JP6671283B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

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Description

本発明は、各種の表示装置に好適な自発光素子である有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と呼ぶことがある。）に関するものであリ、詳しくは特定のアリールアミン化合物と特定の縮合環構造を有する複素環化合物（および特定のベンゾトリアゾール誘導体または特定のアントラセン誘導体）を用いた有機ＥＬ素子に関する。
有機ＥＬ素子は自己発光性素子であるため、液晶素子に比べて明るく視認性に優れ、鮮明な表示が可能であることから、活発な研究がなされてきた。
１９８７年にイーストマン・コダック社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇらは、各種の役割を各材料に分担した積層構造素子を開発することにより有機材料を用いた有機ＥＬ素子を実用的なものにした。かかる有機ＥＬ素子は、電子を輸送することのできる蛍光体と正孔を輸送することのできる有機物とを積層することにより構成されるものであり、正電荷と負電荷とを蛍光体の層の中に注入して発光させることにより、１０Ｖ以下の電圧で１０００ｃｄ／ｍ２以上の高輝度が得られるというものである（特許文献１および特許文献２参照）。
現在まで、有機ＥＬ素子の実用化のために多くの改良がなされている。例えば、積層構造の各種の役割をさらに細分化し、基板上に、陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層および陰極をこの順で設けた電界発光素子によって高効率と耐久性が達成されることが一般に知られている。
また、発光効率の更なる向上を目的として三重項励起子の利用が試みられ、燐光発光性化合物の利用が検討されている。
更に、熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）による発光を利用する素子も開発されている。２０１１年に九州大学の安達らは、熱活性化遅延蛍光材料を用いた素子によって５．３％の外部量子効率を実現させた。
発光層は、一般的にホスト材料と称される電荷輸送性の化合物に、蛍光性化合物や燐光発光性化合物または遅延蛍光を放射する材料をドープして作製することもできる。有機ＥＬ素子における有機材料の選択は、その素子の効率や耐久性など諸特性に大きな影響を与える。
有機ＥＬ素子においては、両電極から注入された電荷が発光層で再結合して発光が得られるが、正孔、電子の両電荷を如何に効率良く発光層に受け渡すかが重要であり、キャリアバランスに優れた素子とする必要がある。また、正孔注入性を高めたり、陰極から注入された電子をブロックする電子阻止性を高めることによって、正孔と電子が再結合する確率を向上させ、更には発光層内で生成した励起子を閉じ込めることによって、高発光効率を得ることができる。そのため、正孔輸送材料の果たす役割は重要であり、正孔注入性が高く、正孔の移動度が大きく、電子阻止性が高く、さらには電子に対する耐久性が高い正孔輸送材料が求められている。
また、素子寿命に関しては材料の耐熱性やアモルファス性も重要である。耐熱性が低い材料では、素子駆動時に生じる熱により、低い温度でも熱分解が起こり、材料が劣化する。アモルファス性が低い材料では、短い時間でも薄膜の結晶化が起こり、素子が劣化してしまう。そのため使用する材料には耐熱性が高く、アモルファス性が良好な性質が求められる。
これまで有機ＥＬ素子に用いられてきた正孔輸送材料としてはＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（α−ナフチル）ベンジジン（ＮＰＤ）や種々の芳香族アミン誘導体が知られていた（特許文献１および特許文献２参照）。ＮＰＤは良好な正孔輸送能力を持っているが、耐熱性の指標となるガラス転移点（Ｔｇ）が９６℃と低く、高温条件下では結晶化による素子特性の低下が起こってしまう。
また、特許文献１、２記載の芳香族アミン誘導体の中には、正孔の移動度が１０−３ｃｍ２／Ｖｓ以上と優れた移動度を有する化合物もあるが、電子阻止性が不十分であるため、電子の一部が発光層を通り抜けてしまい、発光効率の向上が期待できないなど、更なる高効率化のため、より電子阻止性が高く、薄膜がより安定で耐熱性の高い材料が求められていた。
さらに、耐久性の高い芳香族アミン誘導体も報告されているが（特許文献３参照）、電子写真感光体に用いられる電荷輸送材料として用いたもので、有機ＥＬ素子として用いた例はなかった。
耐熱性や正孔注入性等の特性を改良した化合物として、置換カルバゾール構造を有するアリールアミン化合物が提案されているが（特許文献４および特許文献５参照）、これらの化合物を正孔注入層または正孔輸送層に用いた素子では、耐熱性や発光効率等の改良はされているものの、未だ十分とはいえず、さらなる低駆動電圧化や、さらなる高発光効率化が求められている。
有機ＥＬ素子の素子特性の改善や素子作製の歩留まり向上のために、正孔および電子の注入・輸送性能、薄膜の安定性や耐久性に優れた材料を組み合わせることで、正孔および電子が高効率で再結合できる、発光効率が高く、駆動電圧が低く、長寿命な素子が求められている。
また、有機ＥＬ素子の素子特性を改善させるために、正孔および電子の注入・輸送性能、薄膜の安定性や耐久性に優れた材料を組み合わせることで、キャリアバランスのとれた高効率、低駆動電圧、長寿命な素子が求められている。
特開平８−０４８６５６号公報 特許第３１９４６５７号公報 特許第４９４３８４０号公報 特開２００６−１５１９７９号公報 国際公開第２００８／６２６３６号 特表２０１４−５１３０６４号公報 国際公開第２０１３／０５４７６４号 国際公開第２０１１／０５９０００号 国際公開第２００３／０６０９５６号 韓国公開特許２０１３−０６０１５７号公報 特開平７−１２６６１５号公報 特開２００５−１０８８０４号公報
Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔ．，９８，０８３３０２（２０１１）
本発明の目的は、正孔および電子の注入・輸送性能、電子阻止能力、薄膜状態での安定性や耐久性に優れた有機ＥＬ素子用の各種材料を、それぞれの材料が有する特性が効果的に発現できるように組み合わせることで、高効率、低駆動電圧、長寿命の有機ＥＬ素子を提供することにある。
本発明者らは、上記の目的を達成するために、アリールアミン系材料が正孔注入および輸送能力、薄膜の安定性や耐久性に優れていること、縮合環構造を有する含窒素複素環化合物（特に、インデノインドール誘導体またはカルバゾール誘導体）の発光効率が優れていること、ベンゾトリアゾール誘導体やアントラセン誘導体が電子の注入・輸送能力、薄膜の安定性や耐久性に優れていることに着目し、特定のアリールアミン化合物と特定のインデノインドール誘導体または特定のカルバゾール誘導体とを選択して、発光層へ正孔を効率良く注入・輸送できるようにし、発光層の材料の特性に合ったキャリアバランスがとれるように、正孔輸送材料と発光層の材料を組み合わせた種々の有機ＥＬ素子を作製し、素子の特性評価を鋭意行なった。更に、発光層への電子の注入・輸送効率も高め、キャリアバランスがさらに発光層の材料の特性に合うよう、正孔輸送材料、発光層の材料および電子輸送材料を組み合わせた種々の有機ＥＬ素子を作製し、素子の特性評価を鋭意行なった。また、正孔輸送層を第一正孔輸送層と第二正孔輸送層の２層構造とし、発光層へ正孔を効率良く注入・輸送できるように第一正孔輸送層の材料として特定のアリールアミン誘導体を選択し、且つ、電子阻止性に優れた別のアリールアミン誘導体を第二正孔輸送層の材料として選択し、キャリアバランスのとれるような組合せを精緻化した種々の有機ＥＬ素子を作製し、素子の特性評価を鋭意行なった。その結果、本発明を完成するに至った。
本発明によれば、陽極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び陰極をこの順に有する有機ＥＬ素子において、
前記正孔輸送層が、下記一般式（１）で表されるアリールアミン化合物を含有し、
前記発光層が、下記一般式（２）で表されるインデノインドール誘導体または下記一般式（３）で表されるカルバゾール誘導体を含有することを特徴とする有機ＥＬ素子が提供される。
式中、
Ａｒ１〜Ａｒ４は、それぞれ、芳香族炭化水素基または芳香族複素
環基を表す。
式中、
Ａ１は芳香族炭化水素の２価基、芳香族複素環の２価基または単結
合を表し、
Ａｒ５は芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、
Ｒ１〜Ｒ８は、それぞれ、水素原子；重水素原子；フッ素原子；塩
素原子；シアノ基；ニトロ基；炭素数１〜６のアルキル基；炭素数
５〜１０のシクロアルキル基；炭素数２〜６のアルケニル基；炭素
数１〜６のアルキルオキシ基；炭素数５〜１０のシクロアルキルオ
キシ基；芳香族炭化水素基；芳香族複素環基；アリールオキシ基；
または、置換基として芳香族炭化水素基もしくは芳香族複素環基を
有するジ置換アミノ基であって、
Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれの基同士で単結合、置換もしくは無置換の
メチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を
形成してもよく、
Ｒ５〜Ｒ８は、それぞれの基同士で単結合、置換もしくは無置換の
メチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を
形成してもよく、
Ｒ１〜Ｒ４の一部が脱離し、この脱離により生じた空位に、Ｒ１〜
Ｒ４の他の基が、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子、硫黄
原子またはモノアリールアミノ基を介して結合して環を形成しても
よく、
Ｒ５〜Ｒ８の一部が脱離し、この脱離により生じた空位に、Ｒ５〜
Ｒ８の他の基が、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子、硫黄
原子またはモノアリールアミノ基を介して結合して環を形成しても
よく、
Ｒ９とＲ１０は、それぞれ、炭素数１〜６のアルキル基、芳香族炭
化水素基または芳香族複素環基であって、単結合、置換もしくは無
置換のメチレン基、酸素原子又は硫黄原子を介して互いに結合して
環を形成してもよい。
式中、
Ａ２は芳香族炭化水素の２価基、芳香族複素環の２価基または単結
合を表し、
Ａｒ６は芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、
Ｒ１１〜Ｒ１８は、それぞれ、水素原子；重水素原子；フッ素原子
；塩素原子；シアノ基；ニトロ基；炭素数１〜６のアルキル基；炭
素数５〜１０のシクロアルキル基；炭素数２〜６のアルケニル基；
炭素数１〜６のアルキルオキシ基；炭素数５〜１０のシクロアルキ
ルオキシ基；芳香族炭化水素基；芳香族複素環基；アリールオキシ
基；または、置換基として芳香族炭化水素基もしくは芳香族複素環
基を有するジ置換アミノ基であり、
Ｒ１１〜Ｒ１４は、それぞれの基同士で単結合、置換もしくは無置
換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して
環を形成してもよく、
Ｒ１５〜Ｒ１８は、それぞれの基同士で単結合、置換もしくは無置
換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して
環を形成してもよく、
Ｒ１１〜Ｒ１４の一部が脱離し、この脱離により生じた空位に、Ｒ１
１〜Ｒ１４の他の基が、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子
、硫黄原子またはモノアリールアミノ基を介して結合して環を形成
してもよく、
Ｒ１５〜Ｒ１８の一部が脱離し、この脱離により生じた空位に、Ｒ１
５〜Ｒ１８の他の基が、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子
、硫黄原子またはモノアリールアミノ基を介して結合して環を形成
してもよい。
本発明の有機ＥＬ素子においては、
（１）前記電子輸送層が、下記一般式（４）で表されるベンゾトリアゾール誘導体を含有すること、
式中、
Ａｒ７は芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、
Ａｒ８は水素原子、重水素原子、芳香族炭化水素基または芳香族複
素環基を表し、
Ｒ１９〜Ｒ２６は、それぞれ、水素原子、重水素原子、フッ素原子
、塩素原子、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、芳香族炭化水
素基または芳香族複素環基を表し、
ｍは０〜２の整数を表し、
ｍが２である場合、複数個存在するＲ１９、Ｒ２０、Ｒ２１、Ｒ２２は
相互に同一でも異なっていても良い、
（２）前記電子輸送層が、下記一般式（５）で表されるアントラセン誘導体を含有すること、
式中、
ｐ、ｑは、ｐとｑの和が９となる関係を維持しつつ、ｐは７また
は８の整数であり、ｑは１または２の整数であり、
Ａ３は芳香族炭化水素の２価基、芳香族複素環の２価基または単結
合を表し、
Ｂは芳香族複素環基を表し、
Ｃは芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、ｑが２であ
る場合、複数個存在するＣは相互に同一でも異なっていても良く、
Ｄは水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基ま
たは炭素数１〜６のアルキル基を表し、複数個存在するＤは相互に
同一でも異なっていても良い、
（３）前記アントラセン誘導体が、下記一般式（５ａ）、（５ｂ）または（５ｃ）で表されること、
式中、
Ａ３は前記一般式（５）で示した意味と同じ意味を表し、
Ａｒ９〜Ａｒ１１は、それぞれ、芳香族炭化水素基または芳香族複
素環基を表し、
Ｒ２７〜Ｒ３３は、それぞれ、水素原子、重水素原子、フッ素原子
、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭
素数５〜１０のシクロアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、
炭素数１〜６のアルキルオキシ基、炭素数５〜１０のシクロアルキ
ルオキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基またはアリールオ
キシ基であって、単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素
原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよく、
Ｘ１〜Ｘ４は炭素原子または窒素原子を表し、Ｘ１〜Ｘ４の何れか１
つのみが窒素原子であり、該窒素原子には水素原子を含みＲ２７〜Ｒ
３０のいずれも結合していない、
式中、
Ａ３は前記一般式（５）で示した意味と同じ意味を表し、
Ａｒ１２〜Ａｒ１４は、それぞれ、芳香族炭化水素基または芳香族
複素環基を表す、
式中、
Ａ３は前記一般式（５）で示した意味と同じ意味を表し、
Ａｒ１５〜Ａｒ１７は、それぞれ、芳香族炭化水素基または芳香族
複素環基を表し、
Ｒ３４は水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基
、ニトロ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜１０のシクロ
アルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数１〜６のアルキ
ルオキシ基、炭素数５〜１０のシクロアルキルオキシ基、芳香族炭
化水素基、芳香族複素環基またはアリールオキシ基を表す、
（４）前記正孔輸送層が、第一正孔輸送層および第二正孔輸送層の２層構造を有しており、該第二正孔輸送層が前記発光層側に位置しており且つ前記一般式（１）で表されるアリールアミン化合物を含有すること、
（５）前記発光層が、燐光性発光材料を含有すること、
（６）前記燐光性発光材料が、イリジウムまたは白金を含む金属錯体であること、
（７）前記燐光性発光材料が、赤色発光性ドーパントであること、
が好ましい。
本発明の有機ＥＬ素子においては、正孔輸送層の材料として、正孔の注入・輸送性能並びに薄膜の安定性および耐久性に優れ、正孔の注入・輸送の役割を効果的に発現できる特定のアリールアミン化合物が選択されている。そのため、本発明においては、正孔を発光層へ効率良く注入・輸送でき、高効率、低駆動電圧、長寿命の有機ＥＬ素子が実現されている。また、正孔輸送材料として特定のアリールアミン化合物を選択するだけでなく、特定の構造を有する発光層の材料の特性に合ったキャリアバランスがとれるように特定の電子輸送材料を選択することで、高効率、低駆動電圧であって、特に長寿命の有機ＥＬ素子が実現されている。更に、本発明において、正孔輸送層を第一正孔輸送層と第二正孔輸送層の２層構造とする場合には、特定の構造を有する二種類のアリールアミン誘導体を、キャリアバランスや材料の特性を考慮しながら組合せることによって、発光効率が向上し、駆動電圧が低下し、更に長寿命の有機ＥＬ素子が実現されている。即ち、本発明の有機ＥＬ素子においては、従来の有機ＥＬ素子に比べて、正孔輸送層から発光層への正孔輸送効率が向上し、電子輸送層から発光層への電子輸送効率も向上する。
実施例４３〜６８および比較例１〜５の有機ＥＬ素子構成を示した図である。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物（１−１）〜（１−５）の構造式を示す図である。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物（１−６）〜（１−１１）の構造式を示す図である。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物（１−１２）〜（１−１８）の構造式を示す図である。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物（１−１９）〜（１−２４）の構造式を示す図である。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物（１−２５）〜（１−３０）の構造式を示す図である。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物（１−３１）〜（１−３６）の構造式を示す図である。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物（１−３７）〜（１−４２）の構造式を示す図である。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物（１−４３）〜（１−４８）の構造式を示す図である。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物（１−４９）〜（１−５３）の構造式を示す図である。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物（１−５４）〜（１−５７）の構造式を示す図である。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物（１−５８）〜（１−６２）の構造式を示す図である。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物（１−６３）〜（１−６８）の構造式を示す図である。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物（１−６９）〜（１−７５）の構造式を示す図である。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物（１−７６）〜（１−８０）の構造式を示す図である。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物（１−８１）〜（１−８６）の構造式を示す図である。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物（１−８７）〜（１−９２）の構造式を示す図である。 一般式（２）のインデノインドール誘導体における化合物（２−１）〜（２−６）の構造式を示す図である。 一般式（２）のインデノインドール誘導体における化合物（２−７）〜（２−１２）の構造式を示す図である。 一般式（２）のインデノインドール誘導体における化合物（２−１３）〜（２−１５）の構造式を示す図である。 一般式（３）のカルバゾール誘導体における化合物（３−１）〜（３−６）の構造式を示す図である。 一般式（３）のカルバゾール誘導体における化合物（３−７）〜（３−１３）の構造式を示す図である。 一般式（３）のカルバゾール誘導体における化合物（３−１４）〜（３−１９）の構造式を示す図である。 一般式（３）のカルバゾール誘導体における化合物（３−２０）〜（３−２３）の構造式を示す図である。 一般式（４）のベンゾトリアゾール誘導体における化合物（４−１）〜（４−７）の構造式を示す図である。 一般式（４）のベンゾトリアゾール誘導体における化合物（４−８）〜（４−１２）の構造式を示す図である。 一般式（４）のベンゾトリアゾール誘導体における化合物（４−１３）〜（４−１８）の構造式を示す図である。 一般式（４）のベンゾトリアゾール誘導体における化合物（４−１９）〜（４−２０）の構造式を示す図である。 一般式（５ａ）のアントラセン誘導体における化合物（５ａ−１）〜（５ａ−６）の構造式を示す図である。 一般式（５ａ）のアントラセン誘導体における化合物（５ａ−７）〜（５ａ−１１）の構造式を示す図である。 一般式（５ａ）のアントラセン誘導体における化合物（５ａ−１２）〜（５ａ−１７）の構造式を示す図である。 一般式（５ａ）のアントラセン誘導体における化合物（５ａ−１８）〜（５ａ−２０）の構造式を示す図である。 一般式（５ｂ）のアントラセン誘導体における化合物（５ｂ−１）〜（５ｂ−６）の構造式を示す図である。 一般式（５ｂ）のアントラセン誘導体における化合物（５ｂ−７）〜（５ｂ−１１）の構造式を示す図である。 一般式（５ｂ）のアントラセン誘導体における化合物（５ｂ−１２）〜（５ｂ−１６）の構造式を示す図である。 一般式（５ｃ）のアントラセン誘導体における化合物（５ｃ−１）〜（５ｃ−５）の構造式を示す図である。 一般式（５ｃ）のアントラセン誘導体における化合物（５ｃ−６）〜（５ｃ−１０）の構造式を示す図である。 一般式（５ｃ）のアントラセン誘導体における化合物（５ｃ−１１）〜（５ｃ−１５）の構造式を示す図である。 一般式（５ｃ）のアントラセン誘導体における化合物（５ｃ−１６）〜（５ｃ−２０）の構造式を示す図である。 一般式（５ｃ）のアントラセン誘導体における化合物（５ｃ−２１）〜（５ｃ−２５）の構造式を示す図である。 一般式（５ｃ）のアントラセン誘導体における化合物（５ｃ−２６）〜（５ｃ−３０）の構造式を示す図である。 一般式（６）のトリアリールアミン誘導体における化合物（６−１）〜（６−６）の構造式を示す図である。 一般式（６）のトリアリールアミン誘導体における化合物（６−７）〜（６−１２）の構造式を示す図である。 一般式（６）のトリアリールアミン誘導体における化合物（６−１３）〜（６−１８）の構造式を示す図である。 一般式（６）のトリアリールアミン誘導体における化合物（６−１９）〜（６−２３）の構造式を示す図である。 化合物（６’−１）〜（６’−２）の構造式を示す図である。 一般式（７）のトリアリールアミン誘導体における化合物（７−１）〜（７−４）の構造式を示す図である。 一般式（７）のトリアリールアミン誘導体における化合物（７−５）〜（７−９）の構造式を示す図である。 一般式（７）のトリアリールアミン誘導体における化合物（７−１０）〜（７−１５）の構造式を示す図である。 一般式（７）のトリアリールアミン誘導体における化合物（７−１６）〜（７−１７）の構造式を示す図である。
発明が実施しようとする形態
本発明の有機ＥＬ素子は、ガラス基板や透明プラスチック基板（例えばポリエチレンテレフタレート基板）等の透明基板上に、陽極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び陰極が、この順に形成された基本構造を有している。このような基本構造を有している限り、その層構造は種々の態様を採ることができる。例えば、各層を単層構造としても積層構造としてもよい。特に正孔輸送層は、陽極側に位置する第一正孔輸送層と発光層に隣接する第二正孔輸送層との２層構造とすることもできる。また、透明電極と正孔輸送層との間に正孔注入層を設けることもでき、電子輸送層と陰極との間に電子注入層を設けることもできる。さらに、各層の形成には、１種類の材料を用いてもよく、２種以上の材料を組み合わせて用いてもよい。
例えば図１には、後述する実施例で採用された層構造が示されており、この例では、透明基板１上に、陽極２、正孔注入層３、第一正孔輸送層５ａ、第二正孔輸送層５ｂ、発光層６、電子輸送層７、電子注入層８及び陰極９がこの順に形成されている。
以下、本発明の有機ＥＬ素子を構成する各層について説明する。
＜陽極＞
陽極２は、ＩＴＯや金のような仕事関数の大きな電極材料の蒸着によって透明基板１上に形成されるものである。
＜正孔輸送層＞
正孔輸送層５は、上記の陽極２と発光層６の間に設けられるものである。本発明において、この正孔輸送層５は、下記一般式（１）で表されるアリールアミン化合物（以下、「一般式（１）のアリールアミン化合物」と呼ぶことがある。）を含んでいる。
式中、
Ａｒ１〜Ａｒ４は、それぞれ、芳香族炭化水素基または芳香族複素
環基を表す。
一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４で表される芳香族炭化水素基または縮合多環芳香族基としては、例えば以下のものを挙げることができる。
芳香族炭化水素基；
フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、ア
ントラセニル基、フェナントレニル基、フルオレニル基、インデニル
基、ピレニル基、ペリレニル基、フルオランテニル基、トリフェニレ
ニル基等。
芳香族複素環基；
ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、フリル基、ピロリ
ル基、チエニル基、キノリル基、イソキノリル基、キナゾリニル基、
ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル
基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリ
ル基、ピリドピリミジニル基、ナフチリジニル基、キノキサリニル基
、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ナフトピリミジニル基、ジ
ベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、ナフチリジニル基、フェナ
ントロリニル基、アクリジニル基、カルボリニル基、キナゾリニル基、
ベンゾキナゾリニル基等。
Ａｒ１〜Ａｒ４で表される芳香族炭化水素基および縮合多環芳香族基は、無置換でもよいが、置換基を有していてもよい。置換基としては、重水素原子、シアノ基、ニトロ基に加え、以下のものを例示することができる。
ハロゲン原子、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原
子；
炭素数１〜６のアルキル基、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロ
ピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−
ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−
ヘキシル基；
炭素数１〜６のアルキルオキシ基、例えばメチルオキシ基、エチル
オキシ基、プロピルオキシ基；
アルケニル基、例えばビニル基、アリル基；
アリールオキシ基、例えばフェニルオキシ基、トリルオキシ基；
アリールアルキルオキシ基、例えばベンジルオキシ基、フェネチル
オキシ基；
芳香族炭化水素基、例えばフェニル基、ビフェニリル基、ターフェ
ニリル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、フ
ルオレニル基、インデニル基、ピレニル基、ペリレニル基、フルオラ
ンテニル基、トリフェニレニル基；
芳香族複素環基、例えばピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニ
ル基、チエニル基、フリル基、ピロリル基、キノリル基、イソキノリ
ル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、カルバ
ゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリ
ニル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ジベンゾフラニル基
、ジベンゾチエニル基、カルボリニル基；
アリールビニル基、例えばスチリル基、ナフチルビニル基；
アシル基、例えばアセチル基、ベンゾイル基；
これらの置換基は、更に上記で例示している置換基を有していても良い。また、これらの置換基同士は、それぞれ独立して存在して環を形成していなくてもよいが、単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。
尚、上記置換基のうち炭素数１〜６のアルキル基および炭素数１〜６のアルキルオキシ基は、直鎖状であっても分枝状であってもよい。
（好適な態様）
一般式（１）のアリールアミン化合物の中では、薄膜の安定性の観点から、下記一般式（１ａ−ａ）、（１ａ−ｂ）、（１ｂ−ａ）、（１ｃ−ａ）または（１ｃ−ｂ）で表されるアリールアミン化合物が好ましい。
式中、
Ａｒ１〜Ａｒ４は、前記一般式（１）で示した通りの意味を表す。
Ａｒ１〜Ａｒ４としては、芳香族炭化水素基が好ましく、その中でも、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基が好ましい。
Ａｒ１〜Ａｒ４で表される芳香族炭化水素基または芳香族複素環基が置換基を有する場合、かかる置換基としては、重水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基または芳香族炭化水素基が好ましく、重水素原子、フェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基、ビニル基がより好ましい。また、これらの基同士が単結合を介して互いに結合して縮合芳香環を形成する態様も好ましい。
前記一般式（１）のアリールアミン化合物は、鈴木カップリングなどの公知の方法により合成することができる。
前記一般式（１）のアリールアミン化合物の好適な具体例としては、図２〜図１７で示されている構造式を有する化合物（１−１）〜（１−９２）を挙げることができる。これらの図には、各化合物が一般式（１ａ―ａ）、（１ａ―ｂ）、（１ｂ−ａ）、（１ｃ−ａ）および（１ｃ−ｂ）の何れに該当するのかが併せて示されている。いずれにも該当しない場合には「―」と記されている。
一般式（１）のアリールアミン化合物の精製はカラムクロマトグラフによる精製、シリカゲル、活性炭、活性白土等による吸着精製、溶媒による再結晶や晶析法、昇華精製法などによって行うことができる。本発明において、一般式（１）のアリールアミン化合物は、最後に昇華精製法によって精製し、使用に供される。
化合物の同定は、ＮＭＲ分析によって行なうことができる。物性値としては、ガラス転移点（Ｔｇ）と仕事関数を測定することができる。ガラス転移点（Ｔｇ）は薄膜状態の安定性の指標となる。仕事関数は正孔輸送性の指標となる。
ガラス転移点（Ｔｇ）は、粉体を用いて高感度示差走査熱量計（ブルカー・エイエックスエス製、ＤＳＣ３１００ＳＡ）によって求めることができる。
仕事関数は、ＩＴＯ基板の上に１００ｎｍの薄膜を作製して、イオン化ポテンシャル測定装置（住友重機械工業株式会社製、ＰＹＳ−２０２）によって求めることができる。
本発明において、上述した一般式（１）のアリールアミン化合物は、１種単独で使用することもできるし、２種以上を混合して使用することもでき、さらには、一般式（１）のアリールアミン化合物が有する優れた特性が損なわれない範囲において、公知の正孔輸送剤と併用して正孔輸送層を形成することもできる。
このような公知の正孔輸送剤としては以下のものを挙げることができる。
ベンジジン誘導体、例えば
Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｍ−トリル）ベンジジン
（ＴＰＤ）、
Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（α−ナフチル）ベンジジ
ン（ＮＰＤ）、
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラビフェニリルベンジジン；
１，１−ビス［４−(ジ−４−トリルアミノ)フェニル］シクロヘキ
サン（ＴＡＰＣ）；
後述する一般式（６）または一般式（７）で表されるアリールアミ
ン誘導体；
種々のトリフェニルアミン３量体；
また、本発明では、上記のアリールアミン化合物を含む正孔輸送層は、例えば図１に示されているように、陽極側に位置する第一正孔輸送層５ａと発光層６側に位置する第二正孔輸送層５ｂとの二層構造を有していることが好適である。このような二層構造の正孔輸送層については、後述する。
本発明において、正孔輸送層には、更にトリスブロモフェニルアミンヘキサクロルアンチモン、ラジアレン誘導体（国際公開第２０１４／００９３１０号参照）等をＰドーピングしたものや、ＴＰＤ等のベンジジン誘導体の構造を分子中に有する高分子化合物等を用いることができる。
上述した正孔輸送層は、一般式（１）のアリールアミン化合物を含むガスの蒸着もしくは共蒸着により形成することが好適であるが、スピンコート法やインクジェット法などの公知の方法によっても形成することができる。
このような正孔輸送層の厚みは、通常２５〜６０ｎｍ程度であるが、低い駆動電圧で発光させることができるため、その厚みを例えば１００ｎｍ以上に厚くした場合にも駆動電圧の上昇を抑えることができる。即ち、正孔輸送層の厚みの自由度が高く、例えば、２０〜３００ｎｍ、特に２０〜２００ｎｍの厚みで実用駆動電圧を維持できる。
＜発光層＞
本発明において、発光層は、下記一般式（２）で表されるインデノインドール誘導体（以下、「一般式（２）のインデノインドール誘導体」と呼ぶことがある。）または（３）で表されるカルバゾール誘導体（以下、「一般式（３）のカルバゾール誘導体」と呼ぶことがある。）を含んでいる。
一般式（２）で表されるインデノインドール誘導体；
式中、
Ａ１は芳香族炭化水素の２価基、芳香族複素環の２価基または単結
合を表し、
Ａｒ５は芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、
Ｒ１〜Ｒ８は、それぞれ、水素原子；重水素原子；フッ素原子；塩
素原子；シアノ基；ニトロ基；炭素数１〜６のアルキル基；炭素数
５〜１０のシクロアルキル基；炭素数２〜６のアルケニル基；炭素
数１〜６のアルキルオキシ基；炭素数５〜１０のシクロアルキルオ
キシ基；芳香族炭化水素基；芳香族複素環基；アリールオキシ基；
または、置換基として芳香族炭化水素基もしくは芳香族複素環基を
有するジ置換アミノ基；であって、
Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれの基同士で単結合、置換もしくは無置換の
メチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を
形成してもよく、
Ｒ５〜Ｒ８は、それぞれの基同士で単結合、置換もしくは無置換の
メチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を
形成してもよく、
Ｒ１〜Ｒ４の一部が脱離し、この脱離により生じた空位に、Ｒ１〜
Ｒ４の他の基が、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子、硫黄
原子またはモノアリールアミノ基を介して結合して環を形成しても
よく、
Ｒ５〜Ｒ８の一部が脱離し、この脱離により生じた空位に、Ｒ５〜
Ｒ８の他の基が、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子、硫黄
原子またはモノアリールアミノ基を介して結合して環を形成しても
よく、
Ｒ９とＲ１０は、それぞれ、炭素数１〜６のアルキル基、芳香族炭
化水素基または芳香族複素環基であって、単結合、置換もしくは無
置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合し
て環を形成してもよい。
（一般式（２）中のＡ１）
一般式（２）中のＡ１で表される芳香族炭化水素の２価基または芳香族複素環の２価基における芳香族炭化水素または芳香族複素環としては、具体的に以下のものを挙げることができる。
芳香族炭化水素；
ベンゼン、ビフェニル、ターフェニル、テトラキスフェニル、スチ
レン、ナフタレン、アントラセン、アセナフタレン、フルオレン、フ
ェナントレン、インダン、ピレン、トリフェニレン、フルオランテン
等。
芳香族複素環；
ピリジン、ピリミジン、トリアジン、ピロール、フラン、チオフェ
ン、キノリン、イソキノリン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、イ
ンドリン、カルバゾール、カルボリン、ベンゾオキサゾール、ベンゾ
チアゾール、キノキサリン、ベンゾイミダゾール、ピラゾール、ジベ
ンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ナフチリジン、フェナントロリン
、アクリジニン、キナゾリン、ベンゾキナゾリン等。
上記の芳香族炭化水素の２価基及び芳香族複素環の２価基は、上記芳香族炭化水素及び芳香族複素環から水素原子を２個取り除いてできる。
これらの２価基は、無置換でもよいが、置換基を有してもよい。置換基としては、前記一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４で表される芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が有してもよい置換基として示したものと同様のものをあげることができる。置換基がとりうる態様も同様である。
（一般式（２）中のＡｒ５）
一般式（２）中のＡｒ５で表される芳香族炭化水素基または芳香族複素環基としては、前記一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４で表される芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基として示したものと同様のものをあげることができる。これらの基は、無置換でもよいが、置換基を有してもよい。置換基としては、前記一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４で表される芳香族炭化水素基および芳香族複素環基が有してもよい置換基として示したものと同様のものをあげることができる。置換基がとりうる態様も同様である。
（一般式（２）中のＲ１〜Ｒ８）
一般式（２）中のＲ１〜Ｒ８で表される炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜１０のシクロアルキル基または炭素数２〜６のアルケニル基としては、具体的に、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、ビニル基、アリル基、イソプロペニル基、２−ブテニル基等をあげることができる。
尚、炭素数１〜６のアルキル基および炭素数２〜６のアルケニル基は、直鎖状であっても分枝状であってもよい。
Ｒ１〜Ｒ８で表される炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜１０のシクロアルキル基および炭素数２〜６のアルケニル基は、無置換でもよいが、置換基を有してもよい。置換基としては、重水素原子、シアノ基、ニトロ基に加え、以下のものを例示することができる。
ハロゲン原子、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原
子；
炭素数１〜６のアルキルオキシ基、例えばメチルオキシ基、エチル
オキシ基、プロピルオキシ基；
アルケニル基、例えばビニル基、アリル基；
アリールオキシ基、例えばフェニルオキシ基、トリルオキシ基；
アリールアルキルオキシ基、例えばベンジルオキシ基、フェネチル
オキシ基；
芳香族炭化水素基、例えばフェニル基、ビフェニリル基、ターフェ
ニリル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、フ
ルオレニル基、インデニル基、ピレニル基、ペリレニル基、フルオラ
ンテニル基、トリフェニレニル基；
芳香族複素環基、例えばピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニ
ル基、チエニル基、フリル基、ピロリル基、キノリル基、イソキノリ
ル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、カルバ
ゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリ
ニル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ジベンゾフラニル基
、ジベンゾチエニル基、カルボリニル基；
芳香族炭化水素基で置換されたジ置換アミノ基、例えばジフェニル
アミノ基、ジナフチルアミノ基；
芳香族複素環基で置換されたジ置換アミノ基、例えばジピリジルア
ミノ基、ジチエニルアミノ基；
芳香族炭化水素基と芳香族複素環基で置換されたジ置換アミノ基；
これらの置換基はさらに、上記で例示している置換基を有してもよい。また、これらの置換基同士はそれぞれ独立して存在して環を形成していなくてもよいが、単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。
尚、上記置換基のうち炭素数１〜６のアルキル基は、直鎖状であっても分枝状であってもよい。
一般式（２）中のＲ１〜Ｒ８で表される炭素数１〜６のアルキルオキシ基または炭素数５〜１０のシクロアルキルオキシ基としては、具体的に、メチルオキシ基、エチルオキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロヘプチルオキシ基、シクロオクチルオキシ基、１−アダマンチルオキシ基、２−アダマンチルオキシ基等をあげることができる。尚、炭素数１〜６のアルキルオキシ基は、直鎖状であっても分枝状であってもよい。これらの基は、無置換でもよいが、置換基を有していてもよい。置換基としては、前記一般式（２）中のＲ１〜Ｒ８で表される炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜１０のシクロアルキル基および炭素数２〜６のアルケニル基が有してもよい置換基として示したものと同様のものをあげることができる。置換基がとりうる態様も同様である。
一般式（２）中のＲ１〜Ｒ８で表される芳香族炭化水素基または芳香族複素環基としては、前記一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４で表される芳香族炭化水素基または芳香族複素環基として示したものと同様のものをあげることができる。これらの基は、無置換でもよいが、置換基を有してもよい。置換基としては、前記一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４で表される芳香族炭化水素基および芳香族複素環基が有してもよい置換基として示したものと同様のものをあげることができる。置換基がとりうる態様も同様である。
一般式（２）中のＲ１〜Ｒ８で表されるアリールオキシ基としては、具体的に、フェニルオキシ基、ビフェニリルオキシ基、ターフェニリルオキシ基、ナフチルオキシ基、アントラセニルオキシ基、フェナントレニルオキシ基、フルオレニルオキシ基、インデニルオキシ基、ピレニルオキシ基、ペリレニルオキシ基等をあげることができる。かかるアリールオキシ基は、無置換でもよいが、置換基を有してもよい。置換基としては、前記一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４で表される芳香族炭化水素基および芳香族複素環基が有してもよい置換基として示したものと同様のものをあげることができる。置換基がとりうる態様も同様である。
一般式（２）中のＲ１〜Ｒ８で表される「置換基として芳香族炭化水素基もしくは芳香族複素環基を有するジ置換アミノ基」における芳香族炭化水素基または芳香族複素環基としては、前記一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４で表される芳香族炭化水素基または芳香族複素環基として示したものと同様のものをあげることができる。ジ置換アミノ基は、無置換でもよいが、置換基を有していてもよい。置換基としては、前記一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４で表される芳香族炭化水素基および芳香族複素環基が有してもよい置換基として示したものと同様のものをあげることができる。置換基がとりうる態様も同様である。
Ｒ１〜Ｒ４同士はそれぞれ独立して存在して環を形成していなくてもよいが、単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。同様に、Ｒ５〜Ｒ８同士はそれぞれ独立して存在して環を形成していなくてもよいが、単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。
また、例えば図１８の化合物（２−１）〜（２−６）のように、Ｒ１〜Ｒ４の一部が脱離し、この脱離により生じた空位に、Ｒ１〜Ｒ４の他の基が、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子、硫黄原子またはモノアリールアミノ基を介して結合して環を形成してもよい。同様に、Ｒ５〜Ｒ８の一部が脱離し、この脱離により生じた空位に、Ｒ５〜Ｒ８の他の基が、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子、硫黄原子またはモノアリールアミノ基を介して結合して環を形成してもよい。
この場合のモノアリールアミノ基におけるアリール基としては、前記一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４で表される芳香族炭化水素基または芳香族複素環基として示したものと同様のものをあげることができる。アリール基は、無置換でもよいが、置換基を有していてもよい。置換基としては、前記一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４で表される芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が有してもよい置換基として示したものと同様のものをあげることができる。置換基がとりうる態様も同様である。
（一般式（２）中のＲ９、Ｒ１０）
一般式（２）中のＲ９、Ｒ１０で表される炭素数１〜６のアルキル基としては、前記一般式（２）中のＲ１〜Ｒ８で表される炭素数１〜６のアルキル基として示したものと同様のものをあげることができる。
かかるアルキル基は、無置換でもよいが、置換基を有していてもよい。置換基としては、前記一般式（２）中のＲ１〜Ｒ８で表される炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜１０のシクロアルキル基および炭素数２〜６のアルケニル基が有してもよい置換基として示したものと同様のものをあげることができる。置換基がとりうる態様も同様である。
Ｒ９、Ｒ１０で表される芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基としては、前記一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４で表される芳香族炭化水素基または芳香族複素環基として示したものと同様のものをあげることができる。
これらの基は置換基を有していてもよい。置換基としては、前記一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４で表される芳香族炭化水素および芳香族複素環基が有してもよい置換基として示したものと同様のものをあげることができる。置換基がとりうる態様も同様である。
Ｒ９、Ｒ１０同士は、それぞれ独立して存在して環を形成していなくてもよいが、単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。
（一般式（２）の好適な態様）
Ａ１としては、芳香族炭化水素の２価基または単結合が好ましく、ベンゼン、ビフェニルもしくはナフタレンから水素原子を２個取り除いてできる２価基または単結合がより好ましく、ベンゼンから水素原子を２個取り除いてできる２価基または単結合が特に好ましい。
Ａｒ５としては、フェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基、または芳香族複素環基が好ましく、芳香族複素環基がより好ましい。芳香族複素環基としては、トリアジニル基、キナゾリニル基、ナフトピリミジニル基、ベンゾイミダゾリル基、ピリドピリミジニル基、ナフチリジニル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、キナゾリニル基またはベンゾキナゾリニル基が好ましい。
好適なＲ１〜Ｒ４について、例えば後述の一般式（２ａ）〜（２ｃ）に示されるように、Ｒ１〜Ｒ４のいずれか一つが芳香族炭化水素基または芳香族複素環基であり、更に、Ｒ１〜Ｒ４の別の一つが脱離して空位が生じており、かかる芳香族炭化水素基または芳香族複素環基が、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子、硫黄原子またはモノアリールアミノ基を介してこの空位に結合して、環を形成する態様が好ましい。この場合の芳香族炭化水素基または芳香族複素環基としては、フェニル基、インデニル基、インドリル基、ベンゾフラニル基またはベンゾチエニル基が好ましい。かかる芳香族炭化水素基または芳香族複素環基と、Ｒ１〜Ｒ４が結合しているベンゼン環とが形成する環としては、フルオレン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、インデノインドール環、インデノベンゾフラン環、インデノベンゾチオフェン環、ベンゾフロインドール環、ベンゾチエノインドール環またはインドロインドール環が好ましい。
また、好適なＲ１〜Ｒ４について、例えば後述の一般式（２ｄ）〜（２ｅ）に示されるように、Ｒ１〜Ｒ４のうち隣り合う二つの基が炭素数２〜６のアルケニル基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基であって、隣り合う二つの基（Ｒ１〜Ｒ４）同士が単結合を介して互いに結合して、Ｒ１〜Ｒ４が結合しているベンゼン環と共に縮合環または縮合構造を有する複素環を形成する態様が好ましい。この場合の炭素数２〜６のアルケニル基または芳香族炭化水素基としては、ビニル基またはフェニル基が好ましい。形成される縮合環としては、ナフタレン環、フェナントレン環またはトリフェニレン環が好ましい。
尚、一般式（２ａ）〜（２ｅ）の化合物は、いずれも新規化合物であり、これらを発光層の材料として使用することにより、高い発光効率を実現することができる。
式中、
Ｘは、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子、硫黄原子、
またはモノアリールアミノ基を表し、
Ａ１、Ａｒ５、Ｒ１〜Ｒ１０は、前記一般式（２）で示した通りの意
味を表す。
好適なＲ５〜Ｒ８に関して、Ｒ５〜Ｒ８のうち隣り合う二つの基または全ての基がビニル基であって、隣り合う二つのビニル基が単結合を介して互いに結合して縮合環を形成する態様、即ち、Ｒ５〜Ｒ８が、Ｒ５〜Ｒ８が結合しているベンゼン環と共にナフタレン環またはフェナントレン環を形成する態様が好ましい。
Ｒ９、Ｒ１０としては、炭素数１〜６のアルキル基が好ましく、メチル基が特に好ましい。
前記一般式（２）のインデノインドール誘導体の好適な具体例としては、図１８〜図２０で示されている構造式を有する化合物（２−１）〜（２−１５）を挙げることができるが、一般式（２）の化合物は、これに限定されるものではない。これらの図には、各化合物が一般式（２ａ）〜（２ｅ）のいずれに該当するのかが併せて示されている。いずれにも該当しない場合は、「―」と記載されている。
上記インデノインドール誘導体は、それ自体公知の方法またはそれらに準じて合成することができる（特許文献６参照）。例えば、後述の実施例に示されているように、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロボレートなどのホウ素試薬とトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム等の触媒の存在下で、―Ａ１−Ａｒ５に相当する構造とハロゲン原子とを有する化合物と、―Ａ１−Ａｒ５に相当する部分に水素原子を有するインデノインドール誘導体とを用いて鈴木カップリングを行うことにより、合成することができる。
合成された化合物の精製は、カラムクロマトグラフによる精製、シリカゲル、活性炭、活性白土等による吸着精製や、溶媒による再結晶や晶析法、昇華精製法などによって行うことができる。本発明の有機ＥＬ素子に用いられる化合物は、最後に昇華精製法によって精製され、使用に供される。
一般式（３）で表されるカルバゾール誘導体；
式中、
Ａ２は芳香族炭化水素の２価基、芳香族複素環の２価基または単結
合を表し、
Ａｒ６は芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、
Ｒ１１〜Ｒ１８は、それぞれ、水素原子；重水素原子；フッ素原子
；塩素原子；シアノ基；ニトロ基；炭素数１〜６のアルキル基；炭
素数５〜１０のシクロアルキル基；炭素数２〜６のアルケニル基；
炭素数１〜６のアルキルオキシ基；炭素数５〜１０のシクロアルキ
オキシ基；芳香族炭化水素基；芳香族複素環基；アリールオキシ基
；または、置換基として芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を
有するジ置換アミノ基；であって、
Ｒ１１〜Ｒ１４は、それぞれの基同士で単結合、置換もしくは無置
換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して
環を形成してもよく、
Ｒ１５〜Ｒ１８は、それぞれの基同士で単結合、置換もしくは無置
換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して
環を形成してもよく、
Ｒ１１〜Ｒ１４の一部が脱離し、この脱離により生じた空位に、Ｒ１
１〜Ｒ１４の他の基が、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子
、硫黄原子またはモノアリールアミノ基を介して結合して環を形成
してもよく、
Ｒ１５〜Ｒ１８の一部が脱離し、この脱離により生じた空位に、Ｒ１
５〜Ｒ１８の他の基が、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子
、硫黄原子またはモノアリールアミノ基を介して結合して環を形成
してもよい。
（一般式（３）中のＡ２）
一般式（３）中のＡ２で表される芳香族炭化水素の２価基または芳香族複素環の２価基としては、前記一般式（２）中のＡ１で表される芳香族炭化水素の２価基または芳香族複素環の２価基として示したものと同様のものをあげることができる。これらの基は、無置換でもよいが、置換基を有していてもよい。置換基としては、前記一般式（２）中のＡ１で表される芳香族炭化水素の２価基及び芳香族複素環の２価基が有してもよい置換基に関して示したものと同様のものをあげることができる。置換基がとりうる態様も同様である。
（一般式（３）中のＡｒ６）
一般式（３）中のＡｒ６で表される芳香族炭化水素基または芳香族複素環基としては、前記一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４で表される芳香族炭化水素基または芳香族複素環基に関して示したものと同様のものをあげることができる。これらの基は、無置換でもよいが、置換基を有していてもよい。置換基としては、前記一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４で表される芳香族炭化水素基および芳香族複素環基が有してもよい置換基に関して示したものと同様のものをあげることができる。置換基がとりうる態様も同様である。
（一般式（３）中のＲ１１〜Ｒ１８）
一般式（３）中のＲ１１〜Ｒ１８で表される炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜１０のシクロアルキル基または炭素数２〜６のアルケニル基としては、前記一般式（２）中のＲ１〜Ｒ８で表される炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜１０のシクロアルキル基又は炭素数２〜６のアルケニル基として示したものと同様のものをあげることができる。これらの基は、無置換でもよいが、置換基を有してもよい。置換基としては、前記一般式（２）中のＲ１〜Ｒ８で表される炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜１０のシクロアルキル基及び炭素数２〜６のアルケニル基が有してもよい置換基として示したものと同様のものをあげることができる。置換基がとりうる態様も同様である。
一般式（３）中のＲ１１〜Ｒ１８で表される炭素数１〜６のアルキルオキシ基または炭素数５〜１０のシクロアルキルオキシ基としては、前記一般式（２）中のＲ１〜Ｒ８で表される炭素数１〜６のアルキルオキシ基または炭素数５〜１０のシクロアルキルオキシ基として示したものと同様のものをあげることができる。これらの基は、無置換でもよいが、置換基を有してもよい。置換基としては、前記一般式（２）中のＲ１〜Ｒ８で表される炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜１０のシクロアルキル基および炭素数２〜６のアルケニル基が有してもよい置換基として示したものと同様のものをあげることができる。置換基がとりうる態様も同様である。
一般式（３）中のＲ１１〜Ｒ１８で表される芳香族炭化水素基または芳香族複素環基としては、前記一般式（２）中のＲ１〜Ｒ８で表される芳香族炭化水素基または芳香族複素環基に関して示したものと同様のものをあげることができる。これらの基は、無置換でもよいが、置換基を有してもよい。置換基としては、前記一般式（２）中のＲ１〜Ｒ８で表される芳香族炭化水素基および芳香族複素環基が有してもよい置換基として示したものと同様のものをあげることができる。置換基がとりうる態様も同様である。
一般式（３）中のＲ１１〜Ｒ１８で表されるアリールオキシ基としては、前記一般式（２）中のＲ１〜Ｒ８で表されるアリールオキシ基に関して示したものと同様のものをあげることができる。アリールオキシ基は、無置換でもよいが、置換基を有してもよい。置換基としては、前記一般式（２）中のＲ１〜Ｒ８で表されるアリールオキシ基が有してもよい置換基として示したものと同様のものをあげることができる。置換基がとりうる態様も同様である。
一般式（３）中のＲ１１〜Ｒ１８で表される「置換基として芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を有するジ置換アミノ基」としては、前記一般式（２）中のＲ１〜Ｒ８で表される「置換基として芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を有するジ置換アミノ基」に関して示したものと同様のものをあげることができる。ジ置換アミノ基は、無置換でもよいが、置換基を有してもよい。置換基としては、前記一般式（２）中のＲ１〜Ｒ８で表される「置換基として芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を有するジ置換アミノ基」が有してもよい置換基として示したものと同様のものをあげることができる。置換基がとりうる態様も同様である。
Ｒ１１〜Ｒ１４同士はそれぞれ独立して存在して環を形成していなくてもよいが、単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。同様に、Ｒ１５〜Ｒ１８同士はそれぞれ独立して存在して環を形成していなくてもよいが、単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。
あるいは、例えば図２１の化合物（３−１）〜（３−６）のように、Ｒ１１〜Ｒ１４の一部が脱離し、この脱離により生じた空位に、Ｒ１１〜Ｒ１４の他の基が、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子、硫黄原子またはモノアリールアミノ基を介して結合して環を形成してもよい。同様に、Ｒ１５〜Ｒ１８の一部が脱離し、この脱離により生じた空位に、Ｒ１５〜Ｒ１８の他の基が、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子、硫黄原子またはモノアリールアミノ基を介して結合して環を形成してもよい。
この場合、モノアリールアミノ基におけるアリール基としては、前記一般式（２）中に存在しうるモノアリールアミノ基におけるアリール基に関して示したものと同様のものをあげることができる。モノアリールアミノ基におけるアリール基は、無置換でもよいが、置換基を有してもよい。置換基としては、前記一般式（２）中に存在しうるモノアリールアミノ基におけるアリール基が有してもよい置換基として示したものと同様のものをあげることができる。置換基がとりうる態様も同様である。
（一般式（３）の好適な態様）
Ａ２としては、芳香族炭化水素の２価基または単結合が好ましく、ベンゼン、ビフェニルもしくはナフタレンから水素原子を２個取り除いてできる２価基または単結合がより好ましく、ベンゼンから水素原子を２個取り除いてできる２価基または単結合が特に好ましい。
Ａｒ６としては、フェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基または芳香族複素環基が好ましく、芳香族複素環基がより好ましい。芳香族複素環基としては、トリアジニル基、キナゾリニル基、ナフトピリミジニル基、ベンゾイミダゾリル基、ピリドピリミジニル基、ナフチリジニル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、キナゾリニル基またはベンゾキナゾリニル基が好ましい。
Ｒ１１〜Ｒ１４に関しては、Ｒ１１〜Ｒ１４の隣り合う二つが炭素数２〜６のアルケニル基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基であって、隣り合う二つの基（Ｒ１１〜Ｒ１４）が単結合を介して互いに結合して、Ｒ１１〜Ｒ１４が結合しているベンゼン環と共に縮合環を形成する態様が好ましい。この場合の炭素数２〜６のアルケニル基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基としては、ビニル基、フェニル基が好ましい。かかる芳香族炭化水素基または芳香族複素環基が、Ｒ１１〜Ｒ１４が結合しているベンゼン環と共に形成する環としては、ナフタレン環、フェナントレン環またはトリフェニレン環が好ましい。
また、下記一般式（３ａ―１）〜（３ａ―４）および（３ｂ―１）で示されるように、Ｒ１１〜Ｒ１４のいずれか一つが芳香族炭化水素基または芳香族複素環基であり、更に、Ｒ１１〜Ｒ１４の別の一つが脱離して空位が生じており、かかる芳香族炭化水素基または芳香族複素環基が、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子、硫黄原子またはモノアリールアミノ基を介してこの空位に結合して、環を形成する態様が好ましい。この場合の芳香族炭化水素基または芳香族複素環基としては、フェニル基、インデニル基、インドリル基、ベンゾフラニル基またはベンゾチエニル基が好ましい。かかる芳香族炭化水素基または芳香族複素環基が、Ｒ１１〜Ｒ１４が結合しているベンゼン環と共に形成する環としては、フルオレン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、インデノインドール環、インデノベンゾフラン環、インデノベンゾチオフェン環、ベンゾフロインドール環、ベンゾチエノインドール環またはインドロインドール環が好ましい。
尚、一般式（３ａ―１）〜（３ｂ−１）の化合物は、新規化合物であり、これらを発光層の材料として使用することにより、高い発光効率を実現することができる。
式中、
Ｘは置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子、硫黄原子、ま
たはモノアリールアミノ基を表し、
Ａ２、Ａｒ６、Ｒ１１〜Ｒ１８は、前記一般式（３）で示した通りの
意味を表す。
Ｒ１５〜Ｒ１８に関しては、Ｒ１５〜Ｒ１８のうちの隣り合う二つの基または全ての基がビニル基であって、隣り合う二つのビニル基が単結合を介して互いに結合して縮合環を形成する態様、即ち、Ｒ１５〜Ｒ１８が、Ｒ１５〜Ｒ１８が結合しているベンゼン環と共にナフタレン環またはフェナントレン環を形成する態様が好ましい。
或いは、Ｒ１５〜Ｒ１８のいずれか一つが芳香族炭化水素基または芳香族複素環基である態様も好ましい。この場合、Ｒ１５〜Ｒ１８のいずれか一つが、フルオレニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基およびジベンゾチエニル基から選ばれる基であることが好ましく、Ｒ１６がフルオレニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基またはジベンゾチエニル基であって、Ｒ１５、Ｒ１７及びＲ１８が水素原子であることがより好ましい。
前記一般式（３）のカルバゾール誘導体の好適な具体例としては、図２１〜図２４に示されている構造式を有する化合物（３−１）〜（３−２３）を挙げることができるが、一般式（３）の化合物は、これに限定されるものではない。これらの図には、各化合物が一般式（３ａ―１）〜（３ａ―４）および（３ｂ−１）のいずれに該当するのかが併せて示されている。いずれにも該当しない場合は、「―」と記載されている。
一般式（３）のカルバゾール誘導体は、それ自体公知の方法またはそれらに準じて合成することができる（特許文献６参照）。例えば、後述の実施例に示されているように、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロボレートなどのホウ素試薬とトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム等の触媒の存在下で、―Ａ２−Ａｒ６に相当する構造とハロゲン原子とを有する化合物と、―Ａ２−Ａｒ６に相当する部分に水素原子を有するカルバゾール誘導体とを用いて鈴木カップリングを行うことにより、合成することができる。
合成された化合物の精製は、カラムクロマトグラフによる精製、シリカゲル、活性炭、活性白土等による吸着精製や、溶媒による再結晶や晶析法、昇華精製法などによっても行うことができる。本発明の有機ＥＬ素子に用いられる化合物は、最後に昇華精製法によって精製され、使用に供される。
本発明の有機ＥＬ素子の発光層には、前記一般式（２）のインデノインドール誘導体または前記一般式（３）のカルバゾール誘導体が使用されるが、それ以外にも公知の材料を併用することができる。公知の材料としては、例えば以下の材料をあげることができる。
Ａｌｑ３をはじめとするキノリノール誘導体の金属錯体などの各種の
金属錯体；
アントラセン誘導体；
ビススチリルベンゼン誘導体；
ピレン誘導体；
オキサゾール誘導体；
ポリパラフェニレンビニレン誘導体；
本発明においては、発光層をホスト材料とドーパント材料とで構成しても良い。
ホスト材料としては、前記一般式（２）のインデノインドール誘導体または前記一般式（３）のカルバゾール誘導が好適に使用されるが、それ以外に、前記発光材料；チアゾール誘導体；ベンズイミダゾール誘導体；ポリジアルキルフルオレン誘導体；を用いることができる。
ドーパント材料としては、キナクリドン、クマリン、ルブレン、ペリレン、ピレン、およびそれらの誘導体；ベンゾピラン誘導体；インデノフェナントレン誘導体；ローダミン誘導体；アミノスチリル誘導体；等を用いることができる。
本発明における発光層は、燐光性の発光材料を含有することが好ましい。燐光性の発光材料としては、イリジウムや白金などの金属錯体の燐光発光体が好ましい。具体的には、
赤色の燐光発光体、例えば
ビス（３−メチル−２−フェニルキノリン）イリジウム（III）ア
セチルアセトナート（Ｉｒ（３‘−Ｍｅｐｑ）２（ａｃａｃ））、
Ｉｒ（ｐｉｑ）３、
Ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）；
緑色燐光発光体、例えば
Ｉｒ（ｐｐｙ）３；
青色燐光発光体、例えば
ＦＩｒｐｉｃ、
ＦＩｒ６；
等が用いられる。特に好適には、赤色の燐光発光体がドーパントとして用いられる。
このときのホスト材料としては前記一般式（２）のインデノインドール誘導体または前記一般式（３）のカルバゾール誘導体が好ましいが、その他、キナゾリン誘導体等を用いることもでき、また、正孔注入・輸送性のホスト材料としてカルバゾール誘導体、例えば
４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（ＣＢＰ）、
ＴＣＴＡ、
ｍＣＰ
や、電子輸送性のホスト材料、例えば
ｐ−ビス（トリフェニルシリル）ベンゼン（ＵＧＨ２）、
２，２’，２’’−（１，３，５−フェニレン）−トリス（１−フ
ェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾール）（ＴＰＢＩ）
等を用いることもできる。このようなホスト材料を使用することにより、高性能の有機ＥＬ素子を作製することができる。
燐光性の発光材料のホスト材料へのドープは、濃度消光を避けるため、発光層全体に対して１〜３０重量パーセントの範囲で、共蒸着によって行うことが好ましい。
また、発光材料としてＰＩＣ−ＴＲＺ、ＣＣ２ＴＡ、ＰＸＺ−ＴＲＺ、４ＣｚＩＰＮなどのＣＤＣＢ誘導体などの遅延蛍光を放射する材料を使用することも可能である（非特許文献１参照）。
上述した発光層は、一般式（２）のインデノインドール誘導体または一般式（３）のカルバゾール誘導体を含むガスの蒸着もしくは共蒸着により形成することが好適であるが、スピンコート法やインクジェット法などの公知の方法によっても形成することができる。
＜電子輸送層＞
本発明において、上述した発光層の上に設けられる電子輸送層（例えば図１において７で示されている層）は、公知の電子輸送性材料を用いての蒸着法、スピンコート法、インクジェット法などの公知の方法によって形成することができる。
公知の電子輸送材料としては、以下のものを挙げることができる。
Ａｌｑ３、ＢＡｌｑをはじめとするキノリノール誘導体の金属錯体な
どの各種金属錯体；
トリアゾール誘導体；
トリアジン誘導体；
オキサジアゾール誘導体；
ピリジン誘導体；
ピリミジン誘導体；
ベンズイミダゾール誘導体；
チアジアゾール誘導体；
アントラセン誘導体；
カルボジイミド誘導体；
キノキサリン誘導体；
ピリドインドール誘導体；
フェナントロリン誘導体；
シロール誘導体；
本発明では、下記一般式（４）で表されるベンゾトリアゾール誘導体（以下、「一般式（４）のベンゾトリアゾール誘導体」と呼ぶことがある。）または下記一般式（５）で表されるアントラセン誘導体（以下、「一般式（５）のアントラセン誘導体」と呼ぶことがある。）を電子輸送材料として使用して電子輸送層を形成することが好ましい。
一般式（４）で表されるベンゾトリアゾール誘導体；
式中、
Ａｒ７は芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、
Ａｒ８は水素原子、重水素原子、芳香族炭化水素基または芳香族複
素環基を表し、
Ｒ１９〜Ｒ２６は、それぞれ、水素原子、重水素原子、フッ素原子
、塩素原子、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、芳香族炭化水
素基または芳香族複素環基を表し、
ｍは０〜２の整数を表し、
ｍが２である場合、複数個存在するＲ１９、Ｒ２０、Ｒ２１、Ｒ２２は
相互に同一でも異なっていても良い。
前記一般式（４）のベンゾトリアゾール誘導体は、電子の注入・輸送能力に優れており、さらに薄膜の安定性や耐久性に優れている。このようなベンゾトリアゾール誘導体により形成された電子輸送層を、前述した一般式（１）のアリールアミン化合物を含む正孔輸送層と組み合わせることにより、正孔と電子とを発光層に効率よく注入することができ、これにより、最適なキャリアバランスを確保することができ、有機ＥＬ素子の特性を大きく向上させることが可能となる。
（一般式（４）中のＡｒ７、Ａｒ８）
一般式（４）中のＡｒ７、Ａｒ８で表される芳香族炭化水素基または芳香族複素環基としては、前記一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４で表される芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基に関して示したものと同様のものをあげることができる。これらの基は、無置換でもよいが、置換基を有していてもよい。置換基としては、前記一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４で表される芳香族炭化水素基および芳香族複素環基が有してもよい置換基として示したものと同様のものをあげることができる。置換基がとりうる態様も同様である。
（一般式（４）中のＲ１９〜Ｒ２６）
一般式（４）中のＲ１９〜Ｒ２６で表される炭素数１〜６のアルキル基は、直鎖状であっても分枝状であってもよい。炭素数１〜６のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基などをあげることができる。
Ｒ１９〜Ｒ２６で表される炭素数１〜６のアルキル基は、無置換でもよいが、置換基を有してもよい。置換基としては、重水素原子、シアノ基、ニトロ基の他に以下のものを例示することができる。
ハロゲン原子、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原
子；
炭素数１〜６のアルキルオキシ基、例えばメチルオキシ基、エチル
オキシ基、プロピルオキシ基；
アルケニル基、例えばビニル基、アリル基；
アリールオキシ基、例えばフェニルオキシ基、トリルオキシ基；
アリールアルキルオキシ基、例えばベンジルオキシ基、フェネチル
オキシ基；
芳香族炭化水素基、例えばフェニル基、ビフェニリル基、ターフェ
ニリル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、フ
ルオレニル基、インデニル基、ピレニル基、ペリレニル基、フルオラ
ンテニル基、トリフェニレニル基；
芳香族複素環基、例えばピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニ
ル基、チエニル基、フリル基、ピロリル基、キノリル基、イソキノリ
ル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、カルバ
ゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリ
ニル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ジベンゾフラニル基
、ジベンゾチエニル基、カルボリニル基；
これらの置換基はさらに、上記で例示している置換基を有していてもよい。これらの置換基同士は、それぞれ独立して存在して環を形成していなくてもよいが、単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。
尚、上記置換基のうち炭素数１〜６のアルキルオキシ基は、直鎖状であっても分枝状であってもよい。
一般式（４）中のＲ１９〜Ｒ２６で表される芳香族炭化水素基または芳香族複素環基としては、前記一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４で表される芳香族炭化水素基または芳香族複素環基に関して示したものと同様のものをあげることができる。これらの基は、無置換でもよいが、置換基を有していてもよい。置換基としては、前記一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４で表される芳香族炭化水素基および芳香族複素環基が有してもよい置換基として示したものと同様のものをあげることができる。置換基がとりうる態様も同様である。
Ｒ１９〜Ｒ２６同士は、それぞれ独立して存在して環を形成していなくてもよいが、単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。
（一般式（４）の好適な態様）
Ａｒ７としては、芳香族炭化水素基またはカルバゾリル基が好ましく、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、フルオレニル基、ピレニル基、トリフェニレニル基またはＮ−フェニルカルバゾリル基がより好ましい。
Ａｒ８としては、水素原子、重水素原子、芳香族炭化水素基またはカルバゾリル基が好ましく、水素原子、重水素原子、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、フルオレニル基、ピレニル基、トリフェニレニル基またはＮ−フェニルカルバゾリル基がより好ましく、水素原子、重水素原子が特に好ましく、水素原子が最も好ましい。
また、Ａｒ８が芳香族炭化水素基または芳香族複素環基である場合、Ａｒ８はＡｒ７と同一の基であることが合成上の観点から好ましい。
Ａｒ７、Ａｒ８が有していてもよい置換基としては、芳香族炭化水素基、キノリル基またはイソキノリル基が好ましく、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、テトラキスフェニル基、スチリル基、ナフチル基、アントラセニル基、アセナフテニル基、フェナントレニル基、フルオレニル基、インデニル基、ピレニル基、トリフェニレニル基、キノリル基またはイソキノリル基がより好ましい。
ｍは１であることが好ましい。ｍ＝１の場合、ピリジン環におけるベンゼン環の結合位置としては、下記一般式（４ａ）および（４ｂ）に示されているように、ピリジン環においてベンゼン環が３位または４位で結合していることが好ましい。また、ｍ＝１の場合、ベンゼン環におけるベンゾトリアゾールとピリジン環の位置関係としては、下記一般式（４ｃ）および（４ｄ）に示されているように、ベンゼン環において、ピリジル基に対してベンゾトリアゾール環がパラ位またはメタ位で結合していることが好ましい。
式中、
Ａｒ７、Ａｒ８、Ｒ１９〜Ｒ２６は、前記一般式（４）に記載したと
おりの意味である。
前記一般式（４）のベンゾトリアゾール誘導体の好適な具体例としては、図２５〜図２８で示されている構造式を有する化合物（４−１）〜（４−２０）を挙げることができるが、一般式（４）の化合物は、これに限定されるものではない。これらの図には、各化合物が一般式（４ａ）〜（４ｄ）のいずれに該当するのかが併せて示されている。
一般式（４）のベンゾトリアゾール誘導体は、それ自体公知の方法によって合成することができる（特許文献７参照）。
合成された化合物の精製は、カラムクロマトグラフによる精製、シリカゲル、活性炭、活性白土等による吸着精製や、溶媒による再結晶や晶析法、昇華精製法などによっても行うことができる。本発明の有機ＥＬ素子に用いられる化合物は、最後に昇華精製法によって精製され、使用に供される。
一般式（５）で表されるアントラセン誘導体；
式中、
ｐ、ｑは、ｐとｑの和が９となることを条件として、ｐは７また
は８の整数であり、ｑは１または２の整数であり、
Ａ３は芳香族炭化水素の２価基、芳香族複素環の２価基または単結
合を表し、
Ｂは芳香族複素環基を表し、
Ｃは芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、ｑが２であ
る場合、複数個存在するＣは相互に同一でも異なっていても良く、
Ｄは水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、
または炭素数１〜６のアルキル基を表し、複数存在するＤは相互に
同一でも異なってもよい。
上記の一般式（５）から理解されるように、このアントラセン誘導体は、２価の基或いは単結合により、アントラセン環と基Ｂとが連結された分子構造を有しており、基Ｂが連結されているアントラセン環には、１または２個の１価芳香族炭化水素基または１価芳香族複素環基（基Ｃ）が置換基として結合している。
前記一般式（５）のアントラセン誘導体は、電子の注入・輸送能力に優れており、さらに薄膜の安定性や耐久性に優れている。このようなアントラセン誘導体により形成された電子輸送層を、前述した一般式（１）のアリールアミン化合物を含む正孔輸送層と組み合わせることにより、正孔と電子とを発光層に効率よく注入することができ、これにより、最適なキャリアバランスを確保することができ、有機ＥＬ素子の特性を大きく向上させることが可能となる。
（一般式（５）中のＡ３）
一般式（５）中のＡ３で表される芳香族炭化水素の２価基または芳香族複素環の２価基としては、前記一般式（２）中のＡ１で表される芳香族炭化水素の２価基又は芳香族複素環の２価基に関して示したものと同様の基をあげることができる。これらの２価基は、無置換でもよいが、このアントラセン誘導体の優れた特性を損なわない限りにおいて、導入可能な置換基を有していてもよい。置換基としては、前記一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４で表される芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が有してもよい置換基として示したものと同様のものをあげることができる。置換基がとりうる態様も同様である。
（一般式（５）中のＢ）
一般式（５）中のＢで表される芳香族複素環基としては、具体的に、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、チエニル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、カルボリニル基などをあげることができる。
Ｂで表される芳香族複素環基は、無置換でもよいが、一般式（５）のアントラセン誘導体の優れた特性を損なわない限りにおいて、導入可能な置換基を有してもよい。置換基としては、重水素原子、シアノ基、ニトロ基の他に以下のものを例示することができる。
ハロゲン原子、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原
子；
炭素数１〜６のアルキル基、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロ
ピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−
ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−
ヘキシル基；
炭素数５〜１０のシクロアルキル基、例えばシクロペンチル基、シ
クロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基；
炭素数１〜６のアルキルオキシ基、例えばメチルオキシ基、エチル
オキシ基、プロピルオキシ基；
炭素数５〜１０のシクロアルキルオキシ基、例えばシクロペンチル
オキシ基、シクロヘキシルオキシ基、１−アダマンチルオキシ基、２
−アダマンチルオキシ基；
アルケニル基、例えばビニル基、アリル基；
アリールオキシ基、例えばフェニルオキシ基、トリルオキシ基；
アリールアルキルオキシ基、例えばベンジルオキシ基、フェネチル
オキシ基；
芳香族炭化水素基、例えばフェニル基、ビフェニリル基、ターフェ
ニリル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、フ
ルオレニル基、インデニル基、ピレニル基、ペリレニル基、フルオラ
ンテニル基、トリフェニレニル基；
芳香族複素環基、例えばピリジル基、フリル基、チエニル基、ピロ
リル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチ
エニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、
ベンゾチアゾリル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ピ
ラゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、カルボリニ
ル基；
アリールオキシ基、例えばフェニルオキシ基、ビフェニリルオキシ
基、ナフチルオキシ基、アントリルオキシ基、フェナントレニルオキ
シ基；
アリールビニル基、例えばスチリル基、ナフチルビニル基；
アシル基、例えばアセチル基、ベンゾイル基；
これらの置換基は、さらに上記で例示している置換基を有していてもよい。これらの置換基同士は、それぞれ独立して存在して環を形成していなくてもよいが、単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。
尚、上記置換基の内、炭素数１〜６のアルキル基および炭素数１〜６のアルキルオキシ基は、直鎖状であっても分枝状であってもよい。
（一般式（５）中のＣ）
一般式（５）中のＣで表される芳香族炭化水素基または芳香族複素環基としては、前記一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４で表される芳香族炭化水素基または芳香族複素環基に関して示したものと同様の基をあげることができる。これらの基が同一のアントラセン環に複数個結合している場合（ｑが２である場合）、複数存在するＣは、相互に同一でも異なってもよい。これらの基は、無置換でもよいが、置換基を有していてもよい。置換基としては、前記一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４で表される芳香族炭化水素基および芳香族複素環基が有してもよい置換基に関して示したものと同様のものをあげることができる。置換基がとりうる態様も同様である。
（一般式（５）中のＤ）
一般式（５）中のＤで表される、炭素数１〜６のアルキル基は、直鎖状であっても分枝状であってもよい。炭素数１〜６のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基などをあげることができる。
複数個存在するＤは、相互に同一でも異なってもよく、これらの基同士は、それぞれ独立して存在して環を形成していなくてもよいが、単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。
（一般式（５）の好適な態様）
Ａ３としては、芳香族炭化水素の２価基または単結合が好ましく、ベンゼン、ビフェニル、ターフェニル、ナフタレン、アントラセン、フルオレンもしくはフェナントレンから誘導される２価基または単結合がより好ましく、ベンゼン、ビフェニル、ナフタレン、フルオレンもしくはフェナントレンから誘導される２価基または単結合が特に好ましい。
Ｂとしては、芳香族複素環基、具体的には、ピリジル基、ピリミジニル基、ピロリル基、キノリル基、イソキノリル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、カルボリニル基などが好ましく、ピリジル基、ピリミジニル基、キノリル基、イソキノリル基、インドリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基またはカルボリニル基がより好ましい。
Ｂの置換基としては、芳香族炭化水素基が好ましく、フェニル基、ビフェニル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、フルオレニル基が特に好ましい。
Ｃとしては、芳香族炭化水素基が好ましく、フェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基またはフルオレニル基がより好ましい。
一般式（５）において、Ｂは含窒素複素環であり且つＤが水素原子であることが好ましい。このような好適な態様のアントラセン誘導体は、特に、下記一般式（５ａ）、（５ｂ）または（５ｃ）で表される。
一般式（５ａ）で表されるアントラセン誘導体；
式中、
Ａ３は前記一般式（５）における意味と同じ意味を表し、
Ａｒ９〜Ａｒ１１は、それぞれ、芳香族炭化水素基または芳香族複
素環基を表し、
Ｒ２７〜Ｒ３３は、それぞれ、水素原子、重水素原子、フッ素原子
、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭
素数５〜１０のシクロアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、
炭素数１〜６のアルキルオキシ基、炭素数５〜１０のシクロアルキ
ルオキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基またはアリールオ
キシ基であって、単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素
原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよく、
Ｘ１〜Ｘ４は炭素原子または窒素原子を表し、Ｘ１〜Ｘ４のいずれ
か１つのみが窒素原子であり、該窒素原子には水素原子を含むＲ２７
〜Ｒ３０のいずれも結合していない。
Ａ３が結合している３環構造の含窒素複素環は、一般式（５）における基Ｂに相当する。Ａｒ９は、当該含窒素芳香族環に結合している置換基であり、Ａｒ１０及びＡｒ１１は、一般式（５）中のＣに相当する（即ち、ｑ＝２）。
Ａｒ９〜Ａｒ１１：
一般式（５ａ）中のＡｒ９〜Ａｒ１１で表される芳香族炭化水素基または芳香族複素環基としては、前記一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４で表される芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基に関して示したものと同様の基をあげることができる。これらの基は、無置換でもよいが、置換基を有していてもよい。置換基としては、前記一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４で表される芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が有してもよい置換基として示したものと同様のものをあげることができる。置換基がとりうる態様も同様である。
Ａｒ９〜Ａｒ１１としては、芳香族炭化水素基が好ましく、フェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基またはフルオレニル基がより好ましい。
Ｒ２７〜Ｒ３３：
一般式（５ａ）中のＲ２７〜Ｒ３３で表される炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜１０のシクロアルキル基または炭素数２〜６のアルケニル基としては、前記一般式（２）中のＲ１〜Ｒ８で表される炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜１０のシクロアルキル基または炭素数２〜６のアルケニル基に関して示したものと同様の基をあげることができる。これらの基は、無置換でもよいが、置換基を有していてもよい。置換基としては、前記一般式（２）中のＲ１〜Ｒ８で表される炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜１０のシクロアルキル基および炭素数２〜６のアルケニル基が有してもよい置換基として示したものと同様のものをあげることができる。置換基がとりうる態様も同様である。
一般式（５ａ）中のＲ２７〜Ｒ３３で表される炭素数１〜６のアルキルオキシ基または炭素数５〜１０のシクロアルキルオキシ基としては、前記一般式（２）中のＲ１〜Ｒ８で表される炭素数１〜６のアルキルオキシ基または炭素数５〜１０のシクロアルキルオキシ基に関して示したものと同様の基をあげることができる。これらの基は、無置換でもよいが、置換基を有していてもよい。置換基としては、前記一般式（２）中のＲ１〜Ｒ８で表される炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜１０のシクロアルキル基および炭素数２〜６のアルケニル基が有してもよい置換基として示したものと同様のものをあげることができる。置換基がとりうる態様も同様である。
一般式（５ａ）中のＲ２７〜Ｒ３３で表される芳香族炭化水素基または芳香族複素環基としては、前記一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４で表される芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基に関して示したものと同様のものをあげることができる。これらの基は、無置換でもよいが、置換基を有していてもよい。置換基としては、前記一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４で表される芳香族炭化水素基および芳香族複素環基が有してもよい置換基に関して示したものと同様のものをあげることができる。置換基がとりうる態様も同様である。
一般式（５ａ）中のＲ２７〜Ｒ３３で表されるアリールオキシ基としては、前記一般式（２）中のＲ１〜Ｒ８で表されるアリールオキシ基に関して示したものと同様の基をあげることができる。これらの基は、無置換でもよいが、置換基を有していてもよい。置換基としては、前記一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４で表される芳香族炭化水素基および芳香族複素環基が有してもよい置換基に関して示したものと同様のものをあげることができる。置換基がとりうる態様も同様である。
Ｒ２７〜Ｒ３３同士は、それぞれ独立して存在して環を形成していなくてもよいが、単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。
Ｘ１〜Ｘ４：
上記式（５ａ）中のＸ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４は、上記の含窒素複素環の一部を構成する環内元素であり、これらのいずれか１つのみが窒素原子であることを条件として、それぞれ、炭素原子または窒素原子を示す。Ｒ１〜Ｒ７及びＡｒ９は、この含窒素複素環に結合している基を示している。
即ち、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４が形成している環には、置換基としてＲ１〜Ｒ４が示されているが、この環内元素が窒素原子であるときには、この窒素原子には、Ｒ１〜Ｒ４の何れも（水素原子を含めて）結合していないものとする。例えば、Ｘ１が窒素原子である場合はＲ２７が存在せず、Ｘ２が窒素原子である場合はＲ２８が存在せず、Ｘ３が窒素原子である場合はＲ２９が存在せず、Ｘ４が窒素原子である場合はＲ３０が存在しないことを意味する。
好適には、Ｘ３のみが窒素原子である（Ｘ１、Ｘ２、Ｘ４が炭素原子であって、基Ｒ２９が存在しない）。特に好適には、下記一般式（５ａ’）で表されるように、Ｘ３のみが窒素原子であり、Ａ３が単結合であり、且つＡ３がベンゼン環において窒素原子に対してパラ位で結合している。
式中、
Ａｒ９〜Ａｒ１１、Ｒ２７、Ｒ２８、Ｒ３０〜Ｒ３３は、前記一般式（
５ａ）で示した通りの意味を表す。
前記一般式（５ａ）のアントラセン誘導体の好適な具体例としては、図２９〜図３２で示されている構造式を有する化合物（５ａ−１）〜（５ａ−２０）を挙げることができるが、一般式（５ａ）の化合物は、これに限定されるものではない。尚、これらの図には、各化合物が一般式（５ａ´）に該当するか否かが記載されている。該当しない場合は「―」と記載されている。
一般式（５ｂ）で表されるアントラセン誘導体；
式中、
Ａ３は前記一般式（５）における意味と同じ意味を表し、
Ａｒ１２〜Ａｒ１４は、それぞれ、芳香族炭化水素基または芳香族
複素環基を表す。
上記一般式（５ｂ）中のＡｒ１２及びＡｒ１３は、一般式（５）中のＣに相当し（即ち、ｑ＝２）、Ａ３が結合している含窒素芳香族複素環は、一般式（５）の基Ｂに相当する。Ａｒ１４は、当該含窒素芳香族環に結合している置換基である。
Ａｒ１２〜Ａｒ１４：
一般式（５ｂ）中のＡｒ１２〜Ａｒ１４で表される芳香族炭化水素基または芳香族複素環基としては、前記一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４で表される芳香族炭化水素基または芳香族複素環基に関して示したものと同様のものをあげることができる。これらの基は、無置換でもよいが、置換基を有していてもよい。置換基としては、前記一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４で表される芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が有してもよい置換基に関して示したものと同様のものをあげることができる。置換基がとりうる態様も同様である。
Ａｒ１２〜Ａｒ１４としては、芳香族炭化水素基が好ましく、フェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基またはフルオレニル基がより好ましい。
前記一般式（５ｂ）のアントラセン誘導体の好適な具体例としては、図３３〜図３５で示されている構造式を有する化合物（５ｂ−１）〜（５ｂ−１６）を挙げることができるが、一般式（５ｂ）の化合物は、これらに限定されるものではない。
一般式（５ｃ）で表されるアントラセン誘導体；
式中、
Ａ３は前記一般式（５）における意味と同じ意味を表し、
Ａｒ１５〜Ａｒ１７は、それぞれ、芳香族炭化水素基または芳香族
複素環基を表し、
Ｒ３４は水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基
、ニトロ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜１０のシクロ
アルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数１〜６のアルキ
ルオキシ基、炭素数５〜１０のシクロアルキルオキシ基、芳香族炭
化水素基、芳香族複素環基又はアリールオキシ基を表す。
一般式（５ｃ）において、Ａ３が結合している含窒素複素環は、一般式（５）における基Ｂに相当する。さらに、上記一般式（５ｃ）中のＡｒ１５は、一般式（５）中のＣに相当する（即ち、ｑ＝１）。Ａｒ１６、Ａｒ１７及びＲ８は、前記含窒素芳香族環に結合している置換基である。
Ａｒ１５〜Ａｒ１７；
一般式（５ｃ）中のＡｒ１５〜Ａｒ１７で表される芳香族炭化水素基または芳香族複素環基としては、前記一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４で表される芳香族炭化水素基または芳香族複素環基に関して示したものと同様のものをあげることができる。これらの基は、無置換でもよいが、置換基を有していてもよい。置換基としては、前記一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４で表される芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が有してもよい置換基に関して示したものと同様のものをあげることができる。置換基がとりうる態様も同様である。
Ａｒ１５〜Ａｒ１７としては、芳香族炭化水素基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基またはカルボリニル基が好ましく、フェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、フルオレニル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基またはカルボリニル基がより好ましい。
Ｒ３４；
一般式（５ｃ）中のＲ３４で表される炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜１０のシクロアルキル基または炭素数２〜６のアルケニル基としては、前記一般式（２）中のＲ１〜Ｒ８で表される炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜１０のシクロアルキル基又は炭素数２〜６のアルケニル基に関して示したものと同様の基をあげることができる。これらの基は、無置換でもよいが、置換基を有していてもよい。置換基としては、前記一般式（２）中のＲ１〜Ｒ８で表される炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜１０のシクロアルキル基及び炭素数２〜６のアルケニル基が有してもよい置換基として示したものと同様のものをあげることができる。置換基がとりうる態様も同様である。
一般式（５ｃ）中のＲ３４で表される炭素数１〜６のアルキルオキシ基または炭素数５〜１０のシクロアルキルオキシ基としては、前記一般式（２）中のＲ１〜Ｒ８で表される炭素数１〜６のアルキルオキシ基または炭素数５〜１０のシクロアルキルオキシ基に関して示したものと同様の基をあげることができる。これらの基は、無置換でもよいが、置換基を有していてもよい。置換基としては、前記一般式（２）中のＲ１〜Ｒ８で表される炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜１０のシクロアルキル基及び炭素数２〜６のアルケニル基が有してもよい置換基に関して示したものと同様のものをあげることができる。置換基がとりうる態様も同様である。
一般式（５ｃ）中のＲ３４で表される芳香族炭化水素基または芳香族複素環基としては、前記一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４で表される芳香族炭化水素基または芳香族複素環基に関して示したものと同様のものをあげることができる。これらの基は、無置換でもよいが、置換基を有していてもよい。置換基としては、前記一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４で表される芳香族炭化水素基および芳香族複素環基が有してもよい置換基に関して示したものと同様のものをあげることができる。置換基がとりうる態様も同様である。
一般式（５ｃ）中のＲ３４で表されるアリールオキシ基としては、前記一般式（２）中のＲ１〜Ｒ８で表されるアリールオキシ基に関して示したものと同様の基をあげることができる。これらの基は、無置換でもよいが、置換基を有していてもよい。置換基としては、前記一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４で表される芳香族炭化水素基および芳香族複素環基が有してもよい置換基として示したものと同様のものをあげることができる。置換基がとりうる態様も同様である。
前記一般式（５ｃ）のアントラセン誘導体の好適な具体例としては、図３６〜図４１で示されている構造式を有する化合物（５ｃ−１）〜（５ｃ−３０）を挙げることができるが、一般式（５ｃ）の化合物は、これらに限定されるものではない。
上述した一般式（５）のアントラセン誘導体は、それ自体公知の方法によって合成することができる（特許文献８〜１０参照）。
合成された化合物の精製は、カラムクロマトグラフによる精製、シリカゲル、活性炭、活性白土等による吸着精製や、溶媒による再結晶や晶析法、昇華精製法などによって行うことができる。本発明の有機ＥＬ素子に用いられる化合物は、最後に昇華精製法によって精製され、使用に供される。
＜陰極＞
本発明の有機ＥＬ素子の陰極としては、アルミニウムのような仕事関数の低い電極材料や、マグネシウム銀合金、マグネシウムインジウム合金、アルミニウムマグネシウム合金のような、より仕事関数の低い合金が電極材料として用いられる。
＜その他の層＞
本発明の有機ＥＬ素子は、必要に応じてその他の層を有していてもよい。例えば、図１に示されている例では、陽極２と正孔輸送層５との間に正孔注入層３が設けられており、陰極９と電子輸送層７との間には、電子注入層８が設けられている。さらに、図示はしていないが、正孔輸送層５と発光層６との間には電子阻止層を設けることができるし、発光層６と電子輸送層７との間に正孔阻止層を設けることもできる。
適宜設けられる各層は、それ自体公知の材料から形成されていてよく、何れも用いる材料の種類に応じて、蒸着法、スピンコート法、インクジェット法等の公知の方法によって形成される。
正孔注入層；
陽極２と正孔輸送層５との間に適宜形成される正孔注入層３は、それ自体公知の材料、例えば、
スターバースト型のトリフェニルアミン誘導体、種々のトリフェニ
ルアミン４量体などの材料；
銅フタロシアニンに代表されるポルフィリン化合物；
アクセプター性の複素環化合物、例えばヘキサシアノアザトリフェ
ニレン；
塗布型の高分子材料；
などを用いて形成することができる。また、前述した一般式（１）のアリールアミン化合物、後述の一般式（６）または（７）で表されるトリアリールアミン誘導体は、大きな正孔移動度を示すため、かかるアリールアミン化合物を用いて正孔注入層を形成することもできる。
また、正孔注入層においては、該層に通常使用される材料に対し、さらにトリスブロモフェニルアミンヘキサクロルアンチモン、ラジアレン誘導体（国際公開第２０１４／００９３１０号参照）等をＰドーピングしたものや、ＴＰＤ等のベンジジン誘導体の構造をその部分構造に有する高分子化合物等を用いることができる。
電子注入層；
電子注入層の形成には、
フッ化リチウム、フッ化セシウム等のアルカリ金属塩；
フッ化マグネシウム等のアルカリ土類金属塩；
酸化アルミニウム等の金属酸化物；
等を用いることができるが、電子輸送層と陰極の好ましい選択においては、これを省略することができる。
電子阻止層；
電子阻止層は、図１では示されていないが、正孔輸送層と発光層との間に設けられるものであり、発光層からの電子の透過を阻止し、発光効率を高めるために形成される。電子阻止層を形成するための材料としては、前記一般式（１）のアリールアミン化合物の他、例えば以下の電子阻止作用を有する化合物を用いることができる。
カルバゾール誘導体、例えば
４，４’，４’’−トリ（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミ
ン（ＴＣＴＡ）、
９，９−ビス［４−（カルバゾール−９−イル）フェニル］フル
オレン、
１，３−ビス（カルバゾール−９−イル）ベンゼン（ｍＣＰ）、
２，２−ビス（４−カルバゾール−９−イルフェニル）アダマン
タン（Ａｄ−Ｃｚ）；
トリフェニルシリル基とトリアリールアミン構造を有する化合物、
例えば
９−［４−（カルバゾール−９−イル）フェニル］−９−［４−
（トリフェニルシリル）フェニル］−９Ｈ−フルオレン；
正孔阻止層；
正孔阻止層も、図１には示されていないが、電子輸送層と発光層との間に適宜設けられるものであり、発光層からの正孔の透過を阻止し、発光効率を高めるために形成される。正孔阻止層を形成するための材料としては、例えば以下のものを挙げることができる。
フェナントロリン誘導体、例えばバソクプロイン（ＢＣＰ）；
キノリノール誘導体の金属錯体、例えばアルミニウム（III）ビス（
２−メチル−８−キノリナート）−４−フェニルフェノレート（ＢＡ
ｌｑ）；
各種の希土類錯体；
トリアゾール誘導体；
トリアジン誘導体；
オキサジアゾール誘導体；
これらの材料は電子輸送層の材料を兼ねてもよい。
＜２層構造の正孔輸送層＞
本発明の有機ＥＬ素子では、前述した一般式（１）のアリールアミン化合物が正孔輸送剤として使用されているが、先に述べたように、このようなアリールアミン化合物を含む正孔輸送層は２層構造とすることができる。
即ち、図１に示されているように、正孔輸送層５を、陽極２側に位置している第一正孔輸送層５ａと発光層６側に位置している第二正孔輸送層５ｂとに分割した２層構造とし、前記一般式（１）のアリールアミン化合物を第二正孔輸送層５ｂに含有させることが好適である。この場合、第一正孔輸送層５ａには、第二正孔輸送層５ｂに用いたものとは異なるアリールアミンが使用される。
上記のように正孔輸送層が２層に分割されている場合、発光層６側の第二正孔輸送層５ｂは、正孔輸送性と共に、極めて高い電子阻止性を示す。前述した一般式（１）のアリールアミン化合物は、優れた正孔輸送性に加え、高い電子阻止性を示すからである。従って、特に、図１のように、第二正孔輸送層５ｂを発光層６に隣接することにより、発光層６でのキャリアバランスをより高く保持することができ、この有機ＥＬ素子の特性向上に極めて有利となる。
第一正孔輸送層５ａは、第二正孔輸送層５ｂの形成に使用されるアリールアミン化合物とは異なるアリールアミン誘導体を用いて形成される。アリールアミン骨格は、優れた正孔輸送性を示すからである。
第一正孔輸送層５ａの形成に使用されるアリールミン誘導体は、第二正孔輸送層５ｂに形成されているものと異なっているのであれば、前述した一般式（１）のアリールアミン化合物であってもよいが、第一正孔輸送層５ａには、電子阻止性はあまり要求されないことから、正孔輸送剤として使用される公知のアリールアミン誘導体を用いて第一正孔輸送層５ａを形成することが望ましい。
公知のアリールアミン誘導体としては、２つのアリールアミン骨格が単結合または２価の炭化水素基で結合された分子構造を有するものであり、分子中にアリールアミン骨格を２〜６個有するものが好ましい。
本発明においては、正孔輸送性に加え、薄膜安定性や耐熱性に優れていること及び合成が容易であるという観点から、下記一般式（６）または（７）で表されるトリアリールアミン誘導体を用いて第一正孔輸送層５ａを形成することがより好ましい。かかるトリアリールアミン誘導体は、１種単独で使用することもできるし、２種以上を混合して使用することもできる。
一般式（６）で表されるトリアリールアミン誘導体；
かかる一般式（６）で表されるトリアリールアミン誘導体は、トリアリールアミン骨格を２個有している。
（一般式（６）中のｒ３５〜ｒ４０）
一般式（６）において、ｒ３５、ｒ３６、ｒ３９、ｒ４０は０〜５の整数を表し、ｒ３７、ｒ３８は０〜４の整数を表す。ｒ３５、ｒ３６、ｒ３９、ｒ４０が２〜５の整数である場合またはｒ３７、ｒ３８が２〜４の整数である場合、同一のベンゼン環に複数個結合するＲ３５〜Ｒ４０は相互に同一でも異なってもよく、また、それぞれ独立して存在して環を形成していなくてもよいが、単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。
（一般式（６）中のＲ３５〜Ｒ４０）
一般式（６）において、Ｒ３５〜Ｒ４０は、それぞれ、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜１０のシクロアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数１〜６のアルキルオキシ基、炭素数５〜１０のシクロアルキルオキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基またはアリールオキシ基を表す。これらの基が同一のベンゼン環に複数存在している場合、これらの基は、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。
一般式（６）中のＲ３５〜Ｒ４０で表される炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜１０のシクロアルキル基または炭素数２〜６のアルケニル基としては、具体的に、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、ビニル基、アリル基、イソプロペニル基、２−ブテニル基等をあげることができる。
尚、炭素数１〜６のアルキル基および炭素数２〜６のアルケニル基は、直鎖状であっても分枝状であってもよい。
これらの基は、無置換でもよいが、置換基を有してもよい。置換基としては、重水素原子、シアノ基、ニトロ基の他に、以下のものを例示することができる。
ハロゲン原子、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原
子；
炭素数１〜６のアルキルオキシ基、例えばメチルオキシ基、エチル
オキシ基、プロピルオキシ基；
アルケニル基、例えばビニル基、アリル基；
アリールオキシ基、例えばフェニルオキシ基、トリルオキシ基；
アリールアルキルオキシ基、例えばベンジルオキシ基、フェネチル
オキシ基；
芳香族炭化水素基、例えばフェニル基、ビフェニリル基、ターフェ
ニリル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、フ
ルオレニル基、インデニル基、ピレニル基、ペリレニル基、フルオラ
ンテニル基、トリフェニレニル基；
芳香族複素環基、例えばピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニ
ル基、チエニル基、フリル基、ピロリル基、キノリル基、イソキノリ
ル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、カルバ
ゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリ
ニル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ジベンゾフラニル基
、ジベンゾチエニル基、カルボリニル基；
これらの置換基はさらに、上記で例示している置換基を有していてもよい。これらの置換基同士は、それぞれ独立して存在して環を形成していなくてもよいが、単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。
上記置換基のうち炭素数１〜６のアルキルオキシ基は、直鎖状であっても分枝状であってもよい。
一般式（６）中のＲ３５〜Ｒ４０で表される炭素数１〜６のアルキルオキシ基または炭素数５〜１０のシクロアルキルオキシ基としては、具体的に、メチルオキシ基、エチルオキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロヘプチルオキシ基、シクロオクチルオキシ基、１−アダマンチルオキシ基、２−アダマンチルオキシ基等をあげることができる。炭素数１〜６のアルキルオキシ基は、直鎖状であっても分枝状であってもよい。これらの基は、無置換でもよいが、置換基を有していてもよい。置換基としては、前記一般式（６）中のＲ３５〜Ｒ４０で表される炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜１０のシクロアルキル基および炭素数２〜６のアルケニル基が有してもよい置換基として示したものと同様のものをあげることができる。置換基がとりうる態様も同様である。
一般式（６）中のＲ３５〜Ｒ４０で表される芳香族炭化水素基または芳香族複素環基としては、前記一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４で表される芳香族炭化水素基または芳香族複素環基に関して示したものと同様のものをあげることができる。これらの基は、無置換でもよいが、置換基を有していてもよい。置換基としては、前記一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４で表される芳香族炭化水素基および芳香族複素環基が有してもよい置換基として示したものと同様のものをあげることができる。置換基がとりうる態様も同様である。
一般式（６）中のＲ３５〜Ｒ４０で表されるアリールオキシ基としては、具体的に、フェニルオキシ基、ビフェニリルオキシ基、ターフェニリルオキシ基、ナフチルオキシ基、アントラセニルオキシ基、フェナントレニルオキシ基、フルオレニルオキシ基、インデニルオキシ基、ピレニルオキシ基、ペリレニルオキシ基等をあげることができる。これらの基は、無置換でもよいが、置換基を有していてもよい。置換基としては、前記一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４で表される芳香族炭化水素基および芳香族複素環基が有してもよい置換基として示したものと同様のものをあげることができる。置換基がとりうる態様も同様である。
Ｒ３５〜Ｒ４０で表される基同士は、それぞれ独立して存在して環を形成していなくてもよいが、単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。
（一般式（６）中のＬ１）
一般式（６）において、Ｌ１は、２つのアリールアミン骨格を結合する橋絡基であり、下記構造式（Ｃ）〜（Ｇ）のいずれかで示される２価基または単結合を表す。
前記一般式（６）のトリアリールアミン誘導体の好適な具体例としては、図４２〜図４５で示されている構造式を有する化合物（６−１）〜（６−２３）を挙げることができる。一般式（６）の化合物は、これらの化合物に限定されるものではない。
第一正孔輸送層に好適に用いられる、２つのアリールアミン骨格が単結合またはヘテロ原子を含まない２価基で結合された分子構造を有し、且つ分子中にアリールアミン骨格を２個有するアリールアミン誘導体に関し、前記一般式（６）のトリアリールアミン誘導体以外の好適な具体例としては、図４６で示されている構造式を有する化合物（６’−１）〜（６’−２）を挙げることができる。
前記一般式（６）のトリアリールアミン誘導体は、それ自体公知の方法に準じて合成することができる（特許文献１１〜１２参照）。
同様に、化合物（６’−１）〜（６’−２）も、それ自体公知の方法に準じて合成することができる（特許文献１１〜１２参照）。
合成された化合物の精製は、カラムクロマトグラフによる精製、シリカゲル、活性炭、活性白土等による吸着精製や、溶媒による再結晶や晶析法、昇華精製法などによって行うことができる。本発明の有機ＥＬ素子に用いられる化合物は、最後に昇華精製法によって精製され、使用に供される。
一般式（７）で表されるトリアリールアミン誘導体；
かかる一般式（７）で表されるトリアリールアミン誘導体は、トリアリールアミン骨格を４個有している。
（一般式（７）中のｒ４１〜ｒ５２）
一般式（７）において、ｒ４１〜ｒ５１は、それぞれ、芳香族環に結合している置換基Ｒ４１〜Ｒ５２の数を示す整数である。ｒ４１、ｒ４２、ｒ４５、ｒ４８、ｒ５１およびｒ５２は、それぞれ、０〜５の整数を表し、ｒ４３、ｒ４４、ｒ４６、ｒ４７、ｒ４９およびｒ５０は、それぞれ、０〜４の整数を表す。
ｒ４１、ｒ４２、ｒ４５、ｒ４８、ｒ５１、ｒ５２が２〜５の整数である場合またはｒ４３、ｒ４４、ｒ４６、ｒ４７、ｒ４９、ｒ５０が２〜４の整数である場合、同一のベンゼン環に複数個結合するＲ４１〜Ｒ５２は相互に同一でも異なってもよく、また、それぞれ独立して存在して環を形成していなくてもよいが、単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。
（一般式（７）中のＲ４１〜Ｒ５２）
一般式（７）において、芳香族環に結合している置換基Ｒ４１〜Ｒ５２は、それぞれ、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜１０のシクロアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数１〜６のアルキルオキシ基、炭素数５〜１０のシクロアルキルオキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基またはアリールオキシ基を表す。
これらの基が同一のベンゼン環に複数存在している場合、これらの基は、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。
一般式（７）中のＲ４１〜Ｒ５２で表される炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜１０のシクロアルキル基または炭素数２〜６のアルケニルとしては、前記一般式（６）中のＲ３５〜Ｒ４０で表される炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜１０のシクロアルキル基または炭素数２〜６のアルケニル基に関して示したものと同様のものをあげることができる。とりうる態様も同様である。これらの基は、無置換でもよいが、置換基を有していてもよい。置換基としては、前記一般式（６）中のＲ３５〜Ｒ４０で表される炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜１０のシクロアルキル基または炭素数２〜６のアルケニル基が有してもよい置換基として示したものと同様のものをあげることができる。置換基がとりうる態様も同様である。
Ｒ４１〜Ｒ５２で表される炭素数１〜６のアルキルオキシ基または炭素数５〜１０のシクロアルキルオキシ基としては、前記一般式（６）中のＲ３５〜Ｒ４０で表される炭素数１〜６のアルキルオキシ基または炭素数５〜１０のシクロアルキルオキシ基に関して示したものと同様のものをあげることができる。とりうる態様も、同様である。これらの基は、無置換でもよいが、置換基を有していてもよい。置換基としては、前記一般式（６）中のＲ３５〜Ｒ４０で表される炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜１０のシクロアルキル基または炭素数２〜６のアルケニル基が有してもよい置換基として示したものと同様のものをあげることができる。置換基がとりうる態様も同様である。
Ｒ４１〜Ｒ５２で表される芳香族炭化水素基または芳香族複素環基としては、前記一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４で表される芳香族炭化水素基または芳香族複素環基に関して示したものと同様のものをあげることができる。これらの基は、無置換でもよいが、置換基を有していてもよい。置換基としては、前記一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４で表される芳香族炭化水素および芳香族複素環基が有してもよい置換基として示したものと同様のものをあげることができる。置換基がとりうる態様も同様である。
Ｒ４１〜Ｒ５２で表されるアリールオキシ基としては、前記一般式（６）中のＲ３５〜Ｒ４０で表されるアリールオキシ基に関して示したものと同様のものをあげることができる。これらの基は、無置換でもよいが、置換基を有していてもよい。置換基としては、前記一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４で表される芳香族炭化水素基および芳香族複素環基が有してもよい置換基として示したものと同様のものをあげることができる。置換基がとりうる態様も同様である。
Ｒ４１〜Ｒ５２同士は、それぞれ独立して存在して環を形成しなくてもよいが、単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。
（一般式（７）中のＬ２〜Ｌ４）
一般式（７）において、Ｌ２〜Ｌ４は同一でも異なってもよく、下記構造式（Ｈ）〜（Ｉ）のいずれかで示される２価基、前記一般式（６）における構造式（Ｃ）〜（Ｇ）のいずれかで示される２価基、または単結合を表す。
式中、ｎは１〜３の整数を表す。
前記一般式（７）のトリアリールアミン誘導体の好適な具体例としては、図４７〜図５０で示されている構造式を有する化合物（７−１）〜（７−１７）を挙げることができる。一般式（７）の化合物は、これに限定されるものではない。
前記一般式（７）のトリアリールアミン誘導体は、それ自体公知の方法に準じて合成することができる（特許文献１１〜１２参照）。
合成された化合物の精製は、カラムクロマトグラフによる精製、シリカゲル、活性炭、活性白土等による吸着精製や、溶媒による再結晶や晶析法、昇華精製法などによって行うことができる。本発明の有機ＥＬ素子に用いられる化合物は、最後に昇華精製法によって精製され、使用に供される。
以下、本発明の実施の形態について、実施例により具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
＜実施例１：化合物１−５＞
４−｛（ビフェニル−４−イル）−フェニルアミノ｝−４’’−｛（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−フェニルアミノ｝−１，１’：３’，１’’−ターフェニルの合成；
窒素置換した反応容器に、
Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（４−ブロモフェニル）アニリ
ン ８．０ｇ、
Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−Ｎ−
｛３’−（４，４，５，５−テトラメチル−［１，３，２］ジオキサ
ボラン−２−イル）ビフェニル−４−イル｝アニリン １１．４ｇ、
炭酸カリウム ７．５ｇ、
水 ６４ｍｌ、
トルエン ６４ｍｌ、
エタノール １６ｍｌ
及び
テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム ０．８ｇ
を加えて加熱し、７０℃で１６時間撹拌した。室温まで冷却し、酢酸エチルと水を加えた後、分液操作によって有機層を採取した。有機層を濃縮した後、ＴＨＦ／アセトンの混合溶媒を用いた再結晶を行った。その結果、４−｛（ビフェニル−４−イル）−フェニルアミノ｝−４’’−｛（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−フェニルアミノ｝−１，１’：３’，１’’−ターフェニル（化合物１−５）の白色粉体９．５４ｇ（収率６９％）を得た。
（１−５） （１ａ―ａ）
得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ８）で以下の４４個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．８６（１Ｈ）、
７．６８−６．９７（３７Ｈ）、
１．４１（６Ｈ）
＜実施例２：化合物１−６＞
４−｛（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−フェニルアミノ｝−４’’−｛（ナフタレン−１−イル）−フェニルアミノ｝−１，１’：３’，１’’−ターフェニルの合成；
実施例１において、
Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（４−ブロモフェニル）ア
ニリン
に代えて
Ｎ−（３’−ブロモビフェニル−４−イル）−Ｎ−（ナフタレン
−１−イル）アニリン
を用い、
Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−Ｎ−
｛３’−（４，４，５，５−テトラメチル−［１，３，２］ジオキ
サボラン−２−イル）ビフェニル−４−イル｝アニリン
に代えて
４−｛Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）
−フェニルアミノ｝−フェニルボロン酸
を用いた以外は、同様の条件で反応を行った。その結果、４−｛（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−フェニルアミノ｝−４’’−｛（ナフタレン−１−イル）−フェニルアミノ｝−１，１’：３’，１’’−ターフェニル（化合物１−６）の淡黄白色粉体７．８８ｇ（収率６２％）を得た。
（１−６） （１ａ―ａ）
得られた淡黄白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の４２個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．９８（１Ｈ）、
７．９２（１Ｈ）、
７．８４−７．７５（２Ｈ）、
７．７０−６．９４（３２Ｈ）、
１．４９（６Ｈ）
＜実施例３：化合物１−２１＞
３、３’’−ビス｛（ビフェニル−４−イル）−フェニルアミノ｝−１，１’：４’，１’’−ターフェニルの合成；
窒素置換した反応容器に、
１，４−ジブロモベンゼン ６．２０ｇ、
Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−｛３−（４，４，５，５−テ
トラメチル−［１，３，２］ジオキサボラン−２−イル）フェニル｝
−フェニルアミン ２５．１ｇ、
炭酸カリウム １０．８ｇ、
水 ３９ｍｌ、
トルエン ３８０ｍｌ及び
エタノール ９５ｍｌ
を加え、３０分間超音波を照射しながら窒素ガスを通気した。
テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム ０．９５ｇ
を加えて加熱し、１８時間還流撹拌した。室温まで冷却し、
水 ２００ｍｌ及び
ヘプタン １９０ｍｌ
を加えた後、析出物をろ過によって採取した。析出物を１，２−ジクロロベンゼン１２００ｍｌに加熱溶解し、シリカゲル３９ｇを用いた吸着精製を行い、続いて、活性白土１９ｇを用いた吸着精製を行った後、メタノール７２５ｍｌを加え、析出する粗製物をろ過によって採取した。粗製物を１，２−ジクロロメタン／メタノールの混合溶媒を用いた晶析を繰り返した後、メタノール３００ｍｌを用いた還流洗浄を行った。その結果、３、３’’−ビス｛（ビフェニル−４−イル）−フェニルアミノ｝−１，１’：４’，１’’−ターフェニル（化合物１−２１）の白色粉体１５．２２ｇ（収率８１％）を得た。
（１−２１） ―
得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の４０個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．６１（２Ｈ）、
７．５６−６．８３（３８Ｈ）
＜実施例４：化合物１−２２＞
２、２’’−ビス｛（ビフェニル−４−イル）−フェニルアミノ｝−１，１’：４’，１’’−ターフェニルの合成；
実施例３において、
Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−｛３−（４，４，５，５−
テトラメチル−［１，３，２］ジオキサボラン−２−イル）フェニ
ル｝−フェニルアミン
に代えて
Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−｛２−（４，４，５，５−
テトラメチル−［１，３，２］ジオキサボラン−２−イル）フェニ
ル｝−フェニルアミン
を用いた以外は、同様の条件で反応を行った。その結果、２、２’’−ビス｛（ビフェニル−４−イル）−フェニルアミノ｝−１，１’：４’，１’’−ターフェニル（化合物１−２２）の白色紛体１１．１１ｇ（収率５８％）を得た。
（１−２２） （１ｃ―ｂ）
得られた白色紛体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ８）で以下の４０個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．５２（４Ｈ）、
７．４０−７．２０（１８Ｈ）、
７．０３（８Ｈ）、
６．９０−６．７５（１０Ｈ）
＜実施例５：化合物１−３２＞
４−｛（ビフェニル−４イル）―フェニルアミノ｝−２’’−｛（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−フェニルアミノ｝−１，１’：４’，１’’−ターフェニルの合成；
窒素置換した反応容器に、
Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（２’’−ブロモ−１，１’：
４’，１’’−ターフェニル−４−イル）アニリン １０．０ｇ、
２−（フェニルアミノ）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン
６．２ｇ、
酢酸パラジウム ０．０８１ｇ、
ｔ−ブトキシナトリウム ３．５ｇ、
トリ−ｔ−ブチルホスフィンの５０％（ｗ／ｖ）トルエン溶液
０．１４６ｇ
及び
トルエン １００ｍｌ
を加えて加熱し、一夜、１００℃で撹拌した。ろ過によって不溶物を除き、濃縮した後、カラムクロマトグラフ（担体：シリカゲル、溶離液：ヘプタン／ジクロロメタン）を用いた精製を行った。その結果、４−｛（ビフェニル−４イル）―フェニルアミノ｝−２’’−｛（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−フェニルアミノ｝−１，１’：４’，１’’−ターフェニル（化合物１−３２）の白色紛体４．７７ｇ（収率３５％）を得た。
（１−３２） （１ｃ―ａ）
得られた白色紛体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ８）で以下の４４個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．６１−７．４８（４Ｈ）、
７．４２−６．９２（３２Ｈ）、
６．８１（１Ｈ）、
６．７６（１Ｈ）、
１．２８（６Ｈ）
＜実施例６：化合物１−３４＞
４，４’’−ビス｛（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−フェニルアミノ｝−１，１’：３’，１’’−ターフェニルの合成；
窒素置換した反応容器に、
４，４’’−ジブロモ−１，１’：３’，１’’−ターフェニル
８．８１ｇ、
２−（フェニルアミノ）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン
１３．６ｇ、
ｔ−ブトキシナトリウム ５．１２ｇ、
トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム ０．３３ｇ
及び
トリ−ｔ−ブチルホスフィンの５０％（ｗ／ｖ）トルエン溶液
０．６３ｍｌ
を加えて加熱し、２時間還流撹拌した。放冷した後、メタノールを加え、析出物をろ過によって採取した。析出物をクロロベンゼンに加熱溶解し、シリカゲルを用いた吸着精製、続いて、活性白土を用いた吸着精製を行った後、クロロベンゼン／メタノールの混合溶媒を用いた晶析を行った後、メタノールを用いた還流洗浄を行った。その結果、４，４’’−ビス｛（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−フェニルアミノ｝−１，１’：３’，１’’−ターフェニル（化合物１−３４）の白色粉体１６．２５ｇ（収率９０％）を得た。
（１−３４） （１ａ―ａ）
得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の４８個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．８４（１Ｈ）、
７．７０−７．０３（３５Ｈ）、
１．４８（１２Ｈ）
＜実施例７：化合物１−３７＞
２−｛（ビフェニル−４−イル）−フェニルアミノ｝−４’’−｛（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−フェニルアミノ｝−１，１’：４’，１’’−ターフェニルの合成；
実施例５において、
Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（２’’−ブロモ−１，
１’：４’，１’’−ターフェニル−４−イル）アニリン
に代えて
Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−Ｎ−
（２’’−ブロモ−１，１’：４’，１’’−ターフェニル−４−
イル）アニリン
を用い、
２−（フェニルアミノ）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン
に代えて
Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−フェニルアニリン
を用いた以外は、同様の条件で反応を行った。その結果、２−｛（ビフェニル−４−イル）−フェニルアミノ｝−４’’−｛（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−フェニルアミノ｝−１，１’：４’，１’’−ターフェニル（化合物１−３７）の白色粉体１１．７ｇ（収率７３％）を得た。
（１−３７） （１ｃ―ａ）
得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の４４個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．６８（１Ｈ）、
７．６４−６．８４（３７Ｈ）、
１．４８（６Ｈ）
＜実施例８：化合物１−３８＞
４，４’’−ビス｛Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−フェニルアミノ｝−１，１’：２’，１’’−ターフェニルの合成；
実施例３において、
１，４−ジブロモベンゼン
に代えて
１，２−ジヨードベンゼン
を用い、
Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−｛３−（４，４，５，５−
テトラメチル−［１，３，２］ジオキサボラン−２−イル）フェニ
ル｝−フェニルアミン
に代えて
４−｛（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−フ
ェニルアミノ｝−フェニルボロン酸
を用いた以外は、同様の条件で反応を行った。その結果、４，４’’−ビス｛Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−フェニルアミノ｝−１，１’：２’，１’’−ターフェニル（化合物１−３８）の白色粉体６．６ｇ（収率３９％）を得た。
（１−３８） （１ｂ―ａ）
得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の４８個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．６４（２Ｈ）、
７．５８（２Ｈ）、
７．４５−６．９９（３２Ｈ）、
１．３８（１２Ｈ）
＜実施例９：化合物１−３９＞
４，４’’−ビス｛Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）アミノ｝−１，１’：２’，１’’−ターフェニルの合成；
実施例３において、
１，４−ジブロモベンゼン
に代えて
１，２−ジヨードベンゼン
を用い、
Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−｛３−（４，４，５，５−
テトラメチル−［１，３，２］ジオキサボラン−２−イル）フェニ
ル｝−フェニルアミン
に代えて
４−｛ビス（ビフェニル−４−イル）アミノ｝−フェニルボロン酸
を用いた以外、同様の条件で反応を行った。その結果、４，４’’−ビス｛Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）アミノ｝−１，１’：２’，１’’−ターフェニル（化合物１−３９）の白色粉体４．６ｇ（収率２４％）を得た。
（１−３９） （１ｂ―ａ）
得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の４８個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．５７−７．２８（３２Ｈ）、
７．２１（８Ｈ）、
７．１１（８Ｈ）
＜実施例１０：化合物１−４１＞
４，４’’−ビス｛（ビフェニル−４−イル）−（ナフタレン−１−イル）アミノ｝−１，１’：２’，１’’−ターフェニルの合成；
実施例６において、
４，４’’−ジブロモ−１，１’：３’，１’’−ターフェニル
に代えて
４，４’’−ジブロモ−１，１’：２’，１’’−ターフェニル
を用い、
２−（フェニルアミノ）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン
に代えて
Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−（ナフタレン−１−イル）アミン
を用いた以外は、同様の条件で反応を行った。その結果、４，４’’−ビス｛（ビフェニル−４−イル）−（ナフタレン−１−イル）アミノ｝−１，１’：２’，１’’−ターフェニル（化合物１−４１）の白色粉体５．０ｇ（収率３０％）を得た。
（１−４１） （１ｂ―ａ）
得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の４４個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．９３−７．８４（４Ｈ）、
７．７９（２Ｈ）、
７．６０−７．２６（２４Ｈ）、
７．２５−６．９２（１４Ｈ）
＜実施例１１：化合物１−４２＞
４，４’’−ビス［｛４−（ナフタレン−１−イル）フェニル｝−フェニルアミノ］−１，１’：２’，１’’−ターフェニルの合成；
実施例６において、
４，４’’−ジブロモ−１，１’：３’，１’’−ターフェニル
に代えて
４，４’’−ジブロモ−１，１’：２’，１’’−ターフェニル
を用い、
２−（フェニルアミノ）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン
に代えて
｛４−（ナフタレン−１−イル）フェニル｝−フェニルアミン
を用いた以外は、同様の条件で反応を行った。その結果、４，４’’−ビス［｛４−（ナフタレン−１−イル）フェニル｝−フェニルアミノ］−１，１’：２’，１’’−ターフェニル（化合物１−４２）の白色粉体７．３ｇ（収率４３％）を得た。
（１−４２） （１ｂ―ａ）
得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の４４個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．０１（２Ｈ）、
７．９１（２Ｈ）、
７．８４（２Ｈ）、
７．５３−６．９８（３８Ｈ）
＜実施例１２：化合物１−４５＞
４，４’’−ビス［｛４−（ナフタレン−１−イル）フェニル｝−フェニルアミノ］−１，１’：３’，１’’−ターフェニルの合成；
実施例６において、
２−（フェニルアミノ）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン
に代えて
｛４−（ナフタレン−１−イル）フェニル｝−フェニルアミン
を用いた以外は、同様の条件で反応を行った。その結果、４，４’’−ビス［｛４−（ナフタレン−１−イル）フェニル｝−フェニルアミノ］−１，１’：３’，１’’−ターフェニル（化合物１−４５）の白色粉体１６．７ｇ（収率７９％）を得た。
（１−４５） （１ａ―ａ）
得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の４４個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．０８（２Ｈ）、
７．９４（２Ｈ）、
７．９０−７．８０（３Ｈ）、
７．６５−７．００（３７Ｈ）
＜実施例１３：化合物１−４７＞
２，２’’−ビス｛（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−フェニルアミノ｝−１，１’：３’，１’’−ターフェニルの合成；
実施例３において、
１，４−ジブロモベンゼン
に代えて
１，３−ジヨードベンゼン
を用い、
Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−｛３−（４，４，５，５−
テトラメチル−［１，３，２］ジオキサボラン−２−イル）フェニ
ル｝−フェニルアミン
に代えて、
２−｛（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−フ
ェニルアミノ｝−フェニルボロン酸
を用いた以外は、同様の条件で反応を行った。その結果、２，２’’−ビス｛（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−フェニルアミノ｝−１，１’：３’，１’’−ターフェニル（化合物１−４７）の白色粉体４．２ｇ（収率２５％）を得た。
（１−４７） （１ａ―ｂ）
得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の４８個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．６０（２Ｈ）、
７．３８−７．０９（１４Ｈ）、
６．９５−６．７１（１４Ｈ）、
６．６６−６．５６（４Ｈ）、
６．３５（２Ｈ）、
６．２６（１２Ｈ）
＜実施例１４：化合物１−４９＞
２，２’’−ビス｛（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−フェニルアミノ｝−１，１’：４’，１’’−ターフェニルの合成；
実施例３において、
Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−｛３−（４，４，５，５−
テトラメチル−［１，３，２］ジオキサボラン−２−イル）フェニ
ル｝−フェニルアミン
に代えて
２−｛（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−フ
ェニルアミノ｝−フェニルボロン酸
を用いた以外は、同様の条件で反応を行った。その結果、２，２’’−ビス｛（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−フェニルアミノ｝−１，１’：４’，１’’−ターフェニル（化合物１−４９）の白色粉体１３．７ｇ（収率７６％）を得た。
（１−４９） （１ｃ―ｂ）
得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ８）で以下の４８個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．５３（２Ｈ）、
７．３５−６．８１（３０Ｈ）、
６．７６（２Ｈ）、
６．６７（２Ｈ）、
１．２９（１２Ｈ）
＜実施例１５：化合物１−９２＞
４，４’’−ビス｛Ｎ−（２−フェニル−ビフェニル−４−イル）−Ｎ−フェニルアミノ｝−１，１’：４’，１’’−ターフェニルの合成；
窒素置換した反応容器に、
Ｎ−（２−フェニル−ビフェニル−４−イル）−Ｎ−フェニルア
ミン １３．１ｇ、
４，４‘’−ジヨード−ｐ−ターフェニル ２０．０ｇ、
銅粉 ０．１８ｇ、
炭酸カリウム １１．３ｇ、
３，５−ジ―ｔｅｒｔ−ブチルサリチル酸 ０．７０ｇ、
亜硫酸水素ナトリウム ０．８６ｇ及び
ドデシルベンゼン ３０ｍｌ
を加えて加熱し、２１０℃で２４時間撹拌した。放冷しながらキシレン３０ｍｌ、メタノール６０ｍｌを添加し、析出した固体をろ過により集めた。取得した固体をトルエンに溶解、シリカ４０ｍｌを加え吸着精製を行った。濃縮後、酢酸エチル、メタノールにより晶析、続けてクロロベンゼンを用いた再結晶による精製を行った。続けて固体をメタノール２００ｍｌで還流洗浄した。その結果、４，４’’−ビス｛Ｎ−（２−フェニル−ビフェニル−４−イル）−Ｎ−フェニルアミノ｝−１，１’：４’，１’’−ターフェニル（化合物１−９２）の黄白色粉体１７．０ｇ（収率７２％）を得た。
（１−９２） ―
得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の４８個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．６８（４Ｈ）、
７．６２−７．５５（４Ｈ）、
７．３８−７．０９（４０Ｈ）
＜融点およびガラス転移点の測定＞
一般式（１）のアリールアミン化合物について、高感度示差走査熱量計（ブルカー・エイエックスエス製、ＤＳＣ３１００ＳＡ）によって融点とガラス転移点を求めた。

融点 ガラス転移点
実施例１（化合物１−５） 観測されず １１７℃
実施例２（化合物１−６） 観測されず １１７℃
実施例３（化合物１−２１） ２６１℃ １０３℃
実施例５（化合物１−３２） 観測されず １１５℃
実施例６（化合物１−３４） ２８６℃ １２４℃
実施例７（化合物１−３７） ２１８℃ １１４℃
実施例８（化合物１−３８） 観測されず １１９℃
実施例９（化合物１−３９） 観測されず １０６℃
実施例１０（化合物１−４１） 観測されず １２７℃
実施例１１（化合物１−４２） 観測されず １１１℃
実施例１２（化合物１−４５） 観測されず １２２℃
実施例１３（化合物１−４７） ２３９℃ １１６℃
実施例１４（化合物１−４９） ２６９℃ １１７℃
実施例１５（化合物１−９２） ２４９℃ １２４℃

一般式（１）のアリールアミン化合物は１００℃以上のガラス転移点を有しており、これは、薄膜状態が安定であることを示す。
＜仕事関数の測定＞
一般式（１）のアリールアミン化合物を用いてＩＴＯ基板上に膜厚１００ｎｍの蒸着膜を作製し、イオン化ポテンシャル測定装置（住友重機械工業株式会社製、ＰＹＳ−２０２）によって仕事関数を測定した。

仕事関数
実施例１（化合物１−５） ５．６８ｅＶ
実施例２（化合物１−６） ５．６５ｅＶ
実施例３（化合物１−２１） ５．７９ｅＶ
実施例４（化合物１−２２） ５．８３ｅＶ
実施例５（化合物１−３２） ５．６９ｅＶ
実施例６（化合物１−３４） ５．６５ｅＶ
実施例７（化合物１−３７） ５．６７ｅＶ
実施例８（化合物１−３８） ５．６４ｅＶ
実施例９（化合物１−３９） ５．６６ｅＶ
実施例１０（化合物１−４１） ５．６９ｅＶ
実施例１１（化合物１−４２） ５．７５ｅＶ
実施例１２（化合物１−４５） ５．７６ｅＶ
実施例１３（化合物１−４７） ５．７２ｅＶ
実施例１４（化合物１−４９） ５．７２ｅＶ
実施例１５（化合物１−９２） ５．６７ｅＶ

一般式（１）のアリールアミン化合物はＮＰＤ、ＴＰＤなどの一般的な正孔輸送材料が持つ仕事関数５．４ｅＶと比較して、好適なエネルギー準位を示しており、良好な正孔輸送能力を有している。
＜実施例１６：化合物２−１＞
７，７−ジメチル−１２−（４−フェニルキナゾリン−２−イル）−７，１２−ジヒドロベンゾ［４，５］チエノ［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドールの合成；
窒素置換した反応容器に、
７，７−ジメチル−７，１２−ジヒドロベンゾ［４，５］チエノ
［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドール ４．９ｇ、
２−クロロ−４−フェニルキナゾリン ５．７ｇ、
トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム ０．３ｇ、
トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロボレート
０．４ｇ、
ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム ４．０ｇ及び
キシレン ７４ｍｌ
を加えて加熱し、１２時間還流撹拌した。室温まで冷却した後、酢酸エチル、水を加え、分液操作によって有機層を採取した。有機層を濃縮し、カラムクロマトグラフによる精製を行った。その結果、７，７−ジメチル−１２−（４−フェニルキナゾリン−２−イル）−７，１２−ジヒドロベンゾ［４，５］チエノ［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドール（化合物２−１）の粉体３．０ｇ（収率３８％）を得た。
（２−１） （２ａ）
＜実施例１７：化合物２−２＞
７，７−ジメチル−１２−（４−フェニルベンゾ［ｈ］キナゾリン−２−イル）−７，１２−ジヒドロベンゾ［４，５］チエノ［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドールの合成；
実施例１６において、
２−クロロ−４−フェニルキナゾリン
に代えて
２−クロロ−４−フェニルベンゾ［ｈ］キナゾリン
を用いた以外は、同様の条件で反応を行った。その結果、７，７−ジメチル−１２−（４−フェニルベンゾ［ｈ］キナゾリン−２−イル）−７，１２−ジヒドロベンゾ［４，５］チエノ［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドール（化合物２−２）の粉体３．２ｇ（収率３８％）を得た。
（２−２） （２ａ）
＜実施例１８：化合物２−３＞
１２−（４，７−ジフェニルキナゾリン−２−イル）−７，７−ジメチル−７，１２−ジヒドロベンゾ［４，５］チエノ［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドールの合成；
実施例１６において、
２−クロロ−４−フェニルキナゾリン
に代えて
２−クロロ−４，７−ジフェニルキナゾリン
を用いた以外は、同様の条件で反応を行った。その結果、１２−（４，７−ジフェニルキナゾリン−２−イル）−７，７−ジメチル−７，１２−ジヒドロベンゾ［４，５］チエノ［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドール（化合物２−３）の粉体３．３ｇ（収率３８％）を得た。
（２−３） （２ａ）
＜実施例１９：化合物２−４＞
１２−（４，６−ジフェニルキナゾリン−２−イル）−７，７−ジメチル−７，１２−ジヒドロベンゾ［４，５］チエノ［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドールの合成；
実施例１６において、
２−クロロ−４−フェニルキナゾリン
に代えて
２−クロロ−４，６−ジフェニルキナゾリン
を用いた以外は、同様の条件で反応を行った。その結果、１２−（４，６−ジフェニルキナゾリン−２−イル）−７，７−ジメチル−７，１２−ジヒドロベンゾ［４，５］チエノ［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドール（化合物２−４）の粉体３．３ｇ（収率３８％）を得た。
（２−４） （２ａ）
＜実施例２０：化合物２−５＞
１３，１３−ジメチル−８−（４−フェニルキナゾリン−２−イル）−８，１３−ジヒドロベンゾ［４，５］チエノ［３，２−ｅ］インデノ［１，２−ｂ］インドールの合成；
実施例１６において、
７，７−ジメチル−７，１２−ジヒドロベンゾ［４，５］チエノ
［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドール
に代えて
１３，１３−ジメチル−８，１３−ジヒドロベンゾ［４，５］チ
エノ［３，２−ｅ］インデノ［１，２−ｂ］インドール
を用いた以外は、同様の条件で反応を行った。その結果、１３，１３−ジメチル−８−（４−フェニルキナゾリン−２−イル）−８，１３−ジヒドロベンゾ［４，５］チエノ［３，２−ｅ］インデノ［１，２−ｂ］インドール（化合物２−５）の粉体３．０ｇ（収率３８％）を得た。
（２−５） （２ｂ）
＜実施例２１：化合物２−６＞
８−（４，６−ジフェニルキナゾリン−２−イル）−１３，１３−ジメチル−８，１３−ジヒドロベンゾ［４，５］チエノ［３，２−ｅ］インデノ［１，２−ｂ］インドールの合成；
実施例２０において、
２−クロロ−４−フェニルキナゾリン
に代えて
２−クロロ−４，６−ジフェニルキナゾリン
を用いた以外は、同様の条件で反応を行った。その結果、８−（４，６−ジフェニルキナゾリン−２−イル）−１３，１３−ジメチル−８，１３−ジヒドロベンゾ［４，５］チエノ［３，２−ｅ］インデノ［１，２−ｂ］インドール（化合物２−６）の粉体３．３ｇ（収率３８％）を得た。
（２−６） （２ｂ）
＜実施例２２：化合物２−７＞
７，７，１３，１３−テトラメチル−５−（４−フェニルキナゾリン−２−イル）−７，１３−ジヒドロ−５Ｈ−ジインデノ［１，２−ｂ：１’，２’−ｆ］インドールの合成；
実施例１６において、
７，７−ジメチル−７，１２−ジヒドロベンゾ［４，５］チエノ
［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドール
に代えて
７，７，１３，１３−テトラメチル−７，１３−ジヒドロ−５Ｈ
−ジインデノ［１，２−ｂ：１’，２’−ｆ］インドール
を用いた以外は、同様の条件で反応を行った。その結果、７，７，１３，１３−テトラメチル−５−（４−フェニルキナゾリン−２−イル）−７，１３−ジヒドロ−５Ｈ−ジインデノ［１，２−ｂ：１’，２’−ｆ］インドール（化合物２−７）の粉体３．０ｇ（収率３８％）を得た。
（２−７） （２ｃ）
＜実施例２３：化合物２−８＞
７，７，１３，１３−テトラメチル−５−［３−（４−フェニルキナゾリン−２−イル）フェニル］−７，１３−ジヒドロ−５Ｈ−ジインデノ［１，２−ｂ：１’，２’−ｆ］インドールの合成；
実施例２２において、
２−クロロ−４−フェニルキナゾリン
に代えて
２−（３−ブロモフェニル）−４−フェニルキナゾリン
を用いた以外は、同様の条件で反応を行った。その結果、７，７，１３，１３−テトラメチル−５−［３−（４−フェニルキナゾリン−２−イル）フェニル］−７，１３−ジヒドロ−５Ｈ−ジインデノ［１，２−ｂ：１’，２’−ｆ］インドール（化合物２−８）の粉体３．４ｇ（収率３８％）を得た。
（２−８） （２ｃ）
＜実施例２４：化合物２−９＞
７，７−ジメチル−１２−（４−フェニルベンゾ［ｈ］キナゾリン−２−イル）−７，１２−ジヒドロベンゾフロ［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドールの合成；
実施例１７において、
７，７−ジメチル−７，１２−ジヒドロベンゾ［４，５］チエノ
［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドール
に代えて
７，７−ジメチル−７，１２−ジヒドロベンゾフロ［３，２−ｇ
］インデノ［１，２−ｂ］インドール
を用いた以外は、同様の条件で反応を行った。その結果、７，７−ジメチル−１２−（４−フェニルベンゾ［ｈ］キナゾリン−２−イル）−７，１２−ジヒドロベンゾフロ［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドール（化合物２−９）の粉体３．０ｇ（収率３８％）を得た。
（２−９） （２ａ）
＜実施例２５：化合物２−１０＞
１２−（４，６−ジフェニルベンゾ［ｈ］キナゾリン−２−イル）−７，７−ジメチル−７，１２−ジヒドロベンゾフロ［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドールの合成；
実施例２４において、
２−クロロ−４−フェニルベンゾ［ｈ］キナゾリン
に代えて
２−クロロ−４，６−ジフェニルベンゾ［ｈ］キナゾリン
を用いた以外は、同様の条件で反応を行った。その結果、１２−（４，６−ジフェニルベンゾ［ｈ］キナゾリン−２−イル）−７，７−ジメチル−７，１２−ジヒドロベンゾフロ［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドール（化合物２−１０）の粉体３．５ｇ（収率３８％）を得た。
（２−１０） （２ａ）
＜実施例２６：化合物２−１１＞
１３，１３−ジメチル−８−（４−フェニルキナゾリン−２−イル）−８，１３−ジヒドロベンゾフロ［３，２−ｅ］インデノ［１，２−ｂ］インドールの合成；
実施例１６において、
７，７−ジメチル−７，１２−ジヒドロベンゾ［４，５］チエノ
［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドール
に代えて
１３，１３−ジメチル−８，１３−ジヒドロベンゾフロ［３，２
−ｅ］インデノ［１，２−ｂ］インドール
を用いた以外は、同様の条件で反応を行った。その結果、１３，１３−ジメチル−８−（４−フェニルキナゾリン−２−イル）−８，１３−ジヒドロベンゾフロ［３，２−ｅ］インデノ［１，２−ｂ］インドール（化合物２−１１）の粉体３．０ｇ（収率３８％）を得た。
（２−１１） （２ｂ）
＜実施例２７：化合物２−１２＞
１３，１３−ジメチル−８−（４，６−ジフェニルキナゾリン−２−イル）−８，１３−ジヒドロベンゾフロ［３，２−ｅ］インデノ［１，２−ｂ］インドールの合成；
実施例２６において、
２−クロロ−４−フェニルキナゾリン
に代えて
２−クロロ−４，６−ジフェニルキナゾリン
を用いた以外は、同様の条件で反応を行った。その結果、１３，１３−ジメチル−８−（４，６−ジフェニルキナゾリン−２−イル）−８，１３−ジヒドロベンゾフロ［３，２−ｅ］インデノ［１，２−ｂ］インドール（化合物２−１２）の粉体３．２ｇ（収率３８％）を得た。
（２−１２） （２ｂ）
＜実施例２８：化合物３−１＞
１３−（４，６−ジフェニルキナゾリン−２−イル）−７，７−ジメチル−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］チエノ［２，３−ａ］カルバゾールの合成；
実施例２７において、
１３，１３−ジメチル−８，１３−ジヒドロベンゾフロ［３，２
−ｅ］インデノ［１，２−ｂ］インドール
に代えて
７，７−ジメチル−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：
４，５］チエノ［２，３−ａ］カルバゾール
を用いた以外は、同様の条件で反応を行った。その結果、１３−（４，６−ジフェニルキナゾリン−２−イル）−７，７−ジメチル−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］チエノ［２，３−ａ］カルバゾール（化合物３−１）の粉体７．０ｇ（収率３８％）を得た。
（３−１） （３ａ―１）
＜実施例２９：化合物３−２＞
１３−［４−（ビフェニル−４−イル）キナゾリン−２−イル］−７，７−ジメチル−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］チエノ［２，３−ａ］カルバゾールの合成；
実施例２８において、
２−クロロ−４，６−ジフェニルキナゾリン
に代えて、
４−（ビフェニル−４−イル）−２−クロロキナゾリン
を用いた以外は、同様の条件で反応を行った。その結果、１３−［４−（ビフェニル−４−イル）キナゾリン−２−イル］−７，７−ジメチル−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］チエノ［２，３−ａ］カルバゾール（化合物３−２）の粉体６．７ｇ（収率３７％）を得た。
（３−２） （３ａ―１）
＜実施例３０：化合物３−３＞
７，７−ジメチル−１３−［４−（フェニル−ｄ５）キナゾリン−２−イル］−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］チエノ［２，３−ａ］カルバゾールの合成；
実施例２８において、
２−クロロ−４，６−ジフェニルキナゾリン
に代えて
２−クロロ−４−（フェニル−ｄ５）キナゾリン
を用いた以外は、同様の条件で反応を行った。その結果、７，７−ジメチル−１３−［４−（フェニル−ｄ５）キナゾリン−２−イル］−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］チエノ［２，３−ａ］カルバゾール（化合物３−３）の粉体８．４ｇ（収率３２％）を得た。
（３−３） （３ａ―１）
＜実施例３１：化合物３−４＞
７，７−ジメチル−１３−［４−（４−フェニルキナゾリン−２−イル）フェニル］−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］チエノ［２，３−ａ］カルバゾールの合成；
実施例２８において、
２−クロロ−４，６−ジフェニルキナゾリン
に代えて
２−（４−ブロモフェニル）−４−フェニルキナゾリン
を用いた以外は、同様の条件で反応を行った。その結果、７，７−ジメチル−１３−［４−（４−フェニルキナゾリン−２−イル）フェニル］−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］チエノ［２，３−ａ］カルバゾール（化合物３−４）の粉体５．２ｇ（収率２８％）を得た。
（３−４） （３ａ―１）
＜実施例３２：化合物３−５＞
７，７−ジメチル−１３−［３−（４−フェニルキナゾリン−２−イル）フェニル］−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］チエノ［２，３−ａ］カルバゾールの合成；
実施例２８において、
２−クロロ−４，６−ジフェニルキナゾリン
に代えて
２−（３−ブロモフェニル）−４−フェニルキナゾリン
を用いた以外は、同様の条件で反応を行った。その結果、７，７−ジメチル−１３−［３−（４−フェニルキナゾリン−２−イル）フェニル］−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］チエノ［２，３−ａ］カルバゾール（化合物３−５）の粉体８．４ｇ（収率３２％）を得た。
（３−５） （３ａ―１）
＜実施例３３：化合物３−６＞
７，７−ジメチル−１３−（４−フェニルベンゾ［ｈ］キナゾリン−２−イル）−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］チエノ［２，３−ａ］カルバゾールの合成；
実施例２８において、
２−クロロ−４，６−ジフェニルキナゾリン
に代えて
２−クロロ−４−フェニルベンゾ［ｈ］キナゾリン
を用いた以外は、同様の条件で反応を行った。その結果、７，７−ジメチル−１３−（４−フェニルベンゾ［ｈ］キナゾリン−２−イル）−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］チエノ［２，３−ａ］カルバゾール（化合物３−６）の粉体８．４ｇ（収率３２％）を得た。
（３−６） （３ａ―１）
＜実施例３４：化合物３−７＞
８，８−ジメチル−５−（４−フェニルベンゾ［ｈ］キナゾリン−２−イル）−５，８−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］チエノ［３，２−ｃ］カルバゾールの合成；
実施例３３において、
７，７−ジメチル−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：
４，５］チエノ［２，３−ａ］カルバゾール
に代えて
８，８−ジメチル−５，８−ジヒドロインデノ［２’，１’：４
，５］チエノ［３，２−ｃ］カルバゾール
を用いた以外は、同様の条件で反応を行った。その結果、８，８−ジメチル−５−（４−フェニルベンゾ［ｈ］キナゾリン−２−イル）−５，８−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］チエノ［３，２−ｃ］カルバゾール（化合物３−７）の粉体９．３ｇ（収率３５％）を得た。
（３−７） （３ａ―３）
＜実施例３５：化合物３−８＞
７，７−ジメチル−１３−（４−フェニルキナゾリン−２−イル）−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］フロ［２，３−ａ］カルバゾールの合成；
実施例１６において、
７，７−ジメチル−７，１２−ジヒドロベンゾ［４，５］チエノ
［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドール
に代えて
７，７−ジメチル−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：
４，５］フロ［２，３−ａ］カルバゾール
を用いた以外は、同様の条件で反応を行った。その結果、７，７−ジメチル−１３−（４−フェニルキナゾリン−２−イル）−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］フロ［２，３−ａ］カルバゾール（化合物３−８）の粉体６．２ｇ（収率３２％）を得た。
（３−８） （３ａ―１）
＜実施例３６：化合物３−９＞
７，７−ジメチル−１３−（４−フェニルベンゾ［ｈ］キナゾリン−２−イル）−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］フロ［２，３−ａ］カルバゾールの合成；
実施例３５において、
２−クロロ−４−フェニルキナゾリン
に代えて
２−クロロ−４−フェニルベンゾ［ｈ］キナゾリン
を用いた以外は、同様の条件で反応を行った。その結果、７，７−ジメチル−１３−（４−フェニルベンゾ［ｈ］キナゾリン−２−イル）−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］フロ［２，３−ａ］カルバゾール（化合物３−９）の粉体８．６ｇ（収率３０％）を得た。
（３−９） （３ａ―１）
＜実施例３７：化合物３−１０＞
１３−（４，６−ジフェニルキナゾリン−２−イル）−７，７−ジメチル−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］フロ［２，３−ａ］カルバゾールの合成；
実施例３５において、
２−クロロ−４−フェニルキナゾリン
に代えて
２−クロロ−４，６−ジフェニルキナゾリン
を用いた以外は、同様の条件で反応を行った。その結果、１３−（４，６−ジフェニルキナゾリン−２−イル）−７，７−ジメチル−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］フロ［２，３−ａ］カルバゾール（化合物３−１０）の粉体７．２ｇ（収率２９％）を得た。
（３−１０） （３ａ―１）
＜実施例３８：化合物３−１１＞
７，７−ジフェニル−１３−（４−フェニルキナゾリン−２−イル）−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］チエノ［２，３−ａ］カルバゾールの合成；
実施例１６において、
７，７−ジメチル−７，１２−ジヒドロベンゾ［４，５］チエノ
［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドール
に代えて
７，７−ジフェニル−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’
：４，５］チエノ［２，３−ａ］カルバゾール
を用いた以外は、同様の条件で反応を行った。その結果、７，７−ジフェニル−１３−（４−フェニルキナゾリン−２−イル）−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］チエノ［２，３−ａ］カルバゾール（化合物３−１１）の粉体６．７ｇ（収率３７％）を得た。
（３−１１） （３ａ―４）
＜実施例３９：化合物３−１２＞
９，９−ジメチル−１５−（４−フェニルキナゾリン−２−イル）−９，１５−ジヒドロベンゾ［ａ］インデノ［２’，１’：４，５］チエノ［３，２−ｉ］カルバゾールの合成；
実施例１６において、
７，７−ジメチル−７，１２−ジヒドロベンゾ［４，５］チエノ
［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドール
に代えて、
９，９−ジメチル−９，１５−ジヒドロベンゾ［ａ］インデノ［
２’，１’：４，５］チエノ［３，２−ｉ］カルバゾール
を用い、同様の条件で反応を行った。その結果、９，９−ジメチル−１５−（４−フェニルキナゾリン−２−イル）−９，１５−ジヒドロベンゾ［ａ］インデノ［２’，１’：４，５］チエノ［３，２−ｉ］カルバゾール（化合物３−１２）の粉体４．８ｇ（収率４２％）を得た。
（３−１２） （３ａ―１）
＜実施例４０：化合物３−１３＞
７−フェニル−１３−（４−フェニルキナゾリン−２−イル）−７，１３−ジヒドロインドロ［２’，３’：４，５］チエノ［２，３−ａ］カルバゾールの合成；
実施例１６において、
７，７−ジメチル−７，１２−ジヒドロベンゾ［４，５］チエノ
［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドール
に代えて
７−フェニル−７，１３−ジヒドロインドロ［２’，３’：４，
５］チエノ［２，３−ａ］カルバゾール
を用いた以外は、同様の条件で反応を行った。その結果、７−フェニル−１３−（４−フェニルキナゾリン−２−イル）−７，１３−ジヒドロインドロ［２’，３’：４，５］チエノ［２，３−ａ］カルバゾール（化合物３−１３）の粉体４．３ｇ（収率４３％）を得た。
（３−１３） （３ｂ―１）
＜実施例４１：化合物３−１４＞
１２，１２−ジメチル−１−（４−フェニルキナゾリン−２−イル）−１，１２−ジヒドロインデノ［１’，２’：４，５］チエノ［２，３−ａ］カルバゾールの合成；
実施例１６において、
７，７−ジメチル−７，１２−ジヒドロベンゾ［４，５］チエノ
［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドール
に代えて
１２，１２−ジメチル−１，１２−ジヒドロインデノ［１’，２
’：４，５］チエノ［２，３−ａ］カルバゾール
を用いた以外は、同様の条件で反応を行った。その結果、１２，１２−ジメチル−１−（４−フェニルキナゾリン−２−イル）−１，１２−ジヒドロインデノ［１’，２’：４，５］チエノ［２，３−ａ］カルバゾール（化合物３−１４）の粉体６．３ｇ（収率４４％）を得た。
（３−１４） （３ａ―２）
＜実施例４２：化合物３−１５＞
７，７−ジメチル−１３−（ナフタレン−２−イル）−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］チエノ［２，３−ａ］カルバゾールの合成；
実施例２８において、
２−クロロ−４，６−ジフェニルキナゾリン
に代えて
２−ブロモナフタレン
を用いた以外は、同様の条件で反応を行った。その結果、７，７−ジメチル−１３−（ナフタレン−２−イル）−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］チエノ［２，３−ａ］カルバゾール（化合物３−１５）の粉体５．４ｇ（収率４７％）を得た。
（３−１５） （３ａ―１）
＜実施例４３＞
有機ＥＬ素子は、図１に示すように、ガラス基板１上に透明陽極２としてＩＴＯ電極をあらかじめ形成したものの上に、正孔注入層３、第一正孔輸送層５ａ、第二正孔輸送層５ｂ、発光層６、電子輸送層７、電子注入層８、陰極（アルミニウム電極）９の順に蒸着して作製した。
具体的には、膜厚１５０ｎｍのＩＴＯを成膜したガラス基板１をイソプロピルアルコール中にて２０分間超音波洗浄した後、２００℃に加熱したホットプレート上で１０分間乾燥させた。その後、ＵＶオゾン処理を１５分間行った後、このＩＴＯ付きガラス基板を真空蒸着機内に取り付け、０．００１Ｐａ以下まで減圧した。
続いて、透明陽極２を覆うように正孔注入層３として、下記構造式のＨＩＭ−１を膜厚５ｎｍとなるように形成した。
この正孔注入層３の上に、第一正孔輸送層５ａとして、下記構造式で表されるトリアリールアミン誘導体（６−１）を膜厚６０ｎｍとなるように形成した。かかるトリアリールアミン誘導体は、分子中にトリフェニルアミン構造を２個有するものであった。
この第一正孔輸送層５ａの上に、第二正孔輸送層５ｂとして、実施例１の化合物（１−５）を膜厚５ｎｍとなるように形成した。
この第二正孔輸送層５ｂの上に、発光層６として、下記構造式の化合物ＥＭＤ−１と実施例１９の化合物（２−４）を、蒸着速度比がＥＭＤ−１：化合物（２−４）＝５：９５となる蒸着速度で二元蒸着を行い、膜厚２０ｎｍとなるように形成した。
この発光層６の上に、電子輸送層７として、下記構造式のベンゾトリアゾール誘導体（４−１）と下記構造式のＥＴＭ−１を、蒸着速度比がベンゾトリアゾール誘導体（４−１）：ＥＴＭ−１＝５０：５０となる蒸着速度で二元蒸着を行い、膜厚３０ｎｍとなるように形成した。
この電子輸送層７の上に、電子注入層８としてフッ化リチウムを膜厚１ｎｍとなるように形成した。
最後に、アルミニウムを１００ｎｍ蒸着して陰極９を形成した。
作製した有機ＥＬ素子について、大気中常温で直流電圧を印加したときの発光特性を測定した。測定結果を表１に示した。
（ＨＩＭ−１）
（６−１）
（１−５） （１ａ―ａ）
（ＥＭＤ−１）
（２−４） （２ａ）
（４−１） （４ａ）（４ｃ）
（ＥＴＭ−１）
＜実施例４４＞
実施例４３において、第二正孔輸送層５ｂの材料として、化合物（１−５）に代えて実施例５の化合物（１−３２）を用いた以外は、同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。作製した有機ＥＬ素子について、大気中常温で直流電圧を印加したときの発光特性を測定した。測定結果を表１に示した。
（１−３２） （１ｃ―ａ）
＜実施例４５＞
実施例４３において、第二正孔輸送層５ｂの材料として、化合物（１−５）に代えて実施例６の化合物（１−３４）を用いた以外は、同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。作製した有機ＥＬ素子について、大気中常温で直流電圧を印加したときの発光特性を測定した。測定結果を表１に示した。
（１−３４） （１ａ―ａ）
＜実施例４６＞
実施例４３において、第二正孔輸送層５ｂの材料として、化合物（１−５）に代えて実施例７の化合物（１−３７）を用いた以外は、同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。作製した有機ＥＬ素子について、大気中常温で直流電圧を印加したときの発光特性を測定した。測定結果を表１に示した。
（１−３７） （１ｃ―ａ）
＜実施例４７＞
実施例４３において、第二正孔輸送層５ｂの材料として、化合物（１−５）に代えて実施例８の化合物（１−３８）を用いた以外は、同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。作製した有機ＥＬ素子について、大気中常温で直流電圧を印加したときの発光特性を測定した。測定結果を表１に示した。
（１−３８） （１ｂ―ａ）
＜実施例４８＞
実施例４３において、第二正孔輸送層５ｂの材料として、化合物（１−５）に代えて実施例１４の化合物（１−４９）を用いた以外は、同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。作製した有機ＥＬ素子について、大気中常温で直流電圧を印加したときの発光特性を測定した。測定結果を表１に示した。
（１−４９） （１ｃ―ｂ）
＜比較例１＞
比較のために、実施例４３において、第一正孔輸送層５ａの材料として、トリアリールアミン誘導体（６−１）に代えて下記構造式のアリールアミン化合物（６’−２）を用い、第二正孔輸送層５ｂの材料として、化合物（１−５）に代えて下記構造式のアリールアミン化合物（６’−２）を用いた以外は、同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。この場合、第一正孔輸送層５ａと第二正孔輸送層５ｂは一体の正孔輸送層（厚み６５ｎｍ）として機能する。作製した有機ＥＬ素子について、大気中常温で直流電圧を印加したときの発光特性を測定した。測定結果を表１に示した。

（６’−２）
＜実施例４９＞
実施例４３において、発光層６の材料として、化合物（２−４）に代えて実施例４１の化合物（３−１４）を用いた以外は、同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。作製した有機ＥＬ素子について、大気中常温で直流電圧を印加したときの発光特性を測定した。測定結果を表２に示した。
（３−１４） （３ａ―２）
＜実施例５０＞
実施例４９において、第二正孔輸送層５ｂの材料として、化合物（１−５）に代えて実施例５の化合物（１−３２）を用いた以外は、同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。作製した有機ＥＬ素子について、大気中常温で直流電圧を印加したときの発光特性を測定した。測定結果を表２に示した。
＜実施例５１＞
実施例４９において、第二正孔輸送層５ｂの材料として、化合物（１−５）に代えて実施例６の化合物（１−３４）を用いた以外は、同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。作製した有機ＥＬ素子について、大気中常温で直流電圧を印加したときの発光特性を測定した。測定結果を表２に示した。
＜実施例５２＞
実施例４９において、第二正孔輸送層５ｂの材料として、化合物（１−５）に代えて実施例７の化合物（１−３７）を用いた以外は、同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。作製した有機ＥＬ素子について、大気中常温で直流電圧を印加したときの発光特性を測定した。測定結果を表２に示した。
＜実施例５３＞
実施例４９において、第二正孔輸送層５ｂの材料として、化合物（１−５）に代えて実施例８の化合物（１−３８）を用いた以外は、同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。作製した有機ＥＬ素子について、大気中常温で直流電圧を印加したときの発光特性を測定した。測定結果を表２に示した。
＜実施例５４＞
実施例４９において、第二正孔輸送層５ｂの材料として、化合物（１−５）に代えて実施例１４の化合物（１−４９）を用いた以外は、同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。作製した有機ＥＬ素子について、大気中常温で直流電圧を印加したときの発光特性を測定した。測定結果を表２に示した。
＜比較例２＞
比較のために、実施例４９において、第一正孔輸送層５ａの材料として、トリアリールアミン誘導体（６−１）に代えて前記構造式のアリールアミン化合物（６’−２）を用い、第二正孔輸送層５ｂの材料として、化合物（１−５）に代えて前記構造式のアリールアミン化合物（６’−２）を用いた以外は、同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。この場合、第一正孔輸送層５ａと第二正孔輸送層５ｂは一体の正孔輸送層（厚み６５ｎｍ）として機能する。作製した有機ＥＬ素子について、大気中常温で直流電圧を印加したときの発光特性を測定した。測定結果を表２に示した。
＜実施例５５＞
実施例４３において、発光層６の材料として、化合物（２−４）に代えて下記構造式で表されるカルバゾール誘導体（３−１６）を用いた以外は、同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。作製した有機ＥＬ素子について、大気中常温で直流電圧を印加したときの発光特性を測定した。測定結果を表３に示した。
（３−１６） ―
＜実施例５６＞
実施例５５において、第二正孔輸送層５ｂの材料として、化合物（１−５）に代えて実施例５の化合物（１−３２）を用いた以外は、同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。作製した有機ＥＬ素子について、大気中常温で直流電圧を印加したときの発光特性を測定した。測定結果を表３に示した。
＜実施例５７＞
実施例５５において、第二正孔輸送層５ｂの材料として、化合物（１−５）に代えて実施例６の化合物（１−３４）を用いた以外は、同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。作製した有機ＥＬ素子について、大気中常温で直流電圧を印加したときの発光特性を測定した。測定結果を表３に示した。
＜実施例５８＞
実施例５５において、第二正孔輸送層５ｂの材料として、化合物（１−５）に代えて実施例７の化合物（１−３７）を用いた以外は、同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。作製した有機ＥＬ素子について、大気中常温で直流電圧を印加したときの発光特性を測定した。測定結果を表３に示した。
＜実施例５９＞
実施例５５において、第二正孔輸送層５ｂの材料として、化合物（１−５）に代えて実施例８の化合物（１−３８）を用いた以外は、同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。作製した有機ＥＬ素子について、大気中常温で直流電圧を印加したときの発光特性を測定した。測定結果を表３に示した。
＜実施例６０＞
実施例５５において、第二正孔輸送層５ｂの材料として、化合物（１−５）に代えて実施例１４の化合物（１−４９）を用いた以外は、同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。作製した有機ＥＬ素子について、大気中常温で直流電圧を印加したときの発光特性を測定した。測定結果を表３に示した。
＜比較例３＞
比較のために、実施例５５において、第一正孔輸送層５ａの材料として、トリアリールアミン誘導体（６−１）に代えて前記構造式のアリールアミン化合物（６’−２）を用い、第二正孔輸送層５ｂの材料として、化合物（１−３４）に代えて前記構造式のアリールアミン化合物（６’−２）を用いた以外は、同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。この場合、第一正孔輸送層５ａと第二正孔輸送層５ｂは一体の正孔輸送層（厚み６５ｎｍ）として機能する。作製した有機ＥＬ素子について、大気中常温で直流電圧を印加したときの発光特性を測定した。測定結果を表３に示した。
実施例４３〜６０および比較例１〜３で作製した有機ＥＬ素子を用いて、素子寿命を測定した結果を表１〜３に示した。素子寿命は、発光開始時の発光輝度（初期輝度）を７０００ｃｄ／ｍ２として定電流駆動を行った時、発光輝度が６７９０ｃｄ／ｍ２（初期輝度を１００％とした時の９７％に相当：９７％減衰）に減衰するまでの時間として測定した。
表１に示す様に、発光層の材料が同じ組合せである実施例４３〜４８と比較例１との比較において、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ２の電流を流したときの発光効率は、比較例１の有機ＥＬ素子の２３．９７ｃｄ／Ａに対し、実施例４３〜４８の有機ＥＬ素子では２５．０９〜２８．１４ｃｄ／Ａといずれも高効率であった。また、電力効率においても、比較例１の有機ＥＬ素子の１８．５４ｌｍ／Ｗに対し、実施例４３〜４８の有機ＥＬ素子では１９．１１〜２１．８０ｍ／Ｗといずれも高効率であった。素子寿命（９７％減衰）においては、比較例１の有機ＥＬ素子の５５時間に対し、実施例４３〜４８の有機ＥＬ素子では１３０〜１６６時間と大きく長寿命化した。
表２に示す様に、発光層の材料が同じ組合せである実施例４９〜５４と比較例２との比較において、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ２の電流を流したときの発光効率は、比較例２の有機ＥＬ素子の２２．７１ｃｄ／Ａに対し、実施例４９〜５４の有機ＥＬ素子では２４．２８〜２７．４８ｃｄ／Ａといずれも高効率であった。また、電力効率においても、比較例２の有機ＥＬ素子の２１．５８ｌｍ／Ｗに対し、実施例４９〜５４の有機ＥＬ素子では２２．５９〜２５．７９ｍ／Ｗといずれも高効率であった。素子寿命（９７％減衰）においては、比較例２の有機ＥＬ素子の４２時間に対し、実施例４９〜５４の有機ＥＬ素子では１２９〜１８４時間と大きく長寿命化した。
表３に示す様に、発光層の材料が同じ組合せである実施例５５〜６０と比較例３との比較において、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ２の電流を流したときの発光効率は、比較例３の有機ＥＬ素子の１９．８０ｃｄ／Ａに対し、実施例５５〜６０の有機ＥＬ素子では２３．２３〜２６．３４ｃｄ／Ａといずれも高効率であった。また、電力効率においても、比較例３の有機ＥＬ素子の１６．９０ｌｍ／Ｗに対し、実施例５５〜６０の有機ＥＬ素子では１９．０３〜２１．７２ｍ／Ｗといずれも高効率であった。素子寿命（９７％減衰）においては、比較例３の有機ＥＬ素子の８６時間に対し、実施例５５〜６０の有機ＥＬ素子では２００〜３２６時間と大きく長寿命化した。
＜実施例６１＞
図１に示すように、ガラス基板１上に透明陽極２としてＩＴＯ電極をあらかじめ形成したものの上に、正孔注入層３、第一正孔輸送層５ａ、第二正孔輸送層５ｂ、発光層６、電子輸送層７、電子注入層８、陰極（アルミニウム電極）９の順に蒸着して、有機ＥＬ素子を作製した。
具体的には、膜厚１５０ｎｍのＩＴＯを成膜したガラス基板１をイソプロピルアルコール中にて２０分間超音波洗浄した後、２００℃に加熱したホットプレート上にて１０分間乾燥させた。その後、ＵＶオゾン処理を１５分間行った後、このＩＴＯ付きガラス基板を真空蒸着機内に取り付け、０．００１Ｐａ以下まで減圧した。
続いて、透明陽極２を覆うように正孔注入層３として、前記構造式のＨＩＭ−１を膜厚５ｎｍとなるように形成した。
この正孔注入層３の上に、第一正孔輸送層５ａとして、前記構造式のトリアリールアミン誘導体（６−１）を膜厚６０ｎｍとなるように形成した。
この第一正孔輸送層５ａの上に、第二正孔輸送層５ｂとして、実施例２の化合物（１−６）を膜厚５ｎｍとなるように形成した。
この第二正孔輸送層５ｂの上に、発光層６として、前記構造式の化合物ＥＭＤ−１と実施例１８の化合物（２−３）を、蒸着速度比がＥＭＤ−１：化合物（２−３）＝５：９５となる蒸着速度で二元蒸着を行い、膜厚２０ｎｍとなるように形成した。
この発光層６の上に、電子輸送層７として、下記構造式のアントラセン誘導体（５ａ−１）と前記構造式のＥＴＭ−１を、蒸着速度比がアントラセン誘導体（５ａ−１）：ＥＴＭ−１＝５０：５０となる蒸着速度で二元蒸着を行い、膜厚３０ｎｍとなるように形成した。
この電子輸送層７の上に、電子注入層８として、フッ化リチウムを膜厚１ｎｍとなるように形成した。
最後に、アルミニウムを１００ｎｍ蒸着して陰極９を形成した。
作製した有機ＥＬ素子について、大気中常温で直流電圧を印加したときの発光特性を測定した。測定結果を表４に示した。
（１−６） （１ａ―ａ）
（２−３） （２ａ）
（５ａ−１）
＜実施例６２＞
実施例６１において、第二正孔輸送層５ｂの材料として、化合物（１−６）に代えて実施例６の化合物（１−３４）を用いた以外は、同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。作製した有機ＥＬ素子について、大気中常温で直流電圧を印加したときの発光特性を測定した。測定結果を表４に示した。
＜実施例６３＞
実施例６１において、第二正孔輸送層５ｂの材料として、化合物（１−６）に代えて実施例７の化合物（１−３７）を用いた以外は、同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。作製した有機ＥＬ素子について、大気中常温で直流電圧を印加したときの発光特性を測定した。測定結果を表４に示した。
＜実施例６４＞
実施例６１において、第二正孔輸送層５ｂの材料として、化合物（１−６）に代えて実施例１０の化合物（１−４１）を用いた以外は、同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。作製した有機ＥＬ素子について、大気中常温で直流電圧を印加したときの発光特性を測定した。測定結果を表４に示した。
（１−４１） （１ｂ―ａ）
＜比較例４＞
比較のために、実施例６１において、第一正孔輸送層５ａの材料として、一般式（６−１）のトリアリールアミン誘導体に代えて、前記構造式のアリールアミン化合物（６’−２）を用い、第二正孔輸送層５ｂの材料として、化合物（１−６）に代えて前記構造式のアリールアミン化合物（６’−２）を用いた以外は、同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。この場合、第一正孔輸送層５ａと第二正孔輸送層５ｂは一体の正孔輸送層（厚み６５ｎｍ）として機能する。作製した有機ＥＬ素子について、大気中常温で直流電圧を印加したときの発光特性を測定した。測定結果を表４に示した。
＜実施例６５＞
実施例６１において、発光層６の材料として、化合物（２−３）に代えて実施例３８の化合物（３−１１）を用いた以外は、同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。作製した有機ＥＬ素子について、大気中常温で直流電圧を印加したときの発光特性を測定した。測定結果を表５に示した。
（３−１１） （３ａ―４）
＜実施例６６＞
実施例６５において、第二正孔輸送層５ｂの材料として、化合物（１−６）に代えて実施例６の化合物（１−３４）を用いた以外は、同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。作製した有機ＥＬ素子について、大気中常温で直流電圧を印加したときの発光特性を測定した。測定結果を表５に示した。
＜実施例６７＞
実施例６５において、第二正孔輸送層５ｂの材料として、化合物（１−６）に代えて実施例７の化合物（１−３７）を用いた以外は、同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。作製した有機ＥＬ素子について、大気中常温で直流電圧を印加したときの発光特性を測定した。測定結果を表５に示した。
＜実施例６８＞
実施例６５において、第二正孔輸送層５ｂの材料として、化合物（１−６）に代えて実施例１０の化合物（１−４１）を用いた以外は、同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。作製した有機ＥＬ素子について、大気中常温で直流電圧を印加したときの発光特性を測定した。測定結果を表５に示した。
＜比較例５＞
比較のために、実施例６５において、第一正孔輸送層５ａの材料として、一般式（６−１）のトリアリールアミン誘導体に代えて前記構造式のアリールアミン化合物（６’−２）を用い、第二正孔輸送層５ｂの材料として、化合物（１−６）に代えて前記構造式のアリールアミン化合物（６’−２）を用いた以外は、同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。この場合、第一正孔輸送層５ａと第二正孔輸送層５ｂは一体の正孔輸送層（厚み６５ｎｍ）として機能する。作製した有機ＥＬ素子について、大気中常温で直流電圧を印加したときの発光特性を測定した。測定結果を表５に示した。
実施例６１〜６８および比較例４〜５で作製した有機ＥＬ素子を用いて、素子寿命を測定した結果を表４、５に示した。素子寿命は、発光開始時の発光輝度（初期輝度）を７０００ｃｄ／ｍ２として定電流駆動を行った時、発光輝度が６７９０ｃｄ／ｍ２（初期輝度を１００％とした時の９７％に相当：９７％減衰）に減衰するまでの時間として測定した。
表４に示す様に、発光層の材料が同じ組合せである実施例６１〜６４と比較例４との比較において、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ２の電流を流したときの発光効率は、比較例４の有機ＥＬ素子の２１．３０ｃｄ／Ａに対し、実施例６１〜６４の有機ＥＬ素子では２６．４７〜２７．９５ｃｄ／Ａといずれも高効率であった。また、電力効率においても、比較例４の有機ＥＬ素子の１７．５７ｌｍ／Ｗに対し、実施例６１〜６４の有機ＥＬ素子では２０．００〜２１．４０ｍ／Ｗといずれも高効率であった。素子寿命（９７％減衰）においては、比較例４の有機ＥＬ素子の５１時間に対し、実施例６１〜６４の有機ＥＬ素子では１０７〜１６１時間と大きく長寿命化した。
表５に示す様に、発光層の材料が同じ組合せである実施例６５〜６８と比較例５との比較において、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ２の電流を流したときの発光効率は、比較例５の有機ＥＬ素子の２２．２７ｃｄ／Ａに対し、実施例６５〜６８の有機ＥＬ素子では２４．１０〜２５．３０ｃｄ／Ａといずれも高効率であった。また、電力効率においても、比較例５の有機ＥＬ素子の２１．３４ｌｍ／Ｗに対し、実施例６５〜６８の有機ＥＬ素子では２２．７６〜２３．４７ｍ／Ｗといずれも高効率であった。素子寿命（９７％減衰）においては、比較例５の有機ＥＬ素子の６５時間に対し、実施例６５〜６８の有機ＥＬ素子では１７６〜２１８時間と大きく長寿命化した。
本発明の有機ＥＬ素子は、特定のアリールアミン化合物と特定のインデノインドール誘導体または特定のカルバゾール誘導体（および特定のベンゾトリアゾール誘導体または特定のアントラセン誘導体）を組み合わせることによって、有機ＥＬ素子内部のキャリアバランスを改善し、さらに発光材料の特性に合ったキャリアバランスとなるように材料を組み合わせているので、従来の有機ＥＬ素子と比較して、高発光効率、長寿命の有機ＥＬ素子を実現できることがわかった。
本発明の有機ＥＬ素子においては、特定のアリールアミン化合物と特定のインデノインドール誘導体または特定のカルバゾール誘導体（および特定のベンゾトリアゾール誘導体または特定のアントラセン誘導体）を組み合わせており、これによって、発光効率が向上し、有機ＥＬ素子の耐久性が改善されている。そのため、例えば、家庭電化製品や照明の用途への展開が可能となった。
１ ガラス基板
２ 透明陽極
３ 正孔注入層
５ 正孔輸送層
５ａ 第一正孔輸送層
５ｂ 第二正孔輸送層
６ 発光層
７ 電子輸送層
８ 電子注入層
９ 陰極

Claims (10)

  1. 陽極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び陰極をこの順に有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    前記正孔輸送層が、下記一般式（１ａ−ａ）、（１ａ−ｂ）、（１ｂ−ａ）、（１ｃ−ａ）または（１ｃ−ｂ）で表されるアリールアミン化合物を含有し、
    前記発光層が、下記一般式（２ａ）〜（２ｅ）で表されるインデノインドール誘導体または下記一般式（３ａ−１）〜（３ａ−４）または（３ｂ−１）で表されるカルバゾール誘導体を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
    式中、
    Ａｒ１〜Ａｒ４は、それぞれ、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。
    式中、
    Ｘは、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子、硫黄原子またはモノアリール
    アミノ基を表し、
    Ａ１は芳香族炭化水素の２価基、芳香族複素環の２価基または単結合を表し、
    Ａｒ５は芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、
    Ｒ１〜Ｒ８は、それぞれ、水素原子；重水素原子；フッ素原子；塩素原子；シアノ
    基；ニトロ基；炭素数１〜６のアルキル基；炭素数５〜１０のシクロアルキル基；炭
    素数２〜６のアルケニル基；炭素数１〜６のアルキルオキシ基；炭素数５〜１０のシ
    クロアルキルオキシ基；芳香族炭化水素基；芳香族複素環基；アリールオキシ基；ま
    たは、置換基として芳香族炭化水素基もしくは芳香族複素環基を有するジ置換アミノ
    基；であって、
    Ｒ ５〜Ｒ８は、それぞれの基同士で単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸
    素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよく、
    Ｒ ５〜Ｒ８の一部が脱離し、この脱離により生じた空位に、Ｒ５〜Ｒ８の他の基が
    、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子、硫黄原子またはモノアリールアミノ
    基を介して結合して環を形成してもよく、
    Ｒ９とＲ１０は、それぞれ、炭素数１〜６のアルキル基、芳香族炭化水素基または
    芳香族複素環基であって、単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子
    または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。
    式中、
    Ｘは、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子、硫黄原子またはモノアリール
    アミノ基を表し、
    Ａ２は芳香族炭化水素の２価基、芳香族複素環の２価基または単結合を表し、
    Ａｒ６は芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、
    Ｒ１１〜Ｒ１８は、それぞれ、水素原子；重水素原子；フッ素原子；塩素原子；シ
    アノ基；ニトロ基；炭素数１〜６のアルキル基；炭素数５〜１０のシクロアルキル
    基；
    炭素数２〜６のアルケニル基；炭素数１〜６のアルキルオキシ基；炭素数５〜１０の
    シクロアルキオキシ基；芳香族炭化水素基；芳香族複素環基；アリールオキシ基；ま
    たは置換基として芳香族炭化水素基もしくは芳香族複素環基を有するジ置換アミノ
    基；であり、
    Ｒ １５〜Ｒ１８は、それぞれの基同士で単結合、置換もしくは無置換のメチレン基
    、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよく、
    Ｒ １５〜Ｒ１８の一部が脱離し、この脱離により生じた空位に、Ｒ１５〜Ｒ１８の
    他の基が、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子、硫黄原子またはモノアリー
    ルアミノ基を介して結合して環を形成してもよい。
  2. 前記電子輸送層が、下記一般式（４）で表されるベンゾトリアゾール誘導体を含有する、請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    式中、
    Ａｒ７は芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、
    Ａｒ８は水素原子、重水素原子、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、
    Ｒ１９〜Ｒ２６は、それぞれ、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シア
    ノ基、炭素数１〜６のアルキル基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、
    ｍは０〜２の整数を表し、
    ｍが２である場合、複数個存在するＲ１９、Ｒ２０、Ｒ２１、Ｒ２２は相互に同一
    でも異なっていても良い。
  3. 前記電子輸送層が、下記一般式（５）で表されるアントラセン誘導体を含有する、請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    式中、
    ｐ、ｑは、ｐとｑの和が９となる関係を維持しつつ、ｐは７または８の整数であり
    、ｑは１または２の整数であり、
    Ａ３は芳香族炭化水素の２価基、芳香族複素環の２価基または単結合を表し、
    Ｂは芳香族複素環基を表し、
    Ｃは芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、ｑが２である場合、複数個存
    在するＣは相互に同一でも異なっていても良く、
    Ｄは水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基または炭素数１〜６
    のアルキル基を表し、複数個存在するＤは相互に同一でも異なっていても良い。
  4. 前記アントラセン誘導体が、下記一般式（５ａ）で表される請求項３記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    式中、
    Ａ３は前記一般式（５）で示した意味と同じ意味を表し、
    Ａｒ９〜Ａｒ１１は、それぞれ、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、
    Ｒ２７〜Ｒ３３は、それぞれ、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シ
    アノ基、ニトロ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜１０のシクロアルキル
    基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数１〜６のアルキルオキシ基、炭素数５〜
    １０のシクロアルキルオキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基またはアリー
    ルオキシ基であって、単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または
    硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよく、
    Ｘ１〜Ｘ４は炭素原子または窒素原子を表し、Ｘ１〜Ｘ４の何れか１つのみが窒素
    原子であり、該窒素原子には水素原子を含みＲ２７〜Ｒ３０のいずれも結合していな
    い。
  5. 前記アントラセン誘導体が、下記一般式（５ｂ）で表される請求項３記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    式中、
    Ａ３は前記一般式（５）で示した意味と同じ意味を表し、
    Ａｒ１２〜Ａｒ１４は、それぞれ、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表
    す。
  6. 前記アントラセン誘導体が、下記一般式（５ｃ）で表される請求項３記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    式中、
    Ａ３は前記一般式（５）で示した意味と同じ意味を表し、
    Ａｒ１５〜Ａｒ１７は、それぞれ芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、
    Ｒ３４は水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、炭
    素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜１０のシクロアルキル基、炭素数２〜６のアル
    ケニル基、炭素数１〜６のアルキルオキシ基、炭素数５〜１０のシクロアルキルオキ
    シ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基またはアリールオキシ基を表す。
  7. 前記正孔輸送層が、第一正孔輸送層および第二正孔輸送層の２層構造であって、該第二正孔輸送層が前記発光層側に位置しており且つ前記一般式（１）で表されるアリールアミン化合物を含有する、請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  8. 前記発光層が、燐光性の発光材料を含有する、請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  9. 前記した燐光性の発光材料が、イリジウムまたは白金を含む金属錯体である、請求項８記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  10. 前記した燐光性の発光材料が、赤色発光性ドーパントである、請求項８記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
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