JP6688738B2 - 重複線量およびフィーチャの減少によって改良されたステッチング - Google Patents
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Description
以下に、本願出願時の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[1]複数の荷電粒子ビーム(23)を使用してターゲット(30)上のパターンを露光するために露光データ(40)を処理するための方法であって、前記露光データが、前記荷電粒子ビームの露光線量を表す露光線量データ(52)と、前記ターゲット(30)上に描画されることになる1つまたは複数のフィーチャ(50)を表すパターンデータ(42)とを備える方法において、
前記ターゲットの重複エリア(36)内の位置に対応する線量値の合計が、隣接サブエリア(34)が重複しない前記ターゲットの非重複エリア(38)のための最大線量値を超えるように、前記露光線量データ(52)の1つまたは複数の線量値を設定することと、
前記パターンデータ(42)を複数のサブセクション(44)に分割することと、前記サブセクションの各々が、前記ターゲット(30)の対応するサブエリア(34)内で描画されることになる前記パターンの一部を表すパターンデータを備え、ここにおいて、前記パターンデータ(42)が、隣接サブエリア(34)が重複する、前記ターゲットの対応する重複エリア(36)内に描画されることになる前記パターンの一部を表す重複パターンデータ(46)を備える、
前記重複パターンデータによって表される1つまたは複数のフィーチャのサイズを減少させるように前記重複パターンデータ(46)を処理することと
を備える方法。
[2]パターンデータの前記サブセクション(44a)の第1のサブセクションが前記サブエリア(34a)の第1のサブセクションに対応し、パターンデータの前記サブセクション(44b)の第2のサブセクションが前記サブエリア(34b)の第2のサブセクションに対応し、前記第1のサブセクションおよび前記第2のサブセクション(44a、46b)の各々が、前記第1のサブエリアおよび前記第2のサブエリア(34a、34b)の重複エリア(36)に対応する重複パターンデータ(46)を含む、[1]に記載の方法。
[3]前記パターンデータ(42)が、幅を有するフィーチャを表し、前記フィーチャが、部分的には前記重複パターンデータ(46)内に、部分的には非重複パターンデータ(48)内に備えられ、ここにおいて、前記重複パターンデータ(46)の前記処理が、前記非重複パターンデータ(48)内の前記フィーチャの前記幅に対して前記重複パターンデータ(46)内の前記フィーチャの前記幅を減少させることをもたらす、[1]または[2]に記載の方法。
[4]前記重複パターンデータ(46)の前記処理が、前記1つまたは複数のフィーチャの寸法が前記パターンデータ(42)の非重複パターンデータ(48)内よりも前記重複パターンデータ(46)内で小さいことをもたらす、[1]から[3]のいずれか一項に記載の方法。
[5]前記露光線量データ(52)の前記線量値のうちの1つまたは複数を設定する前記ステップが、前記ターゲットの各重複エリア(36)のための線量値(56a、56b)の2つのセットを生成することを備え、一方のセット内の各線量値が、他方のセット内の対応する線量値を有し、ここにおいて、前記線量値のうちの少なくともいくつかのための前記2つのセット内の対応する線量値の前記合計が、隣接サブエリア(34)が重複しない前記ターゲットの前記非重複エリア(38)のための最大線量値を超える、[1]から[4]のいずれか一項に記載の方法。
[6]前記重複パターンデータ(46)によって表される前記1つまたは複数のフィーチャのサイズの減少が、前記ターゲットの重複エリア(36)内の位置に対応する露光線量値の合計が前記ターゲットの前記非重複エリア(38)のための最大露光線量値を超える量に関連する、[5]に記載の方法。
[7]前記重複パターンデータ(46)によって表される前記1つまたは複数のフィーチャのサイズの減少が、前記ターゲットの重複エリア(36)内の位置に対応する露光線量値の合計が前記ターゲットの前記非重複エリア(38)のための最大露光線量値を超える前記量の関数である、[5]または[6]のいずれか一項に記載の方法。
[8]前記重複パターンデータ(46)によって表される前記1つまたは複数のフィーチャのサイズの前記減少が、前記ターゲットの重複エリア(36)内の位置に対応する露光線量値の合計が前記ターゲットの前記非重複エリア(38)のための最大露光線量値を超える前記量に比例する、[5]から[7]のいずれか一項に記載の方法。
[9]前記重複パターンデータ(46)によって表される前記1つまたは複数のフィーチャのサイズの前記減少が、前記ターゲット上に存在し前記荷電粒子ビームによって露光されることになるレジストの現像後の前記フィーチャの所望のサイズと組み合わせて前記重複エリア内の前記対応する線量値の合計(72)から計算される、[5]から[9]のいずれか一項に記載の方法。
[10]前記露光線量データ(52)が複数のサブ部分(54)に分割され、前記サブ部分の各々が、前記ターゲット(30)の対応するサブエリア(34)を露光するための露光線量値を含み、ここにおいて、前記露光線量データ(52)が、隣接サブエリア(34)が重複する、前記ターゲットの対応する重複エリア(36)のための露光線量を表す重複線量値(56)と、隣接サブエリア(34)が重複しない、前記ターゲットの対応する非重複エリア(38)のための露光線量を表す非重複線量値(58)とを備える、[1]から[9]のいずれか一項に記載の方法。
[11]露光線量データの第1のサブ部分(54a)が前記サブエリア(34a)の第1のサブエリアに対応し、露光線量データの第2のサブ部分(54b)が前記サブエリア(34b)の第2のサブエリアに対応し、前記第1のサブ部分および前記第2のサブ部分(54a、54b)の各々が、前記第1のサブエリアおよび前記第2のサブエリア(34a、34b)の重複エリア(36a)に対応する重複線量値(56a、56b)を含む、[1]から[10]のいずれか一項に記載の方法。
[12]前記ターゲットの前記サブエリア(34a)の第1のサブエリアに対応する前記露光線量データ(52)の第1のサブ部分(54a)を識別することと、
前記ターゲットの前記サブエリア(34b)の第2のサブエリアに対応する前記露光線量データ(52)の第2のサブ部分(54b)を識別することと、
前記第1のサブエリアと前記第2のサブエリア(34a、34b)が重複する、前記ターゲットの重複エリア(36)内の描画位置に各々対応する複数の線量値を有する第1の重複線量データ(56a)を生成することと、ここにおいて、前記線量値の少なくとも一部分が、前記重複エリア内の対応する描画位置に応じて変化し、前記線量値は、前記重複エリア(36)の外部の前記第1のサブエリア(34a)の一部からの対応する描画位置の距離を増加させるにつれて、大きさが減少する、
前記ターゲットの前記重複エリア(36)内の描画位置に各々対応する複数の線量値を有する第2の重複線量データ(56b)を生成することと、ここにおいて、前記線量値の少なくとも一部分が前記重複エリア内の対応する描画位置に応じて変化し、前記線量値は、前記重複エリア(36)の外部の前記第2のサブエリア(34b)の一部からの対応する描画位置の距離を増加させるにつれて、大きさが減少する、
をさらに備える、[1]から[11]のいずれか一項に記載の方法。
[13]前記第1の重複線量データおよび前記第2の重複線量データ(56a、56b)の前記線量値の前記変動が、前記描画位置の少なくとも一部分にわたる前記線量値の対応する描画位置に応じた線形変動である、[12]に記載の方法。
[14]前記第1の重複線量データおよび前記第2の重複線量データ(56a、56b)の前記線量値の前記変動が、前記描画位置の少なくとも一部分にわたる前記線量値の対応する描画位置に応じた正弦波状変動である、[12]に記載の方法。
[15]前記露光線量データ(52)の前記線量値が、前記ビームをディザリングするためのディザリング値を備える、[1]から[14]のいずれか一項に記載の方法。
[16]前記ターゲット(30)にわたって前記複数の荷電粒子ビーム(23)をラスタ走査することによってターゲット(30)上のパターンを露光するための露光データ(40)を処理するために適合される、[1]から[15]のいずれか一項に記載の方法。
[17]露光データ(40)に従って複数の荷電粒子ビーム(23)を使用してターゲット(30)を露光するための方法であって、前記露光データが、前記ターゲット上で描画されることになる1つまたは複数のフィーチャを表すパターンデータ(42)と、前記荷電粒子ビームの露光線量を表す露光線量データ(52)とを備える方法において、
[1]から[16]のいずれか一項に記載の方法により前記露光データ(40)を処理することと、
前記処理された露光データに従って制御された前記荷電粒子ビームを使用して前記ターゲットを露光することと
を備える方法。
[18]前記ターゲットの第1のサブエリア(34a)を露光するための前記荷電粒子ビームの第1の荷電粒子ビームを割り当て、前記ターゲットの第2のサブエリア(34b)を露光するための前記荷電粒子ビームの第2の荷電粒子ビームを割り当てることと、ここにおいて、前記第1のサブエリアと前記第2のサブエリアが隣接し、重複エリア(36)内で重複する、
前記処理された露光データの第1の部分に従って前記第1の荷電粒子ビームを使用して前記ターゲットの前記第1のサブエリア(34a)を露光することと、
前記処理された露光データの第2の部分に従って前記第2の荷電粒子ビームを使用して前記ターゲットの前記第2のサブエリア(34b)を露光することと
をさらに備える、[17]に記載の方法。
[19]複数の荷電粒子ビーム(23)を使用してターゲット(30)上のパターンを露光するための方法であって、
第1のサブエリア(34a)が前記ターゲットの第2のサブエリア(34b)と重複する重複エリア(36)を含めて、前記荷電粒子ビームの第1の荷電粒子ビーム(23a)を使用して前記ターゲットの前記第1のサブエリア(34a)を露光することと、
前記重複エリア(36)を含めて、前記荷電粒子ビームの第2の荷電粒子ビーム(23b)前記ターゲットの第2のサブエリア(34b)を露光することと
を備え、
ここにおいて、前記荷電粒子ビームが、前記ターゲット(30)上で描画されることになる1つまたは複数のフィーチャ(60)を表すパターンデータ(42)に従って制御され、前記方法が、前記重複エリア(36)の外部の前記第1のサブエリアおよび前記第2のサブエリア(34a、34b)内で描画されることになるフィーチャに対して前記重複エリア(36)内で描画されることになる1つまたは複数のフィーチャのサイズを減少させるように前記重複パターンデータ(46)を処理することを備える、
ここにおいて、前記重複エリア(36)の少なくとも一部分内の露光線量が、前記重複エリア(36)の外部の前記第1のサブエリアおよび前記第2のサブエリア(34a、34b)内の最大露光線量よりも高い、方法。
[20]前記重複エリア(36)の少なくとも一部分の中で描画するときの前記第1の荷電粒子ビームと前記第2の荷電粒子ビームの合成露光線量が、前記重複エリア(36)の外部の前記第1のサブエリア(34a)の中で描画するときの前記第1の荷電粒子ビーム(23a)の最大露光線量よりも高く、前記重複エリア(36)の外部の前記第2のサブエリア(34b)の中で描画するときの前記第2の荷電粒子ビーム(23b)の最大露光線量よりも高い、[19]に記載の方法。
[21]前記重複エリア(36)の少なくとも一部分に対して、前記第1の荷電粒子ビーム(23a)の露光線量(70a)が、前記重複エリア内のその描画位置に応じて変化し、ここにおいて、前記重複エリア(36)の外部の前記第1のサブエリア(34a)の一部からの距離を増加させるにつれて、前記第1の荷電粒子ビームの前記露光線量が減少する、[19]または[20]に記載の方法。
[22]前記重複エリア(36)の少なくとも一部分に対して、前記第2の荷電粒子ビーム(23b)の露光線量(70b)が、前記重複エリア内のその描画位置に応じて変化し、ここにおいて、前記重複エリア(36)の外部の前記第2のサブエリア(34b)の一部からの距離を増加させるにつれて、前記第2の荷電粒子ビームの前記露光線量が減少する、[21]に記載の方法。
[23]前記第1の荷電粒子ビームおよび前記第2の荷電粒子ビーム(23a、23b)の前記露光線量の変動が、描画位置に応じた線形変動である、[22]に記載の方法。
[24]前記第1の荷電粒子ビームおよび前記第2の荷電粒子ビーム(23a、23b)の前記露光線量の変動が、描画位置に応じた正弦波状変動である、[22]に記載の方法。
[25]前記重複パターンデータ(46)によって表される前記1つまたは複数のフィーチャのサイズの減少が、前記重複エリア(36)内の露光線量が前記重複エリア(36)の外部の前記第1のサブエリアおよび前記第2のサブエリア(34a、34b)内の最大露光線量よりも高い量の関数である、[22]から[24]のいずれか一項に記載の方法。
[26]前記重複パターンデータ(46)によって表される前記1つまたは複数のフィーチャのサイズの前記減少が、前記重複エリア(36)内の露光線量が前記重複エリア(36)の外部の前記第1のサブエリアおよび前記第2のサブエリア(34a、34b)内の最大露光線量よりも高い前記量に比例する、[25]に記載の方法。
[27]前記重複パターンデータ(46)によって表される前記1つまたは複数のフィーチャのサイズの前記減少が、前記ターゲット上に存在し前記荷電粒子ビームによって露光されることになるレジストの現像後の前記フィーチャの所望のサイズと組み合わせた前記重複エリア内の総露光線量(72)から計算される、[19]から[26]のいずれか一項に記載の方法。
[28]前記パターンがラスタ走査の形で前記ターゲット(30)上で露光される、[19]から[27]のいずれか一項に記載の方法。
[29]複数の荷電粒子ビーム(24)を使用してターゲット(30)を露光するための荷電粒子リソグラフィシステムであって、
前記荷電粒子ビームを生成するために適合された荷電粒子生成器(1、3、4、6)と、
露光データ(40)に従って前記荷電粒子ビームを変調するように適合された変調システム(7)と、
前記ターゲットの表面にわたって前記ビームを走査するために前記荷電粒子ビームを偏向するように適合された偏向システム(9)と、
前記荷電粒子ビーム(24)を前記ターゲット上に投影するように適合された投影レンズシステム(10)と、
前記ターゲットを保持するための可動ステージ(16)と、
前記変調システムと前記偏向システムと前記ステージとを制御するように適合された1つまたは複数の制御ユニット(104、106、108、110)と
を備え、
ここにおいて、前記リソグラフィシステムが、[17]から[28]のいずれか一項に記載の方法により前記ターゲットを露光するために適合される、システム。
[30]前記変調システムが、前記複数の荷電粒子ビーム(24)のうちの個々のビームのオンとオフとを切り換えるためのビームレットブランカアレイ(7)とビームストップアレイ(8)とを備える、[29]に記載のシステム。
[31]前記変調システムが、露光線量データ(52)に従って前記荷電粒子ビーム(24)の露光線量を調整するように適合される、[29]または[30]に記載のシステム。
[32]前記変調システムが、前記露光線量データ(52)に従って前記荷電粒子ビームをディザリングすることによって前記荷電粒子ビーム(24)の露光線量を調整するように適合される、[29]から[31]のいずれか一項に記載のシステム。
[33]前記変調システムが、パターンデータ(42)に従って前記荷電粒子ビームのオンとオフとを切り換えるように適合される、[29]から[32]のいずれか一項に記載のシステム。
[34]複数の荷電粒子ビーム(23)を使用してターゲット(30)上のパターンを露光するための露光データ(40)ファイルであって、前記露光データが、前記ターゲット(30)上で描画されることになる1つまたは複数のフィーチャ(50)を表すパターンデータ(42)と、前記ターゲット上の前記パターンを露光するための前記荷電粒子ビームの露光線量を表す露光線量データ(52)とを備え、ここにおいて、前記露光データが、[1]から[16]のいずれか一項に記載の方法により処理される、露光データ(40)ファイル。
[35][34]に記載の露光データ(40)ファイルを含むデータキャリア。
[36]露光データ(40)を記憶するためのメモリ手段(122)と、
[1]から[16]のいずれか一項に記載の方法により前記露光データを処理するために適合された処理手段(124)と
を備えるデータ処理システム。
Claims (32)
- 複数の荷電粒子ビーム(23)を使用して、複数のビームリソグラフィによってターゲット(30)上にパターンを露光するための露光データ(40)を処理するための方法であって、各荷電粒子ビームが、前記ターゲットのサブエリア(34)を走査し、ここにおいて、隣接サブエリア(34;34a、34b)は、重複エリア(36)において重複し、前記露光データが、前記荷電粒子ビームの露光線量(70、70a、70b)を表す露光線量データ(52)と、前記ターゲット(30)上に描画されることになる1つまたは複数のフィーチャ(50)を表すパターンデータ(42)とを含む方法において、
前記パターンデータ(42)を複数のサブセクション(44)に分割し、前記サブセクションの各々は、対応する荷電粒子ビームによって、前記ターゲット(30)の対応するサブエリア(34)内で描画されることになる前記パターンの一部を表すパターンデータを含み、ここにおいて、前記パターンデータ(42)は、隣接サブエリア(34)が重複する、前記ターゲットの対応する重複エリア(36)内に描画されることになる前記パターンの一部を表す重複パターンデータ(46)を含むことと、
前記ターゲットの重複エリア(36)内の位置に対応する線量値の合計が、隣接サブエリア(34)が重複しない、前記ターゲットの非重複エリア(38)に対する最大線量値を超えるように、前記露光線量データ(52)の1つまたは複数の線量値を設定することと、
ここにおいて、重複エリアにおいて描画する前記荷電粒子ビームのうちの少なくとも1つに対する前記露光線量の線量値は、前記重複エリア内の前記位置によって変化するように設定され、
前記重複パターンデータによって表される1つまたは複数のフィーチャのサイズを減少させるように、前記重複パターンデータ(46)を処理し、ここにおいて、前記重複エリア内のより高い露光線量は、前記重複エリア内のフィーチャのサイズの減少によって補償されることとを含む方法。 - パターンデータの前記サブセクションの第1のサブセクション(44a)が前記サブエリアの第1のサブエリア(34a)に対応し、パターンデータの前記サブセクションの第2のサブセクション(44b)が前記サブエリアの第2のサブエリア(34b)に対応し、前記第1のサブセクションおよび前記第2のサブセクション(44a、44b)の各々が、前記第1のサブエリアおよび前記第2のサブエリア(34a、34b)の重複エリア(36)に対応する重複パターンデータ(46)を含む請求項1記載の方法。
- 前記パターンデータ(42)が、幅を有するフィーチャを表し、前記フィーチャは、部分的には前記重複パターンデータ(46)で、部分的には非重複パターンデータ(48)で構成され、ここにおいて、前記重複パターンデータ(46)の前記処理は、前記非重複パターンデータ(48)内の前記フィーチャの前記幅に対して、前記重複パターンデータ(46)内の前記フィーチャの前記幅を減少させることをもたらす請求項1または請求項2記載の方法。
- 前記重複パターンデータ(46)の前記処理は、前記1つまたは複数のフィーチャの寸法が、前記パターンデータ(42)の非重複パターンデータ(48)内よりも、前記重複パターンデータ(46)内で小さいことをもたらす請求項1から3のいずれか1項記載の方法。
- 前記露光線量データ(52)の前記線量値のうちの1つまたは複数を設定するステップは、前記ターゲットの各重複エリア(36)に対する線量値(56a、56b)の2つのセットを生成させることを含み、一方のセット内の各線量値が、他方のセット内の対応する線量値を有し、ここにおいて、前記線量値のうちの少なくともいくつかに対する前記2つのセット内の対応する線量値の前記合計が、隣接サブエリア(34)が重複しない、前記ターゲットの前記非重複エリア(38)に対する最大線量値を超える請求項1から4のいずれか1項記載の方法。
- 前記重複パターンデータ(46)によって表される前記1つまたは複数のフィーチャのサイズの減少は、前記ターゲットの重複エリア(36)内の位置に対応する露光線量値の合計が、前記ターゲットの前記非重複エリア(38)に対する最大露光線量値を超える量に関連する請求項1から5のいずれか1項記載の方法。
- 前記重複パターンデータ(46)によって表される前記1つまたは複数のフィーチャのサイズの前記減少は、前記ターゲットの重複エリア(36)内の位置に対応する露光線量値の合計が、前記ターゲットの前記非重複エリア(38)に対する最大露光線量値を超える前記量に比例する請求項6記載の方法。
- 前記重複パターンデータ(46)によって表される前記1つまたは複数のフィーチャのサイズの前記減少は、前記ターゲット上に存在し前記荷電粒子ビームによって露光されることになるレジストの現像後の前記フィーチャの所望のサイズと組み合わせて、前記重複エリア内の前記対応する線量値の合計(72)から計算される請求項1から7のいずれか1項記載の方法。
- 前記露光線量データ(52)が複数のサブ部分(54)に分割され、前記サブ部分の各々は、前記ターゲット(30)の対応するサブエリア(34)を露光するための露光線量値を含み、ここにおいて、前記露光線量データ(52)は、隣接サブエリア(34)が重複する、前記ターゲットの対応する重複エリア(36)に対する露光線量を表す重複線量値(56)と、隣接サブエリア(34)が重複しない、前記ターゲットの対応する非重複エリア(38)に対する露光線量を表す非重複線量値(58)とを含む請求項1から8のいずれか1項記載の方法。
- 露光線量データの第1のサブ部分(54a)が前記サブエリアの第1のサブエリア(34a)に対応し、露光線量データの第2のサブ部分(54b)が前記サブエリアの第2のサブエリア(34b)に対応し、前記第1のサブ部分および前記第2のサブ部分(54a、54b)の各々は、前記第1のサブエリアおよび前記第2のサブエリア(34a、34b)の重複エリア(36a)に対応する重複線量値(56a、56b)を含む請求項1から9のいずれか1項記載の方法。
- 前記ターゲットの前記サブエリアの第1のサブエリア(34a)に対応する前記露光線量データ(52)の第1のサブ部分(54a)を識別することと、
前記ターゲットの前記サブエリアの第2のサブエリア(34b)に対応する前記露光線量データ(52)の第2のサブ部分(54b)を識別することと、
前記第1のサブエリアと前記第2のサブエリア(34a、34b)が重複する、前記ターゲットの重複エリア(36)内の描画位置に各々対応する複数の線量値を有する第1の重複線量データ(56a)を生成させ、ここにおいて、前記線量値の少なくとも一部分は、前記重複エリア内の対応する描画位置に応じて変化し、前記線量値は、前記重複エリア(36)の外部の前記第1のサブエリア(34a)の一部からの対応する描画位置の距離が増加するにつれて、大きさが減少することと、
前記ターゲットの前記重複エリア(36)内の描画位置に各々対応する複数の線量値を有する第2の重複線量データ(56b)を生成させ、ここにおいて、前記線量値の少なくとも一部分は、前記重複エリア内の対応する描画位置に応じて変化し、前記線量値は、前記重複エリア(36)の外部の前記第2のサブエリア(34b)の一部からの対応する描画位置の距離が増加するにつれて、大きさが減少することをさらに含む請求項1から10のいずれか1項記載の方法。 - 前記第1の重複線量データおよび前記第2の重複線量データ(56a、56b)の前記線量値の変動は、前記描画位置の少なくとも一部分にわたる前記線量値の対応する描画位置に応じた線形変動である請求項11記載の方法。
- 前記第1の重複線量データおよび前記第2の重複線量データ(56a、56b)の前記線量値の変動は、前記描画位置の少なくとも一部分にわたる前記線量値の対応する描画位置に応じた正弦波状変動である請求項11記載の方法。
- 前記露光線量データ(52)の前記線量値は、前記ビームをディザリングするためのディザリング値を含む請求項1から13のいずれか1項記載の方法。
- 前記方法は、前記ターゲット(30)にわたって前記複数の荷電粒子ビーム(23)をラスタ走査することによってターゲット(30)上にパターンを露光するための露光データ(40)を処理するように適合されている請求項1から14のいずれか1項記載の方法。
- 露光データ(40)にしたがって、複数の荷電粒子ビーム(23)を使用して、ターゲット(30)を露光するための方法であって、前記露光データは、前記ターゲット上に描画されることになる1つまたは複数のフィーチャを表すパターンデータ(42)と、前記荷電粒子ビームの露光線量を表す露光線量データ(52)とを含む方法において、
請求項1から15のいずれか1項記載の方法にしたがって前記露光データ(40)を処理することと、
前記処理された露光データにしたがって制御される前記荷電粒子ビームを使用して、前記ターゲットを露光し、ここで、各荷電粒子ビームは、前記ターゲットのサブエリア(34)を走査することとを含む方法。 - 前記ターゲットの第1のサブエリア(34a)を露光するために、前記荷電粒子ビームの第1の荷電粒子ビームを割り当て、前記ターゲットの第2のサブエリア(34b)を露光するために、前記荷電粒子ビームの第2の荷電粒子ビームを割り当て、ここにおいて、前記第1のサブエリアと前記第2のサブエリアは隣接し、重複エリア(36)内で重複することと、
前記処理された露光データの第1の部分にしたがって、前記第1の荷電粒子ビームを使用して、前記ターゲットの前記第1のサブエリア(34a)を露光することと、
前記処理された露光データの第2の部分にしたがって、前記第2の荷電粒子ビームを使用して、前記ターゲットの前記第2のサブエリア(34b)を露光することとをさらに含む請求項16記載の方法。 - 複数の荷電粒子ビーム(23)を使用して、複数のビームリソグラフィによってターゲット(30)上にパターンを露光するための方法であって、各荷電粒子ビームが、前記ターゲットのサブエリア(34)を走査する方法において、
前記ターゲット(30)上に描画されることになる1つまたは複数のフィーチャ(60)を表すパターンデータ(42)と、前記荷電粒子ビームの各々の露光線量を表す露光線量データ(52)とにしたがって、前記荷電粒子ビームを制御することと、
前記荷電粒子ビームの第1の荷電粒子ビーム(23a)を使用して、第1のサブエリア(34a)が前記ターゲットの第2のサブエリア(34b)と重複する重複エリア(36)を含む、前記ターゲットの前記第1のサブエリア(34a)を露光することと、
前記荷電粒子ビームの第2の荷電粒子ビーム(23b)を使用して、前記重複エリア(36)を含む、前記ターゲットの前記第2のサブエリア(34b)を露光することと、
ここにおいて、前記重複エリア(36)の少なくとも一部分内の露光線量は、前記重複エリア(36)の外部の前記第1のサブエリアおよび前記第2のサブエリア(34a、34b)内の最大露光線量よりも高く、
前記荷電粒子ビームが前記重複エリアを走査するとき、前記重複エリア内のその描画位置に応じて変化するように、前記荷電粒子ビーム(23a、23b)の少なくとも1つに対する前記露光線量(70a、70b)を制御することと、
前記重複エリア(36)の外部の前記第1のサブエリアおよび前記第2のサブエリア(34a、34b)内で描画されることになるフィーチャに対して、前記重複エリア(36)内で描画されることになる1つまたは複数のフィーチャのサイズを減少させるように、前記重複エリア(36)において描画されることになる前記パターンの一部を表す重複パターンデータ(46)を処理することとを含む方法。 - 前記重複エリア(36)の少なくとも一部分の中で描画するときの前記第1の荷電粒子ビームと前記第2の荷電粒子ビームの合成露光線量が、前記重複エリア(36)の外部の前記第1のサブエリア(34a)の中で描画するときの前記第1の荷電粒子ビーム(23a)の最大露光線量よりも高く、前記重複エリア(36)の外部の前記第2のサブエリア(34b)の中で描画するときの前記第2の荷電粒子ビーム(23b)の最大露光線量よりも高い請求項18記載の方法。
- 前記重複エリア(36)の少なくとも一部分に対して、前記第1の荷電粒子ビーム(23a)の露光線量(70a)が、前記重複エリア内のその描画位置に応じて変化し、ここにおいて、前記重複エリア(36)の外部の前記第1のサブエリア(34a)の一部からの距離が増加するにつれて、前記第1の荷電粒子ビームの前記露光線量が減少する請求項18または19記載の方法。
- 前記重複エリア(36)の少なくとも一部分に対して、前記第2の荷電粒子ビーム(23b)の露光線量(70b)が、前記重複エリア内のその描画位置に応じて変化し、ここにおいて、前記重複エリア(36)の外部の前記第2のサブエリア(34b)の一部からの距離が増加するにつれて、前記第2の荷電粒子ビームの前記露光線量が減少する請求項20記載の方法。
- 前記第1の荷電粒子ビームおよび前記第2の荷電粒子ビーム(23a、23b)の前記露光線量の変動は、描画位置に応じた線形変動である請求項21記載の方法。
- 前記第1の荷電粒子ビームおよび前記第2の荷電粒子ビーム(23a、23b)の前記露光線量の変動は、描画位置に応じた正弦波状変動である請求項21記載の方法。
- 前記重複パターンデータ(46)によって表される前記1つまたは複数のフィーチャのサイズの前記減少は、前記重複エリア(36)内の露光線量が前記重複エリア(36)の外部の前記第1のサブエリアおよび前記第2のサブエリア(34a、34b)内の最大露光線量よりも高い前記量に比例する請求項18から23のいずれか1項記載の方法。
- 前記重複パターンデータ(46)によって表される前記1つまたは複数のフィーチャのサイズの前記減少は、前記ターゲット上に存在し前記荷電粒子ビームによって露光されることになるレジストの現像後の前記フィーチャの所望のサイズと組み合わせて、前記重複エリア内の総露光線量(72)から計算される請求項18から24のいずれか1項記載の方法。
- 前記パターンは、ラスタ走査の形で前記ターゲット(30)上に露光される請求項18から25のいずれか1項記載の方法。
- 複数の荷電粒子ビーム(24)を使用して、ターゲット(30)を露光する荷電粒子リソグラフィシステムにおいて、
前記荷電粒子ビームを生成させるように適合されている荷電粒子生成器(1、3、4、6)と、
露光データ(40)にしたがって、前記荷電粒子ビームを変調するように適合されている変調システム(7)と、
前記ターゲットの表面にわたって前記ビームを走査するために前記荷電粒子ビームを偏向するように適合されている偏向システム(9)と、
前記荷電粒子ビーム(24)を前記ターゲット上に投影するように適合されている投影レンズシステム(10)と、
前記ターゲットを保持する可動ステージ(16)と、
前記変調システムと前記偏向システムと前記ステージとを制御するように適合されている1つまたは複数の制御ユニット(104、106、108、110)とを具備し、
ここにおいて、前記リソグラフィシステムは、請求項16から26のいずれか1項記載の方法にしたがって、前記ターゲットを露光するように適合されているシステム。 - 前記変調システムは、前記複数の荷電粒子ビーム(24)の個々のビームのオンとオフとを切り換えるためのビームレットブランカアレイ(7)とビームストップアレイ(8)とを備える請求項27記載のシステム。
- 前記変調システムは、露光線量データ(52)にしたがって、前記荷電粒子ビーム(24)の露光線量を調整するように適合されている請求項27または28記載のシステム。
- 前記変調システムは、前記露光線量データ(52)にしたがって、前記荷電粒子ビームをディザリングすることによって、前記荷電粒子ビーム(24)の露光線量を調整するように適合されている請求項27から29のいずれか1項記載のシステム。
- 前記変調システムは、パターンデータ(42)にしたがって、前記荷電粒子ビームのオンとオフとを切り換えるように適合されている請求項27から30のいずれか1項記載のシステム。
- 露光データ(40)を記憶するメモリ手段(122)と、
請求項1から15のいずれか1項記載の方法にしたがって、前記露光データを処理する,ように適合されている処理手段(124)とを具備するデータ処理システム。
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