JP6649021B2 - 負荷開放検出回路 - Google Patents
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Description
このため、負荷駆動回路が設けられるシステム等においては、負荷駆動回路が動作していない動作停止状態においても、負荷の開放状態を検出する必要がある。
このような構成の負荷駆動回路にあっては、スイッチング素子Q1の制御回路や、負荷駆動回路の過電流状態、過熱状態に応じた保護回路の電源が、負荷駆動用のスイッチング素子Q1の入力端子と兼用になっている方式が採られることが多い。
このため、従来は、スイッチング素子Q1の入力端子とは別に、負荷開放検出回路専用の電源を設けるか、例えば、負荷RLと接地間に直列抵抗器R1A,R2Aを接続し(図4参照)、抵抗分圧により得られた電圧を検出することで負荷開放の検出を可能とする方策などが採られていた(例えば、特許文献1等参照)。
また、上述の2つの抵抗器R1A,R2A経由で常時電流が流れるが、電源電圧20Vの時の電流は、電源電圧4Vの時の電流に対して5倍にも増加してしまい消費電力の増加を招くという問題がある。
なお、以下に説明する部材、配置等は本発明を限定するものではなく、本発明の趣旨の範囲内で種々改変することができるものである。
最初に、本発明の実施の形態における負荷開放検出回路の参考例について、図1を参照しつつ説明する。
負荷開放検出回路101は、負荷駆動回路102の負荷(図1においては「RL」と表記)10が開放状態にあるか否かを検出する機能を有するもので、ダイオード駆動用MOSFET(図1においては「Q2」と表記)2と、ツェナーダイオード(図1においては「D1」と表記)5と、状態出力用トランジスタ(図1においては「Q3」と表記)3とを有して構成されたものとなっている。
なお、本発明の実施の形態においては、ダイオード駆動用MOSFET2と状態検出用トランジスタ3には、N型MOSFETが用いられており、特に、ダイオード駆動用MOSFET2にはデプレッション型が用いられている。
まず、負荷駆動回路102において、スイッチング素子としての負荷駆動回路用MOSFET1のドレインと負荷開放検出回路101のダイオード駆動用MOSFET2のドレインが相互に接続されると共に、負荷10を介して図示されない電源から負荷用電源電圧VCCが印加されるようになっている。
なお、本発明の実施の形態において、負荷駆動回路用MOSFET1として、N型MOSFETが用いられている。
一方、ダイオード駆動用MOSFET2のソースは、ゲートと共に、ツェナーダイオード5のアノード、及び、状態検出用トランジスタ3のゲートに接続されており、ツェナーダイオード5のカソードは接地されている。
状態検出用トランジスタ3は、そのドレインが状態出力端子(図1においては「DIAG」と表記)22に接続される一方、ソースは接地されている。
入力端子21に、スイッチング素子としての負荷駆動用MOSFET1をオン状態とするための所要の電圧を印加し、負荷駆動用MOSFET1をオン状態とすると、負荷10と負荷駆動用MOSFET1の節点電位は接地電圧に近い電圧となり、負荷用電源(図示せず)から負荷10が開放状態にない場合には、負荷10、負荷駆動用MOSFET1を介して接地側へ負荷電流が流れる。
この時、ツェナーダイオード5のカソード電位は、ほぼ0Vとなり、状態検出用トランジスタ3はオフ状態となるため、状態出力端子22と接地間は、高インピーダンスとなる。
この状態で、ゲートとソースが短絡されているダイオード駆動用MOSFET2は、定電流源として機能し、その電流は、本発明の実施の形態における負荷駆動回路102が設けられる負荷駆動システム(図示せず)全体に影響を与えないよう負荷電流に対して十分小さな値とするのが好ましく、そのため、そのような電流値となるようにダイオード駆動用MOSFET2のゲート長とゲート幅が選定されたものとなっている。
これが負荷開放状態にない場合の状態出力端子22と接地間の正常な状態である。
これが負荷開放状態にある場合の状態出力端子22と接地間の状態である。
なお、負荷開放状時に、デプレッション型のダイオード駆動用MOSFET2とツェナーダイオード5の接点電圧が確実に接点電位となるようにツェナーダイオード5と並列に抵抗器を接続しても良い。
なお、図1に示された構成要素と同一の構成要素については、同一の符号を付して、その詳細な説明を省略し、以下、異なる点を中心に説明することとする。
この実施例における負荷開放検出回路101Aは、ダイオード駆動用MOSFET2のソースとツェナーダイオード5のカソードとの間に、電流変動補償用の抵抗器(図2においては「R4」と表記)11が直列接続して設けた構成を有するものである。
この抵抗器11は、ダイオード駆動用MOSFET2の閾値電圧の違いによる定電流値変動を補償する機能を果たすものである。
なお、負荷開放検出回路101Aとしての全体の動作は、先に図1を参照しつつ説明した参考例の場合と基本的に同様であるので、ここでの再度の説明は省略することとする。
なお、図1に示された構成要素と同一の構成要素については、同一の符号を付して、その詳細な説明を省略し、以下、異なる点を中心に説明することとする。
この負荷開放検出回路101Bは、図1に示された参考例におけるツェナーダイオード5に代えて、複数の直列接続されたダイオードが設けられた構成を有するものである。
このダイオード6a〜6cの順方向電圧により、図1に示された参考例において、ツェナーダイオード5により発生させていた電圧に相当する電圧を得ることができるものとなっている。
なお、ダイオードの数は、3個に限定されるものではなく、ダイオード駆動用MOSFET2のソースと接地間に必要とされる電圧の大きさに応じて適宜選定されるべきものである。
なお、負荷開放検出回路101Bとしての全体の動作は、先に図1を参照しつつ説明した参考例の場合と基本的に同様であるので、ここでの再度の説明は省略することとする。
2…ダイオード駆動用MOSFET
3…状態検出用トランジスタ
5…ツェナーダイオード
10…負荷
Claims (1)
- 電源に接続された負荷の駆動を、前記負荷と接地間に設けられたスイッチング素子により制御する負荷駆動回路に接続し前記負荷の開放の有無を検出する負荷開放検出回路であって、前記負荷と前記スイッチング素子の接点にドレインが接続されたデプレッション型MOSFETを有し、前記デプレッション型MOSFETのゲート及びソースがツェナーダイオードのカソードに接続される一方、前記ツェナーダイオードのアノードは接地され、前記デプレッション型MOSFETのゲート及びソースと前記ツェナーダイオードのカソードの接点の電位変化をトランジスタを介して状態出力端子に出力し、当該出力により、前記負荷駆動回路の非動作状態における前記負荷の負荷開放の有無を判定可能とした負荷開放検出回路において、
前記デプレッション型MOSFETのソースとツェナーダイオードのカソードとの間に、抵抗器が直列接続されて設けられ、前記抵抗器は、その一方の端部に前記デプレッション型MOSFETのゲート及び前記ツェナーダイオードのカソードが接続される一方、前記抵抗器の他方の端部に前記デプレッション型MOSFETのソースが接続され、
前記デプレッション型MOSFETのゲート及びソースと前記ツェナーダイオードのカソードの接点の電位変化をトランジスタを介して状態出力端子に出力することに代えて、前記デプレッション型MOSFETのゲートと前記ツェナーダイオードのカソードと前記抵抗器の一方の端部との接続点の電位変化をトランジスタを介して状態出力端子に出力するよう構成されてなることを特徴とする負荷開放検出回路。
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