JP2017506435A5 - - Google Patents
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- 複数の荷電粒子ビーム(23)を使用して、複数のビームリソグラフィによってターゲット(30)上のパターンを露光するために露光データ(40)を処理するための方法であって、各荷電粒子ビームが、前記ターゲットのサブエリア(34)を走査し、前記露光データが、前記荷電粒子ビームの露光線量を表す露光線量データ(52)と、前記ターゲット(30)上に描画されることになる1つまたは複数のフィーチャ(50)を表すパターンデータ(42)とを備える方法において、
前記パターンデータ(42)を複数のサブセクション(44)に分割することと、前記サブセクションの各々が、前記ターゲット(30)の対応するサブエリア(34)内で描画されることになる前記パターンの一部を表すパターンデータを備え、ここにおいて、前記パターンデータ(42)が、隣接サブエリア(34)が重複する、前記ターゲットの対応する重複エリア(36)内に描画されることになる前記パターンの一部を表す重複パターンデータ(46)を備える、
前記ターゲットの重複エリア(36)内の位置に対応する線量値の合計が、隣接サブエリア(34)が重複しない前記ターゲットの非重複エリア(38)のための最大線量値を超えるように、前記露光線量データ(52)の1つまたは複数の線量値を設定することと、
前記重複パターンデータによって表される1つまたは複数のフィーチャのサイズを減少させるように前記重複パターンデータ(46)を処理することと、ここにおいて、前記重複エリア内のより高い露光線量は、前記重複エリア内のフィーチャのサイズの減少によって補償される、
を備える方法。 - パターンデータの前記サブセクション(44a)の第1のサブセクションが前記サブエリア(34a)の第1のサブセクションに対応し、パターンデータの前記サブセクション(44b)の第2のサブセクションが前記サブエリア(34b)の第2のサブセクションに対応し、前記第1のサブセクションおよび前記第2のサブセクション(44a、44b)の各々が、前記第1のサブエリアおよび前記第2のサブエリア(34a、34b)の重複エリア(36)に対応する重複パターンデータ(46)を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記パターンデータ(42)が、幅を有するフィーチャを表し、前記フィーチャが、部分的には前記重複パターンデータ(46)内に、部分的には非重複パターンデータ(48)内に備えられ、ここにおいて、前記重複パターンデータ(46)の前記処理が、前記非重複パターンデータ(48)内の前記フィーチャの前記幅に対して前記重複パターンデータ(46)内の前記フィーチャの前記幅を減少させることをもたらす、請求項1または請求項2に記載の方法。
- 前記重複パターンデータ(46)の前記処理が、前記1つまたは複数のフィーチャの寸法が前記パターンデータ(42)の非重複パターンデータ(48)内よりも前記重複パターンデータ(46)内で小さいことをもたらす、請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記露光線量データ(52)の前記線量値のうちの1つまたは複数を設定する前記ステップが、前記ターゲットの各重複エリア(36)のための線量値(56a、56b)の2つのセットを生成することを備え、一方のセット内の各線量値が、他方のセット内の対応する線量値を有し、ここにおいて、前記線量値のうちの少なくともいくつかのための前記2つのセット内の対応する線量値の前記合計が、隣接サブエリア(34)が重複しない前記ターゲットの前記非重複エリア(38)のための最大線量値を超える、請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記重複パターンデータ(46)によって表される前記1つまたは複数のフィーチャのサイズの減少が、前記ターゲットの重複エリア(36)内の位置に対応する露光線量値の合計が前記ターゲットの前記非重複エリア(38)のための最大露光線量値を超える量に関連する、請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記重複パターンデータ(46)によって表される前記1つまたは複数のフィーチャのサイズの前記減少が、前記ターゲットの重複エリア(36)内の位置に対応する露光線量値の合計が前記ターゲットの前記非重複エリア(38)のための最大露光線量値を超える前記量に比例する、請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記重複パターンデータ(46)によって表される前記1つまたは複数のフィーチャのサイズの前記減少が、前記ターゲット上に存在し前記荷電粒子ビームによって露光されることになるレジストの現像後の前記フィーチャの所望のサイズと組み合わせて前記重複エリア内の前記対応する線量値の合計(72)から計算される、請求項1から7のいずれか一項に記載の方法。
- 前記露光線量データ(52)が複数のサブ部分(54)に分割され、前記サブ部分の各々が、前記ターゲット(30)の対応するサブエリア(34)を露光するための露光線量値を含み、ここにおいて、前記露光線量データ(52)が、隣接サブエリア(34)が重複する、前記ターゲットの対応する重複エリア(36)のための露光線量を表す重複線量値(56)と、隣接サブエリア(34)が重複しない、前記ターゲットの対応する非重複エリア(38)のための露光線量を表す非重複線量値(58)とを備える、請求項1から8のいずれか一項に記載の方法。
- 露光線量データの第1のサブ部分(54a)が前記サブエリア(34a)の第1のサブエリアに対応し、露光線量データの第2のサブ部分(54b)が前記サブエリア(34b)の第2のサブエリアに対応し、前記第1のサブ部分および前記第2のサブ部分(54a、54b)の各々が、前記第1のサブエリアおよび前記第2のサブエリア(34a、34b)の重複エリア(36a)に対応する重複線量値(56a、56b)を含む、請求項1から9のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ターゲットの前記サブエリア(34a)の第1のサブエリアに対応する前記露光線量データ(52)の第1のサブ部分(54a)を識別することと、
前記ターゲットの前記サブエリア(34b)の第2のサブエリアに対応する前記露光線量データ(52)の第2のサブ部分(54b)を識別することと、
前記第1のサブエリアと前記第2のサブエリア(34a、34b)が重複する、前記ターゲットの重複エリア(36)内の描画位置に各々対応する複数の線量値を有する第1の重複線量データ(56a)を生成することと、ここにおいて、前記線量値の少なくとも一部分が、前記重複エリア内の対応する描画位置に応じて変化し、前記線量値は、前記重複エリア(36)の外部の前記第1のサブエリア(34a)の一部からの対応する描画位置の距離を増加させるにつれて、大きさが減少する、
前記ターゲットの前記重複エリア(36)内の描画位置に各々対応する複数の線量値を有する第2の重複線量データ(56b)を生成することと、ここにおいて、前記線量値の少なくとも一部分が前記重複エリア内の対応する描画位置に応じて変化し、前記線量値は、前記重複エリア(36)の外部の前記第2のサブエリア(34b)の一部からの対応する描画位置の距離を増加させるにつれて、大きさが減少する、
をさらに備える、請求項1から10のいずれか一項に記載の方法。 - 前記第1の重複線量データおよび前記第2の重複線量データ(56a、56b)の前記線量値の前記変動が、前記描画位置の少なくとも一部分にわたる前記線量値の対応する描画位置に応じた線形変動である、請求項11に記載の方法。
- 前記第1の重複線量データおよび前記第2の重複線量データ(56a、56b)の前記線量値の前記変動が、前記描画位置の少なくとも一部分にわたる前記線量値の対応する描画位置に応じた正弦波状変動である、請求項11に記載の方法。
- 前記露光線量データ(52)の前記線量値が、前記ビームをディザリングするためのディザリング値を備える、請求項1から13のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ターゲット(30)にわたって前記複数の荷電粒子ビーム(23)をラスタ走査することによってターゲット(30)上のパターンを露光するための露光データ(40)を処理するために適合される、請求項1から14のいずれか一項に記載の方法。
- 露光データ(40)に従って複数の荷電粒子ビーム(23)を使用してターゲット(30)を露光するための方法であって、前記露光データが、前記ターゲット上で描画されることになる1つまたは複数のフィーチャを表すパターンデータ(42)と、前記荷電粒子ビームの露光線量を表す露光線量データ(52)とを備える方法において、
請求項1から15のいずれか一項に記載の方法により前記露光データ(40)を処理することと、
前記処理された露光データに従って制御された前記荷電粒子ビームを使用して前記ターゲットを露光することと、ここで、各荷電粒子ビームは、前記ターゲットのサブエリア(34)を走査する、
を備える方法。 - 前記ターゲットの第1のサブエリア(34a)を露光するための前記荷電粒子ビームの第1の荷電粒子ビームを割り当て、前記ターゲットの第2のサブエリア(34b)を露光するための前記荷電粒子ビームの第2の荷電粒子ビームを割り当てることと、ここにおいて、前記第1のサブエリアと前記第2のサブエリアが隣接し、重複エリア(36)内で重複する、
前記処理された露光データの第1の部分に従って前記第1の荷電粒子ビームを使用して前記ターゲットの前記第1のサブエリア(34a)を露光することと、
前記処理された露光データの第2の部分に従って前記第2の荷電粒子ビームを使用して前記ターゲットの前記第2のサブエリア(34b)を露光することと
をさらに備える、請求項16に記載の方法。 - 複数の荷電粒子ビーム(23)を使用して、複数のビームリソグラフィによってターゲット(30)上のパターンを露光するための方法であって、各荷電粒子ビームが、前記ターゲットのサブエリア(34)を走査し、
前記荷電粒子ビームを、前記ターゲット(30)上で描画されることになる1つまたは複数のフィーチャ(60)を表すパターンデータ(42)と、前記荷電粒子ビームの各々の露光線量を表す露光線量データ(52)とに従って制御することと、
第1のサブエリア(34a)が前記ターゲットの第2のサブエリア(34b)と重複する重複エリア(36)を含めて、前記荷電粒子ビームの第1の荷電粒子ビーム(23a)を使用して前記ターゲットの前記第1のサブエリア(34a)を露光することと、
前記重複エリア(36)を含めて、前記荷電粒子ビームの第2の荷電粒子ビーム(23b)を使用して前記ターゲットの前記第2のサブエリア(34b)を露光することと、
ここにおいて、前記重複エリア(36)の少なくとも一部分内の露光線量が、前記重複エリア(36)の外部の前記第1のサブエリアおよび前記第2のサブエリア(34a、34b)内の最大露光線量よりも高い、
前記荷電粒子ビーム(23a、23b)の少なくとも1つに対して、前記露光線量(70a、70b)を、前記荷電粒子ビームが前記重複エリアを走査するとき、前記重複エリア内のその描画位置に応じて変化するように制御することと、
前記重複エリア(36)の外部の前記第1のサブエリアおよび前記第2のサブエリア(34a、34b)内で描画されることになるフィーチャに対して前記重複エリア(36)内で描画されることになる1つまたは複数のフィーチャのサイズを減少させるように前記重複パターンデータ(46)を処理することとを備える、方法。 - 前記重複エリア(36)の少なくとも一部分の中で描画するときの前記第1の荷電粒子ビームと前記第2の荷電粒子ビームの合成露光線量が、前記重複エリア(36)の外部の前記第1のサブエリア(34a)の中で描画するときの前記第1の荷電粒子ビーム(23a)の最大露光線量よりも高く、前記重複エリア(36)の外部の前記第2のサブエリア(34b)の中で描画するときの前記第2の荷電粒子ビーム(23b)の最大露光線量よりも高い、請求項18に記載の方法。
- 前記重複エリア(36)の少なくとも一部分に対して、前記第1の荷電粒子ビーム(23a)の露光線量(70a)が、前記重複エリア内のその描画位置に応じて変化し、ここにおいて、前記重複エリア(36)の外部の前記第1のサブエリア(34a)の一部からの距離を増加させるにつれて、前記第1の荷電粒子ビームの前記露光線量が減少する、請求項18または19に記載の方法。
- 前記重複エリア(36)の少なくとも一部分に対して、前記第2の荷電粒子ビーム(23b)の露光線量(70b)が、前記重複エリア内のその描画位置に応じて変化し、ここにおいて、前記重複エリア(36)の外部の前記第2のサブエリア(34b)の一部からの距離を増加させるにつれて、前記第2の荷電粒子ビームの前記露光線量が減少する、請求項20に記載の方法。
- 前記第1の荷電粒子ビームおよび前記第2の荷電粒子ビーム(23a、23b)の前記露光線量の変動が、描画位置に応じた線形変動である、請求項21に記載の方法。
- 前記第1の荷電粒子ビームおよび前記第2の荷電粒子ビーム(23a、23b)の前記露光線量の変動が、描画位置に応じた正弦波状変動である、請求項21に記載の方法。
- 前記重複パターンデータ(46)によって表される前記1つまたは複数のフィーチャのサイズの前記減少が、前記重複エリア(36)内の露光線量が前記重複エリア(36)の外部の前記第1のサブエリアおよび前記第2のサブエリア(34a、34b)内の最大露光線量よりも高い前記量に比例する、請求項18から23のいずれか一項に記載の方法。
- 前記重複パターンデータ(46)によって表される前記1つまたは複数のフィーチャのサイズの前記減少が、前記ターゲット上に存在し前記荷電粒子ビームによって露光されることになるレジストの現像後の前記フィーチャの所望のサイズと組み合わせた前記重複エリア内の総露光線量(72)から計算される、請求項18から24のいずれか一項に記載の方法。
- 前記パターンがラスタ走査の形で前記ターゲット(30)上で露光される、請求項18から25のいずれか一項に記載の方法。
- 複数の荷電粒子ビーム(24)を使用してターゲット(30)を露光するための荷電粒子リソグラフィシステムであって、
前記荷電粒子ビームを生成するために適合された荷電粒子生成器(1、3、4、6)と、
露光データ(40)に従って前記荷電粒子ビームを変調するように適合された変調システム(7)と、
前記ターゲットの表面にわたって前記ビームを走査するために前記荷電粒子ビームを偏向するように適合された偏向システム(9)と、
前記荷電粒子ビーム(24)を前記ターゲット上に投影するように適合された投影レンズシステム(10)と、
前記ターゲットを保持するための可動ステージ(16)と、
前記変調システムと前記偏向システムと前記ステージとを制御するように適合された1つまたは複数の制御ユニット(104、106、108、110)と
を備え、
ここにおいて、前記リソグラフィシステムが、請求項16から26のいずれか一項に記載の方法により前記ターゲットを露光するために適合される、システム。 - 前記変調システムが、前記複数の荷電粒子ビーム(24)のうちの個々のビームのオンとオフとを切り換えるためのビームレットブランカアレイ(7)とビームストップアレイ(8)とを備える、請求項27に記載のシステム。
- 前記変調システムが、露光線量データ(52)に従って前記荷電粒子ビーム(24)の露光線量を調整するように適合される、請求項27または28に記載のシステム。
- 前記変調システムが、前記露光線量データ(52)に従って前記荷電粒子ビームをディザリングすることによって前記荷電粒子ビーム(24)の露光線量を調整するように適合される、請求項27から29のいずれか一項に記載のシステム。
- 前記変調システムが、パターンデータ(42)に従って前記荷電粒子ビームのオンとオフとを切り換えるように適合される、請求項27から30のいずれか一項に記載のシステム。
- 複数の荷電粒子ビーム(23)を使用してターゲット(30)上のパターンを露光するための露光データ(40)ファイルであって、前記露光データが、前記ターゲット(30)上で描画されることになる1つまたは複数のフィーチャ(50)を表すパターンデータ(42)と、前記ターゲット上の前記パターンを露光するための前記荷電粒子ビームの露光線量を表す露光線量データ(52)とを備え、ここにおいて、前記露光データが、請求項1から15のいずれか一項に記載の方法により処理される、露光データ(40)ファイル。
- 請求項32に記載の露光データ(40)ファイルを含むデータキャリア。
- 露光データ(40)を記憶するためのメモリ手段(122)と、
請求項1から15のいずれか一項に記載の方法により前記露光データを処理するために適合された処理手段(124)と
を備えるデータ処理システム。
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