０と第２ダムパターン１６２を備えることによってその領域が定義される。

また、有機発光ダイオードを保護するように第２電極１８１を充分に覆うため、基板１００の最上部には、保護膜１９１がさらに備えられる。保護膜１９１は、概して薄膜トランジスタアレイの絶縁膜であるゲート絶縁膜１３１及び層間絶縁膜１３８よりも相対的に厚い無機絶縁膜であって、ＳｉＯＮなどから形成可能である。保護膜１９１は、基板１００と封止基板２００の間に残留している異物が有機発光ダイオードに浸透することを一次的に防止することができる。バッファー層１２１、ゲート絶縁膜１３１及び層間絶縁膜１３８は無機膜である。上部のオーバーコート層１４１、バンク１６１、第１補償パターン１４３ａ、第２補償パターン１４３ｂ、第１ダムパターン２２０、第２ダムパターン１６２、第３ダムパターン２１０ａ、及び第４ダムパターン２１０ｂは有機物質からなる。

上記では、基板１００上に備えられる第１ダムパターン２２０及び第２ダムパターン１６２について説明した。しかし、ダムの機能は、図４〜図６に示すように、封止基板２００も有してもよい。このため、基板１００に対向する封止基板２００の一表面上に、第１ダムパターン２２０及び第２ダムパターン１６２に対向する第３ダムパターン２１０ａ及び第４ダムパターン２１０ｂをさらに含むことができる。

第１ダムパターン２２０は、下側のダミーオーバーコート層１４２と上側のバンク層１６３とが積層されることで構成され得る。ここで、ダミーオーバーコート層１４２は、オーバーコート層１４１と同一層であって、互いに離隔している。バンク層１６３は、バンク１６１と同一層であって、離隔している。第２ダムパターン１６２は、バンク１６１と同一層であって、互いに離隔している。この場合、第１ダムパターン２２０及び第２ダムパターン１６２は、第１補償パターン１４３ａ又は第２補償パターン１４３ｂと同一又は類似の層状構造を有する。これは、同一工程で製造可能であることを意味する。すなわち、本発明の第１及び第２補償パターン１４３ａ、１４３ｂは、工程を追加しなくてオーバーコート層１４１及びバンク１６１を定義する過程で一緒に形成することができる。そして、第１及び第２補償パターン１４３ａ、１４３ｂは、両側の第１及び第２ダムパターン２２０、１６２から離隔して位置し、基板１００の上部表面の密度を独立的に調整することができる。シールパターン３００の内側に位置するため、シールパターン３００内に含まれたゲッターによって保護され得る。したがって、第１及び第２補償パターン１４３ａ、１４３ｂは、有機物成分であるが、ゲッターを含むシールパターン３００によって保護されることによって装置の信頼性が確保される。

そして、第３ダムパターン２１０ａと第４ダムパターン２１０ｂは、封止基板２００側に備えられたブラックマトリックス層（図示せず）又はカラーフィルター層（図示せず）と同一工程で互いに離隔して備えられる。このようなダムパターン間の離隔及びダムパターンと内部オーバーコート層又は内部ブラックマトリックス層又はカラーフィルター層間の離隔は、水分透湿経路を遮断するためである。ブラックマトリックス層は、基板１００上に備えられるバンク１６１と対応する形状を有することができる。カラーフィルター層は、各サブピクセルの有機発光ダイオードに対応して構成され得る。この場合、カラーフィルター層は、ブラックマトリックス層と両側で重畳することができる。

ここで、基板１００と封止基板２００において、平面上で同一位置の第１ダムパターン２２０と第３ダムパターン２１０ａを包括してシールパターン３００の外側ライン（ｏｕｔｅｒ ｌｉｎｅ）を定義する第１ダムＤ１と言う。また、第２ダムパターン１６２と第４ダムパターン２１０ｂを包括してシールパターン３００の内側ライン（ｉｎｎｅｒ ｌｉｎｅ）を定義する第２ダムＤ２と言う。これらの第１及び第２ダムＤ１、Ｄ２を通称してダムＤと言う。本発明の有機発光表示装置は、ダムＤの幅Ｗが第１〜第４辺の不活性領域で同一である。

シールパターン３００は、初期粘性を有する液状の材料であって、接着成分のエポキシなどの有機材料成分と光開始剤又は熱開始剤を含む高分子材料を主成分とし、高分子材料内に吸湿機能を有する複数のゲッターが分散されている。この場合、個々のゲッターは、塩化カルシウム、シリカゲル、活性アルミナ、塩化リチウム、トリエチレングリコールのいずれか１種であってもよい。また、個々のゲッターは、液状の高分子材料内に固体成分として直径０．５μｍ〜３μｍの球又は最大長が０．５μｍ〜３μｍの円柱又は多面体であってもよい。これらは初期のシールパターン３００を成す液状材料内に分散され、液状材料の硬化によってシールパターン３００内の位置が固定される。そして、ゲッターは、側面から浸透する水分及び外気がシールパターン３００内に浸透することを防止して、活性領域に位置する有機発光アレイを水分又は外気から保護する。また、シールパターン３００は、薄膜トランジスタアレイ及び有機発光アレイが完了した基板１００上、あるいはブラックマトリックス層及びカラーフィルター層のアレイが完了した封止基板２００の不活性領域に、活性領域ＡＡの縁部を取り囲むように塗布される。工程中に粘性を有する液状の材料は、恒常性を保持しつつ塗布される。塗布時点では各領域で同一幅であるが、この材料は液状の材料で流動性を有する。このため、基板１００上の表面偏差があるとき、基板１００と封止基板２００の合着後に圧力が加われば拡散性が変わることがある。シールパターン３００は、合着後に基板１００と封止基板２００との間隔が一定程度になったとき、熱又はＵＶによる硬化によって固体状態に維持されることによって基板１００と封止基板２００との間隔を一定に維持することができる。

実質的に、基板１００は、活性領域ＡＡ内のサブピクセルＳＰを駆動するため、第１辺〜第４辺Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４の不活性領域に配線及び駆動部を有しなければならず、信号を伝達するソースドライバー（図示せず）又はフレキシブルプリント回路基板（図示せず）の配置によって配線及び駆動部が他の辺に配置され得る。これにより、薄膜トランジスタアレイと一緒に形成される基板１００上の第１辺〜第４辺Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４の不活性領域の表面密度には差がある。図１に基づいて説明すると、パッド部Ｐがある第１辺Ｓ１の不活性領域は、活性領域ＡＡで、第１辺Ｓ１の不活性領域の複数のパッド電極（図４の符号１３５参照）でそれぞれ連結されたソースリンク配線１１１を備えていなければならない。この場合、ソースリンク配線１１１は、活性領域にデータラインの数以上で設けられなければならないので、実質的に第１辺Ｓ１の不活性領域では、配線密集度が高い。参考として、活性領域ＡＡに備えられるゲートライン（図示せず、図４の符号１１２と同一層）は横方向に、データライン（図示せず）は縦方向において、それぞれサブピクセルＳＰの境界部に位置する。ここで、ソースリンク配線１１１は、データラインに信号を印加する配線であり、活性領域ＡＡの下側端とパッド部Ｐの間に配置される。図示のソースリンク配線１１１は、ゲートライン及びゲート電極１１２と同一層に位置する。この時、ソースリンク配線１１１は、パッド部Ｐに備えられたパッド電極１３５と電気的に接続可能である。場合によっては、ソースリンク配線１１１をデータライン（１３６、１３７と同一層）と一体型に形成することもできる。

一方、パッド部Ｐは、ソースリンク配線１１１と連結されるパッド電極だけではなくゲート駆動部ＧＰ１、ＧＰ２にゲート駆動電圧信号、ゲートグラウンド信号及びゲートクロック信号を伝達するパッド電極（図示せず）をさらに含む。データ関連信号を伝達するパッド電極がパッド部Ｐの中央部に位置するとき、これらのゲート関連信号を伝達するパッド電極は、その両外側に位置する。

一方、複数のパッド電極は、封止基板２００より突出する基板１００のパッド部Ｐに備えられており、パッド部Ｐに連結されるようにソースリンク配線１１１がパッド部Ｐと活性領域ＡＡの間に位置する。ソースリンク配線１１１は、パッド部Ｐから、図１を基準に、縦方向に伸びてシールパターン３００と重畳し、活性領域ＡＡの下側縁部にあるデータライン（図２の１３６、１３７と同一層）と一体型に連結される。

また、ゲート駆動部ＧＰ１、ＧＰ２は、各ゲートラインに対応してゲート回路ブロックを有する。ゲート回路ブロックは、シフトレジスター、レベルシフター及びバッファーを含むことができる。そして、シフトレジスター、レベルシフター及びバッファーは、複数の配線と複数の薄膜トランジスタの組合せからなってもよい。図５は、第２辺の不活性領域の一面を切断した断面で、ゲート金属層１１３及びデータ金属層１３３が、シールパターン３００に完全に重畳するように示したものである。しかし、これは配線が通る一断面を示したものである。実質的に、ゲート駆動部ＧＰ１、ＧＰ２には、複数の薄膜トランジスタと複数の配線が備えられ得る。このようなゲート駆動部ＧＰ１、ＧＰ２は、活性領域ＡＡのゲートラインと同一層のゲート金属層１１３電極、半導体層１２２と同一層の材料（図示せず）、データラインと同一層のデータ金属層１３３の同一層をパターニングすることによって形成することができる。

図１及び図５に示すように、第２辺Ｓ２及び第３辺Ｓ３の不活性領域は、ゲート駆動部ＧＰ１、ＧＰ２を備える。このようなゲート駆動部ＧＰ１、ＧＰ２は、一種のゲートインパネル（Ｇａｔｅ Ｉｎ Ｐａｎｅｌ）で、これは別途のチップ又はフィルムの形態ではないゲートラインを駆動する駆動部が、基板１００の第２辺Ｓ２及び第３辺Ｓ３の不活性領域に内蔵されるものである。すなわち、ゲート駆動部ＧＰ１、ＧＰ２は、複数の薄膜トランジスタと複数の配線が重畳して形成され、活性領域ＡＡが形成される薄膜トランジスタＴＦＴの形成時に一緒にパターニングされることによって形成され得る。すなわち、ゲート駆動部ＧＰ１、ＧＰ２は、薄膜トランジスタＴＦＴの形成と同時に薄膜トランジスタＴＦＴに含まれる金属層と同一のゲート金属層１１３、データ金属層１３３及び半導体層を含む類似の薄膜トランジスタをそれぞれのゲートラインの縁部と連結して構成したものである。

一方、第１ダムパターン２２０は、下側にオーバーコート層１４１と同一層のダミーオーバーコート層１４２をさらに備えることができる。これは第２ダムパターン１６２と上部の高さを同一に合わせるためのものであり、第２ダムパターン１６２が活性領域ＡＡから伸びるオーバーコート層１４１上に形成されるためである。これにより、シールパターン３００の拡散するときに、低いダムパターンを越えることを防止することができる。

そして、第１ダムパターン２２０は、オーバーコート層１４１から離隔されているとともに、有機材料のみから形成される。このため、第１ダムパターン２２０に一部の水分が透湿しても、活性領域ＡＡに一体型に形成されたオーバーコート層１４１には伝達されないことがある。

そして、第１及び第２補償パターン１４３ａ、１４３ｂは、図４〜図６に示したように、オーバーコート層１４１のような有機物成分から形成されてもよい。ここで、第１及び第２補償パターン１４３ａ、１４３ｂは、両側の第１ダムパターン２２０及びオーバーコート層１４１とは物理的に離隔した状態にある。このため、外側から第１ダムパターン２２０に一部透湿しても、それぞれの透湿経路が第１ダムパターン２２０と第１及び第２補償パターン１４３ａ、１４３ｂの間、かつ第１及び第２補償パターン１４３ａ、１４３ｂとオーバーコート層１４１の間で遮断されるので、水分などの外気がオーバーコート層１４１に沿って伝達されることを防止することができる。

そして、第３ダムパターン２１０ａ及び第４ダムパターン２１０ｂは、封止基板２００上に活性領域に対応してブラックマトリックス層（図示せず）及びカラーフィルター層（図示せず）を備えるときに一緒に形成され得る。隣接したサブピクセルＳＰに備えられた有機発光ダイオードの有機発光層１７１に互いに異なる色を発光する他の色相の発光層が適用されれば、封止基板２００は、ブラックマトリックス層又はカラーフィルター層が省略された状態で備えられる。図２〜図４は、これを示すものである。カラーフィルター層が封止基板２００に備えられた場合には、各サブピクセルＳＰの有機発光層１７１は均一に白色を発光する発光層であってもよい。

一方、断面上で基板１００の最上面及び封止基板２００の最上面との間のシールパターン３００内の領域には、フィル材２５０が備えられることにより、基板１００と封止基板２００との間隔を維持することができる。フィル材２５０は、合着後の充填過程でシールパターン３００と接することができる。しかし、材料が互いに異なり、シールパターン３００の仮硬化又は硬化後にフィル材２５０は、シールパターン３００に隣り合うように充填され得るため、相互間に干渉は発生しない。

上述した本発明の有機発光表示装置は、基板１００上に薄膜トランジスタアレイ又は有機発光アレイが領域毎に異なり、これと連結されるリンク配線及び駆動部の配置が各辺で異なっても、基板１００の表面上部の密度（体積）が低い部位に、これを補償する第１及び第２補償パターン１４３ａ、１４３ｂを備えて領域毎の密度（体積）偏差を減らす。これによって、合着後にもシールパターン３００が第１ダムＤ１と第２ダムＤ２内に分布するようにしてシールパターン３００の幅Ｗを領域毎に同一にすることができる。シールパターン３００とその両側の第１及び第２ダムＤ１、Ｄ２によって定義されるダム幅は、領域毎に同一である。また、図４〜図６に示すように、各辺の垂直断面でシールパターン３００が占める面積はおよそ同一面積である。

図７は、本発明の有機発光表示装置において、第１辺〜第４辺の不活性領域を示す平面図である。

図７は、シールパターン３００に関連し、これと重畳する基板１００上の構成を示したものであり、第１辺の不活性領域（Ａ領域）、第２辺の不活性領域（Ｂ領域）及び第４辺の不活性領域（Ｃ領域）を示したものである。第２辺が向き合う第３辺の不活性領域は、図示のＢ領域と同一形状である。

第１辺の不活性領域（Ａ領域）では、複数のソースリンク配線１１１が縦方向に伸びてシールパターン３００の外側に位置するパッド部のパッド電極（図２の符号１３５参照、図５には図示しない）と電気的に連結され、複数パッド電極は、ソースドライバー３５０とボンディングされて電気的信号を受信する。ソースドライバー３５０は、図示されてはいないが、基板１００の背面側に位置するプリント基板と接続されて、タイミング信号及び電源電圧信号などを受信することができる。

ソースドライバー３５０は、複数備えることができる。各ソースドライバー３５０は、数百個のパッド電極とボンディングされて接続され得る。

一方、図示のシールパターン３００、並びに第１及び第２ダムＤ１、Ｄ２は、他層の構成を示すために幅を減らして示した。しかし、実際の具現化時には、図１に示すように、閉ループ状に絶え間なく形成される。第１辺の不活性領域（Ａ領域）では、横方向にシールパターン３００及び第１及び第２ダムＤ１、Ｄ２が連続的に伸びる。

同様に、オーバーコート層１４１も他層の構成を示すために幅を減らして示した。しかし、オーバーコート層１４１は、薄膜トランジスタのドレイン電極１３７と第１電極１５１とが接続されるコンタクトホールを除いた活性領域ＡＡの全部を覆うように外側まで形成されたものである。第１辺の不活性領域（Ａ領域）では、横方向にシールパターン３００、並びに第１及び第２ダムＤ１、Ｄ２が連続的に伸びる。

第１辺の構成と同様に、第４辺の不活性領域（Ｃ領域）では、横方向にシールパターン３００並びに第１及び第２ダムＤ１、Ｄ２が連続的に伸びる。ただし、第４辺の不活性領域（Ｃ領域）は非パッド部であり、ゲートグラウンド配線１１４の外に別途の配線が配置されないと配線密度が極めて低い。また、オーバーコート層１４１とシールパターン３００との重畳面積が第１辺の不活性領域（Ａ領域）に比べて基板１００上に形成された構造の密度が低い。このため、第４辺の不活性領域（Ｃ領域）では、オーバーコート層１４１と同一材料であり、離隔した第１補償パターン１４３ａが形成される。第１補償パターン１４３ａは、第４辺の不活性領域（Ｃ領域）でも第１辺の不活性領域（Ａ領域）で基板１００上の構成が占める領域に相当するように複数形成され得る。ここで、第１補償パターン１４３ａの一部は、オーバーコート層１４１から離隔し、薄膜トランジスタの一電極と同一層の第１辺の不活性領域に備えられたゲートグラウンド配線１１４と重畳することができる。相対的に第４辺の不活性領域では、第１補償パターン１４３ａの数が多いことから、一部の幅がシールパターン３００の外側に突出して位置するゲートグラウンド配線１１４に対しても第１補償パターン１４３ａの一部が重畳することができる。

第２辺及び第３辺の不活性領域（Ｂ領域）では、縦方向にシールパターン３００並びに第１及び第２ダムＤ１、Ｄ２が連続的に伸びる。第２辺及び第３辺の不活性領域（Ｂ領域）は、ゲート駆動部ＧＰ１、ＧＰ２であって、ゲート金属層１１３及びデータ金属層１３３と半導体層（図６の断面図に位置しないが、ゲート駆動部の回路として機能するために半導体層が含まれる）がパターニングされることによって構成され、また、オーバーコート層１４１がシールパターン３００と部分的に重畳するように位置する。しかし、第２辺及び第３辺の不活性領域（Ｂ領域）では、相対的に体積を大きく占めるオーバーコート層１４１の幅が第１辺の不活性領域（Ａ領域）よりも小さい。このため、オーバーコート層１４１とシールパターン３００の重畳面積が小さく、第１辺の不活性領域（Ａ領域）に比べて基板１００上に形成された構造の密度が低い。よって、第２辺及び第３辺の不活性領域（Ｂ領域）にもオーバーコート層１４１と同一材料からなる、離隔した第２補償パターン１４３ｂが形成される。この場合、第２辺及び第３辺の不活性領域（Ｂ領域）は、相対的に第４辺の不活性領域（Ｃ領域）に比べてゲート金属層１１３及びデータ金属層１３３をさらに備えることから、第１補償パターン１４３ａの数より少ない第２補償パターン１４３ｂを備える。ここで、図５に示すように、第２補償パターン１４３ｂがオーバーコート層１４１から離隔し、ゲート駆動部（符号１１３、１３３参照）と重畳して基板１００の上部表面の第１辺〜第４辺の不活性領域での密度をほぼ同等にする。

一方、第２補償パターン１４３ｂと第１補償パターン１４３ａは、コーナーで互いに連結され得る。この場合、第４辺の不活性領域（Ｃ領域）で第２補償パターン１４３ｂより離隔したパターンをさらに備えることができる。

一方、第１辺〜第４辺の不活性領域（Ａ領域、Ｂ領域、Ｃ領域）で幅を異にし、シールパターン３００とオーバーコート層１４１が部分的に重畳していることは共通した特性である。

ここで、第１辺〜第４辺の不活性領域（Ａ領域、Ｂ領域、Ｃ領域）で、第１及び第２補償パターン１４３ａ、１４３ｂを除いたとき、基板１００の上部の密度は、第１辺（Ａ領域）が最も密になり、第４辺が最も疎になる。

そして、第１辺の不活性領域（Ａ領域）は、第２辺〜第４辺の不活性領域（Ｂ領域、Ｃ領域）よりシールパターン３００とオーバーコート層１４１の重畳幅が最も大きい。

第１辺の不活性領域（Ａ領域）は、第２辺〜第４辺の不活性領域（Ｂ領域及びＣ領域）より、例えばショーティンバー配線又はその他の金属層の密度が最も高くてもよい。図５では、第２辺の不活性領域（Ｂ領域）で最大の比率でゲート金属層１１３、データ金属層１３３が位置するものと見える。しかし、図示の部位は、各辺でそれぞれＡ領域〜Ｃ領域のみを示したものであり、第２辺のゲート金属層１１３及びデータ金属層１３３は、所望のゲート回路ブロックの特性上、パターニングされて構成されるため、第１辺の不活性領域（Ａ領域）よりも低密度であることがある。場合によっては、第１辺の不活性領域（Ａ領域）と第２辺及び第３辺の不活性領域（Ｂ領域）の金属層の密度は、ほぼ同一であることもある。しかし、この場合にも、シールパターン３００との重畳部位で体積を主に決定するオーバーコート層１４１が第２辺及び第３辺の不活性領域（Ｂ領域）で第１辺の不活性領域（Ａ領域）よりも小さな面積を有する。このため、第２辺及び第３辺の不活性領域（Ｂ領域）は、第１辺の不活性領域（Ａ領域）よりも基板１００上の密度が不足する部分を補償するために第２補償パターン１４３ｂを備えることが好ましい。

したがって、本発明の有機発光表示装置は、基板１００上の膜トランジスタアレイ又は有機発光アレイが領域毎に異なり、これと連結されるリンク配線及び駆動部の配置が各辺で異なっていても、基板１００の表面上部の密度（体積）が低い部位にこれを補償する第１及び第２補償パターン１４３ａ、１４３ｂを備えることで領域毎の密度（体積）偏差を減らす。これにより、合着後にもシールパターン３００が、第１ダムＤ１と第２ダムＤ２内に分布するようにしてシールパターン３００の幅を同一にすることができる。すなわち、初期に塗布されるシールパターン物質は、合着による拡散があっても基板１００上の重畳領域の配置が概して各領域で同一である。第１及び第２ダムＤ１、Ｄ２の内側にシールパターン３００が位置し、完成されたシールパターン３００の拡散の程度がほぼ同一であることから、シールパターン３００が封止する幅は、第１辺〜第４辺の不活性領域で同一程度になる。すなわち、シールパターン３００の断面は、第１辺〜第４辺Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４の不活性領域でほぼ同一である。これは、図４〜図６に示すように、断面で観察するとき、各辺のどの位置であっても、不活性領域では基板１００と封止基板２００との間に、第１補償パターン１４３ａ又は第２補償パターン１４３ｂを含む下部構造の突出部位の有する面積がほぼ同一であるので、これを除いて位置するシールパターン３００の断面積も第１辺〜第４辺の不活性領域で同一であることを意味する。したがって、シールパターン３００は、領域間でばらつきの無い、封止の機能を有することができる。そして、特定の領域が弱く、これによって弱い部位から水分が浸透して寿命を低下させる現象を防止し、装置の信頼性を改善することができる。

上述した本発明の第１及び第２補償パターンを適用しない一般的な有機発光表示装置においては、シールパターンが形成される部位を定義する第１及び第２ダムが基板又は封止基板側に備えられていても、基板上の表面段差によって、シールパターンの塗布後に基板と封止基板を合着してから圧力をかけるとき、シールパターンの拡散性が領域毎に異なることが見つかり、その偏差は大きくはおよそ０．８ｍｍに相当するものである。この場合、相対的にシールパターンが薄く現れた部位が側面透湿経路となって寿命低下の原因となったが、本発明の有機発光表示装置はこれを解決したものである。

なお、以上で説明した本発明は、上述した実施形態及び添付図面に限定されるものではなく、本発明の技術的思想から逸脱しない範囲で多くの置換、変形及び変更が可能であることが本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者であれば明らかであろう。

１００ 基板
１１１ ソースリンク配線
１１２ ゲート電極
１１３ ゲート金属層
１２１ バッファー層
１２２ 半導体層
１３１ ゲート絶縁膜
１３２ エッチストッパー
１３３ データ金属層
１３５ パッド電極
１３８ 層間絶縁膜
１４１ オーバーコート層
１４３ａ 第１補償パターン
１４３ｂ 第２補償パターン
１５１ 第１電極
１５２ ショーティンバー配線
１５３ パッド保護電極
１６１ バンク
１６２ 第２ダムパターン
１６３ バンク層
１７１ 有機発光層
１８１ 第２電極
１９１ 保護膜
２００ 封止基板
２１０ａ 第３ダムパターン
２１０ｂ 第４ダムパターン
２２０ 第１ダムパターン
Ｄ１ 第１ダム
Ｄ２ 第２ダム
Ｄ ダム
２５０ フィル材
３００ シールパターン

Claims (20)

1. 複数のサブピクセルを有する活性領域、前記活性領域の周りに、第１辺のパッド部、前記第１辺の両側にそれぞれ接した第２辺及び第３辺のゲート駆動部、及び前記第１辺に対向し、前記第２辺及び前記第３辺の前記ゲート駆動部の間に位置する第４辺の不活性領域を有する基板と、
   前記基板に対向する封止基板と、
   前記基板上の前記第１辺乃至前記第４辺の前記不活性領域で同じ離隔間隔を有し、それぞれ閉ループ状に形成された第１ダムパターン及び第２ダムパターンと、
   平面上で前記第１ダムパターン及び前記第２ダムパターンの間に位置し、断面上の前記基板と前記封止基板の間に位置するシールパターンと、
   前記第４辺の前記不活性領域の前記シールパターン内に形成され、有機物質からなり領域毎の表面密度の差を減らす第１補償パターンとを備える、有機発光表示装置。
2. 前記第２辺及び前記第３辺の前記不活性領域の前記シールパターン内に前記第１補償パターンより低密度で第２補償パターンをさらに備える、請求項１に記載の有機発光表示装置。
3. 前記サブピクセルは、少なくとも一つの薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを覆うオーバーコート層と、前記オーバーコート層上に前記薄膜トランジスタと電気的に連結され、第１電極、有機発光及び第２電極が積層されてなる有機発光ダイオードとを含む、請求項２に記載の有機発光表示装置。
4. 前記第１補償パターン及び前記第２補償パターンの層と前記シールパターンとの間に形成された保護膜をさらに含み、前記保護膜は、前記活性領域に伸びて前記第２電極を覆う、請求項３に記載の有機発光表示装置。
5. 前記保護膜は、前記第１補償パターン及び前記第２補償パターンを覆い、前記第１ダムパターンから離隔して前記シールパターン内に縁部を有し、
   前記シールパターンは、複数のゲッターを内部に含む、請求項４に記載の有機発光表示装置。
6. 前記第２ダムパターンは、前記活性領域に隣接し、前記第１ダムパターンは、前記第２ダムパターンの外側に位置し、
   前記オーバーコート層は、前記活性領域から外側に伸びて前記シールパターンと部分的に重畳し、
   前記第１ダムパターンは、前記第１補償パターン及び第２補償パターンから離隔し、
   前記第２ダムパターンは、前記オーバーコート層と重畳する、請求項３に記載の有機発光表示装置。
7. 前記サブピクセルは、前記オーバーコート層上に、前記サブピクセルの境界部に対応して備えられるバンクをさらに含む、請求項６に記載の有機発光表示装置。
8. 前記第１補償パターン及び前記第２補償パターンは、前記オーバーコート層又は前記バンクと同一の材料を含む、請求項７に記載の有機発光表示装置。
9. 前記第１補償パターンは、前記オーバーコート層と同一の材料を第１層とし、前記バンクと同一の材料を第２層とし、
   前記第２補償パターンは、前記オーバーコート層又は前記バンクと同一の材料からなる、請求項７に記載の有機発光表示装置。
10. 前記第１ダムパターン及び前記第２ダムパターンは、前記バンクから離隔し、前記バンクと同一の物質からなる、請求項７に記載の有機発光表示装置。
11. 前記第２ダムパターンは、前記オーバーコート層上に位置し、
    前記第１ダムパターンの下側に島状のダミーオーバーコート層をさらに含む、請求項７に記載の有機発光表示装置。
12. 前記シールパターンは、前記第１辺乃至前記第４辺の各断面が同じ面積を有する、請求項１に記載の有機発光表示装置。
13. 前記基板に対向する前記封止基板の一表面上に、前記第１ダムパターン及び前記第２ダムパターンに対向する第３ダムパターン及び第４ダムパターンと、
    前記基板と前記封止基板の層間の前記活性領域に満たされたフィル材とをさらに含む、請求項１に記載の有機発光表示装置。
14. 前記基板の前記活性領域に対向する一表面上において、前記封止基板は、ブラックマトリックス層とカラーフィルター層をさらに含み、
    前記第３ダムパターン及び第４ダムパターンは、前記ブラックマトリックス層とカラーフィルター層のうちの少なくとも一つと同一の物質からなる、請求項１３に記載の有機発光表示装置。
15. 前記第２電極は、一体型であり、前記活性領域の全体と外側に伸びて前記シールパターンと部分的に重畳する、請求項３に記載の有機発光表示装置。
16. 前記第１補償パターンは、前記オーバーコート層から離隔し、前記薄膜トランジスタの一電極と同一層の前記第１辺の前記不活性領域に備えられたグラウンド配線と重畳する、請求項３に記載の有機発光表示装置。
17. 前記第２辺及び前記第３辺の前記不活性領域の前記ゲート駆動部は、ゲート金属層、半導体及びデータ金属層の３層を含み、
    前記第２補償パターンは、前記オーバーコート層から離隔して前記ゲート駆動部と重畳する、請求項２に記載の有機発光表示装置。
18. 前記第１辺乃至前記第４辺の前記不活性領域で、前記基板上の表面構造の密度は、前記第１辺が最も密になり、前記第４辺が最も疎になる、請求項１に記載の有機発光表示装置。
19. 前記第１辺の前記不活性領域は、前記第２辺乃至前記第４辺の前記不活性領域よりも前記シールパターンと前記オーバーコート層の重畳幅が大きい、請求項３に記載の有機発光表示装置。
20. 前記シールパターンと重畳する前記オーバーコート層上に接する、前記第１電極と同一の材料の短絡バーをさらに含み、
    前記第１辺乃至前記第４辺の前記不活性領域のうち、前記第１辺の前記不活性領域における前記短絡バーは、最大の面積を有する、請求項１９に記載の有機発光表示装置。

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