JP6621614B2 - 間欠周期構造作成装置および間欠周期構造作成方法 - Google Patents
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Description
ャッタ13を用いてレーザビームを遮光していた。
レーザの集光径、繰り返し周波数、及び加工対象物の加工閾値に応じて、同一部分におけるオーバーラップの回数が10〜300ショッ卜の間で一定値になるように、2次元ないしは3次元のガルバノスキャナでレーザ走査する位置を偏向制御すると同時に、周期構造に方向性を付与するための直線偏光レーザの偏光角度を、走査位置の極座標上の偏角に応じて、偏光回転素子を用いて電気的に追従制御して、自己組織的な周期構造の成長を行うものであり、前記周期構造は放射状とし、偏光角度が走査位置の極座標上の偏角に対して、π/2(rad)の傾きを保つように、レーザの直線偏光を偏光回転素子を用いて追従制御させるものである。
倍を越えると、ミクロンオーダの油膜厚さで負荷容量がほとんど得られなくなる。このため、流体導入溝30の深さを前記した深さに設定すれば、高速・低荷重時の摩擦係数を低減でき、しかも、ミクロンオーダの油膜厚さで負荷容量を得ることができる。
子の長軸が電極に対して垂直に立ち上がって配向するため、複屈折が減少してリターダンスが低下する。図4のように、偏光回転素子54は入射するレーザの偏光に対してπ/4傾けて配置しておく。偏光回転素子54のリターダンスによって通過後のレーザは一般に楕円偏光となる。また、あらかじめ1/4波長板55は入射するレーザの偏光に対してSLOW軸を一致させて配置しておく。これにより楕円偏光が1/4波長板55を通過することで元の直線偏光に戻る。
流で磁界の強さを制御することにより、旋光角度を連続的に可変することができる。
56、58 カルバノスキャナ
W 加工対象物
Claims (6)
- 一軸でかつ加工閾値近傍のフルエンスで直線偏光のパルスレーザをオーバーラップさせながら集光照射して、入射光のP偏光成分と加工対象物の表面に沿ったP偏光成分の散乱光の干渉部分のアブレーションによって、入射光の偏光に直交した、レーザ波長程度に微細な凹凸溝を作成する方法であって、
レーザの集光径、繰り返し周波数、及び加工対象物の加工閾値に応じて、同一部分におけるオーバーラップの回数が10〜300ショッ卜の間で一定値になるように、2次元ないしは3次元のガルバノスキャナでレーザ走査する位置を偏向制御すると同時に、周期構造に方向性を付与するための直線偏光レーザの偏光角度を、走査位置の極座標上の偏角に応じて、偏光回転素子を用いて電気的に追従制御して、自己組織的な周期構造の成長を行うものであり、前記追従制御は、前記パルスレーザの発振周期と同等以上の応答速度で行うことを特徴とする間欠周期構造の作成方法。 - 一軸でかつ加工閾値近傍のフルエンスで直線偏光のパルスレーザをオーバーラップさせながら集光照射して、入射光のP偏光成分と加工対象物の表面に沿ったP偏光成分の散乱光の干渉部分のアブレーションによって、入射光の偏光に直交した、レーザ波長程度に微細な凹凸溝を作成する方法であって、
レーザの集光径、繰り返し周波数、及び加工対象物の加工閾値に応じて、同一部分におけるオーバーラップの回数が10〜300ショッ卜の間で一定値になるように、2次元ないしは3次元のガルバノスキャナでレーザ走査する位置を偏向制御すると同時に、周期構造に方向性を付与するための直線偏光レーザの偏光角度を、走査位置の極座標上の偏角に応じて、偏光回転素子を用いて電気的に追従制御して、自己組織的な周期構造の成長を行うものであり、前記周期構造は同心円状とし、偏光角度が走査位置の極座標上の偏角と一致するように、レーザの直線偏光を偏光回転素子を用いて追従制御させることを特徴とする間欠周期構造の作成方法。 - 一軸でかつ加工閾値近傍のフルエンスで直線偏光のパルスレーザをオーバーラップさせながら集光照射して、入射光のP偏光成分と加工対象物の表面に沿ったP偏光成分の散乱光の干渉部分のアブレーションによって、入射光の偏光に直交した、レーザ波長程度に微細な凹凸溝を作成する方法であって、
レーザの集光径、繰り返し周波数、及び加工対象物の加工閾値に応じて、同一部分におけるオーバーラップの回数が10〜300ショッ卜の間で一定値になるように、2次元ないしは3次元のガルバノスキャナでレーザ走査する位置を偏向制御すると同時に、周期構造に方向性を付与するための直線偏光レーザの偏光角度を、走査位置の極座標上の偏角に応じて、偏光回転素子を用いて電気的に追従制御して、自己組織的な周期構造の成長を行うものであり、前記周期構造は放射状とし、偏光角度が走査位置の極座標上の偏角に対して、π/2(rad)の傾きを保つように、レーザの直線偏光を偏光回転素子を用いて追従制御させることを特徴とする間欠周期構造の作成方法。 - 一軸でかつ加工閾値近傍のフルエンスで直線偏光のパルスレーザをオーバーラップさせながら集光照射して、入射光のP偏光成分と加工対象物の表面に沿ったP偏光成分の散乱光の干渉部分のアブレーションによって、入射光の偏光に直交した、レーザ波長程度に微細な凹凸溝を作成する方法であって、
レーザの集光径、繰り返し周波数、及び加工対象物の加工閾値に応じて、同一部分におけるオーバーラップの回数が10〜300ショッ卜の間で一定値になるように、2次元ないしは3次元のガルバノスキャナでレーザ走査する位置を偏向制御すると同時に、周期構造に方向性を付与するための直線偏光レーザの偏光角度を、走査位置の極座標上の偏角に応じて、偏光回転素子を用いて電気的に追従制御して、自己組織的な周期構造の成長を行うものであり、前記周期構造はスパイラル状とし、周期構造の斜度をa(rad)としたとき、偏光角度が走査位置の極座標上の偏角に対して、(a+π/2)(rad)の傾きを保つように、レーザの直線偏光を偏光回転素子を用いて追従制御させることを特徴とする間欠周期構造の作成方法。 - 前記偏光回転素子が、液晶可変リターダ、ポッケルスセル、ファラデーローラのいずれかで構成されていることを特徴とする請求項2〜請求項4のいずれか1項に記載の間欠周期構造の作成方法。
- 一軸でかつ加工閾値近傍のフルエンスで直線偏光のパルスレーザをオーバーラップさせながら集光照射して、入射光のP偏光成分と加工対象物の表面に沿ったP偏光成分の散乱光の干渉部分のアブレーションによって、入射光の偏光に直交した、レーザ波長程度に微細な凹凸溝を有する自己組織的な周期構造の成長を行う間欠周期構造の作成装置であって、
レーザの集光径、繰り返し周波数、及び加工対象物の加工閾値に応じて、同一部分におけるオーバーラップの回数が10〜300ショッ卜の間で一定値になるように、レーザ走査する位置を偏向制御するための2次元ないしは3次元のガルバノスキャナと、
周期構造に方向性を付与するための直線偏光レーザの偏光角度を、走査位置の極座標上の偏角に応じて、偏光回転素子を用いて電気的に追従制御する追従制御手段とを備え、前記偏光回転素子は前記パルスレーザの発振周期と同等以上の応答速度で追従制御を行うことを特徴とする間欠周期構造の作成装置。
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