JP6650828B2 - シリコンの精製方法 - Google Patents
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 51
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 51
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 39
- 238000000746 purification Methods 0.000 title claims description 7
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 43
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 42
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 27
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 23
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 23
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 16
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 claims description 16
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 11
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 11
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 11
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 10
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 6
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 3
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 20
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 12
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 7
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- JCCZVLHHCNQSNM-UHFFFAOYSA-N [Na][Si] Chemical compound [Na][Si] JCCZVLHHCNQSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N Sodium Chemical compound [Na] KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000000935 solvent evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001036 glow-discharge mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000010310 metallurgical process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000001745 non-dispersive infrared spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000009991 scouring Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 1
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 1
- -1 sodium or lithium Chemical class 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000967 suction filtration Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Silicon Compounds (AREA)
Description
本発明は、簡便な手段によって、より低温で、かつ低コストでシリコン中の不純物を除去することのできる、高純度シリコンを得るための新しい精製(精錬)の方法を提供することを目的としている。
即ち、本発明は、
(1)不活性ガス雰囲気下、アルカリ金属とシリコンとを加熱して一方向凝固により、固相のアルカリ金属−シリコン化合物を生成する工程と、この工程で生成した前記アルカリ金属−シリコン化合物の融液からシリコンを晶出させる工程と、を有するシリコンの精製方法において、前記固相のアルカリ金属−シリコン化合物を生成する工程では、アルカリ金属とシリコンとを収容した容器の下部を前記アルカリ金属−シリコン化合物の融点以上に加熱するとともに、前記容器の上部を前記アルカリ金属−シリコン化合物の融点以下に加熱し、前記シリコンを晶出させる工程では、前記容器の上部から得られるアルカリ金属−シリコン化合物を加熱し、前記アルカリ金属−シリコン化合物の融液からシリコンを晶出させるシリコンの精製方法、に関し、
(2)好ましくは、前記固相のアルカリ金属−シリコン化合物を生成する工程で、前記容器の下部の領域の上端を、前記容器の底部から開口部までの高さの底部から40%以上50%以下の位置に設定し、前記容器の上部の領域の下端を、前記容器の底部から開口部までの高さの開口部から50%以上60%以下の位置に設定する(1)に記載のシリコンの精製方法、
(3)好ましくは、前記容器がチタン製である(1)または(2)に記載のシリコンの精製方法、
(4)好ましくは、前記シリコンを晶出させる工程で、アルカリ金属の蒸発をともなう(1)から(3)のいずれかに記載のシリコンの精製方法、
(5)好ましくは、前記固相のアルカリ金属−シリコン化合物を生成する工程の後、得られた前記固相のアルカリ金属−シリコン化合物を前記容器と共に切断して取り出す(1)から(4)のいずれかに記載のシリコンの精製方法に関する。
アルカリ金属と低純度シリコンからなるアルカリ金属−シリコン化合物は、ナトリウム、リチウム等のアルカリ金属の蒸気または融液と、バルク状又は粉末状等の固相のシリコンとを接触及び加熱させることにより生成することができる。用いるアルカリ金属の量は、溶融させたアルカリ金属と共にシリコンを容器の下部と上部とに亘って対流させることができる量であれば特に制限されず、シリコン1モルに対して、1モル〜20モルが好ましく、2モル〜12モルの範囲がさらに好ましい。
容器が、前記のようにアルカリ金属−シリコン化合物の融点以上シリコンの融点以下の温度と、アルカリ金属の融点以上かつアルカリ金属−シリコン化合物の融点未満の温度とに分けて加熱されるのであれば、容器の下部と上部との境は軸線方向のどの位置に設けられていてもよい。尚、加熱するとは、指定された温度範囲に何等かの手段を用いて設定することを意味し、必ずしも熱を加えるだけでなく、高い温度を冷却して指定温度内に設定する場合も含むこととする。
ただし、温度勾配の設定及びアルカリ金属−シリコン化合物を効率よく生成し且つアルカリ金属−シリコン化合物の析出を効率的に行うために、容器の下部の上端は、容器の底部から開口部までの高さの容器の底部から40%以上50%以下の位置に設定されていることが好ましい。反対に、容器の上部の下端は、容器の底部から開口部までの高さの容器の開口部から50%以上60%以下の位置に設定されていることが好ましい。
次に、容器上部において得られた固相のアルカリ金属−シリコン化合物を再び加熱することにより、シリコンを晶出することができる。この晶出方法としては徐冷と溶媒蒸発の2つの方法がある。アルカリ金属がナトリウムの場合、溶媒蒸発が好ましい。溶媒蒸発は、アルカリ金属−シリコン化合物の融液と平衡なアルカリ金属の蒸気圧よりも晶出する容器内のアルカリ金属の蒸気圧を低く設定することにより行われる。
この晶出においても不活性ガス雰囲気下にて行うのが好ましい。ただし、窒素を使用する場合には、500℃以下とするのが好ましい。不活性ガスの圧力は、特に制限されず、1気圧(大気圧)もしくは数気圧程度の加圧でも行うことができるが、溶媒蒸発の場合には、アルカリ金属の蒸発を促進するために、1気圧以下の減圧下に行うのが好ましい。
装置X1は、原料を収容する反応容器(以下、単に「容器」という)1,2と、容器1,2を内部に収容して不活性ガス雰囲気下で間接的に容器1,2を加熱する加熱容器3と、加熱容器3の閉栓部4と、閉栓部4から不活性ガスを流入及び流出させる流入管5a,流出管6a及び開閉弁5b,6bと、加熱容器3を収容する加熱装置7と、冷却機8とを備えている。
容器1,2の底部11の寸法S1と周壁部10の軸線L方向の高さ寸法S2とは、容器1,2の下部P1と容器1,2の上部P2との間で温度差を設け易くし、又はアルカリ金属の流動及びアルカリ金属−シリコン化合物の析出を効率的に行うために、容器1,2の底部11の最大幅又は直径(S1)1に対して高さS2が3以上であることが好ましく、高さS2が10以上であることがより好ましく、高さS2が15以上であることが更に好ましい。
加熱容器3の底部3b近傍と、加熱装置7の開口部付近と、容器1,2を配置した状態で容器1,2の開口部が位置する付近には、それぞれ温度測定部51,52,53が設けられている。
チタン、窒化ホウ素等で作成されたルツボ13に取り出したアルカリ金属−シリコン化合物を入れて、更に、不活性ガス雰囲気下で加熱できる加熱容器7内で加熱する。その際、容器1の上部P2を空冷することで、アルカリ金属(例えばナトリウム)を容器1内にて回収することができる。
窒素ガス(露点:−52.0℃、温度:5.1℃)雰囲気下のグローブボックス(不図示)内で図1に示す容器1,2(チタン製、内径35mm、高さ400mm)内に、シリコン粉末(和光純薬社製、純度98%、粒度:150μm通過分が99.7%以上、メディアン径:489.548μm、不純物組成については表3に示す)30.12g(1.072モル)を充填した。次に、容器1,2を不図示のリボンヒーターで約120℃に加熱し、金属ナトリウム(日本曹達社製、不純物含量(単位はmg/kg)は表1に示す)120.33g(5.234モル)を容器1,2に充填し融解させた。その後、容器1,2を開口した状態で冷却した。
各切断部をチタン製ルツボ13(図2参照)に入れた上で、図2に示すSUS製格納容器12内に移し、格納容器蓋を手締めで取付け、不図示のグローブボックスより取出し、図2に示すようにルツボ炉7に設置した加熱容器3内に移した。アルゴンガスパージを行いながら800℃で加熱容器3内に移した格納容器12を24時間加熱し、金属ナトリウムを蒸発させた。尚、蒸発させた金属ナトリウムを回収するため、ルツボ炉7の外に露出させた加熱容器3の上部P2を冷却機8によって空冷した(図2を参照)。
7:加熱装置(ルツボ炉), 9:蓋部材, 10:周壁部
11:底部, P1:容器の下部, P2:容器の上部
Claims (5)
- 不活性ガス雰囲気下、アルカリ金属とシリコンとを加熱して一方向凝固により、固相のアルカリ金属−シリコン化合物を生成する工程と、この工程で生成した前記アルカリ金属−シリコン化合物の融液からシリコンを晶出させる工程と、を有するシリコンの精製方法において、
前記固相のアルカリ金属−シリコン化合物を生成する工程では、アルカリ金属とシリコンとを収容した容器の下部を前記アルカリ金属−シリコン化合物の融点以上に加熱するとともに、前記容器の上部を前記アルカリ金属−シリコン化合物の融点以下に加熱し、
前記シリコンを晶出させる工程では、前記容器の上部から得られるアルカリ金属−シリコン化合物を加熱し、前記アルカリ金属−シリコン化合物の融液からシリコンを晶出させるシリコンの精製方法。 - 前記固相のアルカリ金属−シリコン化合物を生成する工程で、前記容器の下部の領域の上端を、前記容器の底部から開口部までの高さの底部から40%以上50%以下の位置に設定し、前記容器の上部の領域の下端を、前記容器の底部から開口部までの高さの開口部から50%以上60%以下の位置に設定する請求項1に記載のシリコンの精製方法。
- 前記容器がチタン製である請求項1または2に記載のシリコンの精製方法。
- 前記シリコンを晶出させる工程で、アルカリ金属の蒸発をともなう請求項1から3のいずれか一項に記載のシリコンの精製方法。
- 前記固相のアルカリ金属−シリコン化合物を生成する工程の後、得られた前記固相のアルカリ金属−シリコン化合物を前記容器と共に切断して取り出す請求項1から4のいずれか一項に記載のシリコンの精製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016101099A JP6650828B2 (ja) | 2016-05-20 | 2016-05-20 | シリコンの精製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016101099A JP6650828B2 (ja) | 2016-05-20 | 2016-05-20 | シリコンの精製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017206419A JP2017206419A (ja) | 2017-11-24 |
JP6650828B2 true JP6650828B2 (ja) | 2020-02-19 |
Family
ID=60414760
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016101099A Active JP6650828B2 (ja) | 2016-05-20 | 2016-05-20 | シリコンの精製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6650828B2 (ja) |
-
2016
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017206419A (ja) | 2017-11-24 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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