JP6624279B2 - 入力素子及び入力装置 - Google Patents

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Description

本発明は、入力素子及び入力装置に関する。
パーソナルコンピュータやタブレット型表示装置、スマートフォン等の電子機器に入力する入力素子として、指やペン等によるタッチ(接触)で位置検出を行う入力素子が知られている。
例えば、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)で形成された基材を一対の導電層で挟み、押圧箇所から発生した電流を検知して位置と圧力とを検知する技術が提案されている(例えば特許文献1)。
しかしながら、PVDFを用いた入力素子では、PVDFの圧電効果により電圧を発生させるにはある程度強い力での押し込み操作が必要である。このため、指先タッチによる軽やかな操作性が得られず、いわゆる二度押し操作等の面倒さが生じることが少なからずあった。
本発明は、このような現状に鑑みてなされたものであり、軽やかな操作性で確実に入力できる入力素子の提供を目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の入力素子は、互いに対向する第1及び第2の電極と、第1及び第2の電極間に配置され、シロキサンを含有するゴムまたはゴム組成物で形成された中間層と、を備えている。
本発明によれば、軽やかな操作性で確実に入力できる入力素子を提供できる。
本発明の第1の実施形態に係る入力素子の構成を示す概要断面図である。 表面改質処理、及び不活性化処理を行った中間層(シリコーンゴム)のXPS測定結果を示す特性図である。 図2で測定した中間層のSi2p結合エネルギーの厚み方向の変化を示すグラフである。 未処理の中間層(シリコーンゴム)のXPS測定結果を示す特性図である。 図4で測定した中間層のSi2p結合エネルギーの厚み方向の変化を示すグラフである。 表面改質処理、及び不活性化処理を行った中間層を有する素子の特性を説明するための断面模式図である。 第2の実施形態における入力装置を示す概要断面図である。 第2の実施形態における入力装置の表示素子の詳細断面図である。 入力装置の分解斜視図である。 入力装置の制御構成図である。 変形例に係る入力装置の分解斜視図である。 同入力装置の制御構成図である。 本発明の入力素子を用いたタッチパネルの構成を示す概要断面図である。 本発明の入力素子を用いたタッチパッドの構成を示す概要断面図である。 スペーサを有する入力素子の概要断面図であって、実施形態の入力素子を示す図である。 スペーサを有する入力素子の概要断面図であって、比較例の入力素子を示す図である。 外付けタイプのタッチパネルの概要断面図であって、入力素子を表示素子の表面側(操作面側)に配置した例の図である。 外付けタイプのタッチパネルの概要断面図であって、入力素子を表示素子の背面側に配置した例の図である。 外付けタイプではないタッチパネルの概要断面図であって、スペーサを有する例の図である。 外付けタイプではないタッチパネルの概要断面図であって、スペーサを有しない例の図である。 感度の評価実験における入力素子の構成を示す断面図である。 入力素子の感度の評価構成を示すブロック図である。 評価機としてのタッキング試験機による入力素子へのプローブの押し付け構成を示す断面図である。 信号出力開始時間の比較実験における実験データのグラフである。 図20における信号出力開始部位の拡大図である。 ヤング率と信号出力開始時間との相関を示すグラフである。 本発明の第3の実施形態に係る入力素子の構成を示す概要断面図である。 第3の実施形態に係る入力素子の変形例の第1の例を示す概要断面図である。 第3の実施形態に係る入力素子の変形例の第2の例を示す概要断面図である。 第3の実施形態に係る入力素子の変形例の第3の例を示す概要断面図である。 第3の実施形態に係る入力素子の変形例の第4の例を示す概要断面図である。 第3の実施形態に係る入力素子の他の変形例の第1の例を示す概要断面図である。 第3の実施形態に係る入力素子の他の変形例の第2の例を示す概要断面図である。 第3の実施形態に係る入力素子の他の変形例の第3の例を示す概要断面図である。 第3の実施形態に係る入力素子の他の変形例の第4の例を示す概要断面図である。 高温負荷評価用の入力素子の構成を示す断面図である。 高温負荷評価用の入力素子の検出感度の評価構成を示すブロック図である。
以下、本発明の実施形態を図を参照して説明する。図1乃至図6に第1の実施形態を示す。
『概要』
図1は、本実施形態に係る入力素子の模式的断面である。入力素子1は、互いに対向する第1の電極2及び第2の電極3と、第1及び第2の電極2,3間に配置され、シロキサンを含有するゴムまたはゴム組成物で形成された中間層4とを有している。
『詳細』
[第1の電極、及び第2の電極]
第1の電極2、及び第2の電極3としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、中でも、タッチに伴って変形できるものが好ましい。
第1の電極2、及び第2の電極3の材質としては、例えば、金属、炭素系導電材料、導電性ゴム組成物、導電性高分子、酸化物などが挙げられる。
金属としては、例えば、金、銀、銅、アルミニウム、ステンレス、タンタル、ニッケル、リン青銅などが挙げられる。炭素系導電材料としては、例えば、カーボンナノチューブ、炭素繊維、黒鉛などが挙げられる。導電性ゴム組成物としては、例えば、導電性フィラーと、ゴムとを含有する組成物などが挙げられる。導電性高分子としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)、ポリピロール、ポリアニリンなどが挙げられる。酸化物としては、例えば、酸化インジウム錫(ITO)、酸化インジウム・酸化亜鉛(IZO)、酸化亜鉛などが挙げられる。
導電性フィラーとしては、例えば、炭素材料(例えば、ケッチェンブラック、アセチレンブラック、黒鉛、炭素繊維、カーボンファイバー(CF)、カーボンナノファイバー(CNF)、カーボンナノチューブ(CNT)、グラフェンなど)、金属フィラー(金、銀、白金、銅、アルミニウム、ニッケルなど)、導電性高分子材料(ポリチオフェン、ポリアセチレン、ポリアニリン、ポリピロール、ポリパラフェニレン、及びポリパラフェニレンビニレンのいずれかの誘導体、又は、これら誘導体にアニオン若しくはカチオンに代表されるドーパントを添加したものなど)、イオン液体などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
ゴムとしては、例えば、シリコーンゴム、変性シリコーンゴム、アクリルゴム、クロロプレンゴム、多硫化ゴム、ウレタンゴム、ブチルゴム、フロロシリコーンゴム、天然ゴム、エチレン・プロピレンゴム、ニトリルゴム、フッ素ゴム、イソプレンゴム、ブタジエンゴム、スチレン・ブタジエンゴム、アクリロニトリル・ブタジエンゴム、エチレン・プロピレン・ジエンゴム、クロロスルホン化ポリエチレンゴム、ポリイソブチレン、変成シリコーンなどが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
素子に透明性が要求される場合は、酸化インジウム錫(ITO)、酸化インジウム・酸化亜鉛(IZO)、酸化亜鉛、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)などの透明電極を選択することが好ましい。
第1の電極2の材質、及び第2の電極3の材質は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。
第1の電極2のパターン、及び第2の電極3のパターンは、一様であってもよいし、分割されていてもよい。電極が分割されている場合は、線状パターン、格子状パターン、ダイヤモンド状パターンなどを複数配置することが好ましい(特許文献2の図7〜9参照)。
電極配置としては、面内一方向に沿って延びる線状のパターンが複数配列しており、第1の電極パターン方向は、第2の電極パターンの方向とは非平行になっている状態が好ましい。特にこれらが直交するのがより好ましい。
線状パターンの幅は、実用上の現実性から、0.5mm〜20mmが好ましく、1mm〜10mmがより好ましい。幅が1mmより狭いと、ペン先のような細い物での入力においても複数の電極が反応することになり不必要な信号処理を増やしてしまい非効率である。
一方、10mmを越えると、指先のタッチや移動による入力に対する滑らかな追従が難しく、入力の位置精度が低下する。
第1の電極2、及び第2の電極3の形成方法としては、蒸着、スパッタ、メッキ、箔の張り合わせ、スクリーン印刷、ブレード塗布などが適用可能である。
第1及び第2の電極2,3の平均厚みは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、導電性及び変形追従性の点から、0.01μm〜200μmが好ましく、0.1μm〜50μmがより好ましい。平均厚みが、0.01μm以上であると、機械的強度が適正であり、導電性が向上する。また、平均厚みが、200μm以下であると、素子が変形可能であり、押圧操作した位置情報及び/又は押圧情報を高感度で高精度に検出できる。
[中間層]
中間層4は、可撓性を有することが好ましい。
中間層4においては、以下の条件(1)及び条件(2)の少なくともいずれかを満たすことが好ましい。
条件(1):中間層4の面に対して直交する方向から中間層4が加圧された際に、中間層4における第1の電極2側(一方側)の変形量と、中間層4における第2の電極3側(他方側)の変形量とが、異なる。
条件(2):中間層4の第1の電極2側における10μm押し込み時のユニバーサル硬度(H1)と、中間層4の第2の電極3側における10μm押し込み時のユニバーサル硬度(H2)とが、異なる。
中間層4においては、以上のように、両面での変形量、又は硬度が異なることにより、大きな電気信号を得ることができる。ここで、電気信号とは、電圧、電流を意味する。
本発明において、変形量とは、以下の条件で中間層4を押し付けた際の、圧子の最大押し込み深さである。
{測定条件}
測定機:フィッシャー社製、超微小硬度計WIN−HUD
圧子:対面角度136°の四角錐ダイヤモンド圧子
初期荷重:0.02mN
最大荷重:1mN
初期荷重から最大荷重までの荷重増加時間:10秒間
ユニバーサル硬度は、以下の方法により求められる。
{測定条件}
測定機:フィッシャー社製、超微小硬度計WIN−HUD
圧子:対面角度136°の四角錐ダイヤモンド圧子
押し込み深さ:10μm
初期荷重:0.02mN
最大荷重:100mN
初期荷重から最大荷重までの荷重増加時間:50秒間
ユニバーサル硬度(H1)と、ユニバーサル硬度(H2)との比(H1/H2)としては、1.01以上が好ましく、1.07以上がより好ましく、1.13以上が特に好ましい。比(H1/H2)の上限値としては、特に制限はなく、例えば、使用状態において要求される可撓性の程度、使用状態における負荷等により適宜選択されるが、1.70以下が好ましい。ここで、H1は、相対的に硬い面のユニバーサル硬度であり、H2は、相対的に柔らかい面のユニバーサル硬度である。
中間層4の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ゴム、ゴム組成物などが挙げられる。ゴムとしては、例えば、シリコーンゴム、変性シリコーンゴム、アクリルゴム、クロロプレンゴム、多硫化ゴム、ウレタンゴム、ブチルゴム、フロロシリコーンゴム、天然ゴム、エチレン・プロピレンゴム、ニトリルゴム、フッ素ゴム、イソプレンゴム、ブタジエンゴム、スチレン・ブタジエンゴム、アクリロニトリル・ブタジエンゴム、エチレン・プロピレン・ジエンゴム、クロロスルホン化ポリエチレンゴム、ポリイソブチレン、変成シリコーンなどが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。これらの中でも、シリコーンゴムは大きな電気信号を得られるため好ましい。また、高温に曝された場合でも検出感度が低下しにくいため好ましい。
シリコーンゴムとしては、シロキサン結合を有するゴムであれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。シリコーンゴムとしては、例えば、ジメチルシリコーンゴム、メチルフェニルシリコーンゴム、フロロシリコーンゴム、変性シリコーンゴム(例えば、アクリル変性、アルキッド変性、エステル変性、エポキシ変性)などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
ゴム組成物としては、例えば、フィラーとゴムとを含有する組成物などが挙げられる。これらの中でも、シリコーンゴムを含有するシリコーンゴム組成物は大きな電気信号を得られるため好ましい。また、高温に曝された場合でも検出感度が低下しにくいため好ましい。
フィラーとしては、例えば、有機フィラー、無機フィラー、有機無機複合フィラーなどが挙げられる。有機フィラーとしては、有機化合物であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。有機フィラーとしては、例えば、アクリル微粒子、ポリスチレン微粒子、メラミン微粒子、ポリテトラフルオロエチレン等のフッ素樹脂微粒子、シリコーンパウダー(シリコーンレジンパウダー、シリコーンゴムパウダー、シリコーン複合パウダー)、ゴム粉末、木粉、パルプ、デンプンなどが挙げられる。無機フィラーとしては、無機化合物であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
無機フィラーとしては、例えば、酸化物、水酸化物、炭酸塩、硫酸塩、ケイ酸塩、窒化物、炭素類、金属、又はその他の化合物などが挙げられる。
酸化物としては、例えば、シリカ、珪藻土、アルミナ、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化鉄、酸化マグネシウムなどが挙げられる。
水酸化物としては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウムなどが挙げられる。
炭酸塩としては、例えば、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウム、ハイドロタルサイトなどが挙げられる。
硫酸塩としては、例えば、硫酸アルミニウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウムなどが挙げられる。
ケイ酸塩としては、例えば、ケイ酸カルシウム(ウォラストナイト、ゾノトライト)、ケイ酸ジルコン、カオリン、タルク、マイカ、ゼオライト、パーライト、ベントナイト、モンモロナイト、セリサイト、活性白土、ガラス、中空ガラスビーズなどが挙げられる。
窒化物としては、例えば、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素などが挙げられる。
炭素類としては、例えば、ケッチェンブラック、アセチレンブラック、黒鉛、炭素繊維、カーボンファイバー、カーボンナノファイバー、カーボンナノチューブ、フラーレン(誘導体を含む)、グラフェンなどが挙げられる。
金属としては、例えば、金、銀、白金、銅、鉄、アルミニウム、ニッケルなどが挙げられる。
その他の化合物としては、例えば、チタン酸カリウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸ジルコン酸鉛、炭化ケイ素、硫化モリブテン、などが挙げられる。なお、無機フィラーは、表面処理をしていてもよい。
有機無機複合フィラーとしては、有機化合物と無機化合物とを分子レベルで組み合わせた化合物であれば特に制限されずに用いることができる。
有機無機複合フィラーとしては、例えば、シリカ・アクリル複合微粒子、シルセスキオキサンなどが挙げられる。
フィラーの平均粒径は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、0.01μm〜30μmが好ましく、0.1μm〜10μmがより好ましい。平均粒径が、0.01μm以上であると、電気信号が大きくなることがある。また、平均粒径が、30μm以下であると、中間層4が変形可能であり、押圧操作した位置情報及び/又は押圧情報を高感度で高精度に検出できる。
平均粒径は、公知の粒度分布測定装置、例えば、マイクロトラックHRA(日機装株式会社製)などを用いて、公知の方法に従って測定することができる。
フィラーの含有量は、ゴム100質量部に対して、0.1質量部〜100質量部が好ましく、1質量部〜50質量部がより好ましい。含有量が、0.1質量部以上であると、電気信号が大きくなることがある。また、含有量が、100質量部以下であると、中間層4が変形可能であり、押圧操作した位置情報及び/又は押圧情報を高感度で高精度に検出できる。
その他の成分としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば添加剤などが挙げられる。その他の成分の含有量は、本発明の目的を損なわない程度で適宜選定することができる。
添加剤としては、例えば、架橋剤、反応制御剤、充填剤、補強剤、老化防止剤、導電性制御剤、着色剤、可塑剤、加工助剤、難燃剤、紫外線吸収剤、粘着付与剤、チクソ性付与剤などが挙げられる。
中間層4を構成する材料の調製方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、ゴム組成物の調製方法としては、ゴム及びフィラー、更に必要に応じてその他の成分を混合し、混錬分散することにより調製することができる。
中間層4の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、ゴム組成物の薄膜の形成方法としては、ゴム組成物を、基材上にブレード塗装、ダイ塗装、ディップ塗装などで塗布し、その後、熱や電子線などで硬化する方法が挙げられる。
中間層4の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、変形追従性の点から、1μm〜500μmが好ましく、20μm〜200μmがより好ましい。平均厚みが、好ましい範囲内であると、成膜性が確保でき、かつ変形を阻害することもないため、押圧操作した位置情報及び/又は押圧情報を高感度で高精度に検出できる。
中間層4は、絶縁性であることが好ましい。絶縁性としては、10Ωcm以上の体積抵抗率を持つことが好ましく、1010Ωcm以上の体積抵抗率を持つことがより好ましい。中間層4は、複層構造であってもよい。
(表面改質処理、及び不活性化処理)
中間層4において、両面での変形量、又は硬度を異ならせる方法としては、例えば、表面改質処理、不活性化処理などが挙げられる。これらの処理は、両方を行ってもよいし、片方のみを行ってもよい。
<表面改質処理>
表面改質処理としては、例えば、プラズマ処理、コロナ放電処理、電子線照射処理、紫外線照射処理、オゾン処理、放射線(X線、α線、β線、γ線、中性子線)照射処理などが挙げられる。これらの処理の中でも、処理スピードの点から、プラズマ処理、コロナ放電処理、電子線照射処理が好ましいが、ある程度の照射エネルギーを有し、材料を改質しうるものであれば、これらに限定されない。
《プラズマ処理》
プラズマ処理の場合、プラズマ発生装置としては、例えば、平行平板型、容量結合型、誘導結合型のほか、大気圧プラズマ装置でも可能である。耐久性の観点から、減圧プラズマ処理が好ましい。
プラズマ処理における反応圧力としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、0.05Pa〜100Paが好ましく、1Pa〜20Paがより好ましい。
プラズマ処理における反応雰囲気としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、不活性ガス、希ガス、酸素などのガスが有効であるが、効果の持続性においてアルゴンが好ましい。
その際、酸素分圧を5,000ppm以下とすることが好ましい。反応雰囲気における酸素分圧が、5,000ppm以下であると、オゾンの発生を抑制でき、オゾン処理装置の使用を控えることができる。
プラズマ処理における照射電力量は、(出力×照射時間)により規定される。照射電力量としては、5Wh〜200Whが好ましく、10Wh〜50Whがより好ましい。照射電力量が、好ましい範囲内であると、中間層4に電気信号を発生させる機能を付与でき、かつ照射過剰により耐久性を低下させることもない。
《コロナ放電処理》
コロナ放電処理における印加エネルギー(積算エネルギー)としては、6J/cm〜300J/cmが好ましく、12J/cm〜60J/cmがより好ましい。印加エネルギーが、好ましい範囲内であると、中間層4に電気信号を発生させる機能を付与でき、かつ照射過剰により耐久性を低下させることもない。
《電子線照射処理》
電子線照射処理における照射量としては、1kGy以上が好ましく、300kGy〜10MGyがより好ましい。照射量が、好ましい範囲内であると、中間層4に電気信号を発生させる機能を付与でき、かつ照射過剰により耐久性を低下させることもない。
電子線照射処理における反応雰囲気としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、アルゴン、ネオン、ヘリウム、窒素等の不活性ガスを充填し酸素分圧を5,000ppm以下とすることが好ましい。反応雰囲気における酸素分圧が、5,000ppm以下であると、オゾンの発生を抑制でき、オゾン処理装置の使用を控えることができる。
《紫外線照射処理》
紫外線照射処理における紫外線としては、波長365nm以下で200nm以上が好ましく、波長320nm以下で240nm以上がより好ましい。
紫外線照射処理における積算光量としては、5J/cm〜500J/cmが好ましく、50J/cm〜400J/cmがより好ましい。積算光量が、好ましい範囲内であると、中間層4に電気信号を発生させる機能を付与でき、かつ照射過剰により耐久性を低下させることもない。
紫外線照射処理における反応雰囲気としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、アルゴン、ネオン、ヘリウム、窒素等の不活性ガスを充填し酸素分圧を5,000ppm以下とすることが好ましい。反応雰囲気における酸素分圧が、5,000ppm以下であると、オゾンの発生を抑制でき、オゾン処理装置の使用を控えることができる。
従来技術として、プラズマ処理、コロナ放電処理、紫外線照射処理、電子線照射処理などにより励起又は酸化させることで活性基を形成し、層間接着力を高めることが提案されている。しかし、その技術は、層間への適用に限定され、最表面への適用はむしろ離型性を低下させるため好ましくないことがわかっている。また、反応を酸素リッチな状態下で行い、効果的に反応活性基(水酸基)を導入している。そのため、そのような従来技術は、本発明の表面改質処理とは本質が異なる。
本発明の表面改質処理は、酸素が少なく減圧された反応環境による処理(例えば、プラズマ処理)のため、表面の再架橋及び結合を促し、例えば、「結合エネルギーの高いSi−O結合の増加」に起因して耐久性が向上する。
さらに加えて「架橋密度向上による緻密化」に起因して離型性が向上すると考えられる。なお、本発明においても一部活性基は形成されてしまうが、後述するカップリング剤や風乾処理にて、活性基を不活性化させている。
<不活性化処理>
中間層4の表面は、各種材料を用いて、適宜不活性化処理が施されてもよい。
不活性化処理としては、中間層4の表面を不活性化させる処理であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、不活性化剤を中間層4の表面に付与する処理が挙げられる。不活性化とは、中間層4の表面を、化学反応を起こしにくい性質に変化させることを意味する。この変化は、プラズマ処理、コロナ放電処理、紫外線照射処理、電子線照射処理などによる励起又は酸化によって発生した活性基(例えば、−OHなど)を不活性化剤と反応させて、中間層4の表面の活性度を下げることで得られる。
不活性化剤としては、例えば、非晶質樹脂、カップリング剤などが挙げられる。非晶質樹脂としては、例えば、主鎖にパーフルオロポリエーテル構造を有する樹脂などが挙げられる。
カップリング剤としては、例えば、金属アルコキシド、金属アルコキシドを含む溶液などが挙げられる。
金属アルコキシドとしては、例えば、下記一般式(1)で表される化合物や、重合度2〜10程度のそれらの部分加水分解重縮合物又はそれらの混合物などが挙げられる。
(4−n)Si(OR・・・一般式(1)
ただし、一般式(1)中、R及びRは、それぞれ独立に、炭素数1〜10の直鎖状又は分枝状のアルキル基、アルキルポリエーテル鎖、及びアリール基のいずれかを表す。nは、2〜4の整数を表す。
不活性化処理は、例えば、ゴムなどの中間層前駆体に表面改質処理を行った後に、中間層前駆体の表面に不活性化剤を塗布又はディッピング等により含浸させることによって行うことができる。
中間層前駆体としてシリコーンゴムを用いた場合は、表面改質処理を行った後に、空気中に静置して風乾することにより、失活させてもよい。
中間層4の厚み方向における酸素濃度のプロファイルは、極大値を有することが好ましい。中間層4の厚み方向における炭素濃度のプロファイルは、極小値を有することが好ましい。
中間層4において、酸素濃度のプロファイルが極大値を示す位置と、炭素濃度のプロファイルが極小値を示す位置とは、一致することがより好ましい。
酸素濃度のプロファイル、及び炭素濃度のプロファイルは、X線光電子分光分析法(XPS)によって求めることができる。
測定方法は、例えば、以下の方法が挙げられる。
{測定方法}
測定装置:Ulvac−PHI QuanteraSXM、アルバック・ファイ株式会社製
測定光源:Al(mono)
測定出力:100μmφ、25.1W
測定領域:500μm×300μm
パスエネルギー:55eV(narrow scan)
エネルギーstep:0.1eV(narrow scan)
相対感度係数:PHIの相対感度係数を使用
スパッタ源:C60クラスターイオン
Ion Gun 出力:10 kV、10 nA
Raster Control:(X=0.5,Y=2.0)mm
スパッタレート:0.9nm/min(SiO換算)
XPSでは、光電子効果により飛び出す電子を捕捉することにより、測定対象物中の原子の存在濃度比や結合状態を知ることができる。
シリコーンゴムは、シロキサン結合を有し、主成分がSi、O、及びCである。そのため、中間層4において、その材質としてシリコーンゴムを用いた場合、XPSのワイドスキャンスペクトルを測定し、各元素の相対ピーク強度比から、表層から内部に存在する各原子の深さ方向の存在濃度比を求めることができる。その一例を図2に示す。ここで、各原子はSi、O、及びCであり、存在濃度比は(atomic%)である。
図2は、シリコーンゴムを用い、更に表面改質処理(プラズマ処理)及び不活性化処理を行って得られた中間層4のサンプルである。図2において、横軸は表面から内部方向への分析深さであり、縦軸は存在濃度比である。
更に、シリコーンゴムの場合、Siの2p軌道の電子が飛び出すエネルギーを測定することにより、ケイ素に結合している元素及び結合状態を知ることができる。そこで、Siの結合状態を示すSi2p軌道におけるナロースキャンスペクトルからピーク分離を行い、化学結合状態を求めた。
その結果を図3に示す。図3の測定対象は、図2の測定に用いたサンプルである。図3において、横軸は結合エネルギーであり、縦軸は強度比である。また、下から上に向かっては深さ方向での測定スペクトルを示している。
一般に、ピークシフトの量は結合状態に依存することが知られており、本件に関するシリコーンゴムの場合、Si2p軌道において高エネルギー側にピークがシフトするということは、Siに結合している酸素の数が増えていることを示す。
これによれば、シリコーンゴムにおいて、表面改質処理及び不活性化処理を行うと、表層から内部に向かって酸素が多くなり極大値を持ち、また炭素が減少し極小値を持つ。さらに深さ方向に分析をすすめると酸素が減少して炭素が増加し、ほぼ未処理のシリコーンゴムと同等の原子存在濃度となる。
さらに図2のαの位置で検出された酸素の極大値は、Si2p結合エネルギーシフトが高エネルギー側にシフトすることと一致(図3のαの位置)しており、酸素増加がSiに結合した酸素の数に起因することが示されている。
未処理のシリコーンゴムについて同様の分析をした結果を、図4及び図5に示す。
図4には、図2にみられたような酸素濃度の極大値、及び炭素濃度の極小値は見られない。更に、図5より、Si2p結合エネルギーシフトが高エネルギー側にシフトする様子もみられないことから、Siに結合した酸素の数も変化していないことが確認された。
以上のように、カップリング剤等の不活性化剤を中間層4の表面に塗布又はディッピングして浸透させることにより、不活性化剤が中間層4に染み込んでいく。カップリング剤が、一般式(1)で表される化合物などの場合、中間層4においては、シロキサンが濃度分布をもって存在するようになり、この分布はシロキサンに含まれる酸素原子が深さ方向に極大値を有するような分布となる。
結果として、中間層4は、3つ〜4つの酸素原子と結合したケイ素原子を有するシロキサンを含有することとなる。
なお、不活性化処理の方法としては、ディッピング工法に限らない。例えば、シロキサンに含まれる酸素原子が、中間層4の深さ方向(厚み方向)に極大値を有するような分布を実現できればよく、プラズマCVD、PVD、スパッタリング、真空蒸着、燃焼化学気相蒸着などの方法でもよい。
中間層4は、静置状態において初期表面電位を持つ必要はない。なお、静置状態における初期表面電位は、以下の測定条件で測定できる。ここで、初期表面電位を持たないとは、下記測定条件で測定した際に、±10V以下を意味する。
{測定条件}
前処理:温度30℃相対湿度40%雰囲気に24h静置後、除電を60sec(Keyence製のSJ−F300を使用)
装置:Treck Model344
測定プローブ:6000B−7C
測定距離:2mm
測定スポット径:直径10mm
本実施形態の素子においては、摩擦帯電に似たメカニズムでの帯電と、内部電荷留保による表面電位差の発生とが、中間層4の両面の硬度差に基づく変形量の差に起因して静電容量の偏りを生み出すことにより、電荷が移動して電気信号が発生すると推測される。
素子は、中間層4と、第1及び第2の電極2,3の少なくとも一方は、互いに接着されていないことが好ましい。更には、中間層4と、第1の電極2及び第2の電極3の少なくともいずれかとの間に空間を有することが好ましい。そうすることにより、摩擦ないし剥離帯電の機会が増え、電気信号を大きくすることができる。
空間を設ける方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、中間層4と、第1の電極2及び第2の電極3の少なくともいずれかとの間にスペーサを配置する方法などが挙げられる。
スペーサとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。スペーサの材質としては、例えば、高分子材料、無機材料、有機無機複合材料、ゴム、金属、導電性高分子材料、導電性ゴム組成物などが挙げられる。
高分子材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリ塩化ビニル、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、アクリル樹脂などが挙げられる。ゴムとしては、例えば、シリコーンゴム、変性シリコーンゴム、アクリルゴム、クロロプレンゴム、多硫化ゴム、ウレタンゴム、ブチルゴム、フロロシリコーンゴム、天然ゴム、エチレン・プロピレンゴム、ニトリルゴム、フッ素ゴム、イソプレンゴム、ブタジエンゴム、スチレン・ブタジエンゴム、アクリロニトリル・ブタジエンゴム、エチレン・プロピレン・ジエンゴム、クロロスルホン化ポリエチレンゴム、ポリイソブチレン、変成シリコーンなどが挙げられる。
無機材料としては、シリカ、酸化亜鉛、酸化チタン、水酸化アルミニウム等が挙げられる。高分子材料と無機材料との複合材料を用いても良い。
金属としては、例えば、金、銀、銅、アルミニウム、ステンレス、タンタル、ニッケル、リン青銅などが挙げられる。導電性高分子材料としては、例えば、ポリチオフェン、ポリアセチレン、ポリアニリンなどが挙げられる。導電性ゴム組成物としては、例えば、導電性フィラーとゴムとを含有する組成物などが挙げられる。
導電性フィラーとしては、例えば、炭素材料(例えば、ケッチェンブラック、アセチレンブラック、黒鉛、炭素繊維、カーボンファイバー、カーボンナノファイバー、カーボンナノチューブ、グラフェンなど)、金属(例えば、金、銀、白金、銅、鉄、アルミニウム、ニッケルなど)、導電性高分子材料(例えば、ポリチオフェン、ポリアセチレン、ポリアニリン、ポリピロール、ポリパラフェニレン、及びポリパラフェニレンビニレンのいずれかの誘導体、又は、これら誘導体にアニオン若しくはカチオンに代表されるドーパントを添加したものなど)、イオン液体などが挙げられる。
ゴムとしては、例えば、シリコーンゴム、変性シリコーンゴム、アクリルゴム、クロロプレンゴム、多硫化ゴム、ウレタンゴム、ブチルゴム、フロロシリコーンゴム、天然ゴム、エチレン・プロピレンゴム、ニトリルゴム、フッ素ゴム、イソプレンゴム、ブタジエンゴム、スチレン・ブタジエンゴム、アクリロニトリル・ブタジエンゴム、エチレン・プロピレン・ジエンゴム、クロロスルホン化ポリエチレンゴム、ポリイソブチレン、変成シリコーンなどが挙げられる。
スペーサの形態としては、例えばシート、フィルム、メッシュ、ドットなどが挙げられる。ドットの形状は例えば、球状、円柱状、角柱状などを用いる事ができる。スペーサの形状、大きさ、設置場所などは、素子の構造に応じて選択する。初期状態では中間層4、と第1の電極2と第2の電極3の少なくともいずれかとの間に空間を有し、押圧が加わったときに中間層4が撓むあるいはスペーサが中間層4にめり込むことによって電極と中間層4が局所的に接触する状態を実現できるような、形状、大きさ、設置場所などを設定する。
図6に示すように、第1の電極2をa、中間層4をb、第2の電極3をcと表示すると、中間層bの第1の電極a側に上記表面改質処理又は不活性化処理を行った場合、中間層bの第1の電極a側が第2の電極c側よりも硬くなる。従って、ユニバーサル硬度についてH1>H2となる。
これにより、同じ変形付与力である加圧力Fが第1の電極a側と第2の電極c側に作用した場合、中間層bの第1の電極a側の変形の度合いが、第2の電極c側よりも小さくなる。
図7A乃至図13に基づいて、上記入力素子1を用いた入力装置(第2の実施形態)を説明する。
図7Aに示すように、入力装置5は、入力素子1と、表示素子6と、入力操作面側(視認面側)である第1の電極2の上面を覆う保護層7と、中間層4が押圧されることで発生する電気信号を処理する信号処理部8(図8参照)とを備えている。
表示素子6は、図7Bに示すように、液晶9と、TFT(薄膜トランジスタ)10と、一対の基板11と、一対の偏光板12とを有している。
入力素子1と表示素子6との一体構成は、タッチパネル(タッチスクリーン)としてなる。
図8に示すように、入力素子1の第1の電極2は、第1の方向(X方向)に沿ってストライプ状に配列した複数の電極2xからなる。第2の電極3は第1の方向と直交する第2の方向(Y方向)に沿ってストライプ状に配列した複数の電極3yからなる。
第1の電極2、第2の電極3、中間層4は、中間層4の厚み方向(Z方向)の両側を第1の電極2と第2の電極3とで挟むように積層されている。
第1の電極2の各電極2xは配線13を介して、第2の電極3の各電極3yは配線14を介して、それぞれ信号処理部8に電気的に接続されている。
図9に示すように、信号処理部8は、押圧位置を検出する位置検出部8Aと、押圧力を検出する圧力検出部8Bとを有している。
押圧により中間層4から発せられる電気信号は、押圧位置に応じた部位の電極を通って信号処理部8に入力される。信号が発生した第1の電極2と第2の電極3との組み合わせによるマトリクス状の位置座標から、位置検出部8Aにおいて押圧位置が検出(特定)される。同時に、信号波形の電圧値から、圧力検出部8Bにおいて押圧力の大きさが検出される。
押圧力の検出においては、発生した電圧信号のピーク値を利用してもよく、電圧の時間積分値を利用してもよい。想定する用途によって適切な処理をすることが望ましい。
図10及び図11に、入力装置5の変形例を示す。
図10に示すように、第1の電極2の電極2xと交互に接地電極15xがX方向に配置され、圧力測定に使用する圧力測定電極16yがY方向に配置されている。
圧力を検知する電極と位置を検知する電極とを別々にし、接地することで信号電圧の値をより正確に取得することができる。
図8に示した構成の場合と同様に、押圧により電気信号が発生した第1と第2の電極2,3の組合せによるマトリクス状の位置座標から、位置検出部8Aにおいて押圧位置が検出される。
図11に示すように、圧力測定電極16yは不図示の抵抗を介してキャパシタ17と電圧検出器18とに接続されている。接地電極15xは接地されている。押圧により中間層4に生じ、圧力測定電極16yで検出される電荷は、キャパシタ17の電圧信号として測定される。
この測定電圧値は押圧力を示す値であり、圧力がかかり続けている間はキャパシタ17に保持されているので、静圧を検知することができる。このようにして押圧位置と押圧力それぞれの値を単一の中間層4から取得するとともに静圧を検知することができる。
繰り返される入力操作に対する保護を担う保護層7の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。保護層7としては、例えば、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリプリピレン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ガラス板などが挙げられる。保護層7の表面には反射防止膜、傷や汚れ防止のハードコート層などが形成されていてもよい。
表示素子6の基板11の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。基板11としては、例えば、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ガラス板などが挙げられる。
本発明の入力素子を表示素子の表示部分に重ねてタッチパネルとして使用する場合、表示素子としては特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。表示素子としては、例えば、液晶ディスプレイ、有機ELディスプレイ、プラズマディスプレイ、電子ペーパーなどが挙げられる。
表示素子との組合せ方法としては、本発明の入力素子から押圧信号をとれる構造であれば特に制限は無い。基本的な実施形態としては、図12に示すように、液晶9を偏光板12で挟んだ従来既知の表示素子19の上に入力素子1を積層した、いわゆる外付けタイプのタッチパネル(入力装置)として好適に使うことができる。
図13に示すように、本発明の入力素子1を、絶縁性のカバーシート20で覆うことにより、独立した位置入力素子(ポインティングデバイス)としてのタッチパッド21を構成することができる。図13において、符号22は絶縁層を示している。
タッチパッドとして使用する場合は、組み合わせる表示素子付き電子デバイスとしては特に制限は無く、ノート型のパーソナルコンピュータに付属のタッチパッドをはじめ、描画・作図装置に付属のペンタブレット、ゲーム機器類に付属の入力コントローラー等に用いることができる。
図14A乃至16Bに基づいてスペーサを有する入力素子等について説明する。
図14Aに示すように、入力素子1’は、中間層4の表面改質処理がなされた側に対向する第1の電極2と中間層4との間にスペーサ23を有している。なお、第1及び第2の電極2,3の形状は上記のようにストライプ状でも面でもよい。
スペーサ23を設けることにより、中間層4と第1の電極2とは互いに接合されていない部分を有することとなり、上記のように摩擦ないし剥離帯電の機会が増えて電気信号(出力電圧)を大きくすることができる。
図14Bは、後述する比較例の構成を示すもので、中間層4に代えてPVDF24を設けている。
図15Aは、スペーサを有する入力素子1’を備えた外付けタイプのタッチパネルを示している。図15Bは入力素子1’が表示素子6の入力操作面側に設けられている例である。
本発明の入力素子は、後述する実施例から明らかなように、押圧に対する感度が高いため、図15Bに示すように、押圧する側からみて表示素子6の背面側に配置することもできる。これにより、入力素子を備えた電子機器の設計の自由度を向上させることができる。
図16Aは外付けタイプではないタッチパネルを示しており、図16Bはそのタイプにおいてスペーサを有しない構成を示している。
図23に本発明の第3の実施形態を示す。
図23に示すように、本実施形態に係る入力素子101は、互いに対向する第1の電極102及び第2の電極103と、第1及び第2の電極102,103間に配置され、シロキサンを含有するゴムまたはゴム組成物で形成された中間層104とを有しており、更に、中間層104と第2の電極103との間に耐熱層105を有している。中間層104は濃度プロファイルを第1の電極102側(一方側)のみに有し、他方側とこれに対向する第2の電極103との間が接着層としての機能を有する耐熱層105を介して加熱接着されている。
図23に示す入力素子101は、高温に曝された場合でも検出感度が低下しにくい。これにより、環境条件の制約を緩和してスマートフォン等の電子機器の使用性の向上に寄与する入力素子を提供できる。
[耐熱層]
耐熱層105としては、接着性を有するものが好ましく、特に加熱により接着可能になるものが好ましい。加熱により接着可能になる耐熱層105は耐熱性が高いものが多く、高温環境において高い信頼性が要求される素子に適している。加熱接着方式は、UV(紫外線)硬化のように、接着したい部材の色の制約を受けないため、素子の部材の色によらずに接着可能である。また、素子の製造工程において加熱圧着できるため、部材同士を強固に接着できる。
中間層104の濃度プロファイルを有しない側、換言すれば、表面改質処理がなされていない側とこれに対向する第2の電極103との間は位置ずれしないように接着した方が望ましい。非接着状態では、位相ずれによる信号相殺に起因する出力低下の問題が生じるからである。
接着層を兼ねる耐熱層105の材質としては、例えば、熱硬化性材料、熱可塑性材料などが挙げられる。
熱硬化性材料としては、例えば、アクリル樹脂系、エポキシ樹脂系、ウレタン樹脂系、シリコーン系、変成シリコーン系、フェノール樹脂系などが挙げられる。熱可塑性材料としては、例えば、エチレン−酢酸ビニル樹脂系、ポリアミド樹脂系、熱可塑性ポリウレタン樹脂、熱可塑性ポリエステル樹脂などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
耐熱層105は、中間層104と熱特性が同一又は同等の材料で形成されるのが望ましい。なお、『熱特性が同一又は同等』とは、熱膨張率が近しいことを示し、入力素子101の使用される動作温度の範囲内において、耐熱層105と中間層104との間で温度変化により生じる体積の変化の差が設計の範囲内に収まることを示す。かかる構成により、環境変化による熱膨張率の違いに基づく界面剥離や位相ずれによる上記問題を抑制できるからである。本実施形態では中間層104としてシリコーンを用いているので、耐熱層105も材質特性上親和性の高いシリコーン系、変成シリコーン系が望ましい。
耐熱層105の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、変形追従性の点から、1μm〜500μmが好ましく、10μm〜300μmがより好ましい。平均厚みが、好ましい範囲内であると、接着性が確保でき、かつ変形を阻害することもないため、押圧操作した位置情報及び/又は押圧情報を高感度で高精度に検出できる。
耐熱層105が電極と中間層との間に設けられる場合、耐熱層105は導電性であることが好ましい。導電性としては、10Ω・cm以下の体積抵抗率を持つことが好ましい。
耐熱層105は、接着したい部材同士の間の全面に設けられてもよいし、一部に設けられてもよい。
なお、耐熱層105としては、耐熱性を有するものであれば粘着テープも使用できる。
図24A〜図24Dに、耐熱層105を有する入力素子101の変形例を示す。
図24Aに示す変形例の第1の例に係る入力素子101は、第1の電極102と中間層104とが耐熱層105を介して全面が接着されており、且つ、中間層104と第2の電極103とが耐熱層105を介して全面が接着されている。
図24Bに示す変形例の第2の例に係る入力素子101は、第1の電極102と中間層104とが耐熱層105を介してその一部が接着されており、且つ、中間層104と第2の電極103とが耐熱層105を介して全面が接着されている。
図24Cに示す変形例の第3の例に係る入力素子101は、第1の電極102と中間層104とが耐熱層105を介してその一部が接着されており、且つ、中間層104と第2の電極103とが耐熱層105を介してその一部が接着されている。
図24Dに示す変形例の第4の例に係る入力素子101は、第1の電極102の上面を覆う保護層106と第1の電極102と中間層104とが耐熱層105を介して全面またはその一部が接着されており、且つ、中間層104と第2の電極103とが耐熱層105を介して全面が接着されている。
図24A〜図24Dに示す入力素子101は、素子を構成する部材同士が耐熱層105を介して全面またはその一部が接着されていることにより、極端な高温(例えば150℃)に曝された場合でも検出感度が低下しにくい構成となっている。
また、図24A〜図24Dに示す入力素子101は、中間層104と第1及び第2の電極の少なくとも一方とは互いに接着されていない部分を有することとなり、上記のように摩擦ないし剥離帯電の機会が増えて電気信号(出力電圧)を大きくすることができる。なお、第1及び第2の電極の形状はストライプ状でも面でもよい。
図25A〜図25Dに、耐熱層105を有する入力素子101の他の変形例(スペーサを有するタイプ)を示す。
図25Aに示す他の変形例の第1の例に係る入力素子101は、中間層104の表面改質処理がなされた側に対向する第1の電極102と中間層104との間にスペーサ107を有している。
図25Bに示す他の変形例の第2の例に係る入力素子101は、図25Aの構成において、第1の電極102とスペーサ107との間を耐熱層105で接着した構成となっている。
図25Cに示す他の変形例の第3の例に係る入力素子101は、さらに、スペーサ107と中間層104との間を耐熱層105で接着した構成となっている。
図25Dに示す他の変形例の第4の例に係る入力素子101は、第1の電極102の中間層104と反対側において、第1の電極102及びスペーサ107と保護層106との間を耐熱層105で接着した構成となっている。
スペーサ107を設けることにより、中間層104と第1の電極102とは互いに接着されていない部分を有することとなり、上記のように摩擦ないし剥離帯電の機会が増えて電気信号(出力電圧)を更に大きくすることができる。また、素子を構成する部材同士が耐熱層105を介してその一部が接着されていることにより、極端な高温に曝された場合でも検出感度が低下しにくい構成となっている。なお、第1及び第2の電極の形状はストライプ状でも面でもよい。
本発明の入力素子101は、上記した入力素子1及び入力素子1’と同様に、本発明の入力装置5に用いることができる。
[実施例]
(実施例1)
<入力素子の作製>
図14Aに示す断面構成を有する入力素子を、以下の手順で作製した。
試験用基板として、40mm×40mmに切り出したPET(ポリエチレンテレフタレート)基板上に、L/S(幅/間隔)=8mm/2mmのストライプ状にITO電極を形成したものを二枚準備した。スペーサとして、直径10μmの球状シリカを準備した。イソプロピルアルコール中に球状シリカを分散させたスペーサ散布液を用意し、基板の一方(第1の基板)の電極面にスピンコート機によりスペーサを散布し、乾燥させた。
PETフィルム上に、シリコーンゴム(モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製、TSE3033)を塗布し、120℃で30分間加熱硬化させて、厚み100μmの中間層前駆体を形成した。更に、上記中間層前駆体に表面改質処理及び不活性化処理を施して、PETフィルムから剥がし、中間層を得た。
(表面改質処理)
表面改質処理として、以下の条件でプラズマ処理(処理条件;ヤマト科学株式会社製、PR−500、出力100W、処理時間3分間、反応雰囲気:アルゴン99.999%、反応圧力10Pa)を施した。
(不活性化処理)
表面改質処理後、中間層前駆体の処理面に、フッ素系炭素化合物(ダイキン工業株式会社製、オプツールDSX)をパーフルオロヘキサンで希釈した0.1%溶液を、引き上げ速度10mm/minのディッピング工法にて塗布した。その後、相対湿度90%、温度60℃の環境で30分間以上保持し、50℃で10分間乾燥させて、不活性化処理を施した。
もう一方の基板(第2の基板)上に、中間層を貼り付けた。第1および第2の基板にある各電極それぞれを引き出し電極に接続した。
二枚の基板を、第1の基板の電極面と第2の基板上の中間層が対向し、かつ電極のストライプ方向(長手方向)が直交するように重ね合わせ、接着剤で貼り合せて固定することで実施例1の入力素子を作製した。
<評価>
作製した入力素子の押圧力に対する出力信号を評価した。直径10mmの円柱状金属プローブの先端に厚み5mmのシリコーンスポンジ(サンポリマー製、型番Si200)を取り付け、これを第1及び第2の電極の交点と中心が一致する位置に押し付けて、荷重を50gf、100gf、200gf、400gfに変化させた各条件で出力電圧を記録した。出力電圧は10回測定した平均値を取った。結果を表1に示す。
Figure 0006624279
表1から明らかなように、本発明の入力素子では全測定において再現性良く電圧信号が検出され、50gfの押し付け荷重においても1.4Vの出力を確認できた。
(比較例1)
<入力素子の作製>
実施例1の入力素子において、中間層をPVDF(東京センサ株式会社製、厚み110μm)に変えたこと以外は、実施例1と同様にして、比較例1の入力素子を作製した。すなわち、図14Bに示す断面構成を有する入力素子とした。
<評価>
作製した比較例1の入力素子について、実施例1と同様にして、出力電圧を評価した。結果を表1に示す。
表1から明らかなように、押圧力が小さい段階(50gf、100gf)では出力電圧を検出することはできなかった。また、押圧力が大きくなっても本発明の入力素子に比べて出力電圧値が低く、押圧力に対する感度が低いことがわかる。換言すれば、検出限界電圧値が高いといえる。
(実施例2)
<入力素子の作製>
実施例1の入力素子において、第1の基板にある電極面にスペーサを設けなかったこと以外は、実施例1と同様にして、実施例2の入力素子を作製した。すなわち、図1に示す断面構成を有する入力素子とした。
<評価>
作製した実施例2の入力素子について、実施例1と同様にして、出力電圧を評価した。結果を表1に示す。
スペーサを有する入力素子に比べて出力電圧が低いが、PVDFを用いた比較例1に比べて押圧力に対する感度が高いことがわかる。換言すれば、電極と中間層との間に隙間を設け、あるいは非接着状態とすることにより、摩擦ないし剥離帯電を増加させ、大きな電気信号を得ることができる。
(実施例3)
<入力素子の作製>
図14Aに示す断面構成を有する素子を、以下の手順で作製した。
試験用基板として、40mm×40mmに切り出したPET基板上に、L/S=8mm/2mmのストライプ状にITO電極を形成したものを二枚準備した。スペーサとして、直径10μmの球状シリカを準備した。イソプロピルアルコール中に球状シリカを分散させたスペーサ散布液を用意し、基板の一方(第1の基板)の電極面にスピンコート機によりスペーサを散布し、乾燥させた。
もう一方の基板(第2の基板)上に、シリコーンゴム(モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製、TSE3033)を塗布し、120℃で30分間加熱硬化させて、厚み50μmの中間層前駆体を形成した。更に、上記中間層前駆体に表面改質処理を施して、中間層を得た。
(表面改質処理)
表面改質処理として、以下の条件でコロナ放電処理(処理条件;印加電圧100V、積算エネルギー:60J/cm、反応雰囲気:空気)を施した。
第1及び第2の基板にある各電極それぞれを引き出し電極に接続した。
二枚の基板を、第1の基板の電極面と第2の基板上の中間層が対向し、かつ電極のストライプ方向(長手方向)が直交するように重ね合わせ、接着剤で貼り合せ固定することで実施例3の入力素子を作製した。
<評価>
作製した実施例3の入力素子について、実施例1と同様にして、出力電圧を評価した。結果を表1に示す。
実施例1とは中間層の厚み、処理内容が異なるが、比較例1やスペーサのない実施例2よりも押圧力に対する感度が高いことがわかる。
(実施例4)
<入力素子の作製>
図14Aに示す断面構成を有する素子を、以下の手順で作製した。
試験用基板として、40mm×40mmに切り出したPET基板上に、L/S=8mm/2mmのストライプ状にITO電極を形成したものを二枚準備した。基板の一方(第1の基板)の電極面に、フィルムスペーサ(東レ株式会社製、U34ルミラー#50、厚み50μm)をL/S=1mm/9mmのストライプ状に接着剤で固定した。
もう一方の基板(第2の基板)上に、シリコーンゴム(モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製、TSE3033)100質量部、及びシリカ(日本アエロジル株式会社製、R972)20質量部とからなるシリコーンゴム組成物を塗布し、120℃で30分間加熱硬化させて、厚み100μmの中間層前駆体を形成した。更に、上記中間層前駆体に表面改質処理を施して、中間層を得た。
(表面改質処理)
表面改質処理として、以下の条件でUV照射処理(処理条件;ヴィルバー・ルーマット社製、VL−215.C、波長254nm、積算光量300J/cm、反応雰囲気:窒素、酸素分圧5,000ppm以下)を施した。
第1及び第2の基板にある各電極それぞれを引き出し電極に接続した。
二枚の基板を、第1の基板の電極面と第2の基板上の中間層が対向し、かつ電極のストライプ方向(長手方向)が直交するように重ね合わせ、接着剤で貼り合せ固定することで実施例4の入力素子を作製した。
<評価>
作製した実施例4の入力素子について、実施例1と同様にして、出力電圧を評価した。結果を表1に示す。
実施例1とはスペーサ、処理内容が異なるが、比較例1やスペーサのない実施例2よりも押圧力に対する感度が高いことがわかる。
(実施例5)
<入力素子の作製>
図14Aに示す断面構成を有する素子を、以下の手順で作製した。
試験用基板として、40mm×40mmに切り出したPET基板上に、L/S=8mm/2mmのストライプ状にITO電極を形成したものを二枚準備した。基板の一方(第1の基板)の電極面に、フィルムスペーサ(東レ株式会社製、U34ルミラー#50、厚み50μm)をL/S=1mm/9mmのストライプ状に接着剤で固定した。
もう一方の基板(第2の基板)上に、シリコーンゴム(信越化学工業株式会社製、KE−1935)100質量部、及びチタン酸バリウム(ALDRICH社製、208108)50質量部とからなるシリコーンゴム組成物を塗布し、120℃で30分間加熱硬化させて、厚み100μmの中間層前駆体を形成した。更に、上記中間層前駆体に表面改質処理を施して、中間層を得た。
(表面改質処理)
表面改質処理として、以下の条件で電子線照射処理(処理条件;浜松ホトニクス株式会社製、ライン照射型低エネルギー電子線照射源、照射量1MGy、反応雰囲気:窒素、酸素分圧5000ppm以下)を施した。
第1及び第2の基板にある各電極それぞれを引き出し電極に接続した。
二枚の基板を、第1の基板の電極面と第2の基板上の中間層が対向し、かつ電極のストライプ方向(長手方向)が直交するように重ね合わせ、接着剤で貼り合せ固定することで実施例5の入力素子を作製した。
<評価>
作製した実施例5の入力素子について、実施例1と同様にして、出力電圧を評価した。
結果を表1に示す。
実施例1とはスペーサ、処理内容、中間層のシリコーンゴムが異なるが、比較例1やスペーサのない実施例2よりも押圧力に対する感度が高いことがわかる。
(実施例6)
<入力素子の作製>
図14Aに示す断面構成を有する素子を、以下の手順で作製した。
試験用基板として、40mm×40mmに切り出したPET基板上に、L/S=8mm/2mmのストライプ状にITO電極を形成したものを二枚準備した。スペーサとして、直径10μmの球状シリカを準備した。イソプロピルアルコール中に球状シリカを分散させたスペーサ散布液を用意し、基板の一方(第1の基板)の電極面にスピンコート機によりスペーサを散布し、乾燥させた。
PETフィルム上に、フロロシリコーンゴム(信越化学工業株式会社製、X36−420U)、及びチタン酸バリウム(ALDRICH社製、208108)30質量部とからなるゴム組成物を塗布し、120℃で30分間加熱硬化させて、厚み150μmの中間層前駆体を形成した。更に、上記中間層前駆体に表面改質処理及び不活性化処理を施して、PETフィルムから剥がし、中間層を得た。
(表面改質処理)
表面改質処理として、以下の条件でプラズマ処理(処理条件;ヤマト科学株式会社製、PR−500、出力100W、処理時間3分間、反応雰囲気:アルゴン99.999%、反応圧力10Pa)を施した。
(不活性化処理)
表面改質処理後、中間層前駆体の処理面に、フッ素系炭素化合物(ダイキン工業株式会社製、オプツールDSX)をパーフルオロヘキサンで希釈した0.1%溶液を、引き上げ速度10mm/minのディッピング(Dip)工法にて塗布した。その後、相対湿度90%温度60℃の環境で30分間以上保持後、50℃で10分間乾燥させて、不活性化処理を施した。
もう一方の基板(第2の基板)上に、中間層を貼り付けた。第1及び第2の基板にある各電極それぞれを引き出し電極に接続した。
二枚の基板を、第1の基板の電極面と第2の基板上の中間層が対向し、かつ電極のストライプ方向(長手方向)が直交するように重ね合わせ、接着剤で貼り合せ固定することで実施例6の入力素子を作製した。
<評価>
作製した実施例6の入力素子について、実施例1と同様にして、出力電圧を評価した。結果を表1に示す。
実施例1とは中間層の材質が異なるが、比較例1よりも押圧力に対する感度が高いことがわかる。
(実施例7)
<入力素子の作製>
60mm×60mmに切り出したポリカーボネート基板上に、L/S=6mm/2mmのストライプ状に銀電極を形成したものを二枚準備した。以降の手順は実施例5と同様にして入力素子を作製し、全体をポリ塩化ビニル(PVC)で被覆することで、タッチパッドを得た。
<評価>
作製した入力素子を試験用装置に接続し、0gf〜300gfを100gfごとの3段階に分割し、それぞれ弱・中・強の押圧と認識するものとした。直径5mmの円柱状プローブの先端に厚み5mmのシリコーンスポンジ(サンポリマー製、型番Si200)を取り付けたものを用意した。試験装置のプログラムから、0〜300gの間でランダムに設定される荷重で素子中央を押下し、タッチパッドからの入力を評価した。1,000回の試験を行った結果、エラー率1%未満で押圧の弱・中・強を良好に識別した。
(実施例8)
<入力素子付き表示装置の作製>
50mm×85mmに切り出したポリカーボネート基板を二枚切り出し、一枚は長辺方向、もう一枚は短辺方向にL/S=6mm×2mmのストライプ状にITOを形成した。以降の手順は実施例1と同様にして入力素子を作製した。
タッチパネルの付いていない5インチ液晶パネルモジュールに、上記の入力素子を積層し、入力素子付き液晶表示素子とした。すなわち、図15Aに示す入力装置の構成とした。
<評価>
作製した表示素子を試験用装置に電気的に接続して実施例7と同様に評価を行った結果、エラー率1%未満で押圧の弱・中・強を良好に識別した。
(実施例9)
<入力素子付き表示装置の作製>
50mm×85mmに切り出したポリカーボネート基板を二枚切り出し、一枚は長辺方向、もう一枚は短辺方向にL/S=6mm×2mmのストライプ状にITOを形成した。以降の手順は実施例5と同様にして入力素子を作製した。
上記の入力素子の上に5インチ液晶パネルモジュールを積層し、入力素子付き液晶表示素子とした。すなわち、図15Bに示す入力装置の構成とした。
<評価>
作製した表示素子を試験用装置に電気的に接続して実施例7と同様に評価を行った結果、エラー率1%未満で押圧の弱・中・強を良好に識別した。
作製した入力装置を試験用装置に接続し、0gf〜510gfを170gfごとの3段階に分割し、それぞれ弱・中・強の押圧と認識するものとした。直径5mmの円柱状プローブの先端に厚み5mmのシリコーンスポンジ(サンポリマー製、型番Si200)を取り付けたものを用意した。試験装置のプログラムから、0〜510gの間でランダムに設定される荷重で素子中央を押下し、タッチパッドからの入力を評価した。1,000回の試験を行った結果、エラー率1%未満で押圧の弱・中・強を良好に識別した。
[検出感度]
上記出力電圧の大きさについての比較実験の他に、押圧に対する感度(検出速さ)の観点からの比較実験を行った。
比較実験に用いた入力素子25の構成を図17に示す。図1で示した入力素子1の外面を保護カバー26で覆う構成である。比較例は、中間層4をPVDFに置き換える構成とした。
比較評価はタッキング試験機によりプローブを押し当て、その加圧を検知する時間を比較することで行った。
評価方法の概要としては、以下の3つの手順をそれぞれの入力素子で実施し、データを取得した。
(1)図18に示すように、タッキング試験機34のステージ36上に入力素子を貼り付け、チャージアンプ38を介してオシロスコープ40に接続する。
(2)図19に示すように、プローブ42の先端にスポンジ44を貼り付け、タッキングを行う。
(3)オシロスコープ40に表示された電圧波形を記録し、3回繰り返した平均データを取得波形とする。
比較した入力素子の仕様を表2に、評価に用いたスポンジの仕様を表3に、チャージアンプの設定を表4に、オシロスコープの設定を表5に、タッキング試験機の評価条件を表6にそれぞれ示す。
表2に示すように、PVDFのヤング率が2GPaであるのに対し、本実施形態に係る入力素子の中間層4のヤング率は0.01GPaである。
Figure 0006624279
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Figure 0006624279
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図19に示すように、入力素子の上面に、接地されたアルミニウム製のテープ46を配置して不要な電荷によるノイズの発生を抑制した。比較対象のPVDFを用いた入力素子の測定においても同様とした。
比較結果を図20及びその部分拡大図である図21に示す。ゴム組成物からなる中間層4を有する本実施形態の入力素子では、電圧信号の出力が、プローブ42に取り付けられたスポンジ44が入力素子に接触してから約0.01sec(10msec)後に開始している。
これに対し、PVDFを用いた入力素子では、約0.04sec(40msec)後に開始している。すなわち、本実施形態に係る入力素子に対して、約0.03sec(30msec)の遅延が生じている。
入力素子の感度において、この大きな遅延が生じる理由は、上記のようにPVDFは中間層4に比べてヤング率が大きく固いため、電圧信号の出力が開始する変形が生じるまで時間がかかるためである。
柔らかい物に接触しても本発明の入力素子の感度が高いこと、換言すれば軽やかなタッチ操作で確実に入力できることを実証するために、上記のようにプローブ42の先端にスポンジ44を取り付けた。
なお、電圧信号の出力開始時間の原点は、タッキング試験機34のプローブ42の根元に設置された圧力センサで検知された時間としている。
図22は、本実施形態の中間層4とPVDFのヤング率を測定し、信号出力開始時間との相関をプロットした図である。中間層のヤング率と信号出力開始時間はリニアな相関を持つことが確認された。
なお、中間層4のヤング率は、上述のゴム組成物の詳細な記載において硬度を測定している測定機(フィッシャー社製、超微小硬度計WIN−HUD)、及び同測定条件を用い、10μm深さの硬度より換算した値を用いている。
以上のように、本発明の入力素子の構成とすることで、タッチ圧(接触圧)の検出下限が小さくなる。すなわち、指先で軽く押した操作を検知できるので、いわゆる二度押し操作等の面倒さを排除でき、快適で直感的な操作を実現できる。これにより、長時間の使用でも疲れない入力素子を提供できる。
PVDF等を用いた従来の入力素子では、押圧力に対する出力が小さいので、信号増幅を行っている場合が多い。本発明の入力素子では出力が大きいので増幅が不要でより簡易な処理プロセスで機能を実現できる。
近年では、上述のスマートフォン等の電子機器に入力する情報の多様化に伴い、位置情報だけでなく接触圧(押圧力)の強さを検知する技術も提案されている。
位置と押圧力を入力できることで、例えば、同一箇所へのタッチでも押圧力の強弱で複数のコマンドを使い分けたり、文字や図を筆圧を反映させて入力する等が可能になり、操作性を向上させることができる。
この場合、押圧力の違い(強弱)をはっきりと区別できることが要求されるが、PVDFを用いた入力素子では、押圧力に対する感度が低いため、押圧力の区別による操作性、機能性の向上は満足できる状況になかった。
本発明の入力素子では、上記の感度実験から明らかなように、検出下限が小さいため、押圧力の違いをはっきりと区別できる。すなわち、図20及び図21で示したPVDFに対する出力開始時間の速さは、押圧力に対する感度の幅が大きく、曖昧さの少ない多段階の検知精度についての余裕度を示している。この特性により実施例7〜9の結果がもたらされているともいえる。
また、本発明の入力素子は負荷耐久性も高いので、低圧力から高圧力まで広範囲で検知ができる。これにより、圧力の強弱を多段階で識別可能で処理機能の高い入力素子を提供できる。
表示素子と積層して使う場合、感度が高いので必ずしも本発明の入力素子を表示素子の最表層(操作側)に配置する必要はなく、素子構成の自由度が増す。また、本発明で用いる材料は耐熱性を有するので、プロセス温度の自由度が増す。
(実施例10)
<入力素子の作製>
図26に示す断面構成を有する高温負荷評価用の入力素子108を、以下の手順で作製した。なお、高温負荷評価用の入力素子108は、入力素子101とカバーシート109から構成されており、入力素子101の断面構成は図25Bとし、入力素子101の外面はカバーシート109で覆われている構成とした。すなわち、評価対象の入力素子108は全てカバーシート109でパッケージングされている。
PET(ポリエチレンテレフタレート)フィルム上に、シリコーンゴム(信越化学工業株式会社製、KE−1935)を塗布し、120℃で30分間加熱硬化させて、厚み100μmの中間層前駆体を形成した。更に、上記中間層前駆体に表面改質処理及び不活性化処理を施して、PETフィルムから剥がし、中間層を得た。
(表面改質処理)
表面改質処理として、以下の条件でプラズマ処理(処理条件;ヤマト科学株式会社製、PR−500、出力100W、処理時間3分間、反応雰囲気:アルゴン99.999%、反応圧力10Pa)を施した。
(不活性化処理)
表面改質処理後、中間層前駆体の処理面に、フッ素系炭素化合物(ダイキン工業株式会社製、オプツールDSX)をパーフルオロヘキサンで希釈した0.1%溶液を、引き上げ速度10mm/minのディッピング工法にて塗布した。その後、相対湿度90%、温度60℃の環境で30分間以上保持し、50℃で10分間乾燥させて、不活性化処理を施した。
次に、40mm×40mmに切り出したPET基板上に、L/S(幅/間隔)=8mm/2mmのストライプ状にITO電極を形成したものを二枚準備した。
第1の基板の電極面に、フィルムスペーサ(東レ株式会社製、U34ルミラー#50、厚み50μm)をL/S=1mm/9mmのストライプ状になるように、両面テープ(太陽金網株式会社製、TRAN−SIL NT−1001、厚さ50μm)で固定した。
第2の基板の電極面に、導電性両面テープ(太陽金網株式会社製、CHO−FOIL CCD、厚さ112μm)、中間層の順に重ねて貼り付けた。
第1および第2の基板にある各電極それぞれを引き出し電極に接続した。
二枚の基板を、第1の基板の電極面と第2の基板上の中間層が対向し、かつ電極のストライプ方向(長手方向)が直交するように重ね合わせ、両面テープ(太陽金網株式会社製、TRAN−SIL NT−1001、厚さ50μm)で固定して、実施例10の入力素子を作製した。
<評価>
作製した入力素子の押圧に対する検出感度を評価した。評価は以下の手順で実施した。結果を表7に示す。表7の入力素子の欄における「図26/図25B」は、図25Bの断面構成を有する入力素子が図26に示すようにパッケージングされていることを示している。
実施例15における入力素子の断面構成は図23に示すものである。
実施例16と実施例17における入力素子の断面構成は図25Aに示すものである。
実施例18における入力素子の断面構成は図24Bに示すものである。
実施例19における入力素子の断面構成は図1に示すものであり、耐熱層を有しない本発明の基本構成をパッケージングした構成を有している。
表7から明らかなように、実施例10の入力素子は比較例2に比べて、高温負荷がかからない状態で検出感度が高いことがわかる。
(評価手順)
(1)図27に示すように、高温負荷評価用の入力素子108を測定装置110のステージ111上に固定し、オシロスコープ112に接続する。
(2)プローブ113の先端にスポンジ114を取り付け、これを第1及び第2の電極の交点と中心が一致する位置に押し付ける。
(3)オシロスコープ112に表示された出力電圧を記録する。出力電圧は5回測定した平均値とする。
(4)後述する比較例2に対する出力電圧倍率を求め、検出感度をランク判定する。
{出力電圧の測定条件}
測定装置:定着シミュレータFSR−1000(レスカ製)
測定パターン:荷重制御
押し付け速度:5mm/sec
押し付け荷重:300gf
押し付け保持時間:1sec
引き上げ速度:5mm/sec
プローブ径:直径10mm
スポンジ:シリコーンスポンジ、硬さ15、直径10mm、厚さ5mm
オシロスコープ:WaveAce1001(LeCroy製)
{検出感度の判定基準}
ランクA:比較例2に対して出力電圧が5倍以上
ランクB:比較例2に対して出力電圧が3倍以上
ランクC:比較例2に対して出力電圧が1倍以上
ランクD:比較例2に対して出力電圧が1倍未満
(実施例11)
<入力素子の作製>
実施例10の入力素子において、中間層に高温負荷を加えたこと以外は、実施例10と同様にして、実施例11の入力素子を作製した。すなわち、図26/図25Bに示す断面構成を有する入力素子とした。
(高温負荷)
中間層を温度150℃の恒温器(ヤマト科学株式会社製、DN410H)に24時間保持して、高温負荷を加えた。その後、中間層を取り出して、24℃、40RH%の条件下で24時間静置保管した。
<評価>
作製した実施例11の入力素子について、実施例10と同様にして、押圧に対する検出感度を評価した。結果を表7に示す。
表7から明らかなように、実施例11の中間層は高温負荷後に検出感度が低下するものの、比較例2に比べて検出感度が高く、十分な耐熱性を有していることがわかる。
すなわち、比較例2の入力素子では高温負荷後に検出感度が8割も低下しているのに対し、実施例11の入力素子では3割弱しか低下していない。このことは、炎天下での車中の温度上昇等の環境変動に十分に耐えることができ(ランクA、Bを維持)、スマートフォン等の電子機器の使用性の向上に寄与することを意味する。
(実施例12)
<入力素子の作製>
実施例10の入力素子において、第2の基板にある電極面と中間層とを導電性接着剤(スリーボンド製、TB3303B、厚さ50μm、接着条件150℃で1時間)で加熱接着したこと以外は、実施例10と同様にして、実施例12の入力素子を作製した。すなわち、図26/図25Bに示す断面構成を有する入力素子とした。
<評価>
作製した実施例12の入力素子について、実施例10と同様にして、押圧に対する検出感度を評価した。結果を表7に示す。
表7から明らかなように、実施例12の中間層は高温負荷後に検出感度が低下するものの、比較例2に比べて検出感度が高く、十分な耐熱性を有していることがわかる。これにより、入力素子の製造工程において、加熱接着を利用できる。製造段階で加熱接着できることにより、高信頼性につながる製造精度の向上を得ることができるとともに、製品化後の位相ずれによる信号相殺に起因する出力低下等の問題を抑制できる。
(実施例13)
<入力素子の作製>
実施例10の入力素子に高温負荷を加えて、実施例13の入力素子とした。
(高温負荷)
入力素子を温度150℃の恒温器(ヤマト科学株式会社製、DN410H)に1時間保持して、高温負荷を加えた。その後、入力素子を取り出して、24℃、40RH%の条件下で1時間静置保管した。
<評価>
作製した実施例13の入力素子について、実施例10と同様にして、押圧に対する検出感度を評価した。結果を表7に示す。
表7から明らかなように、実施例13の入力素子は高温負荷後に検出感度が低下するものの、比較例2に比べて検出感度が高く、十分な耐熱性を有していることがわかる。これにより、本発明の入力素子は高温環境においても使用できる。
(実施例14)
<入力素子の作製>
実施例12の入力素子に高温負荷を加えて、実施例14の入力素子とした。
(高温負荷)
入力素子を温度150℃の恒温器(ヤマト科学株式会社製、DN410H)に1時間保持して、高温負荷を加えた。その後、入力素子を取り出して、24℃、40RH%の条件下で1時間静置保管した。
<評価>
作製した実施例14の入力素子について、実施例10と同様にして、押圧に対する検出感度を評価した。結果を表7に示す。
表7から明らかなように、実施例14の入力素子は高温負荷後も高い検出感度を維持しており、十分な耐熱性を有していることがわかる。これにより、本発明の入力素子は高温環境においても使用できる。
(実施例15)
<入力素子の作製>
実施例12の入力素子において、第1の基板にある電極面に接着層とスペーサを設けなかったこと以外は、実施例12と同様にして、実施例15の入力素子を作製した。すなわち、図26/図23に示す断面構成を有する入力素子とした。更に、入力素子に高温負荷を加えた。
(高温負荷)
入力素子を温度150℃の恒温器(ヤマト科学株式会社製、DN410H)に1時間保持して、高温負荷を加えた。その後、入力素子を取り出して、24℃、40RH%の条件下で1時間静置保管した。
<評価>
作製した実施例15の入力素子について、実施例10と同様にして、押圧に対する検出感度を評価した。結果を表7に示す。
表7から明らかなように、実施例15の入力素子はスペーサを有する入力素子に比べて検出感度が低いものの、比較例2に比べると検出感度は高いことがわかる。換言すれば、電極と中間層との間に隙間を設け、あるいは非接着状態とすることにより、摩擦ないし剥離帯電を増加させ、大きな電気信号を得ることができる。
実施例15の入力素子は、表7から明らかなように、中間層と電極とを加熱接着した後にさらにパッケージング後の入力素子を加熱している。すなわち、製造精度を向上させた上で高温負荷に晒している。出力電圧倍率は4で他の実施例よりも低い値となっているが、耐熱層を有しない場合(実施例19)と比べると、それでも検出感度は2倍と高い。
(実施例16)
<入力素子の作製>
図26に示す断面構成を有する高温負荷評価用の入力素子108を、以下の手順で作製した。なお、高温負荷評価用の入力素子108は、入力素子101とカバーシート109から構成されており、入力素子101の断面構成は図25Aとし、入力素子101の外面はカバーシート109で覆われている構成とした。
PETフィルム上に、シリコーンゴム(モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製、TSE3033)100質量部、及びシリカ(日本アエロジル株式会社製、R972)10質量部とからなるシリコーンゴム組成物を塗布し、120℃で30分間加熱硬化させて、厚み100μmの中間層前駆体を形成した。更に、上記中間層前駆体に表面改質処理を施して、PETフィルムから剥がし、中間層を得た。
(表面改質処理)
表面改質処理として、以下の条件でコロナ放電処理(処理条件;印加電圧100V、積算エネルギー:60J/cm、反応雰囲気:空気)を施した。
次に、40mm×40mmに切り出したPET基板上に、L/S=8mm/2mmのストライプ状にITO電極を形成したものを二枚準備した。
第1の基板の電極面に、スペーサとして直径10μmの球状シリカをイソプロピルアルコール中に分散させたスペーサ散布液を、スピンコート機にて散布した。その後、乾燥させて、第1の基板の電極面にスペーサを設けた。
第2の基板の電極面に、導電性接着剤(スリーボンド製、TB3303B、厚さ50μm)、中間層の順に重ね、150℃で1時間加熱接着した。
第1および第2の基板にある各電極それぞれを引き出し電極に接続した。
二枚の基板を、第1の基板の電極面と第2の基板上の中間層が対向し、かつ電極のストライプ方向(長手方向)が直交するように重ね合わせ、両面テープ(太陽金網株式会社製、TRAN−SIL NT−1001、厚さ50μm)で固定して、実施例16の入力素子を作製した。更に、入力素子に高温負荷を加えた。
(高温負荷)
入力素子を温度150℃の恒温器(ヤマト科学株式会社製、DN410H)に1時間保持して、高温負荷を加えた。その後、入力素子を取り出して、24℃、40RH%の条件下で1時間静置保管した。
<評価>
作製した実施例16の入力素子について、実施例10と同様にして、押圧に対する検出感度を評価した。結果を表7に示す。
表7から明らかなように、実施例16の入力素子は高温負荷後も高い検出感度を示すことがわかる。
(実施例17)
<入力素子の作製>
図26に示す断面構成を有する高温負荷評価用の入力素子108を、以下の手順で作製した。なお、高温負荷評価用の入力素子108は、入力素子101とカバーシート109から構成されており、入力素子101の断面構成は図25Aとし、入力素子101の外面はカバーシート109で覆われている構成とした。
PETフィルム上に、フロロシリコーンゴム(信越化学工業株式会社製、X36−420U)、及びチタン酸バリウム(ALDRICH社製、208108)30質量部とからなるシリコーンゴム組成物を塗布し、120℃で30分間加熱硬化させて、厚み100μmの中間層前駆体を形成した。更に、上記中間層前駆体に表面改質処理を施して、PETフィルムから剥がし、中間層を得た。
(表面改質処理)
表面改質処理として、以下の条件でUV照射処理(処理条件;ヴィルバー・ルーマット社製、VL−215.C、波長254nm、積算光量300J/cm、反応雰囲気:窒素、酸素分圧5,000ppm以下)を施した。
次に、40mm×40mmに切り出したPET基板上に、L/S=8mm/2mmのストライプ状にITO電極を形成したものを二枚準備した。
第1の基板の電極面に、スペーサとして直径10μmの球状シリカをイソプロピルアルコール中に分散させたスペーサ散布液を、スピンコート機にて散布した。その後、乾燥させて、第1の基板の電極面にスペーサを設けた。
第2の基板の電極面に、導電性接着剤(スリーボンド製、TB3303B、厚さ50μm)、中間層の順に重ね、150℃で1時間加熱接着した。
第1および第2の基板にある各電極それぞれを引き出し電極に接続した。
二枚の基板を、第1の基板の電極面と第2の基板上の中間層が対向し、かつ電極のストライプ方向(長手方向)が直交するように重ね合わせ、両面テープ(太陽金網株式会社製、TRAN−SIL NT−1001、厚さ50μm)で固定して、実施例17の入力素子を作製した。更に、入力素子に高温負荷を加えた。
(高温負荷)
入力素子を温度150℃の恒温器(ヤマト科学株式会社製、DN410H)に1時間保持して、高温負荷を加えた。その後、入力素子を取り出して、24℃、40RH%の条件下で1時間静置保管した。
<評価>
作製した実施例17の入力素子について、実施例10と同様にして、押圧に対する検出感度を評価した。結果を表7に示す。
表7から明らかなように、実施例17の入力素子は高温負荷後も高い検出感度を示すことがわかる。
(実施例18)
<入力素子の作製>
図26に示す断面構成を有する高温負荷評価用の入力素子108を、以下の手順で作製した。なお、高温負荷評価用の入力素子108は、入力素子101とカバーシート109から構成されており、入力素子101の断面構成は図24Bとし、入力素子101の外面はカバーシート109で覆われている構成とした。
PETフィルム上に、シリコーンゴム(信越化学工業株式会社製、KE−1935)、及びチタン酸バリウム(ALDRICH社製、208108)50質量部とからなるシリコーンゴム組成物を塗布し、120℃で30分間加熱硬化させて、厚み100μmの中間層前駆体を形成した。更に、上記中間層前駆体に表面改質処理を施して、PETフィルムから剥がし、中間層を得た。
(表面改質処理)
表面改質処理として、以下の条件で電子線照射処理(処理条件;浜松ホトニクス株式会社製、ライン照射型低エネルギー電子線照射源、照射量1MGy、反応雰囲気:窒素、酸素分圧5000ppm以下)を施した。
次に、40mm×40mmに切り出したPET基板上に、L/S=8mm/2mmのストライプ状にITO電極を形成したものを2枚準備した。
第2の基板の電極面に、導電性接着剤(Alpha Advanced Materials製、STAYSTIK571、厚さ76μm)、中間層、接着剤(Alpha Advanced Materials製、STAYSTIK472、厚さ76μm)、第1の基板の電極面の順に重ね、160℃で10分間加熱接着した。なお、第1の基板の電極面と第2の基板上の中間層が対向し、かつ電極のストライプ方向(長手方向)が直交するように重ね合わせた。
第1および第2の基板にある各電極それぞれを引き出し電極に接続した。
上記のようにして、実施例18の入力素子を作製した。更に、入力素子に高温負荷を加えた。
(高温負荷)
入力素子を温度150℃の恒温器(ヤマト科学株式会社製、DN410H)に1時間保持して、高温負荷を加えた。その後、入力素子を取り出して、24℃、40RH%の条件下で1時間静置保管した。
<評価>
作製した実施例18の入力素子について、実施例10と同様にして、押圧に対する検出感度を評価した。結果を表7に示す。
表7から明らかなように、実施例18の入力素子は高温負荷後も高い検出感度を示すことがわかる。
(実施例19)
<入力素子の作製>
図26に示す断面構成を有する高温負荷評価用の入力素子108を、以下の手順で作製した。なお、高温負荷評価用の入力素子108は、入力素子101とカバーシート109から構成されており、入力素子101の断面構成は図1とし、入力素子101の外面はカバーシート109で覆われている構成とした。すなわち、図1で示した耐熱層を有しない本発明の基本構成をパッケージングしたものである。
PETフィルム上に、シリコーンゴム(信越化学工業株式会社製、KE−1935)を塗布し、120℃で30分間加熱硬化させて、厚み100μmの中間層前駆体を形成した。更に、上記中間層前駆体に表面改質処理及び不活性化処理を施して、PETフィルムから剥がし、中間層を得た。
(表面改質処理)
表面改質処理として、以下の条件でプラズマ処理(処理条件;ヤマト科学株式会社製、PR−500、出力100W、処理時間3分間、反応雰囲気:アルゴン99.999%、反応圧力10Pa)を施した。
(不活性化処理)
表面改質処理後、中間層前駆体の処理面に、フッ素系炭素化合物(ダイキン工業株式会社製、オプツールDSX)をパーフルオロヘキサンで希釈した0.1%溶液を、引き上げ速度10mm/minのディッピング工法にて塗布した。その後、相対湿度90%、温度60℃の環境で30分間以上保持し、50℃で10分間乾燥させて、不活性化処理を施した。
次に、40mm×40mmに切り出したPET基板上に、L/S=8mm/2mmのストライプ状にITO電極を形成したものを二枚準備した。
第2の基板の電極面に、前記中間層、第1の基板の電極面の順に重ね、両面テープ(太陽金網株式会社製、TRAN−SIL NT−1001、厚さ50μm)で固定した。なお、第1の基板の電極面と第2の基板上の中間層が対向し、かつ電極のストライプ方向(長手方向)が直交するように重ね合わせた。
第1および第2の基板にある各電極それぞれを引き出し電極に接続した。
上記のようにして、実施例19の入力素子を作製した。更に、入力素子に高温負荷を加えた。
(高温負荷)
入力素子を温度150℃の恒温器(ヤマト科学株式会社製、DN410H)に1時間保持して、高温負荷を加えた。その後、入力素子を取り出して、24℃、40RH%の条件下で1時間静置保管した。
<評価>
作製した実施例19の入力素子について、実施例10と同様にして、押圧に対する検出感度を評価した。結果を表7に示す。
表7から明らかなように、実施例19の入力素子は本発明の実施形態に係る耐熱層を有する入力素子に比べて、高温負荷後に検出感度が低下することがわかる。ただし、本発明の中間層を有するので、比較例5に比べるとそれでも検出感度は10倍と高い。
(比較例2)
<入力素子の作製>
実施例10の入力素子において、中間層をPVDF(東京センサ株式会社製、厚み110μm)に変えたこと以外は、実施例10と同様にして、比較例2の入力素子を作製した。すなわち、図26/図25Bに示す断面構成を有する入力素子とした。
<評価>
作製した比較例2の入力素子について、実施例10と同様にして、押圧に対する検出感度を評価した。結果を表7に示す。
表7から明らかなように、比較例2の入力素子は高温負荷がかからない状態での比較においても本発明の入力素子に比べて検出感度が低いことがわかる。
(比較例3)
<入力素子の作製>
比較例2の入力素子において、中間層に高温負荷を加えたこと以外は、比較例2と同様にして、比較例3の入力素子を作製した。すなわち、図26/図25Bに示す断面構成を有する入力素子とした。
(高温負荷)
中間層を温度150℃の恒温器(ヤマト科学株式会社製、DN410H)に24時間保持して、高温負荷を加えた。その後、中間層を取り出して、24℃、40RH%の条件下で24時間静置保管した。
<評価>
作製した比較例3の入力素子について、実施例10と同様にして、押圧に対する検出感度を評価した。結果を表7に示す。
表7から明らかなように、比較例3の中間層は高温負荷後に検出感度が著しく低下することがわかる。このことは、炎天下での車中の温度上昇等の環境変動に十分に耐えることができず、場合によっては使用不可となり得ることを意味する。
(比較例4)
<入力素子の作製>
比較例2の入力素子において、第2の基板にある電極面と中間層とを導電性接着剤(スリーボンド製、TB3303B、厚さ50μm、接着条件150℃で1時間)で加熱接着したこと以外は、比較例2と同様にして、比較例4の入力素子を作製した。すなわち、図26/図25Bに示す断面構成を有する入力素子とした。
<評価>
作製した比較例4の入力素子について、実施例10と同様にして、押圧に対する検出感度を評価した。結果を表7に示す。
表7から明らかなように、比較例4の中間層は高温負荷後に検出感度が著しく低下することがわかる。
(比較例5)
<入力素子の作製>
比較例2の入力素子に高温負荷を加えて、比較例5の入力素子とした。
(高温負荷)
入力素子を温度150℃の恒温器(ヤマト科学株式会社製、DN410H)に1時間保持して、高温負荷を加えた。その後、入力素子を取り出して、24℃、40RH%の条件下で1時間静置保管した。
<評価>
作製した比較例5の入力素子について、実施例10と同様にして、押圧に対する検出感度を評価した。結果を表7に示す。
表7から明らかなように、比較例5の入力素子は高温負荷後に検出感度が著しく低下することがわかる。
Figure 0006624279
表7の耐熱層105の配置位置及び材料の詳細を表8に示す。
Figure 0006624279
表8に示すように、実施例13では、中間層104と第2の電極103との間が導電性アクリル系の両面テープで接着されており、入力素子全体を加熱している。
実施例14では、中間層104と第2の電極103との間が導電性シリコーン系の熱硬化性材料で加熱接着されており、入力素子全体を加熱している。
実施例14では加熱負荷が多いにも拘わらず、加熱負荷の少ない実施例13よりも出力電圧の倍率が高い。このことは、中間層104の材質(シリコーン)と、耐熱層105の材質とが実施例14では熱特性が同一又は同等のものとなっていることも一因と考えられる。
すなわち、高温負荷による熱膨張率の違いに基づく界面剥離や位相ずれによる信号相殺等が高精度に抑制されるからであると考えられる。
以上、本発明の好ましい実施の形態について説明したが、本発明はかかる特定の実施形態に限定されるものではなく、上述の説明で特に限定しない限り、請求の範囲に記載された本発明の趣旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
本発明の実施の形態に記載された効果は、本発明から生じる最も好適な効果を例示したに過ぎず、本発明による効果は、本発明の実施の形態に記載されたものに限定されるものではない。
1、1’、101 入力素子
2、102 第1の電極
3、103 第2の電極
4、104 中間層
5 入力装置
6 表示素子
8 信号処理部
8A 位置検出部
8B 圧力検出部
23、107 スペーサ
105 耐熱層
特許第4784041号公報 特開2014−186711号公報

Claims (9)

  1. 互いに対向する第1及び第2の電極と、
    第1及び第2の電極間に配置され、シロキサンを含有し、絶縁性を有するゴムまたはゴム組成物で形成された中間層と、
    を備え
    前記中間層は、その厚み方向の一方側から他方側へ向かって酸素が増加して極大値を持ち、且つ、前記一方側から他方側へ向かって炭素が減少して極小値を持つ濃度プロファイルを有する、
    入力素子。
  2. 請求項1に記載の入力素子において、
    第1及び第2の電極の少なくとも一方と前記中間層との間、あるいは第1及び第2の電極の少なくとも一方の前記中間層と反対側に配置される耐熱層とを備えている入力素子。
  3. 請求項2に記載の入力素子において、
    前記耐熱層が熱硬化性材料または熱可塑性材料で形成され、接着層としての機能を有している入力素子。
  4. 請求項3に記載の入力素子において、
    前記耐熱層は前記中間層と熱特性が同一又は同等の材料で形成されている入力素子。
  5. 請求項1乃至4の何れか1つに記載の入力素子において、
    前記中間層は、3つ〜4つの酸素原子と結合したケイ素原子を有するシロキサンを含有するゴムまたはゴム組成物で形成されている入力素子。
  6. 請求項1乃至の何れか1つに記載の入力素子において、
    前記中間層と、第1及び第2の電極の少なくとも一方とは、互いに接合されていない部分を有する入力素子。
  7. 請求項に記載の入力素子において、
    前記中間層と、第1及び第2の電極の少なくとも一方との間にスペーサを有する入力素子。
  8. 請求項1乃至の何れか1つに記載の入力素子において、
    第1の電極は第1の方向に沿って配列した複数の電極からなり、第2の電極は第1の方向と直交する第2の方向に沿って配列した複数の電極からなる入力素子。
  9. 請求項1乃至の何れか1つに記載の入力素子と、
    前記中間層が押圧されることで発生する電気信号を処理する信号処理部と、
    を備えた入力装置。
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