JP6682741B2 - 回路基板及び回路基板組立体 - Google Patents

Description

本発明の一実施例は、回路基板及び回路基板組立体に関する。

電子機器の軽量化、小型化、高速化、多機能化、高性能化の傾向に対応するために、プリント回路基板（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ；ＰＣＢ）などの回路基板に複数の配線層を形成する、いわゆる多層基板技術が開発されており、さらに能動素子や受動素子などの電子部品を多層基板に搭載する技術も開発されている。

一方、多層基板に接続するアプリケーションプロセッサ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ；ＡＰ）などが多機能化及び高性能化になるにつれて、発熱量が著しく増加している実情である。

韓国登録特許第１０−０９７６２０１号公報 特開２０００−３４９４３５号公報 特開平１１−２８４３００号公報

本発明の一側面は、回路基板の放熱性能向上、軽薄短小化、信頼性向上、ノイズ低減、製造効率向上のうち少なくとも一つを可能とする技術を提供することができる。

本発明が果たそうとする技術的課題は、以上で言及した技術的課題に制限されず、言及されていない他の技術的課題は、下記の記載から本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解できるであろう。

本発明の例示的な実施例に係る回路基板は、第１熱伝逹用構造体を含み、第１熱伝逹用構造体は熱伝導性の高い材質で形成される。

一実施例において、第１熱伝逹用構造体は、銅などの金属材質で形成することができ、他の実施例では、第１熱伝逹用構造体は、黒鉛、グラファイト、グラフェンなどの熱伝導性の高い非金属材質で形成することができる。

一方、第１熱伝逹用構造体の表面には、密着力向上部が備えられ、絶縁部との密着性を向上させることができる。

本発明の一実施例によれば、回路基板の軽薄短小化とともに放熱性能が向上する。

また、回路基板の信頼性を確保しながらも放熱性能を向上できるので、電子製品の高性能化による発熱問題に効果的に対応することができる。

また、一実施例において電源ノイズなどの問題を低減しながらもホットスポットなど局地的な発熱による問題を解決することができる。

本発明の一実施例に係る回路基板を概略的に示す断面図である。 本発明の他の実施例に係る回路基板を概略的に示す断面図である。 本発明の一実施例に係る回路基板の平面形状を概略的に示す図である。 本発明の一実施例に係る回路基板を概略的に示す水平断面図である。 本発明の他の実施例に係る回路基板を概略的に示す水平断面図である。 本発明の一実施例に係る回路基板の主要部を概略的に示す部分抜粋断面図である。 本発明の一実施例に係る第２熱伝逹用構造体を説明するための図である。 本発明の他の実施例に係る第２熱伝逹用構造体を説明するための図である。 本発明のまた他の実施例に係る第２熱伝逹用構造体を説明するための図である。 熱伝逹用構造体の表面にプライマー層が備えられた状態でリフローテストを行った結果を概略的に示す図である。 熱伝逹用構造体の表面にプライマー層が備えられた状態で半田槽（Ｓｏｌｄｅｒ Ｐｏｔ）テストを行った結果を概略的に示す図である。 熱伝逹用構造体に直接絶縁部を接触させた状態でリフローテストを行った結果を概略的に示す図である。 熱伝逹用構造体に直接絶縁部を接触させた状態で半田槽テストを行った結果を概略的に示す図である。 本発明の一実施例に係る熱伝逹用構造体の製造過程を説明するための図である。 本発明の他の実施例に係る熱伝逹用構造体の製造過程を説明するための図である。 本発明の一実施例に係るコア部を処理する過程を説明するための図である。

以下では、添付した図面に基づいて本発明の構成及び作用効果をより詳細に説明する。

図１は、本発明の一実施例に係る回路基板１００を概略的に示す断面図であり、図２は、本発明の他の実施例に係る回路基板１００を概略的に示す断面図であり、図３は、本発明の一実施例に係る回路基板１００の平面形状を概略的に示す図であり、図４は、本発明の一実施例に係る回路基板１００を概略的に示す水平断面図であり、図５は、本発明の他の実施例に係る回路基板１００を概略的に示す水平断面図であり、図６は、本発明の一実施例に係る回路基板１００の主要部を概略的に示す部分抜粋断面図であり、図７は、本発明の一実施例に係る第２熱伝逹用構造体を説明するための図であり、図８は、本発明の他の実施例に係る第２熱伝逹用構造体を説明するための図であり、図９は、本発明のまた他の実施例に係る第２熱伝逹用構造体を説明するための図である。

本発明の一実施例に係る回路基板１００は、第１熱伝逹用構造体１１０を含み、第１熱伝逹用構造体１１０は、少なくとも一部が絶縁部１２０に挿入される。ここで、第１熱伝逹用構造体１１０は、熱伝導性の高い材料で形成される。そして、第１熱伝逹用構造体１１０は、かたまり状に形成される。

一実施例において、第１熱伝逹用構造体１１０は、上面と下面とを含む円柱または多角柱形状に形成されることができる。また、第１熱伝逹用構造体１１０は、銅（Ｃｕ）などの金属材質で形成されることができる。他の実施例では、第１熱伝逹用構造体１１０は、黒鉛、グラファイト、グラフェンなど熱伝導性の高い非金属材質で形成されることができる。

一実施例において、絶縁部１２０は、一つの絶縁層で形成されてもよく、複数の絶縁層で形成されてもよい。ここで、図１には、絶縁部１２０が３つの絶縁層１０、１２１、１２１'で構成され、中心部に位置する絶縁層がコア部１０となる場合が例示されているが、これに限定されることはない。

一実施例において、第１熱伝逹用構造体１１０は、絶縁部１２０の中間に位置する。図示されているように、コア部１０が備えられている場合は、コア部１０を貫通するキャビティＣ１が形成され、キャビティＣ１内に第１熱伝逹用構造体１１０が挿入されることができる。

一実施例において、絶縁部１２０に形成されたビアは、第１熱伝逹用構造体１１０に接触することができる。以下では、第１熱伝逹用構造体１１０の上部に位置するビアを第１ビアＶ１、下部に位置するビアを第２ビアＶ２と称する。ここで、絶縁部１２０には少なくとも一つの金属パターンが備えられることができ、以下では、第１ビアＶ１に接触する金属パターンを第１金属パターン１３１、第２ビアＶ２に接触する金属パターンを第２金属パターン１４１と称する。また、絶縁部１２０には、第４ビアＶ４及び第５ビアＶ５が備えられることができ、第４ビアＶ４の一端と接触する金属パターンを第３金属パターン１３３、第５ビアＶ５の他端と接触する金属パターンを第４金属パターン１４２と称する。

一実施例において、第１熱伝逹用構造体１１０は、熱を保持する機能を果たすことができ、このような機能は、第１熱伝逹用構造体１１０の体積が大きいほど増加する。このため、図１に示すように、第１熱伝逹用構造体１１０は、柱形状に形成されることができる。このように、柱形状に形成されることにより、下面の面積が同じであれば、第１熱伝逹用構造体１１０の体積を最大化することができる。そして、第１熱伝逹用構造体１１０の下面及び上面形状が多角形、特に四角形になると、第１熱伝逹用構造体１１０の下面及び上面の形状が原型や楕円形である場合に比べて第１電子部品５００の小型化の傾向や回路基板１００の小型化、パターンピッチの微細化などに応えることができる。

また、図示されているように、第１熱伝逹用構造体１１０は、第１ビアＶ１から第７ビアＶ７のような一般のビアに比べて、体積が非常に大きい。このため、第１熱伝逹用構造体１１０の表面、特に上面や下面にはビアが複数接触することができる。すなわち、第１熱伝逹用構造体１１０の上面及び下面の面積自体が通常のビアより大きいだけでなく、全体体積も２倍以上大きい。これにより、熱源から熱を迅速に吸収し、第１熱伝逹用構造体１１０に接続されている他の経路に分散させることができる。また、第１熱伝逹用構造体１１０の厚さを増加させると、第１熱伝逹用構造体１１０とホットスポットとの間の距離が減少し、ホットスポットの熱が第１熱伝逹用構造体１１０に移動する時間をさらに短縮することができる。

一実施例において、回路基板１００の一方には、第１電子部品５００を実装することができる。また、回路基板１００は、メインボードなどの付加基板８００の一方に実装されることができる。ここで、第１電子部品５００は、アプリケーションプロセッサ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ；ＡＰ）などの部品であることができ、動作時に熱が発生することになる。

一方、第１電子部品５００が動作するにより熱が発生するが、第１電子部品５００で発生した熱を感知すると、他の領域に比べて相対的に発熱がひどくて温度が高く測定される領域が存在する。 このような領域をホットスポット（Ｈｏｔ ｓｐｏｔ）と称することもある。このようなホットスポットは、回路基板１００のうち所定の領域に形成されるが、特に第１電子部品５００の一箇所または複数個所を中心にホットスポットが形成されることができる。また、このようなホットスポットは、第１電子部品５００の電源端子付近や、スイチング素子が相対的に密集している領域に形成されることもできる。

他の一方で、第１電子部品５００は、相対的に高性能スペックを有する領域と、相対的に低性能スペックを有する領域とをそれぞれ含むことができる。例えば、クロックスピード（Ｃｌｏｃｋ Ｓｐｅｅｄ）が１．８ＧＨｚであるコアが接続されたプロセッサと、クロックスピードが１．２ＧＨｚであるコアが接続されたプロセッサとが、第１電子部品５００においての領域を異にして備えられることができる。

図３を参照すると、一実施例において、第１電子部品５００は、第１単位領域５１０及び第２単位領域５２０を含むことができる。このとき、第１単位領域５１０は、第２単位領域５２０に比べてより速いスピードで演算過程を行い、これにより、第１単位領域５１０は、第２単位領域５２０よりもさらに多い電力を消耗することになり、第１単位領域５１０では、第２単位領域５２０よりもさらに多い熱が発生することができる。

本発明の一実施例に係る回路基板１００には、ホットスポットに隣接した領域に第１熱伝逹用構造体１１０が位置する。これにより、ホットスポットで発生した熱を迅速に伝達受け、回路基板１００の他の領域や、回路基板１００が結合されるメインボード（例えば、図１の付加基板８００）などの他のデバイスに熱を迅速に分散させることができる。

一実施例において、第１熱伝逹用構造体１１０の少なくとも一部は、第１電子部品５００の垂直下方領域に位置する。

一方、本発明の一実施例に係る回路基板１００には、第２電子部品２００をさらに備えることができる。第２電子部品２００としては、キャパシタ、インダクタ、抵抗などがある。

第１電子部品５００がアプリケーションプロセッサである場合、電源ノイズを低減するために、キャパシタなどを第１電子部品５００に接続させることができる。このとき、キャパシタと第１電子部品５００との間の経路が短いほど電源ノイズの低減効果が増大する。

したがって、第２電子部品２００の少なくとも一部は、第１電子部品５００の垂直下方領域に位置することができ、これにより、電源ノイズの低減効果を高めることができる。

一実施例において、第１電子部品５００の垂直下方領域に第１熱伝逹用構造体１１０の大部分が位置することができる。また、第１熱伝逹用構造体１１０の上面の面積は、第１電子部品５００の上面の面積より小さくてもよい。さらに、第１熱伝逹用構造体１１０の上面の面積は、第１電子部品５００のホットスポットの領域の幅に対応するように決めることができる。

これにより、ホットスポットの熱が第１熱伝逹用構造体１１０に迅速に移動できる。また、回路基板１００の軽量化及びワーピジ（Ｗａｒｐａｇｅ）低減に有利である。それだけでなく、第１熱伝逹用構造体１１０を回路基板１００に配置する工程の効率性を向上させることができる。

一方、第１電子部品５００の垂直下方領域に第２電子部品２００の大部分が位置することができる。ここで、第２電子部品２００は、第１電子部品５００の垂直下方領域のうち、上述した第１熱伝逹用構造体１１０が位置しない領域に位置することができる。また、第１熱伝逹用構造体１１０は、第２電子部品２００に比べてホットスポットに近い領域に位置することができる。

図１ないし図４を参照すると、コア部１０に備えられたキャビティＣ１、Ｃ２の内部に第１熱伝逹用構造体１１０と第２電子部品２００とを挿入できることは理解できることである。すなわち、コア部１０に第１キャビティＣ１及び第２キャビティＣ２が備えられており、第１キャビティＣ１には第１熱伝逹用構造体１１０が挿入され、第２キャビティＣ２には第２電子部品２００が挿入されることができる。また、第１電子部品５００の垂直下方領域に、第１熱伝逹用構造体ら１１０と第２電子部品ら２００とが隣接して配置されることができ、特に第１熱伝逹用構造体ら１１０は、図３に示すホットスポット付近に集中的に配置できることを理解することができる。一方、図５は、絶縁部１２０にコア部１０がない場合の平面形状を概略的に示すものである。

これにより、第２電子部品２００による電源ノイズの低減効果を最大化しながらもホットスポットの熱を迅速に移動させることができる。

一実施例において、第１電子部品５００は、ソルダＳなどにより回路基板１００に結合することができる。このとき、第１電子部品５００は、ソルダＳにより、上述した第１金属パターン１３１、第３金属パターン１３３、第７金属パターン１３４などに結合することができる。

また、回路基板１００の第２金属パターン１４１、第４金属パターン１４２、第５金属パターン１４３、第６金属パターン１４４などは、ソルダＳを媒介にしてメインボードなどの付加基板８００に接続することができる。一実施例において、第２金属パターン１４１と付加基板８００との間には、一般のソルダＳではなく、第１熱伝逹用構造体１１０と類似の材質及び形状で形成された第３熱伝逹用構造体Ｌ１が備えられることができる。すなわち、第１熱伝逹用構造体１１０の熱を付加基板８００に迅速に伝達するために、一般のソルダＳよりも熱伝導性の大きい物質でかたまり状に形成された第３熱伝逹用構造体Ｌ１を用いて、第２金属パターン１４１と付加基板８００とを接続することができる。また、第３熱伝逹用構造体Ｌ１の熱を迅速に受けて分散または発散するように、付加基板８００に放熱部Ｌ２を備えることができる。この放熱部Ｌ２は、付加基板８００の上面方向に露出し、必要によって、下面方向にも露出して熱発散効率を向上させることができる。

一方、基板の最外郭に備えられ、他の電子部品、例えば、上述した第１電子部品５００または付加基板８００などに接続される金属パターンをパッド（Ｐａｄ）と称することがある。ここで、最外郭金属層には、パッド以外にも各種回路パターンなどが備えられることができ、ソルダレジスト層（図示せず）を備えてこれらの回路パターンや絶縁部１２０などを保護することができる。ここで、外部デバイスとの接続を必要とするパッドは、少なくとも一部がソルダレジスト層の外部に露出することができる。このようにソルダレジスト層の外部に露出されたパッドと外部デバイスの端子との間には、ソルダＳやワイヤ（図示せず）などの結合部材が備えられ、物理的結合が行われる。

ここで、図１に例示されたように、第１から第７金属パターンが絶縁部１２０の外面に露出するように備えられる場合、第１から第７金属パターンは、上述したパッドとして理解することができる。

また、ソルダレジスト層の外部に露出された金属パターンの表面には、ニッケル−金メッキ層など様々な表面処理層が備えられてもよい。

また、図示されていないが、第１金属パターン１３１の外面を覆う絶縁層及びこの絶縁層の外面に形成されたパッドがさらに備えられ、この絶縁層を貫通するビアにより第１金属パターン１３１とパッドとが接続することもできる。すなわち、必要によって、絶縁層及び金属層を含むビルドアップ層がさらに備えられることができる。この場合、上述した第１金属パターン１３１はパッドではなく、回路基板の最外郭金属層に形成されたパッドとビアなどを介して接続されることができる。

これにより、ホットスポットで発生した熱が、第１金属パターン１３１−第１ビアＶ１−第１熱伝逹用構造体１１０−第２ビアＶ２−第２金属パターン１４１の経路を経て付加基板８００に迅速に伝達され得る。

他の一方で、第１電子部品５００の端子のうち、第１金属パターン１３１に接続する端子が信号送受信用端子である場合は、第１ビアＶ１、第１熱伝逹用構造体１１０、第２ビアＶ２、第２金属パターン１４１を含む経路は、信号伝送機能を果たすことができる。このとき、第２金属パターン１４１に接続する付加基板８００の接続パッドまたは端子も信号伝送機能を果たすことができる。

これに対して、第１電子部品５００の端子のうち、第１金属パターン１３１に接続する端子が信号送受信用端子ではない場合は、第１ビアＶ１、第１熱伝逹用構造体１１０、第２ビアＶ２、第２金属パターン１４１を含む経路は、図示されていない別の接地端子（Ｇｒｏｕｎｄ ｔｅｒｍｉｎａｌ）に電気的に接続することができる。このとき、第２金属パターン１４１に接続する付加基板８００の接続パッドまたは端子も、図示されていない別の接地端子に電気的に接続することができる。ここで、接地端子は回路基板１００や付加基板８００のうちの少なくとも一つに備えられることができる。

また、第１電子部品５００の端子のうち第１金属パターン１３１に接続する端子が電源端子である場合は、第１ビアＶ１、第１熱伝逹用構造体１１０、第２ビアＶ２、第２金属パターン１４１を含む経路は、図示されていない別の電源提供回路に電気的に接続することができる。このとき、第２金属パターン１４１に接続する付加基板８００の接続パッドまたは端子も、図示されていない別の電源提供回路に電気的に接続することができる。ここで、電源提供回路は、回路基板１００や付加基板８００のうちの少なくとも一つに備えられることができる。

また、第１電子部品５００の端子のうち第１金属パターン１３１に接続する端子は、ダミー端子であることができる。このとき、ダミー端子は、第１電子部品５００の熱を第１電子部品５００の外部に伝達する通路としての機能のみを行うものであってもよい。

上述したように、第１電子部品５００の端子は、信号入出力用、電源入出力用、及び熱放出用端子に分けられる。このとき、特定の端子がそれぞれ一つの機能のみを行うものである必要はない。すなわち、信号や電源を入出力しながらも熱放出に活用されることもできる。但し、第１電子部品５００のホットスポット領域に備えられた端子が熱放出機能を行うと、ホットスポットの熱がより迅速に排出されることができる。このように熱放出機能をする端子に、上述した第１結合部材が接触し、該第１結合部材に第１金属パターン１４１が接触するようにすることで、ホットスポットと第１熱伝逹用構造体１１０との間の熱の移動をより円滑にすることができる。

一実施例において、第１熱伝逹用構造体１１０に電気的に接続する第１電子部品５００の少なくとも一端子が熱放出機能のみをするダミー端子であることができる。このとき、第１電子部品５００の端子のうち信号伝送のみのための他の端子が第１熱伝逹用構造体１１０に接続する場合、信号損失を生じさせることがある。このため、第１電子部品５００の端子のうち信号伝送のみのための端子は、第１熱伝逹用構造体１１０に電気的に接続しないようにすることができる。すなわち、第１電子部品５００の端子のうち信号伝送のみのための端子に接続するパッドと接続するビアや回路パターンなどは、第１熱伝逹用構造体１１０に電気的に接続しないようにすることができる。

図１ないし図９を参照すると、本発明の一実施例に係る回路基板１００は、コア部１０を含むことができる。コア部１０は、回路基板１００の剛性を補強してワーピジによる問題を緩和する役割をすることができる。また、熱伝導性の大きい物質をコア部１０に含ませることにより、上述したホットスポットなどの局地的に発生した熱を回路基板１００の他の部分に迅速に分散させて、過熱による問題を緩和することもできる。

一方、コア部１０の上面には、第１上部絶縁層１２１が備えられ、コア部１０の下面には、第１下部絶縁層１２１'が備えられることができる。また、必要によって、第２上部絶縁層１２２及び第２下部絶縁層１２２'がさらに備えられることもできる。

一実施例において、コア部１０には、第２熱伝逹用構造体が含まれることができる。例えば、コア部１０は、グラファイトまたはグラフェンなどで形成された第１コア層１１を含むことができる。ここで、グラファイトなどは、ＸＹ平面方向への熱伝導度が非常に高く、これにより、熱を効果的で迅速に拡散させることができる。

一実施例において、第２熱伝逹用構造体は、第１熱伝逹用構造体１１０の側面に直接接触することができる。例えば、コア部１０に備えられた第１キャビティＣ１から第２熱伝逹用構造体の側面が露出され、第１熱伝逹用構造体１１０が第１キャビティＣ１に接触することができる。他の実施例では、第２熱伝逹用構造体と第１熱伝逹用構造体１１０との間の領域に熱伝導性の高い物質が備えられることもできる。このとき、熱伝導性の高い物質として、サーマルインターフェイスマテリアル（Ｔｈｅｒｍａｌ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ Ｍａｔｅｒｉａｌ；ＴＩＭ）を適用することができる。このＴＩＭには、高分子−金属複合材料、セラミック複合材料及び炭素系複合材料などが含まれ得る。例えば、エポキシと炭素繊維充填剤とが混合された物質（熱伝導度は、約６６０Ｗ／ｍｋ）、窒化シリコン（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｎｉｔｒｉｄｅ；Ｓｉ３Ｎ４、熱伝導度は、約２００〜３２０Ｗ／ｍｋ）、エポキシと窒化ホウ素（Ｂｏｒｏｎ Ｎｉｔｒｉｄｅ；ＢＮ、熱伝導度は、約１９Ｗ／ｍｋ）がサーマルインターフェイスマテリアルとして使用できる。これにより、第１熱伝逹用構造体１１０に流入された熱が、垂直方向に移動されるだけでなく、第２熱伝逹用構造体を介して水平方向にも迅速に分散されることができる。

このように、第１熱伝逹用構造体１１０と第２熱伝逹用構造体とが直接接触するか、あるいはＴＩＭを媒介にして接続することにより、第１電子部品５００などの熱が第１熱伝逹用構造体１１０に迅速に移動された後に、下方のみに伝達される場合に比べて、熱がより迅速に分散されることができる。また、回路基板１００の観点からは、ホットスポットなどの特定領域のみに過度に温度が上昇する場合に比べて、回路基板１００の全体に均等に熱が分散されることにより、回路基板１００に搭載された各種部品や要素のそれぞれの温度偏差が緩和されるので、信頼性が向上することができる。また、回路基板１００の全体に迅速に熱が分散されるので、回路基板１００の全体が一種の放熱板の役割をすることになり、結果的に放熱面積が増加する効果を奏することができる。

一実施例において、コア部１０の表面には、第１回路パターンＰ１及び第２回路パターンＰ２などが備えられることができ、コア部１０を貫通するスルービアＴＶにより、第１回路パターンＰ１と第２回路パターンＰ２とが電気的に接続することができる。また、第１回路パターンＰ１は、第４ビアＶ４により第３金属パターン１３３に接続することができ、第２回路パターンＰ２は、第５ビアＶ５により第４金属パターン１４２に接続することができる。そして、第３金属パターン１３３は、ソルダＳにより第１電子部品５００に接続することができ、第４金属パターン１４２は、ソルダＳにより付加基板８００の接続パッド８１０に接続することができる。これにより、第１電子部品５００と付加基板８００との間に電気的信号を送受信する経路をさらに確保することができる。

一方、第１コア層１１の一面には、第２コア層１２が備えられ、第１コア層１１の他面には、第３コア層１３が備えられることができる。一実施例において、第２コア層１２及び第３コア層１３のうちの少なくとも一つは、ＰＰＧなどの絶縁物質で形成されることができる。他の実施例では、第２コア層１２及び第３コア層１３は、銅やインバー（Ｉｎｖａｒ）などの金属で形成されることができる。また他の実施例では、第１コア層１１がインバーで形成され、第２コア層１２及び第３コア層１３が銅で形成されることができる。ここで、第２コア層１２及び第３コア層１３のうちの少なくとも一つが導電性物質で形成された場合は、コア部１０の表面に第１回路パターンＰ１や第２回路パターンＰ２などが備えられることにより、意図しない経路に信号が伝送される問題が発生することもあるので、コア部１０の表面に絶縁性を確保するための手段を備えることができる。

一実施例において、コア部１０の第２キャビティＣ２には、第２電子部品２００が挿入される。そして、第２電子部品２００は、第６ビアＶ６により第７金属パターン１３４に接続し、第７ビアＶ７により第６金属パターン１４４に接続することができる。一方、第２電子部品２００は、インダクター、キャパシタなどの受動素子であってもよく、必要によって、ＩＣなどの能動素子が第２電子部品２００として搭載されることも可能である。特に、第２電子部品２００がキャパシタである場合、第７金属パターン１３４に接続する第１電子部品５００の端子は、電源端子であることができる。すなわち、第２電子部品２００がデカップリングキャパシタとして搭載され、第１電子部品５００の電源ノイズを低減する役割をすることができる。

この場合、第２電子部品２００と第１電子部品５００との間の経路が短くなるほどノイズ低減効果が向上し、これのために、本発明の一実施例に係る回路基板１００においては、第２電子部品２００の少なくとも一部が第１電子部品５００の垂直下方領域に配置される。

図示されていないが、コア部１０を貫通するキャビティの代わりにコア部１０の一部が凹んだリセス部が備えられてもよく、このリセス部に熱伝逹用構造体１１０や第２電子部品２００を挿入することができる。

一方、図１を参照すると、第１熱伝逹用構造体１１０の厚さは、第２回路パターンＰ２の下面から第１回路パターンＰ１の上面までの厚さよりも厚く形成することができる。さらに、第１熱伝逹用構造体１１０の上面は、第１回路パターンＰ１の上面よりも回路基板１００の上面に近く位置することができる。 これにより、第１熱伝逹用構造体１１０の熱容量が増加し、熱を保持する機能を向上させることができる。また、第１熱伝逹用構造体１１０とホットスポットとの間の距離が減少し、ホットスポットの熱が第１熱伝逹用構造体１１０に移動する時間をより短縮することができる。

一実施例において、第１熱伝逹用構造体１１０の底面は、第２回路パターンＰ２の下面と同一水平面上に位置することができる。この場合も、第１熱伝逹用構造体１１０の厚さを、第２回路パターンＰ２の下面から第１回路パターンＰ１の上面までの厚さよりも大きくすることにより、第１熱伝逹用構造体の熱容量をより増加させ、ホットスポットとの距離を短縮することができる。

図示されていないが、他の実施例では、第１熱伝逹用構造体１１０の上面が、第１回路パターンＰ１の上面と同一水平面に位置することができる。この場合も、第１熱伝逹用構造体１１０の厚さを、第２回路パターンＰ２の下面から第１回路パターンＰ１の上面までの厚さよりも大きくすることにより、第１熱伝逹用構造体の熱容量をさらに増加させることができる。

以上では、理論的や理想的な幾何学的関係について説明したが、このような構造を実際の設計に反映して製品として製造する場合、製造工程に反映される各種偏差が発生する。例えば、コア部の両面が完全な平面ではないことや、コア部に回路パターンを形成する過程で回路パターン間の厚さの偏差が発生することもある。したがって、本発明の範囲を解釈するにあたり、現実的な工程偏差などを考慮する必要がある。また、電子製品のスリム化及び配線パターンの高密度化の傾向にあわせて回路基板を製造する過程では、ある程度の歪み（Ｗａｒｐａｇｅ）が発生し得る。このような歪みが深化すると、配線の短絡やクラックなどの問題を誘発するので、歪みを最小化しようとする努力が行われつつある。しかし、現実的に歪みを完全に排除することは難しく、所定の許容範囲内では歪みが発生しても良品として扱うことができる。

したがって、本発明の一実施例に係る回路基板も、実際に製造される場合には、所定の範囲内での歪みが許容され、上述の第１熱伝逹用構造体１１０の厚さや位置に関する説明を理解するにあたり、歪みの許容範囲も考慮すべきである。

また、図２を参照すると、第１上部絶縁層１２１上に第２上部絶縁層１２２を形成することもでき、この場合にも、回路基板１００の外面と第１熱伝逹用構造体１１０との間に備えられる第１ビアＶ１または第２ビアＶ２の高さを、回路基板１００の外面と内層パターンＰ１'、Ｐ２'との間を接続させるビアの高さよりも小さくすることにより、第１熱伝逹用構造体１１０の熱容量を増加させるとともに、熱分散の速度を向上させることができることを理解することができる。

図示されていないが、第１熱伝逹用構造体の上部面が第１上部絶縁層により覆われることができる。そして、第１熱伝逹用構造体と一面が接触するビアの他面は、第１上部絶縁層に備えられる回路パターンと接触することができる。そして、第２上部絶縁層を貫通する他のビア及び第２上部絶縁層の表面に備えられる他の回路パターン及びソルダボールを経て第１電子部品に接続することもできる。すなわち、第１熱伝逹用構造体１１０上に形成されるビルドアップ層数は、必要によって、変更可能であり、但し、少なくとも熱容量の側面からは、第１熱伝逹用構造体の厚さが大きいほど有利であることは理解できる。

図６を参照すると、コア部１０の表面に絶縁膜１４を備えることができる。一実施例において、第１コア層１１から第３コア層１３が熱伝導性を有するだけでなく、電気伝導性を有することもできる。したがって、コア部１０の表面に第１回路パターンＰ１などを備える場合、コア部１０により、所望しない経路に通電されることを防止する必要がある。ここで、絶縁膜１４は、パリレン（Ｐａｒｙｌｅｎｅ）などをコア部１０の表面に気相蒸着して形成することができる。すなわち、図６に示されているスルービアＴＶを形成するためのスルービアホールをコア部１０に加工した状態で、コア部１０の表面に絶縁物質を提供することにより、スルービアＴＶホールの内部にも絶縁膜１４を形成することができる。これにより、スルービアＴＶや第１回路パターンＰ１、第２回路パターンＰ２などとコア部１０との間の絶縁性を確保することができる。

一方、一実施例において、第２コア層１２と第３コア層１３とを貫通し、第１コア層１１の一部を露出させるコアビアホールを形成することができる。このコアビアホールに導電性物質が備えられて形成される第８ビアは、第１コア層１１と直接接触することができる。ここで、コアビアホールが備えられた状態でコア部１０の表面に絶縁膜１４を形成する場合、露出された第１コア層１１の表面にも絶縁膜１４が形成されるので、第１コア層１１と第８ビアＶ８とは、絶縁膜１４を隔てて接触することができる。このように、第１コア層１１と直接（または絶縁膜１４がある場合は、間接）的に接触する第８ビアＶ８に熱が移動される場合、第１コア層１１に沿って回路基板１００に水平の方向へ熱が迅速に分散されることができる。

一実施例において、第２熱伝逹用構造体は、グラファイトまたはグラフェンで形成することができ、この場合、グラファイトまたはグラフェンなどは、層間結合力が相対的に低い方である。このため、回路基板１００を製造する過程から第２熱伝逹用構造体が破損したり、回路基板１００が完成された後でも層間結合力が弱化したりして信頼性の問題を誘発することがある。

図６に示すように、第１コア層１１に貫通孔１１ｃが備えられ、第２コア層１２及び第３コア層１３が貫通孔１１ｃを介して一体に接続されて、第１コア層１１を堅固に支持することができる。これにより、第１コア層１１がグラファイトなどで形成されても層間結合力を強化することができる。

一方、図７を参照すると、第１コア層１１'の外面にプライマー層１１１が備えられている。すなわち、グラファイトシートの外面にプライマー層１１１を備えることにより、層間結合力を向上させることができる。このとき、プライマー層１１１は、グラファイト同士間の層間結合力を向上させるだけでなく、第１コア層１１'と第２コア層１２との間、及び第１コア層１１'と第３コア層１３との間の層間結合力を向上させる機能も果たすことができる。

他の実施例では、図８を参照すると、グラファイトの表面にプライマー層１１１が備えられて形成される単位体ら１１−１、１１−２、１１−３、１１−４を垂直方向に積層して第１コア層１１''を形成することができる。この場合、第１コア層１１''の水平放熱機能が減少することを最小化しながらも第１コア層１１の垂直方向の剥離問題を緩和させることができる。

また他の実施例では、図９を参照すると、グラファイトの表面にプライマー層１１１が備えられて形成される単位体ら１１−１'、１１−２'、１１−３'、１１−４'を水平方向に結合して第１コア層１１'''を形成することができる。ここで、グラファイトのＸＹ平面は、垂直方向と水平になるように配置することができる。この場合、水平方向への放熱機能は多少減少するものの、第１コア層１１'''を用いた垂直放熱性能は向上されることができる。

一方、本発明の一実施例に係る回路基板１００に含まれる第１熱伝逹用構造体１１０は、絶縁部１２０との密着力の向上のための密着力向上部を備える。

第１熱伝逹用構造体１１０の表面が絶縁部１２０と直接接触する場合、リフロー（Ｒｅｆｌｏｗ）工程や半田槽（Ｓｏｌｄｅｒ ｐｏｔ）工程などを行う過程で第１熱伝逹用構造体１１０と絶縁部１２０との間に透き間ができることが発生することがあり、このようなことをデラミネーション（Ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）と称することもある。このとき、絶縁部１２０との密着力を向上させるための手段として、第１熱伝逹用構造体１１０の表面に備えられたプライマー層１１１を含むことができる。一実施例において、プライマー層１１１は、イソプロピルアルコール（Ｉｓｏ Ｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）及びアクリル（Ａｃｒｙｌ）系シラン（Ｓｉｌａｎ）を含むプライマーで形成することができる。

また、プライマー層１１１は、ＭＰＳ（３−（ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌｙｌ）ｐｒｏｐｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）で形成することができ、プライマー層１１１にはシラン系添加剤を加えることができる。

図１０ａは、熱伝逹用構造体の表面にプライマー層１１１が備えられた状態でリフローテストを行った結果を概略的に示し、図１０ｂは、熱伝逹用構造体の表面にプライマー層１１１が備えられた状態で半田槽テストを行った結果を概略的に示す。そして、図１１ａは、熱伝逹用構造体に直接絶縁部１２０を接触させた状態でリフローテストを行った結果を概略的に示し、図１１ｂは、熱伝逹用構造体に直接絶縁部１２０を接触させた状態で半田槽テストを行った結果を概略的に示す。

図１０ａから図１１ｂを参照すると、プライマー層１１１がない場合、リフロー工程を行ったり、半田槽工程を行ったりすると、熱伝逹用構造体と絶縁部１２０との間に透き間Ｄができるが、熱伝逹用構造体の表面にプライマーを備えることにより、熱伝逹用構造体と絶縁部１２０との間の密着力を向上させることができることを理解することができる。ここで、熱伝逹用構造体は、上述した第１熱伝逹用構造体１１０または第２熱伝逹用構造体のうちの少なくとも一つを意味する。

一方、第１熱伝逹用構造体１１０の表面に黒化処理及び粗面化処理などの表面処理を行うことにより、第１熱伝逹用構造体１１０と絶縁部１２０との間の密着力を向上させることもできる。

しかし、第１熱伝逹用構造体１１０の表面に、上述したような表面処理を行うと、製造工程から一部問題が発生する。例えば、表面処理により第１熱伝逹用構造体１１０の色相が変わることがあり、この場合、第１熱伝逹用構造体１１０などを絶縁部１２０上の所定の位置に実装する自動化装備が第１熱伝逹用構造体１１０を認識する過程でエラーを起こすことがある。

これに対して、本発明の一実施例に係る回路基板１００は、第１熱伝逹用構造体１１０と絶縁部１２０との間のデラミネーション現象を低減することができる。

一方、図１などを再び参照すると、第１熱伝逹用構造体１１０の表面にプライマー層１１１が備えられた場合、上述の第１ビアＶ１や第２ビアＶ２は、プライマー層１１１も貫通して第１熱伝逹用構造体１１０と直接接触することができる。これにより、プライマー層１１１による熱伝逹機能の減少を最小化することができる。ここで、プライマー層１１１に関する理解を容易にするために、図面にはプライマー層１１１の厚さを誇張して表現した場合がある。しかし、プライマー層１１１は、薄膜状に形成可能であり、実際の製造回路基板においては、図示されたものよりも著しく薄い厚さを有することができる。

したがって、本発明を理解するにあたり、図面の誇張された表現も考慮しなければならない。特に、図１には、プライマー層１１１の下面が第２回路パターンＰ２と同一平面に位置することに示されており、このため、プライマー層１１１を除いた第１熱伝逹用構造体１１０の底面が第２回路パターンＰ２よりも多少高い所に位置することに示されている。しかし、プライマー層１１１の厚さは、第２回路パターンＰ２の厚さや第１熱伝逹用構造体１１０の厚さに比べて非常に小さいので、第１熱伝逹用構造体１１０と第２回路パターンＰ２との位置関係を理解するに当たってはプライマー層１１１の厚さを無視することができる。

図１２は、本発明の一実施例に係る第１熱伝逹用構造体１１０の製造過程を説明するための図である。

図１２を参照すると、銅などの金属材質で形成された金属板１１０−１を提供し、その後、金属板１１０−１上にレジスト層Ｒを形成する。

次に、第１熱伝逹用構造体１１０の形状に対応するように、レジスト層Ｒをパターニングして開口部Ｈ１−１、Ｈ１−２を形成した後、エッチング工程を行うことによりエッチングホールＥ１、Ｅ２を形成する。このとき、一つの金属板１１０−１を用いて複数の第１熱伝逹用構造体１１０を形成しようとする場合、後続工程を容易にするために、コネクティング部ＣＮが残るようにエッチング工程を行う。その後、レジスト層Ｒを除去した後、エッチングされた金属板１１０−１を別のプレートＰに配置し、コネクティング部ＣＮを除去する。これにより、第１熱伝逹用構造体１１０を製造することができる。ここで、図１２に示すように、上記第１熱伝逹用構造体１１０の側面にはエッチングによる跡が残る場合もある。すなわち、第１熱伝逹用構造体１１０の側面が第１熱伝逹用構造体１１０の内側に凹んだ凹状の形状になることができる。

図１３は、本発明の他の実施例に係る第１熱伝逹用構造体１１０の製造過程を説明するための図である。

図１３を参照すると、シード層ＳＥ上にレジスト層Ｒを形成した後に、第１熱伝逹用構造体１１０の形状に対応する部分がオープンするように、レジスト層Ｒをパターニングする。その後、１回以上のメッキを施して第１熱伝逹用構造体１１０を形成し、その後、レジスト層Ｒと残余シード層を除去して第１熱伝逹用構造体１１０を製造することができる。このとき、第１熱伝逹用構造体１１０の厚さを増加させるためには、数から数百回のメッキを多段で行うこともでき、このように多段メッキを行った場合、その断面から層状構造を確認することができる。ここで、Ｉはシード層ＳＥを支持するための要素であって、金属または非金属材質で形成される一種のプレートであることができる。

図１２を参照して説明した実施例によると、第１熱伝逹用構造体１１０における厚さの均一性は高くなるものの、第１熱伝逹用構造体１１０の側面部の形状が相対的に不規則になる。また、その結果、第１熱伝逹用構造体１１０の横、縦の幅の偏差が相対的に大きくなる。したがって、第１熱伝逹用構造体１１０において厚さの制御が重要である場合は、本実施例に係る方法により第１熱伝逹用構造体１１０を製造することができる。

これに対して、図１３を参照して説明した実施例によると、第１熱伝逹用構造体１１０の幅の均一性は向上できるものの、メッキ工程の偏差により厚さ偏差が相対的に増加することになる。

したがって、第１熱伝逹用構造体１１０における幅の制御が重要である場合は、本実施例に係る方法により第１熱伝逹用構造体１１０を製造することができる。

図１４は、本発明の一実施例に係るコア部１０を処理する過程を説明するための図である。

図１４を参照すると、第１コア層１１、第２コア層１２及び第３コア層１３を含むコアにビアホールＶＨ１を形成し、ビアホールＶＨ１の内面を含んでコア表面に絶縁膜１４を形成し、その後、第１回路パターンＰ１、スルービアＴＶ、第２回路パターンＰ２を形成することができる。これにより、第１回路パターンＰ１などとコア部１０との間の絶縁性を確保することができる。

１００ 回路基板
１１０ 第１熱伝逹用構造体
１１１ プライマー層
１２０ 絶縁部
１２１ 第１上部絶縁層
１２１' 第１下部絶縁層
１２２ 第２上部絶縁層
１２２' 第２下部絶縁層
１３１ 第１金属パターン
１３３ 第３金属パターン
１３４ 第７金属パターン
１４１ 第２金属パターン
１４２ 第４金属パターン
１４３ 第５金属パターン
１４４ 第６金属パターン
Ｓ ソルダ
２００ 第２電子部品
Ｖ１ 第１ビア
Ｖ２ 第２ビア
Ｖ４ 第４ビア
Ｖ５ 第５ビア
Ｖ６ 第６ビア
Ｖ７ 第７ビア
Ｖ８ 第８ビア
１０ コア部
１１ 第１コア層
１２ 第２コア層
１３ 第３コア層
１４ 絶縁膜
Ｐ１ 第１回路パターン
Ｐ２ 第２回路パターン
ＴＶ スルービア
５００ 第１電子部品
８００ 付加基板
８１０ 接続パッド
Ｌ１ 第３熱伝逹用構造体
Ｌ２ 放熱部
Ｃ１ 第１キャビティ
Ｃ２ 第２キャビティ

Claims (30)

1. 絶縁層、前記絶縁層に形成される金属層及び前記絶縁層のうちの少なくとも一絶縁層を貫通して前記金属層のうちの少なくとも二つの金属層を接続させるビアを含み、
   第１領域、及び動作時に前記第１領域よりも温度が高くなる第２領域を含む第１電子部品に接続可能なパッドが最外郭表面の金属層に形成された回路基板において、
   熱伝導性物質で形成され、少なくとも一部が絶縁部に挿入され、少なくとも一部は、前記第１電子部品の垂直下方に位置する第１熱伝逹用構造体と、
   前記第１熱伝逹用構造体に一面が接触する第１ビアと、
   前記第１ビアの他面と接触する第１金属パターンと、
   前記第１電子部品に接続可能に形成され、前記第１金属パターンに接続する第１結合部材と、
   前記絶縁部内に備えられ、前記第１電子部品の垂直下方に少なくとも一部が位置する第２電子部品と、
   前記第１熱伝逹用構造体の少なくとも一部が挿入された第１キャビティが備えられたコア部と、
   を含み、
   前記コア部は、
   熱伝導性物質で形成された第２熱伝逹用構造体を含む第１コア層と、
   前記第１コア層の一面に備えられる第２コア層と、
   前記第１コア層の他面に備えられる第３コア層と、
   を含み、
   前記第１コア層はグラファイトまたはグラフェンで形成され、前記第２コア層および前記第３コア層は金属で形成される、回路基板。
2. 前記第２領域から前記第１結合部材までの距離が、前記第１領域から前記第１結合部材までの距離よりも小さい請求項１に記載の回路基板。
3. 前記パッドには熱が通過する第１パッド及び電気信号が通過する第２パッドが含まれ、前記第１結合部材は、前記第１パッドに接続可能に形成される請求項１に記載の回路基板。
4. 前記第２パッドに接続する導体は、前記第１熱伝逹用構造体に接続しない請求項３に記載の回路基板。
5. 前記第１熱伝逹用構造体の表面には、
   前記第１熱伝逹用構造体と前記絶縁部との間の密着力を高める密着力向上部が備えられる請求項１から４のいずれか一項に記載の回路基板。
6. 前記第１熱伝逹用構造体は、
   多段メッキによる層状構造を有するか、
   前記第１熱伝逹用構造体の上面と下面とを除いた側面のうちの少なくとも一面が凹状に形成される請求項１から５のいずれか一項に記載の回路基板。
7. 前記第１金属パターンと前記第１結合部材との間に少なくとも一つのビア及び少なくとも一つの金属パターンがさらに備えられる請求項１から６のいずれか一項に記載の回路基板。
8. 前記第１熱伝逹用構造体は、上面と下面とを含む六面体に形成され、前記第１熱伝逹用構造体の表面中、同一面にビアが複数接触する請求項１から７のいずれか一項に記載の回路基板。
9. 前記第１熱伝逹用構造体は、上面と下面とを含む六面体に形成され、前記第１ビアの一面が前記第１熱伝逹用構造体の上面に接触し、
   前記第１熱伝逹用構造体の下面に一面が接触する第２ビアと、
   前記第２ビアの他面に接触する第２金属パターンと、
   前記第２金属パターンに接続する第２結合部材と、をさらに含む請求項１から８のいずれか一項に記載の回路基板。
10. 前記第２結合部材は、付加基板に接続可能に形成される請求項９に記載の回路基板。
11. 前記第２領域から前記第１結合部材までの距離が、前記第１領域から前記第１結合部材までの距離よりも小さい請求項１０に記載の回路基板。
12. 前記付加基板は、前記付加基板を貫通して上部面及び下部面が露出され、熱伝導性物質で形成される放熱部を含み、前記第２結合部材は、前記放熱部に接触し、前記第２結合部材は熱伝導性物質で形成される円柱または多角柱形状である請求項１０に記載の回路基板。
13. 前記絶縁層は、前記第１熱伝逹用構造体及び前記コア部を覆う、請求項１から請求項１２までのいずれか一項に記載の回路基板。
14. 前記第２熱伝逹用構造体は、
    グラファイトまたはグラフェンの表面にプライマー層が備えられた第１単位体を含む請求項１から１３のいずれか一項に記載の回路基板。
15. 前記第２熱伝逹用構造体は、
    前記第１単位体の上面に結合され、グラファイトまたはグラフェンの表面にプライマー層が備えられた第２単位体をさらに含む請求項１４に記載の回路基板。
16. 前記第２熱伝逹用構造体は、
    前記第１単位体の上下面を除いた側面に結合され、グラファイトまたはグラフェンの表面にプライマー層が備えられた第２単位体をさらに含む請求項１４に記載の回路基板。
17. 前記第１コア層には、貫通孔が備えられ、
    前記貫通孔の内部、前記第２コア層及び前記第３コア層が同一材質で形成される請求項１から１６のいずれか一項に記載の回路基板。
18. 前記コア部は、
    前記コア部を貫通するスルービアホールを含み、
    前記スルービアホールを含む前記コア部の表面には絶縁膜が備えられる請求項１７に記載の回路基板。
19. 前記コア部は、
    前記第２コア層及び前記第３コア層をそれぞれ貫通して前記第１コア層を露出させるコアビアホールを含む請求項１８に記載の回路基板。
20. 前記コア部と前記第１熱伝逹用構造体との間の領域に熱伝導性絶縁材料が備えられる請求項１から１９のいずれか一項に記載の回路基板。
21. 前記第１熱伝逹用構造体の少なくとも一部が前記第２熱伝逹用構造体に接触する請求項１から２０のいずれか一項に記載の回路基板。
22. 前記コア部の上面に備えられる第１回路パターンと、
    前記コア部の下面に備えられる第２回路パターンと、をさらに含み、
    前記第１熱伝逹用構造体の厚さは、前記第２回路パターンの下面から前記第１回路パターンの上面までの厚さよりも厚い請求項１から２１のいずれか一項に記載の回路基板。
23. 前記コア部に第２キャビティがさらに備えられ、
    前記第２キャビティに少なくとも一部が挿入される第２電子部品をさらに含み、
    前記第１熱伝逹用構造体及び前記第２電子部品のそれぞれの少なくとも一部は、前記第１電子部品の垂直下方領域に位置する請求項１から２２のいずれか一項に記載の回路基板。
24. 前記第１熱伝逹用構造体の少なくとも一部が前記絶縁部に挿入され、
    前記第１熱伝逹用構造体と前記絶縁部との間の密着力を高める密着力向上部が前記第１熱伝逹用構造体の表面に備えられる、請求項１に記載の回路基板。
25. 前記密着力向上部は、シランを含む請求項２４に記載の回路基板。
26. 前記シランは、アクリル系である請求項２５に記載の回路基板。
27. 前記絶縁部は、熱伝導性物質で形成された第２熱伝逹用構造体を含むコア部及び前記コア部の少なくとも一面に備えられる絶縁層を含む請求項２４から２６のいずれか一項に記載の回路基板。
28. 請求項１に記載の回路基板と、
    前記回路基板を実装する付加基板と、
    を含む回路基板組立体。
29. 前記第１電子部品は、第１領域と、前記第１電子部品の動作時に前記第１領域よりも温度が高くなる第２領域と、を含み、
    前記第１熱伝逹用構造体は、前記第２領域に接続して、前記第２領域の熱を前記付加基板に伝達する請求項２８に記載の回路基板組立体。
30. 前記回路基板は、
    前記第１熱伝逹用構造体の上面に一面が接触する第１ビアと、
    前記第１ビアの他面と接触する第１金属パターンと、
    一面が前記第１金属パターンに接続され、前記第２領域に比べて前記第１領域に近い位置に他面が接触する第１結合部材と、
    前記第１熱伝逹用構造体の下面に一面が接触する第２ビアと、
    前記第２ビアの他面と接触する第２金属パターンと、
    一面が前記第２金属パターンに接続され、他面は、前記付加基板に接触する第２結合部材と、をさらに含む請求項２９に記載の回路基板組立体。

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