JP2010110093A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置10は、負荷装置4をスイッチング制御するためのパワー半導体素子1、および負荷装置4の異常を検出する半導体集積回路2を備え、さらにパワー半導体素子1の出力端子電圧を抵抗分圧するプルダウン用の分圧回路20、分圧回路20を構成するプルダウン用抵抗14,15から電源供給を受けて負荷装置4の開放検出を行うMOSFET16、および半導体集積回路2から出力される異常信号によってオン、あるいはオフ動作するMOSFET17が内蔵されている。また、負荷装置4の開放状態の検出結果を外部に出力する状態出力端子18を備えている。
【選択図】図1
Description
図1において、10は半導体装置、1は負荷装置4に流れる電流をスイッチング制御するためのパワー半導体素子、2は負荷装置4の異常を検出する半導体集積回路(以下、単に集積回路という。)である。集積回路2では、パワー半導体素子1の過電流、過熱などを検出することで、負荷装置4の異常を検出する。この集積回路2は負荷装置4の異常を検出すると、異常信号を出力すると共に、パワー半導体素子1のゲート電圧を操作して、パワー半導体素子1の保護動作を行う。なお、過電流や過熱などの検出にかかる回路ブロックは図示を省略している。
抵抗14,15は、パワー半導体素子1がオフのときに、主電源6の電源電圧を分圧して、抵抗14,15の接続点から例えば2〜5V程度の電圧が出力されるように、その分圧比を設定する。負荷開放状態となると、抵抗14,15で分圧された電圧が状態出力用のMOSFET16の閾値電圧以下になり、当該MOSFET16はオフになる。したがって、状態出力端子18からは外付け抵抗8によりプルアップ電源9の電位までプルアップされたハイレベルの負荷開放信号が出力される。なお、プルアップ電源9は、半導体装置10の外部に設けられている制御装置へ論理信号を伝達するのに必要な電圧を設定すればよい。例えば5V程度である。
パワー半導体素子1がオンのとき、過電流や過熱などの異常がなければ、状態出力端子18からは外付け抵抗8によりプルアップ電源9の電位までプルアップされたハイレベルの状態検出信号が出力されている。
2 集積回路(半導体集積回路)
4 負荷装置
6 主電源
8 外付け抵抗
9 プルアップ電源
10 半導体装置
11 入力端子
12 出力端子
13 接地端子
14,15 抵抗
16 MOSFET(第1のトランジスタ)
17 MOSFET(第2のトランジスタ)
18 状態出力端子
20 分圧回路
Claims (10)
- 負荷の電流をスイッチング制御するためのパワー半導体素子と、
前記パワー半導体素子の出力端子電圧を分圧する分圧回路と、
前記分圧回路からの電圧を受けて前記負荷の開放検出を行う検出回路と、
外部から所定電圧が供給され、前記検出回路での検出結果に応じて前記所定電圧とは異なる電圧信号を外部に出力する状態出力端子と、
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記状態出力端子は、外部抵抗を介して外部の電源にプルアップされることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記パワー半導体素子、前記分圧回路、および前記検出回路が同一パッケージ内に格納され、該パッケージの外部端子として前記状態出力端子を備えることを特徴とする請求項1または請求項2のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記パワー半導体素子、前記分圧回路、および前記検出回路が同一半導体基板上に形成されていることを特徴とする請求項3記載の半導体装置。
- 前記検出回路は、前記分圧回路で分圧された電圧に基づいてオン、あるいはオフ動作する第1のトランジスタによって構成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記パワー半導体素子の異常を検出する集積回路と、
前記集積回路から出力される異常信号を前記状態出力端子に伝達する伝達回路を備えたことを特徴とする請求項1、請求項2または請求項5のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記伝達回路は、前記集積回路から出力される異常信号に基づいてオン、あるいはオフ動作する第2のトランジスタによって構成されていることを特徴とする請求項6記載の半導体装置。
- 前記第1のトランジスタと、前記第2のトランジスタとが前記状態出力端子に対し共通に接続されていることを特徴とする請求項7記載の半導体装置。
- 前記第1,第2のトランジスタは、前記状態出力端子と接続されたオープンドレイン構造のMOSFETであることを特徴とする請求項5ないし請求項8のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記第1,第2のトランジスタは、前記状態出力端子と接続されたオープンコレクタ構造のパイポーラトランジスタであることを特徴とする請求項5ないし請求項8のいずれかに記載の半導体装置
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2008
- 2008-10-29 JP JP2008278535A patent/JP2010110093A/ja active Pending
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