JP6660975B2 - 高電子移動度トランジスタ - Google Patents
高電子移動度トランジスタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP6660975B2 JP6660975B2 JP2018092356A JP2018092356A JP6660975B2 JP 6660975 B2 JP6660975 B2 JP 6660975B2 JP 2018092356 A JP2018092356 A JP 2018092356A JP 2018092356 A JP2018092356 A JP 2018092356A JP 6660975 B2 JP6660975 B2 JP 6660975B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- field limiting
- semiconductor field
- limiting ring
- barrier layer
- algan
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 279
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 126
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims description 97
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 97
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 12
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 6
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 claims description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 228
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 49
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 37
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 11
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 4
- 229910016569 AlF 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000002981 blocking agent Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000003446 memory effect Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7786—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/47—Schottky barrier electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66446—Unipolar field-effect transistors with an active layer made of a group 13/15 material, e.g. group 13/15 velocity modulation transistor [VMT], group 13/15 negative resistance FET [NERFET]
- H01L29/66462—Unipolar field-effect transistors with an active layer made of a group 13/15 material, e.g. group 13/15 velocity modulation transistor [VMT], group 13/15 negative resistance FET [NERFET] with a heterojunction interface channel or gate, e.g. HFET, HIGFET, SISFET, HJFET, HEMT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/2003—Nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/402—Field plates
- H01L29/404—Multiple field plate structures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Description
基板と、
前記基板上に位置するチャネル層と、
前記チャネル層上に位置する障壁層と、
前記障壁層上に位置するソース、ドレイン、及びソースとドレインとの間に位置するショットキーゲートと、
前記障壁層上のショットキーゲートとドレインとの間に位置する少なくとも1つの半導体フィールドリミッティングリングと
を備え、
前記チャネル層の材料はGaNであり、前記障壁層の材料はAlGaNであり、前記半導体フィールドリミッティングリングの材料はAlGaN、n型GaN及びp型GaNのいずれか1種であり、前記半導体フィールドリミッティングリングの材料がAlGaNの場合、前記半導体フィールドリミッティングリングと前記障壁層との接触界面から半導体フィールドリミッティングリングの表面まで、前記半導体フィールドリミッティングリングのAl元素の含有量は次第に減少し、Ga元素の含有量が次第に増加し、あるいは、
前記チャネル層の材料はGaNであり、前記障壁層の材料はInAlNであり、前記半導体フィールドリミッティングリングの材料はInAlN、n型GaN及びp型GaNのいずれか1種であり、前記半導体フィールドリミッティングリングの材料がInAlNの場合、前記半導体フィールドリミッティングリングと前記障壁層との接触界面から半導体フィールドリミッティングリングの表面まで、前記半導体フィールドリミッティングリングのAl元素の含有量は次第に減少し、In元素の含有量が次第に増加する。
前記障壁層の材料及び前記半導体フィールドリミッティングリングの材料がInAlNの場合、InAlNの前記障壁層のAl元素の含有量は、InAlNの半導体フィールドリミッティングリングのAl元素の最大含有量よりも多い。
図1は、本発明の第1実施例による高電子移動度トランジスタの構成図を示す。図2は、本発明の第1実施例による高電子移動度トランジスタの図1のAA1方向に沿うエネルギーバンドを示す。以下、図1と図2を参照しながら本発明の第1実施例について説明する。
図4は、本発明の第2実施例による高電子移動度トランジスタの構成図を示す。図4に示すように、前記高電子移動度トランジスタは、基板11と、基板11上に位置する核形成層18と、核形成層18上に位置するバッファ層19と、バッファ層19上に位置するチャネル層12と、チャネル層12上に位置する障壁層13と、障壁層13上に位置するソース14及びドレイン15と、ソース14とドレイン15との間の位置するショットキーゲート16と、障壁層13上のショットキーゲート16とドレイン15との間に位置する少なくとも2つの半導体フィールドリミッティングリングとを備える。
図5は、本発明の第3実施例による高電子移動度トランジスタの構成図を示す。図5に示すように、前記高電子移動度トランジスタは、基板11と、基板11上に位置する核形成層18と、核形成層18上に位置するバッファ層19と、バッファ層19上に位置するチャネル層12と、チャネル層12上に位置する障壁層13と、障壁層13上に位置するソース14及びドレイン15と、ソース14とドレイン15との間の位置するショットキーゲート16と、障壁層13上のショットキーゲート16とドレイン15との間に位置する少なくとも2つの半導体フィールドリミッティングリングとを備える。前記少なくとも2つの半導体フィールドリミッティングリングは、成分が均一であり、厚さがショットキーゲート16付近からドレイン15付近まで次第に減少する。
図6は、本発明の第4実施例による高電子移動度トランジスタの構成図を示す。図6に示すように、前記高電子移動度トランジスタは、基板11と、基板11上に位置する核形成層18と、核形成層18上に位置するバッファ層19と、バッファ層19上に位置するチャネル層12と、チャネル層12上に位置する障壁層13と、障壁層13上に位置するソース14及びドレイン15と、ソース14とドレイン15との間の位置するショットキーゲート16と、障壁層13上のショットキーゲート16とドレイン15との間に位置する少なくとも2つの半導体フィールドリミッティングリングとを備える。前記少なくとも2つの半導体フィールドリミッティングリングは、その成分の含有量により複数の層に分けられる。前記少なくとも2つの半導体フィールドリミッティングリングは、金属元素の含有量が半導体フィールドリミッティングリングと障壁層13との接触界面から半導体フィールドリミッティングリングの表面まで次第に変化する。ショットキーゲート16付近からドレイン15付近まで最上層の1層を除去して前記少なくとも2つの半導体フィールドリミッティングリングの厚さを減少することにより、階段状のフィールドリミッティングリング構造を形成する。
Claims (6)
- 基板と、
前記基板上に位置するチャネル層と、
前記チャネル層上に位置する障壁層と、
前記障壁層上に位置するソース、ドレイン、及びソースとドレインとの間に位置するショットキーゲートと、
前記障壁層上のショットキーゲートとドレインとの間に位置する少なくとも2つの半導体フィールドリミッティングリングと
を備え、
前記チャネル層の材料はGaNであり、前記障壁層の材料はAlGaNであり、前記半導体フィールドリミッティングリングの材料はAlGaNであり、前記半導体フィールドリミッティングリングと前記障壁層との接触界面から半導体フィールドリミッティングリングの表面まで、前記半導体フィールドリミッティングリングのAl元素の含有量は次第に減少し、Ga元素の含有量が次第に増加し、あるいは、
前記チャネル層の材料はGaNであり、前記障壁層の材料はInAlNであり、前記半導体フィールドリミッティングリングの材料はInAlNであり、前記半導体フィールドリミッティングリングと前記障壁層との接触界面から半導体フィールドリミッティングリングの表面まで、前記半導体フィールドリミッティングリングのAl元素の含有量は次第に減少し、In元素の含有量が次第に増加し、
その中、少なくとも2つの前記半導体フィールドリミッティングリングは、その成分の含有量により複数の層に分けられ、ショットキーゲート付近からドレイン付近まで最上層の1層が順に除去されて少なくとも2つの前記半導体フィールドリミッティングリングの厚さが減少することにより、階段状のフィールドリミッティングリング構造が形成されている、ことを特徴とする高電子移動度トランジスタ。 - 前記少なくとも2つの半導体フィールドリミッティングリングと前記障壁層との間には、圧電効果が存在し、
前記少なくとも2つの半導体フィールドリミッティングリングの表面準位は、フェルミ準位に対してピンニング効果を有し、
前記少なくとも2つの半導体フィールドリミッティングリングは、前記チャネル層と障壁層との界面に形成された二次元電子ガスを部分的に消耗させることに用いられる、ことを特徴とする請求項1に記載の高電子移動度トランジスタ。 - 少なくとも2つの前記半導体フィールドリミッティングリングの間の距離を調節することで、作動時に各前記半導体フィールドリミッティングリングの電界強度が同じになる、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の高電子移動度トランジスタ。
- 前記障壁層の材料及び前記半導体フィールドリミッティングリングの材料がAlGaNの場合、AlGaNの前記障壁層のAl成分の含有量は、AlGaNの半導体フィールドリミッティングリングのAl成分の最大含有量よりも多く、あるいは、
前記障壁層の材料及び前記半導体フィールドリミッティングリングの材料がInAlNの場合、InAlNの前記障壁層のAl成分の含有量は、InAlNの半導体フィールドリミッティングリングのAl成分の最大含有量よりも多い、ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の高電子移動度トランジスタ。 - 前記トランジスタは、前記ソース、ドレイン、ショットキーゲート、少なくとも2つの半導体フィールドリミッティングリング及び障壁層の表面に位置するパッシベーション層をさらに備える、ことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の高電子移動度トランジスタ。
- 前記パッシベーション層の材料は、SiNx、SiO2、AlN又はAl2O3の任意の1種又は任意の複数種の組み合わせである、ことを特徴とする請求項5に記載の高電子移動度トランジスタ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410479659.X | 2014-09-19 | ||
CN201410479659.XA CN104269434B (zh) | 2014-09-19 | 2014-09-19 | 一种高电子迁移率晶体管 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017510338A Division JP6340137B2 (ja) | 2014-09-19 | 2015-02-12 | 高電子移動度トランジスタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018152583A JP2018152583A (ja) | 2018-09-27 |
JP6660975B2 true JP6660975B2 (ja) | 2020-03-11 |
Family
ID=52160941
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017510338A Active JP6340137B2 (ja) | 2014-09-19 | 2015-02-12 | 高電子移動度トランジスタ |
JP2018092356A Active JP6660975B2 (ja) | 2014-09-19 | 2018-05-11 | 高電子移動度トランジスタ |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017510338A Active JP6340137B2 (ja) | 2014-09-19 | 2015-02-12 | 高電子移動度トランジスタ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10256333B2 (ja) |
JP (2) | JP6340137B2 (ja) |
CN (1) | CN104269434B (ja) |
WO (1) | WO2016041321A1 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104269434B (zh) * | 2014-09-19 | 2018-01-05 | 苏州捷芯威半导体有限公司 | 一种高电子迁移率晶体管 |
CN105261643B (zh) * | 2015-09-22 | 2018-04-24 | 宁波大学 | 一种高击穿电压氮化镓基高电子迁移率晶体管 |
CN106558606B (zh) * | 2015-09-25 | 2023-04-14 | 湖南三安半导体有限责任公司 | 一种具有多重栅极结构的晶体管及其制备方法 |
US10741644B2 (en) * | 2016-11-22 | 2020-08-11 | Delta Electronics, Inc. | Semiconductor devices with via structure and package structures comprising the same |
TWI613814B (zh) * | 2016-11-29 | 2018-02-01 | 新唐科技股份有限公司 | 增強型高電子遷移率電晶體元件 |
CN107644915B (zh) * | 2017-09-28 | 2019-09-13 | 英诺赛科(苏州)半导体有限公司 | 具有局部p型帽层的晶体管器件 |
KR102060383B1 (ko) | 2018-02-23 | 2019-12-30 | 한국과학기술연구원 | 3족-5족 화합물 반도체 장치 |
CN110444597B (zh) * | 2018-05-03 | 2021-03-19 | 苏州捷芯威半导体有限公司 | 半导体器件及其制造方法 |
CN110137253A (zh) * | 2019-04-25 | 2019-08-16 | 芜湖启迪半导体有限公司 | 一种耐高压的hemt器件及制备方法 |
CN112018176A (zh) * | 2019-05-30 | 2020-12-01 | 苏州捷芯威半导体有限公司 | 一种半导体器件及其制造方法 |
CN111640671B (zh) * | 2020-06-03 | 2023-04-18 | 上海新傲科技股份有限公司 | 氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法 |
CN113178485A (zh) * | 2020-10-22 | 2021-07-27 | 西南交通大学 | 一种P型槽栅结合极化层结构的GaN HEMT器件 |
CN114509480B (zh) * | 2020-11-16 | 2024-05-14 | 北京中医药大学 | 人工智能生物传感器在检测5-o-甲基维斯阿米醇苷抗过敏活性中的应用 |
CN113594236B (zh) * | 2021-07-28 | 2024-04-26 | 西安电子科技大学 | 一种提高抗单粒子烧毁能力的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4568118B2 (ja) * | 2003-01-29 | 2010-10-27 | 株式会社東芝 | パワー半導体素子 |
US6933544B2 (en) * | 2003-01-29 | 2005-08-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Power semiconductor device |
JP3940699B2 (ja) * | 2003-05-16 | 2007-07-04 | 株式会社東芝 | 電力用半導体素子 |
US7456443B2 (en) * | 2004-11-23 | 2008-11-25 | Cree, Inc. | Transistors having buried n-type and p-type regions beneath the source region |
US9640649B2 (en) * | 2004-12-30 | 2017-05-02 | Infineon Technologies Americas Corp. | III-nitride power semiconductor with a field relaxation feature |
US20070221932A1 (en) * | 2006-03-22 | 2007-09-27 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of fabricating nitride-based semiconductor light-emitting device and nitride-based semiconductor light-emitting device |
JP5186661B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2013-04-17 | 富士通株式会社 | 化合物半導体装置 |
JP5300514B2 (ja) * | 2009-02-05 | 2013-09-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
KR101259126B1 (ko) * | 2011-07-25 | 2013-04-26 | 엘지전자 주식회사 | 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자 및 그 제조방법 |
US8921893B2 (en) * | 2011-12-01 | 2014-12-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Circuit structure having islands between source and drain |
KR101285598B1 (ko) * | 2012-02-06 | 2013-07-15 | 삼성전자주식회사 | 질화물계 이종접합 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US9099433B2 (en) * | 2012-04-23 | 2015-08-04 | Freescale Semiconductor, Inc. | High speed gallium nitride transistor devices |
JP2013229486A (ja) * | 2012-04-26 | 2013-11-07 | Mitsubishi Electric Corp | ヘテロ接合電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
JP5764543B2 (ja) * | 2012-10-26 | 2015-08-19 | 古河電気工業株式会社 | 半導体装置 |
JP2014157993A (ja) * | 2013-02-18 | 2014-08-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体装置 |
JP2014160761A (ja) * | 2013-02-20 | 2014-09-04 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体装置 |
CN103779411B (zh) * | 2014-01-22 | 2017-01-25 | 西安电子科技大学 | 基于超结槽栅的高压器件及其制作方法 |
CN104167444A (zh) * | 2014-08-27 | 2014-11-26 | 电子科技大学 | 一种具有局部帽层的氮化镓基异质结场效应晶体管 |
CN104269434B (zh) * | 2014-09-19 | 2018-01-05 | 苏州捷芯威半导体有限公司 | 一种高电子迁移率晶体管 |
CN104377241B (zh) * | 2014-09-30 | 2017-05-03 | 苏州捷芯威半导体有限公司 | 功率半导体器件及其制造方法 |
-
2014
- 2014-09-19 CN CN201410479659.XA patent/CN104269434B/zh active Active
-
2015
- 2015-02-12 WO PCT/CN2015/072945 patent/WO2016041321A1/zh active Application Filing
- 2015-02-12 JP JP2017510338A patent/JP6340137B2/ja active Active
-
2017
- 2017-03-17 US US15/462,319 patent/US10256333B2/en active Active
-
2018
- 2018-05-11 JP JP2018092356A patent/JP6660975B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2016041321A1 (zh) | 2016-03-24 |
US20170194471A1 (en) | 2017-07-06 |
JP6340137B2 (ja) | 2018-06-06 |
CN104269434B (zh) | 2018-01-05 |
CN104269434A (zh) | 2015-01-07 |
US10256333B2 (en) | 2019-04-09 |
JP2018152583A (ja) | 2018-09-27 |
JP2017528912A (ja) | 2017-09-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6660975B2 (ja) | 高電子移動度トランジスタ | |
US20210320199A1 (en) | Enhancement-mode semiconductor device and preparation method therefor | |
JP6333469B2 (ja) | パワー半導体デバイス及びその製造方法 | |
JP5032965B2 (ja) | 窒化物半導体トランジスタ及びその製造方法 | |
KR101813177B1 (ko) | 고전자이동도 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
JP5668085B2 (ja) | セグメント化ゲートを有するパワートランジスタ | |
US9064847B2 (en) | Heterojunction semiconductor device with conductive barrier portion and manufacturing method | |
US20190296139A1 (en) | Transistor and Method for Manufacturing the Same | |
US20150263155A1 (en) | Semiconductor device | |
TWI621265B (zh) | 半導體裝置及其製作方法 | |
JP2009032713A (ja) | GaNをチャネル層とする窒化物半導体トランジスタ及びその作製方法 | |
KR20190112526A (ko) | 이종접합 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
KR20150065005A (ko) | 노멀리 오프 고전자이동도 트랜지스터 | |
EP3054477A1 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing same | |
JP2008177515A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
CN111584628B (zh) | 增强型GaN HEMT器件及其制备方法 | |
JP6639260B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2011066464A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
JP2011210785A (ja) | 電界効果トランジスタ、およびその製造方法 | |
US10312095B1 (en) | Recessed solid state apparatuses | |
TWM508782U (zh) | 半導體裝置 | |
KR20190112523A (ko) | 이종접합 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
JP2011108712A (ja) | 窒化物半導体装置 | |
US9240474B2 (en) | Enhanced GaN transistor and the forming method thereof | |
JP5117031B2 (ja) | ノーマリオフで動作するhemt |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180511 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190314 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190320 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190507 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191016 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200106 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200121 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200210 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6660975 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |