JP6636588B2 - 磁気動的制動アセンブリ - Google Patents

Description

本発明は、概してダンパに関する。具体的には、本発明は、振動力を絶縁するのに有用な磁気動的減衰のためのアセンブリに関する。

従来の減衰アセンブリは、振動力を絶縁するために使用され、数々の振動負荷を受ける自動車に特に有用である。減衰アセンブリは、でこぼこ道の走行等の環境的な振動およびエンジンのアイドリング等の内部振動の両方を絶縁するため、自動車のエンジンとシャーシとの間でしばしば利用される。これらのアセンブリは、上昇した圧力下にあるときにリバウンドを与えるチャンバを含む。多くの減衰アセンブリは、チャンバをサブチャンバに不透過的に分割する弾性のダイアフラムを有するデカップラを含む仕切りを備える。サブチャンバのうちの一つが上昇した圧力を受ける場合、ダイアフラムは、その他のサブチャンバ内へと屈曲し、振動力を受動的に減退させる。その際、ダイアフラムは、二番目の種類の振動である、エンジンのアイドリングを絶縁するのに特に有用である。現代の傾向は、受動的な減衰が不要な状況に対し、デカップラを作動状態と非作動状態との間で切り替えるための素子を組み込むことである。一つの例が、Funahashiらの米国特許第５、２４６、２１２号に説明されており、ここでダンパは自動車において利用され、振動を受動的に減衰させることができないように、ダイヤフラムを引っ張る分割チャンバの一方の側を曲がった状態になるまで減圧するための真空源を含む。米国特許第９、０２２、３６８号に説明されている別の例は、ダイアフラムを隆起した状態と柔軟な状態とで切り替える強磁性ダイアフラムを通して電気を加えることに関する。しかしながら、これらの従来の減衰ユニットの一般的な欠点は、デカップラの減衰力要求を、単に作動状態以上と非作動状態との間でしか調整できないことである。特に、減衰は必要であるが、振動の振幅および周波数の変化の結果、その程度がより小さい又はより大きい状況では、従来技術は満足のいくような動的なデカップラを提供することができなかった。

本発明は、振動力の絶縁に有用な磁気動的制動アセンブリを提供する。アセンブリは、その中に配置された固定磁気源を有する、主チャンバの境界を成すハウジング壁を含む。弾性材料製のダイアフラムは、主チャンバをサブチャンバに不透過的に分割するアセンブリ内に配置される。ダイアフラムは、固定磁気源の近傍に少なくとも一つの磁気作動素子を含む。電流の供給源は、磁気作動素子、固定磁気源、もしくは双方に通電し、磁気作動素子を固定磁気源に対して引き離す又は引き寄せる。磁気ガイドは、固定磁気源を取り囲み、固定磁気源を磁気作動素子に暴露する間隙を形成する。磁気ガイドは、間隙に向かって磁場のルートを定め、アセンブリの他の部分への外向きの電磁干渉を防ぐ。仕切りは、固定磁気源を取り囲み、固定磁気源を磁気作動素子に暴露する間隙を形成し、間隙に向かって磁場をガイドする磁気ガイドを含む。少なくとも一つの磁気作動素子は、ダイアフラムから軸方向に延びて、間隙に向かって延びる表面リブを形成し、表面リブは、通電状態において間隙に入るような輪郭を有する。ダイアフラムは、その内部に配置され、半径方向および軸方向の支持を与えるため少なくとも一つの磁気作動素子の上方に離間して配置され、表面リブと間隙とを整列させる、非磁性インサートをさらに含む。非磁性インサートは、内側に向かって離間した薄肉部および外側に向かって離間した幅広部を有する段付き表面を含み、少なくとも一つの磁気作動素子は、薄肉部上に配置され、幅広部は、少なくとも横方向および軸方向の外側に向かう電磁干渉の一部のルートを、間隙から間隙内へ戻す。

アセンブリは、特定の用途における電磁干渉を防ぎながら、減衰アセンブリ内の同調を増大させる。可変減衰が求められる環境では、振動の振幅もしくは周波数に依存するが、本発明は、ダイアフラムの可変的な可撓性および運動を提供する。ダイアフラムの運動は、ダイアフラムが暴露される磁場の強度に依存する。さらに、磁気粘性流体ダンパ等の、電磁干渉がない方がよい用途では、磁気ガイドが、磁場のルートを直接ダイアフラムに定め、磁気作動流体の磁場への暴露を防ぐ。

本発明の他の利点は、添付の図面に関連して考慮される時、以下の詳細な説明を参照することで、よりよく理解され、容易に理解されるであろう。
ダイアフラムが自在に屈曲する非通電状態における減衰ユニットの実施形態の一例の断面図である。 磁力によってダイアフラムの運動が抑制される通電状態における減衰ユニットの実施形態の一例の断面図である。 可動コイルおよび固定永久磁石を利用した、本発明の一実施形態の断面図である。 可動コイルおよび固定誘導コイルを利用した本発明の他の実施形態の断面図である。 環状の可動磁石および固定誘導コイルを利用した本発明のさらに別の実施形態の断面図である。 複数のブロック状の可動磁石および固定誘導コイルを利用した本発明の他の実施形態の断面図である。 減衰ユニットへのデカップラの接続を説明する拡大断面図である。 固定永久磁石および可動コイルを利用する、図３Ａに示す実施形態の図形表現である。 固定永久磁石および可動コイルを利用する、図３Ａに示す実施形態の図形表現である。 固定永久磁石および可動コイルを利用する、図３Ａに示す実施形態の図形表現である。 固定誘導コイルを可動コイルとともに利用する、図３Ｂに示す実施形態の図形表現である。 固定誘導コイルを可動コイルとともに利用する、図３Ｂに示す実施形態の図形表現である。 固定誘導コイルを可動コイルとともに利用する、図３Ｂに示す実施形態の図形表現である。 固定誘導コイルを単一の環状の可動磁石とともに利用する、図３Ｃに示す実施形態の図形表現である。 固定誘導コイルを単一の環状の可動磁石とともに利用する、図３Ｃに示す実施形態の図形表現である。 固定誘導コイルを単一の環状の可動磁石とともに利用する、図３Ｃに示す実施形態の図形表現である。 固定誘導コイルを複数のブロック状の可動磁石とともに利用する、図３Ｄに示す実施形態の図形表現である。 固定誘導コイルを複数のブロック状の可動磁石とともに利用する、図３Ｄに示す実施形態の図形表現である。 固定誘導コイルを複数のブロック状の可動磁石とともに利用する、図３Ｄに示す実施形態の図形表現である。

例示的な実施形態を、添付の図面を参照してより完全に説明する。当実施形態は、磁気動的制動アセンブリを対象とする。しかしながら、例示の実施形態は、この開示を完全たらしめるためのみに提供するものであり、当業者にその範囲を十分に伝えるものである。本開示の実施形態の完全な理解を提供するため、多数の具体的な詳細を要素の例として述べる。図面を参照すると、本発明に従って構築された磁気動的制動アセンブリを、図１および図２に全般的に示す。なお、複数の図を通して、同様の符号は、対応する部品を示す。

磁気動的制動アセンブリは、全般的に図１および２に示す減衰ユニット２０を含む。減衰ユニット２０は、内部で主チャンバ２８の境界を成す、ベース部２４と上部２６との間で軸Ａ周りに延びている円柱形状のハウジング壁２２を有する。障壁３０は、ベース部２４および上部２６との間に離間され、主チャンバ２８をベースサブチャンバ３２と上部サブチャンバ３４との間で分割する。障壁３０は、一般的には、ベース部２４と上部２６との間の中央部を軸Ａに垂直に延びる。仕切り３６は、主チャンバ２８内に配置され、内部保持壁３８を含む。内部保持壁３８は、軸Ａ周りに半径方向に延び、段によって分割される第一の部分４０、第二の部分４２、第三の部分４４、および第四の部分４６を含み、各後続の部分は、段において、先行の部分から半径方向外向きに延びる。第一の部分４０は、概ね円柱形状を有する隔離室４８を形成する。第二の部分４２は、第一の部分４０から半径方向外向きに延びて、底部軸受保持空間を形成する。次に、第三の部分４４は、第二の部分４２から半径方向外向きに延びて、デカップラ保持空間を形成する。次の段において、第四の部分４６は、第三の部分４４から半径方向外向きに延びて、上部軸受保持空間を形成する。底部軸受リング５２は、底部軸受リブ５４を含み、第一の部分４０と第二の部分４２との間の段上に位置し、第二の部分４２内に押し込まれる。デカップラ５０は、次の段上に位置し、第三の部分４４内に押し込まれ、主チャンバ２８から隔離室４８を不透過的に絶縁する。上部軸受リング５６は、上部軸受リブ５８を含み、最終段上に位置し、第四の部分４６内に押し込まれる。

図１〜図４に全般的に示すデカップラ５０は、円盤形を有する。デカップラ５０は、可撓性のダイアフラム６２を画定する環状の外部リング６０を含む。外部リング６０は、ダイアフラム６２を軸方向および半径方向の双方で支持し、上部リング側と底部リング側との間で軸方向に延びる。外部リング６０の最外端は、内部保持壁３８の第三の部分４４と圧入接続で係合するサイズにすることができる。外部リング６０は、保持部６８に向かって内側に延びるネック部６６に向かい内側に延びる円形の外側部分６４を形成する断面を有する。保持部６８は、ダイアフラム６２に接続され、ダイアフラム６２を保持する。外部リング６０は、ダイアフラム６２より厚いため、ダイアフラム６２は、上部リング側と底部リング側との間に配置され、上部リング側と底部リング側とから離間している。組み立てられた際、ネック部６６は、外部リング６０の軸方向の屈曲をいくらか可能としながら、第三の部分４４内で円形の外側部分６４を保持するために、底部軸受リブ５４と上部軸受リブ５８との間に隣接して配置される。よって、主チャンバ２８が圧力下に置かれた場合、アセンブリは、隔離室４８に向かう方向、もしくは、隔離室４８から離れる方向へのダイアフラム６２の弾性変位を可能にする。

図３Ａ〜図４に最もよく説明されるように、デカップラ５０に動的リバウンド性を与えるために、仕切り３６は、通電状態にある場合に磁場を用いるために利用される固定磁気源７０を含む。固定磁気源７０は、減衰ユニット２０のハウジング壁２２に面する外側側面および隔離室４８に面する内側側面を含む。デカップラ５０は、内部に埋め込まれ、そこから軸方向に延びてダイアフラムリブ７４を形成する磁気作動素子７２を含む。磁気ガイド７６は、磁場を保持するために固定磁気源７０周りに延びる。磁気ガイド７６は、固定磁気源７０の外側に置かれたスリーブ７８と、固定磁気源７０の内側に配置されたコア８０と、を含む。スリーブ７８およびコア８０は、固定磁気源７０の全体が、デカップラ５０のダイアフラムリブ７４に面するスリーブ７８とコア８０との間の小さな間隙８２を除いて取り囲まれるよう配置される。一つの実施形態において、スリーブ７８は、環状のスリーブ壁８４を含む。スリーブ壁８４は、垂直に、スリーブ壁８４から半径方向内側に延びるスリーブリップ８６まで延びる。コア８０は、環状のコア壁８７を含む。コア壁８７は、そこから半径方向外向きに延びるコアリップ８８まで延びる。スリーブ７８およびコア８０は、磁場を間隙８２内へとガイドし、それをデカップラ５０で方向付け、仕切り３６の外側での電磁干渉を防ぐ。磁気作動素子７２は、使用される磁場まで反応し、そこでは軸方向に延びるダイアフラムリブ７４が、間隙８２内に引き込まれているか、もしくは間隙８２から押し出される。非磁性インサート９０（図４に示す）は、磁気作動素子７２上に置かれ、半径方向および軸方向に支持し、押し引き運動時に磁気作動素子７２を整列させる。インサート９０は非磁性であり、仕切り３６の磁性動作を妨害せず、また、間隙８２に向かって磁場のルートを逆に変更することができる。

図３Ａに示す一つの実施形態において、磁気作動素子７２は、ダイアフラム６２に埋め込まれた可動コイル７２ａを含む。可動コイル７２ａは、ダイアフラム６２の中心周りに環状に延びて、軸方向に突出する環状のリブ７４を形成する。可動コイル７２ａには、非通電状態および通電状態があり、それらの状態を切り替えるために電流の供給源９４に接続される。好ましい実施形態では、可動コイル７２ａは、ダイアフラム６２内へ外側被覆されており、約２００の巻数を含む。またこの実施形態は、ダイアフラム６２に埋め込まれた、環状の非磁性インサート９０（図４に示す）を利用する。非磁性インサート９０は、軸方向段によって分割された薄肉部９６および幅広部９８を含む。非磁性インサート９０は、磁場によって影響を受けることなく、可動コイル７２ａを支持する。可動コイル７２ａは、薄肉部９６の下方に直接配置され、段に隣接している。固定磁気源７０は、コア８０とスリーブ７８との間の内部保持壁３８の第一の部分４０に沿って置かれた少なくとも一つの永久磁石７０ａを含む。好ましい実施形態では、少なくとも一つの永久磁石７０ａは、リング状の磁石一つを含むが、複数の磁石を用いてもよい。永久磁石７０ａは、コア８０およびスリーブ７８によって間隙８２内へガイドされる磁場を生成する。可動コイル７２ａに通電すると、可動コイル７２ａ内へ流れる電流の方向によって、間隙８２に対して可動コイル７２ａを引き寄せるもしくは反発させる電流が形成される。作動中、非磁性インサート９０は、磁場によって影響を受けないままとなり、可動コイル７２ａを間隙８２と整列した状態に保ち、磁場のルートを変更し、磁気ガイド７６の外側での電磁干渉を防ぐ。図５Ａの図形表現は、磁気ガイド７６による磁場のルート変更を示し、磁気ガイド７６および間隙７８の領域に沿った磁場の強度を示す凡例を含む。図５Ｂおよび図５Ｃは、可動コイル７２ａの位置の図形表現であり、可動コイル７２ａの位置は、供給電流量の関数としての誘起磁場の強度に依存する。

図３Ｂに示す別の実施形態では、磁気作動素子７２は、上述のようなダイアフラム６２に埋め込まれた可動コイル７２ａおよび非磁性インサート９０をさらに含む。しかしながら、固定磁気源７０は、コア８０とスリーブ７８との間の内部保持壁３８の第一の部分４０に沿って置かれた固定誘導コイル７０ｂを含む。固定誘導コイル７０ｂは、ボビン１００に何周か巻き付けられ、電流の供給源９４に電気的に接続される。一つの好ましい実施形態では、固定誘導コイル７０ｂは、可動コイル７２ａよりも巻数が多い。一つの例示的な実施形態では、固定誘導コイル７０ｂは、巻数が約４１０である。誘導コイル７０ｂおよび可動コイル７２ａにおける電流変動は、誘導コイル７０ｂおよび可動コイル７２ａを通る電流の方向に依存して、間隙８２から可動コイル７２ａを引き寄せ、反発させる。固定誘導コイル７０ｂを使用する場合、磁気ガイド７６には、ワイヤが通過して延びることが可能とし、固定誘導コイル７０ｂと電流の供給源９４との間の電気接続を形成することを可能にするための、一つもしくはそれ以上の開口が形成されてもよい。図６Ａにおける図形表現は、磁気ガイド７６による磁場のルート変更を示し、磁気ガイド７６および間隙７８の領域に沿った磁場の強度を示す凡例を含む。図６Ｂおよび６Ｃは、可動コイル７２ａの位置の図形表現であるが、可動コイル７２ａの位置は、可動コイル７２ａおよび固定誘導コイル７２ｂの双方に供給される電流量の関数としての誘起磁場の強度に依存する。

図３Ｃに示すさらに別の実施形態では、磁気作動素子７２は、少なくとも一つの可動磁石７２ｂを含む。少なくとも一つの可動磁石７２ｂは、一般的にスリーブ７８とコア８０との間の間隙８２の形状に対応する環状の一つの磁石を含む。可動磁石７２ｂは、常に磁場を供給する。この磁場は常に存在するため、常に二つの相互作用する磁場が存在しないように、この実施形態の固定磁気源７０は固定誘導コイル７０ｂである。したがって、固定誘導コイル７０ｂに通電されると、固定誘導コイル７０ｂは、磁場を生成し、可動磁石を間隙８２内へ引っ張るか、もしくは間隙８２から離れる方向に押す。図７Ａにおける図形表現は、一つの環状の可動磁石７２ｂが使用される場合の磁気ガイド７６による磁場のルート変更を示し、磁気ガイド７６および間隙７８の領域に沿った磁場の強度を示す凡例を含む。図７Ｂおよび７Ｃは、環状の可動磁石７２ｂの位置の図形表現であり、可動磁石７２ｂの位置は、固定誘導コイル７２ｂに供給される電流の量の関数として磁場の強度に依存する。

図３Ｄに示す別の実施形態では、磁気作動素子７２は、複数のブロック磁石７２ｃを含む。ブロック磁石７２ｃは、スリーブ７８とコア８０との間の間隙８２に対応する環状形状にダイアフラム６２上に配置される。先出の実施形態と同様、ブロック磁石７２ｃは、常に磁場を供給する。この磁場が常に存在するため、常に二つの相互作用する磁場が存在しないように、この実施形態の固定磁気源７０は固定誘導コイル７０ｂである。したがって、固定誘導コイル７０ｂに通電されると、固定誘導コイル７０ｂは、磁場を生成し、間隙８２内へブロック磁石７２ｃを引っ張るか、もしくは間隙８２から離れる方向に押す。図８Ａにおける図形表現は、ブロック磁石７２ｃを利用する場合の磁気ガイド７６による磁場のルート変更を示し、磁気ガイド７６および間隙７８の領域に沿った磁場の強度を示す凡例を含む。図８Ｂおよび８Ｃは、ブロック磁石７２ｃの位置の図形表現であり、ブロック磁石７２ｃの位置は、固定誘導コイル７０ｂに供給される電流の量の関数として磁場の強度に依存する。

好ましい実施形態における減衰ユニット２０は、磁気流動性流体（ＭＲ流体）を含む。ＭＲ流体を利用した減衰ユニット２０の障壁３０は、一般的に上部サブチャンバ３４とベースサブチャンバ３２との間に延びる流路１０２を形成する。サブチャンバ３２、３４のうちの一つに振動力によって付加圧力が供されると、ＭＲ流体は加圧されたサブチャンバから加圧の度合いがより低いサブチャンバへと絞り出される（squeezed）。サブチャンバ３２，３４の間でＭＲ流体を移動させる圧力の大きさおよびＭＲ流体が流れる速度を調整するために、ソレノイド１０４が流路１０２に隣接して配置される。ソレノイド１０４に電流が供給されると、流路１０２の周りに延びる磁界が形成される。ＭＲ流体が磁場に曝されると、ＭＲ流体中の磁性粒子は、粘度を増加させるように整列し、それにより流路１０２を通る絞り出しに対して抵抗性が高まる。このように、ＭＲダンパの特定のリバウンド特性は、ソレノイド１０４を通って供給される電流の量によって変化し得る。

固定磁気源７０の磁場をガイドすることに加えて、磁気スリーブ７８およびコア８０は、流路１０２から離れる方向に磁場のルートを変更し局在化させることによって、流路の干渉も防止する。この機能性によれば、ソレノイド１０４によって生成される磁場は、ＭＲ流体と相互作用する唯一の磁場となる。別の言い方をすれば、デカップラ５０の押し引きは、流路１０２の周りの粘度に影響を及ぼさず、ソレノイド１０４は、デカップラ５０の押し引きに影響を与えない。

運転中は、電流の供給源９４は、巻かれた固定誘導コイル７０ｂ又は可動コイル７２ａのいずれかの端部に電流を供給することができる。結果として、生成された磁場の磁極を反転することができ、引く代わりに押す。さらに、必要に応じて電流を増減することができる。増減の一端では電流が供給されないので、ダイアフラム６２は制限無く屈曲する。拡縮の反対側では、最大電流が固定誘導コイル７０ｂ、可動コイル、又はその両方に供給される。最大電流が供給されると、強い磁場が発生し、ダイアフラム６２のリブ９２が間隙８２内に完全に引き込まれ、ダイアフラム６２の振動、すなわち減衰が抑制される。増減の途中では、間隙８２に対するリブ９２の動きをいくらか制限する中程度の電流量を供給することができるが、已然としてダイアフラム６２がある程度の可撓性を保持することを可能にする。電流の供給源９４は、振動の閾値周波数又は振幅を認識し、デカップラ５０からの最適な減衰を得るのに十分な電流を提供するようにプログラムされた、ＣＰＵ１０６などのコントローラに電気的に接続することができる。ＣＰＵ１０６が認識する閾値は、一つ以上のサブチャンバ３２，３４における圧力変化の速度であってもよい。その後、ＣＰＵ１０６は、電流の供給源９４に信号を送り、可動コイル７２ａおよび固定誘導コイル７０ｂ内の特定の方向にある量の電流を供給し、最終的に運転者と乗客の両方により滑らかな乗車を提供することができる。

なお、本明細書に記載された複数の実施形態では、仕切り３６は障壁３０に一体化され、軸Ａに沿って延在することを理解されたい。しかしながら、仕切り３６は、軸Ａからずれていてもよく、減衰ユニット２０内のどこにでも隔離室４８を形成することができる。隔離室４８は大気に開放されていてもよく、又は完全に閉鎖されていてもよい。同様に、振動力は軸Ａに沿っている必要はなく、最終的にデカップラ５０が、それが分割する任意のチャンバの変化する圧力に応答する。さらに、磁気ガイド７６および非磁性インサート９０は、任意の数の適切な材料を含んでいてもよいことを理解されたい。例えば、これらの要素は、磁場、具体的には磁束のルートを変更する高い透磁率を有する材料を含むことができる。非限定的なほんの数例として、これらの材料は、コバルト鉄、パーマロイ、および理想的には高透磁率と低重量とを組み合わせた多くのその他の適切な材料を含むことができる。

明らかに、本発明の多くの改変および変形が上記の教示に照らして可能であり、添付の特許請求の範囲内にある限り、具体的に記載された以外の方法で実施されてもよい。先出の引用は、本発明の新規性がその効用を行使するあらゆる組み合わせを網羅するものと解釈すべきである。装置請求項における「前記」という言葉の使用は、請求項の包含範囲に含まれるよう意図される肯定的な引用である先行詞に言及する、又は、請求項の包含範囲に含まれることを意図しない単語の前に付く。また、請求項中の参照符号は便宜上のものに過ぎず、いかなる意味においても限定として解釈されるべきではない。

Claims (11)

1. 磁気動的制動アセンブリであって、
   ベース部と上部との間を延び、その中の主チャンバの境界を成すハウジング壁を含む、減衰ユニットと、
   前記減衰ユニット内に配置され、前記主チャンバを複数のサブチャンバに不透過的に分割する弾性材料製のダイアフラムを含む、仕切りと、
   電流の供給源と、
   を備え、
   前記ダイアフラムは、少なくとも一つの磁気作動素子を含み、
   前記仕切りは、前記少なくとも一つの磁気作動素子の近傍で磁場を生成するための固定磁気源をさらに含み、
   前記電流の供給源は、前記ダイアフラムの前記少なくとも一つの磁気作動素子を前記固定磁気源に対して調節する磁界が生成されるように、前記電流の供給源が前記仕切りに電流を供給する通電状態と、前記電流の供給源が電流を供給せず、前記ダイアフラムが制限されずに前記サブチャンバのうちの一つで変化した圧力によって屈曲する、非通電状態とを含み、
   前記仕切りは、前記固定磁気源を取り囲み、前記固定磁気源を前記磁気作動素子に暴露する間隙を形成し、前記間隙に向かって前記磁場をガイドする磁気ガイドを含み、
   前記少なくとも一つの磁気作動素子は、前記ダイアフラムから軸方向に延びて、前記間隙に向かって延びる表面リブを形成し、前記表面リブは、前記通電状態において前記間隙に入るような輪郭を有し、
   前記ダイアフラムは、その内部に配置され、半径方向および軸方向の支持を与えるため前記少なくとも一つの磁気作動素子の上方に離間して配置され、前記表面リブと前記間隙とを整列させる、非磁性インサートをさらに含み、
   前記非磁性インサートは、内側に向かって離間した薄肉部および外側に向かって離間した幅広部を有する段付き表面を含み、前記少なくとも一つの磁気作動素子は、前記薄肉部上に配置され、前記幅広部は、少なくとも横方向および軸方向の外側に向かう電磁干渉の一部のルートを、前記間隙から前記間隙内へ戻す、
   磁気動的制動アセンブリ。
2. 前記固定磁気源は、固定誘導コイルを含み、前記電流の供給源は、電流を供給し前記磁場を生成するために前記固定誘導コイルに電気的に接続され、
   前記少なくとも一つの磁気作動素子は、可動磁石を含む、
   又は、
   前記少なくとも一つの磁気作動素子は、可動コイルを含み、前記電流の供給源は、前記可動コイルにも電気的に接続され、前記可動コイルおよび前記固定誘導コイルに独立して電流を供給し、相互作用する磁場を生成する、
   請求項１に記載の磁気動的制動アセンブリ。
3. 前記固定磁気源は、前記磁場を生成する固定永久磁石を含み、前記少なくとも一つの磁気作動素子は、可動コイルを含み、前記可動コイルは、前記可動コイルを作動させる前記電流の供給源に電気的に接続され、前記固定永久磁石によって生成される前記磁場と相互作用する、
   請求項１に記載の磁気動的制動アセンブリ。
4. 前記減衰ユニットは、
   磁気流動性流体を含み、
   流路と、前記流路に入る前記磁気流動性流体の粘度を変化させる、前記流路に隣接したソレノイドと、を有する、
   請求項１から３のいずれか１項に記載の磁気動的制動アセンブリ。
5. 前記磁気動的制動アセンブリは、弾性材料製のダイアフラムを含むデカップラを備え、
   前記固定磁気源は、磁場を生成するため構成されて、前記少なくとも一つの磁気作動素子を引き寄せ、反発させ、
   前記磁気ガイドは、前記磁場を阻止し、前記磁場のルートを前記間隙に向かって変更する、
   請求項１に記載の磁気動的制動アセンブリ。
6. 前記少なくとも一つの磁気作動素子は環状形状を有し、前記間隙は、前記少なくとも一つの磁気作動素子の進入を可能にするために対応する環状形状の輪郭を有する、
   請求項５に記載の磁気動的制動アセンブリ。
7. 前記非磁性インサートは、環状形状である、
   請求項６に記載の磁気動的制動アセンブリ。
8. 前記デカップラは、前記ダイアフラムより剛性が高く、前記ダイアフラムの範囲を定めて、前記ダイアフラムに軸方向および半径方向の支持を与える外部リング部を含む、
   請求項５から７のいずれか１項に記載の磁気動的制動アセンブリ。
9. 前記減衰ユニットは、上部軸受リングおよび底部軸受リングを含み、前記デカップラの前記外部リング部は、前記上部軸受リングおよび前記底部軸受リングとの間に挟み込まれ、前記外部リング部は、円形の外側部分、中間のネック部、および内部保持部を形成する断面を有し、前記軸受リングのそれぞれは、前記円形の外側部分を保持しながら、前記ネック部の軸方向のいくらかの屈曲を可能にするため、前記外部リング部の前記ネック部に向かって向かい合って延びる軸受リブを含む、
   請求項８に記載の磁気動的制動アセンブリ。
10. 前記磁気ガイドは、互いに押しつけられたスリーブおよびコアを含み、前記スリーブは、環状のスリーブ壁を含み、前記環状のスリーブ壁は、前記環状のスリーブ壁から半径方向に内側に向かって延びるスリーブリップまで延び、前記コアは、環状のコア壁を含み、前記環状のコア壁は、前記環状のコア壁から外側に向かって半径方向に延びるコアリップまで延びる、
    請求項５から９のいずれか１項に記載の磁気動的制動アセンブリ。
11. 前記減衰ユニットは、磁気流動性流体を含み、流路と、前記流路に入る前記磁気流動性流体の粘度を変化させる、前記流路に隣接したソレノイドと、を有する、
    請求項５から１０のいずれか１項に記載の磁気動的制動アセンブリ。