JP6605048B2 - 金属ペースト及びコンポーネントを接合するためのその使用 - Google Patents

金属ペースト及びコンポーネントを接合するためのその使用 Download PDF

Info

Publication number
JP6605048B2
JP6605048B2 JP2017562659A JP2017562659A JP6605048B2 JP 6605048 B2 JP6605048 B2 JP 6605048B2 JP 2017562659 A JP2017562659 A JP 2017562659A JP 2017562659 A JP2017562659 A JP 2017562659A JP 6605048 B2 JP6605048 B2 JP 6605048B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
weight
particles
component
silver
metal paste
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017562659A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2018526526A (ja
Inventor
トーマス クレブス
ミヒャエル シャフェール
ウォルフガング シュミット
スザンヌ クラウディア ダッチ
ジェンス ナクライナー
Original Assignee
ヘレウス ドイチェラント ゲーエムベーハー ウント カンパニー カーゲー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ヘレウス ドイチェラント ゲーエムベーハー ウント カンパニー カーゲー filed Critical ヘレウス ドイチェラント ゲーエムベーハー ウント カンパニー カーゲー
Publication of JP2018526526A publication Critical patent/JP2018526526A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6605048B2 publication Critical patent/JP6605048B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/02Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by mechanical features, e.g. shape
    • B23K35/0222Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by mechanical features, e.g. shape for use in soldering, brazing
    • B23K35/0244Powders, particles or spheres; Preforms made therefrom
    • B23K35/025Pastes, creams, slurries
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/06Metallic powder characterised by the shape of the particles
    • B22F1/068Flake-like particles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/09Mixtures of metallic powders
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/10Metallic powder containing lubricating or binding agents; Metallic powder containing organic material
    • B22F1/102Metallic powder coated with organic material
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/10Metallic powder containing lubricating or binding agents; Metallic powder containing organic material
    • B22F1/107Metallic powder containing lubricating or binding agents; Metallic powder containing organic material containing organic material comprising solvents, e.g. for slip casting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/17Metallic particles coated with metal
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F7/00Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
    • B22F7/06Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools
    • B22F7/062Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools involving the connection or repairing of preformed parts
    • B22F7/064Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools involving the connection or repairing of preformed parts using an intermediate powder layer
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/24Selection of soldering or welding materials proper
    • B23K35/30Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 1550 degrees C
    • B23K35/3006Ag as the principal constituent
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/24Selection of soldering or welding materials proper
    • B23K35/30Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 1550 degrees C
    • B23K35/302Cu as the principal constituent
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/34Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material comprising compounds which yield metals when heated
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/36Selection of non-metallic compositions, e.g. coatings, fluxes; Selection of soldering or welding materials, conjoint with selection of non-metallic compositions, both selections being of interest
    • B23K35/3612Selection of non-metallic compositions, e.g. coatings, fluxes; Selection of soldering or welding materials, conjoint with selection of non-metallic compositions, both selections being of interest with organic compounds as principal constituents
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/36Selection of non-metallic compositions, e.g. coatings, fluxes; Selection of soldering or welding materials, conjoint with selection of non-metallic compositions, both selections being of interest
    • B23K35/3612Selection of non-metallic compositions, e.g. coatings, fluxes; Selection of soldering or welding materials, conjoint with selection of non-metallic compositions, both selections being of interest with organic compounds as principal constituents
    • B23K35/3618Carboxylic acids or salts
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/36Selection of non-metallic compositions, e.g. coatings, fluxes; Selection of soldering or welding materials, conjoint with selection of non-metallic compositions, both selections being of interest
    • B23K35/365Selection of non-metallic compositions of coating materials either alone or conjoint with selection of soldering or welding materials
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K37/00Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2301/00Metallic composition of the powder or its coating
    • B22F2301/25Noble metals, i.e. Ag Au, Ir, Os, Pd, Pt, Rh, Ru
    • B22F2301/255Silver or gold
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36Electric or electronic devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199Material of the matrix
    • H01L2224/292Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29238Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29239Silver [Ag] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199Material of the matrix
    • H01L2224/292Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29238Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29247Copper [Cu] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199Material of the matrix
    • H01L2224/292Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29238Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29255Nickel [Ni] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199Material of the matrix
    • H01L2224/292Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29263Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/2928Molybdenum [Mo] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/8384Sintering

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Pigments, Carbon Blacks, Or Wood Stains (AREA)
  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Description

本発明は、金属ペースト及び前記金属ペーストが使用されるコンポーネントの接合のための方法に関する。
圧力及び温度に対して非常に敏感である、LED又は非常に薄いシリコンチップなどのコンポーネント(部品)を接合することは、パワー・消費者エレクトロニクスの分野では特に困難である。
この理由のため、前記圧力及び温度に対して非常に敏感であるコンポーネントは、しばしば互いに接着されることにより接合される。しかしながら、接着技術は、不十分な熱伝導率及び/又は導電性率のみを含むコンポーネント間の接触部位を生成するという欠点と関連する。
この問題を解決するために、接合されるコンポーネントはしばしば焼結される。焼結技術は、コンポーネントを安定して接合するための非常に簡単な方法である。
焼結処理において金属ペーストを使用してコンポーネントを接合することは、パワー・エレクトロニクスにおいて公知である。例えば、特許文献1には、少なくとも1つの有機化合物を含有するコーティングを含む粒子の形態で存在する少なくとも1つの金属75〜90重量%(重量パーセント)と、少なくとも1つの金属前駆体0〜12重量%と、少なくとも1つの溶媒6〜20重量%と、少なくとも1つの焼結助剤0.1〜15重量%を含む金属ペースト、並びに、焼結法によってコンポーネントを接合するための前記金属調製品の使用が開示されている。
又、特許文献2には、コンポーネントの接合のための焼結処理で使用されてもよく、構造の粒子としての有機コーティング銅、銀及び/又は金粒子、並びに非有機コーティング(コーティングされていない)金属及び/又はセラミック補助粒子を含有する焼結材料が開示されている。金属補助粒子を参照すると、これらは構造の粒子と同じ材料から作られて提供されているようであることが分かる(ただし、有機コーティングではない)。
国際公開第2011/026623 A1号 独国特許出願公開第10 2009 000 192 A1号
本発明の目的は、安定した方法でコンポーネントを接合するための焼結方法を提供することである。この方法は、接合されるコンポーネント間に、低間隔率並びに高い電気伝導率及び熱伝導率を有する接触部位を生成するために使用される。この焼結方法は、加圧焼結条件と無加圧焼結の両方で安定してコンポーネントを接合するのに好適である。接合されたコンポーネント間に提供された焼結層(焼結された層)の形態でのこの方法で生成された焼結接合部は、通常の使用条件下で起こりうるような持続的な温度ストレスの後でも脆くなることはなく、また、内部の機械的な応力を形成することはなく、若しくは殆ど形成することはないであろう。コンポーネントを接合する焼結層の脆弱性及び機械的な応力は、前記接合の強度を弱めるか、又はそれを破壊することがあり、これは、例えば大きな表面のヒートシンク又は大きな表面のチップなどの、大きな表面を有するコンポーネントの接合において特に重要な問題となる。大きな表面のコンポーネントの例には、接触表面積が16mm超、例えば16mm超12000mm以下の範囲のものが含まれる。具体例は、それぞれが4mmを超える接線の長さを有する長方形の接触表面を有する長方形コンポーネントを含み、長辺は例えば150mm以下の長さである。本発明の他の目的は、前記焼結方法を実施するのに好適な金属ペーストを提供することである。
本発明は、(a)少なくとも(a1)1つのコンポーネント1と、(a2)1つのコンポーネント2と、(a3)コンポーネント1とコンポーネント2の間に位置する1つの金属ペーストとを含むサンドイッチ構造を提供する工程と、(b)サンドイッチ構造を焼結する工程と、を含み、金属ペーストは、(A)少なくとも1つの有機化合物を含むコーティングを含む、75〜90重量%の銅及び/又は銀粒子と、(B)5〜20重量%の有機溶媒と、(C)粒子(A)とは異なり、0.2〜10μmの範囲の平均粒径(d50)を有する2〜20重量%の少なくとも1種の金属粒子と、を含み、成分(C)の金属粒子は、モリブデン粒子及び銀含有率が10〜90重量%であるニッケルコア−銀ジャケット粒子からなる群から選択される、コンポーネントの接合方法に関する。
本発明は更に、(A)少なくとも1つの有機化合物を含むコーティングを含む、75〜90重量%の銅及び/又は銀粒子と、(B)5〜20重量%の有機溶媒と、(C)粒子(A)とは異なり、0.2〜10μmの範囲の平均粒径(d50)を有する2〜20重量%の少なくとも1種の金属粒子と、を含み、成分(C)の金属粒子は、モリブデン粒子及び銀含有率が10〜90重量%であるニッケルコア−銀ジャケット粒子からなる群から選択される金属ペーストに関する。
明細書及び特許請求の範囲で使用される「平均粒径」という用語は、レーザ回折によって決定することができる平均一次粒径(d50)を意味すると理解されるものとする。レーザ回折による測定は、例えば、mal−vern Instruments製のMastersizer 3000のような粒子径測定装置を用いて適切に行うことができる。
本発明による金属ペーストは、成分(A)として75〜90重量%、好ましくは77〜89重量%、より好ましくは78〜87重量%、さらにより好ましくは78〜86重量%の少なくとも1種の有機化合物を含有するコーティングを含む、銅及び/又は銀粒子を含む。ここで、与えられている重量とは、粒子上に位置するコーティング化合物の重量を含む。
「銅及び/又は銀粒子(A)」との用語は、純金属(少なくとも99.9重量%の純度)及び10重量%までの少なくとも1種の他の合金金属を含む合金からなる粒子を含むと理解されるものとする。好適な合金金属の例は、銅、銀、金、ニッケル、パラジウム、白金及びアルミニウムである。
銀粒子は、特に純銀から作られたものが成分(A)として好ましい。
銅及び/又は銀粒子(A)は、異なる形状であってもよい。それらは、例えば、フレークの形態で存在してもよく、又は球形(ボール状)であってもよい。特に好ましい実施形態によれば、それらはフレークの形状である。しかしながら、このことは、銅及び/又は銀粒子の少しの割合の異なる形の粒子にすることを排除するものではない。しかしながら、好ましくは、銅及び/又は銀粒子の少なくとも70重量%、より好ましくは少なくとも80重量%、さらにより好ましくは少なくとも90重量%、100重量%がフレークの形状で存在する。
銅及び/又は銀粒子がコーティングされる。
粒子のコーティングという用語は、粒子の表面上の強固な付着層を指すと理解されるものとする。
銅及び/又は銀粒子のコーティングは、少なくとも1種のコーティング化合物を含有する。
前記コーティング化合物は有機化合物である。
コーティング化合物として機能する有機化合物は、銅及び/又は銀粒子が凝集するのを防止する炭素含有化合物である。
好ましい実施形態としては、コーティング化合物は、少なくとも1つの官能基を有する。考えられる官能基は、特に、カルボン酸基、カルボキシレート基、エステル基、ケト基、アルデヒド基、アミノ基、アミド基、アゾ基、イミド基又はニトリル基を含む。カルボン酸基及びカルボン酸エステル基は、好ましい官能基である。カルボン酸基は脱プロトン化されていてもよい。
少なくとも1つの官能基を有するコーティング化合物は、好ましくは飽和、単官能不飽和又は多官能不飽和有機化合物である。
さらに、少なくとも1つの官能基を有する前記コーティング化合物は、分岐又は非分岐であってもよい。
少なくとも1つの官能基を有するコーティング化合物は、好ましくは1〜50、より好ましくは2〜24、さらにより好ましくは6〜24、さらに好ましくは8〜20の炭素原子を有する。
コーティング化合物は、イオン性又は非イオン性であってもよい
コーティング化合物としては、遊離脂肪酸、脂肪酸塩、又は脂肪酸エステルを用いることが好ましい。
遊離脂肪酸、脂肪酸塩及び脂肪酸エステルは、好ましくは非分岐である。
さらに、遊離脂肪酸、脂肪酸塩及び脂肪酸エステルは好ましくは飽和されている。
好ましい脂肪酸塩としては、アンモニウム塩、モノアルキルアンモニウム塩、ジアルキルアンモニウム塩、トリアルキルアンモニウム塩、アルミニウム塩、銅塩、リチウム塩、ナトリウム塩及びカリウム塩が含まれる。
アルキルエステル、特にメチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル及びブチルエステルは、好ましいエステルである。
好ましい実施形態としては、遊離脂肪酸、脂肪酸塩又は脂肪酸エステルは、8〜24、より好ましくは8〜18の炭素原子を有する化合物である。
好ましいコーティング化合物は、カプリル酸(オクタン酸)カプリン酸(デカン酸)、ラウリン酸(ドデカン酸)、ミリスチン酸(テトラデカン酸)、パルミチン酸(ヘキサデカン酸)、マルガリン酸(ヘプタデカン酸、ステアリン酸(オクタデカン酸)、アラキン酸(エイコサン酸/イコサン酸)、ベヘン酸(ドコサン酸)、リグノセリン酸(テトラコサン酸)、並びに対応するエステル及び塩が含まれる。
特に好ましいコーティング化合物は、ドデカン酸、オクタデカン酸、ステアリン酸アルミニウム、ステアリン酸銅、ステアリン酸ナトリウム、ステアリン酸カリウム、パルミチン酸ナトリウム、及びパルミチン酸カリウムが含まれる。
コーティング化合物は、先行技術から知られている従来の方法によって銅及び/又は銀粒子(A)の表面に適用されてもよい。
例えば、上記のコーティング化合物、特にステアリン酸塩又はパルミチン酸塩を溶媒中にスラリー化し、スラリー化したコーティング化合物をボールミル中の銅及び/又は銀粒子と共に粉砕することができる。粉砕後には、コーティング化合物でコーティングされた銅及び/又は銀粒子を乾燥させ、次いで粉塵を除去する。
好ましくは、有機化合物の割合、特に、コーティング全体に対する遊離脂肪酸、脂肪酸塩、及び脂肪酸エステルからなる群から選択される化合物の割合は、少なくとも60重量%、より好ましくは少なくとも70重量%、さらにより好ましくは少なくとも80重量%、さらにより好ましくは少なくとも90重量%、特に少なくとも95重量%、少なくとも99重量%又は100重量%である。
コーティング化合物、好ましくは遊離脂肪酸、脂肪酸塩、及び脂肪酸エステルからなる群から選択されるコーティング化合物の割合は、コーティングされた銅及び/又は銀粒子の重量に対して5重量%未満、例えば0.01〜2重量%、好ましくは0.3〜1.5重量%の量で存在する。
コーティング化合物の質量と銅及び/又は銀粒子の表面積との比として定義されるコーティングの程度は、好ましくは銅及び/又は銀粒子の表面積の1平方メートル(m)あたりのコーティング化合物が0.00005〜0.03g、より好ましくは0.0001〜0.02gである。
本発明による金属ペーストは、成分(B)として、6〜20重量%、好ましくは7〜18重量%、さらに好ましくは8〜17重量%、さらに好ましくは10〜15重量%の有機溶媒、例えば1種の有機溶媒又は少なくとも2種の有機溶媒の混合物を含む。
有機溶媒又は溶媒(B)は、金属ペーストに一般的に使用される有機溶媒である。例として、テルピネオール、N−メチル−2−ピロリドン、エチレングリコール、ジメチルアセトアミド、1−トリデカノール、2−トリデカノール、3−トリデカノール、4−トリデカノール、5−トリデカノール、6−トリデカノール、イソトリデカノール、最後から2番目のC原子上のメチル置換を除いて、非置換1−ヒドロキシ−C16〜C20アルカン、例えば、16−メチルヘプタデカン−1−オール、二塩基性エステル(好ましくはグルタル酸、アジピン酸又はコハク酸又はそれらの混合物のジメチルエステル)、グリセロール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、及び脂肪族炭化水素特に5〜32個のC原子、より好ましくは10〜25個のC原子、さらにより好ましくは16〜20個のC原子を有する飽和脂肪族炭化水素である。前記脂肪族炭化水素は、例えば、Exxon Mobilによって、商品名エクソソル(商標)D140又は商品名アイソパーM(商標)で市販されている。
本発明において、金属ペーストは、成分(C)として、粒子(A)とは異なり、0.2〜10μmの範囲の平均粒子径(d50)を有する少なくとも1種の2〜20重量%の金属粒子であり、成分(C)の金属粒子は、モリブデン粒子、並びに10〜90重量%、好ましくは15〜30重量%、特に25重量%の銀含有量を有するニッケルコア−銀ジャケット粒子からなる群から選択される。
成分(C)を形成する粒子は、銅及び/又は銀粒子(A)とは異なる。それらは、モリブデン粒子、10〜90重量%、好ましくは15〜30重量%、特に25重量%の銀含有量を有するニッケルコア−銀ジャケット粒子[銀被コーティング(同封)ニッケル粒子]、又は、モリブデン粒子と、10〜90重量%、好ましくは15〜30重量%、特に25重量%の銀含量を有するニッケルコア−銀ジャケット粒子と、の組み合わせのいずれかである。換言すれば、ニッケルコア−銀ジャケット粒子の銀ジャケットは、ニッケルコア−銀ジャケット粒子の総重量の10〜90重量%、好ましくは15〜30重量%、特に25重量%を占める。
特に、粒子(C)は、フレークも針も含まず、具体的には、例えば1〜3、好ましくは1〜2の範囲の形状係数を含む。
「形状係数」という用語は、ここでは粒子の形状を指し、粒子の最大及び最小の長手方向伸長の比を意味する。それは、顕微鏡写真の分析により、統計学的に合理的な数の粒子、例えば2500〜3000個の個々の粒子の寸法を測定することによって決定されてもよい。例えば、自動画像分析システムに結合された5000倍の倍率の光学顕微鏡がこの目的のために使用されてもよい。
1〜3又は1〜2の特定の範囲の形状係数を有する粒子は、例えば、球形(形状係数1)、本質的に球形、楕円形又は卵形、不規則であるがコンパクト形状、いわゆるコインの形状等を含むが、いずれの場合にも、小板(フレーク)又は針の形状とは異なる形状である。粒子(C)の表面は、滑らかであっても不規則であってもよく、例えば、粗い又は粗面化されていてもよい。
一実施形態では、成分(C)を形成するニッケルコア−銀ジャケット粒子はコーティングを有さない。
本発明による金属ペーストは、0〜12重量%、好ましくは0.1〜12重量%、より好ましくは1〜10重量%、さらにより好ましくは2〜8重量%の少なくとも1種の金属前駆体(D)を含んでいてもよい。
本発明の範囲において、金属前駆体は、少なくとも1種の金属を含む化合物を意味すると理解されるものとする。好ましくは、前記化合物は200℃未満の温度で分解し、金属を放出する。従って、焼結処理において金属前駆体を使用することは、金属の現場での生産に関連していることが好ましい。化合物が金属前駆体であるかどうかを判断することは容易である。例えば、試験される化合物を含むペーストを銀表面を有する基板上に配置し、その後200℃に加熱し、この温度を20分間維持してもよい。次いで、試験される化合物がこうした条件下で分解して金属を形成したかどうかが試験される。この目的で、例えば、金属含有ペースト成分の含有量は、試験前に計量され、金属の理論的質量を算出してもよい。試験後、基板上に置かれた材料の質量は重量法によって測定される。一般的な測定誤差を考慮して、基板上に配置された材料の質量が金属の理論的質量に等しい場合、試験された化合物は金属前駆体である。
好ましい実施形態によれば、金属前駆体は吸熱的に分解できる金属前駆体である。吸熱的に分解できる金属前駆体は、好ましくは保護ガス雰囲気下での熱分解が吸熱プロセスである金属前駆体と理解されるものとする。前記熱分解は金属前駆体からの金属の放出を伴う。
金属前駆体は、好ましくは金属として、銅、銀、金、ニッケル、パラジウム、及び白金、特に銅及び銀からなる群から選択される少なくとも1つの元素を含む。
金属前駆体として、上述の金属の吸熱的に分解可能な炭酸塩、乳酸塩、ギ酸塩、クエン酸塩、酸化物又は脂肪酸塩、好ましくは6〜24個の炭素原子を有する脂肪酸塩を使用することが好ましい場合がある。
特定の実施形態では、金属前駆体として、炭酸銀、乳酸銀、ギ酸銀、クエン酸銀、酸化銀(例えばAgO又はAGO)、乳酸銅、ステアリン酸銅、酸化銅(例えばCuO又はCuO)が使用される。
特に好ましい実施形態によれば、金属前駆体として、炭酸銀及び/又は酸化銀が使用される。
金属ペースト中に存在する場合、金属前駆体は好ましくは粒子状で存在する。
金属前駆体の粒子は、フレーク状又は球状(玉状)であってもよい。好ましくは、金属前駆体の粒子はフレーク状で存在する
さらに、金属ペーストは、0〜10重量%、好ましくは0〜8重量%の少なくとも1種の焼結助剤(E)を含んでもよい。焼結助剤の例には、例えばWO2011/026623A1に記載されているような有機過酸化物、無機過酸化物、及び無機酸が含まれる。
本発明による金属ペーストは、上述の成分(A)〜(E)に加えて1つ以上のさらなる成分(F)を0〜15重量%、好ましくは0〜12重量%、より好ましくは0.1〜10重量%含んでもよい。前記さらなる成分は、好ましくは金属ペーストで一般に使用される成分であってもよい。金属ペーストは、さらなる成分として、例えば、分散剤、界面活性剤、消泡剤、結合剤、セルロース誘導体などのポリマー、例えばメチルセルロース、エチルセルロース、エチルメチルセルロース、カルボキシセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシメチルセルロース、及び/又は粘度調整(流動学的)剤を含んでもよい。
成分(A)〜(F)に関して特定された割合の重量%の合計は、例えば、本発明による金属ペーストに対して、すなわちその適用の前に、100重量%になる。従って、本発明による金属ペーストは、成分(A)〜(F)を混合することによって生成することができる。この文脈では、当業者に公知の装置、例えば撹拌機及び3本ローラーミルを使用することができる。
本発明による金属ペーストは、特に焼結ペーストとして、すなわち焼結処理で使用することができる。焼結は、銅及び/又は銀粒子(A)が液相に到達しないように加熱することによって2つ以上のコンポーネントを接合することを意味することが理解されるものとする。
本発明による金属ペーストの使用によって実施される焼結方法は、圧力をかけながら実施することができ、又は圧力をかけないで実施することができる。圧力をかけないで焼結方法を実施できることは、コンポーネントの十分に強固な接合が、前述の圧力の適用に関係なく、達成されることを意味する。圧力をかけないで焼結処理を実施できることは、感圧性の、例えば脆弱なコンポーネント又は機械的に敏感な微細構造を有するコンポーネントを、焼結方法で使用できるようにする。機械的に敏感な微細構造を有する電子コンポーネントは、許容できない圧力に晒されるときに電気的不具合を起こす。
少なくとも2つのコンポーネントの接合は、第1のコンポーネントを第2のコンポーネント上に取り付けることを意味することが理解されるものとする。この文脈において、「上に」は、2つのコンポーネントの相対配置又は少なくとも2つのコンポーネントを含む構造に関係なく、単に第1のコンポーネントの表面が第2のコンポーネントの表面に接合されることを意味する。
本発明の範囲において、コンポーネントとは単一の部品を含むことが好ましい。好ましくは前記単一の部品は更に分解することが出来ない。
特定の実施形態によれば、コンポーネントとは電子機器で使用される部品のことを言う。
従って、コンポーネントは、例えば、ダイオード、LED(発光ダイオード、lichtemittierende Dioden)、DCB(直接銅接合)基板、リードフレーム、ダイ、IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ、Bipolartransistoren mit isolierter Gate−Elektrode)、IC(集積回路、integrierte Schaltungen)、センサ、ヒートシンク素子(好ましくはアルミニウムヒートシンク素子又は銅ヒートシンク素子)、又は他の受動コンポーネント(例えば抵抗器、コンデンサ、又はコイル)であってもよい。本発明の目的について明細書から明らかなように、コンポーネントは、上述したように、特に大きな表面のコンポーネントを含んでもよい。
接合されるコンポーネントは同一又は異なるコンポーネントであってもよい。
本発明の実施形態は、LEDをリードフレームに、LEDをセラミック基板に、ダイ、ダイオード、IGBT又はICをリードフレーム、セラミック基板又はDCB基板に、センサをリードフレーム又はセラミック基板に接合することに関する。
コンポーネント、例えばコンポーネント1及び2の少なくとも1つは、いずれにしても金属で構成されていない限り、少なくとも1つの金属接触面を、例えばメタライゼーション層の形態で含むことができ、それによって上述したサンドイッチ構造は、本発明による方法の範囲内で行われる。前記メタライゼーション層は好ましくはコンポーネントの一部である。好ましくは、前記メタライゼーション層はコンポーネントの少なくとも1つの表面に位置する。
好ましくは、本発明による金属ペーストを用いたコンポーネントの接合は、前記メタライゼーション層又は複数のメタライゼーション層を用いて実施される。
メタライゼーション層は純金属を含んでもよい。従って、メタライゼーション層は少なくとも50重量%、より好ましくは少なくとも70重量%、さらにより好ましくは少なくとも90重量%又は100重量%の純金属を含むことが好ましい場合がある。純金属は、例として、アルミニウム、銅、銀、金、パラジウム、及び白金からなる群から選択される。
また一方、メタライゼーション層は合金を含んでもよい。メタライゼーション層の合金は、好ましくはアルミニウム、銀、銅、金、ニッケル、パラジウム、及び白金からなる群から選択される少なくとも1つの金属を含む。
メタライゼーション層は多層構造を有してもよい。従って、接合されるコンポーネントの少なくとも1つの表面が、上述の純金属及び/又は合金を含む多層でできたメタライゼーション層を含むことが好ましい場合もある。
本発明による方法では、少なくとも2つのコンポーネントは焼結によって互いに接合されている。
この目的で、2つのコンポーネントはまず互いに接触させられる。この文脈では、接触は本発明による金属ペーストを用いて行われる。この目的で、本発明による金属ペーストが少なくとも2つのコンポーネントのそれぞれの2つの間に位置付けられる構造が設けられる。
従って、2つのコンポーネント、すなわちコンポーネント1及びコンポーネント2が互いに接合される場合、本発明による金属ペーストは、焼結処理の前にコンポーネント1及びコンポーネント2の間に位置付けられる。他方、2つより多いコンポーネントを互いに接合することも考えられる。例えば、3つのコンポーネント、すなわちコンポーネント1、コンポーネント2、及びコンポーネント3は、コンポーネント2がコンポーネント1とコンポーネント3の間に位置付けられるように適切に互いに接合されてもよい。この場合、本発明による金属ペーストは、コンポーネント1とコンポーネント2との間、及びコンポーネント2とコンポーネント3との間の両方に位置付けられる。
それぞれのコンポーネントはサンドイッチ構造に存在し、互いに接合されている。サンドイッチ構造は、2つのコンポーネントが互いに対して基本的に平行に配置されて、2つのコンポーネントが上下に位置付けられた構造を意味することが理解されるものとする。
本発明による少なくとも2つのコンポーネント及び金属ペーストの構造は、金属ペーストが前記構造の2つのコンポーネントの間に位置付けられて、先行技術による公知のいずれの方法によっても生成してもよい。
好ましくは、第1に、コンポーネント1の少なくとも1つの表面は、本発明による金属ペーストとともに供給される。次に別のコンポーネント2が、コンポーネント1の表面に適用された金属ペースト上に、コンポーネント2の表面のうちの1つによって配置される。
コンポーネントの表面上への本発明による金属ペーストの適用は、従来の方法、例えばスクリーン印刷又はステンシル印刷などの印刷方法を用いて行われてもよい。一方、本発明による金属ペーストは、ディスペンシング技術、ピン転写、又は液浸によって適用されてもよい。
本発明による金属ペーストの適用後に、金属ペーストが供給された前記コンポーネントの表面と、金属ペーストを用いて接合されるコンポーネントの表面とを接触させることが好ましい。よって、本発明による金属ペーストの層は、接合されるコンポーネントの間に位置付けられる。
好ましくは、接合されるコンポーネントの間の湿潤層の厚さは20〜100μmの範囲内にある。この文脈で湿潤層の厚さは、もしあれば乾燥前、そして焼結前の、接合されるコンポーネントの対向する表面間の距離を意味することが理解されるものとする。湿潤層の好ましい厚さは、金属ペーストを適用するために選択される方法による。金属ペーストが、例えばスクリーン印刷法を用いて適用される場合、湿潤層の好ましい厚さは、20〜50μmであってもよい。金属ペーストがステンシル印刷によって適用される場合、湿潤層の好ましい厚さは20〜100μmの範囲内にあってもよい。ディスペンシング技術における湿潤層の好ましい厚さは20〜100μmの範囲内にあってもよい。
選択肢として、乾燥工程は焼結前に導入され、すなわち、有機溶媒は適用される金属ペーストから除去される。好ましい実施形態によれば、乾燥後の金属ペースト中の有機溶媒の割合は、例えば、本発明による金属ペースト中の、すなわち適用の準備が整った金属ペースト中の有機溶媒の最初の割合に対して0〜5重量%である。換言すれば、前記好ましい実施形態によれば、例えば、本発明による金属ペースト中に最初に存在する有機溶媒の95〜100重量%が乾燥中に除去される。
乾燥が加圧しない焼結処理で行われる場合、乾燥は構造を生成した後、すなわち接合されるコンポーネントの接触の後に進行してもよい。乾燥が加圧を含む焼結処理で行われる場合、乾燥は、コンポーネントの少なくとも1つの表面上に金属ペーストを適用した後、かつ接合されるコンポーネントの接触の前に進行してもよい。
好ましくは、乾燥温度は100〜150℃の範囲内にある。
明らかに乾燥時間は、本発明による金属ペーストの組成及び焼結される構造の接合面の大きさによる。一般的な乾燥時間は5〜45分の範囲内にある。
少なくとも2つのコンポーネント及びコンポーネント間に位置付けられる金属ペーストからなる構造は、最後に焼結処理を受ける。
実際の焼結は、例えば加圧して又は加圧しない、いずれかの処理において200〜280℃の温度で行われる。
加圧焼結における処理圧力は、好ましくは30MPa未満であり、より好ましくは5MPa未満である。例えば、処理圧力は1〜30MPaの範囲内にあり、より好ましくは1〜5MPaの範囲内にある。
焼結時間は、例えば2〜60分の範囲内にあり、例えば加圧焼結において2〜5分の範囲内にあり、例えば加圧なしの焼結において30〜60分の範囲内にある。
焼結処理は特定の制限を受けない雰囲気下で行われてもよい。したがって、一方で焼結は酸素を含む雰囲気下で行われてもよい。他方、焼結は酸素を含まない雰囲気中で行われることも同様に可能である。本発明の範囲において、酸素を含まない雰囲気は、酸素含有量が10ppm以下であり、好ましくは1ppm以下であり、さらにより好ましくは0.1ppm以下である雰囲気を意味することが理解されるものとする。
焼結は、上述の処理パラメーターを設定できる従来の適切な焼結装置で行われる。
剪断強度のような基本的要求を満たすこととは別に、本発明による金属ペーストから生成され、及び/又は本発明による金属ペーストを使用する本発明による方法により生成される化合物は、コンポーネントを接合する焼結層の形態で存在して、200℃で例えば100又は200時間の長期間の温度ストレスの後に、それらの有利な挙動によって特徴付けられる。その結果、脆弱化が少なく、低い程度のみの内部応力を形成する。脆弱化挙動及び内部応力の形成の程度は、自由焼結層を用いて実験室で調査されてもよい。この目的のために、例えば、長さ2.5cm、幅1cm、厚さ100μmの自由焼結層が、ステンシル印刷により酸化銅箔上に試験された金属ペーストを塗布し、通常の方法で昇温して焼結し、続いて、それを酸化銅箔から分離することによって生成されてもよい。酸化銅フィルムの酸化物層は、焼結層が分離されるときに簡単に分離されるのに有用である。このようにして生成された自由焼結層は、その後、例えば200℃で100時間又は200時間のような長期間の温度ストレスの前後で、内部応力の形成の尺度である弾性率及び反り又はボーイングを測定することによって脆弱化挙動を試験することができる。弾性率Eは、DIN EN ISO 7438:2012−03に従って、2つの支持ローラ及び1つの曲げダイを有する曲げ装置を用いた曲げ試験で決定された曲げ力Xから、以下の式に従って求めることができる。
E=(l・X):(4D・b・a
l:スパン(単位:mm)
X:曲げ弾性率(曲げ弾性率の測定開始時は0kN)の測定終了時に測定した力(単位:kN)
D:サギング(mm単位)
b:サンプルの幅(単位:mm)
a:試料の厚さ(単位:mm)
これに関連して、より高い弾性率は、より高い脆弱性を示し、換言すれば、焼結層のストレスを受けていない試料本体の開始値と比較して、長期間の温度ストレスの後の焼結層の試料本体の弾性率の増加が小さいほど、脆弱性を示す望ましくない傾向が低くなる。長期間の温度ストレス後の曲率の測定は、Din EN ISO 25178−6:2010−06に準拠した多点測定として、共焦点顕微鏡法を使用して行うことができる(スタンダードの3.3.6項を参照)低曲率は、内部応力の低い形成を示す。
本発明を以下の実施例を通して説明するが、これらは本発明をいかなる点又は形態においても限定するようには解釈されない。
1.金属ペーストの生成
最初に、本発明による金属ペーストP8−P13及び参照ペーストP1−P7を、以下の表に従ってそれぞれの成分を混合することによって生成した。記載された全ての量は重量%の単位である。
Figure 0006605048
Figure 0006605048
銀粒子:脂肪酸混合物0.6重量%でコーティングしたd50=4μmの銀フレーク(ラウリン酸/ステアリン酸は重量比で25:75)
酸化アルミニウム:d50=2.5μmの粒子
タングステン:d50=1.5μmの粒子
窒化アルミニウム:d50=1.5μmの粒子
二酸化チタン:d50=3μmの粒子
モリブデン:d50=2.1μmの粒子
銀コーティングニッケル粒子:d50=5μmのニッケルコア−銀ジャケット粒子(銀:ニッケルの重量比=75:25)
2.金属ペーストの塗布及び焼結:
a)弾性率の測定及び曲率の測定のための自由焼結層の製造
特定の金属ペーストを、150μmの湿潤層の厚さで銅箔の銅酸化物表面上にステンシル印刷により塗布した。それぞれの場合の印刷面は、2.5cm×1.0cmの寸法を有する矩形の全面であった。続いて、塗布した金属ペーストを乾燥させ(循環空気乾燥オーブン内で120℃、30分間)、250℃、4MPaの圧力で2分間焼結した。焼結後の層の厚さは100μmであった。焼結した金属層をその後の試験のために、酸化銅箔から分離した。
b)剪断強度を測定するための試料の製造
特定の金属ペーストを、4mm/4mmのDCB基材の全表面領域上に、75μmの湿潤層の厚さで、ステンシル印刷により塗布した。試料を、循環空気乾燥オーブン中、120℃で30分間乾燥させた。シリコンチップを、150℃の温度で4mm/4mmの銀接触面によって乾燥したペースト上に配置した。シリコンチップをコンポーネントをDCBに焼結させるために4MPa、250℃で2分間加熱した。
焼結後、剪断強度を試験することによって接合を測定した。これに関連して、シリコンチップを剪断チズルで260℃、0.3mm/秒の速度で剪断した。力はロードセル(DAGE、ドイツのDAGE2000装置)を用いて測定した。
自由焼結層の弾性率及び曲率は、200℃で100時間の長期間の温度ストレスなし、又はその後に、曲げ試験によって測定し、各ケースにおいて、上記の手順に従った。得られた測定結果を次の表に示す。
Figure 0006605048

Claims (11)

  1. (A)少なくとも1つの有機化合物を含むコーティングを含む、75〜90重量%の銀粒子と、(B)5〜20重量%の有機溶媒と、(C)銀粒子(A)とは異なり、0.2〜10μmの範囲の平均粒径(d50)を有する2〜20重量%の少なくとも1種の金属粒子と、を含み、成分(C)の金属粒子は、モリブデン粒子及び銀含有率が10〜90重量%であるニッケルコア−銀ジャケット粒子からなる群から選択される、金属ペースト。
  2. 粒子(A)がフレーク状である、請求項1に記載の金属ペースト。
  3. 前記少なくとも1つの有機化合物は、遊離脂肪酸、脂肪酸塩、及び脂肪酸エステルからなる群から選択される、請求項1又は2に記載の金属ペースト。
  4. 前記ニッケルコア−銀ジャケット粒子の前記銀含有率は15〜30重量%の範囲である、請求項1から3のいずれかに記載の金属ペースト。
  5. 前記ニッケルコア−銀ジャケット粒子の前記銀含有率は25重量%である、請求項4に記載の金属ペースト。
  6. 粒子(C)は1〜3の範囲の形状係数を含む、請求項1から5のいずれかに記載の金属ペースト。
  7. 成分(A)〜(C)とは別に、0〜12重量%の少なくとも1種の金属前駆体(D)と、0〜10重量%の少なくとも1種の焼結助剤(E)と、分散剤、界面活性剤、消泡剤、結合剤、ポリマー及び/又は粘度調整(流動学的)剤から選択される1種以上の0〜15重量%のさらなる成分(F)と、を含む、請求項1からのいずれかに記載の金属ペースト
  8. (a)少なくとも(a1)1つのコンポーネント1と、(a2)1つのコンポーネント2と、(a3)前記コンポーネント1と前記コンポーネント2との間に位置する、請求項1〜のいずれかに記載の金属ペーストとを含むサンドイッチ構造を提供する工程と、(b)前記サンドイッチ構造を焼結する工程と、からなるコンポ―ネントの接合方法。
  9. 前記焼結が加圧して又は加圧しないで行われる、請求項に記載の接合方法。
  10. 前記コンポーネントは、電子機器で使用される部品である、請求項8又は9に記載の接合方法。
  11. 前記コンポーネントは、16mm超12000mm以下の範囲の接触面を有するコンポーネントである、請求項10に記載の接合方法。
JP2017562659A 2015-09-04 2016-08-02 金属ペースト及びコンポーネントを接合するためのその使用 Active JP6605048B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP15183796.0 2015-09-04
EP15183796.0A EP3009211B1 (de) 2015-09-04 2015-09-04 Metallpaste und deren verwendung zum verbinden von bauelementen
PCT/EP2016/068372 WO2017036704A1 (de) 2015-09-04 2016-08-02 Metallpaste und deren verwendung zum verbinden von bauelementen

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018526526A JP2018526526A (ja) 2018-09-13
JP6605048B2 true JP6605048B2 (ja) 2019-11-13

Family

ID=54072689

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017562659A Active JP6605048B2 (ja) 2015-09-04 2016-08-02 金属ペースト及びコンポーネントを接合するためのその使用

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11045910B2 (ja)
EP (1) EP3009211B1 (ja)
JP (1) JP6605048B2 (ja)
KR (1) KR102065232B1 (ja)
CN (1) CN107743425B (ja)
TW (1) TWI628256B (ja)
WO (1) WO2017036704A1 (ja)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7222346B2 (ja) * 2017-03-15 2023-02-15 株式会社レゾナック 接合用金属ペースト、接合体及びその製造方法、並びに半導体装置及びその製造方法
EP3401039A1 (de) 2017-05-12 2018-11-14 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Verfahren zum verbinden von bauelementen mittels metallpaste
EP3622554A1 (de) 2017-05-12 2020-03-18 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Verfahren zum verbinden von bauelementen mittels metallpaste
WO2019069818A1 (ja) * 2017-10-02 2019-04-11 リンテック株式会社 焼成材料組成物、フィルム状焼成材料の製造方法、及び支持シート付フィルム状焼成材料の製造方法
EP3626785B1 (de) * 2018-09-20 2021-07-07 Heraeus Deutschland GmbH & Co KG Metallpaste und deren verwendung zum verbinden von bauelementen
US11890681B2 (en) * 2018-11-29 2024-02-06 Resonac Corporation Method for producing bonded object and semiconductor device and copper bonding paste
TWI784320B (zh) * 2019-09-24 2022-11-21 美商阿爾發金屬化工公司 燒結組成物、其製造和使用方法及其用途
CN111036897A (zh) * 2019-12-24 2020-04-21 深圳第三代半导体研究院 一种具有微纳米核壳结构的互连材料制备方法
US11980935B2 (en) * 2020-03-31 2024-05-14 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Copper particles and method for producing same
EP3916122A1 (en) * 2020-05-28 2021-12-01 Solmates B.V. Method for controlling stress in a substrate during laser deposition
CN114520067B (zh) * 2020-11-20 2024-04-05 常州明耀半导体科技有限公司 一种导电浆料及透明显示装置
KR102364576B1 (ko) * 2020-12-16 2022-02-21 서울과학기술대학교 산학협력단 소결접합용 무레진 구리 페이스트 및 이를 이용한 소결접합 방법
US11938543B2 (en) * 2021-04-09 2024-03-26 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Silver sintering preparation and the use thereof for the connecting of electronic components
CN113611688A (zh) * 2021-08-03 2021-11-05 东莞记忆存储科技有限公司 一种芯片结构及其加工方法
DE102021121625B3 (de) 2021-08-20 2022-11-03 Danfoss Silicon Power Gmbh Verfahren zum Herstellen einer wenigstens ein aktives elektronisches Bauelement und wenigstens ein passives Bauelement aufweisenden elektronischen Baugruppe
CN114101661A (zh) * 2021-11-25 2022-03-01 重庆大学 一种填充有微纳米金属颗粒的混合浆料的制备方法及其产品和应用
KR20240060350A (ko) * 2022-10-28 2024-05-08 (주)에버텍엔터프라이즈 소결접합용 은 페이스트 조성물

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5022582B1 (ja) * 1970-07-22 1975-07-31
JP3467873B2 (ja) * 1994-12-02 2003-11-17 株式会社村田製作所 多層セラミック基板の製造方法
JP3513636B2 (ja) * 1995-02-08 2004-03-31 日立化成工業株式会社 複合導電粉、導電ペースト、電気回路及び電気回路の製造法
KR100390638B1 (ko) * 2001-07-09 2003-07-07 남애전자 주식회사 도전성 실리콘 페이스트
US7522404B2 (en) * 2004-03-09 2009-04-21 Showa Denko K.K. Solid electrolytic capacitor and the use thereof
US7218506B2 (en) * 2004-03-31 2007-05-15 Tdk Corporation Electrolytic capacitor and method of manufacturing the same
JP4961315B2 (ja) * 2007-09-28 2012-06-27 Dowaエレクトロニクス株式会社 金属被覆ニッケル粉の製造方法
DE102007046901A1 (de) * 2007-09-28 2009-04-09 W.C. Heraeus Gmbh Verfahren und Paste zur Kontaktierung von Metallflächen
DE102009000192A1 (de) 2009-01-14 2010-07-15 Robert Bosch Gmbh Sinterwerkstoff, Sinterverbindung sowie Verfahren zum Herstellen eines Sinterverbindung
DE102009040076A1 (de) * 2009-09-04 2011-03-10 W.C. Heraeus Gmbh Metallpaste mit Oxidationsmittel
US20110209751A1 (en) * 2010-01-25 2011-09-01 Hitachi Chemical Company, Ltd. Paste composition for electrode and photovoltaic cell
JP5525335B2 (ja) * 2010-05-31 2014-06-18 株式会社日立製作所 焼結銀ペースト材料及び半導体チップ接合方法
DE102010044329A1 (de) * 2010-09-03 2012-03-08 Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg Kontaktierungsmittel und Verfahren zur Kontaktierung elektrischer Bauteile
WO2012099877A1 (en) * 2011-01-18 2012-07-26 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc Electroconductive paste compositions and solar cell electrodes and contacts made therefrom
HUE028880T2 (en) * 2011-09-20 2017-01-30 Heraeus Deutschland Gmbh & Co Kg Paste and process for connecting electronic components with a carrier
DE102011083931A1 (de) * 2011-09-30 2013-04-04 Robert Bosch Gmbh Schichtverbund aus einem elektronischen Substrat und einer Schichtanordnung umfassend ein Reaktionslot
KR101437143B1 (ko) * 2011-12-02 2014-09-03 제일모직주식회사 태양전지 전극용 페이스트 조성물, 이를 이용하여 형성된 전극 및 이를 포함하는 태양전지
CN103170617B (zh) * 2011-12-23 2016-04-27 比亚迪股份有限公司 一种改性Ag膏及其应用以及功率模块中芯片和基体连接的烧结方法
JP5856038B2 (ja) * 2012-10-31 2016-02-09 三ツ星ベルト株式会社 スクリーン印刷用導電性接着剤並びに無機素材の接合体及びその製造方法
CN103596648B (zh) * 2013-02-04 2017-03-15 深圳市首骋新材料科技有限公司 晶体硅太阳能电池正面电极导电浆料及其制备方法
HUE042419T2 (hu) 2013-05-03 2019-06-28 Heraeus Deutschland Gmbh & Co Kg Részben oxidált fém szemcséket tartalmazó javított szinter-paszta

Also Published As

Publication number Publication date
KR102065232B1 (ko) 2020-01-10
WO2017036704A1 (de) 2017-03-09
KR20180004787A (ko) 2018-01-12
CN107743425A (zh) 2018-02-27
JP2018526526A (ja) 2018-09-13
US11045910B2 (en) 2021-06-29
CN107743425B (zh) 2019-05-28
TW201716527A (zh) 2017-05-16
US20180147673A1 (en) 2018-05-31
EP3009211B1 (de) 2017-06-14
EP3009211A1 (de) 2016-04-20
TWI628256B (zh) 2018-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6605048B2 (ja) 金属ペースト及びコンポーネントを接合するためのその使用
CN103608140B (zh) 接合材料及使用该接合材料制成的接合体
JP6423416B2 (ja) 焼結が難しい貴金属表面および非貴金属表面上に酸化銀が被覆された焼結ペースト
JP5940782B2 (ja) 焼結される銀ペーストにおける溶媒としての、脂肪族炭化水素およびパラフィンの使用
WO2014129626A1 (ja) 接続構造体、及び半導体装置
TWI537088B (zh) Improved sintered paste with partially oxidized metal particles
JP6312858B2 (ja) 金属ペーストおよびコンポーネントの結合のためのその使用
Calata et al. Sintered nanosilver paste for high-temperature power semiconductor device attachment
KR20130073975A (ko) 반도체소자 접합용 귀금속 페이스트
JP2010248617A (ja) 多孔質銀製シート、金属製部材接合体の製造方法、金属製部材接合体、電気回路接続用バンプの製造方法および電気回路接続用バンプ
WO2018101471A1 (ja) 導電性接合材料及び半導体装置の製造方法
WO2016028221A1 (en) Metal sintering preparation and the use thereof of the connecting of components
TW201616624A (zh) 金屬燒結調配物及其於連接組件之用途
TWI655693B (zh) 半導體裝置之製造方法
US11697155B2 (en) Metal paste and use thereof for joining components
US20240033860A1 (en) Sintering paste and use thereof for connecting components
TW201603933A (zh) 金屬膠及其用於連接組件之用途
WO2023190451A1 (ja) 接合体の製造方法
TW202408686A (zh) 用於連接組件之銀燒結膏及其用途

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180213

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190125

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190226

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190527

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20191008

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20191015

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6605048

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111